CN107275259B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中，具有：使用处理液来对基板进行液处理的液处理部；对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部；将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部；从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部；输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置，尤其是涉及在使用液处理部以处理液对基板进行了液处理之后使用超临界干燥处理部以超临界流体对基板进行干燥处理的基板处理装置。
背景技术
以往以来，在制造半导体零部件、平板显示器等的情况下，在使用基板处理装置以各种的处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施了清洗、蚀刻等液处理之后，实施将残留于基板的处理液去除的干燥处理。
在该基板处理装置中，使用液处理部以处理液对基板进行液处理，之后，在使用超临界干燥处理部而将残留于基板的处理液置换成超临界状态的流体(超临界流体)之后使超临界状态的流体(超临界流体)气化，从而对基板进行干燥处理。
在进行该超临界干燥处理的基板处理装置中，设置有将基板输入液处理部、并且从超临界干燥处理部输出基板的基板输送部。
在以往的基板处理装置中，使用相同的基板输送部进行基板向液处理部的输入和基板从超临界干燥处理部的输出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002－329650号公报
发明内容
发明要解决的问题
不过，在上述以往的基板处理装置中，在利用基板输送部将基板向液处理部输入之际，在液处理部中飞散、挥发了的处理液有可能向基板输送部转移。
若在液处理部中处理液向基板输送部转移，则在随后利用相同的基板输送部从超临界干燥处理部输出基板之际，处理液从基板输送部向处理后(液处理后和干燥处理后)的基板转移，处理后的基板的表面有可能被污染。
用于解决问题的方案
因此，在本发明中，基板处理装置具有：液处理部，其使用处理液来对基板进行液处理；干燥处理部，其对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理；第1输送部，其将处理前的所述基板向所述液处理部输送；第2输送部，其将湿润状态的所述基板从所述液处理部向所述干燥处理部输送；第3输送部，其对由所述液处理部进行液处理前的所述基板进行输送，并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部和所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部且与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
另外，所述干燥处理部使用超临界流体来对湿润状态的所述基板进行干燥处理。
发明的效果
在本发明中，能够防止处理液向干燥处理后的基板转移。
附图说明
图1是表示基板处理装置的俯视说明图。
图2是同侧面截面说明图。
图3是表示基板处理单元的放大说明图。
图4是表示液处理部的截面说明图。
图5是表示超临界干燥处理部的截面说明图。
图6是表示基板处理单元的基板处理方法的说明图。
图7是表示实施例2的基板处理装置的俯视说明图。
图8是表示实施例3的基板处理装置的俯视说明图。
图9是表示实施例4的基板处理装置的俯视说明图。
图10是表示实施例5的基板处理装置的俯视说明图。
图11是表示实施例6的基板处理装置的俯视说明图。
图12是表示实施例7的基板处理装置的侧面截面说明图。
附图标记说明
1、基板处理装置；7、基板；10、基板输入输出部；12、基板载置部；13、基板输送部；14、液处理部；15、超临界干燥处理部；25、干燥基板用输送部；26、湿润基板用输送部。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的基板处理装置的具体的结构进行说明。
[实施例1]
如图1和图2所示，基板处理装置1在前端部形成输入输出部2，在输入输出部2的后方形成输送部3，在输送部3的后方形成处理部4。另外，基板处理装置1具备进行基板处理装置1的整体的控制的控制部80。
