TW202302235A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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林伸一
稲富弘朗
梅﨑翔太
榎木田卓
木本晃司
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]提供提升複數基板處理部依序處理基板的基板處理裝置之生產性的技術。 [解決手段]基板處理裝置具備複數第1基板處理部，和1個以上的第2基板處理部，和搬運部。上述第1基板處理部係一片一片地對基板進行處理。上述第2基板處理部係同時對以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板進行處理。上述搬運部係將以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板，同時搬入至相同的上述第2基板處理部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示係關於基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1記載之基板處理系統具備對晶圓供給洗淨液而進行洗淨處理的複數洗淨裝置，和使殘留在洗淨處理之晶圓的乾燥防止用之液體(例如IPA)與超臨界狀態之處理流體(例如二氧化碳)接觸並予以除去的複數超臨界處理裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-81966號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示之一態樣係提供提升複數基板處理部依序處理基板的基板處理裝置之生產性的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣所涉及之基板處理裝置具備複數第1基板處理部，和1個以上的第2基板處理部，和搬運部。上述第1基板處理部係一片一片地對基板進行處理。上述第2基板處理部係同時對以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板進行處理。上述搬運部係以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板，同時搬入至相同的上述第2基板處理部。 [發明之效果]
若藉由本揭示之一態樣時，可以提供提升複數基板處理部依序處理基板的基板處理裝置之生產性。
以下，針對本揭示之實施型態參照圖面予以說明。另外，在各圖面中，對於相同的構成，賦予相同的符號，省略說明。在本說明書中，X軸方向、Y軸方向、Z軸方向為彼此垂直的方向。X軸方向及Y軸方向為水平方向，Z軸方向為垂直方向。
首先，參照圖1～圖3，針對實施型態之基板搬運裝置1予以說明。如圖1所示般，基板處理裝置1具備搬入搬出站2和處理站3。搬入搬出站2和處理站3在Y軸方向鄰接設置。
搬入搬出站2具備載體載置部21、第2搬運部22和收授部23。載體載置部21為載置載體C。載體C係收容複數片基板W。複數片基板W係在載體C內隔著間隔在垂直方向排列，分別被水平地收容。
基板W包含矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板或玻璃基板。即使基板W進一步包含被形成在半導體基板或玻璃基板之表面的電子電路等的裝置亦可。即使基板W在其表面具有凹凸圖案亦可。
第2搬運部22係與載體載置部21鄰接設置，從載體C取出基板W。第2搬運部22具有在X軸方向延伸的搬運路徑221，和保持基板W之保持部222。保持部222為例如叉架狀。保持部222係能夠朝水平方向(X軸方向及Y軸方向之雙方向)及垂直方向的移動，以及以垂直軸為中心的旋轉。即使保持部222之數量為一個亦可，即使為複數亦可。
收授部23係與第2搬運部22鄰接設置，接取藉由第2搬運部22而被交付的基板W。收授部23具有載置複數片基板W的轉移裝置24。如圖2所示般，即使複數轉移裝置24被疊層在垂直方向亦可。但是，轉移裝置24之配置及數量並不特別限定。
處理站3具備第1搬運部31、液處理裝置32和乾燥裝置33。如圖2所示般，即使複數液處理裝置32被疊層在垂直方向亦可。同樣地，即使複數乾燥裝置33被疊層在垂直方向亦可。再者，如圖3所示般，即使複數第1搬運部31被疊層在垂直方向亦可。第1搬運部31係在與第1搬運部31相同高度的複數裝置(例如，轉移裝置24和液處理裝置32和乾燥裝置33)之間搬運基板W。
