TWI762668B - 基板搬送裝置及基板搬送方法 - Google Patents

基板搬送裝置及基板搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI762668B
TWI762668B TW107122883A TW107122883A TWI762668B TW I762668 B TWI762668 B TW I762668B TW 107122883 A TW107122883 A TW 107122883A TW 107122883 A TW107122883 A TW 107122883A TW I762668 B TWI762668 B TW I762668B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
wafer
conveyance
supply
holding
Prior art date
Application number
TW107122883A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201908226A (zh
Inventor
森川勝洋
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201908226A publication Critical patent/TW201908226A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI762668B publication Critical patent/TWI762668B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/07—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00—Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02—Articles
    • B65G2201/0214—Articles of special size, shape or weigh
    • B65G2201/022—Flat

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明之課題在於：在不用消耗大量的鈍性氣體之情況下，抑制基板之表面在搬運中氧化之情形。 作為上述課題之解決手段，依本發明實施態樣之基板搬運裝置包含固持部與供給部。固持部，其固持在表面形成有圖案之基板。供給部，其將鈍性氣體供給至基板之表面，該鈍性氣體，係使固持於固持部的基板之表面局部地處於低氧狀態。

Description

基板搬送裝置及基板搬送方法
依本案揭露之實施態樣係關於一種基板搬運裝置以及基板搬運方法。
以往，吾人知悉一種基板處理裝置，其將複數處理單元並列設置，該複數處理單元對於「半導體晶圓或玻璃基板」這般基板進行既定之基板處理。在此基板處理裝置中，設有基板搬運裝置，其為了將基板搬運至各處理單元，而沿著並列設置的處理單元搬運基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-22570號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，以往的基板搬運裝置，若要抑制形成有圖案之基板的表面在搬運中氧化的情形，必需以鈍性氣體充滿整個基板搬運裝置可移動之範圍。因此，具有消耗大量的鈍性氣體這樣的課題。
本發明實施態樣之一態樣係鑒於上述而完成，其目的在於提供一種基板搬運裝置以及基板搬運方法，可在不用消耗大量的鈍性氣體的情況下，抑制基板之表面在搬運中氧化之情形。 [解決問題之技術手段]
依本發明實施態樣之一態樣的基板搬運裝置係包含固持部與供給部。該固持部係固持「在表面形成有圖案之基板」。該供給部係將鈍性氣體供給至該基板之該表面，該鈍性氣體係使固持於該保該基板之該表面局部地處於低氧狀態。 [對照先前技術之功效]
依本發明實施態樣之一態樣，可在不用消耗大量的鈍性氣體的情況下，抑制基板之表面在搬運中氧化之情形。
以下，參照附加圖式並詳細說明本案揭露之基板搬運裝置以及基板搬運方法的各實施形態。另外，本發明並不限定於以下所示各實施態樣。
＜基板處理系統之概要＞ 首先，一邊參照圖1，一邊說明依第1實施態樣之基板處理系統1的概略構成。 圖1係顯示依第1實施態樣之基板處理系統1的概略構成圖。以下，為了確定位置關係，而定義互相正交的X軸、Y軸以及Z軸，並將垂直向上的方向作為Z軸正方向。
如圖1所示，基板處理系統1係包含搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3係鄰接而設置。
搬入搬出站2係包含載具載置部11與搬運部12。在載具載置部11上載置有複數載具C，該等載具C，係將複數片之基板、即在第1實施態樣中的半導體晶圓W (以下，稱為晶圓W)在水平狀態下收納。
搬運部12係與載具載置部11鄰接設置，並在內部設有基板搬運裝置13與傳遞部14。基板搬運裝置13具備固持晶圓W的晶圓固持機構。又，基板搬運裝置13可向水平方向及垂直方向移動並以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓固持機構在載具C與傳遞部14之間進行晶圓W的搬運。