控制部80是例如计算机，具备动作控制部和存储部。动作控制部由例如CPU(中央处理单元，Central Processing Unit)构成，通过将存储于存储部的程序读出并执行，对基板处理装置1的动作进行控制。存储部由例如RAM(随机存取存储器，Random AccessMemory)、ROM(只读存储器，Read Only Memory)、硬盘等存储器件构成，对控制要在基板处理装置1中执行的各种处理的程序进行存储。此外，程序既可以是记录于由计算机可读取的存储介质的程序、也可以是从该存储介质安装于存储部的程序。作为计算机可读取的存储介质，可列举出例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。在记录介质可记录在由例如用于对基板处理装置1的动作进行控制的计算机执行之时计算机对基板处理装置1进行控制而使基板处理装置1执行基板的处理方法的程序。
输入输出部2在基板输入输出台5的上部可左右排列地载置多个(在此，是4个)承载件6。在承载件6可收容处理前或处理后的多张(例如25张)基板7(在此，是半导体晶圆)。
输送部3在前侧配置基板输送装置8，并且，在后侧配置基板交接台9。基板输送装置8可沿着前后左右和旋转方向移动，用于在承载件6与基板交接台9之间输送多张基板7。
处理部4在中央部配置沿着前后延伸的基板输入输出部10(第3输送部)，并且在基板输入输出部10的左右沿着前后排列地配置基板处理单元11。在此，基板处理单元11由基板载置部12、基板输送部13、液处理部14、超临界干燥处理部15(干燥处理部)构成。
基板输入输出部10的水平地保持1张基板7的基板保持体18、19以借助可动体20可旋转·升降·进退的方式安装于输送台17，该输送台17可沿着前后延伸的轨道16移动。在此，一个基板保持体18在将处理前的基板7从基板交接台9向基板处理单元11(基板载置部12)输入时使用，另一个基板保持体19在将处理后的基板7从基板处理单元11(超临界干燥处理部15)向基板交接台9输出时使用。由此，防止在基板7的输入·输出时尘埃等向基板7转移。在此，设为在相同的移动机构(轨道16、输送台17、可动体20)设置有基板输入用的基板保持体18和基板输出用的基板保持体19的结构，但也能够设为将基板输入用的基板保持体18和基板输出用的基板保持体19分别设置于独立的移动机构、将基板输入部和基板输出部明确地分离的结构。
如图3所示，基板处理单元11在面对基板输入输出部10的一侧配置基板载置部12和超临界干燥处理部15。由此，能够将基板7从基板输入输出部10向基板载置部12输入，能够将基板7从超临界干燥处理部15向基板输入输出部10输出。另外，基板处理单元11在基板载置部12与超临界干燥处理部15之间配置基板输送部13，并且在与基板输送部13相反的一侧(基板处理装置1的外部侧)配置液处理部14，从而在基板输送部13的周围配置基板载置部12、液处理部14以及超临界干燥处理部15。由此，能够缩短由基板输送部13将基板7从基板载置部12向液处理部14、从液处理部14向超临界干燥处理部15输送之际的输送时间、输送距离，谋求基板处理装置1中的处理时间的缩短(生产率的提高)、基板处理装置1的小型化(占有空间(占有面积)的减少)。
基板载置部12具有用于载置基板7的载置台21，在载置台21与基板输入输出部10之间形成有输入口22。基板7可被基板输入输出部10的基板输入用的基板保持体18从输入口22向载置台21的上部载置。此外，在此，设为在基板载置部12设置有1个载置台21的结构，也能够在基板载置部12上下排列地设置多个载置台21而预先存放多张基板7。另外，通过将设置于相邻的基板处理单元11的基板载置部12上下排列地配置(作为俯视的配置，能够与图7相同。)，也能够谋求基板处理装置1的小型化。
基板输送部13在可密闭的基板输送室23的内部设置有基台24，在基台24的上部形成有干燥基板用输送部25(第1输送部)和湿润基板用输送部26(第2输送部)。干燥基板用输送部25在安装于基台24的上部的多轴臂27安装有基板保持体28。由此，干燥基板用输送部25使用基板保持体28从基板载置部12接收干燥状态的基板7，将该基板7向液处理部14交接。另外，湿润基板用输送部26在安装于基台24的上部的多轴臂29安装有基板保持体30。由此，湿润基板用输送部26使用基板保持体30从液处理部14接收湿润状态的基板7，将该基板7向超临界干燥处理部15交接。此外，在此，设为在两台多轴臂27、29分别安装有基板保持体28、30而将干燥基板用输送部25和湿润基板用输送部26明确地分离的结构，但也能够设为如下结构：通过在1台移动机构(多轴臂等)安装两个基板保持体28、30，1台移动机构兼用作干燥基板用输送部25和湿润基板用输送部26。
该基板输送部13被基板输送室23划分为基板输入输出部10、基板载置部12、液处理部14、超临界干燥处理部15，在基板输送室23与基板载置部12、液处理部14以及超临界干燥处理部15之间形成有可开闭的开口31、32、33。
