WO2021112022A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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wafer
unit
transfer process
recipe
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後藤　修平
知広 金子
丈志 松本
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • a liquid film for preventing drying is formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) which is a substrate, and the wafer on which the liquid film is formed is brought into contact with a processing fluid in a supercritical state to be dried.
  • a substrate processing apparatus that performs processing is known.
  • the present disclosure provides a technique capable of suppressing variations in the transport time of a wafer having a liquid film formed on its surface even when a plurality of recipes having different processing times are executed in parallel.
  • the substrate processing apparatus includes a delivery unit, a plurality of liquid processing units, a plurality of drying processing units, a transport unit, and a control unit.
  • the delivery unit can accommodate a plurality of substrates.
  • the plurality of liquid treatment units form a liquid film on the surface of the substrate.
  • the plurality of drying treatment units bring the substrate having the liquid film formed on the surface into contact with the supercritical fluid to dry the substrate.
  • the transport unit transports the substrate.
  • the control unit controls the delivery unit, the plurality of liquid treatment units, the plurality of drying processing units, and the transfer unit to transfer the substrate from the delivery unit to the liquid treatment unit.
  • Two recipes including a second transfer process for transporting a substrate from a liquid treatment unit to a drying process and a drying process by a drying process, at least the first recipe and the second recipe in which the processing times of the liquid treatment and the drying process are different from each other. Execute the recipe in parallel. Further, when the control unit starts executing the second recipe on the second substrate among the plurality of substrates during the execution of the first recipe on the first substrate among the plurality of substrates, the control unit transfers the second recipe to the first substrate.
  • the start timing of the first transfer process for the second substrate is determined so that the period of the process and the period of the second transfer process for the second substrate do not overlap.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing system according to the embodiment as viewed from above.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing system according to the embodiment as viewed from the side.
  • FIG. 3 is a side view showing the configuration of the transport device according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of the liquid treatment unit.
  • FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of the drying unit.
  • FIG. 6 is a flowchart showing a series of substrate processing procedures executed in the substrate processing system according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a timing chart for explaining the subsequent recipe start timing adjustment process according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a timing chart for explaining an example of the subsequent recipe start timing adjustment process in consideration of the transport prohibition period.
  • FIG. 9 is a timing chart for explaining an example of a method for determining the start timing of the first transfer process between the same recipes.
  • FIG. 10 is a timing chart for explaining an example of a method for determining a priority when two recipes can be started to be executed.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of transport time information.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of the procedure of the third transport process.
  • a liquid film for preventing drying is formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) which is a substrate, and the wafer on which the liquid film is formed is brought into contact with a processing fluid in a supercritical state to be dried.
  • a substrate processing apparatus that performs processing is known.
  • the overlap of wafer transfer timings described above is likely to occur when a plurality of recipes having different processing times are executed in parallel.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing system 1 according to the embodiment as viewed from above.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the substrate processing system 1 according to the embodiment as viewed from the side.
  • the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12.
  • a plurality of carriers C for accommodating a plurality of semiconductor wafers W (hereinafter, referred to as "wafer W") in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.
  • the substrate processing system 1 performs substrate processing of two types of wafers W (hereinafter, referred to as "wafer WA” and "wafer WB") with different recipes. Therefore, the carrier mounting portion 11 includes a plurality of (here, two) carrier CAs accommodating a plurality of wafer WAs and a plurality of (here, two) carrier CBs accommodating a plurality of wafer WBs. Is placed.
  • one of the wafer WA and the wafer WB is a wafer W whose surface (pattern forming surface) contains metal, and the other is a wafer W whose surface does not contain metal.
  • the wafer WA and the wafer WB may be at least a wafer W included in the recipe and having different processing times for the liquid treatment and the drying treatment, which will be described later. That is, the "different types" here do not only refer to differences in surface composition, but also liquid treatment and drying even if the surface composition is the same (that is, even if the wafers are of the same type). If the processing time of the processing is different from each other, it is included in the "different type".
  • the transport unit 12 is provided adjacent to the carrier mounting unit 11.
  • a transfer device 13 and a delivery unit 14 are arranged inside the transfer unit 12.
  • the delivery unit 14 includes a delivery unit 14A capable of accommodating a plurality of wafers WA in multiple stages and a delivery unit 14B capable of accommodating a plurality of wafers WB in multiple stages.
  • the delivery portion 14A and the delivery portion 14B are arranged along the vertical direction (Z-axis direction).
  • the transfer device 13 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W.
  • the transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the wafer holding mechanism.
  • the transport device 13 includes a first holding portion 131A for holding the wafer WA and a second holding portion 131B for holding the wafer WB.
  • the transport device 13 can be horizontally moved independently of the first holding portion 131A and the second holding portion 131B.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport block 4 and a plurality of processing blocks 5.
  • the transport block 4 includes a transport area 15 and a transport device 16.
  • the transport area 15 is, for example, a rectangular parallelepiped region extending along the arrangement direction (X-axis direction) of the carry-in / out station 2 and the processing station 3.
  • a transport device 16 is arranged in the transport area 15.
  • the transfer device 16 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W.
  • the transfer device 16 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the plurality of processing blocks 5 by using the wafer holding mechanism. Do.
  • the configuration of the transport device 16 will be described with reference to FIG.
  • FIG. 3 is a side view showing the configuration of the transport device 16 according to the embodiment.
  • the transport device 16 As shown in FIG. 3, the transport device 16 according to the embodiment is horizontal with the first holding portion 161A, the second holding portion 161B, the first advancing / retreating mechanism 162A, the second advancing / retreating mechanism 162B, and the elevating mechanism 163. It is provided with a moving mechanism 164.
  • the first holding unit 161A holds the wafer WA.
  • the second holding portion 161B is arranged below the first holding portion 161A, for example, and holds the wafer WB.
  • the first holding portion 161A and the second holding portion 161B include, for example, a flat plate-shaped base portion having a bifurcated shape having a width smaller than the diameter of the wafer W, and a plurality of support members provided on the surface of the base portion. ..
  • the first holding portion 161A and the second holding portion 161B hold the wafer W horizontally by supporting the wafer W from below using a plurality of supporting members.
  • the first advancing / retreating mechanism 162A makes the first holding portion 161A horizontal, specifically, the first advancing / retreating mechanism 162A moves the first holding portion 161A along the Y-axis direction orthogonal to the extending direction of the transport area 15. Advance and retreat.
  • the second advancing / retreating mechanism 162B advances / retreats the second holding portion 161B along the Y-axis direction.
  • the elevating mechanism 163 raises and lowers the first holding portion 161A and the second holding portion 161B by moving the first advancing / retreating mechanism 162A and the second advancing / retreating mechanism 162B along the vertical direction.
  • the horizontal movement mechanism 164 moves the elevating mechanism 163 along the X-axis direction to horizontally move the first holding portion 161A and the second holding portion 161B in the extending direction of the transport area 15.
  • the plurality of processing blocks 5 are arranged adjacent to the transport area 15 on one side of the transport area 15. As shown in FIGS. 1 and 2, specifically, the plurality of processing blocks 5 include a plurality of processing blocks 5A for processing the wafer WA and a plurality of processing blocks 5B for processing the wafer WB. Be prepared.
  • the processing block 5A is arranged on one side (Y-axis positive direction side) of the transport area 15 in a direction (Y-axis direction) orthogonal to the arrangement direction (X-axis direction) of the loading / unloading station 2 and the processing station 3, and is a processing block. 5B is arranged on the other side (Y-axis negative direction side).
  • the plurality of processing blocks 5A are arranged in multiple stages (here, three stages) along the vertical direction.
  • the plurality of processing blocks 5B are also arranged in multiple stages (here, three stages) along the vertical direction.
  • the transfer of the wafer W performed between the processing block 5 arranged in each stage and the delivery unit 14 is performed by one transfer device 16 arranged in the transfer block 4.
  • Each processing block 5A includes a liquid processing unit 17 and a drying unit 18.
  • each treatment block 5B also includes a liquid treatment unit 17 and a drying unit 18.
  • the liquid treatment unit 17 performs a cleaning treatment for cleaning the upper surface, which is the pattern forming surface of the wafer W, and then performs a liquid film forming treatment for forming a liquid film on the upper surface of the wafer W after the cleaning treatment.
  • the cleaning treatment and the liquid film forming treatment are examples of the liquid treatment.
  • the configuration of the liquid treatment unit 17 will be described later.
  • the drying unit 18 performs a drying treatment on the wafer W after the liquid film forming treatment. Specifically, the drying unit 18 dries the wafer W after the liquid film forming treatment by bringing the wafer W into contact with a processing fluid in a supercritical state (hereinafter, also referred to as “supercritical fluid”). The configuration of the drying unit 18 will be described later.
  • the substrate processing system 1 may further include a supply unit that supplies a processing fluid to the drying unit 18.
  • a supply unit includes a supply device group including a flow meter, a flow rate regulator, a back pressure valve, a heater, and the like, and a housing for accommodating the supply device group.
  • the supply unit supplies CO 2 to the drying unit 18 as a processing fluid.
  • the liquid treatment unit 17 and the drying unit 18 are arranged along the transport area 15 (that is, along the X-axis direction). Of the liquid treatment unit 17 and the drying unit 18, the liquid treatment unit 17 is arranged at a position close to the loading / unloading station 2, and the drying unit 18 is arranged at a position far from the loading / unloading station 2.
  • each processing block 5 includes one liquid processing unit 17 and one drying unit 18. That is, the substrate processing system 1 is provided with the same number of liquid processing units 17 and drying units 18.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 6.
  • the control device 6 is, for example, a computer, and includes a control unit 61 and a storage unit 62.
  • the control unit 61 includes a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output port, and various circuits.
  • the CPU of the microcomputer realizes control of the transfer devices 13, 16, the liquid processing unit 17, the drying unit 18, and the like by reading and executing the program stored in the ROM.
  • the program may be stored in a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 62 of the control device 6.
  • Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • the storage unit 62 is realized by, for example, a semiconductor memory element such as a RAM or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of the liquid treatment unit 17.
  • the liquid treatment unit 17 is configured as, for example, a single-wafer type cleaning device that cleans the wafers W one by one by spin cleaning.
  • the liquid processing unit 17 holds the wafer W substantially horizontally by the wafer holding mechanism 25 arranged in the outer chamber 23 forming the processing space, and holds the wafer holding mechanism 25 around the vertical axis.
  • the wafer W is rotated by rotating the wafer W.
  • the liquid treatment unit 17 causes the nozzle arm 26 to enter above the rotating wafer W, and supplies the chemical liquid and the rinse liquid from the chemical liquid nozzle 26a provided at the tip of the nozzle arm 26 in a predetermined order. , The upper surface of the wafer W is cleaned.