處理站3係與搬運部12鄰接設置。處理站3包含搬運部15與複數處理單元16。 複數處理單元16係並列設置於搬運部15的兩側。
搬運部15在內部設有基板搬運裝置17。基板搬運裝置17具備固持晶圓W的固持部80(參照圖3A)。又，基板搬運裝置17可向水平方向及垂直方向移動並以垂直軸作為中心旋轉，並使用固持部80在傳遞部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬運。有關此基板搬運裝置17的細節會在之後敘述。
處理單元16係對於藉由基板搬運裝置17所搬運之晶圓W進行既定之基板處理。
又，基板處理系統1具備控制裝置4。控制裝置4例如為電腦，其包含控制部18與儲存部19。在儲存部19儲存有控制在基板處理系統1中執行之各種處理的程式。控制部18係藉由將儲存於儲存部19的程式讀出並執行，以控制基板處理系統1的動作。
另外，此程式可為記錄於電腦可讀取之記錄媒體的程式，亦可為從該記錄媒體安裝至控制裝置4之儲存部19的程式。作為電腦可讀取之記錄媒體，例如為硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、及記憶卡等。
在如上述般構成之基板處理系統1中，首先，搬入搬出站2的基板搬運裝置13從載置於載具載置部11的載具C取出晶圓W，再將取出之晶圓W載置至傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W係藉由處理站3的基板搬運裝置17從傳遞部14取出，再搬入至處理單元16。
被搬入至處理單元16的晶圓W藉由處理單元16處理後，再藉由基板搬運裝置17從處理單元16搬出，並載置於傳遞部14。接著，載置於傳遞部14之處理完成的晶圓W，係藉由基板搬運裝置13搬回載具載置部11的載具C。
＜處理單元的構成＞ 接著，一邊參照圖2一邊說明處理單元16的構成。圖2係顯示處理單元16的概略構成圖。如圖2所示，處理單元16包含腔室20、基板固持機構30、處理液供給部40、及回收杯體50。
腔室20係收納有基板固持機構30與處理液供給部40以及回收杯體50。在腔室20的頂板部設置有FFU(Fan Filter Unit：風扇過濾單元)21。FFU21係在腔室20內形成降流。
基板固持機構30包含固持部31、支柱部32及驅動部33。固持部31係將晶圓W固持於水平狀態。支柱部32係在垂直方向上延伸的構件，其基端部被驅動部33可旋轉地支撐，而其先端部則水平地支撐固持部31。驅動部33係使支柱部32繞著垂直軸旋轉。
此基板固持機構30係藉由使用驅動部33使支柱部32旋轉，進而使支柱部32所支撐的固持部31旋轉，藉此，使固持於固持部31的晶圓W旋轉。
處理液供給部40係對晶圓W供給處理液。處理液供給部40係與處理液供給源70連接。
回收杯體50係以包圍固持部31的方式配置，並藉由固持部31的旋轉捕集從晶圓W飛散的處理液。在回收杯體50的底部形成有排液口51，藉由回收杯體50所捕集的處理液係從此排液口51排出至處理單元16的外部。又，在回收杯體50的底部形成有排氣口52，其使由FFU21所供給之氣體排出至處理單元16的外部。
＜基板搬運裝置的構成(第1實施態樣)＞ 接著，一邊參照圖3A以及圖3B，一邊說明依第1實施態樣之基板搬運裝置17的構成。圖3A係顯示依第1實施態樣之基板搬運裝置17之示意構成的立體圖，圖3B係顯示依第1實施態樣之基板搬運裝置17之示意構成的側方剖面圖。
如圖3A以及圖3B所示，依第1實施態樣之基板搬運裝置17，包含固持部80、供給部81及移動機構82。另外，為了易於理解，係在圖3A中以虛線表示供給部81與晶圓W。
如圖3A所示，固持部80具有略C字形部位，並可在此略C字形部位的頂面側固持晶圓W。具體而言，在固持部80中之略C字形部位的頂面設置有夾頭機構80a，並藉由使此夾頭機構80a作動以固持晶圓W。另外，在固持部80中，固持晶圓W之部位的形狀並不限定於略C字形，亦可為可固持晶圓W之任何形狀。
如圖3B所示，供給部81係將鈍性氣體G(例如，氮氣或氬氣等)供給至晶圓W之表面Wa，上述鈍性氣體G係使晶圓W之表面Wa局部地處於低氧狀態。供給部81，例如，係以靠近於晶圓W之表面Wa而覆蓋此表面Wa的方式配置，並在與晶圓W之表面Wa相向之面側形成有複數噴吐口81a。
接著，從此複數噴吐口81a將鈍性氣體G以噴淋狀供給至晶圓W之整體表面Wa。另外，供給部81係與未圖示之鈍性氣體供給源連接，並由此鈍性氣體供給源對供給部81供給鈍性氣體G。
移動機構82可使固持部80與供給部81往既定方向移動。例如，如圖3A所示，移動機構82可使固持部80在水平方向(例如，Y軸方向)上移動，同時能以垂直軸為中心旋轉。又，移動機構82可使固持部80與供給部81在垂直方向上一體地移動。
此處，在依第1實施態樣之基板搬運裝置17搬運晶圓W時，可藉由從供給部81將鈍性氣體G供給至晶圓W之表面Wa，使晶圓W之表面Wa處於低氧狀態。藉此，可抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
再者，在第1實施態樣中，可藉由從靠近晶圓W之表面Wa的供給部81將鈍性氣體G供給至表面Wa，使晶圓W之表面Wa局部地處於低氧狀態。因此，相較於以鈍性氣體G充滿整個基板搬運裝置17可移動之搬運部15的情況，可抑制鈍性氣體G的消耗。
