JP2022057798A - 基板処理システム、および基板搬送方法 - Google Patents

基板処理システム、および基板搬送方法 Download PDF

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Abstract

【課題】バッチ処理部および枚葉処理部の両方を備える基板処理システムにおいて、バッチ処理部から枚葉処理部への基板の搬送を適切に行う。【解決手段】基板処理システムは、バッチ処理部と、枚葉処理部と、搬送部とを備える。バッチ処理部は、複数の基板を所定のピッチで含むロットを一括で処理する。枚葉処理部は、ロットに含まれる基板を一枚ずつ処理する。搬送部は、バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を一枚ずつ搬送する。バッチ処理部は、処理槽と、支持具とを含む。処理槽は、処理液を貯留する。支持具は、所定のピッチで形成された複数の溝を有し、起立した状態の複数の基板を複数の溝の各々において下方から支持する。搬送部は、保持具を含む。保持具は、所定のピッチよりも大きく且つ処理液内で支持具に支持された複数の基板と複数の基板と対向する処理槽の内壁面との間の隙間に挿入可能な厚さを有し、複数の基板を一枚ずつ保持可能である。【選択図】図１０

Description

本開示は、基板処理システム、および基板搬送方法に関する。
従来、半導体ウエハ等の基板を一枚ずつ処理する枚葉式の処理部（枚葉処理部）および複数の基板を一括して処理するバッチ式の処理部（バッチ処理部）の両方を備え、バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を一枚ずつ搬送する基板処理システムがある。
特開平９－１６２１５７号公報
本開示は、バッチ処理部および枚葉処理部の両方を備える基板処理システムにおいて、バッチ処理部から枚葉処理部への基板の搬送を適切に行うことができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理システムは、バッチ処理部と、枚葉処理部と、搬送部とを備える。バッチ処理部は、複数の基板を所定のピッチで含むロットを一括で処理する。枚葉処理部は、ロットに含まれる基板を一枚ずつ処理する。搬送部は、バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を一枚ずつ搬送する。バッチ処理部は、処理槽と、支持具とを含む。処理槽は、処理液を貯留する。支持具は、所定のピッチで形成された複数の溝を有し、起立した状態の複数の基板を複数の溝の各々において下方から支持する。搬送部は、保持具を含む。保持具は、所定のピッチよりも大きく且つ処理液内で支持具に支持された複数の基板と複数の基板と対向する処理槽の内壁面との間の隙間に挿入可能な厚さを有し、複数の基板を一枚ずつ保持可能である。
本開示によれば、バッチ処理部および枚葉処理部の両方を備える基板処理システムにおいて、バッチ処理部から枚葉処理部への基板の搬送を適切に行うことができるという効果を奏する。
図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示すブロック図である。 図２は、第１実施形態に係る基板処理システムのうち、搬入エリア、バッチエリアおよびＩＦエリアの模式的な平面図である。 図３は、第１実施形態に係る基板処理システムのうち、ＩＦエリア、枚葉エリアおよび搬出エリアの模式的な平面図である。 図４は、第１実施形態に係るエッチング用の処理槽の構成を示すブロック図である。 図５は、第１実施形態に係るリンス用の処理槽の構成を示すブロック図である。 図６は、第１実施形態に係るロット浸漬機構の構成を示す図である。 図７は、第１実施形態に係る支持具の構成を示す図である。 図８は、第１実施形態に係る保持具の構成を示す図である。 図９は、第１実施形態に係る支持アームの先端を拡大して示す拡大図である。 図１０は、第１実施形態に係る保持具の厚さを説明するための図である。 図１１は、第１実施形態に係る液処理部の構成を示す模式図である。 図１２は、第１実施形態に係る乾燥処理部の構成を示す模式図である。 図１３は、第１実施形態に係る基板処理システムが実行する処理の手順を示すフローチャートである。 図１４Ａは、第１実施形態に係る第４搬送機構の動作を説明するための図である。 図１４Ｂは、第１実施形態に係る第４搬送機構の動作を説明するための図である。 図１４Ｃは、第１実施形態に係る第４搬送機構の動作を説明するための図である。 図１４Ｄは、第１実施形態に係る第４搬送機構の動作を説明するための図である。 図１４Ｅは、第１実施形態に係る第４搬送機構の動作を説明するための図である。 図１４Ｆは、第１実施形態に係る第４搬送機構の動作を説明するための図である。 図１５Ａは、第１実施形態の変形例に係る第４搬送機構およびリンス用の処理槽の動作を説明するための図である。 図１５Ｂは、第１実施形態の変形例に係る第４搬送機構およびリンス用の処理槽の動作を説明するための図である。 図１５Ｃは、第１実施形態の変形例に係る第４搬送機構およびリンス用の処理槽の動作を説明するための図である。 図１５Ｄは、第１実施形態の変形例に係る第４搬送機構およびリンス用の処理槽の動作を説明するための図である。 図１６は、第２実施形態に係る基板処理システムの模式的な平面図である。 図１７は、第２実施形態に係る第１載置部の模式的な正面図である。 図１８は、第２実施形態に係る第２載置部の模式的な正面図である。 図１９は、第３実施形態に係る基板処理システムの模式的な側面図である。 図２０は、変形例に係る枚葉エリアの模式的な平面図である。
以下に、本開示による基板処理システム、および基板搬送方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
特許文献１には、複数の基板を一括して水洗処理するバッチ処理部と、基板を一枚ずつ乾燥処理する枚葉処理部と、基板を搬送する搬送機構とを備えた基板処理システムが開示されている。搬送機構は、基板の周縁部をつかむチャックを有し、チャックを用いてバッチ処理部から基板を一枚ずつ取り出して枚葉処理部に搬送する。
ところで、近年の基板処理システムでは、スループットを向上させる観点から、バッチ処理部において一括で処理される複数の基板間のピッチが狭小化されている。
しかしながら、特許文献１に記載の基板処理システムでは、基板間のピッチが狭い場合に、バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を適切に搬送することまでは考慮されていない。このため、基板間のピッチが狭い場合でも、バッチ処理部から枚葉処理部への基板の搬送を適切に行うことができる基板搬送システムが期待されている。
（第１実施形態）
＜基板処理システムの構成＞
まず、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示すブロック図である。
図１に示すように、第１実施形態に係る基板処理システム１は、搬入エリアＡ１、バッチエリアＡ２、ＩＦ（インタフェース）エリアＡ３、枚葉エリアＡ４および搬出エリアＡ５を備える。搬入エリアＡ１、バッチエリアＡ２、ＩＦエリアＡ３、枚葉エリアＡ４および搬出エリアＡ５は、この順番で並べられる。
第１実施形態に係る基板処理システム１では、まず、搬入エリアＡ１において半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と記載する）の搬入が行われる。搬入エリアＡ１には、複数のウエハを収容したキャリアが載置される第１載置部等が設けられる。搬入エリアＡ１では、第１載置部に載置されたキャリアから複数のウエハを取り出してロットを形成する処理、および、形成したロットをバッチエリアに渡す処理等が行われる。
バッチエリアＡ２には、ウエハをロット単位で一括処理するバッチ処理部等が設けられる。第１実施形態において、バッチエリアＡ２では、バッチ処理部を用いてウエハのエッチング処理等がロット単位で行われる。また、バッチエリアＡ２には、ロットを搬送するロット搬送機構が設けられている。ロット搬送機構は、搬入エリアＡ１で形成されたロットをバッチエリアＡ２に搬送する。
ＩＦエリアＡ３では、バッチエリアＡ２から枚葉エリアＡ４へのウエハの受け渡し（搬送）が行われる。ＩＦエリアＡ３には、ウエハを一枚ずつ搬送する搬送部が設けられており、かかる搬送部を用いてバッチエリアから枚葉エリアへウエハを一枚ずつ搬送する。
枚葉エリアＡ４には、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉処理部等が設けられる。第１実施形態において、枚葉エリアＡ４には、ＩＦエリアＡ３からウエハが搬入される第１枚葉処理部と、第１枚葉処理部によって処理されたウエハを処理する第２枚葉処理部とが設けられる。
具体的には、第１枚葉処理部は、ウエハの表面に液膜を形成する液処理部である。また、第２枚葉処理部は、表面に液膜が形成されたウエハを超臨界流体と接触させてウエハを乾燥させる複数の乾燥処理部である。
すなわち、第１実施形態に係る基板処理システム１では、バッチエリアＡ２においてウエハのエッチング処理をロット単位で行い、その後、枚葉エリアＡ４においてウエハの乾燥処理を一枚ずつ行う。
搬出エリアＡ５には、空のキャリアが載置される第２載置部等が設けられる。搬出エリアＡ５では、枚葉エリアＡ４において乾燥処理を終えたウエハを第２載置部に載置されたキャリアに収容する処理が行われる。
次に、第１実施形態に係る基板処理システム１の具体的な構成について図２および図３を参照して説明する。図２は、第１実施形態に係る基板処理システム１のうち、搬入エリア、バッチエリアおよびＩＦエリアの模式的な平面図である。また、図３は、第１実施形態に係る基板処理システム１のうち、ＩＦエリア、枚葉エリアおよび搬出エリアの模式的な平面図である。