  • a chemical liquid supply path 25a is also formed inside the wafer holding mechanism 25. Then, the lower surface of the wafer W is also cleaned by the chemical solution and the rinsing solution supplied from the chemical solution supply path 25a.
  • the cleaning treatment includes, for example, removal of particles and organic pollutants with a chemical solution, removal of pre-oxides, and rinsing with a rinse solution (DeIonized Water (hereinafter referred to as "DIW”)). It can be.
  • DIW DeIonized Water
  • the liquid treatment unit 17 for processing the wafer WA and the liquid treatment unit 17 for processing the wafer WB are different from each other in, for example, the type of the chemical solution used, the supply time of the chemical solution, and the like.
  • the various chemicals described above are received by the outer chamber 23 and the inner cup 24 arranged in the outer chamber 23, and drained from the drain port 23a provided at the bottom of the outer chamber 23 and the bottom of the inner cup 24. It is discharged from the liquid port 24a. Further, the atmosphere inside the outer chamber 23 is exhausted from the exhaust port 23b provided at the bottom of the outer chamber 23.
  • the liquid film forming treatment is performed after the rinsing treatment in the cleaning treatment.
  • the liquid processing unit 17 supplies IPA in a liquid state (hereinafter, also referred to as “IPA liquid”) to the upper surface and the lower surface of the wafer W while rotating the wafer holding mechanism 25.
  • IPA liquid a liquid state
  • the DIW remaining on both sides of the wafer W is replaced with the IPA.
  • the liquid processing unit 17 gently stops the rotation of the wafer holding mechanism 25.
  • the wafer W that has completed the liquid film forming process is delivered to the transfer device 16 by a transfer mechanism (not shown) provided in the wafer holding mechanism 25 with the liquid film of IPA liquid formed on the upper surface thereof, and the liquid is delivered to the transfer device 16. It is carried out from the processing unit 17.
  • the liquid film formed on the wafer W evaporates (vaporizes) the liquid on the upper surface of the wafer W during the transfer of the wafer W from the liquid treatment unit 17 to the drying unit 18 and the operation of carrying the wafer W into the drying unit 18. Prevents pattern collapse from occurring.
  • the processing time of the liquid film forming treatment may also be different between the liquid processing unit 17 for processing the wafer WA and the liquid processing unit 17 for processing the wafer WB.
  • FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of the drying unit 18.
  • the drying unit 18 has a main body 31, a holding plate 32, and a lid member 33.
  • the housing-shaped main body 31 is formed with an opening 34 for loading and unloading the wafer W.
  • the holding plate 32 holds the wafer W to be processed in the horizontal direction.
  • the lid member 33 supports the holding plate 32 and seals the opening 34 when the wafer W is carried into the main body 31.
  • the main body 31 is, for example, a container in which a processing space capable of accommodating a wafer W having a diameter of 300 mm is formed, and supply ports 35 and 36 and discharge ports 37 are provided on the wall portion thereof.
  • the supply ports 35 and 36 and the discharge port 37 are connected to a supply flow path and a discharge flow path for flowing a supercritical fluid through the drying unit 18, respectively.
  • the supply port 35 is connected to the side surface of the housing-shaped main body 31 opposite to the opening 34. Further, the supply port 36 is connected to the bottom surface of the main body 31. Further, the discharge port 37 is connected to the lower side of the opening 34. Although two supply ports 35 and 36 and one discharge port 37 are shown in FIG. 4, the number of supply ports 35 and 36 and the number of discharge ports 37 is not particularly limited.
  • fluid supply headers 38 and 39 and a fluid discharge header 40 are provided inside the main body 31 .
  • the fluid supply headers 38 and 39 are formed side by side in the longitudinal direction of the fluid supply headers 38 and 39 having a plurality of supply ports, and the fluid discharge header 40 has a plurality of discharge ports in the longitudinal direction of the fluid discharge header 40. Formed side by side.
  • the fluid supply header 38 is connected to the supply port 35 and is provided adjacent to the side surface opposite to the opening 34 inside the housing-shaped main body 31. Further, the plurality of supply ports formed side by side with the fluid supply header 38 face the opening 34 side.
  • the fluid supply header 39 is connected to the supply port 36 and is provided at the center of the bottom surface inside the housing-shaped main body 31. Further, the plurality of supply ports formed side by side with the fluid supply header 39 face upward.
  • the fluid discharge header 40 is connected to the discharge port 37, and is provided inside the housing-shaped main body 31 so as to be adjacent to the side surface on the opening 34 side and below the opening 34. Further, the plurality of discharge ports formed side by side with the fluid discharge header 40 face upward.
  • the fluid supply headers 38 and 39 supply the supercritical fluid into the main body 31. Further, the fluid discharge header 40 guides the supercritical fluid in the main body 31 to the outside of the main body 31 and discharges it.
  • the supercritical fluid discharged to the outside of the main body 31 via the fluid discharge header 40 includes an IPA liquid dissolved in the supercritical fluid in the supercritical state from the surface of the wafer W.
  • the IPA liquid between the patterns formed on the wafer W gradually dissolves in the supercritical fluid by coming into contact with the supercritical fluid in a high pressure state (for example, 16 MPa). During the pattern, it gradually replaces the supercritical fluid. Finally, only the supercritical fluid fills the space between the patterns.
  • the pressure inside the main body 31 is reduced from the high pressure state to the atmospheric pressure, so that CO 2 changes from the supercritical state to the gas state, and only the gas is between the patterns. Occupied by. In this way, the IPA liquid between the patterns is removed, and the drying process of the wafer W is completed.
  • the supercritical fluid has a lower viscosity than a liquid (for example, IPA liquid), has a high ability to dissolve the liquid, and has an interface between the supercritical fluid and a liquid or gas in an equilibrium state. not exist.
  • a liquid for example, IPA liquid
  • the liquid can be dried without being affected by the surface tension. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the pattern from collapsing during the drying process.
  • the liquid processing unit 17 for processing the wafer WA and the liquid processing unit 17 for processing the wafer WB are at least different in the processing time of the drying process.
  • an IPA liquid is used as the anti-drying liquid and CO 2 in a supercritical state is used as the processing fluid is shown, but a liquid other than IPA may be used as the anti-drying liquid.
  • a fluid other than CO 2 in the supercritical state may be used as the processing fluid.
  • FIG. 6 is a flowchart showing a series of substrate processing procedures executed in the substrate processing system 1 according to the embodiment.
  • the series of substrate processing shown in FIG. 6 is executed according to the control of the control unit 61.
  • a series of substrate processing procedures executed for one wafer W is shown.
  • a series of substrate processings shown in FIG. 6 are executed in parallel on a plurality of wafers WA and a plurality of wafers WB.
  • the transfer device 13 takes out the wafer W from the carrier C and places it on the delivery unit 14 (step S101). Specifically, the transfer device 13 takes out the wafer WA from the carrier CA using the first holding portion 131A, and places the taken out wafer WA on the delivery portion 14A. Further, the transfer device 13 takes out the wafer WB from the carrier CB using the second holding portion 131B, and places the taken out wafer WB on the delivery portion 14B.
  • the first transfer process is a process in which the transfer device 16 takes out the wafer W from the delivery unit 14 and transfers it to the liquid processing unit 17. Specifically, the transfer device 16 takes out the wafer WA from the delivery part 14A by using the first holding part 161A, and conveys the taken out wafer WA to the liquid processing unit 17 of the processing block 5A. Further, the transfer device 16 takes out the wafer WB from the delivery unit 14B using the second holding unit 161B, and conveys the taken out wafer WB to the liquid processing unit 17 of the processing block 5B.
  • liquid treatment is performed in the liquid treatment unit 17 (step S103). Specifically, the liquid treatment unit 17 removes particles, a natural oxide film, and the like from the upper surface of the wafer W by supplying various treatment liquids to the upper surface, which is the pattern forming surface of the wafer W, for example. Subsequently, the liquid treatment unit 17 forms a liquid film of the IPA liquid on the upper surface of the wafer W by supplying the IPA liquid to the upper surface of the wafer W after the cleaning treatment, for example.
  • the second transfer process is a process in which the transfer device 16 takes out the wafer W having the liquid film formed on its surface from the liquid processing unit 17 and transfers it to the drying unit 18. Specifically, the transfer device 16 takes out from the liquid processing unit 17 using the first holding unit 161A, and conveys the taken out wafer WA to the drying unit 18 of the processing block 5A. Further, the transfer device 16 takes out the wafer WB from the liquid processing unit 17 using the second holding unit 161B, and conveys the taken out wafer WB to the drying unit 18 of the processing block 5B.
  • the drying process is performed in the drying unit 18 (step S105).
  • the drying unit 18 dries the wafer W by bringing the wafer W having the liquid film formed on its surface into contact with the supercritical fluid.
  • the third transfer process is a process in which the transfer device 16 takes out the wafer W after the drying process from the drying unit 18 and transfers it to the delivery unit 14. Specifically, the transfer device 16 takes out the wafer WA from the drying unit 18 by using the first holding part 161A, and places the taken out wafer WA on the delivery part 14A. Further, the transfer device 16 takes out the wafer WB from the drying unit 18 using the second holding portion 161B, and places the taken out wafer WB on the delivery portion 14B.
  • the transfer device 13 takes out the wafer W from the delivery unit 14 and carries it out to the carrier C (step S108). Specifically, the transfer device 13 takes out the wafer WA from the delivery part 14A by using the first holding part 131A, and places the taken-out wafer WA on the carrier CA. Further, the transfer device 13 takes out the wafer WB from the delivery part 14B using the second holding part 131B, and places the taken-out wafer WB on the carrier CB. When the carry-out process is completed, a series of substrate processes for one wafer W is completed.
  • the series of substrate processing is executed in parallel on the plurality of wafer WAs and the plurality of wafers WB.
  • the series of substrate treatments for the wafer WA (steps S101 to S107) and the series of substrate treatments for the wafer WB (steps S101 to S107) differ in at least the processing times in the liquid treatment (step S103) and the drying treatment (step S105).
  • the wafer W on which the liquid film is formed transfers the other wafer W. You have to wait until the process is completed.
  • the second substrate so that the period of the second transfer process for the starting wafer W (for example, the wafer WA) and the period of the second transfer process for the later wafer W (for example, the wafer WB) do not overlap. It was decided to determine the start timing of the first transfer process for the wafer.
  • the transfer time of the wafer having the liquid film formed on the surface that is, the time from the completion of the liquid treatment to the delivery to the drying unit 18 varies. It can be suppressed.
  • FIG. 7 is a timing chart for explaining the subsequent recipe start timing adjustment process according to the embodiment. The process shown in FIG. 7 is executed according to the control of the control unit 61.
  • FIG. 7 shows an example of a timing chart in which recipe A and recipe B are executed in parallel.