亦即，依第1實施態樣，可在不用消耗大量的鈍性氣體G的情況下，抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
又，在第1實施態樣中，可藉由從複數噴吐口81a將鈍性氣體G以噴淋狀供給至晶圓W之整體表面Wa，使晶圓W之整體表面Wa大致均勻地處於低氧狀態。因此，依第1實施態樣，可大致均勻地抑制晶圓W之整體表面Wa氧化之情形。
另外，供給部81並不限定於從複數噴吐口81a將鈍性氣體G以噴淋狀噴吐於晶圓W之表面Wa的構成。例如，亦可如圖4所示，以使從供給部81所噴吐之鈍性氣體G沿著晶圓W之表面Wa流動的方式配置供給部81。圖4係顯示依第1實施態樣之變形例，其基板搬運裝置17之示意構成的側方剖面圖。
在此變形例中，例如，如圖4所示，以與固持於固持部80之晶圓W的周緣部鄰接的方式配置供給部81，並從此供給部81之噴吐口81a以較淺的角度對於晶圓W之表面Wa噴吐鈍性氣體G。藉此，由於可以沿著晶圓W之表面Wa流動的方式供給鈍性氣體G，故可抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
＜基板搬運裝置的構成(第2實施態樣)＞ 接著，一邊參照圖5一邊說明依第2實施態樣之基板搬運裝置17的構成。圖5係顯示依第2實施態樣之基板搬運裝置17之示意構成的側方剖面圖，其係與第1實施態樣中圖3B對應之圖式。另外，在以下的說明中，對與上述第1實施態樣中之各構件相同的構件賦予相同的符號，並有省略與第1實施形態相同部分之說明的情況。
依第2實施態樣之基板搬運裝置17除了包含固持部80、供給部81及移動機構82之外，更包含收納部83。收納部83例如為箱狀，並在內部形成之內部空間83a收納有固持部80、固持於此固持部80之晶圓W及供給部81。
又，在收納部83中，形成有搬運口83b，同時設置有開閉此搬運口83b的遮擋構件83c。接著，固持部80可藉由移動機構82，從遮擋構件83c呈現開狀態之搬運口83b移動至收納部83的外部，並從傳遞部14或處理單元16取出晶圓W。接著， 固持部80將取出之晶圓W收納於收納部83。
同樣地，固持部80可使收納之晶圓W從遮擋構件83c為打開之搬運口83b移動至收納部83的外部，並傳遞至傳遞部14或處理單元16。
另外，移動機構82可使收納部83與固持部80以垂直軸為中心一體地旋轉，同時可使收納部83與固持部80以及供給部81在垂直方向上一體地移動。因此，依第2實施態樣之基板搬運裝置17可任意地選擇使固持部80從搬運口83b突出的方向或高度。
此處，在第2實施態樣中，可藉由從供給部81供給鈍性氣體G，而使鈍性氣體G充滿收納部83的內部空間83a。藉此，可在晶圓W搬運時，使晶圓W之整體表面Wa大致均勻地處於低氧狀態。因此，依第2實施態樣，可大致均勻地抑制晶圓W之整體表面Wa氧化之情形。
又，在第2實施態樣中，可使遮擋構件83c成為關閉狀態，而使收納部83與遮擋構件83c在晶圓W的周圍形成密閉空間，藉此以少量的鈍性氣體G使晶圓W的周圍處於低氧狀態。因此，依第2實施態樣，可藉由設置遮擋構件83c，一方面更進一步抑制鈍性氣體G的消耗量，一方面抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。另外，在設有遮擋構件83c的情況下，不論將供給部81配置於內部空間83a的任何位置，皆可使鈍性氣體G充滿內部空間83a。
再者，在第2實施態樣中，在未將晶圓W收納於收納部83的狀態下，亦以從供給部81噴吐少量的鈍性氣體G為佳。亦即，供給部81係以使「在晶圓W收納於收納部83並進行搬運之情況下的鈍性氣體G的供給量」大於「在未將晶圓W收納於收納部83之情況下的鈍性氣體G的供給量」為佳。因此，由於可一直維持內部空間83a的低氧狀態，故可更進一步抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
＜第2實施態樣的各種變形例＞ 接著，一邊參照圖6~圖8一邊說明依第2實施態樣的各種變形例。圖6係顯示依第2實施態樣之變形例1，其基板搬運裝置17之示意構成的側方剖面圖。變形例1之基板搬運裝置17中，並未設置有遮擋構件83c，搬運口83b為常開狀態。
藉此，由於不需要遮擋構件83c的成本，故能以低成本抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
另外，如圖6所示，在變形例1中，係以朝向搬運口83b噴吐鈍性氣體G的方式配置供給部81為佳。藉此，可抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。因此，依變形例1，即使在搬運口83b為常開狀態之情況下，由於可有效地使鈍性氣體G充滿內部空間83a，故可有效地抑晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
圖7係顯示依第2實施態樣之變形例2，其基板搬運裝置17之示意構成的側方剖面圖。如圖7所示，亦能以「使從供給部81所噴吐之鈍性氣體G成為覆蓋搬運口83b之空氣幕」的方式，來配置供給部81。例如，係以在內部空間83a中之搬運口83b的上方附近，將噴吐口81a朝向下方而配置供給部81，並從噴吐口81a朝向下方噴吐鈍性氣體G為佳。
