JP7221417B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7221417B2
JP7221417B2 JP2021562628A JP2021562628A JP7221417B2 JP 7221417 B2 JP7221417 B2 JP 7221417B2 JP 2021562628 A JP2021562628 A JP 2021562628A JP 2021562628 A JP2021562628 A JP 2021562628A JP 7221417 B2 JP7221417 B2 JP 7221417B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
wafer
transfer process
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021562628A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021112022A1 (ja
Inventor
修平 後藤
知広 金子
丈志 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JPWO2021112022A1 publication Critical patent/JPWO2021112022A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7221417B2 publication Critical patent/JP7221417B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウエハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。
特開２０１３－１２５３８号公報
本開示は、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、受渡部と、複数の液処理部と、複数の乾燥処理部と、搬送部と、制御部とを備える。受渡部は、複数の基板を収容可能である。複数の液処理部は、基板の表面に液膜を形成する。複数の乾燥処理部は、表面に液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて基板を乾燥させる。搬送部は、基板の搬送を行う。制御部は、受渡部、複数の液処理部、複数の乾燥処理部および搬送部を制御することにより、受渡部から液処理部へ基板を搬送する第１搬送処理、液処理部による液処理、液処理部から乾燥処理部へ基板を搬送する第２搬送処理および乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピと第２レシピとを並列に実行する。また、制御部は、複数の基板のうち第１基板に対する第１レシピの実行中に、複数の基板のうち第２基板に対する第２レシピの実行を開始する場合に、第１基板に対する第２搬送処理の期間と第２基板に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、第２基板に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定する。
本開示によれば、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。 図２は、実施形態に係る基板処理システムを側方から見た模式的な断面図である。 図３は、実施形態に係る搬送装置の構成を示す側面図である。 図４は、液処理ユニットの構成例を示す図である。 図５は、乾燥ユニットの構成例を示す図である。 図６は、実施形態に係る基板処理システムにおいて実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。 図７は、実施形態に係る後発レシピ開始タイミング調整処理を説明するためのタイミングチャートである。 図８は、搬送禁止期間を考慮した後発レシピ開始タイミング調整処理の一例を説明するためのタイミングチャートである。 図９は、同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミング決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。 図１０は、２つのレシピを実行開始可能な場合における優先順位の決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。 図１１は、搬送時間情報の一例を示す図である。 図１２は、第３搬送処理の手順の一例を示すフローチャートである。
以下に、本開示による基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
従来、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウエハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。
しかしながら、表面に液膜が形成されたウエハが次の乾燥ユニットに搬送されるタイミングで他のウエハが搬送処理されていると、液膜が形成されたウエハは、他のウエハの搬送処理が完了するまでそのまま待機しなければならない。
そして、待機している間に液膜が乾燥するなどして、ウエハ表面の液膜状態が変化した場合、その後の乾燥処理においてウエハ上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合が発生することから、ウエハの歩留まりが低下してしまう恐れがあった。
特に、上述したウエハの搬送タイミングの重なりは、処理時間の異なる複数のレシピを並列に実行しようとした場合に起こり易い。
そこで、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することが期待されている。
＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム１（基板処理装置の一例）の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１を上方から見た模式的な断面図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理システム１を側方から見た模式的な断面図である。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウエハＷ（以下、「ウエハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
実施形態に係る基板処理システム１は、２種類のウエハＷ（以下、「ウエハＷＡ」、「ウエハＷＢ」と記載する）に対してそれぞれ異なるレシピの基板処理を行う。このため、キャリア載置部１１には、複数のウエハＷＡを収容する複数（ここでは、２つ）のキャリアＣＡと、複数のウエハＷＢを収容する複数（ここでは、２つ）のキャリアＣＢとが載置される。
ウエハＷＡとウエハＷＢとは、たとえば、一方が、表面（パターン形成面）に金属を含むウエハＷであり、他方が、表面に金属を含まないウエハＷであるものとする。なお、ウエハＷＡとウエハＷＢとは、少なくともレシピに含まれる後述する液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なるウエハＷであればよい。すなわち、ここでいう「異なる種類」とは、表面の構成の相違だけを指すのではなく、表面の構成が同一であっても（つまり、同一種類のウエハであっても）、液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なれば「異なる種類」に含まれる。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。図２に示すように、受渡部１４は、複数のウエハＷＡを多段に収容可能な受渡部１４Ａと、複数のウエハＷＢを多段に収容可能な受渡部１４Ｂとを含む。受渡部１４Ａと受渡部１４Ｂとは上下方向（Ｚ軸方向）に沿って配置される。
搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
具体的には、図２に示すように、搬送装置１３は、ウエハＷＡを保持するための第１保持部１３１Ａと、ウエハＷＢを保持するための第２保持部１３１Ｂとを含む。搬送装置１３は、第１保持部１３１Ａと第２保持部１３１Ｂと独立して水平移動させることができる。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５とを備える。
搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。
搬送装置１６は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウエハＷの搬送を行う。ここで、搬送装置１６の構成について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る搬送装置１６の構成を示す側面図である。
図３に示すように、実施形態に係る搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａと、第２保持部１６１Ｂと、第１進退機構１６２Ａと、第２進退機構１６２Ｂと、昇降機構１６３と、水平移動機構１６４とを備える。