  • the timing chart of “Recipe A” shown in FIG. 7 illustrates a case where a plurality of wafers WA1 and WA2 are processed in this order in a set of liquid processing units 17A1 and drying unit 18A1 arranged in the processing block 5A. ing. Further, the timing chart of "Recipe B” shown in FIG. 7 shows a case where a plurality of wafers WB1 and WB2 are processed in this order in a set of liquid processing units 17B1 and drying unit 18B1 arranged in the processing block 5B. Illustrate.
  • the liquid treatment processing section for the wafer WA1 is indicated by “WA1”, and the liquid treatment processing section for the wafer WA2 is indicated by “WA2”. ..
  • the processing section of the drying treatment for the wafer WA1 is indicated by "WA1”
  • the processing section of the drying treatment for the wafer WA2 is indicated by "WA2”.
  • the processing section for processing the wafer WB1 is indicated by "WB1", and the processing section for processing the wafer WB2 is indicated by "WB2".
  • processing section of the first transport processing is shown by “S1”
  • processing section of the second transport processing is shown by “S2”
  • processing section of the third transport process is shown by “S3”.
  • the liquid treatment unit 17A1 when the liquid treatment unit 17A1 is performing the liquid treatment of the wafer WA1, it is possible to start the execution of the recipe B for the wafer WB1.
  • the second transfer process for the wafer WA1 and the second transfer process for the wafer WB1 may overlap depending on the timing when the execution becomes feasible. is there.
  • control unit 61 performs the first transfer to the wafer WB1 by the following procedure after the first transfer process for the advance wafer WA1 is started and before the first transfer process for the subsequent wafer WB1 is started. Determine the processing start timing.
  • the control unit 61 specifies the expected execution period of the second transfer process for the wafer WA1 based on the processing times of the first transfer process, the liquid process, and the second transfer process for the wafer WA1. Specifically, the processing times of the first transfer process, the liquid process, and the second transfer process for the wafer WA1 are all known. Then, the control unit 61 specifies the time point at which the processing times of the first transfer process and the liquid process have elapsed from the start timing t1 of the first transfer process for the wafer WA1 as the expected start timing t2 of the second transfer process for the wafer WA1. be able to. Further, the control unit 61 can specify the period from the expected start timing t2 to the elapse of the processing time of the second transfer process as the expected execution period of the second transfer process for the wafer WA1.
  • control unit 61 sets the execution period of the second transfer process for the wafer WB1 which is expected when the first transfer process for the wafer WB1 is started, the first transfer process, the liquid process, and the second transfer process for the wafer WB1. Specify based on the processing time of the transport processing. Specifically, the processing times of the first transfer process, the liquid process, and the second transfer process for the wafer WB1 are all known. For example, the control unit 61 predicts the expected start timing t3 of the second transfer process for the wafer WB1 when the processing time of the first transfer process and the liquid process elapses from the timing when the execution of the recipe B for the wafer WB1 can be started. Can be specified as. Further, the control unit 61 can specify the period from the expected start timing t3 to the elapse of the processing time of the second transfer process as the expected execution period of the second transfer process for the wafer WB1.
  • control unit 61 determines whether or not the interval between the expected start timing t2 of the second transfer process for the wafer WA1 and the expected start timing t3 of the second transfer process for the wafer WB1 is less than the preset interval time I. Is determined.
  • the interval time I is set to be at least longer than the processing time of the second transport process.
  • the control unit 61 determines the timing at which the interval becomes equal to or more than the interval time I as the start timing t4 of the first transfer process for the wafer WB1. Specifically, the control unit 61 determines the start timing t4 of the first transfer process for the wafer WB1 so that the interval is the interval time I.
  • the first transfer to the wafer WB1 is performed so that the period of the second transfer process for the first wafer WA1 and the period of the second transfer process for the later wafer WB1 do not overlap. It was decided to determine the processing start timing.
  • the first transfer process for the wafer WB1 is performed at a timing when the interval between the expected start timing t2 of the second transfer process for the wafer WA1 and the expected start timing t3 for the second transfer process for the wafer WB1 becomes equal to or longer than the interval time I. I decided to start.
  • the substrate processing system 1 it is possible to suppress the variation in the transport time of the wafer having the liquid film formed on the surface.
  • the control unit 61 specifies the expected start timing t5 of the second transfer process for the wafer WA2 when it is assumed that the execution of the recipe A for the wafer WA2 is started immediately. Then, the control unit 61 determines whether or not the interval between the expected start timing t3 of the second transfer process for the starting wafer WB1 and the expected start timing t5 of the second transfer process for the later wafer WA2 is less than the interval time I. To judge. In the illustrated example, the interval between the expected start timing t3 and the expected start timing t5 is equal to or greater than the interval time I. Therefore, the control unit 61 starts the first transfer process for the wafer WA2 at the timing when the recipe A for the wafer WA2 can be executed, that is, at the timing when the second transfer process for the wafer WA1 is completed.
  • the control unit 61 also determines the start timing t7 of the first transfer process for the wafer WB2 in the same procedure as described above. That is, the control unit 61 performs the first transfer process for the wafer WB2 so that the interval between the expected start timing t5 of the second transfer process for the wafer WA2 and the expected start timing t6 for the second transfer process for the wafer WB2 is the interval time I.
  • the start timing t7 of is determined.
  • the interval between the expected start timing of the second transfer process for the first wafer W and the expected start timing of the second transfer process for the second wafer W is less than the interval time I.
  • the control unit 61 determines whether or not the interval between the expected execution period of the second transfer process for the starting wafer W and the expected execution period of the second transfer process for the subsequent wafer W is less than the interval time I.
  • the interval time I may be at least 0 or more, and may be shorter than the interval time I set for the interval between the expected start timings described above.
  • two methods can be taken as a method of setting the interval between the expected start timing of the second transfer process for the first wafer W and the expected start timing of the second transfer process for the later wafer W to be equal to or longer than the interval time. is there.
  • the first is a method of shifting the expected start timing of the second transfer process for the later wafer W to the front in time
  • the second is the method of shifting the expected start timing of the second transfer process for the later wafer W in time. It is a method of shifting to the back.
  • the control unit 61 may adopt a method of shifting backwards instead of a method of shifting forwards. As a result, it is possible to prevent the processing for the later wafer W from overtaking the processing for the earlier wafer W. Therefore, for example, it is possible to suppress the complexity of the system.
  • the control unit 61 may set a transfer prohibition period having the expected start timing as the end point of the expected start timing of the second transfer process for the starting wafer W. This point will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a timing chart for explaining an example of the subsequent recipe start timing adjustment process in consideration of the transport prohibition period. The process shown in FIG. 8 is executed according to the control of the control unit 61.
  • the upper figure of FIG. 8 shows an example in which the transfer prohibition period P includes the start timing t4 of the first transfer process for the later wafer WB1. Further, the lower figure of FIG. 8 shows how the start timing t4 of the subsequent wafer WB1 is shifted so that the start timing t4 of the first transfer process is not included in the transfer prohibition period P.
  • a transfer prohibition period P having the expected start timing t11 as the end point of the period is set before the expected start timing t11 of the second transfer process for the starting wafer WA2.
  • the control unit 61 tentatively determines the start timing t13 of the first transfer process for the wafer WB1.
  • the start timing t13 is tentatively determined so that the interval between the expected start timing t11 of the second transfer process for the starting wafer WA2 and the expected start timing t12 of the second transfer process for the later wafer WB1 is the interval time I. ..
  • the control unit 61 determines whether or not the provisionally determined start timing t13 is included in the transport prohibition period P.
  • the control unit 61 overlaps the start timing t13 with the transport prohibition period P as shown in the lower figure of FIG.
  • the tentatively determined start timing t13 is shifted backward in time so as not to occur.
  • the control unit 61 performs the first transfer process for the wafer WB1 at a timing when the interval between the expected start timings t11 and t12 is equal to or longer than the interval time I and the start timing t13 does not overlap with the transfer prohibition period P. To start.
  • the first transfer process for the wafer WB1 cannot be started until the second transfer process for the wafer WA2 is completed, the first transfer process for the wafer WB1 is completed at the timing when the second transfer process for the wafer WA2 is completed. The process is started.
  • the transfer prohibition period P may be set immediately before the expected start timing of the second transfer process for the starting wafer W, and the transfer of the other wafer W within the transfer prohibition period P may be prohibited.
  • the second transfer process for the starting wafer W can be started more reliably at the expected start timing. If the starting wafer WA1 is present in the drying unit 18A1 which is the destination of the wafer WA2, the later wafer WA2 cannot be carried into the drying unit 18A1. Therefore, the process of carrying out the starting wafer WA1 from the drying unit 18B1, that is, the third transfer process for the wafer WA1, is allowed to be executed within the transfer prohibition period P.
  • FIG. 9 is a timing chart for explaining an example of a method for determining the start timing of the first transfer process between the same recipes. The process shown in FIG. 9 is executed according to the control of the control unit 61.
  • FIG. 9 illustrates a case where a plurality of wafers WA1 and WA3 are processed in this order in a set of liquid processing units 17A1 and drying unit 18A1 arranged in the processing block 5A. Further, FIG. 9 illustrates a case where a plurality of wafers WA2 and WA4 are processed in this order in a set of liquid processing units 17A2 and drying unit 18A2 arranged in the processing block 5A.
  • the control unit 61 specifies the expected start timing t21 of the second transfer process for the starting wafer WA1 and the expected start timing t22 of the second transfer process for the later wafer WA2. Then, the control unit 61 determines the start timing t23 of the first transfer process for the wafer WA2 so that the interval between the expected start timings t21 and t22 is the interval time I.
  • control unit 61 is a latecomer so that the interval between the expected start timings of the second transfer processing is equal to or longer than the interval time even for the wafer WAs processed by the same recipe (recipe A in this case).
  • the start timing of the first transfer process of the wafer WA may be determined. The same applies to the wafers WA2 and WA3 and the wafers WA3 and WA3.
  • control unit 61 determines the start timing t24 of the first transfer process for the later wafer WA3 with respect to the wafers WA1 and WA3 processed by the set of liquid processing units 17A1 and the drying unit 18A1 by the following procedure. May be good.
  • the control unit 61 specifies the expected end timing t25 of the third transfer process for the starting wafer WA1 based on the known process time of the third transfer process and the like. Subsequently, the control unit 61 determines the start timing t24 of the first transfer process for the wafer WA3 so that the second transfer process for the later wafer WA3 is started at the expected end timing t25. In other words, the control unit 61 performs the first transfer process for the later wafer WA3 so that the end timing of the third transfer process for the first wafer WA1 and the start timing of the second transfer process for the later wafer WA3 are simultaneous. The start timing t24 of is determined.