まず、図２を参照して搬入エリアＡ１、バッチエリアＡ２およびＩＦエリアＡ３の構成について説明する。
（搬入エリアＡ１について）
図２に示すように、搬入エリアＡ１には、キャリア搬入部２と、ロット形成部３とが配置される。キャリア搬入部２およびロット形成部３は、エリアＡ１～Ａ５の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って並べられる。また、ロット形成部３は、バッチエリアＡ２に隣接する。
キャリア搬入部２は、第１載置部２０と、第１搬送機構２１と、キャリアストック２２、２３と、キャリア載置台２４とを備える。
第１載置部２０には、外部から搬送された複数のキャリアＣが載置される。キャリアＣは、複数（たとえば、２５枚）のウエハＷを水平姿勢で上下に並べて収容する容器である。第１搬送機構２１は、第１載置部２０、キャリアストック２２、２３およびキャリア載置台２４間でキャリアＣの搬送を行う。
ロット形成部３は、第２搬送機構３０と、複数（たとえば、２つ）のロット保持部３１とを備え、複数のウエハＷで構成されるロットを形成する。第１実施形態において、ロットは、２つのキャリアＣに収容された計５０枚のウエハＷを組合せることによって形成される。１つのロットを形成する複数のウエハＷは、互いの主面を対向させた状態で一定の間隔（所定のピッチＰ）をあけて配列される。主面とは、例えば、ウエハＷのパターン形成面である。所定のピッチＰは、例えば、キャリアＣに収容された複数（例えば、２５枚）のウエハＷ間のピッチの半分の距離である。第１実施形態において、所定のピッチＰは、５ｍｍである。なお、ロットを構成するウエハＷの枚数は、５０枚に限定されない。たとえば、ロットは、１００枚のウエハＷで構成されてもよい。
第２搬送機構３０は、キャリア載置台２４に載置されたキャリアＣとロット保持部３１との間で複数のウエハＷを搬送する。第２搬送機構３０は、たとえば、多関節ロボットで構成され、複数（たとえば、２５枚）のウエハＷを一括で搬送する。また、第２搬送機構３０は、搬送途中で複数のウエハＷの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変更させることができる。
ロット保持部３１は、１ロット分の複数のウエハＷを垂直姿勢で保持する。第２搬送機構３０は、キャリア載置台２４に載置されたキャリアＣから複数のウエハＷを取り出してロット保持部３１に垂直姿勢で載置する。たとえばこの動作を２回繰り返すことにより、１つのロットが形成される。
（バッチエリアＡ２について）
バッチエリアＡ２には、前処理部４＿１と、複数（ここでは、２つ）のエッチング処理部４＿２と、後処理部４＿３とが配置される。前処理部４＿１、複数のエッチング処理部４＿２および後処理部４＿３は、バッチ処理部の一例である。
前処理部４＿１、複数のエッチング処理部４＿２および後処理部４＿３は、エリアＡ１～Ａ５の並び方向（Ｘ軸方向）に沿ってこの順番で並べられる。また、前処理部４＿１は、搬入エリアＡ１に隣接し、後処理部４＿３は、ＩＦエリアＡ３に隣接する。
前処理部４＿１は、前処理用の処理槽４０と、リンス用の処理槽４１と、ロット浸漬機構４２とを備える。
処理槽４０および処理槽４１は、垂直姿勢で配列された１ロット分のウエハＷを収容可能である。処理槽４０には、前処理用の処理液が貯留される。たとえば、処理槽４０には、前処理、ここでは自然酸化膜除去用の処理液として、ＤＨＦ（希フッ酸）が貯留される。また、処理槽４１には、リンス用の処理液（たとえば脱イオン水）が貯留される。
ロット浸漬機構４２は、ロットを形成する複数のウエハＷを垂直姿勢で一定の間隔をあけて保持する。ロット浸漬機構４２は、保持したロットを昇降させる昇降機構を有しており、処理槽４０，４１の上方からロットを下降させて処理槽４０，４１に浸漬させたり、処理槽４０，４１に浸漬させたロットを上昇させて処理槽４０，４１から取り出したりする。また、ロット浸漬機構４２は、水平移動機構を有しており、処理槽４０の上方位置と処理槽４１の上方位置との間でロットを水平移動させることができる。
なお、ここでは、前処理用の処理槽４０がリンス用の処理槽４１のＸ軸正方向側に配置される場合の例を示しているが、前処理用の処理槽４０は、リンス用の処理槽４１のＸ軸負方向側に配置されてもよい。
エッチング処理部４＿２は、エッチング用の処理槽４３と、リンス用の処理槽４４と、ロット浸漬機構４５，４６とを備える。
処理槽４３および処理槽４４は、垂直姿勢で配列された１ロット分のウエハＷを収容可能である。処理槽４３には、エッチング用の処理液（以下、「エッチング液」とも呼称する。）が貯留される。処理槽４３の詳細については後述する。処理槽４４には、リンス用の処理液（たとえば脱イオン水）が貯留される。
ロット浸漬機構４５，４６は、ロットを形成する複数のウエハＷを垂直姿勢で一定の間隔を空けて保持する。ロット浸漬機構４５は、保持したロットを昇降させる昇降機構を有しており、処理槽４３の上方からロットを下降させて処理槽４３に浸漬させたり、処理槽４３に浸漬させたロットを上昇させて処理槽４３から取り出したりする。同様に、ロット浸漬機構４６も、保持したロットを昇降させる昇降機構を有しており、処理槽４４の上方からロットを下降させて処理槽４４に浸漬させたり、処理槽４４に浸漬させたロットを上昇させて処理槽４４から取り出したりする。
なお、ここでは、エッチング処理用の処理槽４３がリンス用の処理槽４４のＸ軸正方向側に配置される場合の例を示しているが、エッチング処理用の処理槽４３は、リンス用の処理槽４４のＸ軸負方向側に配置されてもよい。
後処理部４＿３は、後処理用の処理槽４７と、リンス用の処理槽４８と、ロット浸漬機構４９とを備える。
処理槽４７および処理槽４８は、垂直姿勢で配列された１ロット分のウエハＷを収容可能である。処理槽４７には、後処理用の処理液が貯留される。たとえば、処理槽４０には、後処理、ここでは洗浄用の処理液として、ＳＣ１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）が貯留される。また、処理槽４８には、リンス用の処理液（たとえば脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water））が貯留される。かかるリンス用の処理槽４８は、ＩＦエリアＡ３に隣接している。処理槽４８の詳細については後述する。
ロット浸漬機構４９は、ロットを形成する複数のウエハＷを垂直姿勢で一定の間隔を空けて保持する。ロット浸漬機構４９は、保持したロットを昇降させる昇降機構を有しており、処理槽４７，４８の上方からロットを下降させて処理槽４７，４８に浸漬させたり、処理槽４７，４８に浸漬させたロットを上昇させて処理槽４７，４８から取り出したりする。また、ロット浸漬機構４９は、水平移動機構を有しており、処理槽４７の上方位置と処理槽４８の上方位置との間でロットを水平移動させることができる。ロット浸漬機構４９の詳細については後述する。
ここでは、バッチエリアＡ２に４つのバッチ処理部（前処理部４＿１、複数のエッチング処理部４＿２および後処理部４＿３）が配置される場合の例を示したが、バッチ処理部の数は、本例に限定されず、たとえば１つであってもよい。
（第３搬送機構５０について）
基板処理システム１は、第３搬送機構５０（ロット搬送機構の一例）を備える。第３搬送機構５０は、搬入エリアＡ１およびバッチエリアＡ２に跨がるように配置され、搬入エリアＡ１からバッチエリアＡ２にロットを搬送する。
第３搬送機構５０は、保持体５１と、レール５２と、移動体５３とを備える。保持体５１は、複数のウエハＷが垂直姿勢となる状態でロットを保持する。レール５２は、搬入エリアＡ１のロット保持部３１からバッチエリアＡ２の処理槽４８まで、Ｘ軸方向に沿って延在する。移動体５３は、レール５２に設けられ、保持体５１をレール５２に沿って移動させる。
かかる第３搬送機構５０は、ロット保持部３１に保持されたロットを保持体５１を用いて保持し、保持したロットをバッチエリアＡ２に搬送する。そして、第３搬送機構５０は、前処理部４＿１、エッチング処理部４＿２および後処理部４＿３の順にロットを搬送していく。
ここで、エッチング用の処理槽４３について図４を参照して説明する。図４は、第１実施形態に係るエッチング用の処理槽４３の構成を示すブロック図である。
処理槽４３では、所定のエッチング液を用いて、ウエハＷ上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のうちシリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング処理が行われる。かかるエッチング処理では、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液にシリコン（Ｓｉ）含有化合物を添加してシリコン濃度を調整した溶液が、エッチング液として用いられる。
エッチング液中のシリコン濃度を調整する手法としては、リン酸水溶液にダミー基板を浸漬させてシリコンを溶解させる方法（シーズニング）や、コロイダルシリカなどのシリコン含有化合物をリン酸水溶液に溶解させる方法を用いることができる。また、リン酸水溶液にシリコン含有化合物水溶液を添加してシリコン濃度を調整してもよい。
図４に示すように、エッチング用の処理槽４３は、内槽１０１と、外槽１０２とを備える。内槽１０１は、上方が開放された箱形の槽であり、内部にエッチング液を貯留する。複数のウエハＷにより形成されるロットは、内槽１０１に浸漬される。外槽１０２は、上方が開放され、内槽１０１の上部周囲に配置される。外槽１０２には、内槽１０１からオーバーフローしたエッチング液が流入する。