第1搬運部31具有在Y軸方向延伸的搬運路徑311，和保持基板W之保持部312。保持部312為例如叉架狀。保持部312係能夠朝水平方向(X軸方向及Y軸方向之雙方向)及垂直方向的移動，以及以垂直軸為中心的旋轉。保持部312之數量為複數(例如兩個)。
液處理裝置32係以處理液對基板W之表面進行處理。液處理裝置32包含例如將基板W保持水平的旋轉夾具，和對基板W之上面吐出處理液的噴嘴。噴嘴係對旋轉的基板W之上面之中心供給處理液。處理液係藉由離心力從基板W之上面之中心持朝向邊緣濕潤擴展。作為處理液，依序供給例如藥液、沖洗液、乾燥液。即使供給複數種類之藥液亦可，即使也在與一個藥液之供給和另外的藥液之供給之間被供給沖洗液亦可。即使液處理裝置32包含使噴嘴在基板W之徑向移動的移動機構亦可。
液處理裝置32係在例如水平的基板W之上面形成藥液之液膜，接著將藥液之液膜置換成沖洗液之液膜，接著，將沖洗液之液膜置換成乾燥液之液膜。藥液係例如SC1(氨和過氧化氫之水溶液)、DHF(稀氫氟酸)或SPM(硫酸和過氧化氫的水溶液)等。沖洗液係例如DIW(去離子水)、稀釋氨水或臭氧水等。乾燥液係例如IPA(異丙醇)等的有機溶劑。
乾燥裝置33係例如被堆積在基板W上之乾燥液置換成超臨界流體，乾燥基板W。超臨界流體係臨界溫度以上的溫度，在超臨界壓力以上之壓力下被置放的流體，為液體和氣體無法區別之狀態的流體。若將乾燥液置換成超臨界流體時，可以抑制在基板W之凹凸圖案出現液體和氣體之界面的情形。其結果，可以抑制表面張力之發生，可以抑制凹凸圖案的倒塌。乾燥裝置33具備處理容器331，和供給機構332。
供給機構332對處理容器331供給流體。具體而言，供給機構332具備包含流量計、流量調整器、背壓閥、加熱器等的供給機器群，收容供給機器群的框體。供給機構332係對處理容器331供給例如CO 2作為流體。即使供給機構332兼作從處理容器331排出流體的排出機構亦可。即使供給機構332係如圖1所示般，被設置成隔著處理容器331而分割成兩個亦可。可以在後述的複數群組G1、G2中使基板W之搬運時間一致。
基板處理裝置1具備控制部5。控制部5係例如電腦，具備CPU(Central Processing Unit)51和記憶體等之記憶媒體52。在記憶媒體52儲存控制在基板處理裝置1中被實行之各種處理的程式。控制部5藉由使CPU51實行被記憶於記憶媒體52之程式，控制基板處理裝置1之動作。
接著，參照圖4，針對實施型態所涉及之基板處理方法予以說明。基板處理方法具有例如步驟S1～S8。步驟S1～S8係在控制部5所致的控制下被實施。
首先，第2搬運部22係從載體C取出基板W，將取出後的基板W搬運至轉移裝置24。接著，第1搬運部31係從轉移裝置24取出基板W，將取出後的基板W搬入至液處理裝置32(S1)。
接著，液處理裝置32係對水平的基板W之上面供給藥液(S2)。藥液係被供給至旋轉的基板W之上面的中心，藉由離心力在上面之徑向全體擴散，形成液膜。
接著，液處理裝置32係對水平的基板W之上面供給沖洗液(S3)。沖洗液係被供給至旋轉的基板W之上面的中心，藉由離心力在上面之徑向全體擴散，形成液膜。藥液之液膜被置換成沖洗液之液膜。
接著，液處理裝置32係對水平的基板W之上面供給乾燥液(S4)。乾燥液係被供給至旋轉的基板W之上面的中心，藉由離心力在上面之徑向全體擴散，形成液膜。沖洗液之液膜被置換成乾燥液之液膜。
接著，第1搬運部31係從液處理裝置32搬出基板W(S5)，將搬出的基板W搬入至乾燥裝置33(S6)。第1搬運部31係在盛放乾燥液後的狀態下，將基板W從液處理裝置32搬運至乾燥裝置33。第1搬運部31係將例如基板W保持水平。
接著，乾燥裝置33係藉由將被盛放在基板W上的乾燥液置換成超臨界流體，使基板W乾燥(S7)。若將乾燥液置換成超臨界流體時，可以抑制在基板W之凹凸圖案出現液體和氣體之界面之情形。其結果，可以抑制表面張力之發生，可以抑制凹凸圖案的倒塌。
最後，第1搬運部31係從乾燥裝置33搬出基板W(S8)。第1搬運部31係將取出的基板W搬運至轉移裝置24。接著，第2搬運部22係從轉移裝置24取出基板W，將取出後的基板W收納至載體C。
接著，參照第5圖針對乾燥裝置33予以說明。乾燥裝置33具備收容基板W之處理容器331。處理容器331係如圖5(A)所示般，包含例如下壁、上壁和一對側壁。乾燥裝置33係在處理容器331之內部具備保持基板W之保持部333。
保持部333係被固定在例如處理容器331之內部，如專利文獻1般，即使經由處理容器331之開口部而在處理容器331之內部和外部不進退亦可。因如專利文獻1般，即使在處理容器331之外部，不設置在保持部333和第1搬運部31之間收授基板W之區域即可，故可以使乾燥裝置33小型化。