  • the start of the second transfer process for the later wafer WA3 is awaited until the third transfer process for the first wafer WA1 is completed, so that the processing time for the second transfer process for the wafer WA3 varies. Can be suppressed. Further, by making the end timing of the third transfer process for the first wafer WA1 and the start timing of the second transfer process for the second wafer WA3 at the same time, the wafers WA1 and WA3 can be efficiently conveyed. it can.
  • the end timing of the third transfer process for the first wafer WA1 and the start timing of the second transfer process for the second wafer WA3 do not necessarily have to be the same. That is, the control unit 61 starts the first transfer process for the wafer WA3 so that the liquid process for the subsequent wafer WA3 is completed within a preset time after the third transfer process for the first wafer WA1 is completed.
  • the timing t24 may be determined.
  • the control unit 61 may preferentially execute the recipe other than the last executed recipe among the recipe A and the recipe B.
  • FIG. 10 is a timing chart for explaining an example of a method for determining a priority when two recipes can be started to be executed. The process shown in FIG. 10 is executed according to the control of the control unit 61.
  • FIG. 10 illustrates a case where the wafer WA1 is processed in a set of the liquid processing unit 17A1 and the drying unit 18A1 arranged in the processing block 5A. Further, FIG. 10 illustrates a case where the wafer WA2 is processed by a set of the liquid processing unit 17A2 and the drying unit 18A2 arranged in the processing block 5A. Further, FIG. 10 illustrates a case where the wafer WB1 is processed in a set of the liquid processing unit 17B1 and the drying unit 18B1 arranged in the processing block 5B.
  • both the wafer WA2 processed by the recipe A and the wafer WB1 processed by the recipe B can be selected as the subsequent wafer W following the starting wafer WA1.
  • the control unit 61 preferentially starts the processing of the wafer WB1 processed by the recipe B as the later wafer W. Specifically, the control unit 61 first starts the first transfer process for the wafer WB1 at the start timing t31, and then starts the first transfer process for the wafer WA2 at the start timing t32.
  • the start timing t32 is a timing at which the first transfer process for the wafer WB1 is completed.
  • control unit 61 may start execution of a recipe other than the last recipe executed among recipes A and B. As a result, it is possible to prevent a difference in the progress of Recipe A and Recipe B.
  • Transport time The processing time of the first transfer processing, the second transfer process, and the third transfer process (hereinafter, referred to as “transport time”) may be a preset fixed time. This point will be described with reference to FIGS. 11 and 12.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of transport time information.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of the procedure of the third transport process. The process shown in FIG. 12 is executed according to the control of the control unit 61.
  • the transport time information shown in FIG. 11 is stored in advance in the storage unit 62 of the control device 6.
  • the transport time information is information in which the time (operation time) from the start to the end of the operation is associated with each individual operation in the transfer.
  • each of the first transfer process, the second transfer process, and the third transfer process includes "movement in front of the unit", "wafer receipt", and “wafer delivery” as individual operations.
  • the “movement in front of the unit” is an operation of moving the transport device 16 from a certain movement source to a certain movement destination.
  • “Wafer receiving” is an operation of receiving a wafer from a moving destination.
  • “Wafer delivery” is an operation of delivering a wafer to a moving destination.
  • the operation time of the unit front movement from the liquid processing unit 17 to the drying unit 18 is “a1” in the case of "no” wafer holding and “a1” in the case of wafer holding "yes”.
  • the case “a3” is defined.
  • the operating time “a3” is set to a longer time than the operating time "a1". This is because, from the viewpoint of preventing the position of the wafer W from being displaced, the moving speed in the state where the wafer W is held is slower than the moving speed in the state where the wafer W is not held.
  • the operation time of the unit front movement from the drying unit 18 to the delivery unit 14 is "a2" in the case of "no” wafer holding and "a2” in the case of wafer holding "yes”.
  • the case "a4" is defined.
  • "a5" is defined as the operation time of "wafer receiving” for receiving the wafer W from the drying unit 18, and "wafer delivery” for placing the wafer W on the delivery unit 14.
  • "A6" is defined as the operating time of.
  • control unit 61 moves the unit forward from the liquid treatment unit 17 to the drying unit 18 (step S201), and then receives the wafer in the drying unit 18 (step S202). After that, the control unit 61 moves the unit forward from the drying unit 18 to the delivery unit 14 (step S203), and then transfers the wafer at the delivery unit 14 (step S204).
  • step S201 the control unit 61 first starts the timer for the operation time "a1" (step S201a). Subsequently, the control unit 61 moves the transport device 16 to the front of the drying unit 18 (step S201b). Then, the control unit 61 makes the transfer device 16 stand by in front of the drying unit 18 until the timer of “a1” started in step S201a times out (step S201c).
  • step S202 the control unit 61 first starts the timer for the operation time "a5" (step S202a). Subsequently, the control unit 61 receives the wafer W from the drying unit 18 (step S202b). Then, the control unit 61 makes the transfer device 16 stand by in front of the drying unit 18 until the timer of “a5” started in step S202a times out (step S202c).
  • step S203 the control unit 61 first starts the timer for the operation time “a4” (step S203a). Subsequently, the control unit 61 moves the transfer device 16 to the delivery unit 14 (step S203b). Then, the control unit 61 makes the transfer device 16 stand by in front of the delivery unit 14 until the timer of “a4” started in step S203a times out (step S203c).
  • step S204 the control unit 61 first starts the timer for the operation time “a6” (step S204a). Subsequently, the control unit 61 places the wafer W on the delivery unit 14 (step S204b). Then, the control unit 61 makes the transfer device 16 stand by in front of the delivery unit 14 until the timer of “a6” started in step S204a times out (step S204c).
  • the third transfer process has been described as an example, but the same applies to the first transfer process and the second transfer process. That is, in the first transfer process, the control unit 61 moves the transfer device 16 from the delivery unit 14 to the liquid processing unit 17, and then the elapsed time from the start of the first transfer process is a preset time. The transport device 16 is made to stand by. Further, in the second transfer process, the control unit 61 moves the transfer device 16 from the liquid processing unit 17 to the drying unit 18, and then the elapsed time from the start of the second transfer process is a preset time. Make the transport unit stand by.
  • the transport time of the first to third transport processes can be set as a fixed time. In other words, it is possible to prevent the transport time of the first to third transport processes from becoming longer or shorter. As a result, it is possible to suppress the disturbance of the transfer cycle of the wafer W, and it is possible to stably transfer the wafer W in a constant cycle.
  • the substrate processing apparatus (as an example, the substrate processing system 1) according to the embodiment includes a delivery unit (as an example, a delivery unit 14) and a plurality of liquid treatment units (as an example, a liquid treatment unit 17).
  • a plurality of drying processing units (as an example, a drying unit 18), a transport unit (as an example, a transport device 16), and a control unit (as an example, a control unit 61) are provided.
  • the delivery unit can accommodate a plurality of substrates (for example, a wafer W).
  • the plurality of liquid treatment units form a liquid film on the surface of the substrate.
  • the plurality of drying treatment units bring the substrate having the liquid film formed on the surface into contact with the supercritical fluid to dry the substrate.
  • the transport unit transports the substrate.
  • the control unit controls the delivery unit, the plurality of liquid treatment units, the plurality of drying processing units, and the transfer unit to transfer the substrate from the delivery unit to the liquid treatment unit.
  • Two recipes including a second transfer process for transporting a substrate from a liquid treatment unit to a drying process and a drying process by a drying process, and at least the first recipe (as an example) in which the processing times of the liquid treatment and the drying process are different from each other.
  • One of recipes A and B) and the second recipe (for example, the other of recipes A and B) are executed in parallel.
  • control unit when the control unit starts executing the second recipe on the second substrate among the plurality of substrates during the execution of the first recipe on the first substrate among the plurality of substrates, the control unit transfers the second recipe to the first substrate.
  • the start timing of the first transfer process for the second substrate is determined so that the period of the process and the period of the second transfer process for the second substrate do not overlap.
  • control unit determines the start timing of the second transfer process for the second substrate, which is expected when it is assumed that the first transfer process for the second substrate is started, and the second transfer process for the first substrate.
  • the interval from the start timing is less than the preset interval time (for example, interval time I)
  • the first transfer process for the second substrate is started at the timing when the interval becomes equal to or longer than the interval time.
  • the substrate processing apparatus even when a plurality of recipes having different processing times are executed in parallel, it is possible to suppress variations in the transport time of the wafer having the liquid film formed on the surface. Can be done.
  • the control unit performs the first transfer process for the second substrate at a timing when the interval becomes equal to or longer than the interval time so that the second transfer process for the second substrate is started after the second transfer process for the first substrate is completed. May be started.
  • the start timing of the first transfer process is the start of the second transfer process for the other substrate.
  • the first transport process for the second substrate may be started after the second transport process for the other substrate is completed.
  • the second transfer process for the starting board can be started more reliably at the expected start timing.
  • the recipe may include a third transfer process for transporting the substrate from the drying process section to the delivery section.
  • the control unit when the control unit starts executing the first recipe for the third substrate among the plurality of substrates during the drying process for the first substrate, the control unit has previously completed the third transfer process for the first substrate.
  • the first transfer process for the third substrate may be started so that the liquid treatment for the third substrate is completed within the set time.
  • the start of the second transfer process for the later board is waited until the third transfer process for the original substrate is completed, so that the processing time for the second transfer process for the later substrate varies. Can be suppressed.
  • control unit can start executing both the first recipe and the second recipe
  • control unit may start executing a recipe other than the last recipe executed among the first recipe and the second recipe.
  • the control unit moves the transfer unit from the delivery unit to the liquid processing unit, and then causes the transfer unit to stand by until the elapsed time from the start of the first transfer process reaches a preset time. You may. Further, in the second transfer process, the control unit moves the transfer unit from the liquid processing unit to the drying process, and then the transfer unit until the elapsed time from the start of the second transfer process becomes a preset time. May be kept waiting.
  • the present disclosure is not limited to the above embodiments, and various changes can be made as long as the purpose is not deviated.
  • the substrate processing system 1 in which one transfer device 16 is provided is shown, but the number of transfer devices 16 is not limited to one, and each of a plurality of pairs of liquid treatment units 17 and drying units 18 is used.