藉此，與變形例1同樣地，可抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。因此，依變形例2，即使在搬運口83b為常開狀態之情況下，由於可有效地使鈍性氣體G充滿內部空間83a，故可有效地抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
圖8係顯示依第2實施態樣之變形例3，其基板搬運裝置17之示意構成的側方剖面圖。依變形例3之基板搬運裝置17，係與到目前為此所示之基板搬運裝置17不同，其為一次搬運複數晶圓W的批次型基板搬運裝置。在變形例3中，係藉由未圖示之固持部80，將複數晶圓W以既定之間隔堆疊並固持，再收納於收納部83。
在此變形例3中，供給部81係以堆疊之晶圓W為基準配置於搬運口83b之相反側。又，係以「將噴吐口81a朝向搬運口83b配置，並以沿著各晶圓W之表面Wa的方式從此噴吐口81a噴吐鈍性氣體G」為佳。
藉此，能以鈍性氣體G使各晶圓W之表面Wa處於低氧狀態，同時可藉由朝向搬運口83b所噴吐之鈍性氣體G，抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。因此，依變形例3，在批次型的基板搬運裝置17中，可有效地抑制各晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
＜搬運處理的程序＞ 接著，一邊參照圖9一邊說明基板搬運裝置17所執行之搬運處理的程序。圖9係顯示基板搬運裝置17所執行之搬運處理之程序的流程圖。
如圖9所示，處理單元16首先進行固持處理步驟(步驟S101)。在固持處理步驟中，控制部18使基板搬運裝置17移動至搬運之晶圓W的附近，使固持部80移動至收納部83的外部，而以固持部80固持晶圓W。另外，在收納部83設有遮擋構件83c的情況下，在使固持部80移動至收納部83的外部前，打開遮擋構件83c。
接著，基板搬運裝置17進行收納處理步驟(步驟S102)。在收納處理步驟中，控制部18使固持部80移動至收納部83的內部，而將固持於固持部80之晶圓W收納於收納部83。另外，在收納部83設有遮擋構件83c的情況下，在將晶圓W收納於收納部83之後，關閉遮擋構件83c。
接著，基板搬運裝置17進行供給處理步驟(步驟S103)。在供給處理步驟中，控制部18使鈍性氣體G從供給部81的噴吐口81a噴吐，進而將鈍性氣體G供給至晶圓W之表面Wa。藉此，可使晶圓W之表面Wa處於低氧狀態。
接著，基板搬運裝置17進行搬運處理步驟(步驟S104)。在搬運處理步驟中，控制部18一邊將鈍性氣體G供給至晶圓W之表面Wa，一邊以使基板搬運裝置17移動至晶圓W之搬運目的地附近的方式搬運晶圓W。
接著，在基板搬運裝置17中進行搬出處理步驟(步驟S105)。在搬出處理步驟中，控制部18使固持晶圓W的固持部80移動至收納部83的外部，而將晶圓W搬出至搬運目的地。另外，在收納部83設置有遮擋構件83c的情況下，在使固持部80移動至收納部83的外部前，打開遮擋構件83c。當完成此搬出處理，便完成1片晶圓W之一系列的搬運處理。
另外，上述搬運處理(步驟S104)係以「將形成於收納部83的搬運口83b，朝向與晶圓W之行進方向不同的方向進行」為佳。圖10係顯示依第2實施態樣之變形例4之基板搬運方法的示意圖。
圖10中，表示將晶圓W從傳遞部14搬運至「從傳遞部14來看位在複數處理單元16中左側最深處之處理單元16A」的例子。在圖10的例子中，晶圓W首先往X軸正方向、即方向D1移動，接著往Y軸正方向、即方向D2移動。
此處，在變形例4中，係以「使形成於收納部83的搬運口83b，在晶圓W往方向D1移動時朝向與方向D1不同的方向，同時在晶圓W往方向D2移動時朝向與方向D2不同的方向」為佳。
藉此，可在晶圓W移動時，抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。因此，依變形例4，即使在搬運口83b為常開狀態的情況下，由於能以鈍性氣體G充滿內部空間83a，故可抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
例如，如圖10所示，在晶圓W往方向D1移動時，係以使形成於收納部83的搬運口83b朝向Y軸負方向為佳。亦即，係以使晶圓W移動的方向與搬運口83b面向的方向大致垂直為佳。藉此，在晶圓W移動時，可有效地抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。
另一方面，晶圓W移動的方向與搬運口83b面向的方向並未限定為大致垂直，只要為可抑制外部環境氣體從搬運口83b流入的角度，可為任何角度。
另外，在圖10的例子中，雖然顯示了晶圓W在水平方向上搬運的情況，但晶圓W在垂直方向上搬運的情況亦同，係以使形成於收納部83的搬運口83b朝向與晶圓W之行進方向不同的方向為佳。
圖11A係顯示依第2實施態樣之變形例5之基板處理系統1的俯視圖，圖11B係顯示依第2實施態樣之變形例5之基板處理系統1的側視圖。如圖11A所示，在變形例5中，以基板搬運裝置17為中心，在兩側設置有處理單元16，同時在與處理單元16不同側設有傳遞部14。
又，如圖11B所示，處理單元16係以每複數個(圖11B中為3個)堆疊的方式設置。因此，如圖11B所示，在將晶圓W從傳遞部14搬運至配置於上側的處理單元16的情況下，晶圓W係在垂直方向上搬運。