第１保持部１６１Ａは、ウエハＷＡを保持する。第２保持部１６１Ｂは、たとえば第１保持部１６１Ａの下方に配置され、ウエハＷＢを保持する。第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂは、たとえば、ウエハＷの径よりも横幅が小さい二股形状を有する平板状のベース部と、ベース部の表面に設けられた複数の支持部材とを備える。第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂは、複数の支持部材を用いてウエハＷを下方から支持することによってウエハＷを水平に保持する。
第１進退機構１６２Ａは、第１保持部１６１Ａを水平方向、具体的には、第１進退機構１６２Ａは、搬送エリア１５の延在方向と直交するＹ軸方向に沿って第１保持部１６１Ａを進退させる。第２進退機構１６２Ｂは、第２保持部１６１ＢをＹ軸方向に沿って進退させる。
昇降機構１６３は、第１進退機構１６２Ａおよび第２進退機構１６２Ｂを鉛直方向に沿って移動させることにより、第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂを昇降させる。水平移動機構１６４は、昇降機構１６３をＸ軸方向に沿って移動させることにより、第１保持部１６１Ａおよび第２保持部１６１Ｂを搬送エリア１５の延在方向に水平移動させる。
複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の一方側において搬送エリア１５に隣接して配置される。図１および図２に示すように、具体的には、複数の処理ブロック５は、ウエハＷＡを処理するための複数の処理ブロック５Ａと、ウエハＷＢを処理するための複数の処理ブロック５Ｂとを備える。処理ブロック５Ａは、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）に配置され、処理ブロック５Ｂは、他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。また、図２に示すように、複数の処理ブロック５Ａは、鉛直方向に沿って多段（ここでは３段）に配置される。同様に、複数の処理ブロック５Ｂも、鉛直方向に沿って多段（ここでは３段）に配置される。
各段に配置された処理ブロック５と受渡部１４との間で行われるウエハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された１つの搬送装置１６によって行われる。
各処理ブロック５Ａは、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８とを備える。同様に、各処理ブロック５Ｂも、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８とを備える。
液処理ユニット１７は、ウエハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行った後、洗浄処理後のウエハＷの上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。洗浄処理および液膜形成処理は、液処理の一例である。液処理ユニット１７の構成については後述する。
乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウエハＷに対して乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウエハＷを超臨界状態の処理流体（以下、「超臨界流体」とも呼称する。）と接触させることによって同ウエハＷを乾燥させる。乾燥ユニット１８の構成については後述する。
なお、図１および図２では図示を省略しているが、基板処理システム１は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する供給ユニットをさらに備えていてもよい。かかる供給ユニットは、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。実施形態において、供給ユニットは、処理流体としてＣＯ２を乾燥ユニット１８に供給する。
液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８のうち、液処理ユニット１７は、搬入出ステーション２に近い位置に配置され、乾燥ユニット１８は、搬入出ステーション２から遠い位置に配置される。
このように、各処理ブロック５は、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８をそれぞれ１つずつ備える。すなわち、基板処理システム１には、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８が同じ数だけ設けられる。
図１に示すように、基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。
制御部６１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３、１６、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８等の制御を実現する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
＜液処理ユニットの構成＞
次に、液処理ユニット１７の構成について、図４を参照しながら説明する。図４は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウエハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。
図４に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウエハ保持機構２５にてウエハＷをほぼ水平に保持し、このウエハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウエハＷを回転させる。
そして、液処理ユニット１７は、回転するウエハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウエハＷ上面の洗浄処理を行う。
また、液処理ユニット１７には、ウエハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウエハＷの下面も洗浄される。
洗浄処理には、たとえば薬液によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去、事前酸化物の除去、リンス液（脱イオン水（DeIonized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する））によるリンス洗浄などが含まれ得る。ウエハＷＡを処理する液処理ユニット１７とウエハＷＢを処理する液処理ユニット１７とは、たとえば、使用する薬液の種類や薬液の供給時間等が異なる。
上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウエハ保持機構２５を回転させながら、ウエハＷの上面および下面に液体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」とも呼称する）を供給する。これにより、ウエハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウエハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
液膜形成処理を終えたウエハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウエハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。
ウエハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウエハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウエハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。なお、液膜形成処理の処理時間も、ウエハＷＡを処理する液処理ユニット１７とウエハＷＢを処理する液処理ユニット１７とで異なっていてもよい。
＜乾燥ユニットの構成＞
つづいて、乾燥ユニット１８の構成について、図５を参照しながら説明する。図５は、乾燥ユニット１８の構成例を示す図である。
図５に示すように、乾燥ユニット１８は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウエハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウエハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、かかる保持板３２を支持するとともに、ウエハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。
本体３１は、たとえば直径３００ｍｍのウエハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５、３６と排出ポート３７とが設けられる。供給ポート３５、３６および排出ポート３７は、それぞれ、乾燥ユニット１８に超臨界流体を流通させるための供給流路および排出流路に接続されている。
供給ポート３５は、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３６は、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３７は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図４には２つの供給ポート３５、３６と１つの排出ポート３７が図示されているが、供給ポート３５、３６や排出ポート３７の数は特に限定されない。