また、処理槽４３は、リン酸水溶液供給部１０３と、シリコン供給部１０４と、ＤＩＷ供給部１０５とを備える。
リン酸水溶液供給部１０３は、リン酸水溶液供給源１３１と、リン酸水溶液供給ライン１３２と、流量調整器１３３とを有する。
リン酸水溶液供給源１３１は、リン酸濃度が所望の濃度に濃縮されたリン酸水溶液を供給する。リン酸水溶液供給ライン１３２は、リン酸水溶液供給源１３１と外槽１０２とを接続し、リン酸水溶液供給源１３１から外槽１０２にリン酸水溶液を供給する。
流量調整器１３３は、リン酸水溶液供給ライン１３２に設けられ、外槽１０２へ供給されるリン酸水溶液の供給量を調整する。流量調整器１３３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
シリコン供給部１０４は、シリコン供給源１４１と、シリコン供給ライン１４２と、流量調整器１４３とを有する。
シリコン供給源１４１は、シリコン含有化合物水溶液を貯留するタンクである。シリコン供給ライン１４２は、シリコン供給源１４１と外槽１０２とを接続し、シリコン供給源１４１から外槽１０２にシリコン含有化合物水溶液を供給する。
流量調整器１４３は、シリコン供給ライン１４２に設けられ、外槽１０２へ供給されるシリコン含有化合物水溶液の供給量を調整する。流量調整器１４３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器１４３によってシリコン含有化合物水溶液の供給量が調整されることで、エッチング液のシリコン濃度が調整される。
ＤＩＷ供給部１０５は、ＤＩＷ供給源１５１と、ＤＩＷ供給ライン１５２と、流量調整器１５３とを有する。ＤＩＷ供給部１０５は、エッチング液を加熱することで蒸発した水分を補給するため、外槽１０２にＤＩＷを供給する。
ＤＩＷ供給ライン１５２は、ＤＩＷ供給源１５１と外槽１０２とを接続し、ＤＩＷ供給源１５１から外槽１０２に所定温度のＤＩＷを供給する。
流量調整器１５３は、ＤＩＷ供給ライン１５２に設けられ、外槽１０２へ供給されるＤＩＷの供給量を調整する。流量調整器１５３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器１５３によってＤＩＷの供給量が調整されることで、エッチング液の温度、リン酸濃度およびシリコン濃度が調整される。
また、処理槽４３は、循環部１０６を備える。循環部１０６は、内槽１０１と外槽１０２との間でエッチング液を循環させる。循環部１０６は、循環ライン１６１と、複数の処理液供給ノズル１６２と、フィルタ１６３と、ヒータ１６４と、ポンプ１６５とを備える。
循環ライン１６１は、外槽１０２と内槽１０１とを接続する。循環ライン１６１の一端は、外槽１０２に接続され、循環ライン１６１の他端は、内槽１０１の内部に配置された複数の処理液供給ノズル１６２に接続される。
フィルタ１６３、ヒータ１６４およびポンプ１６５は、循環ライン１６１に設けられる。フィルタ１６３は、循環ライン１６１を流れるエッチング液から不純物を除去する。ヒータ１６４は、循環ライン１６１を流れるエッチング液を、エッチング処理に適した温度に加熱する。ポンプ１６５は、外槽１０２内のエッチング液を循環ライン１６１に送り出す。フィルタ１６３、ヒータ１６４およびポンプ１６５は、上流側からこの順番で設けられる。
循環部１０６は、エッチング液を外槽１０２から循環ライン１６１および複数の処理液供給ノズル１６２経由で内槽１０１内へ送る。内槽１０１内に送られたエッチング液は、内槽１０１からオーバーフローすることで、再び外槽１０２へと流出する。このようにして、エッチング液は、内槽１０１と外槽１０２との間を循環する。
なお、循環部１０６は、ヒータ１６４によってエッチング液を加熱することにより、エッチング液を沸騰状態としてもよい。
次に、リンス用の処理槽４８について図５を参照して説明する。図５は、第１実施形態に係るリンス用の処理槽４８の構成を示すブロック図である。
図５に示すように、リンス用の処理槽４８は、内槽２０１と、外槽２０２とを備える。内槽２０１は、上方が開放された箱形の槽であり、内部にリンス液（処理液の一例）を貯留する。複数のウエハＷにより形成されるロットは、内槽２０１に浸漬される。外槽２０２は、上方が開放され、内槽２０１の上部周囲に配置される。外槽２０２には、内槽２０１からオーバーフローしたリンス液が流入する。
また、処理槽４８は、ＤＩＷ供給部２０５を備える。
ＤＩＷ供給部２０５は、ＤＩＷ供給源２５１と、ＤＩＷ供給ライン２５２と、流量調整器２５３とを有する。
ＤＩＷ供給源２５１は、ＤＩＷを供給する。ＤＩＷ供給ライン２５２は、ＤＩＷ供給源２５１と外槽２０２とを接続し、ＤＩＷ供給源２５１から外槽２０２に所定温度のＤＩＷを供給する。
流量調整器２５３は、ＤＩＷ供給ライン２５２に設けられ、外槽２０２へ供給されるＤＩＷの供給量を調整する。流量調整器２５３は、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。
また、処理槽４３は、循環部２０６を備える。循環部２０６は、内槽２０１と外槽２０２との間でリンス液を循環させる。循環部２０６は、循環ライン２６１と、複数の処理液供給ノズル２６２と、フィルタ２６３と、ヒータ２６４と、ポンプ２６５とを備える。
循環ライン２６１は、外槽２０２と内槽２０１とを接続する。循環ライン２６１の一端は、外槽２０２に接続され、循環ライン２６１の他端は、内槽２０１の内部に配置された複数の処理液供給ノズル２６２に接続される。
フィルタ２６３、ヒータ２６４およびポンプ２６５は、循環ライン２６１に設けられる。フィルタ２６３は、循環ライン２６１を流れるリンス液から不純物を除去する。ヒータ２６４は、循環ライン２６１を流れるリンス液を、リンス処理に適した温度に加熱する。ポンプ２６５は、外槽２０２内のリンス液を循環ライン２６１に送り出す。フィルタ２６３、ヒータ２６４およびポンプ２６５は、上流側からこの順番で設けられる。
循環部２０６は、リンス液を外槽２０２から循環ライン２６１および複数の処理液供給ノズル２６２経由で内槽２０１内へ送る。内槽２０１内に送られたリンス液は、内槽２０１からオーバーフローすることで、再び外槽２０２へと流出する。このようにして、リンス液は、内槽２０１と外槽２０２との間を循環する。
次に、ロット浸漬機構４９について図６を参照して説明する。図６は、第１実施形態に係るロット浸漬機構４９の構成を示す図である。
図６に示すように、ロット浸漬機構４９は、支持具３０１と、昇降機構３０２とを備える。なお、ロット浸漬機構４９は、昇降機構３０２の他に水平移動機構を備えるが、ここでは、説明の便宜上、水平移動機構の説明を省略する。
支持具３０１は、複数の溝３１１を有し、起立した状態の複数のウエハＷを複数の溝３１１の各々において下方から支持する。ここで、支持具３０１の構成について図７を参照して説明する。図７は、第１実施形態に係る支持具３０１の構成を示す図である。
図７に示すように、支持具３０１が有する複数の溝３１１は、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って一定の間隔（所定のピッチＰ）で形成される。各溝３１１は、下方に向かって狭幅となる略逆台形状を有する。このように、支持具３０１は、複数の溝３１１により形成される櫛歯構造を有する。
複数のウエハＷは、各溝３１１に対して１枚ずつ支持される。これにより、複数のウエハＷは、溝３１１の並び方向と同じ方向（Ｙ軸方向）に一定の間隔（所定のピッチＰ）をあけて並べられた状態で支持具３０１に支持される。
昇降機構３０２は、支持具３０１を昇降させる。昇降機構３０２は、処理槽４８の上方から支持具３０１を降下させて、支持具３０１に支持された複数のウエハＷを処理槽４８のリンス用の処理液に浸漬させることができる。また、昇降機構３０２は、支持具３０１を上昇させて、支持具３０１に支持された複数のウエハＷを処理槽４８から取り出すことができる。
（ＩＦエリアＡ３について）
ＩＦエリアＡ３には、第４搬送機構５５（搬送部の一例）が配置される。第４搬送機構５５は、たとえば、多関節ロボットで構成され、ウエハＷを一枚ずつ搬送する。また、第４搬送機構５５は、搬送途中でウエハＷの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
第４搬送機構５５は、後処理部４＿３が備えるリンス用の処理槽４８に浸漬されたロットからウエハＷを一枚取り出し、取り出したウエハＷの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢に変更したうえで、後述する枚葉エリアＡ４の液処理部６に搬入する。
第４搬送機構５５は、複数のアームセグメントを複数の回転軸で回転可能に接続したアーム５５ａを有する多関節ロボットである。アーム５５ａの先端には保持具５５ｂが接続される。第４搬送機構５５は、アーム５５ａを動作させて、保持具５５ｂの姿勢を垂直姿勢と水平姿勢との間で変更することができる。保持具５５ｂは、ウエハＷを一枚ずつ保持可能に構成される。ここで、保持具５５ｂの構成について図８および図９を参照して説明する。図８は、第１実施形態に係る保持具５５ｂの構成を示す図である。図８においては、垂直姿勢の保持具５５ｂが示されている。
図８に示すように、保持具５５ｂは、ベース部材４０１と、支持アーム４０２と、クランプ部材４０３とを備える。
ベース部材４０１は、アーム５５ａに連結される。
支持アーム４０２は、ベース部材４０１に固定される。支持アーム４０２は、図９に示すように、先端４０２ａに支持溝４１１を有し、保持具５５ｂの姿勢が垂直姿勢に設定された状態で、支持溝４１１において下方から一枚のウエハＷを支持する。図９は、第１実施形態に係る支持アーム４０２の先端４０２ａを拡大して示す拡大図である。支持溝４１１は、下方に向かって狭幅となる略Ｖ字形状を有する。ウエハＷは、支持アーム４０２の片側の面４０２ｂと対向するように支持溝４１１に収容されることにより、支持アーム４０２に支持される。