圖12係顯示依第2實施態樣之變形例5之基板搬運方法的示意圖。在圖12中係表示將晶圓W搬運至複數處理單元16中位在上側之Y軸負方向側之處理單元16B的例子。在圖12的例子中，晶圓W首先往Z軸正方向、即方向D3移動，接著往Y軸負方向、即方向D4移動。
此處，在變形例5中，係以「將形成於收納部83的搬運口83b，在晶圓W往方向D3移動時朝向與方向D3不同的方向，同時在晶圓W往方向D4移動時朝向與方向D4不同的方向」為佳。
藉此，可在晶圓W移動時，抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。因此，依變形例5，即使在搬運口83b為常開狀態的情況下，因為能以鈍性氣體G充滿內部空間83a，故可抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
例如，如圖12所示，在使晶圓W往方向D3移動時，係以將形成於收納部83的搬運口83b朝向Y軸負方向為佳。再者，在使晶圓W往方向D3移動時，係以將形成於收納部83之頂面的蓋部83d朝向方向D3為佳。藉此，可在晶圓W移動時，有效地抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。
又，上述供給處理(步驟S103)係以「基於各別搬運之複數晶圓W分別之搬運時間，控制鈍性氣體G的供給量，而使搬運時之複數晶圓W的氧化程度一致而進行」為佳。圖13係顯示依第2實施態樣之變形例6之基板搬運方法的示意圖。
在圖13的例子中，由於晶圓W相較於從傳遞部14搬運至「從傳遞部14來看位在左側最前面之處理單元16C」，搬運至上述處理單元16A的搬運距離較長，故搬運時間亦會較長。因此，若在搬運時使晶圓W之表面Wa處於相同程度的低氧狀態，則相較於被搬運至處理單元16C的晶圓W，被搬運至處理單元16A的晶圓W的更容易氧化。
因此，在變形例6中，在搬運「搬運時間較長之晶圓W」時，係以相較於在搬運「搬運時間較短之晶圓W」時，更為增加鈍性氣體G的供給量為佳。藉此，無論晶圓W的搬運時間如何變化，皆可使在各處理單元16中進行處理之晶圓W的氧化程度一致。因此，依變形例6，可在設有複數處理單元16的基板處理系統1中，穩定地進行晶圓W的處理。
又，在變形例6中，亦可另外設置測量收納部83的內部空間83a中之含氧量的測量計，並基於從此測量計所得到之內部空間83a的含氧量，控制鈍性氣體G的供給量。藉此，可更準確地使在各處理單元16中進行處理之晶圓W的氧化程度一致。
以上，雖說明本發明之各實施態樣，但本發明並不限定於上述實施態樣，而係可在只要不超出其主旨的情況下進行各種變更。例如，在圖8所示之批次型的基板搬運裝置17中，亦可將遮擋構件83c設置於搬運口83b。又，本發明所適用之基板搬運裝置並不限定於基板處理系統1內的基板搬運裝置17，例如，亦可適用於基板搬運裝置13。
依本發明實施態樣之基板搬運裝置包含固持部80及供給部81。固持部80係固持在表面Wa形成有圖案之基板(晶圓W)。供給部81係將鈍性氣體G供給至基板(晶圓W)之表面Wa，該鈍性氣體G，係使固持於固持部80之基板(晶圓W)之表面Wa局部地處於低氧狀態。藉此，可在不用消耗大量的鈍性氣體G之情況下，抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
又，依本發明實施態樣之基板搬運裝置更包含收納部83，其收納固持部80、供給部81及固持於固持部80之基板(晶圓W)，並形成用於將基板(晶圓W)搬運至內部的搬運口83b。藉此，可大致均勻地抑制晶圓W之整體表面Wa氧化之情形。
又，依本發明實施態樣之基板搬運裝置中，收納部83更包含開閉搬運口83b的遮擋構件83c。藉此，可一方面更進一步抑制鈍性氣體G的消耗量，一方面抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
又，依本發明實施態樣之基板搬運裝置中，供給部81係朝向搬運口83b噴吐鈍性氣體G。藉此，即使在搬運口83b為常開狀態的情況下，由於可有效地以鈍性氣體G充滿內部空間83a，故可有效地抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
又，依本發明實施態樣之基板搬運裝置，更包含測量收納部83內之含氧量的測量計。接著，供給部81係基於從此測量計所得到之收納部83內的含氧量，控制鈍性氣體G的供給量。藉此，可更準確地使在各處理單元16中進行處理之晶圓W的氧化程度一致。
又，依本發明實施態樣之基板搬運裝置中，供給部81係使「在基板(晶圓W)收納於收納部83並進行搬運之情況下的鈍性氣體G的供給量」大於「在基板(晶圓W)未收納於收納部83之情況下的鈍性氣體G的供給量」。藉此，由於可一直維持內部空間83a的低氧狀態，故可更進一步抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
又，依本發明實施態樣之基板搬運裝置更包含移動機構82，其使固持部80與供給部81往既定方向移動。接著，移動機構82係將搬運口83b朝向與基板(晶圓W)之行進方向不同的方向而搬運基板(晶圓W)。藉此，可在搬運晶圓W時，抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。
又，在依本發明實施態樣之基板搬運裝置中，供給部81係朝向基板(晶圓W)之整體表面Wa以噴淋狀供給鈍性氣體G。藉此，可大致均勻地抑制晶圓W之整體表面Wa氧化之情形。