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Abstract

本開示の一態様による基板処理装置（１）は、受渡部（１４）から液処理部（１７）へ基板を搬送する第１搬送処理、液処理部（１７）による液処理、液処理部（１７）から乾燥処理部（１８）へ基板を搬送する第２搬送処理および乾燥処理部（１８）による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピと第２レシピとを並列に実行する制御部（６１）を備える。制御部（６１）は、複数の基板のうち第１基板に対する第１レシピの実行中に、複数の基板のうち第２基板に対する第２レシピの実行を開始する場合に、第１基板に対する第２搬送処理の期間と第２基板に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、第２基板に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定する。

Description

基板処理装置および基板処理方法
　本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
　従来、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウエハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。
特開２０１３－１２５３８号公報
　本開示は、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる技術を提供する。
　本開示の一態様による基板処理装置は、受渡部と、複数の液処理部と、複数の乾燥処理部と、搬送部と、制御部とを備える。受渡部は、複数の基板を収容可能である。複数の液処理部は、基板の表面に液膜を形成する。複数の乾燥処理部は、表面に液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて基板を乾燥させる。搬送部は、基板の搬送を行う。制御部は、受渡部、複数の液処理部、複数の乾燥処理部および搬送部を制御することにより、受渡部から液処理部へ基板を搬送する第１搬送処理、液処理部による液処理、液処理部から乾燥処理部へ基板を搬送する第２搬送処理および乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピと第２レシピとを並列に実行する。また、制御部は、複数の基板のうち第１基板に対する第１レシピの実行中に、複数の基板のうち第２基板に対する第２レシピの実行を開始する場合に、第１基板に対する第２搬送処理の期間と第２基板に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、第２基板に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定する。
　本開示によれば、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。 図２は、実施形態に係る基板処理システムを側方から見た模式的な断面図である。 図３は、実施形態に係る搬送装置の構成を示す側面図である。 図４は、液処理ユニットの構成例を示す図である。 図５は、乾燥ユニットの構成例を示す図である。 図６は、実施形態に係る基板処理システムにおいて実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。 図７は、実施形態に係る後発レシピ開始タイミング調整処理を説明するためのタイミングチャートである。 図８は、搬送禁止期間を考慮した後発レシピ開始タイミング調整処理の一例を説明するためのタイミングチャートである。 図９は、同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミング決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。 図１０は、２つのレシピを実行開始可能な場合における優先順位の決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。 図１１は、搬送時間情報の一例を示す図である。 図１２は、第３搬送処理の手順の一例を示すフローチャートである。
　以下に、本開示による基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
　また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
　また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
　従来、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウエハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。
　しかしながら、表面に液膜が形成されたウエハが次の乾燥ユニットに搬送されるタイミングで他のウエハが搬送処理されていると、液膜が形成されたウエハは、他のウエハの搬送処理が完了するまでそのまま待機しなければならない。
　そして、待機している間に液膜が乾燥するなどして、ウエハ表面の液膜状態が変化した場合、その後の乾燥処理においてウエハ上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合が発生することから、ウエハの歩留まりが低下してしまう恐れがあった。
　特に、上述したウエハの搬送タイミングの重なりは、処理時間の異なる複数のレシピを並列に実行しようとした場合に起こり易い。
　そこで、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することが期待されている。
＜基板処理システムの構成＞
　まず、実施形態に係る基板処理システム１（基板処理装置の一例）の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１を上方から見た模式的な断面図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理システム１を側方から見た模式的な断面図である。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウエハＷ（以下、「ウエハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　実施形態に係る基板処理システム１は、２種類のウエハＷ（以下、「ウエハＷＡ」、「ウエハＷＢ」と記載する）に対してそれぞれ異なるレシピの基板処理を行う。このため、キャリア載置部１１には、複数のウエハＷＡを収容する複数（ここでは、２つ）のキャリアＣＡと、複数のウエハＷＢを収容する複数（ここでは、２つ）のキャリアＣＢとが載置される。
　ウエハＷＡとウエハＷＢとは、たとえば、一方が、表面（パターン形成面）に金属を含むウエハＷであり、他方が、表面に金属を含まないウエハＷであるものとする。なお、ウエハＷＡとウエハＷＢとは、少なくともレシピに含まれる後述する液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なるウエハＷであればよい。すなわち、ここでいう「異なる種類」とは、表面の構成の相違だけを指すのではなく、表面の構成が同一であっても（つまり、同一種類のウエハであっても）、液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なれば「異なる種類」に含まれる。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。図２に示すように、受渡部１４は、複数のウエハＷＡを多段に収容可能な受渡部１４Ａと、複数のウエハＷＢを多段に収容可能な受渡部１４Ｂとを含む。受渡部１４Ａと受渡部１４Ｂとは上下方向（Ｚ軸方向）に沿って配置される。
　搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
　具体的には、図２に示すように、搬送装置１３は、ウエハＷＡを保持するための第１保持部１３１Ａと、ウエハＷＢを保持するための第２保持部１３１Ｂとを含む。搬送装置１３は、第１保持部１３１Ａと第２保持部１３１Ｂと独立して水平移動させることができる。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５とを備える。
　搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。
　搬送装置１６は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウエハＷの搬送を行う。ここで、搬送装置１６の構成について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る搬送装置１６の構成を示す側面図である。
　図３に示すように、実施形態に係る搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａと、第２保持部１６１Ｂと、第１進退機構１６２Ａと、第２進退機構１６２Ｂと、昇降機構１６３と、水平移動機構１６４とを備える。
　第１保持部１６１Ａは、ウエハＷＡを保持する。第２保持部１６１Ｂは、たとえば第１保持部１６１Ａの下方に配置され、ウエハＷＢを保持する。第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂは、たとえば、ウエハＷの径よりも横幅が小さい二股形状を有する平板状のベース部と、ベース部の表面に設けられた複数の支持部材とを備える。第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂは、複数の支持部材を用いてウエハＷを下方から支持することによってウエハＷを水平に保持する。
　第１進退機構１６２Ａは、第１保持部１６１Ａを水平方向、具体的には、第１進退機構１６２Ａは、搬送エリア１５の延在方向と直交するＹ軸方向に沿って第１保持部１６１Ａを進退させる。第２進退機構１６２Ｂは、第２保持部１６１ＢをＹ軸方向に沿って進退させる。
　昇降機構１６３は、第１進退機構１６２Ａおよび第２進退機構１６２Ｂを鉛直方向に沿って移動させることにより、第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂを昇降させる。水平移動機構１６４は、昇降機構１６３をＸ軸方向に沿って移動させることにより、第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂを搬送エリア１５の延在方向に水平移動させる。
　複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の一方側において搬送エリア１５に隣接して配置される。図１および図２に示すように、具体的には、複数の処理ブロック５は、ウエハＷＡを処理するための複数の処理ブロック５Ａと、ウエハＷＢを処理するための複数の処理ブロック５Ｂとを備える。処理ブロック５Ａは、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）に配置され、処理ブロック５Ｂは、他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。また、図２に示すように、複数の処理ブロック５Ａは、鉛直方向に沿って多段（ここでは３段）に配置される。同様に、複数の処理ブロック５Ｂも、鉛直方向に沿って多段（ここでは３段）に配置される。
　各段に配置された処理ブロック５と受渡部１４との間で行われるウエハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された１つの搬送装置１６によって行われる。
　各処理ブロック５Ａは、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８とを備える。同様に、各処理ブロック５Ｂも、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８とを備える。
　液処理ユニット１７は、ウエハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行った後、洗浄処理後のウエハＷの上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。洗浄処理および液膜形成処理は、液処理の一例である。液処理ユニット１７の構成については後述する。
　乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウエハＷに対して乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウエハＷを超臨界状態の処理流体（以下、「超臨界流体」とも呼称する。）と接触させることによって同ウエハＷを乾燥させる。乾燥ユニット１８の構成については後述する。
　なお、図１および図２では図示を省略しているが、基板処理システム１は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する供給ユニットをさらに備えていてもよい。かかる供給ユニットは、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。実施形態において、供給ユニットは、処理流体としてＣＯ２を乾燥ユニット１８に供給する。
　液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８のうち、液処理ユニット１７は、搬入出ステーション２に近い位置に配置され、乾燥ユニット１８は、搬入出ステーション２から遠い位置に配置される。
　このように、各処理ブロック５は、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８をそれぞれ１つずつ備える。すなわち、基板処理システム１には、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８が同じ数だけ設けられる。
　図１に示すように、基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。
　制御部６１は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３、１６、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８等の制御を実現する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash　Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
＜液処理ユニットの構成＞
　次に、液処理ユニット１７の構成について、図４を参照しながら説明する。図４は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウエハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。
　図４に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウエハ保持機構２５にてウエハＷをほぼ水平に保持し、このウエハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウエハＷを回転させる。
　そして、液処理ユニット１７は、回転するウエハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウエハＷ上面の洗浄処理を行う。
　また、液処理ユニット１７には、ウエハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウエハＷの下面も洗浄される。
　洗浄処理には、たとえば薬液によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去、事前酸化物の除去、リンス液（脱イオン水（DeIonized　Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する））によるリンス洗浄などが含まれ得る。ウエハＷＡを処理する液処理ユニット１７とウエハＷＢを処理する液処理ユニット１７とは、たとえば、使用する薬液の種類や薬液の供給時間等が異なる。
　上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
　液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウエハ保持機構２５を回転させながら、ウエハＷの上面および下面に液体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」とも呼称する）を供給する。これにより、ウエハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウエハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
　液膜形成処理を終えたウエハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウエハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。
　ウエハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウエハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウエハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。なお、液膜形成処理の処理時間も、ウエハＷＡを処理する液処理ユニット１７とウエハＷＢを処理する液処理ユニット１７とで異なっていてもよい。
＜乾燥ユニットの構成＞
　つづいて、乾燥ユニット１８の構成について、図５を参照しながら説明する。図５は、乾燥ユニット１８の構成例を示す図である。