また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３８、３９と、流体排出ヘッダー４０とが設けられる。そして、流体供給ヘッダー３８、３９には複数の供給口がかかる流体供給ヘッダー３８，３９の長手方向に並んで形成され、流体排出ヘッダー４０には複数の排出口がかかる流体排出ヘッダー４０の長手方向に並んで形成される。
流体供給ヘッダー３８は、供給ポート３５に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３８に並んで形成される複数の供給口は、開口部３４側を向いている。
流体供給ヘッダー３９は、供給ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３９に並んで形成される複数の供給口は、上方を向いている。
流体排出ヘッダー４０は、排出ポート３７に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４より下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー４０に並んで形成される複数の排出口は、上方を向いている。
流体供給ヘッダー３８、３９は、超臨界流体を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー４０は、本体３１内の超臨界流体を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー４０を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体には、ウエハＷの表面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。
かかる乾燥ユニット１８内において、ウエハＷ上に形成されているパターンの間のＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解し、パターンの間は徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、超臨界流体のみによってパターンの間が満たされる。
そして、パターンの間からＩＰＡ液体が除去された後に、本体３１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウエハＷの乾燥処理が完了する。
ここで、超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。これにより、超臨界流体を用いた乾燥処理では、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。したがって、実施形態によれば、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。
ウエハＷＡを処理する液処理ユニット１７とウエハＷＢを処理する液処理ユニット１７とは、少なくとも上記乾燥処理の処理時間が異なっている。
なお、実施形態では、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体として超臨界状態のＣＯ２を用いた例について示しているが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、超臨界状態のＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。
＜基板処理フロー＞
次に、上述した基板処理システム１におけるウエハＷの処理フローについて図６を参照して説明する。図６は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。図６に示す一連の基板処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
また、ここでは、一例として、１枚のウエハＷについて実行される一連の基板処理の手順を示している。基板処理システム１では、図６に示す一連の基板処理が複数のウエハＷＡおよび複数のウエハＷＢに対して並列に実行される。
基板処理システム１では、まず、搬送装置１３がキャリアＣからウエハＷを取り出して受渡部１４へ載置する（ステップＳ１０１）。具体的には、搬送装置１３は、第１保持部１３１Ａを用いてキャリアＣＡからウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡを受渡部１４Ａへ載置する。また、搬送装置１３は、第２保持部１３１Ｂを用いてキャリアＣＢからウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを受渡部１４Ｂへ載置する。
つづいて、基板処理システム１では、第１搬送処理が行われる（ステップＳ１０２）。第１搬送処理は、搬送装置１６がウエハＷを受渡部１４から取り出して液処理ユニット１７に搬送する処理である。具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａを用いて受渡部１４ＡからウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡを処理ブロック５Ａの液処理ユニット１７に搬送する。また、搬送装置１６は、第２保持部１６１Ｂを用いて受渡部１４ＢからウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを処理ブロック５Ｂの液処理ユニット１７に搬送する。
つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において液処理が行われる（ステップＳ１０３）。具体的には、液処理ユニット１７は、たとえば、ウエハＷのパターン形成面である上面に各種の処理液を供給することにより、ウエハＷの上面からパーティクルや自然酸化膜等を除去する。つづいて、液処理ユニット１７は、たとえば、洗浄処理後のウエハＷの上面にＩＰＡ液体を供給することにより、ウエハＷの上面にＩＰＡ液体による液膜を形成する。
つづいて、基板処理システム１では、第２搬送処理が行われる（ステップＳ１０４）。第２搬送処理は、搬送装置１６が表面に液膜が形成されたウエハＷを液処理ユニット１７から取り出して乾燥ユニット１８に搬送する処理である。具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａを用いて液処理ユニット１７から取り出し、取り出したウエハＷＡを処理ブロック５Ａの乾燥ユニット１８に搬送する。また、搬送装置１６は、第２保持部１６１Ｂを用いて液処理ユニット１７からウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを処理ブロック５Ｂの乾燥ユニット１８に搬送する。
つづいて、基板処理システム１では、乾燥ユニット１８において乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。乾燥処理において、乾燥ユニット１８は、表面に液膜が形成されたウエハＷを超臨界流体と接触させることによってウエハＷを乾燥させる。
つづいて、基板処理システム１では、第３搬送処理が行われる（ステップＳ１０６）。第３搬送処理は、搬送装置１６が乾燥処理後のウエハＷを乾燥ユニット１８から取り出して受渡部１４に搬送する処理である。具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１６１Ａを用いて乾燥ユニット１８からウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡを受渡部１４Ａに載置する。また、搬送装置１６は、第２保持部１６１Ｂを用いて乾燥ユニット１８からウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢを受渡部１４Ｂに載置する。
つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１３が受渡部１４からウエハＷを取り出してキャリアＣへ搬出する（ステップＳ１０８）。具体的には、具体的には、搬送装置１３は、第１保持部１３１Ａを用いて受渡部１４ＡからウエハＷＡを取り出し、取り出したウエハＷＡをキャリアＣＡへ載置する。また、搬送装置１３は、第２保持部１３１Ｂを用いて受渡部１４ＢからウエハＷＢを取り出し、取り出したウエハＷＢをキャリアＣＢへ載置する。かかる搬出処理を終えると、１枚のウエハＷについての一連の基板処理が終了する。
上述したように、基板処理システム１では、上記一連の基板処理が複数のウエハＷＡおよび複数のウエハＷＢに対して並列に実行される。ウエハＷＡに対する一連の基板処理（ステップＳ１０１～Ｓ１０７）とウエハＷＢに対する一連の基板処理（ステップＳ１０１～Ｓ１０７）とは、少なくとも液処理（ステップＳ１０３）および乾燥処理（ステップＳ１０５）における処理時間が異なる。
ここで、液処理後のウエハＷが第２搬送処理されるタイミングで他のウエハＷが搬送装置１６で搬送処理されていると、液膜が形成されたウエハＷは、他のウエハＷの搬送処理が完了するまでそのまま待機しなければならない。
そして、待機している間に液膜が乾燥するなどして、ウエハＷ表面の液膜状態が変化した場合、その後の乾燥処理においてウエハＷ上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合が発生することから、ウエハＷの歩留まりが低下してしまうおそれがある。このような搬送タイミングの重なりは、特に、実施形態に係る基板処理システム１のように、処理時間の異なる複数のレシピを並列に実行しようとした場合に起こり易い。