再者，若保持部333被固定在處理容器331之內部時，如專利文獻1般，與保持部333進退之情況不同，不發生滑動零件彼此之反衝。其結果，可以抑制保持部333之振動，可以抑制基板W之振動，可以抑制乾燥液從基板W從灑落之情形。
保持部333係同時保持複數片基板W。可以在相同的乾燥裝置33同時乾燥複數片基板W，可以提升基板處理裝置1之生產性。再者，可以減少乾燥裝置33之數量，可以減少成本。減少成本之效果，在乾燥裝置33以超臨界流體乾燥基板W之情況，會更為顯著。因超臨界流體具有高的壓力，故處理容器331等的零件被要求耐壓性之故。
保持部333係水平地保持例如在垂直方向隔著間隔排列的複數片(例如2片)基板W之各者。保持部333係包含從下方支持下側之基板W的複數根插銷334，和從下方支持複數根插銷334的複數根樑335。樑335係在X軸方向延伸，在樑335之一端設置插銷334。樑335係被插入至處理容器331之下壁的溝部。樑335係如圖5(B)所示般，藉由螺絲336等被固定於處理容器331。
再者，保持部333包含從下方支持上側之基板W的複數水平板337，和從橫向支持複數水平板337之複數根的樑338。樑338係在X軸方向延伸，在樑338之途中設置水平板337。樑338係被插入至處理容器331之下壁的溝部，被抵接於處理容器331之側壁。樑338係如圖5(B)所示般，藉由螺絲339等被固定於處理容器331。
接著，再次參照圖1，針對液處理裝置32、乾燥裝置33之位置關係予以說明。在每個乾燥裝置33，對同時被搬入至乾燥裝置33之預定的複數片基板W進行處理的複數液處理裝置32被分組。各群組G1、G2為例如L字狀，包含複數液處理裝置32，和一個乾燥裝置33。
在各群組G1、G2中，複數液處理裝置32隔著搬運路徑311而被對稱配置，乾燥裝置33與一個液處理裝置32鄰接。再者，群組G1之乾燥裝置33，和群組G2之乾燥裝置33係隔著搬運路徑311而被對稱配置。若藉由該配置，在複數群組G1、G2可以使基板W之搬運時間一致。
第1搬運部31係例如圖3所示般，具備一個沿著搬運路徑311而在Y軸方向移動的移動基座313。藉由一個移動基座313係在Y軸方向移動，複數保持部312同時在Y軸方向移動。在移動基座313上設置升降機構314、旋轉機構315和移動機構316。
升降機構314係使複數保持部312同時升降。例如，升降機構314係藉由使旋轉機構315升降，同時使移動機構316及複數保持部312同時升降。
旋轉機構315係以垂直的旋轉軸為中心使複數保持部312旋轉。例如，旋轉機構315係藉由使移動機構316旋轉，使複數保持部312同時旋轉。
移動機構316係使複數保持部312個別地在水平方向(例如X軸方向)移動。若藉由旋轉機構315改變移動機構316之旋轉角時，也能夠使複數保持部312個別地在Y軸方向移動。
由複數保持部312、移動基座313、升降機構314、旋轉機構315、移動機構316構成搬運機構319。搬運機構319係沿著搬運路徑311移動，在搬運路徑311鄰接的複數裝置間搬運基板W。
接著，參照圖6，針對實施型態所涉及之基板處理裝置1之動作予以說明。在圖6中，標示點圖案的基板W係表示盛放乾燥液之情形，標示傾的條紋圖案的基板係表示基板W已完成乾燥。點圖案及條紋圖案之含義在圖10～圖13及圖15中相同。以下，針對使用群組G1之基板W的處理予以說明。因使用群組G2之基板W的處理相同，故省略圖示及說明。
如圖6(A)～圖6(C)所示般，搬運機構319係將同時被搬入至相同的乾燥裝置33之預定的複數片基板W，從轉移裝置24同時取出，依序搬運至複數液處理裝置32。另外，即使搬運機構319從轉移裝置24取出1片的基板W，重複實施搬入至液處理裝置32亦可。
接著，即使如圖6(D)所示般，複數液處理裝置32係同時完成在同時被搬入至相同的乾燥裝置33之預定的複數片基板W上盛放乾燥液。與完成盛放之同時開始自然乾燥。若同時完成盛放時，可以使從盛放完成至搬入至乾燥裝置33之時間一致，可以使自然乾燥量一致。因此，可以在搬入至乾燥裝置33時使乾燥液之量一致。在乾燥液之揮發性高之情況，在例如乾燥液為IPA的情況，特別有效。
另外，即使複數液處理裝置32使同時被搬入至相同的乾燥裝置33之預定的複數片基板W上盛放乾燥液同時開始亦可。乾燥液之盛放所需的時間在複數液處理裝置32相同。因此，若同時開始乾燥液之盛放時，可以同時完成乾燥液之盛放。雖然藥液之供給開始之時序不特別限定，但以同時為佳。等待基板W朝複數液處理裝置32搬入完成，藥液之供給同時開始。