　図５に示すように、乾燥ユニット１８は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウエハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウエハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、かかる保持板３２を支持するとともに、ウエハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。
　本体３１は、たとえば直径３００ｍｍのウエハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５、３６と排出ポート３７とが設けられる。供給ポート３５、３６および排出ポート３７は、それぞれ、乾燥ユニット１８に超臨界流体を流通させるための供給流路および排出流路に接続されている。
　供給ポート３５は、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３６は、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３７は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図４には２つの供給ポート３５、３６と１つの排出ポート３７が図示されているが、供給ポート３５、３６や排出ポート３７の数は特に限定されない。
　また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３８、３９と、流体排出ヘッダー４０とが設けられる。そして、流体供給ヘッダー３８、３９には複数の供給口がかかる流体供給ヘッダー３８，３９の長手方向に並んで形成され、流体排出ヘッダー４０には複数の排出口がかかる流体排出ヘッダー４０の長手方向に並んで形成される。
　流体供給ヘッダー３８は、供給ポート３５に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３８に並んで形成される複数の供給口は、開口部３４側を向いている。
　流体供給ヘッダー３９は、供給ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３９に並んで形成される複数の供給口は、上方を向いている。
　流体排出ヘッダー４０は、排出ポート３７に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４より下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー４０に並んで形成される複数の排出口は、上方を向いている。
　流体供給ヘッダー３８、３９は、超臨界流体を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー４０は、本体３１内の超臨界流体を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー４０を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体には、ウエハＷの表面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。
　かかる乾燥ユニット１８内において、ウエハＷ上に形成されているパターンの間のＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解し、パターンの間は徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、超臨界流体のみによってパターンの間が満たされる。
　そして、パターンの間からＩＰＡ液体が除去された後に、本体３１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウエハＷの乾燥処理が完了する。
　ここで、超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。これにより、超臨界流体を用いた乾燥処理では、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。したがって、実施形態によれば、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。
　ウエハＷＡを処理する液処理ユニット１７とウエハＷＢを処理する液処理ユニット１７とは、少なくとも上記乾燥処理の処理時間が異なっている。
　なお、実施形態では、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体として超臨界状態のＣＯ２を用いた例について示しているが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、超臨界状態のＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。
＜基板処理フロー＞
　次に、上述した基板処理システム１におけるウエハＷの処理フローについて図６を参照して説明する。図６は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。図６に示す一連の基板処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
　また、ここでは、一例として、１枚のウエハＷについて実行される一連の基板処理の手順を示している。基板処理システム１では、図６に示す一連の基板処理が複数のウエハＷＡおよび複数のウエハＷＢに対して並列に実行される。
　基板処理システム１では、まず、搬送装置１３がキャリアＣからウエハＷを取り出して受渡部１４へ載置する（ステップＳ１０１）。具体的には、搬送装置１３は、第１保持部１３１Ａを用いてキャリアＣＡからウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡを受渡部１４Ａへ載置する。また、搬送装置１３は、第２保持部１３１Ｂを用いてキャリアＣＢからウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを受渡部１４Ｂへ載置する。
　つづいて、基板処理システム１では、第１搬送処理が行われる（ステップＳ１０２）。第１搬送処理は、搬送装置１６がウエハＷを受渡部１４から取り出して液処理ユニット１７に搬送する処理である。具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａを用いて受渡部１４ＡからウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡを処理ブロック５Ａの液処理ユニット１７に搬送する。また、搬送装置１６は、第２保持部１６１Ｂを用いて受渡部１４ＢからウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを処理ブロック５Ｂの液処理ユニット１７に搬送する。
　つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において液処理が行われる（ステップＳ１０３）。具体的には、液処理ユニット１７は、たとえば、ウエハＷのパターン形成面である上面に各種の処理液を供給することにより、ウエハＷの上面からパーティクルや自然酸化膜等を除去する。つづいて、液処理ユニット１７は、たとえば、洗浄処理後のウエハＷの上面にＩＰＡ液体を供給することにより、ウエハＷの上面にＩＰＡ液体による液膜を形成する。
　つづいて、基板処理システム１では、第２搬送処理が行われる（ステップＳ１０４）。第２搬送処理は、搬送装置１６が表面に液膜が形成されたウエハＷを液処理ユニット１７から取り出して乾燥ユニット１８に搬送する処理である。具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａを用いて液処理ユニット１７から取り出し、取り出したウエハＷＡを処理ブロック５Ａの乾燥ユニット１８に搬送する。また、搬送装置１６は、第２保持部１６１Ｂを用いて液処理ユニット１７からウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを処理ブロック５Ｂの乾燥ユニット１８に搬送する。
　つづいて、基板処理システム１では、乾燥ユニット１８において乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。乾燥処理において、乾燥ユニット１８は、表面に液膜が形成されたウエハＷを超臨界流体と接触させることによってウエハＷを乾燥させる。
　つづいて、基板処理システム１では、第３搬送処理が行われる（ステップＳ１０６）。第３搬送処理は、搬送装置１６が乾燥処理後のウエハＷを乾燥ユニット１８から取り出して受渡部１４に搬送する処理である。具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａを用いて乾燥ユニット１８からウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡを受渡部１４Ａに載置する。また、搬送装置１６は、第２保持部１６１Ｂを用いて乾燥ユニット１８からウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを受渡部１４Ｂに載置する。
　つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１３が受渡部１４からウエハＷを取り出してキャリアＣへ搬出する（ステップＳ１０８）。具体的には、具体的には、搬送装置１３は、第１保持部１３１Ａを用いて受渡部１４ＡからウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡをキャリアＣＡへ載置する。また、搬送装置１３は、第２保持部１３１Ｂを用いて受渡部１４ＢからウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢをキャリアＣＢへ載置する。かかる搬出処理を終えると、１枚のウエハＷについての一連の基板処理が終了する。
　上述したように、基板処理システム１では、上記一連の基板処理が複数のウエハＷＡおよび複数のウエハＷＢに対して並列に実行される。ウエハＷＡに対する一連の基板処理（ステップＳ１０１～Ｓ１０７）とウエハＷＢに対する一連の基板処理（ステップＳ１０１～Ｓ１０７）とは、少なくとも液処理（ステップＳ１０３）および乾燥処理（ステップＳ１０５）における処理時間が異なる。
　ここで、液処理後のウエハＷが第２搬送処理されるタイミングで他のウエハＷが搬送装置１６で搬送処理されていると、液膜が形成されたウエハＷは、他のウエハＷの搬送処理が完了するまでそのまま待機しなければならない。
　そして、待機している間に液膜が乾燥するなどして、ウエハＷ表面の液膜状態が変化した場合、その後の乾燥処理においてウエハＷ上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合が発生することから、ウエハＷの歩留まりが低下してしまうおそれがある。このような搬送タイミングの重なりは、特に、実施形態に係る基板処理システム１のように、処理時間の異なる複数のレシピを並列に実行しようとした場合に起こり易い。
　そこで、実施形態では、先発のウエハＷ（たとえばウエハＷＡ）に対する第２搬送処理の期間と、後発のウエハＷ（たとえばウエハＷＢ）に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、第２基板に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定することとした。
　これにより、液処理後のウエハＷＡが第２搬送処理されるタイミングでウエハＷＢが搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。言い換えれば、液処理後のウエハＷＡに待機時間が発生することを抑制することができる。したがって、実施形態に係る基板処理システム１によれば、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間、すなわち、液処理が完了してから乾燥ユニット１８に搬入されるまでの時間がばらつくことを抑制することができる。
＜後発レシピ開始タイミング調整処理の詳細＞
　この点について図７を参照して具体的に説明する。図７は、実施形態に係る後発レシピ開始タイミング調整処理を説明するためのタイミングチャートである。図７に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
　以下では、ウエハＷＡに対して実行される一連の基板処理を「レシピＡ」と記載し、ウエハＷＢに対して実行される一連の基板処理を「レシピＢ」と記載する。図７には、レシピＡとレシピＢとが並列に実行されるタイミングチャートの一例が示されている。
　図７に示す「レシピＡ」のタイミングチャートは、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において、複数のウエハＷＡ１，ＷＡ２がこの順番で処理される場合を例示している。また、図７に示す「レシピＢ」のタイミングチャートは、処理ブロック５Ｂに配置される１組の液処理ユニット１７Ｂ１および乾燥ユニット１８Ｂ１において、複数のウエハＷＢ１，ＷＢ２がこの順番で処理される場合を例示している。
　また、図７には、液処理ユニット１７Ａ１において行われる液処理のうち、ウエハＷＡ１に対する液処理の処理区間を「ＷＡ１」で示し、ウエハＷＡ２に対する液処理の処理区間を「ＷＡ２」で示している。また、乾燥ユニット１８Ａ１において行われる液処理のうち、ウエハＷＡ１に対する乾燥処理の処理区間を「ＷＡ１」で示し、ウエハＷＡ２に対する乾燥処理の処理区間を「ＷＡ２」で示している。液処理ユニット１７Ｂ１および乾燥ユニット１８Ｂ１についても同様であり、ウエハＷＢ１に対する処理の処理区間を「ＷＢ１」で示し、ウエハＷＢ２に対する処理の処理区間を「ＷＢ２」で示している。
　また、図７には、第１搬送処理の処理区間を「Ｓ１」、第２搬送処理の処理区間を「Ｓ２」、第３搬送処理の処理区間を「Ｓ３」でそれぞれ示している。
　たとえば、液処理ユニット１７Ａ１においてウエハＷＡ１の液処理が行われているときに、ウエハＷＢ１に対するレシピＢの実行開始が可能な状態となったとする。この場合において、ウエハＷＢ１に対するレシピＢの実行を直ちに開始するようにすると、実行可能となったタイミングによっては、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理と、ウエハＷＢ１に対する第２搬送処理とが重複するおそれがある。
　そこで、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第１搬送処理が開始された後、後発のウエハＷＢ１に対する第１搬送処理が開始される前に、以下の手順にて、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定する。
　まず、制御部６１は、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想実施期間を、ウエハＷＡ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間に基づいて特定する。具体的には、ウエハＷＡ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間は、すべて既知である。そして、制御部６１は、ウエハＷＡ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ１から、第１搬送処理および液処理の処理時間が経過した時点をウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２として特定することができる。また、制御部６１は、予想開始タイミングｔ２から第２搬送処理の処理時間が経過するまでの期間をウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想実施期間として特定することができる。
　また、制御部６１は、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始したと仮定した場合に予想されるウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の実施期間を、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間に基づいて特定する。具体的には、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間は、すべて既知である。制御部６１は、たとえば、ウエハＷＢ１に対するレシピＢの実行開始が可能となったタイミングから、第１搬送処理および液処理の処理時間が経過した時点をウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３として特定することができる。また、制御部６１は、予想開始タイミングｔ３から第２搬送処理の処理時間が経過するまでの期間をウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想実施期間として特定することができる。
　つづいて、制御部６１は、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２と、ウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３との間隔が予め設定されたインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定する。インターバル時間Ｉは、少なくとも第２搬送処理の処理時間より長い時間に設定される。
　そして、上記間隔がインターバル時間Ｉ未満である場合、制御部６１は、上記間隔がインターバル時間Ｉ以上となるタイミングを、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４として決定する。具体的には、制御部６１は、上記間隔がインターバル時間Ｉとなるように、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４を決定する。