液处理部14具有用于以处理液对基板7进行液处理的液处理装置34。如图4所示，该液处理装置34在旋转机构35上安装有转台36，并且在转台36的周缘朝向圆周方向隔开间隔地安装有保持体37。由此，液处理装置34利用旋转机构35使由保持体37水平地保持的基板7旋转。另外，液处理装置34在转台36(基板7)的外周外方配置有杯状件38，并且，杯状件38与升降机构39连接。由此，液处理装置34在基板7的输入输出时使杯状件38下降，并且，在基板7的液处理时使杯状件38上升而回收处理液。而且，液处理装置34在转台36(基板7)的上方以可分别独立地移动的方式配置有清洗处理用喷嘴40、冲洗处理用喷嘴41以及干燥防止处理用喷嘴42。清洗处理用喷嘴40与供给氟化氢水溶液等清洗液的清洗液供给机构43连接。冲洗处理用喷嘴41与供给纯水等冲洗液的冲洗液供给机构44连接。干燥防止处理用喷嘴42与供给用于包覆液处理后的基板7的表面而防止干燥的液体(异丙醇、氢氟醚、丙酮等有机溶剂)的干燥防止用液体供给机构45连接。
超临界干燥处理部15具有用于以超临界流体对基板7进行干燥处理的超临界干燥处理装置46，在超临界干燥处理装置46与基板输入输出部10之间形成有输出口22’。基板7被基板输入输出部10的基板输出用的基板保持体19从输出口22’输出。如图5所示，该超临界干燥处理装置46在使前端开口的矩形箱型状的容器主体47的后端部形成有吸入口48和排出口49，吸入口48与供给二氧化碳等超临界状态的流体的处理流体供给机构50连接、并且排出口49与由开闭阀等构成的排出机构51连接。另外，超临界干燥处理装置46在容器主体47的前端部可开闭地安装有盖体52和基板载置台53。这些盖体52和基板载置台53可在收容到容器主体47的内部的处理位置与退避到容器主体47的外部的待机位置进退移动，作为用于对基板7进行输入和输出的输入输出机构动作。此外，在盖体52和基板载置台53位于容器主体47的外部的待机位置设置有贯通基板载置台53并可上下升降的由例如3根构成的基板支承销70，该基板支承销70在基板载置台53、基板输送部13、基板输入输出部10之间进行基板7的交接。更详细而言，利用基板输送部13将基板7向基板支承销70输入，基板支承销70下降，向基板载置台53交接。另外，进行了干燥处理之后，基板支承销70上升，接收基板载置台53的基板7，利用基板输入输出部10将基板支承销70上的基板7输出。而且，超临界干燥处理装置46在容器主体47的上表面和下表面安装有对内部进行加热的加热器54。期望的是，为了提高容器主体47与盖体52之间的高耐压衬垫的更换等的维护操作性，该超临界干燥处理装置46配置于基板处理装置1的外侧(与基板输入输出部10相反的一侧)。
在上述处理部4中，例如分区地设置有送风机构55，利用送风机构55将清洁的空气在基板输入输出部10、基板处理单元11的内部从上方朝向下方送风。另外，在输送湿润状态的基板7时从清洁的空气切换成氮气而向基板处理单元11的基板输送室23、超临界干燥处理部15供给，从而使基板输送室23的内部成为比外部低氧且低湿度的状态。由此，抑制了由液处理部14进行液处理前的基板7的表面的氧化、包覆液处理后的基板7的表面的干燥防止用液体的挥发。此外，也可以是，在输送湿润状态的基板7时从清洁的空气切换成氮气而向基板处理单元11的基板输送室23、超临界干燥处理部15供给。另外，也可以始终向基板输送室23、超临界干燥处理部15供给氮气。
基板处理装置1如以上说明那样构成，在处理部4的面对基板输入输出部10(第3输送部)的一侧配置有干燥基板用输送部25(第1输送部)、湿润基板用输送部26(第2输送部)以及超临界干燥处理部15(干燥处理部)，在面对干燥基板用输送部25(第1输送部)和湿润基板用输送部26(第2输送部)、并且与基板输入输出部10(第3输送部)相反的一侧配置有液处理部14。另外，基板处理装置1在处理部4中的面对基板输入输出部10(第1输送部)、干燥基板用输送部25(第2输送部)以及湿润基板用输送部26(第3输送部)的一侧配置有基板载置部12，该基板载置部12供由液处理部14进行液处理之前的干燥状态的基板7载置。
并且，基板处理装置1的动作由控制部80控制。在该基板处理装置1中，处理前的基板7以收容到承载件6的状态向输入输出部2输入，使用输送部3的基板输送装置8来从任一承载件6将多张基板7向基板交接台9输送，由处理部4逐张地对基板7进行处理。由处理部4进行了处理的基板7使用输送部3的基板输送装置8来从基板交接台9向任一个承载件6输送。
在处理部4中，如图6的(a)所示，使用基板输入输出部10的基板输入用的基板保持体18来将液处理前的干燥状态的基板7逐张地从基板交接台9向任一个基板处理单元11的基板载置部12输入。
之后，如图6的(b)所示，使用干燥基板用输送部25的基板保持体28而将干燥状态的基板7从基板载置部12向液处理部14输送。基板7被液处理部14的液处理装置34以处理液进行液处理。在液处理部14中，利用液处理装置34在使基板7旋转着的状态下朝向基板7的表面从清洗处理用喷嘴40供给清洗液而进行基板7的清洗处理。接着，从冲洗处理用喷嘴41供给冲洗液而进行基板7的冲洗处理。接着，朝向基板7的表面从干燥防止处理用喷嘴42供给干燥防止用的液体，以干燥防止用的液体包覆基板7的表面，从而使基板7成为湿润状态。