そこで、実施形態では、先発のウエハＷ（たとえばウエハＷＡ）に対する第２搬送処理の期間と、後発のウエハＷ（たとえばウエハＷＢ）に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、第２基板に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定することとした。
これにより、液処理後のウエハＷＡが第２搬送処理されるタイミングでウエハＷＢが搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。言い換えれば、液処理後のウエハＷＡに待機時間が発生することを抑制することができる。したがって、実施形態に係る基板処理システム１によれば、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間、すなわち、液処理が完了してから乾燥ユニット１８に搬入されるまでの時間がばらつくことを抑制することができる。
＜後発レシピ開始タイミング調整処理の詳細＞
この点について図７を参照して具体的に説明する。図７は、実施形態に係る後発レシピ開始タイミング調整処理を説明するためのタイミングチャートである。図７に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
以下では、ウエハＷＡに対して実行される一連の基板処理を「レシピＡ」と記載し、ウエハＷＢに対して実行される一連の基板処理を「レシピＢ」と記載する。図７には、レシピＡとレシピＢとが並列に実行されるタイミングチャートの一例が示されている。
図７に示す「レシピＡ」のタイミングチャートは、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において、複数のウエハＷＡ１，ＷＡ２がこの順番で処理される場合を例示している。また、図７に示す「レシピＢ」のタイミングチャートは、処理ブロック５Ｂに配置される１組の液処理ユニット１７Ｂ１および乾燥ユニット１８Ｂ１において、複数のウエハＷＢ１，ＷＢ２がこの順番で処理される場合を例示している。
また、図７には、液処理ユニット１７Ａ１において行われる液処理のうち、ウエハＷＡ１に対する液処理の処理区間を「ＷＡ１」で示し、ウエハＷＡ２に対する液処理の処理区間を「ＷＡ２」で示している。また、乾燥ユニット１８Ａ１において行われる液処理のうち、ウエハＷＡ１に対する乾燥処理の処理区間を「ＷＡ１」で示し、ウエハＷＡ２に対する乾燥処理の処理区間を「ＷＡ２」で示している。液処理ユニット１７Ｂ１および乾燥ユニット１８Ｂ１についても同様であり、ウエハＷＢ１に対する処理の処理区間を「ＷＢ１」で示し、ウエハＷＢ２に対する処理の処理区間を「ＷＢ２」で示している。
また、図７には、第１搬送処理の処理区間を「Ｓ１」、第２搬送処理の処理区間を「Ｓ２」、第３搬送処理の処理区間を「Ｓ３」でそれぞれ示している。
たとえば、液処理ユニット１７Ａ１においてウエハＷＡ１の液処理が行われているときに、ウエハＷＢ１に対するレシピＢの実行開始が可能な状態となったとする。この場合において、ウエハＷＢ１に対するレシピＢの実行を直ちに開始するようにすると、実行可能となったタイミングによっては、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理と、ウエハＷＢ１に対する第２搬送処理とが重複するおそれがある。
そこで、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第１搬送処理が開始された後、後発のウエハＷＢ１に対する第１搬送処理が開始される前に、以下の手順にて、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定する。
まず、制御部６１は、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想実施期間を、ウエハＷＡ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間に基づいて特定する。具体的には、ウエハＷＡ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間は、すべて既知である。そして、制御部６１は、ウエハＷＡ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ１から、第１搬送処理および液処理の処理時間が経過した時点をウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２として特定することができる。また、制御部６１は、予想開始タイミングｔ２から第２搬送処理の処理時間が経過するまでの期間をウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想実施期間として特定することができる。
また、制御部６１は、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始したと仮定した場合に予想されるウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の実施期間を、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間に基づいて特定する。具体的には、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理、液処理および第２搬送処理の処理時間は、すべて既知である。制御部６１は、たとえば、ウエハＷＢ１に対するレシピＢの実行開始が可能となったタイミングから、第１搬送処理および液処理の処理時間が経過した時点をウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３として特定することができる。また、制御部６１は、予想開始タイミングｔ３から第２搬送処理の処理時間が経過するまでの期間をウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想実施期間として特定することができる。
つづいて、制御部６１は、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２と、ウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３との間隔が予め設定されたインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定する。インターバル時間Ｉは、少なくとも第２搬送処理の処理時間より長い時間に設定される。
そして、上記間隔がインターバル時間Ｉ未満である場合、制御部６１は、上記間隔がインターバル時間Ｉ以上となるタイミングを、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４として決定する。具体的には、制御部６１は、上記間隔がインターバル時間Ｉとなるように、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４を決定する。
このように、実施形態に係る基板処理システム１では、先発のウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の期間と後発のウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定することとした。
具体的には、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２とウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３との間隔がインターバル時間Ｉ以上となるタイミングでウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始させることとした。
これにより、液処理後のウエハＷＡ１が第２搬送処理されるタイミングでウエハＷＢ１が搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。言い換えれば、液処理後のウエハＷＡ１に待機時間が発生することを抑制することができる。したがって、実施形態に係る基板処理システム１によれば、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる。
ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理が完了すると、次のウエハＷＡ２に対するレシピＡの実行が可能な状態となる。このとき、制御部６１は、ウエハＷＡ２に対するレシピＡの実行を直ちに開始したと仮定した場合におけるウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ５を特定する。そして、制御部６１は、先発のウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ３と、後発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ５との間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定する。図示の例において、予想開始タイミングｔ３と予想開始タイミングｔ５との間隔は、インターバル時間Ｉ以上である。したがって、制御部６１は、ウエハＷＡ２に対するレシピＡの実行が可能な状態となったタイミングで、すなわち、ウエハＷＡ１に対する第２搬送処理が完了したタイミングで、ウエハＷＡ２に対する第１搬送処理を開始させる。
