KR100549786B1 - 기판 처리장치 및 기판 처리방법 - Google Patents
기판 처리장치 및 기판 처리방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100549786B1 KR100549786B1 KR1019990022238A KR19990022238A KR100549786B1 KR 100549786 B1 KR100549786 B1 KR 100549786B1 KR 1019990022238 A KR1019990022238 A KR 1019990022238A KR 19990022238 A KR19990022238 A KR 19990022238A KR 100549786 B1 KR100549786 B1 KR 100549786B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- boat
- opening
- mounting portion
- lid
- heat treatment
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
- Y10S414/138—Wafers positioned vertically within cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
기판 처리장치가 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구(4a)를 갖춘 종형 열처리로(4)를 갖는다. 상하 다단으로 기판(W)을 지지하는 보트(3)가 제1뚜껑(17)상에 탑재될 수 있고, 제1뚜껑(17)이 그것상으로 탑재된 보트(4)와 함께 종형 열처리로(4)의 개구(4a)를 개폐할 수 있다. 또한, 처리장치는 보트(3)와 다른 보트(3)가 탑재될 수 있는 보트 탑재부(19)와, 보트 탑재부(19)와 제1뚜껑(17) 사이에서 교대로 2개의 보트(3)를 반송하기 위한 보트 반송기구(21)를 갖는다. 제1뚜껑(17)이 개구(4a)를 개방함에도 불구하고 개구(4a)를 통해서 통과하는 보트(3)가 없을 때, 제2뚜껑(18)이 종형 열처리로(4)의 개구(4a)를 폐쇄한다. 제1뚜껑(17)이 개구(4a)로부터 벗어나고 보트(3)가 반출될 때, 처리장치는 개구(4a)로부터의 바람직하지 않은 영향을 효과적으로 감소시킬 수 있고, 열처리로(4)의 내부의 온도가 낮아지는 것을 방지시킴으로써 소모된 에너지를 감소시킬 수 있다.
Description
도 1은 본 발명의 1실시예의 계략적인 사시도,
도 2는 도 1의 종형 열처리장치의 계략적인 횡단면도,
도 3은 도 1의 종형 열처리장치의 계략적인 종단면도,
도 4는 도 1의 캐리어 탑재부와 노치 정렬기구의 정면도,
도 5는 도 1의 보트 반송기구의 계략적인 사시도,
도 6은 보트 반송방법을 설명하기 위한 계략적인 평면도,
도 7은 본 발명의 종형 열처리장치의 다른 실시예의 계략적인 사시도,
도 8은 도 7의 종형 열처리장치의 계략적인 평면도,
도 9는 도 7의 이재기구의 계략적인 측면도,
도 10은 이재기구의 동작을 나타내는 설명도이다.
본 발명은 기판 처리장치 및 기판 처리방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조를 위한 처리는 피처리 기판인 반도체 웨이퍼에, 예컨대 산화나 확산 CVD(화학 증기 증착) 등의 각종 처리를 실시하는 공정을 포함한다. 이와 같은 다양한 처리를 행하는데 사용되는 장치가 종형 열처리장치이다. 이 종형 열처리장치는 오퍼레이터나 자동 반송기구가 복수 매의 반도체 웨이퍼를 수용한 캐리어를 지지하여 운반하는 캐리어 반송영역과, 캐리어내의 반도체 웨이퍼가 열처리를 위한 지지대로서의 보트로 이동되어 교체되고(移替) 열처리로로의 반입 반출을 행하는 로딩영역을 구비하여 구성된다.
이러한 종형 열처리장치에 있어서는, 대기에 노출되는 캐리어 반송영역과, 로딩영역 사이에 격벽이 제공되는 것이 바람직하다. 격벽은 로딩영역이 청정하게 남도록 하고, 반도체 웨이퍼상에 자연 산화막이 발생되는 것을 방지한다. 로딩영역을, 예컨대 질소와 같은 불활성가스로 충만시키는 것이 바람직하다. 또한, 상기 종형 열처리장치에는 반도체 웨이퍼의 입자에 의한 오염을 방지하기 위해서 반도체 웨이퍼의 취출구가 뚜껑에 의해서 밀폐되는 밀폐형 캐리어를 적용하는 것이 더욱 바람직하다.