之后，如图6的(c)所示，使用湿润基板用输送部26的基板保持体30来将湿润状态的基板7(表面由干燥防止用液体包覆着的状态的基板7)从液处理部14向超临界干燥处理部15输送。基板7被超临界干燥处理部15的超临界干燥处理装置46以超临界流体进行超临界干燥处理。在超临界干燥处理部15中，利用超临界干燥处理装置46的基板载置台53将基板7收容于容器主体47的内部，并且，利用盖体52将容器主体47密闭。接着，从处理流体供给机构50向容器主体47的内部供给超临界状态的流体，以超临界状态的流体置换基板7的表面的干燥防止用的液体。接着，利用排出机构51从容器主体47的内部将超临界状态的流体排出而进行容器主体47的内部的减压。由此，基板7实施超临界干燥处理而成为干燥状态。接着，利用基板载置台53将基板7向容器主体47的外部输送。
之后，如图6的(d)所示，使用基板输入输出部10的基板输出用的基板保持体19而将液处理和超临界干燥处理后的干燥状态的基板7从基板处理单元11的超临界干燥处理部15向基板交接台9输出。
在基板处理装置1中，在从基板输入输出部10向液处理部14输送基板7的路径的中途设置基板载置部12和干燥基板用输送部25，在将基板7从基板输入输出部10向基板载置部12输入之后，使用干燥基板用输送部25从基板载置部12向液处理部14输送基板7。因此，在基板处理装置1中，基板输入输出部10(尤其是，基板保持体18)不会进入液处理部14(尤其是，液处理装置34)的内部，能够防止在液处理部14中处理液(尤其是，挥发性的较高的异丙醇等有机溶剂)附着于输入输出部10(基板保持体18)而将其污染。由此，能够防止处理液经由基板输入输出部10向由超临界干燥处理部15进行了干燥处理的基板7转移而基板7被污染，能够提高基板处理装置1的成品率。
上述基板处理装置1如以上进行了说明那样构成，但本发明的基板处理装置并不限于上述结构，也能够设为以下说明那样的结构。此外，在以下的说明中，对与上述实施例1同样的结构的构件标注相同的附图标记而省略说明。
[实施例2]
在上述实施例1的基板处理装置1中，以一个基板载置部12、一个基板输送部13、一个液处理部14、一个超临界干燥处理部15构成了基板处理单元11，但并不限于此，如图7所示的基板处理装置56那样，也能够针对1个基板载置部12以多个(在此，两个)基板输送部13、多个液处理部14、多个超临界干燥处理部15构成基板处理单元57。此外，也可以是，在1个基板载置部12设置多个载置台21而能够存放多张基板7。
由此，多个液处理部14等能够共用1个基板载置部12，因此，能够谋求基板处理装置56的更加小型化(占有空间(占有面积)的减少)，与此相伴，基板7的输送距离变短而能够缩短基板处理装置56中的处理时间(提高生产率)。
[实施例3]
在上述实施例1的基板处理装置1中，将基板载置部12配置于与基板输送部13、液处理部14、超临界干燥处理部15同样的高度而构成了基板处理单元11，但并不限于此，也可以是，如图8所示的基板处理装置58(基板处理单元59)那样将基板载置部12配置于超临界干燥处理部15的上方。此外，基板载置部12既可以配置于超临界干燥处理部15的下方，另外，也可以配置于液处理部14的上方或下方。
这样，也能够通过将基板载置部12重叠于液处理部14或超临界干燥处理部15的上方或下方(并不限于完全重叠的情况，也包括局部地重叠的情况。)地配置，从而谋求基板处理装置58的更加小型化(占有空间(占有面积)的减少)。
[实施例4]
在上述实施例1的基板处理装置1中，以一个基板载置部12、一个基板输送部13、一个液处理部14、一个超临界干燥处理部15构成了基板处理单元11，但并不限于此，也能够如图9所示的基板处理装置60那样针对1个基板输送部13和1个液处理部14以多个(在此，两个)基板载置部12和多个(在此，两个)超临界干燥处理部15构成基板处理单元61。此外，在此，设为针对1个基板输送部13设置1个液处理部14和多个超临界干燥处理部15的结构，但也能够设为针对1个基板输送部13设置1个超临界干燥处理部15和多个液处理部14的结构、针对1个基板输送部13设置多个液处理部14和多个超临界干燥处理部15的结构。
这样，也能够通过针对1个基板输送部13设置多个液处理部14或多个超临界干燥处理部15，从而多个液处理部14或多个超临界干燥处理部15共用1个基板输送部13，因此，能够谋求基板处理装置60的更加小型化(占有空间(占有面积)的减少)，与此相伴，基板7的输送距离变短而能够缩短基板处理装置60中的处理时间(提高生产率)。此外，于在液处理部14与超临界干燥处理部15之间在处理时间上存在差异的情况下，更加期望的是，通过将处理时间较长的一者(在此，超临界干燥处理部15)设置得比处理时间较短的一者(在此，液处理部14)多，能够缩短基板处理装置60整体上的处理时间。
[其他变形例]
在上述实施例1～4的基板处理装置1、56、58、60中，设为在输入输出部2与处理部4之间设置有输送部3的结构，但并不限于此，也可以构成为，如图10所示的基板处理装置62(实施例5)或图11所示的基板处理装置63(实施例6)那样没有输送部3，利用处理部4的基板输入输出部10将基板7从输入输出部2向基板处理单元64、65逐张地直接输送。