接著，如圖6(E)及圖6(F)所示般，搬運機構319係從複數液處理裝置32依序搬出複數片基板W。接著，如圖6(G)所示般，搬運機構319係朝向乾燥裝置33使複數片基板W移動。此時，為在各基板W上盛放乾燥液的狀態。
接著，如圖6(H)所示般，搬運機構319係將以複數液處理裝置32被處理後的複數片基板W同時搬入至相同的乾燥裝置33。接著，如圖6(I)所示般，藉由乾燥裝置33將被盛放在各基板W上後的乾燥液置換成超臨界流體，乾燥基板W。乾燥裝置33係同時乾燥複數片基板W。
接著，雖然無圖示，但是搬運機構319係從乾燥裝置33同時搬出複數片基板W，同時搬入至轉移裝置24。之後，第2搬運部22係同時或依序從轉移裝置24搬出複數片基板W，將搬出後的複數片基板W同時或依序收納於載體C。
在本實施型態中，液處理裝置32相當於專利申請範圍記載之第1基板處理部，乾燥裝置33相當於專利申請範圍記載之第2基板處理部。另外，若第1基板處理部為一片一片地處理基板W的裝置時，則不特別限定。再者，若第2基板處理部為同時處理以複數第1處理部被處理之複數片基板W的裝置時，則不特別限定。即使第2基板處理部係於以乾燥裝置33乾燥基板W之前，測量被盛放在基板W上的乾燥液之重量的檢查裝置亦可。再者，即使第2基板處理部為以乾燥裝置33乾燥基板W之後，對基板W照射紫外線，除去附著於基板W之有機物的洗淨裝置亦可。再者，乾燥裝置33不限定於超臨界乾燥裝置，即使為例如減壓乾燥裝置亦可。在下述的第1變形例～第5變形例中相同。
接著，參照圖7～圖9，針對第1變形例所涉及之基板處理裝置1予以說明。以下，針對第1變形例和上述實施型態之差異點為主予以說明。如圖7所示般，第1搬運部31具備沿著一個搬運路徑311而個別地移動的複數移動基座313A、313B。
如圖9所示般，在移動基座313A上，與上述實施型態相同，設置升降機構314A、旋轉機構315A和移動機構316A。由複數保持部312A、移動基座313A、升降機構314A、旋轉機構315A、移動機構316A構成第1搬運機構319A。
第1搬運機構319A係沿著搬運路徑311移動，在搬運路徑311鄰接的複數裝置間搬運基板W。第1搬運機構319A係在轉移裝置24和複數液處理裝置32A和乾燥裝置33A之間搬運基板W。以複數液處理裝置32A和乾燥裝置33A，形成俯視L字狀的群組G1。
同樣地，在移動基座313B上設置升降機構314B、旋轉機構315B和移動機構316B。由複數保持部312B、移動基座313B、升降機構314B、旋轉機構315B、移動機構316B構成第2搬運機構319B。
第2搬運機構319B係與第1搬運機構319A獨立，沿著搬運路徑311移動，在搬運路徑311鄰接的複數裝置間搬運基板W。第2搬運機構319B係在轉移裝置24和複數液處理裝置32B和乾燥裝置33B之間搬運基板W。以複數液處理裝置32B和乾燥裝置33B，形成俯視L字狀的群組G2。
第1搬運機構319A和第2搬運機構319B係沿著相同的搬運路徑311移動。因此，如圖8(A)及圖9(A)所示般，被保持於第1搬運機構319A或被保持於第1搬運機構319A之基板W，和被保持於第2搬運機構319B或第2搬運機構319B之基板W有可能衝突。
於是，即使如圖8(B)所示般，從上方觀看之時，以移動機構316A、316B等之長邊方向成為Y軸方向之方式，旋轉機構315A、315B使移動機構316A、316B旋轉90°亦可。從圖9(B)明顯可知，可以使第1搬運機構319A和第2搬運機構319B交錯。
在第1搬運機構319A和第2搬運機構319B交錯之時，雖然保持部312A和旋轉機構315A和移動機構316A被配置在較保持部312B和旋轉機構315B和移動機構316B更下方，但是即使被配置在上方亦可。
接著，參照圖10～圖12，針對第1變形例所涉及之基板處理裝置1之動作予以說明。因圖10(A)～圖10(F)與圖6(A)～圖6(F)相同，故予以簡單說明。
如圖10(A)～圖10(C)所示般，第1搬運機構319A係從轉移裝置24取出複數片基板W，依序搬運至複數液體處理裝置32A。接著，如圖10(D)所示般，即使複數液處理裝置32A同時開始在基板W上盛放乾燥液亦可，再者，即使同時完成亦可。接著，如圖10(E)及圖10(F)所示般，第1搬運機構319A係依序從複數液處理裝置32A依序搬出複數片基板W。
接著，如圖10(G)所示般，第1搬運機構319A係朝向乾燥裝置33A移動。此時，為在各基板W上盛放乾燥液的狀態。在第1搬運機構319A朝向乾燥裝置33A在Y軸正方向移動之期間，第2搬運機構319B朝向轉移裝置24在Y軸負方向移動。在該中途，以第1搬運機構319A和第2搬運機構319B交錯之方式，移動機構316A、316B之長邊方向成為Y軸方向。