개구를 갖는 캐리어 탑재부가 캐리어 반송영역과 로딩영역을 격리하는 격벽에 설치한다. 이 개구는 캐리어 반송영역측상에서 캐리어와 당접하기 위해서 적용된다. 그 개구를 개폐하는 도어가 로딩영역측에 구비된다. 반도체 웨이퍼를 처리할 때, 캐리어의 뚜껑이 캐리어 탑재부와 당접하도록 정렬되고, 도어와 뚜껑을 열어 캐리어의 내부를 로딩영역측과 연통시킨다. 그 다음, 반도체 웨이퍼는 개구를 경유하여 캐리어의 내부로부터 로딩영역내의 보트로 반송된다. 그 다음, 이 보트를 열처리로 내로 반입시켜 소정의 열처리를 행한다.
이하에서는, 2개의 보트가 사용된다. 이중 하나의 보트는 상승가능한 뚜껑상에 탑재되어 열처리로의 개구를 개폐할 수 있다. 이 보트는 열처리로로 반입된다. 로의 개구를 밀폐하고 보트내의 반도체 웨이퍼가 열처리되는 동안, 다른 반도체 웨이퍼는 다른 쪽의 보트로 이동되어 교체된다. 이것은 종형 열처리장치의 처리량을 향상시킨다.
예컨대, 300mm 직경의 큰 반도체 웨이퍼용 종형 열처리장치는 대용량인 동시에 대구경의 개구를 필요로 한다. 따라서, 열처리 후, 개구가 개방되고 로내의 보트가 반출되며 이어서 보트가 로내로 반입되는 동안, 로의 다량의 열이 개구로부터 로딩영역으로 방출된다. 이것은 로딩영역의 온도를 상승시키고, 로딩영역내의 기기(器機) 등에 영향을 미친다. 더욱이, 종형 열처리로의 내부를 소정의 온도 이상으로 유지시켜야 하기 때문에, 소모되는 에너지가 많게 된다.
예컨대, 300mm로의 반도체 웨이퍼 직경의 증가는, 종형 열처리장치의 폭과 깊이 및 높이를 증대시킨다. 종형 열처리장치를 설치하기 위한 바닥의 공간 및 천정 높이도 또한 증대된다. 이들은 종형 열처리장치의 생산비용이나 유지비용을 증대시킨다. 그러므로, 할 수 있는 한 소형화된 종형 열처리장치가 요구된다.
종형 열처리장치로 반도체 웨이퍼를 처리하는 능력을 향상시키기 위해서, 열처리가 다른 보트에 대해 수행되는 동안, 반도체 웨이퍼가 이동되어 교체되는 하나의 보트를 탑재하기 위한 보트 탑재부가 로딩영역에 설치되고, 보트 탑재부상의 보트와 캐리어 탑재부에서의 캐리어 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하기 위한 이재(移載)기구가 로딩영역에 설치되며, 보트 탑재부와 뚜껑 사이에서 보트를 이동하여 교체하기 위한 보트 반송기구가 로딩영역내에 설치된다. 이 경우, 보트의 이동궤적과 이재기구의 점유공간을 오버랩(overlap)시키는 것이 종형 열처리장치를 최소화시키는데 효과적이다. 그러나, 이 경우에 있어서, 보트와 반송기구가 바람직하지 않게 간섭되는 가능성이 있다.
더욱이, 보트 탑재부와 뚜껑 사이에서 2개의 보트가 반송되는 동안, 열처리 전의 보트가 열처리 후의 보트의 바람의 영향을 받는 경우가 있다. 이 경우, 열처리전의 보트에 있는 반도체 웨이퍼는 열처리 후의 다른 보트로부터의 입자나 가스로 오염될 우려가 있다.
본 발명의 목적은 개구로부터 뚜껑이 개방되어 열처리 후의 보트가 반출될 때, 로의 개구로부터 방출되는 열에 의해 야기되는 바람직하지 않은 영향을 감소시킬 수 있는 종형 열처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 보트가 반송될 때 보트와 이재기구의 간섭을 방지하기 위해서, 보트의 이동궤적으로부터 이재기구를 횡방향으로 퇴피(退避)시키고, 보트의 이동궤적과 기판의 이재기구의 점유공간을 오버랩시킴으로써, 기판의 처리능력을 향상시키는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 캐리어 탑재부의 수직방향 중심선을 따라서 노치정렬기구를 설치하고, 높이를 증가시키지 않고 폭 및 깊이를 감소시킴으로써, 종형 열처리장치의 소형화를 달성하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 보트 반송시에 기판의 오염이 제한될 수 있는 보트 반송방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구를 갖춘 열처리로와, 기판을 상하 다단으로 지지하는 보트가 탑재되고, 탑재된 보트와 함께 종형 열처리로의 개구를 개폐시킬 수 있는 제1뚜껑, 보트 및 다른 보트가 탑재될 수 있는 보트 탑재부, 보트 탑재부와 제1뚜껑 사이에서 2개의 보트를 교대로 반송하기 위한 보트 반송기구 및, 제1뚜껑이 개구를 개방함에도 불구하고 개구를 통해 통과하는 보트가 없을 때, 종형 열처리로의 개구를 폐쇄하기 위한 제2뚜껑을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리장치이다.