クランプ部材４０３は、ベース部材４０１に対して進退可能に設けられる。
保持具５５ｂは、ベース部材４０１の内部からクランプ部材４０３を進出させ、進出させたクランプ部材４０３を支持アーム４０２に支持されたウエハＷの上縁部に当接させることにより、ウエハＷを保持する。また、保持具５５ｂは、ウエハＷの上縁部に当接させたクランプ部材４０３をベース部材４０１の内部に退避させることにより、ウエハＷの保持を解除する。
また、保持具５５ｂは、所定のピッチＰよりも大きく且つ処理槽４８のリンス用の処理液内で支持具３０１に支持された複数のウエハＷと複数のウエハＷと対向する処理槽４８の内壁面との間の隙間に挿入可能な厚さを有する。ここで、保持具５５ｂの厚さについて図１０を参照して説明する。図１０は、第１実施形態に係る保持具５５ｂの厚さを説明するための図である。図１０では、支持具３０１に支持された複数のウエハＷが処理槽４８のリンス用の処理液に浸漬された状態を示している。
支持具３０１が有する複数の溝３１１は、Ｙ軸方向に沿って所定のピッチＰで形成されている。複数のウエハＷは、処理槽４８のリンス用の処理液内において、溝３１１の並び方向と同じＹ軸方向に所定のピッチＰで並べられた状態で支持具３０１に支持されている。処理槽４８のリンス用の処理液内で支持具３０１に支持された複数のウエハＷと複数のウエハＷと対向する処理槽４８の内壁面との間には、隙間４８ｇが形成されている。保持具５５ｂは、所定のピッチＰよりも大きく且つ隙間４８ｇに挿入可能な厚さｔを有する。保持具５５ｂの厚さｔとは、保持具５５ｂが備える支持アーム４０２のうち最も厚い部分である先端４０２ａの厚さを指す。すなわち、隙間４８ｇの幅をＧとすると、Ｐ＜ｔ＜Ｇの関係が成立する。本実施形態では、所定のピッチＰが５ｍｍであるので、保持具５５ｂの厚さｔは、たとえば８ｍｍであり、隙間４８ｇの幅Ｇは、たとえば１０ｍｍ以上である。
このように、保持具５５ｂは、所定のピッチＰよりも大きく且つ隙間４８ｇに挿入可能な厚さｔを有する。これにより、保持具５５ｂを備える第４搬送機構５５は、隙間４８ｇに挿入させた保持具５５ｂを用いて処理槽４８からウエハＷを一枚ずつ取り出して枚葉エリアＡ４の液処理部６へ搬送することができる。結果として、バッチエリアＡ２において一括で処理される複数のウエハＷのピッチＰが狭い場合でも、バッチエリアＡ２から枚葉エリアＡ４へのウエハＷの搬送を適切に行うことができる。
（枚葉エリアＡ４について）
次に、図３を参照して、枚葉エリアＡ４および搬出エリアＡ５の構成について説明する。
枚葉エリアＡ４には、液処理部６と、乾燥処理部７と、第５搬送機構８とが配置される。液処理部６は、第１枚葉処理部の一例であり、乾燥処理部７は、第２枚葉処理部の一例である。また、第５搬送機構８は、枚葉搬送機構の一例である。
液処理部６、乾燥処理部７および第５搬送機構８は、エリアＡ１～Ａ５の並び方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に沿ってこの順番で並べられる。具体的には、枚葉エリアＡ４の中央に第５搬送機構８が配置され、第５搬送機構８のＹ軸方向における一方側（ここでは、Ｙ軸負方向側）に液処理部６が配置される。また、第５搬送機構８を挟んで液処理部６と反対側に、乾燥処理部７が配置される。
液処理部６は、第４搬送機構５５によって搬送されたウエハＷに対して液処理を行う。具体的には、液処理部６は、ウエハＷの表面に乾燥用処理液の液膜を形成する。液処理部６によって液膜が形成されたウエハＷは、第５搬送機構８によって液処理部６から取り出されて乾燥処理部７に搬送される。
第５搬送機構８は、ウエハＷを保持する保持体を備える。また、第５搬送機構８は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、保持体を用いてウエハＷの搬送を行う。具体的には、第５搬送機構８は、液処理部６から乾燥処理部７へのウエハＷの搬送と、乾燥処理部７から後述する搬出エリアＡ５のウエハ載置台９１へのウエハＷの搬送とを行う。
乾燥処理部７は、液処理部６によって液膜が形成されたウエハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥処理部７は、液膜が形成されたウエハＷを超臨界状態の処理流体と接触させることによってウエハＷを乾燥させる。
乾燥処理部７は、超臨界乾燥処理が行われる処理エリア７１と、第５搬送機構８と処理エリア７１との間でのウエハＷの受け渡しが行われる受渡エリア７２とを備える。
また、枚葉エリアＡ４には、乾燥処理部７の処理エリア７１に隣接する位置に供給ユニット７３が配置される。供給ユニット７３は、乾燥処理部７の処理エリア７１に対して処理流体を供給する。供給ユニット７３は、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。第１実施形態において、供給ユニット７３は、処理流体としてＣＯ２を乾燥処理部７に供給する。
液処理部６は、ウエハＷの搬入口６１および搬出口６２を備える。搬入口６１は、ＩＦエリアＡ３と対向する位置に設けられ、第４搬送機構５５によってウエハＷが搬入される。搬出口６２は、第５搬送機構８と対向する位置に設けられ、ウエハＷが搬出される。このように、搬入口６１と搬出口６２とを別々の位置に設けることで、液処理部６に対するウエハＷの搬入出を効率よく行うことができる。なお、搬出口６２は、受渡エリア７２と対向する位置に設けられてもよい。この場合、液膜が形成されたウエハＷを第５搬送機構８によって液処理部６から乾燥処理部７へ搬送する距離が最短となるため、液膜の乾燥を抑制することができる。
ここで、液処理部６および乾燥処理部７の構成について説明する。まず、液処理部６の構成について図５を参照して説明する。図１１は、第１実施形態に係る液処理部６の構成を示す模式図である。
図１１に示すように、液処理部６は、処理空間を形成するアウターチャンバー５０３内に配置されたスピンチャック５０５にてウエハＷをほぼ水平に保持し、このスピンチャック５０５を鉛直軸周りに回転させることによりウエハＷを回転させる。そして、液処理部６は、回転するウエハＷの上方にノズルアーム５０６を進入させ、かかるノズルアーム５０６の先端部に設けられるノズル５６１から乾燥用処理液、ここではＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給する。
また、液処理部６には、スピンチャック５０５の内部にも薬液供給路５５１が形成されている。そして、かかる薬液供給路５５１から供給されたＩＰＡによって、ウエハＷの下面も処理される。
ＩＰＡは、アウターチャンバー５０３や、アウターチャンバー５０３内に配置されるインナーカップ５０４に受け止められて、アウターチャンバー５０３の底部に設けられる排液口５３１や、インナーカップ５０４の底部に設けられる排液口５４１から排出される。さらに、アウターチャンバー５０３内の雰囲気は、アウターチャンバー５０３の底部に設けられる排気口５３２から排気される。
液処理部６は、スピンチャック５０５を回転させながら、ウエハＷの上面および下面にＩＰＡを供給する。これにより、ウエハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理部６は、スピンチャック５０５の回転を緩やかに停止する。
その後、ウエハＷは、上面にＩＰＡの液膜が形成された状態のまま、スピンチャック５０５から第５搬送機構８に受け渡され、第５搬送機構８によって液処理部６から搬出される。ウエハＷ上に形成された液膜は、液処理部６から乾燥処理部７へのウエハＷの搬送中に、ウエハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。
次に、乾燥処理部７の構成について図１２を参照して説明する。図１２は、第１実施形態に係る乾燥処理部７の構成を示す模式図である。
図１２に示すように、乾燥処理部７は、本体６０１と、保持板６０２と、蓋部材６０３とを有する。筐体状の本体６０１には、ウエハＷを搬入出するための開口部６０４が形成される。保持板６０２は、処理対象のウエハＷを水平方向に保持する。蓋部材６０３は、かかる保持板６０２を支持するとともに、ウエハＷを本体６０１内に搬入したときに、開口部６０４を密閉する。
本体６０１は、一枚のウエハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート６０５，６０６と排出ポート６０７とが設けられる。供給ポート６０５，６０６および排出ポート６０７は、それぞれ、乾燥処理部７に超臨界流体を流通させるための供給流路および排出流路に接続されている。
供給ポート６０５は、筐体状の本体６０１において、開口部６０４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート６０６は、本体６０１の底面に接続されている。さらに、排出ポート６０７は、開口部６０４の下方側に接続されている。なお、図１２には２つの供給ポート６０５，６０６と１つの排出ポート６０７が図示されているが、供給ポート６０５，６０６や排出ポート６０７の数は特に限定されない。
また、本体６０１の内部には、流体供給ヘッダー６０８，６０９と、流体排出ヘッダー６００とが設けられる。そして、流体供給ヘッダー６０８，６０９には複数の供給口がかかる流体供給ヘッダー６０８，６０９の長手方向に並んで形成され、流体排出ヘッダー６００には複数の排出口がかかる流体排出ヘッダー６００の長手方向に並んで形成される。