制御部６１は、ウエハＷＢ２に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ７についても、上記と同様の手順で決定する。すなわち、制御部６１は、ウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ５とウエハＷＢ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ６との間隔がインターバル時間ＩとなるようにウエハＷＢ２に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ７を決定する。
上記の例では、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングと後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングとの間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定することとした。これに限らず、制御部６１は、たとえば、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想終了タイミングと、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングとの間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定してもよい。すなわち、制御部６１は、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想実施期間と、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想実施期間との間隔がインターバル時間Ｉ未満であるか否かを判定してもよい。この場合のインターバル時間Ｉは、少なくとも０以上であればよく、上述した予想開始タイミング同士の間隔に対して設定されるインターバル時間Ｉより短くてよい。
なお、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングと後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングとの間隔をインターバル時間以上とする方法として、２通りの方法を取り得る場合がある。１つ目は、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングを時間的に前にずらす方法であり、２つ目は、後発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングを時間的に後ろにずらす方法である。このような場合、制御部６１は、前にずらす方法ではなく、後ろにずらす方法を採用してもよい。これにより、後発のウエハＷに対する処理が先発のウエハＷに対する処理を追い越してしまうことを防止することができる。したがって、たとえば、システムの煩雑化を抑制することができる。
＜搬送禁止期間について＞
制御部６１は、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングの前に、同予想開始タイミングを期間の終点とする搬送禁止期間を設定してもよい。この点について図８を参照して説明する。図８は、搬送禁止期間を考慮した後発レシピ開始タイミング調整処理の一例を説明するためのタイミングチャートである。図８に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
なお、図８の上図には、後発のウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４が搬送禁止期間Ｐに含まれる場合の例を示している。また、図８の下図には、後発のウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ４が搬送禁止期間Ｐに含まれなように、同開始タイミングｔ４がずらされる様子を示している。
図８に示すように、先発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ１１の前には、予想開始タイミングｔ１１を期間の終点とする搬送禁止期間Ｐが設定される。制御部６１は、まず、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ１３を仮決定する。開始タイミングｔ１３は、先発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ１１と、後発のウエハＷＢ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ１２との間隔がインターバル時間Ｉとなるように仮決定される。その後、制御部６１は、仮決定した開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐに含まれるか否かを判定する。
図８の上図に示すように、仮決定した開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐに含まれる場合、制御部６１は、図８の下図に示すように、開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐと重複しないように、仮決定した開始タイミングｔ１３を時間的に後ろにずらす。具体的には、制御部６１は、予想開始タイミングｔ１１，ｔ１２間の間隔がインターバル時間Ｉ以上であり、且つ、開始タイミングｔ１３が搬送禁止期間Ｐと重複しないタイミングで、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始させる。ここでは、ウエハＷＡ２に対する第２搬送処理が終了するまでは、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始することができないため、ウエハＷＡ２に対する第２搬送処理が終了したタイミングで、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理が開始される。
このように、先発のウエハＷに対する第２搬送処理の予想開始タイミングの直前に搬送禁止期間Ｐを設定し、かかる搬送禁止期間Ｐ内における他のウエハＷの搬送を禁止してもよい。これにより、先発のウエハＷに対する第２搬送処理をより確実に予想開始タイミングで開始させることができる。なお、ウエハＷＡ２の搬入先である乾燥ユニット１８Ａ１に先発のウエハＷＡ１が存在していると、後発のウエハＷＡ２を乾燥ユニット１８Ａ１へ搬入することができない。このため、先発のウエハＷＡ１を乾燥ユニット１８Ｂ１から搬出する処理、すなわち、ウエハＷＡ１に対する第３搬送処理については、搬送禁止期間Ｐ内での実行が許容される。
＜同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミングの決定手法について＞
上述した例では、異なるレシピＡ，Ｂ間における第１搬送処理の開始タイミングをインターバル時間Ｉに基づいて決定する場合について説明した。これに限らず、同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミングについてもインターバル時間Ｉに基づいて決定されてよい。この点について図９を参照して説明する。図９は、同一レシピ間における第１搬送処理の開始タイミング決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。図９に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
図９には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において、複数のウエハＷＡ１，ＷＡ３がこの順番で処理される場合を例示している。また、図９には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ２および乾燥ユニット１８Ａ２において、複数のウエハＷＡ２，ＷＡ４がこの順番で処理される場合を例示している。
図９に示すように、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２１と、後発のウエハＷＡ２に対する第２搬送処理の予想開始タイミングｔ２２とを特定する。そして、制御部６１は、予想開始タイミングｔ２１，ｔ２２間の間隔がインターバル時間Ｉとなるように、ウエハＷＡ２に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２３を決定する。
このように、制御部６１は、同一のレシピ（ここではレシピＡ）にて処理されるウエハＷＡ同士についても、第２搬送処理の予想開始タイミング間の間隔がインターバル時間以上となるように後発のウエハＷＡの第１搬送処理の開始タイミングを決定してもよい。ウエハＷＡ２，ＷＡ３間、ウエハＷＡ３，ＷＡ３間についても同様である。
また、制御部６１は、１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において処理されるウエハＷＡ１，ＷＡ３について、後発のウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を以下の手順にて決定してもよい。