接著，如圖10(H)所示般，第1搬運機構319A係將複數片基板W同時搬入至相同的乾燥裝置33A。接著，如圖10(I)所示般，乾燥裝置33A同時乾燥複數片基板W。接著，如圖11(A)所示般，第1搬運機構319A係乾燥裝置33A同時搬出複數片基板W。在此期間，第2搬運機構319B係如圖10(H)所示般，從轉移裝置24取出複數片基板W。
接著，如圖11(B)所示般，第1搬運機構319A係朝向轉移裝置24移動。在第1搬運機構319A朝向轉移裝置24在Y軸負方向移動之期間，第2搬運機構319B朝向液處理裝置32B在Y軸正方向移動。在該中途，以第1搬運機構319A和第2搬運機構319B交錯之方式，移動機構316A、316B之長邊方向成為Y軸方向。
接著，如圖11(C)及圖11(D)所示般，第2搬運機構319B係將複數片基板W依序搬運至複數液處理裝置32B。接著，如圖11(E)所示般，即使複數液處理裝置32B同時開始在基板W上盛放乾燥液亦可，再者，即使同時完成亦可。
在此期間，如圖11(C)所示般，第1搬運機構319A係將處理完的複數片基板W交付於轉移裝置24，接著，從轉移裝置24取出未處理的複數片基板W。接著，如圖11(D)及圖11(E)所示般，第1搬運機構319A係將複數片基板W依序搬運至複數液處理裝置32A。
接著，如圖11(F)及圖11(G)所示般，第2搬運機構319B係依序從複數液處理裝置32B依序搬出複數片基板W。接著，如圖11(H)所示般，第2搬運機構319B係朝向乾燥裝置33B移動。此時，為在各基板W上盛放乾燥液的狀態。接著，如圖11(I)所示般，第2搬運機構319B係將複數片基板W同時搬入至相同的乾燥裝置33B。接著，如圖12(A)所示般，乾燥裝置33B同時乾燥複數片基板W。接著，如圖12(B)所示般，第2搬運機構319B係乾燥裝置33B同時搬出複數片基板W。
在此期間，如圖11(F)～圖11(I)所示般，複數液處理裝置32A之各者對基板W供給處理液。即使複數液處理裝置32A同時開始在基板W上盛放乾燥液亦可，再者，即使同時完成亦可。接著，如圖12(A)及圖12(B)所示般，第1搬運機構319A係依序從複數液處理裝置32A依序搬出複數片基板W。
接著，如圖12(C)所示般，第1搬運機構319A係朝向乾燥裝置33A移動。此時，為在各基板W上盛放乾燥液的狀態。在第1搬運機構319A朝向乾燥裝置33A在Y軸正方向移動之期間，第2搬運機構319B朝向轉移裝置24在Y軸負方向移動。在該中途，以第1搬運機構319A和第2搬運機構319B交錯之方式，移動機構316A、316B之長邊方向成為Y軸方向。
之後，重複進行圖10(H)～圖12(C)所示的動作。
接著，參照圖13及圖14，針對第2變形例所涉及之基板處理裝置1之動作和第1搬運部31予以說明。以下，針對第2變形例和上述實施型態之差異點為主予以說明。第1搬運部31係例如圖14所示般，具備一個沿著搬運路徑311而在Y軸方向移動的移動基座313。
藉由一個移動基座313係在Y軸方向移動，複數保持部312同時在Y軸方向移動。在移動基座313上設置升降機構314、旋轉機構315A、315B和移動機構316A、316B。
升降機構314係使複數保持部312個別地升降。例如，升降機構314係藉由使旋轉機構315A、315B個別地升降，使移動機構316A、316B個別地升降，使複數保持部312個別地升降。
旋轉機構315A、315B係以垂直的旋轉軸為中心使複數保持部312個別地旋轉。例如，旋轉機構315A、315B係藉由使移動機構316A、316B個別地旋轉，使複數保持部312個別地旋轉。
移動機構316A、316B係使複數保持部312個別地在水平方向(例如X軸方向)移動。若藉由旋轉機構315A、315B個別地調節移動機構316A、316B之旋轉角時，亦能夠使複數保持部312個別地在Y軸方向移動。
由複數保持部312、移動基座313、升降機構314、旋轉機構315A、315B、移動機構316A、316B構成搬運機構319。搬運機構319係沿著搬運路徑311移動，在搬運路徑311鄰接的複數裝置間搬運基板W。
接著，參照圖13，針對第2變形例所涉及之基板處理裝置1之動作予以說明。以下，針對使用群組G1(參照圖1)之基板W的處理予以說明。因使用群組G2之基板W的處理相同，故省略圖示及說明。
如圖13(A)及圖13(B)所示般，搬運機構319係將同時被搬入至相同的乾燥裝置33之預定的複數片基板W，從轉移裝置24同時取出，同時搬運至複數液處理裝置32。如圖13(B)及圖14(A)所示般，複數液處理裝置32隔著搬運路徑311而被對稱配置，複數保持部312朝彼此相反方向移動，複數片基板W同時被搬入至複數液處理裝置32。與非同時而係依序搬入之情況相比，可以縮短搬運時間。另外，在依序搬入的情況，即使在所有的搬入結束之後，同時開始對基板W供給藥液亦可。