流体供給ヘッダー６０８は、供給ポート６０５に接続され、筐体状の本体６０１内部において、開口部６０４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー６０８に並んで形成される複数の供給口は、開口部６０４側を向いている。
流体供給ヘッダー６０９は、供給ポート６０６に接続され、筐体状の本体６０１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー６０９に並んで形成される複数の供給口は、上方を向いている。
流体排出ヘッダー６００は、排出ポート６０７に接続され、筐体状の本体６０１内部において、開口部６０４側の側面に隣接するとともに、開口部６０４より下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー６００に並んで形成される複数の排出口は、上方を向いている。
流体供給ヘッダー６０８，６０９は、超臨界流体を本体６０１内に供給する。また、流体排出ヘッダー６００は、本体６０１内の超臨界流体を本体６０１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー６００を介して本体６０１の外部に排出される超臨界流体には、ウエハＷの表面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。
かかる乾燥処理部７内において、ウエハＷ上に形成されているパターンの間のＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解し、パターンの間は徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、超臨界流体のみによってパターンの間が満たされる。
そして、パターンの間からＩＰＡ液体が除去された後に、本体６０１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウエハＷの乾燥処理が完了する。
（搬出エリアＡ５について）
搬出エリアＡ５には、ウエハ載置台９１と、第６搬送機構９２と、第２載置部９３とが配置される。ウエハ載置台９１、第６搬送機構９２および第２載置部９３は、エリアＡ１～Ａ５の並び方向（Ｘ軸方向）に沿ってこの順番で並べられる。また、ウエハ載置台９１は、枚葉エリアＡ４に隣接して配置される。
ウエハ載置台９１には、ウエハＷが水平姿勢で載置される。ウエハ載置台９１は、第５搬送機構８および第６搬送機構９２の両方がアクセス可能である。
第６搬送機構９２は、ウエハＷを保持する保持体を備える。また、第６搬送機構９２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、保持体を用いてウエハ載置台９１と第２載置部９３との間でウエハＷの搬送を行う。第２載置部９３は、複数のキャリアＣを載置可能である。
（制御装置１１について）
基板処理システム１は、制御装置１１を備える。制御装置１１は、たとえばコンピュータであり、制御部１２と記憶部１３とを備える。記憶部１３には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１２は、記憶部１３に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置１１の記憶部１３にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜基板処理システム１の具体的動作＞
次に、基板処理システム１が実行する処理の手順について図１３を参照して説明する。図１３は、第１実施形態に係る基板処理システム１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。図１３に示す各処理は、制御部１２による制御に従って実行される。
図１３に示すように、基板処理システム１は、第２搬送機構３０によって２つのキャリアＣから複数のウエハＷをそれぞれ取り出し、各キャリアＣに収容された複数（たとえば、２５枚）のウエハＷによってロットを形成する（ステップＳ１０１）。
ステップＳ１０１の処理について図２を参照しながら説明する。まず、第１搬送機構２１が、第１載置部２０からキャリアＣを取り出してキャリア載置台２４に載置する。そして、第２搬送機構３０が、キャリア載置台２４に載置されたキャリアＣから複数枚のウエハＷを取り出し、取り出した複数枚のウエハＷの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変更し、複数枚のウエハＷをロット保持部３１に載置する。この動作を２回繰り返すことにより、ロットが形成される。ロットに含まれる複数のウエハＷは、互いの主面を対向させた状態で配列される。
つづいて、基板処理システム１は、形成されたロットに対して、前処理を行う（ステップＳ１０２）。
具体的には、第３搬送機構５０が、ロット保持部３１からロットを受け取って前処理部４＿１のロット浸漬機構４２に渡す。そして、ロット浸漬機構４２は、受け取ったロットを処理槽４０に貯留されたＤＨＦに浸漬させる。その後、ロット浸漬機構４２は、ロットを処理槽４０から取り出して処理槽４１に貯留されたＤＩＷに浸漬させる。これにより、ウエハＷに付着したＤＨＦが処理槽４１に貯留されたＤＩＷによって洗い流される。
つづいて、基板処理システム１は、前処理部４＿１によって処理されたロットに対してエッチング処理を行う（ステップＳ１０３）。
具体的には、第３搬送機構５０が、前処理部４＿１のロット浸漬機構４２からロットを受け取ってエッチング処理部４＿２のロット浸漬機構４５に渡す。そして、ロット浸漬機構４５は、受け取ったロットを処理槽４３に貯留されたエッチング液に浸漬させる。その後、ロット浸漬機構４５は、ロットを処理槽４３から取り出して第３搬送機構５０に渡す。つづいて、第３搬送機構５０が、ロット浸漬機構４５から受け取ったロットをロット浸漬機構４６に渡す。そして、ロット浸漬機構４６は、受け取ったロットを処理槽４４に貯留されたＤＩＷに浸漬させる。これにより、ウエハＷに付着したエッチング液が処理槽４４に貯留されたＤＩＷによって洗い流される。
つづいて、基板処理システム１は、エッチング処理部４＿２によって処理されたロットに対して、洗浄処理を行う（ステップＳ１０４）。
具体的には、第３搬送機構５０が、ロット浸漬機構４６からロットを受け取って後処理部４＿３のロット浸漬機構４９に渡す。そして、ロット浸漬機構４９は、受け取ったロットを処理槽４７に貯留されたＳＣ１に浸漬させる。その後、ロット浸漬機構４９は、ロットを処理槽４７から取り出して処理槽４８に貯留されたＤＩＷに浸漬させる。これにより、ウエハＷに付着したＳＣ１が処理槽４８に貯留されたＤＩＷによって洗い流される。
つづいて、基板処理システム１は、後処理部４＿３によって処理されたウエハＷに対して、液膜形成処理を行う（ステップＳ１０５）。液膜形成処理は、ロット単位ではなく一枚のウエハＷ単位で行われる。
具体的には、第４搬送機構５５が、処理槽４８の内部でロット浸漬機構４９に保持されたロットからウエハＷを一枚取り出す。そして、第４搬送機構５５は、ウエハＷを垂直姿勢から水平姿勢に変更したうえで、搬入口６１（図３参照）を介して液処理部６内のスピンチャック５０５（図１１参照）にウエハＷを渡す。
液処理部６は、スピンチャック５０５を回転させながら、ウエハＷの上面および下面にＩＰＡを供給する。これにより、ウエハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。また、ウエハＷの上面にＩＰＡの液膜が形成される。
つづいて、基板処理システム１は、液膜形成処理後のウエハＷに対して、乾燥処理を行う（ステップＳ１０６）。
具体的には、第５搬送機構８が、液処理部６から搬出口６２を介してウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡エリア７２（図３参照）に配置された保持板６０２（図１２参照）に渡す。つづいて、乾燥処理部７が、保持板６０２を処理エリア７１に移動させることにより、本体６０１の内部にウエハＷを配置させる。
つづいて、乾燥処理部７は、超臨界流体を本体６０１内に供給する。これにより、本体６０１内の圧力は大気圧から所定の第１圧力まで昇圧される。ここで、第１圧力は、超臨界流体であるＣＯ２が超臨界状態となる臨界圧力（約７．２ＭＰａ）以上の圧力であり、たとえば、１６ＭＰａ程度である。したがって、超臨界流体を本体６０１内に供給することにより、本体６０１内の超臨界流体は超臨界状態に相変化する。そして、かかる超臨界状態の超臨界流体に、ウエハＷ上のＩＰＡが溶け込み始める。
その後、本体６０１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウエハＷの乾燥処理が完了する。
つづいて、基板処理システム１は、乾燥処理後のウエハＷをキャリアＣに収容する搬出処理を行う（ステップＳ１０７）。
具体的には、乾燥処理部７が、保持板６０２を受渡エリア７２に移動させ、第５搬送機構８が、保持板６０２から乾燥処理後のウエハＷを受け取る。つづいて、第５搬送機構８は、受け取ったウエハＷをウエハ載置台９１に載置する。そして、第６搬送機構９２は、ウエハ載置台９１からウエハＷを取り出して、第２載置部９３に載置されたキャリアＣに収容する。
＜第４搬送機構５５の動作＞
次に、上述した第４搬送機構５５の具体的な動作について図１４Ａ～図１４Ｆを参照して説明する。図１４Ａ～図１４Ｆは、第１実施形態に係る第４搬送機構５５の動作を説明するための図である。なお、第４搬送機構５５が備えるアーム５５ａおよび保持具５５ｂの動作は、制御部１２によって制御される。