まず、制御部６１は、既知である第３搬送処理の処理時間等に基づき、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の予想終了タイミングｔ２５を特定する。つづいて、制御部６１は、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理が上記予想終了タイミングｔ２５において開始されるように、ウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を決定する。言い換えれば、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の終了タイミングと、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始タイミングとが同時になるように、後発のウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を決定する。
これにより、たとえば、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理が終了するまで、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始が待たされることによって、ウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の処理時間にばらつきが生じることを抑制することができる。また、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の終了タイミングと、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始タイミングとが同時となるようにすることで、ウエハＷＡ１，ＷＡ３を効率よく搬送することができる。
なお、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理の終了タイミングと、後発のウエハＷＡ３に対する第２搬送処理の開始タイミングとは、必ずしも同時であることを要しない。すなわち、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１に対する第３搬送処理が終了した後、予め設定された時間以内に後発のウエハＷＡ３に対する液処理が終了するように、ウエハＷＡ３に対する第１搬送処理の開始タイミングｔ２４を決定すればよい。
＜２つのレシピを実行開始可能な場合における優先順位の決定手法について＞
制御部６１は、レシピＡおよびレシピＢの両方を実行開始可能である場合に、レシピＡおよびレシピＢのうち最後に実行したレシピ以外のレシピを優先的に実行させてもよい。
この点について図１０を参照して説明する。図１０は、２つのレシピを実行開始可能な場合における優先順位の決定手法の一例を説明するためのタイミングチャートである。図１０に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
図１０には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ１および乾燥ユニット１８Ａ１において、ウエハＷＡ１が処理される場合を例示している。また、図１０には、処理ブロック５Ａに配置される１組の液処理ユニット１７Ａ２および乾燥ユニット１８Ａ２において、ウエハＷＡ２が処理される場合を例示している。また、図１０には、処理ブロック５Ｂに配置される１組の液処理ユニット１７Ｂ１および乾燥ユニット１８Ｂ１において、ウエハＷＢ１が処理される場合を例示している。
図１０に示すように、先発のウエハＷＡ１に続く後発のウエハＷとして、レシピＡで処理されるウエハＷＡ２およびレシピＢで処理されるウエハＷＢ１の両方を選択可能であるものとする。この場合、制御部６１は、先発のウエハＷＡ１がレシピＡで処理されるウエハＷＡであることから、後発のウエハＷとして、レシピＢで処理されるウエハＷＢ１に対する処理を優先的に開始させる。具体的には、制御部６１は、まず、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理を開始タイミングｔ３１において開始させた後で、ウエハＷＡ２に対する第１搬送処理を開始タイミングｔ３２において開始させる。なお、開始タイミングｔ３２は、ウエハＷＢ１に対する第１搬送処理が終了するタイミングである。
このように、制御部６１は、レシピＡ，Ｂの両方を実行開始可能である場合に、レシピＡ，Ｂのうち最後に実行したレシピ以外のレシピの実行を開始させてもよい。これにより、レシピＡおよびレシピＢの進捗度合いに差が生じることを抑制することができる。
＜搬送時間について＞
第１搬送処理、第２搬送処理および第３搬送処理の処理時間（以下、「搬送時間」と記載する）は、予め設定された固定時間であってもよい。この点について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、搬送時間情報の一例を示す図である。また、図１２は、第３搬送処理の手順の一例を示すフローチャートである。図１２に示す処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
制御装置６の記憶部６２には、たとえば図１１に示す搬送時間情報が予め記憶されている。図１１に示すように、搬送時間情報は、搬送における個々の動作ごとに、動作の開始から終了までの時間（動作時間）を対応付けた情報である。
具体的には、第１搬送処理、第２搬送処理および第３搬送処理の各々には、個々の動作として、「ユニット前移動」、「ウエハ受取」、「ウエハ送出」が含まれる。「ユニット前移動」は、ある移動元からある移動先へ搬送装置１６を移動させる動作である。「ウエハ受取」は、移動先からウエハを受け取る動作である。「ウエハ送出」は、移動先へウエハを渡す動作である。
たとえば、図１１に示す搬送時間情報によれば、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのユニット前移動の動作時間として、ウエハ保持「なし」の場合の「ａ１」と、ウエハ保持「あり」の場合の「ａ３」とが定義されている。動作時間「ａ３」は、動作時間「ａ１」よりも長い時間に設定される。これは、ウエハＷの位置ずれ防止等の観点から、ウエハＷを保持した状態での移動速度をウエハＷを保持していない状態での移動速度と比べて遅くするためである。同様に、図１１に示す搬送時間情報によれば、乾燥ユニット１８から受渡部１４へのユニット前移動の動作時間として、ウエハ保持「なし」の場合の「ａ２」と、ウエハ保持「あり」の場合の「ａ４」とが定義されている。
また、図１１に示す搬送時間情報によれば、乾燥ユニット１８からウエハＷを受け取る「ウエハ受取」の動作時間として「ａ５」が定義され、受渡部１４にウエハＷを載置する「ウエハ送出」の動作時間として「ａ６」が定義されている。
次に、かかる搬送時間情報に従って第３搬送処理を行う場合の例について図１２を参照して説明する。図１２に示すように、制御部６１は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのユニット前移動（ステップＳ２０１）を行った後、乾燥ユニット１８でのウエハ受取（ステップＳ２０２）を行う。その後、制御部６１は、乾燥ユニット１８から受渡部１４へのユニット前移動（ステップＳ２０３）を行った後、受渡部１４でのウエハ送出（ステップＳ２０４）を行う。
ステップＳ２０１において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ１」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０１ａ）。つづいて、制御部６１は、搬送装置１６を乾燥ユニット１８の前まで移動させる（ステップＳ２０１ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０１ａにおいて開始させた「ａ１」のタイマーがタイムアウトするまで、乾燥ユニット１８の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０１ｃ）。
ステップＳ２０１ｃにおいて「ａ１」のタイマーがタイムアウトすると、制御部６１は、ステップＳ２０２の処理を開始する。ステップＳ２０２において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ５」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０２ａ）。つづいて、制御部６１は、乾燥ユニット１８からウエハＷを受け取る（ステップＳ２０２ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０２ａにおいて開始させた「ａ５」のタイマーがタイムアウトするまで、乾燥ユニット１８の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０２ｃ）。
ステップＳ２０２ｃにおいて「ａ５」のタイマーがタイムアウトすると、制御部６１は、ステップＳ２０３の処理を開始する。ステップＳ２０３において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ４」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０３ａ）。つづいて、制御部６１は、搬送装置１６を受渡部１４まで移動させる（ステップＳ２０３ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０３ａにおいて開始させた「ａ４」のタイマーがタイムアウトするまで、受渡部１４の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０３ｃ）。
ステップＳ２０３ｃにおいて「ａ４」のタイマーがタイムアウトすると、制御部６１は、ステップＳ２０４の処理を開始する。ステップＳ２０４において、制御部６１は、まず、動作時間「ａ６」のタイマーを開始させる（ステップＳ２０４ａ）。つづいて、制御部６１は、受渡部１４にウエハＷを載置する（ステップＳ２０４ｂ）。そして、制御部６１は、ステップＳ２０４ａにおいて開始させた「ａ６」のタイマーがタイムアウトするまで、受渡部１４の前で搬送装置１６を待機させる（ステップＳ２０４ｃ）。