又，在依本發明實施態樣之基板搬運裝置中，供給部81係以使鈍性氣體G沿著基板(晶圓W)之表面Wa流動的方式供給鈍性氣體G。藉此，可抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
又，依本發明實施態樣之基板搬運方法包含：固持處理步驟(步驟S101)、供給處理步驟(步驟S103)及搬運處理步驟(步驟S104)。固持處理步驟(步驟S101)，係固持在表面Wa形成有圖案之基板(晶圓W)。供給處理步驟(步驟S103)，係將鈍性氣體G供給至基板(晶圓W)之表面Wa；該鈍性氣體G，係使被固持的基板(晶圓W)之表面Wa局部地處於低氧狀態。搬運處理步驟(步驟S104)，係一邊將鈍性氣體G供給至表面Wa一邊搬運基板(晶圓W)。藉此，可在不用消耗大量的鈍性氣體G之情況下，抑制晶圓W之表面Wa在搬運中氧化之情形。
又，依本發明實施態樣之基板搬運方法中，搬運處理步驟(步驟S104)係將形成於收納基板(晶圓W)之收納部83的搬運口83b朝向與基板(晶圓W)之行進方向不同的方向而進行。藉此，可在搬運晶圓W時，抑制含氧之外部環境氣體從搬運口83b流入至內部空間83a。
又，依本發明實施態樣之基板搬運方法中，供給處理步驟(步驟S103)係基於各別搬運之複數基板(晶圓W)分別之搬運時間，控制鈍性氣體G的供給量，而使搬運時之複數基板(晶圓W)的氧化程度一致，而加以進行。藉此，可在設有複數處理單元16的基板處理系統1中，穩定地進行晶圓W的處理。
本發明進一步的效果或變形例，可被該技術領域中具通常知識者輕易地導出。因此，本發明之更廣泛的態樣，並不限定於如以上所表示並記述之特定詳細內容以及代表的實施形態。因此，可在不超出申請專利範圍以及藉由其均等物所定義之總括的發明概念之精神或範圍內，進行各種變更。
1‧‧‧基板處理系統11‧‧‧載具載置部12、15‧‧‧搬運部13、17‧‧‧基板搬運裝置14‧‧‧傳遞部16、16A、16B、16C‧‧‧處理單元18‧‧‧控制部19‧‧‧儲存部2‧‧‧搬入搬出站20‧‧‧腔室21‧‧‧FFU(Fan Filter Unit：風扇過濾單元)3‧‧‧處理站30‧‧‧基板固持機構31、80‧‧‧固持部32‧‧‧支柱部33‧‧‧驅動部4‧‧‧控制裝置40‧‧‧處理液供給部50‧‧‧回收杯體51‧‧‧排液口52‧‧‧排氣口70‧‧‧處理液供給源80a‧‧‧夾頭機構81‧‧‧供給部81a‧‧‧噴吐口82‧‧‧移動機構83‧‧‧收納部83a‧‧‧內部空間83b‧‧‧搬運口83c‧‧‧遮擋構件83d‧‧‧蓋部C‧‧‧載具D1、D2、D3、D4‧‧‧方向G‧‧‧鈍性氣體S101~S105‧‧‧步驟W‧‧‧晶圓Wa‧‧‧表面
【圖1】係顯示依第1實施態樣之基板處理系統之概略構成的示意圖。 【圖2】係顯示處理單元之構成的示意圖。 【圖3A】係顯示依第1實施態樣之基板搬運裝置之示意構成的立體圖。 【圖3B】係顯示依第1實施態樣之基板搬運裝置之示意構成的側方剖面圖。 【圖4】係顯示依第1實施態樣之變形例，其基板搬運裝置之示意構成的側方剖面圖。 【圖5】係顯示依第2實施態樣之基板搬運裝置之示意構成的側方剖面圖。 【圖6】係顯示依第2實施態樣之變形例1，其基板搬運裝置之示意構成的側方剖面圖。 【圖7】係顯示依第2實施態樣之變形例2，其基板搬運裝置之示意構成的側方剖面圖。 【圖8】係顯示依第2實施態樣之變形例3，其基板搬運裝置之示意構成的側方剖面圖。 【圖9】係顯示基板搬運裝置所執行之搬運處理之程序的流程圖。 【圖10】係顯示依第2實施態樣之變形例4之基板搬運方法的示意圖。 【圖11A】係顯示依第2實施態樣之變形例5之基板處理系統的俯視圖。 【圖11B】係顯示依第2實施態樣之變形例5之基板處理系統的側視圖。 【圖12】係顯示依第2實施態樣之變形例5之基板搬運方法的示意圖。 【圖13】係顯示依第2實施態樣之變形例6之基板搬運方法的示意圖。
17‧‧‧基板搬運裝置
80‧‧‧固持部
80a‧‧‧夾頭機構
81‧‧‧供給部
81a‧‧‧噴吐口
82‧‧‧移動機構
G‧‧‧鈍性氣體
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧表面

Claims (9)

  1. 一種基板搬運裝置，包含：固持部，其固持在表面形成有圖案之基板；供給部，其將鈍性氣體供給至該基板之該表面，該鈍性氣體係使固持於該固持部之該基板之該表面局部地處於低氧狀態；收納部，其收納該固持部、該供給部及固持於該固持部之該基板，並形成用於將該基板搬運至內部的搬運口；及測量計，其測量該收納部內之含氧量；該供給部，係基於從該測量計所得到之該收納部內的含氧量，而控制該鈍性氣體的供給量。
  2. 如請求項第1項所述之基板搬運裝置，其中，該收納部更包含開閉該搬運口之遮擋構件。
  3. 如請求項第1或2項所述之基板搬運裝置，其中，該供給部，係朝向該搬運口噴吐該鈍性氣體。
  4. 如請求項第1或2項所述之基板搬運裝置，其中，該供給部，係使在將該基板收納於該收納部並進行搬運之情況下的該鈍性氣體的供給量，大於在未將該基板收納於該收納部之情況下的該鈍性氣體的供給量。
  5. 如請求項第1或2項所述之基板搬運裝置，更包含：移動機構，其使該固持部與該供給部往既定的方向移動； 該移動機構，係使該搬運口朝向與該基板之行進方向不同的方向，而搬運該基板。
  6. 如請求項第1或2項所述之基板搬運裝置，其中，該供給部，係朝向該基板之整體該表面，以噴淋狀供給該鈍性氣體。