洗浄処理（ステップＳ１０４）が行われた後、ロット浸漬機構４９は、図１４Ａに示すように、処理槽４８のリンス用の処理液内で支持具３０１に複数（たとえば、５０枚、図１４Ａには便宜上８枚のみ図示）のウエハＷが支持された状態で、待機する。支持具３０１は、互いの主面Ｍ１を対向させた状態で配列された複数のウエハＷを複数（たとえば、５０個、図１４Ａには便宜上８個のみ図示）の溝３１１の各々の下方から支持している。かかる状況の下で、制御部１２は、保持具５５ｂを隙間４８ｇ（図１０参照）に挿入し、複数のウエハＷが位置する複数の溝３１１のうち、処理槽４８の内壁面に最も近い溝３１１に対応するウエハＷを保持具５５ｂに保持させる。以下、処理槽４８の内壁面に最も近い溝３１１を適宜「第１溝３１１ａ」と表記する。第１溝３１１ａに対応するウエハＷは、主面Ｍ１が保持具５５ｂの支持アーム４０２とは反対側を向くように保持具５５ｂに保持される。
つづいて、図１４Ｂに示すように、制御部１２は、保持具５５ｂに保持されたウエハＷを処理槽４８から取り出す。そして、制御部１２は、取り出したウエハＷを垂直姿勢から水平姿勢へ変更したうえで、液処理部６へ搬送する。すなわち、制御部１２は、ウエハＷの主面Ｍ１が上方へ向くようにウエハＷを水平姿勢へ変更し、主面Ｍ１が上方へ向けられたウエハＷを液処理部６へ搬送する。
つづいて、図１４Ｃに示すように、制御部１２は、保持具５５ｂに、処理槽４８の内壁面に最も近い溝３１１（つまり、第１溝３１１ａ）に隣接する溝３１１に対応するウエハＷを保持させる。以下、第１溝３１１ａに隣接する溝３１１を適宜「第２溝３１１ｂ」と標記する。第２溝３１１ｂに対応するウエハＷは、主面Ｍ１が支持アーム４０２と対向するように保持具５５ｂに保持される。
つづいて、図１４Ｄに示すように、制御部１２は、保持具５５ｂに保持されたウエハＷを第２溝３１１ｂから処理槽４８の内壁面に最も近い溝３１１（つまり、第１溝３１１ａ）に移動させる。ウエハＷが第２溝３１１ｂから第１溝３１１ａに移動することにより、第１溝３１１ａに移動後のウエハＷと、第１溝３１１ａおよび第２溝３１１ｂを除く残りの溝３１１に対応するウエハＷとの間に、隙間４８ｈが形成される。隙間４８ｈの幅は、所定のピッチＰの２倍であり、且つ保持具５５ｂの厚さｔよりも大きい。
つづいて、図１４Ｅに示すように、制御部１２は、保持具５５ｂのウエハＷを保持する側の表面（つまり、支持アーム４０２のウエハＷとの対向面）を反転させ、反転させた保持具５５ｂを隙間４８ｈに挿入する。そして、制御部１２は、保持具５５ｂに、第１溝３１１ａに移動後のウエハＷを保持させる。第１溝３１１ａに移動後のウエハＷは、主面Ｍ１が保持具５５ｂの支持アーム４０２とは反対側を向くように保持具５５ｂに保持される。
つづいて、図１４Ｆに示すように、制御部１２は、保持具５５ｂに保持されたウエハＷを処理槽４８から取り出す。そして、制御部１２は、取り出したウエハＷの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へ変更したうえで、液処理部６へ搬送する。すなわち、制御部１２は、ウエハＷの主面Ｍ１が上方へ向くようにウエハＷを水平姿勢へ変更し、主面Ｍ１が上方へ向けられたウエハＷを液処理部６へ搬送する。
その後、制御部１２は、第１溝３１１ａおよび第２溝３１１ｂを除く残りの溝３１１に対応するウエハＷが無くなるまで、図１４Ａ～図１４Ｆに示す処理を繰り返す。
このように、制御部１２は、処理槽４８の内部で互いの主面Ｍ１を対向させた状態で配列された複数のウエハＷを保持具５５ｂを用いて一枚ずつ液処理部６へ搬送する。これにより、処理槽４８の内部で互いの主面Ｍ１を対向させた状態で配列された複数のウエハＷのピッチＰが狭い場合でも、バッチエリアＡ２から枚葉エリアＡ４へのウエハＷの搬送を適切に行うことができる。
上述してきたように、第１実施形態に係る基板処理システム（一例として、基板処理システム１）は、バッチ処理部（一例として、後処理部４＿３）と、枚葉処理部（一例として、液処理部６）と、搬送部（一例として、第４搬送機構５５）とを備える。バッチ処理部は、複数の基板（一例として、ウエハＷ）を所定のピッチ（一例として、所定のピッチＰ）で含むロットを一括で処理する。枚葉処理部は、ロットに含まれる基板を一枚ずつ処理する。搬送部は、バッチ処理部から枚葉処理部へ基板を一枚ずつ搬送する。バッチ処理部は、処理槽（一例として、処理槽４８）と、支持具（一例として、支持具３０１）とを含む。処理槽は、処理液を貯留する。支持具は、所定のピッチで形成された複数の溝（一例として、溝３１１）を有し、起立した状態の複数の基板を複数の溝の各々において下方から支持する。搬送部は、保持具（一例として、保持具５５ｂ）を含む。保持具は、所定のピッチよりも大きく且つ処理液内で支持具に支持された複数の基板と複数の基板と対向する処理槽の内壁面との間の隙間（一例として、隙間４８ｇ）に挿入可能な厚さ（一例として、厚さｔ）を有し、複数の基板を一枚ずつ保持可能に構成される。これにより、バッチ処理部および枚葉処理部の両方を備える基板処理システムにおいて、バッチ処理部から枚葉処理部への基板の搬送を適切に行うことができる。
また、第１実施形態に係る基板処理システムは、搬送部を制御する制御部（一例として、制御部１２）をさらに備えていてもよい。制御部は、保持具を隙間に挿入し、複数の基板が位置する複数の溝のうち、処理槽の内壁面に最も近い溝（一例として、第１溝３１１ａ）に対応する基板を保持具に保持させてもよい。そして、制御部は、保持具に保持された基板を処理槽から取り出して枚葉処理部へ搬送してもよい。そして、制御部は、保持具に、処理槽の内壁面に最も近い溝に隣接する溝（一例として、第２溝３１１ｂ）に対応する基板を保持させてもよい。そして、制御部は、保持具に保持された基板を隣接する溝から処理槽の内壁面に最も近い溝に移動させてもよい。そして、制御部は、保持具の保持時に基板と対向する側の表面を反転させ、反転させた保持具に、処理槽の内壁面に最も近い溝に移動後の基板を保持させてもよい。そして、制御部は、保持具に保持された基板を処理槽から取り出して枚葉処理部へ搬送してもよい。
また、第１実施形態に係る基板処理システムにおいて、ロットに含まれる複数の基板は、互いの主面を対向させた状態で配列されてもよい。また、支持具は、互いの主面を対向させた状態で配列された複数の基板を複数の溝の各々において下方から支持してもよい。これにより、処理槽の内部で互いの主面を対向させた状態で配列された複数の基板のピッチが狭い場合でも、バッチ処理部から枚葉処理部への基板の搬送を適切に行うことができる。
（第１実施形態の変形例）
次に、第１実施形態の変形例について説明する。図１５Ａ～図１５Ｄは、第１実施形態の変形例に係る第４搬送機構５５およびリンス用の処理槽４８の動作を説明するための図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１５Ａに示すように、処理槽４８では、循環部２０６および処理液供給ノズル２６２によって形成されるリンス用の処理液の流れによって、処理槽４８の内部に貯留された処理液が揺れ動いている状態となる場合がある。処理槽４８では、貯留された処理液が揺れ動くと、処理液内で支持具３０１に支持された複数のウエハＷの揺れが発生する場合がある。
そこで、図１５Ｂに示すように、制御部１２は、処理槽４８の内部に貯留された処理液内で保持具５５ｂに一枚のウエハＷを保持させる前に、循環部２０６（図５参照）を制御して、処理液供給ノズル２６２から処理槽４８への処理液の供給を停止させる。具体的には、制御部１２は、循環部２０６に設けられたポンプ２６５を停止させる。その後、制御部１２は、処理液の揺れ動きが収束するまで所定の時間待機する。
所定の時間待機した後に、図１５Ｃに示すように、制御部１２は、保持具５５ｂを隙間４８ｇ（図１０参照）に挿入し、第１溝３１１ａに対応するウエハＷを保持具５５ｂに保持させる。
つづいて、図１５Ｄに示すように、制御部１２は、保持具５５ｂに一枚のウエハＷを保持させた後に、循環部２０６を制御して、処理液供給ノズル２６２から処理槽４８への処理液の供給を再開させる。具体的には、制御部１２は、保持具５５ｂに設けられたクランプ部材４０３（図８参照）をウエハＷの上縁部に当接させた後に、処理液供給ノズル２６２から処理槽４８への処理液の供給を再開させる。
その後、制御部１２は、第１溝３１１ａを除く残りの溝３１１に対応するウエハＷに関して、図１５Ｂ～図１５Ｄに示す処理を繰り返す。
このように、制御部１２は、処理槽４８の内部に貯留された処理液内で保持具５５ｂに一枚のウエハＷを保持させる前に、循環部２０６（供給部の一例）を制御して、処理槽４８への処理液の供給を停止させる。これにより、処理槽４８内でのウエハＷの揺れを抑制することができ、保持具５５ｂを用いたウエハＷの搬送の安定性を向上させることができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る基板処理システムの構成について図１６～図１８を参照して説明する。図１６は、第２実施形態に係る基板処理システムの模式的な平面図である。また、図１７は、第２実施形態に係る第１載置部の模式的な正面図である。また、図１８は、第２実施形態に係る第２載置部の模式的な正面図である。なお、図１６では、バッチエリアＡ２を省略している。第２実施形態に係るバッチエリアＡ２は、第１実施形態に係るバッチエリアＡ２と同様の構成である。
図１６に示すように、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａは、搬入エリアＡ１にキャリア搬入部２Ａを備える。キャリア搬入部２Ａは、第１載置部２０Ａを備える。第１載置部２０Ａは、ロット形成部３に隣接する位置に配置される。