接著，如圖13(C)所示般，即使複數液處理裝置32同時開始在複數片基板W上盛放乾燥液亦可，再者，即使同時完成亦可。接著，如圖13(D)所示般，搬運機構319係從複數液處理裝置32同時搬出複數片基板W。接著，如圖13(E)所示般，搬運機構319係朝向乾燥裝置33使複數片基板W移動。此時，為在各基板W上盛放乾燥液的狀態。
接著，如圖13(F)及圖14(B)所示般，搬運機構319係將複數片基板W同時搬入至相同的乾燥裝置33。接著，如圖13(G)所示般，乾燥裝置33同時乾燥複數片基板W。
接著，雖然無圖示，但是搬運機構319係從乾燥裝置33同時搬出複數片基板W，同時搬入轉移裝置24。之後，第2搬運部22係同時或依序從轉移裝置24搬出複數片基板W，同時或依序將搬出後的複數片基板W收納於載體C。
接著，參照圖15及圖16，針對第3變形例所涉及之基板處理裝置1之動作和第1搬運部31予以說明。以下，針對第3變形例和上述實施型態之差異點為主予以說明。第1搬運部31係例如圖16所示般，為多關節機械人，具有複數根多關節臂317。在各多關節臂317之前端，設置保持部312。保持部312係藉由多關節臂317而能夠朝水平方向(X軸方向及Y軸方向之雙方向)及垂直方向的移動，以及以垂直軸為中心的旋轉。
因圖15(A)～圖15(F)所示之動作與圖13(A)～圖13(F)相同，故僅說明重要部位。如圖15(B)及圖16(A)所示般，複數液處理裝置32隔著搬運路徑311而被對稱配置，複數保持部312朝彼此相反方向移動，複數片基板W同時被搬入至複數液處理裝置32。與非同時而係依序搬入之情況相比，可以縮短搬運時間。
接著，參照圖17及圖18，針對第4變形例所涉及之基板處理裝置1予以說明。以下，針對第4變形例和上述實施型態之差異點為主予以說明。如圖17所示般，即使在搬運路徑311之單側，以沿著搬運路徑311排列的複數液處理裝置32A和乾燥裝置33A，形成群組G1亦可。同樣地，即使在與搬運路徑311相反側，以沿著搬運路徑311排列的複數液處理裝置32B和乾燥裝置33B，形成群組G2亦可。以下，針對群組G1之構成予以說明。因群組G2之構成相同，故省略說明。
複數液處理裝置32A係在搬運路徑311之單側，沿著搬運路徑311而被排列配置，彼此在水平方向(Y軸方向)鄰接。再者，乾燥裝置33A係與對被搬入至該乾燥裝置33A之預定的基板W進行處理的液處理裝置32A鄰接。乾燥裝置33A與複數液處理裝置32A相比，被配置在遠離轉移裝置24的位置。在此情況，若乾燥裝置33A之處理容器331在搬運路徑311鄰接即可，即使乾燥裝置33A之供給機構332在搬運路徑311不鄰接亦可。可以在三方向(X軸正方向、X軸負方向及Y軸正方向)開放供給機構332，可以提升供給機構332之維修性。再者，可以縮短搬運路徑311，可以縮短基板W之搬運時間。
第1搬運部31係例如圖17所示般，具備一個沿著搬運路徑311而在Y軸方向移動的移動基座313。藉由一個移動基座313係在Y軸方向移動，複數保持部312同時在Y軸方向移動。第1搬運部31係將複數片基板W依序搬入至在水平方向(Y軸方向)鄰接的複數液處理裝置32A。此時，使移動基座313被移動至Y軸方向。
另外，如圖1所示般，若屬於相同群組G1之複數液處理裝置32隔著搬運路徑311而被對稱配置時，可以在將複數片基板W搬入至複數液處理裝置32之時，省下使移動基座313在Y軸方向移動的動作。
如圖18所示般，即使在一個搬運路徑311之單側，於垂直方向疊層複數液處理裝置32A亦可。同樣，即使在一個搬運路徑311之相反側，於垂直方向疊層複數液處理裝置32B亦可。藉由增加液處理裝置之數量，可以提升基板處理裝置1之生產性。
雖然無圖示，但是即使在一個搬運路徑311之單側，於垂直方向疊層複數乾燥裝置33A亦可。同樣，即使在一個搬運路徑311之相反側，於垂直方向疊層複數乾燥裝置33B亦可。藉由增加乾燥裝置之數量，可以提升基板處理裝置1之生產性。
另外，即使第1搬運部31係從在垂直方向被疊層的複數液處理裝置32A取出被盛放乾燥液的複數片基板W，同時搬入至乾燥裝置33A，以取代從在水平方向排列的複數液處理裝置32A取出，同時搬入至乾燥裝置33A亦可。同樣，即使第1搬運部31係從在垂直方向被疊層的複數液處理裝置32B取出被盛放乾燥液的複數片基板W，同時搬入至乾燥裝置33B，以取代從在水平方向排列的複數液處理裝置32B取出，同時搬入至乾燥裝置33B亦可。