  7. 如請求項第1或2項所述之基板搬運裝置，其中，該供給部，係以使該鈍性氣體沿著該基板之該表面流動的方式，供給該鈍性氣體。
  8. 一種基板搬運方法，其特徵為包含以下步驟：固持處理步驟，固持在表面形成有圖案之基板；供給處理步驟，將鈍性氣體供給至該基板之該表面，該鈍性氣體係使被固持之該基板之該表面局部地處於低氧狀態；及搬運處理步驟，一邊將該鈍性氣體供給至該表面，一邊搬運該基板；該供給處理步驟，係基於各別搬運之複數該基板分別之搬運時間，控制該鈍性氣體的供給量，以使搬運時之複數該基板的氧化程度一致，而加以進行。
  9. 如請求項第8項所述之基板搬運方法，其中，該搬運處理步驟，係將形成於收納該基板之收納部的搬運口，朝向與該基板之行進方向不同的方向，而加以進行。
TW107122883A 2017-07-10 2018-07-03 基板搬送裝置及基板搬送方法 TWI762668B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-134798 2017-07-10
JP2017134798 2017-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201908226A TW201908226A (zh) 2019-03-01
TWI762668B true TWI762668B (zh) 2022-05-01

Family

ID=65001921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107122883A TWI762668B (zh) 2017-07-10 2018-07-03 基板搬送裝置及基板搬送方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11097907B2 (zh)
JP (1) JP6899904B2 (zh)
KR (1) KR102510897B1 (zh)
CN (1) CN110832632A (zh)
TW (1) TWI762668B (zh)
WO (1) WO2019012978A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330972A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JP2002083854A (ja) * 1999-07-09 2002-03-22 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2003092335A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Toshiba Corp 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法
TW201013760A (en) * 2008-09-17 2010-04-01 Inotera Memories Inc A wafer base clean room and a method of using the wafer base clean room
TW201528421A (zh) * 2013-11-11 2015-07-16 Sinfonia Technology Co Ltd 周圍氣體置換裝置、基板搬送裝置、基板搬送系統及ｅｆｅｍ
JP2016072356A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び検査システム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3737604B2 (ja) * 1997-06-03 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
WO2009057223A1 (ja) * 2007-11-02 2009-05-07 Canon Anelva Corporation 表面処理装置およびその基板処理方法
JP2009170740A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Rorze Corp 搬送装置
JP5472169B2 (ja) * 2011-03-16 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6115291B2 (ja) * 2012-06-20 2017-04-19 Tdk株式会社 ロードポート装置及びｅｆｅｍシステム
JP6239813B2 (ja) 2012-07-18 2017-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP2015090940A (ja) 2013-11-07 2015-05-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ ウェーハ搬送装置
JP6459462B2 (ja) * 2014-12-11 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 リーク判定方法、基板処理装置及び記憶媒体