　このように、実施形態に係る基板処理システム１では、先発のウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の期間と後発のウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定することとした。
　具体的には、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２とウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３との間隔がインターバル時間Ｉ以上となるタイミングでウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始させることとした。
　これにより、液処理後のウエハＷＡ１が第２搬送処理されるタイミングでウエハＷＢ１が搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。言い換えれば、液処理後のウエハＷＡ１に待機時間が発生することを抑制することができる。したがって、実施形態に係る基板処理システム１によれば、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる。
　ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理が完了すると、次のウエハＷＡ２に対するレシピＡの実行が可能な状態となる。このとき、制御部６１は、ウエハＷＡ２に対するレシピＡの実行を直ちに開始したと仮定した場合におけるウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ５を特定する。そして、制御部６１は、先発のウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３と、後発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ５との間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定する。図示の例において、予想開始タイミングｔ３と予想開始タイミングｔ５との間隔は、インターバル時間Ｉ以上である。したがって、制御部６１は、ウエハＷＡ２に対するレシピＡの実行が可能な状態となったタイミングで、すなわち、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理が完了したタイミングで、ウエハＷＡ２に対する第１搬送処理を開始させる。
　制御部６１は、ウエハＷＢ２に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ７についても、上記と同様の手順で決定する。すなわち、制御部６１は、ウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ５とウエハＷＢ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ６との間隔がインターバル時間ＩとなるようにウエハＷＢ２に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ７を決定する。
　上記の例では、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングと後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングとの間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定することとした。これに限らず、制御部６１は、たとえば、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想終了タイミングと、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングとの間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定してもよい。すなわち、制御部６１は、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想実施期間と、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想実施期間との間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定してもよい。この場合のインターバル時間Ｉは、少なくとも０以上であればよく、上述した予想開始タイミング同士の間隔に対して設定されるインターバル時間Ｉより短くてよい。
　なお、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングと後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングとの間隔をインターバル時間以上とする方法として、２通りの方法を取り得る場合がある。１つ目は、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングを時間的に前にずらす方法であり、２つ目は、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングを時間的に後ろにずらす方法である。このような場合、制御部６１は、前にずらす方法ではなく、後ろにずらす方法を採用してもよい。これにより、後発のウエハＷに対する処理が先発のウエハＷに対する処理を追い越してしまうことを防止することができる。したがって、たとえば、システムの煩雑化を抑制することができる。
＜搬送禁止期間について＞
　制御部６１は、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングの前に、同予想開始タイミングを期間の終点とする搬送禁止期間を設定してもよい。この点について図８を参照して説明する。図８は、搬送禁止期間を考慮した後発レシピ開始タイミング調整処理の一例を説明するためのタイミングチャートである。図８に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
　なお、図８の上図には、後発のウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４が搬送禁止期間Ｐに含まれる場合の例を示している。また、図８の下図には、後発のウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４が搬送禁止期間Ｐに含まれなように、同開始タイミングｔ４がずらされる様子を示している。
　図８に示すように、先発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ１１の前には、予想開始タイミングｔ１１を期間の終点とする搬送禁止期間Ｐが設定される。制御部６１は、まず、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ１３を仮決定する。開始タイミングｔ１３は、先発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ１１と、後発のウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ１２との間隔がインターバル時間Ｉとなるように仮決定される。その後、制御部６１は、仮決定した開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐに含まれるか否かを判定する。
　図８の上図に示すように、仮決定した開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐに含まれる場合、制御部６１は、図８の下図に示すように、開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐと重複しないように、仮決定した開始タイミングｔ１３を時間的に後ろにずらす。具体的には、制御部６１は、予想開始タイミングｔ１１，ｔ１２間の間隔がインターバル時間Ｉ以上であり、且つ、開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐと重複しないタイミングで、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始させる。ここでは、ウエハＷＡ２に対する第２搬送処理が終了するまでは、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始することができないため、ウエハＷＡ２に対する第２搬送処理が終了したタイミングで、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理が開始される。
　このように、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングの直前に搬送禁止期間Ｐを設定し、かかる搬送禁止期間Ｐ内における他のウエハＷの搬送を禁止してもよい。これにより、先発のウエハＷに対する第２搬送処理をより確実に予想開始タイミングで開始させることができる。なお、ウエハＷＡ２の搬入先である乾燥ユニット１８Ａ１に先発のウエハＷＡ１が存在していると、後発のウエハＷＡ２を乾燥ユニット１８Ａ１へ搬入することができない。このため、先発のウエハＷＡ１を乾燥ユニット１８Ｂ１から搬出する処理、すなわち、ウエハＷＡ１に対する第３搬送処理については、搬送禁止期間Ｐ内での実行が許容される。
＜同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミングの決定手法について＞
　上述した例では、異なるレシピＡ，Ｂ間における第１搬送処理の開始タイミングをインターバル時間Ｉに基づいて決定する場合について説明した。これに限らず、同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミングについてもインターバル時間Ｉに基づいて決定されてよい。この点について図９を参照して説明する。図９は、同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミング決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。図９に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
　図９には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において、複数のウエハＷＡ１，ＷＡ３がこの順番で処理される場合を例示している。また、図９には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ２および乾燥ユニット１８Ａ２において、複数のウエハＷＡ２，ＷＡ４がこの順番で処理される場合を例示している。
　図９に示すように、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２１と、後発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２２とを特定する。そして、制御部６１は、予想開始タイミングｔ２１，ｔ２２間の間隔がインターバル時間Ｉとなるように、ウエハＷＡ２に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２３を決定する。
　このように、制御部６１は、同一のレシピ（ここではレシピＡ）にて処理されるウエハＷＡ同士についても、第２搬送処理の予想開始タイミング間の間隔がインターバル時間以上となるように後発のウエハＷＡの第１搬送処理の開始タイミングを決定してもよい。ウエハＷＡ２，ＷＡ３間、ウエハＷＡ３，ＷＡ３間についても同様である。
　また、制御部６１は、１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において処理されるウエハＷＡ１，ＷＡ３について、後発のウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を以下の手順にて決定してもよい。
　まず、制御部６１は、既知である第３搬送処理の処理時間等に基づき、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の予想終了タイミングｔ２５を特定する。つづいて、制御部６１は、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理が上記予想終了タイミングｔ２５において開始されるように、ウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を決定する。言い換えれば、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の終了タイミングと、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始タイミングとが同時になるように、後発のウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を決定する。
　これにより、たとえば、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理が終了するまで、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始が待たされることによって、ウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の処理時間にばらつきが生じることを抑制することができる。また、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の終了タイミングと、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始タイミングとが同時となるようにすることで、ウエハＷＡ１，ＷＡ３を効率よく搬送することができる。
　なお、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の終了タイミングと、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始タイミングとは、必ずしも同時であることを要しない。すなわち、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理が終了した後、予め設定された時間以内に後発のウエハＷＡ３に対する液処理が終了するように、ウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を決定すればよい。
＜２つのレシピを実行開始可能な場合における優先順位の決定手法について＞
　制御部６１は、レシピＡおよびレシピＢの両方を実行開始可能である場合に、レシピＡおよびレシピＢのうち最後に実行したレシピ以外のレシピを優先的に実行させてもよい。
　この点について図１０を参照して説明する。図１０は、２つのレシピを実行開始可能な場合における優先順位の決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。図１０に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
　図１０には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において、ウエハＷＡ１が処理される場合を例示している。また、図１０には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ２および乾燥ユニット１８Ａ２において、ウエハＷＡ２が処理される場合を例示している。また、図１０には、処理ブロック５Ｂに配置される１組の液処理ユニット１７Ｂ１および乾燥ユニット１８Ｂ１において、ウエハＷＢ１が処理される場合を例示している。
　図１０に示すように、先発のウエハＷＡ１に続く後発のウエハＷとして、レシピＡで処理されるウエハＷＡ２およびレシピＢで処理されるウエハＷＢ１の両方を選択可能であるものとする。この場合、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１がレシピＡで処理されるウエハＷＡであることから、後発のウエハＷとして、レシピＢで処理されるウエハＷＢ１に対する処理を優先的に開始させる。具体的には、制御部６１は、まず、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始タイミングｔ３１において開始させた後で、ウエハＷＡ２に対する第１搬送処理を開始タイミングｔ３２において開始させる。なお、開始タイミングｔ３２は、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理が終了するタイミングである。
　このように、制御部６１は、レシピＡ，Ｂの両方を実行開始可能である場合に、レシピＡ，Ｂのうち最後に実行したレシピ以外のレシピの実行を開始させてもよい。これにより、レシピＡおよびレシピＢの進捗度合いに差が生じることを抑制することができる。
＜搬送時間について＞
　第１搬送処理、第２搬送処理および第３搬送処理の処理時間（以下、「搬送時間」と記載する）は、予め設定された固定時間であってもよい。この点について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、搬送時間情報の一例を示す図である。また、図１２は、第３搬送処理の手順の一例を示すフローチャートである。図１２に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