接著，參照圖19，針對第5變形例所涉及之基板處理裝置1予以說明。以下，針對第5變形例和上述實施型態之差異點為主予以說明。如圖19所示般，在一個搬運路徑311之單側，於垂直方向疊層對同時被搬入至相同的乾燥裝置33之預定的複數片基板W進行處理的複數液處理裝置32。而且，乾燥裝置33係與對同時被搬入至該乾燥裝置33之預定的基板W進行處理的液處理裝置32，隔著一個搬運路徑311而被配置在相反側。在此情況，不使移動基座313在Y軸方向移動，可以實施相對於複數液處理裝置32的複數片基板W的搬入搬出，和相對於乾燥裝置33的複數片基板W之搬入。
接著，參照圖20，針對第1搬運部31之變形例予以說明。本變形例如之第1搬運部31與上述第1變形例之第1搬運部31相同，具有第1搬運機構319A和第2搬運機構319B。但是，第1搬運機構319A和第2搬運機構319B係同時將複數片基板W搬入至相同的乾燥裝置33。此時，第2搬運機構319B之保持部312B被配置在第1搬運機構319A之保持部312A之上方即可。
第1搬運機構319A係依序從下側朝向上方排列旋轉機構315A和移動機構316A和複數保持部312A。第1搬運機構319A係將以上側的保持部312A保持的基板W搬入至乾燥裝置33。
另一方面，第2搬運機構319B係依序從上側朝向下方排列旋轉機構315B和移動機構316B和複數保持部312B。第2搬運機構319B係將以下側的保持部312B保持的基板W搬入至乾燥裝置33。
以上，雖然針對本揭示所涉及之基板處理裝置及基板處理方法之實施型態等予以說明，但是本揭示不被限定於上述實施型態等。只要在專利申請範圍所載的範疇內，可進行各種變更、修正、置換、附加、削除及組合。即使針對該些，當然也屬於本揭示之技術性範圍。
1:基板處理裝置 31:第1搬運部(搬運部) 32:液處理裝置(第1基板處理部) 33:乾燥裝置(第2基板處理部) W:基板
[圖1]係一實施型態所涉及之基板處理裝置之俯視圖。 [圖2]係一實施型態所涉及之基板處理裝置之前視圖。 [圖3]係一實施型態所涉及之基板處理裝置之側視圖。 [圖4]係表示與一實施型態所涉及之基板處理方法的流程圖。 [圖5(A)]係一實施型態所涉及之乾燥裝置之剖面圖，[圖5(B)]係表示圖5(A)之乾燥裝置之內部構造的斜視圖。 [圖6]為表示一實施型態所涉及之基板處理裝置之動作的俯視圖，(A)～(I)為依序表示複數階段的俯視圖。 [圖7]係第1變形例所涉及之基板處理裝置之俯視圖。 [圖8(A)]為表示第1變形例所涉及之第1搬運機構和第2搬運機構之衝突的俯視圖，[圖8(B)]為表示第1搬運機構和第2搬運機構之交錯的俯視圖。 [圖9(A)]係圖8(A)之側視圖，[圖9(B)]係圖8(B)之側視圖。 [圖10]為表示第1變形例所涉及之基板處理裝置之動作的俯視圖，(A)～(I)為依序表示複數階段的俯視圖。 [圖11]為接續於圖10，表示第1變形例所涉及之基板處理裝置之動作的俯視圖，(A)～(I)為依序表示複數階段的俯視圖。 [圖12]為接續於圖11，表示第1變形例所涉及之基板處理裝置之動作的俯視圖，(A)～(C)為依序表示複數階段的俯視圖。 [圖13]為表示第2變形例所涉及之基板處理裝置之動作的俯視圖，(A)～(G)為依序表示複數階段的俯視圖。 [圖14(A)]為表示圖13(B)之階段的側視圖，[圖14(B)]為圖13(F)之階段的側視圖。 [圖15]為表示第3變形例所涉及之基板處理裝置之動作的俯視圖，(A)～(F)為依序表示複數階段的俯視圖。 [圖16(A)]為表示圖15(A)之階段的側視圖，[圖16(B)]為表示圖15(B)之階段的側視圖，[圖16(C)]為表示圖15(E)之階段的側視圖。 [圖17]係第4變形例所涉及之基板處理裝置之俯視圖。 [圖18]係第4變形例所涉及之基板處理裝置之側視圖。 [圖19]係第5變形例所涉及之基板處理裝置之側視圖。 [圖20]係表示搬運部之變形例的側視圖。
33:乾燥裝置(第2基板處理部)
331:處理容器
333:保持部
334:插銷
335:樑
336:螺絲
337:水平板
338:樑
339:螺絲
W:基板