ここでは、第３搬送処理を例に挙げて説明したが、第１搬送処理および第２搬送処理についても同様である。すなわち、制御部６１は、第１搬送処理において、搬送装置１６を受渡部１４から液処理ユニット１７まで移動させた後、第１搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送装置１６を待機させる。また、制御部６１は、第２搬送処理において、搬送装置１６を液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８まで移動させた後、第２搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送部を待機させる。
このように制御することで、第１～第３搬送処理の搬送時間を固定時間とすることができる。言い換えれば、第１～第３搬送処理の搬送時間が長くなったり短くなったりすることを抑制することができる。これにより、ウエハＷの搬送サイクルの乱れを抑制することができ、一定のサイクルでウエハＷを安定的に搬送することが可能となる。
上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理システム１）は、受渡部（一例として、受渡部１４）と、複数の液処理部（一例として、液処理ユニット１７）と、複数の乾燥処理部（一例として、乾燥ユニット１８）と、搬送部（一例として、搬送装置１６）と、制御部（一例として、制御部６１）とを備える。受渡部は、複数の基板（一例として、ウエハＷ）を収容可能である。複数の液処理部は、基板の表面に液膜を形成する。複数の乾燥処理部は、表面に液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて基板を乾燥させる。搬送部は、基板の搬送を行う。制御部は、受渡部、複数の液処理部、複数の乾燥処理部および搬送部を制御することにより、受渡部から液処理部へ基板を搬送する第１搬送処理、液処理部による液処理、液処理部から乾燥処理部へ基板を搬送する第２搬送処理および乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも液処理および乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピ（一例として、レシピＡ，Ｂのうちの一方）と第２レシピ（一例として、レシピＡ，Ｂのうちの他方）とを並列に実行する。また、制御部は、複数の基板のうち第１基板に対する第１レシピの実行中に、複数の基板のうち第２基板に対する第２レシピの実行を開始する場合に、第１基板に対する第２搬送処理の期間と第２基板に対する第２搬送処理の期間とが重複しないように、第２基板に対する第１搬送処理の開始タイミングを決定する。
具体的には、制御部は、第２基板に対する第１搬送処理を開始したと仮定した場合に予想される第２基板に対する第２搬送処理の開始タイミングと、第１基板に対する第２搬送処理の開始タイミングとの間隔が予め設定されたインターバル時間（一例として、インターバル時間Ｉ）未満である場合に、上記間隔がインターバル時間以上となるタイミングで第２基板に対する第１搬送処理を開始させる。
したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、処理時間が異なる複数のレシピを並列に実行する場合であっても、表面に液膜が形成されたウエハの搬送時間がばらつくことを抑制することができる。
制御部は、第１基板に対する第２搬送処理が終了した後で第２基板に対する第２搬送処理が開始されるように、上記間隔がインターバル時間以上となるタイミングで第２基板に対する第１搬送処理を開始させてもよい。
これにより、後発の基板に対する処理が先発の基板に対する処理を追い越してしまうことを防止することができる。したがって、たとえば、システムの煩雑化を抑制することができる。
制御部は、上記間隔がインターバル時間となるタイミングで第２基板に対する第１搬送処理を開始させたと仮定したときに、上記第１搬送処理の開始タイミングが、他の基板に対する第２搬送処理の開始タイミングを終点とする搬送禁止期間に含まれる場合には、他の基板に対する第２搬送処理が終了した後で、第２基板に対する第１搬送処理を開始させてもよい。
これにより、先発の基板に対する第２搬送処理をより確実に予想開始タイミングで開始させることができる。
レシピは、乾燥処理部から受渡部へ基板を搬送する第３搬送処理を含んでいてもよい。この場合、制御部は、第１基板に対する乾燥処理中に、複数の基板のうち第３基板に対する第１レシピの実行を開始する場合に、第１基板に対する第３搬送処理が終了した後、予め設定された時間以内に第３基板に対する液処理が終了するように第３基板に対する第１搬送処理を開始させてもよい。
これにより、たとえば、先発の基板に対する第３搬送処理が終了するまで、後発の基板に対する第２搬送処理の開始が待たされることによって、後発の基板に対する第２搬送処理の処理時間にばらつきが生じることを抑制することができる。
制御部は、第１レシピおよび第２レシピの両方を実行開始可能である場合、第１レシピおよび第２レシピのうち最後に実行したレシピ以外のレシピの実行を開始してもよい。
これにより、第１レシピおよび第２レシピの進捗度合いに差が生じることを抑制することができる。
制御部は、第１搬送処理において、搬送部を受渡部から液処理部まで移動させた後、第１搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送部を待機させてもよい。また、制御部は、第２搬送処理において、搬送部を液処理部から乾燥処理部まで移動させた後、第２搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで搬送部を待機させてもよい。
これにより、第１、第３搬送処理の搬送時間が長くなったり短くなったりすることを抑制することができる。これにより、基板の搬送サイクルの乱れを抑制することができ、一定のサイクルで基板を安定的に搬送することが可能となる。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、搬送装置１６が１つ設けられる基板処理システム１について示したが、搬送装置１６の数は１つに限られず、複数ペアの液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８ごとに共通に設けられれば、搬送装置１６は複数であってもよい。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ ：基板処理システム
２ ：搬入出ステーション
３ ：処理ステーション
４ ：搬送ブロック
５ ：処理ブロック
６ ：制御装置
１１ ：キャリア載置部
１２ ：搬送部
１３ ：搬送装置
１４ ：受渡部
１５ ：搬送エリア
１６ ：搬送装置
１７ ：液処理ユニット
１８ ：乾燥ユニット
６１ ：制御部
６２ ：記憶部
Ｉ ：インターバル時間
Ｐ ：搬送禁止期間
Ｗ ：ウエハ

Claims (9)

  1. 複数の基板を収容可能な受渡部と、
    前記基板の表面に液膜を形成する複数の液処理部と、
    前記表面に液膜が形成された前記基板を超臨界流体と接触させて前記基板を乾燥させる複数の乾燥処理部と、
    前記基板の搬送を行う搬送部と、
    前記受渡部、前記複数の液処理部、前記複数の乾燥処理部および前記搬送部を制御することにより、前記受渡部から前記液処理部へ前記基板を搬送する第１搬送処理、前記液処理部による液処理、前記液処理部から前記乾燥処理部へ前記基板を搬送する第２搬送処理および前記乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも前記液処理および前記乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピと第２レシピとを並列に実行する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記複数の基板のうち第１基板に対する前記第１レシピの実行中に、前記複数の基板のうち第２基板に対する前記第２レシピの実行を開始する場合に、前記第１基板に対する前記第２搬送処理の期間と前記第２基板に対する前記第２搬送処理の期間とが重複しないように、前記第２基板に対する前記第１搬送処理の開始タイミングを決定する、基板処理装置。
  2. 前記制御部は、
    前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始したと仮定した場合に予想される前記第２基板に対する前記第２搬送処理の開始タイミングと、前記第１基板に対する前記第２搬送処理の開始タイミングとの間隔が予め設定されたインターバル時間未満である場合に、前記間隔が前記インターバル時間以上となるタイミングで前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、
    前記第１基板に対する前記第２搬送処理が終了した後で前記第２基板に対する前記第２搬送処理が開始されるように、前記間隔が前記インターバル時間以上となるタイミングで前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、
    前記間隔が前記インターバル時間となるタイミングで前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させたと仮定したときに、当該第１搬送処理の開始タイミングが、他の前記基板に対する前記第２搬送処理の開始タイミングを終点とする搬送禁止期間に含まれる場合には、他の前記基板に対する前記第２搬送処理が終了した後で、前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 前記レシピは、