由此，能够利用基板输入输出部10从承载件6将基板7向基板载置部12直接输入，并且，能够从超临界干燥处理部15将基板7向承载件6直接输出，因此，能够谋求基板处理装置62、63的更加小型化(占有空间(占有面积)的减少)，与此相伴，基板7的输送距离变短而能够缩短基板处理装置62、63中的处理时间(提高生产率)。
此外，在上述实施例1～6的基板处理装置1、56、58、60、62、63中，例如像图12所示的基板处理装置66(实施例7)那样沿着上下排列地配置多个基板输入输出部10和基板处理单元11(57、59、61、64、65)，也能够提高基板7的处理能力(单位时间的处理张数)。
在上述实施例1～6的基板处理装置1、56、58、60、62、63、66中，使用超临界流体对基板7进行了干燥处理，但并不限于此，也可以使用亚临界流体、其他流体、或其他干燥手段来对基板7进行干燥。
在上述实施例1～6的基板处理装置1、56、58、60、62、63、66中，利用基板输入输出部10将基板7向基板载置部12输入，但并不限于此，也可以不设置基板载置部12而将基板7向基板输送部13的干燥基板用输送部25直接输入。由此，能够谋求基板处理装置1的更加小型化。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有：
液处理部，其使用处理液对基板进行液处理；
干燥处理部，其对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理；
基板载置部，其供由所述液处理部进行液处理之前的干燥状态的所述基板载置；
第1输送部，其将处理前的所述基板从所述基板载置部向所述液处理部输送；
第2输送部，其从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板；
第3输送部，其向所述基板载置部输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板，并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板，
在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部、所述基板载置部以及所述干燥处理部，在所述干燥处理部和所述基板载置部之间配置有所述第1输送部和所述第2输送部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并且与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部，在所述第3输送部和所述液处理部之间配置有所述第1输送部和所述第2输送部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
针对1个所述第1输送部和1个所述第2输送部设置有多个所述液处理部或多个所述干燥处理部，多个所述液处理部或多个所述干燥处理部共用所述第1输送部和所述第2输送部。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第3输送部在其与收容有多张所述基板的承载件之间进行所述基板的输送。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述干燥处理部中，使盖体和基板载置台相对于容器主体能够向收容到内部的处理位置和退避到外部的待机位置移动，利用所述第2输送部将所述基板输入所述干燥处理部的盖体和基板载置台的待机位置，利用所述第3输送部将所述基板从所述干燥处理部的盖体和基板载置台的待机位置输出。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述干燥处理部使用超临界流体对湿润状态的所述基板进行干燥处理。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI831656B (zh) * 2018-01-04 2024-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7278059B2 (ja) * 2018-11-16 2023-05-19 株式会社ディスコ 加工システム
JP6899813B2 (ja) * 2018-11-27 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6959668B2 (ja) * 2020-02-06 2021-11-02 株式会社レクザム ウェハ処理装置
WO2021112130A1 (ja) * 2019-12-06 2021-06-10 株式会社レクザム ウェハ処理装置