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，具備： 複數第1基板處理部，其係一片一片地對基板進行處理； 1個以上的第2基板處理部，其係同時處理以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板；及 搬運部，其係將以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板，同時搬入至相同的上述第2基板處理部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第1基板處理部係在上述基板上盛放處理液， 上述搬運部係在盛放上述處理液後之狀態下，將上述基板從上述第1基板處理部搬運至上述第2基板處理部。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中 具備控制上述第1基板處理部和上述第2基板處理部和上述搬運部的控制部， 上述控制部係藉由複數上述第1基板處理部，同時完成在同時被搬入至相同的上述第2基板處理部之預定的複數片上述基板上盛放上述處理液。
  4. 如請求項2或3之基板處理裝置，其中 具備控制上述第1基板處理部和上述第2基板處理部和上述搬運部的控制部， 上述控制部係藉由複數上述第1基板處理部，同時開始在同時被搬入至相同的上述第2基板處理部之預定的複數片上述基板上盛放上述處理液。
  5. 如請求項1～3中之任一項之基板處理裝置，其中 上述搬運部包含在水平方向延伸的搬運路徑， 對同時被搬入至相同的上述第2基板處理部之預定的複數片上述基板進行處理的複數上述第1基板處理部，係隔著上述搬運路徑而被對稱配置， 上述第2基板處理部係與對被搬入至該第2基板處理部之上述基板進行處理的一個上述第1基板處理部鄰接。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中 複數上述第2基板處理部係隔著上述搬運路徑而被對稱配置。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中 具備控制上述第1基板處理部和上述第2基板處理部和上述搬運部的控制部， 上述控制部係從隔著上述搬運路徑而被對稱配置的複數上述第1基板處理部同時搬出複數片上述基板，將搬出後的複數片上述基板同時搬入至相同的上述第2基板處理部。
  8. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中 上述搬運部包含在水平方向延伸的搬運路徑， 對同時被搬入至相同的上述第2基板處理部之預定的複數片上述基板進行處理的複數上述第1基板處理部，係在一個上述搬運路徑之單側，沿著上述搬運路徑被排列配置，彼此在上述水平方向鄰接， 上述第2基板處理部係與對被搬入至該第2基板處理部之預定的上述基板進行處理的上述第1基板處理部鄰接。
  9. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中 上述搬運部包含在水平方向延伸的搬運路徑， 對同時被搬入至相同的上述第2基板處理部之預定的複數片上述基板進行處理的複數上述第1基板處理部，係在一個上述搬運路徑之單側，被疊層在垂直方向， 上述第2基板處理部係與對同時被搬入至該第2基板處理部之預定的上述基板進行處理的上述第1基板處理部鄰接。
  10. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中 上述搬運部包含在水平方向延伸的搬運路徑， 對同時被搬入至相同的上述第2基板處理部之預定的複數片上述基板進行處理的複數上述第1基板處理部，係在一個上述搬運路徑之單側，被疊層在垂直方向， 上述第2基板處理部係與對同時被搬入至該第2基板處理部之預定的上述基板進行處理的上述第1基板處理部，隔著上述搬運路徑而被配置在相反側。
  11. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中 具備： 載體載置部，其係載置收容複數片上述基板的載體； 第2搬運部，其係從上述載體取出上述基板； 收授部，其係接取藉由上述第2搬運部被交付的上述基板；及 控制部，其係控制上述第1基板處理部和上述第2基板處理部和上述搬運部和上述第2搬運部， 上述控制部係藉由上述搬運部從上述收授部同時取出同時被搬入至相同的上述第2基板處理部之預定的複數片上述基板，搬運至複數上述第1基板處理部。
  12. 如請求項2或3之基板處理裝置，其中 上述第2基板處理部係藉由將被盛放在上述基板上的上述處理液置換成超臨界液體，乾燥上述基板。
  13. 一種基板處理方法，具有： 以複數第1基板處理部之各者一片一片地對基板進行處理的步驟； 將以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板，藉由搬運部同時搬入至相同的第2基板處理部之步驟；及 以相同的上述第2基板處理部，對以複數上述第1基板處理部被處理後的複數片上述基板同時進行處理的步驟。
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