図１７に示すように、第１載置部２０Ａには、複数の載置台２６，２７，２８と、第７搬送機構２５とが設けられている。複数の載置台２６，２７，２８は、第７搬送機構２５の両側に配置される。図１７に示す例では、第７搬送機構２５のＹ軸正方向側に、２つの載置台２８と、１つの載置台２７と、１つの載置台２６とが、下からこの順番で高さ方向（Ｚ軸方向）に並べられている。また、図１７に示す例では、第７搬送機構２５のＹ軸負方向側に、３つの載置台２８と、１つの載置台２６とが、下からこの順番で高さ方向に並べられている。
載置台２６には、外部から搬送されてきたキャリアＣが載置される。載置台２７は、ロット形成部３への搬入口２７ａに隣接しており、ロット形成部３に搬入されるウエハＷを収容したキャリアＣが載置される。載置台２８には、たとえばロット形成部３に搬入される前のキャリアＣが一時的に載置される。
第７搬送機構２５は、複数の載置台２６，２７，２８間でキャリアＣの搬送を行う。具体的には、第７搬送機構２５は、高さ方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するレール２５ａと、キャリアＣを保持する保持体２５ｂとを備える。保持体２５ｂは、レール２５ａに沿って移動可能である。
第７搬送機構２５は、載置台２６に載置されたキャリアＣを保持体２５ｂを用いて保持して、載置台２７または載置台２８へ搬送する。載置台２７に載置されたキャリアＣに収容された複数のウエハＷは、ロット形成部３に配置された第２搬送機構３０によってキャリアＣから取り出される。空のキャリアＣは、第７搬送機構２５によって載置台２６または載置台２８へ搬送される。
このように、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａでは、第１載置部２０Ａがロット形成部３に隣接して設けられるため、搬入エリアＡ１がクリーンルーム等の床面積に占める割合であるフットプリントを小さく抑えることができる。
また、図１６に示すように、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａでは、枚葉エリアＡ４にＩＦエリアＡ３が配置される。具体的には、ＩＦエリアＡ３の第４搬送機構５５は、枚葉エリアＡ４において液処理部６に隣接して配置される。
また、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａでは、枚葉エリアＡ４に搬出エリアＡ５の第２載置部９３Ａが配置される。なお、第４搬送機構５５、液処理部６および第２載置部９３Ａは、Ｘ軸方向に沿ってこの順番で並べられる。
図１８に示すように、第２載置部９３Ａは、複数の載置台９４，９５，９６と、第８搬送機構９７とが設けられている。複数の載置台９４，９５，９６は、第８搬送機構９７の両側に配置される。図１８に示す例では、第８搬送機構９７のＹ軸負方向側に、３つの載置台９６と、１つの載置台９５とが、下からこの順番で高さ方向（Ｚ軸方向）に並べられている。また、図１８に示す例では、第８搬送機構９７のＹ軸正方向側に、２つの載置台９４と、１つの載置台９５とが、下からこの順番で高さ方向に並べられている。
載置台９４には、枚葉エリアＡ４からの搬出口９４ａに隣接しており、枚葉エリアＡ４から搬出されるウエハＷを収容するキャリアＣが載置される。載置台９５には、外部から搬出されてきた空のキャリアＣが載置される。載置台９６には、たとえば載置台９４に載置される前の空のキャリアＣが一時的に載置される。
第８搬送機構９７は、複数の載置台９４，９５，９６間でキャリアＣの搬送を行う。具体的には、第８搬送機構９７は、高さ方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するレール９７ａと、キャリアＣを保持する保持体９７ｂとを備える。保持体９７ｂは、レール９７ａに沿って移動可能である。
第８搬送機構９７は、載置台９５に載置された空のキャリアＣを保持体９７ｂを用いて保持して、載置台９４または載置台９６へ搬送する。載置台９４に載置されたキャリアＣには、枚葉エリアＡ４に配置された第５搬送機構８によって処理済みのウエハＷが収容される。処理済みのウエハＷを収容したキャリアＣは、第８搬送機構９７によって載置台９５または載置台９６に搬送される。
このように、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａでは、第２載置部９３Ａが枚葉エリアＡ４に配置されるため、基板処理システム１Ａがクリーンルーム等の床面積に占める割合であるフットプリントを小さく抑えることができる。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る基板処理システムの構成について図１９を参照して説明する。図１９は、第３実施形態に係る基板処理システムの模式的な側面図である。
図１９に示すように、第３実施形態に係る基板処理システム１Ｂは、たとえば第２実施形態に係る基板処理システム１の構成に加え、キャリア搬送エリアＡ６をさらに備える。キャリア搬送エリアＡ６は、たとえば、搬入エリアＡ１、バッチエリアＡ２、ＩＦエリアＡ３、枚葉エリアＡ４および搬出エリアＡ５の上部に配置される。
キャリア搬送エリアＡ６には、第９搬送機構７００が配置される。第９搬送機構７００は、第１載置部２０Ａと第２載置部９３Ａとの間でキャリアＣを搬送する。
第９搬送機構７００は、保持体７０１と、レール７０２と、移動部７０３とを備える。保持体７０１は、キャリアＣを保持する。レール７０２は、第１載置部２０Ａの上方位置から第２載置部９３Ａの上方位置まで延在する。移動部７０３は、保持体７０１をレール７０２に沿って移動させる。
第３実施形態に係る基板処理システム１Ｂは、たとえば、載置台２６に載置された空のキャリアＣを第９搬送機構５００を用いて第１載置部２０Ａから第２載置部９３Ａへ搬送して第２載置部９３Ａの載置台９５に載置する。載置台２６から第９搬送機構５００へのキャリアＣの移動は、たとえば、第７搬送機構２５によって行われてもよいし、図示しない専用の搬送機構によって行われてもよい。同様に、第９搬送機構５００から載置台９５へのキャリアＣの移動は、たとえば、第８搬送機構９７によって行われてもよいし、図示しない専用の搬送機構によって行われてもよい。第２載置部９３Ａに搬送された空のキャリアＣには、処理済みのウエハＷが収容される。
また、第３実施形態に係る基板処理システム１Ｂは、処理済みのウエハＷを収容したキャリアＣを第９搬送機構５００を用いて第２載置部９３Ａから第１載置部２０Ａへ搬送して第１載置部２０Ａの載置台２６に載置する。載置台２６に載置されたキャリアＣは、基板処理システム１Ｂの外部に搬出される。
かかる基板処理システム１Ｂによれば、第１載置部２０Ａと第２載置部９３Ａとを別々の場所に配置しつつも、基板処理システム１Ｂに対して外部からアクセスする場所を１箇所（たとえば、第１載置部２０Ａ）に集約することができる。したがって、基板処理システム１Ｂの利便性を向上させることができる。
（その他の変形例）
図２０は、変形例に係る枚葉エリアＡ４の模式的な平面図である。図２０に示すように、枚葉エリアＡ４には、複数（ここでは、２つ）の液処理部６と、複数（ここでは、２つ）の乾燥処理部７と、複数（ここでは、２つ）の供給ユニット７３とが配置される。
液処理部６，乾燥処理部７および供給ユニット７３は、第５搬送機構８のＹ軸正方向側およびＹ軸負方向側にそれぞれ１台ずつ配置される。また、液処理部６，乾燥処理部７および供給ユニット７３は、Ｘ軸方向に沿って並べられるとともに、Ｘ軸負方向側からこの順番で配置される。
また、第４搬送機構５５は、ＩＦエリアＡ３の中央に配置される。これにより、第４搬送機構５５は、２つの液処理部６に対して容易にアクセスすることができる。なお、液処理部６には、第５搬送機構８と対向する位置に搬入出口６３が設けられており、第４搬送機構５５は、かかる搬入出口６３を介してウエハＷを液処理部６に搬入する。
このように、枚葉エリアＡ４には、液処理部６および乾燥処理部７が複数台設けられてもよい。また、液処理部６および乾燥処理部７は、エリアＡ１～Ａ５の並び方向に沿って並べられてもよい。
上述した実施形態では、バッチ処理部による処理として、リン酸等を含むエッチング液を用いてウエハＷをエッチングするエッチング処理等を例示したが、バッチ処理部による処理は、例示したエッチング処理等に限定されない。また、上述した実施形態では、枚葉処理部による処理として、乾燥用処理液を用いた液膜形成処理および超臨界流体を用いた乾燥処理を例示したが、枚葉処理部による処理は、これら液膜形成処理および乾燥処理に限定されない。たとえば、枚葉処理部による処理は、薬液、リンス液、機能水等の処理液を用いてウエハＷを処理するものであってもよい。また、上述した実施形態では、液処理部６とは別の乾燥処理部７において乾燥処理を行う場合の例を挙げたが、たとえば、液処理部６においてウエハＷを高速で回転させることによってウエハＷを乾燥させてもよい。
上述した実施形態では、搬入エリアＡ１、バッチエリアＡ２、ＩＦエリアＡ３、枚葉エリアＡ４および搬出エリアＡ５が直線状に配置される場合の例を示したが、エリアＡ１～Ａ５の配置は必ずしも直線状であることを要しない。たとえば、搬入エリアＡ１、バッチエリアＡ２、ＩＦエリアＡ３、枚葉エリアＡ４および搬出エリアＡ５は、Ｌ字状に配置されてもよいし、Ｕ字状に配置されてもよい。
また、上述した実施形態では、１ロットを形成する複数のウエハＷが互いの主面を対向させた状態で配列される場合を例に説明したが、開示の技術はこれに限定されない。例えば、１ロットを形成する複数のウエハＷが互いの主面を一方へ向けた状態で配列されてもよい。この場合、支持具３０１は、互いの主面を一方へ向けた状態で配列された複数のウエハＷを複数の溝３１１の各々の下方から支持してもよい。また、この場合、支持具３０１に支持された複数のウエハＷを主面とは反対側から順次１枚ずつ保持具５５ｂに保持させて枚葉処理部（液処理部６）へ順次搬送してもよい。