JP7410547B2 (ja) * 2019-12-06 2024-01-10 株式会社レクザム ウェハ処理装置
JP7427232B2 (ja) * 2020-02-10 2024-02-05 株式会社レクザム ウェハ処理装置
KR102584514B1 (ko) * 2020-07-09 2023-10-06 세메스 주식회사 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법
KR20230033256A (ko) * 2021-08-31 2023-03-08 삼성전자주식회사 기판 이송 유닛, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329650A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Kobe Steel Ltd ウェハ等の処理設備および処理方法
JP2003100691A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Ebara Corp 湿式処理方法及び装置
CN101154563A (zh) * 2006-09-29 2008-04-02 大日本网目版制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
US20130327363A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19910478C2 (de) * 1998-03-12 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd Substrattransportverfahren und Substratbearbeitungssystem
KR100488376B1 (ko) * 2001-04-27 2005-05-11 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비
US20060033678A1 (en) * 2004-01-26 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
JP4555143B2 (ja) * 2004-05-11 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
JP5490639B2 (ja) * 2010-07-14 2014-05-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
TWI826650B (zh) * 2012-11-26 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理
US20150155188A1 (en) * 2013-11-29 2015-06-04 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
JP6295107B2 (ja) * 2014-03-07 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板処理システムおよび基板処理方法
KR20170009539A (ko) * 2015-07-17 2017-01-25 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치
KR102062873B1 (ko) * 2015-10-04 2020-01-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 작은 열 질량의 가압 챔버

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329650A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Kobe Steel Ltd ウェハ等の処理設備および処理方法
JP2003100691A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Ebara Corp 湿式処理方法及び装置
CN101154563A (zh) * 2006-09-29 2008-04-02 大日本网目版制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
US20130327363A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method

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