KR102413271B1 (ko) * 2015-11-02 2022-06-28 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
US10388547B2 (en) * 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
JP7149144B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-06 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理装置の制御方法
US11610794B2 (en) * 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330972A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JP2002083854A (ja) * 1999-07-09 2002-03-22 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2003092335A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Toshiba Corp 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法
TW201013760A (en) * 2008-09-17 2010-04-01 Inotera Memories Inc A wafer base clean room and a method of using the wafer base clean room
TW201528421A (zh) * 2013-11-11 2015-07-16 Sinfonia Technology Co Ltd 周圍氣體置換裝置、基板搬送裝置、基板搬送系統及ｅｆｅｍ
JP2016072356A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び検査システム

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019012978A1 (ja) 2019-01-17
TW201908226A (zh) 2019-03-01
KR102510897B1 (ko) 2023-03-16
JP6899904B2 (ja) 2021-07-07
US20200172351A1 (en) 2020-06-04
US11097907B2 (en) 2021-08-24
KR20200027966A (ko) 2020-03-13
JPWO2019012978A1 (ja) 2020-07-02
CN110832632A (zh) 2020-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11049738B2 (en) Substrate heating device
KR100549786B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
JP4540953B2 (ja) 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置
CN107275259B (zh) 基板处理装置
JP2016201526A (ja) 基板処理システム
JP5154102B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202040735A (zh) 基板處理裝置
KR101409752B1 (ko) 기판 이송 로봇을 이용한 멀티 챔버 기판 처리 장치
JP6042149B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理装置、および、基板搬送方法
TWI762668B (zh) 基板搬送裝置及基板搬送方法
TWI791109B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI809131B (zh) 基板處理裝置、基板處理系統及基板處理方法
JP5227701B2 (ja) 基板処理システム
KR102678998B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP6426499B2 (ja) 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP6395673B2 (ja) 基板処理装置
WO2023127050A1 (ja) 基板乾燥装置、基板処理装置および基板の製造方法
KR20240043687A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2010045299A (ja) 基板処理装置
JP2014063805A (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法