また、例えば、１ロットを形成する複数のウエハＷが、バッチ処理部（一例として、後処理部４＿３）の処理内容に応じて、互いの主面を対向させた「第１状態」で又は互いの主面を一方へ向けた「第２状態」で配列されてもよい。この場合、１ロットに含まれる複数のウエハＷの配列状態に応じてバッチ処理部から枚葉処理部への基板搬送処理を変更してもよい。具体的には、制御部１２は、１ロットに含まれる複数のウエハＷの配列状態を示す配列情報を取得する。例えば、配列情報は、記憶部１３に格納されており、制御部１２は、記憶部１３から配列情報を取得する。制御部１２は、配列情報が第１状態を示す場合、第４搬送機構５５に第１基板搬送処理を実行させ、配列情報が第２状態を示す場合、第４搬送機構５５に第２基板搬送処理を実行させる。ここで、第１基板搬送処理は、上記第１実施形態に係る基板搬送処理（図１４Ａ～図１４Ｆ参照）と同様である。第２搬送処理は、支持具３０１に支持された複数のウエハＷを主面とは反対側から順次一枚ずつ保持具５５ｂに保持させて枚葉処理部（液処理部６）へ順次搬送することを含む。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ ：基板処理システム
２ ：キャリア搬入部
３ ：ロット形成部
４＿１ ：前処理部
４＿２ ：エッチング処理部
４＿３ ：後処理部
６ ：液処理部
７ ：乾燥処理部
８ ：第５搬送機構
１１ ：制御装置
１２ ：制御部
１３ ：記憶部
２０ ：第１載置部
２１ ：第１搬送機構
２２，２３ ：キャリアストック
２４ ：キャリア載置台
２５ ：第７搬送機構
３０ ：第２搬送機構
３１ ：ロット保持部
４０，４１，４３，４４，４７，４８ ：処理槽
４２，４５，４６，４９ ：ロット浸漬機構
５０ ：第３搬送機構
５５ ：第４搬送機構
５５ａ ：アーム
５５ｂ ：保持具
９１ ：ウエハ載置台
９２ ：第６搬送機構
９３ ：第２載置部
９４ ：載置台
９５ ：載置台
９６ ：載置台
９７ ：第８搬送機構
３０１ ：支持具
３１１ ：溝
Ａ１ ：搬入エリア
Ａ２ ：バッチエリア
Ａ３ ：ＩＦエリア
Ａ４ ：枚葉エリア
Ａ５ ：搬出エリア
Ａ６ ：キャリア搬送エリア
Ｃ ：キャリア
Ｗ ：ウエハ

Claims (6)

  1. 複数の基板を所定のピッチで含むロットを一括で処理するバッチ処理部と、
    前記ロットに含まれる前記基板を一枚ずつ処理する枚葉処理部と、
    前記バッチ処理部から前記枚葉処理部へ前記基板を一枚ずつ搬送する搬送部と
    を備え、
    前記バッチ処理部は、
    処理液を貯留する処理槽と、
    前記所定のピッチで形成された複数の溝を有し、起立した状態の複数の前記基板を複数の前記溝の各々において下方から支持する支持具と、
    を含み、
    前記搬送部は、
    前記所定のピッチよりも大きく且つ前記処理液内で前記支持具に支持された複数の前記基板と複数の前記基板と対向する前記処理槽の内壁面との間の隙間に挿入可能な厚さを有し、複数の前記基板を一枚ずつ保持可能な保持具を含む、基板処理システム。
  2. 前記搬送部を制御する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記保持具を前記隙間に挿入し、複数の前記基板が位置する複数の前記溝のうち、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に対応する前記基板を前記保持具に保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記処理槽から取り出して前記枚葉処理部へ搬送し、
    前記保持具に、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に隣接する溝に対応する前記基板を保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記隣接する溝から前記処理槽の内壁面に最も近い溝に移動させ、
    前記保持具の保持時に前記基板と対向する側の表面を反転させ、反転させた前記保持具に、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に移動後の前記基板を保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記処理槽から取り出して前記枚葉処理部へ搬送する、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記ロットに含まれる複数の前記基板は、互いの主面を対向させた状態で配列され、
    前記支持具は、互いの主面を対向させた状態で配列された複数の前記基板を複数の前記溝の各々において下方から支持する、請求項１又は２に記載の基板処理システム。
  4. 前記ロットに含まれる複数の前記基板は、前記バッチ処理部の処理内容に応じて、互いの主面を対向させた第１状態で又は互いの主面を一方へ向けた第２状態で配列され、
    前記搬送部を制御する制御部をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記ロットに含まれる複数の前記基板の配列状態を示す配列情報を取得し、前記配列情報が前記第１状態を示す場合、前記搬送部に第１基板搬送処理を実行させ、前記配列情報が前記第２状態を示す場合、前記搬送部に第２基板搬送処理を実行させ、
    前記第１基板搬送処理は、
    前記保持具を前記隙間に挿入し、複数の前記基板が位置する複数の前記溝のうち、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に対応する前記基板を前記保持具に保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記処理槽から取り出して前記枚葉処理部へ搬送し、
    前記保持具に、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に隣接する溝に対応する前記基板を保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記隣接する溝から前記処理槽の内壁面に最も近い溝に移動させ、
    前記保持具の保持時に前記基板と対向する側の表面を反転させ、反転させた前記保持具に、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に移動後の前記基板を保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記処理槽から取り出して前記枚葉処理部へ搬送する処理を含み、
    前記第２基板搬送処理は、
    前記支持具に支持された複数の前記基板を主面とは反対側から順次一枚ずつ前記保持具に保持させて前記枚葉処理部へ順次搬送する処理を含む、請求項１に記載の基板処理システム。
  5. 前記処理槽の内部に流体を供給する供給部と、
    前記供給部を制御する制御部と
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記処理槽の内部に貯留された前記処理液内で前記保持具に一枚の前記基板を保持させる前に、前記供給部を制御して、前記処理槽への流体の供給を停止させ、前記保持具に一枚の前記基板を保持させた後に、前記供給部を制御して、前記処理槽への流体の供給を再開する、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理システム。
  6. 複数の基板を所定のピッチで含むロットを一括で処理するバッチ処理部と、
    前記ロットに含まれる前記基板を一枚ずつ処理する枚葉処理部と、
    前記バッチ処理部から前記枚葉処理部へ前記基板を一枚ずつ搬送する搬送部と
    を備え、
    前記バッチ処理部は、
    処理液を貯留する処理槽と、
    前記所定のピッチで形成された複数の溝を有し、起立した状態の複数の前記基板を複数の前記溝の各々において下方から支持する支持具と、
    を含み、
    前記搬送部は、
    前記所定のピッチよりも大きく且つ前記処理液内で前記支持具に支持された複数の前記基板と複数の前記基板と対向する前記処理槽の内壁面との間の隙間に挿入可能な厚さを有し、複数の前記基板を一枚ずつ保持可能な保持具を含む基板処理システムにおける基板搬送方法であって、
    前記保持具を前記処理液内の前記隙間に挿入させ、前記保持具に、複数の前記溝のうち、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に対応する前記基板を保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記処理槽から取り出して前記枚葉処理部へ搬送し、
    前記保持具に、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に隣接する溝に対応する前記基板を保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記隣接する溝から前記処理槽の内壁面に最も近い溝に移動させ、
    前記保持具の保持時に前記基板と対向する側の表面を反転させ、反転させた前記保持具に、前記処理槽の内壁面に最も近い溝に移動後の前記基板を保持させ、
    前記保持具に保持された前記基板を前記処理槽から取り出して前記枚葉処理部へ搬送する
    ことを含む、基板搬送方法。
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