    前記乾燥処理部から前記受渡部へ前記基板を搬送する第３搬送処理を含み、
    前記制御部は、
    前記第１基板に対する前記乾燥処理中に、前記複数の基板のうち第３基板に対する前記第１レシピの実行を開始する場合に、前記第１基板に対する前記第３搬送処理が終了した後、予め設定された時間以内に前記第３基板に対する前記液処理が終了するように前記第３基板に対する前記第１搬送処理を開始させる、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、
    前記第１レシピおよび前記第２レシピの両方を実行開始可能である場合、前記第１レシピおよび前記第２レシピのうち最後に実行したレシピ以外のレシピの実行を開始する、請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記制御部は、
    前記第１搬送処理において、前記搬送部を前記受渡部から前記液処理部まで移動させた後、前記第１搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで前記搬送部を待機させる、請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記制御部は、
    前記第２搬送処理において、前記搬送部を前記液処理部から前記乾燥処理部まで移動させた後、前記第２搬送処理の開始時からの経過時間が予め設定された時間となるまで前記搬送部を待機させる、請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 複数の基板を収容可能な受渡部から前記基板の表面に液膜を形成する複数の液処理部のいずれか一つに搬送部を用いて前記基板を搬送する第１搬送処理、前記液処理部による液処理、前記搬送部を用い、超臨界流体と接触させて前記基板を乾燥させる複数の乾燥処理部のいずれか一つに対して前記液処理部から前記基板を搬送する第２搬送処理および前記乾燥処理部による乾燥処理を含む２つのレシピであって、少なくとも前記液処理および前記乾燥処理の処理時間が互いに異なる第１レシピと第２レシピとを並列に実行する工程
    を含み、
    前記並列に実行する工程は、
    前記複数の基板のうち第１基板に対する前記第１レシピの実行中に、前記複数の基板のうち第２基板に対する前記第２レシピの実行を開始する場合に、前記第１基板に対する前記第２搬送処理の期間と前記第２基板に対する前記第２搬送処理の期間とが重複しないように、前記第２基板に対する前記第１搬送処理の開始タイミングを決定する工程と、
    前記決定する工程において決定した開始タイミングにて、前記第２基板に対する前記第１搬送処理を開始させる工程と、
    を含む、基板処理方法。
JP2021562628A 2019-12-06 2020-11-27 基板処理装置および基板処理方法 Active JP7221417B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019220954 2019-12-06
JP2019220954 2019-12-06
PCT/JP2020/044378 WO2021112022A1 (ja) 2019-12-06 2020-11-27 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021112022A1 JPWO2021112022A1 (ja) 2021-06-10
JP7221417B2 true JP7221417B2 (ja) 2023-02-13

Family

ID=76221610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021562628A Active JP7221417B2 (ja) 2019-12-06 2020-11-27 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230008278A1 (ja)
JP (1) JP7221417B2 (ja)
KR (1) KR20220113421A (ja)
CN (1) CN114762086A (ja)
WO (1) WO2021112022A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190894A (ja) 2005-01-07 2006-07-20 Tokyo Electron Ltd クラスタツールの処理システム及びモジュール・サイクル時間監視プログラム
US20070003842A1 (en) 2005-06-29 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Software sequencer to dynamically adjust wafer transfer decision

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5522124B2 (ja) * 2011-06-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6045946B2 (ja) * 2012-07-13 2016-12-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
JP5932537B2 (ja) * 2012-07-18 2016-06-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190894A (ja) 2005-01-07 2006-07-20 Tokyo Electron Ltd クラスタツールの処理システム及びモジュール・サイクル時間監視プログラム
US20070003842A1 (en) 2005-06-29 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Software sequencer to dynamically adjust wafer transfer decision

Also Published As

Publication number Publication date
US20230008278A1 (en) 2023-01-12
JPWO2021112022A1 (ja) 2021-06-10
KR20220113421A (ko) 2022-08-12
WO2021112022A1 (ja) 2021-06-10
CN114762086A (zh) 2022-07-15
TW202137379A (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102468102B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7113949B2 (ja) 基板処理装置
JP6434367B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN216389270U (zh) 基片处理系统
JP2023001153A (ja) 基板処理システム
JP2022057798A (ja) 基板処理システム、および基板搬送方法
JP2020025013A (ja) 基板処理装置のパーティクル除去方法および基板処理装置
WO2017169155A1 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP7142494B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7221417B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102462157B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI837441B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP7337175B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2023234126A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI781307B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP2020017618A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102578764B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2022173634A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202302235A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20190060674A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20070081718A (ko) 반도체 기판의 세정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7221417

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150