　制御装置６の記憶部６２には、たとえば図１１に示す搬送時間情報が予め記憶されている。図１１に示すように、搬送時間情報は、搬送における個々の動作ごとに、動作の開始から終了までの時間（動作時間）を対応付けた情報である。
　具体的には、第１搬送処理、第２搬送処理および第３搬送処理の各々には、個々の動作として、「ユニット前移動」、「ウエハ受取」、「ウエハ送出」が含まれる。「ユニット前移動」は、ある移動元からある移動先へ搬送装置１６を移動させる動作である。「ウエハ受取」は、移動先からウエハを受け取る動作である。「ウエハ送出」は、移動先へウエハを渡す動作である。
　たとえば、図１１に示す搬送時間情報によれば、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのユニット前移動の動作時間として、ウエハ保持「なし」の場合の「ａ１」と、ウエハ保持「あり」の場合の「ａ３」とが定義されている。動作時間「ａ３」は、動作時間「ａ１」よりも長い時間に設定される。これは、ウエハＷの位置ずれ防止等の観点から、ウエハＷを保持した状態での移動速度をウエハＷを保持していない状態での移動速度と比べて遅くするためである。同様に、図１１に示す搬送時間情報によれば、乾燥ユニット１８から受渡部１４へのユニット前移動の動作時間として、ウエハ保持「なし」の場合の「ａ２」と、ウエハ保持「あり」の場合の「ａ４」とが定義されている。
　また、図１１に示す搬送時間情報によれば、乾燥ユニット１８からウエハＷを受け取る「ウエハ受取」の動作時間として「ａ５」が定義され、受渡部１４にウエハＷを載置する「ウエハ送出」の動作時間として「ａ６」が定義されている。
　次に、かかる搬送時間情報に従って第３搬送処理を行う場合の例について図１２を参照して説明する。図１２に示すように、制御部６１は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのユニット前移動（ステップＳ２０１）を行った後、乾燥ユニット１８でのウエハ受取（ステップＳ２０２）を行う。その後、制御部６１は、乾燥ユニット１８から受渡部１４へのユニット前移動（ステップＳ２０３）を行った後、受渡部１４でのウエハ送出（ステップＳ２０４）を行う。
　ステップＳ２０１において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ１」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０１ａ）。つづいて、制御部６１は、搬送装置１６を乾燥ユニット１８の前まで移動させる（ステップＳ２０１ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０１ａにおいて開始させた「ａ１」のタイマーがタイムアウトするまで、乾燥ユニット１８の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０１ｃ）。
　ステップＳ２０１ｃにおいて「ａ１」のタイマーがタイムアウトすると、制御部６１は、ステップＳ２０２の処理を開始する。ステップＳ２０２において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ５」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０２ａ）。つづいて、制御部６１は、乾燥ユニット１８からウエハＷを受け取る（ステップＳ２０２ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０２ａにおいて開始させた「ａ５」のタイマーがタイムアウトするまで、乾燥ユニット１８の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０２ｃ）。
　ステップＳ２０２ｃにおいて「ａ５」のタイマーがタイムアウトすると、制御部６１は、ステップＳ２０３の処理を開始する。ステップＳ２０３において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ４」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０３ａ）。つづいて、制御部６１は、搬送装置１６を受渡部１４まで移動させる（ステップＳ２０３ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０３ａにおいて開始させた「ａ４」のタイマーがタイムアウトするまで、受渡部１４の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０３ｃ）。
　ステップＳ２０３ｃにおいて「ａ４」のタイマーがタイムアウトすると、制御部６１は、ステップＳ２０４の処理を開始する。ステップＳ２０４において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ６」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０４ａ）。つづいて、制御部６１は、受渡部１４にウエハＷを載置する（ステップＳ２０４ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０４ａにおいて開始させた「ａ６」のタイマーがタイムアウトするまで、受渡部１４の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０４ｃ）。
　ここでは、第３搬送処理を例に挙げて説明したが、第１搬送処理および第２搬送処理についても同様である。すなわち、制御部６１は、第１搬送処理において、搬送装置１６を受渡部１４から液処理ユニット１７まで移動させた後、第１搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送装置１６を待機させる。また、制御部６１は、第２搬送処理において、搬送装置１６を液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８まで移動させた後、第２搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送部を待機させる。
　このように制御することで、第１～第３搬送処理の搬送時間を固定時間とすることができる。言い換えれば、第１～第３搬送処理の搬送時間が長くなったり短くなったりすることを抑制することができる。これにより、ウエハＷの搬送サイクルの乱れを抑制することができ、一定のサイクルでウエハＷを安定的に搬送することが可能となる。
　上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理システム１）は、受渡部（一例として、受渡部１４）と、複数の液処理部（一例として、液処理ユニット１７）と、複数の乾燥処理部（一例として、乾燥ユニット１８）と、搬送部（一例として、搬送装置１６）と、制御部（一例として、制御部６１）とを備える。受渡部は、複数の基板（一例として、ウエハＷ）を収容可能である。複数の液処理部は、基板の表面に液膜を形成する。複数の乾燥処理部は、表面に液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて基板を乾燥させる。搬送部は、基板の搬送を行う。制御部は、受渡部、複数の液処理部、複数の乾燥処理部および搬送部を制御することにより、受渡部から液処理部へ基板を搬送する第１搬送処理、液処理部による液処理、液処理部から乾燥処理部へ基板を搬送する第２搬送処理および乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピ（一例として、レシピＡ，Ｂのうちの一方）と第２レシピ（一例として、レシピＡ，Ｂのうちの他方）とを並列に実行する。また、制御部は、複数の基板のうち第１基板に対する第１レシピの実行中に、複数の基板のうち第２基板に対する第２レシピの実行を開始する場合に、第１基板に対する第２搬送処理の期間と第２基板に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、第２基板に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定する。
　具体的には、制御部は、第２基板に対する第１搬送処理を開始したと仮定した場合に予想される第２基板に対する第２搬送処理の開始タイミングと、第１基板に対する第２搬送処理の開始タイミングとの間隔が予め設定されたインターバル時間（一例として、インターバル時間Ｉ）未満である場合に、上記間隔がインターバル時間以上となるタイミングで第２基板に対する第１搬送処理を開始させる。
　したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる。
　制御部は、第１基板に対する第２搬送処理が終了した後で第２基板に対する第２搬送処理が開始されるように、上記間隔がインターバル時間以上となるタイミングで第２基板に対する第１搬送処理を開始させてもよい。
　これにより、後発の基板に対する処理が先発の基板に対する処理を追い越してしまうことを防止することができる。したがって、たとえば、システムの煩雑化を抑制することができる。
　制御部は、上記間隔がインターバル時間となるタイミングで第２基板に対する第１搬送処理を開始させたと仮定したときに、上記第１搬送処理の開始タイミングが、他の基板に対する第２搬送処理の開始タイミングを終点とする搬送禁止期間に含まれる場合には、他の基板に対する第２搬送処理が終了した後で、第２基板に対する第１搬送処理を開始させてもよい。
　これにより、先発の基板に対する第２搬送処理をより確実に予想開始タイミングで開始させることができる。
　レシピは、乾燥処理部から受渡部へ基板を搬送する第３搬送処理を含んでいてもよい。この場合、制御部は、第１基板に対する乾燥処理中に、複数の基板のうち第３基板に対する第１レシピの実行を開始する場合に、第１基板に対する第３搬送処理が終了した後、予め設定された時間以内に第３基板に対する液処理が終了するように第３基板に対する第１搬送処理を開始させてもよい。
　これにより、たとえば、先発の基板に対する第３搬送処理が終了するまで、後発の基板に対する第２搬送処理の開始が待たされることによって、後発の基板に対する第２搬送処理の処理時間にばらつきが生じることを抑制することができる。
　制御部は、第１レシピおよび第２レシピの両方を実行開始可能である場合、第１レシピおよび第２レシピのうち最後に実行したレシピ以外のレシピの実行を開始してもよい。
　これにより、第１レシピおよび第２レシピの進捗度合いに差が生じることを抑制することができる。
　制御部は、第１搬送処理において、搬送部を受渡部から液処理部まで移動させた後、第１搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送部を待機させてもよい。また、制御部は、第２搬送処理において、搬送部を液処理部から乾燥処理部まで移動させた後、第２搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送部を待機させてもよい。
　これにより、第１、第３搬送処理の搬送時間が長くなったり短くなったりすることを抑制することができる。これにより、基板の搬送サイクルの乱れを抑制することができ、一定のサイクルで基板を安定的に搬送することが可能となる。
　以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、搬送装置１６が１つ設けられる基板処理システム１について示したが、搬送装置１６の数は１つに限られず、複数ペアの液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８ごとに共通に設けられれば、搬送装置１６は複数であってもよい。
　今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１　　　　　：基板処理システム
２　　　　　：搬入出ステーション
３　　　　　：処理ステーション
４　　　　　：搬送ブロック
５　　　　　：処理ブロック
６　　　　　：制御装置
１１　　　　：キャリア載置部
１２　　　　：搬送部
１３　　　　：搬送装置
１４　　　　：受渡部
１５　　　　：搬送エリア
１６　　　　：搬送装置
１７　　　　：液処理ユニット
１８　　　　：乾燥ユニット
６１　　　　：制御部
６２　　　　：記憶部
Ｉ　　　　　：インターバル時間
Ｐ　　　　　：搬送禁止期間
Ｗ　　　　　：ウエハ

Claims (9)

  1. 　複数の基板を収容可能な受渡部と、
    　前記基板の表面に液膜を形成する複数の液処理部と、
    　前記表面に液膜が形成された前記基板を超臨界流体と接触させて前記基板を乾燥させる複数の乾燥処理部と、
    　前記基板の搬送を行う搬送部と、
    　前記受渡部、前記複数の液処理部、前記複数の乾燥処理部および前記搬送部を制御することにより、前記受渡部から前記液処理部へ前記基板を搬送する第１搬送処理、前記液処理部による液処理、前記液処理部から前記乾燥処理部へ前記基板を搬送する第２搬送処理および前記乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも前記液処理および前記乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピと第２レシピとを並列に実行する制御部と
    　を備え、
    　前記制御部は、
    　前記複数の基板のうち第１基板に対する前記第１レシピの実行中に、前記複数の基板のうち第２基板に対する前記第２レシピの実行を開始する場合に、前記第１基板に対する前記第２搬送処理の期間と前記第２基板に対する前記第２搬送処理の期間とが重複しないように、前記第２基板に対する前記第１搬送処理の開始タイミングを決定する、基板処理装置。
  2. 　前記制御部は、
    　前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始したと仮定した場合に予想される前記第２基板に対する前記第２搬送処理の開始タイミングと、前記第１基板に対する前記第２搬送処理の開始タイミングとの間隔が予め設定されたインターバル時間未満である場合に、前記間隔が前記インターバル時間以上となるタイミングで前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記制御部は、
    　前記第１基板に対する前記第２搬送処理が終了した後で前記第２基板に対する前記第２搬送処理が開始されるように、前記間隔が前記インターバル時間以上となるタイミングで前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記制御部は、
    　前記間隔が前記インターバル時間となるタイミングで前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させたと仮定したときに、当該第１搬送処理の開始タイミングが、他の前記基板に対する前記第２搬送処理の開始タイミングを終点とする搬送禁止期間に含まれる場合には、他の前記基板に対する前記第２搬送処理が終了した後で、前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記レシピは、
    　前記乾燥処理部から前記受渡部へ前記基板を搬送する第３搬送処理を含み、
    　前記制御部は、
    　前記第１基板に対する前記乾燥処理中に、前記複数の基板のうち第３基板に対する前記第１レシピの実行を開始する場合に、前記第１基板に対する前記第３搬送処理が終了した後、予め設定された時間以内に前記第３基板に対する前記液処理が終了するように前記第３基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 　前記制御部は、
    　前記第１レシピおよび前記第２レシピの両方を実行開始可能である場合、前記第１レシピおよび前記第２レシピのうち最後に実行したレシピ以外のレシピの実行を開始する、請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 　前記制御部は、
    　前記第１搬送処理において、前記搬送部を前記受渡部から前記液処理部まで移動させた後、前記第１搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで前記搬送部を待機させる、請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 　前記制御部は、
    　前記第２搬送処理において、前記搬送部を前記液処理部から前記乾燥処理部まで移動させた後、前記第２搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで前記搬送部を待機させる、請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 　複数の基板を収容可能な受渡部から前記基板の表面に液膜を形成する複数の液処理部のいずれか一つに搬送部を用いて前記基板を搬送する第１搬送処理、前記液処理部による液処理、前記搬送部を用い、超臨界流体と接触させて前記基板を乾燥させる複数の乾燥処理部のいずれか一つに対して前記液処理部から前記基板を搬送する第２搬送処理および前記乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも前記液処理および前記乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピと第２レシピとを並列に実行する工程
    　を含み、
    　前記並列に実行する工程は、
    　前記複数の基板のうち第１基板に対する前記第１レシピの実行中に、前記複数の基板のうち第２基板に対する前記第２レシピの実行を開始する場合に、前記第１基板に対する前記第２搬送処理の期間と前記第２基板に対する前記第２搬送処理の期間とが重複しないように、前記第２基板に対する前記第１搬送処理の開始タイミングを決定する工程と、
    　前記決定する工程において決定した開始タイミングにて、前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる工程と、
    　を含む、基板処理方法。
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