본 발명에 의하면, 열처리장치는 제1뚜껑이 개구로부터 옮겨지고 보트가 반출될 때 개구로부터의 바람직하지 않은 영향을 효과적으로 감소시킬 수 있고, 또한 열처리장치의 내부온도가 떨어지는 것을 방지시킴으로써 소모된 에너지를 감소시킬 수 있다.
바람직하게는, 제2뚜껑은 개구를 개방하기 위해서, 종형 열처리로의 개구의 외측표면에 대해서 종방향 및 횡방향으로 움직일 수 있는 셔터이다.
바람직하게는, 처리장치는 기판을 수용하는 캐리어가 탑재될 수 있는 캐리어 탑재부와, 캐리어 탑재부상에 탑재된 캐리어와 보트 탑재부상에 탑재된 보트 사이에서 기판을 이동 탑재하기 위한 이재기구를 더 구비하여 구성된다. 이 경우에 있어서, 보트 반송기구에 의해 보트가 반송될 때, 이재기구가 보트와 간섭되지 않도록, 바람직하게는 이재기구가 수축될 수 있다. 이 경우에 있어서, 처리장치는 적 절하게 최소화될 수 있다.
바람직하게는, 기판에 구비된 노치를 정렬하기 위해서, 캐리어 탑재부의 수직 중심선을 따라 노치 정렬기구가 설치된다. 이 경우, 처리장치의 폭과 깊이 및 높이가 효과적으로 감소될 수 있으므로, 기판을 이동 탑재하기 위한 시간이 실질적으로 감소된다.
바람직하게는, 보트 반송기구가 회전축과 선단부를 갖추고, 상하로 승강되고 회전축 주위로 수평하게 회전될 수 있는 제1암과, 선단부 주위로 수평하게 회전될 수 있도록 선단부에서 지지되고, 보트의 중심이 제1암의 회전축에 걸쳐 통과되도록 보트를 수직으로 지지하고 보트를 반송시킬 수 있는 제2암을 포함하고, 제1암과 제2암을 동시에 회전시킴으로써, 제1암의 회전축에 대해서 방사방향(radial direction)으로 보트를 반송할 수 있다. 이 경우, 보트를 반송하기 위한 공간을 최소화 할 수 있으므로, 처리장치의 폭과 깊이를 실질적으로 감소시킬 수 있다.
바람직하게는, 이재기구는 보트 반송기구상에서 상하로 움직일 수 있다.
바람직하게는, 송풍장치는 세정가스 흐름을 만들기 위해서 보트 탑재부에 인접하게 배치된다. 이 경우, 보트 탑재부가 제1탑재부와, 이 제1탑재부와 제1뚜껑 사이에 설치된 제2탑재부를 갖추고, 송풍장치에 의해서 만들어진 세정가스 흐름에 대해서 제2탑재부의 바람의 영향아래서 보트가 통과 되도록, 제2탑재부로부터 제1뚜껑으로, 제2탑재부로부터 제1뚜껑으로, 제1뚜껑으로부터 제1탑재부로 보트를 반송하도록 보트 반송기구가 동작된다.
더욱이, 본 발명은, 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구를 갖춘 종형 열처리 로와, 기판을 상하 다단으로 기판을 지지하는 보트가 탑재되고 탑재된 보트와 함께 종형 열처리로의 개구를 개폐할 수 있는 제1뚜껑, 제1탑재부와 이 제1탑재부와 제1뚜껑 사이에 설치된 제2탑재부를 갖춘 보트 탑재부, 제1뚜껑이 개구를 개방함에도 불구하고 개구를 통해 통과하는 보트가 없을 때 종형 열처리로의 개구를 폐쇄하기 위한 제2뚜껑, 기판을 수용하는 캐리어가 탑재될 수 있는 캐리어 탑재부, 캐리어 탑재부상에 탑재된 캐리어와 보트 탑재부상에 탑재된 보트사이에서 기판을 이동 탑재하기 위한 이재기구, 세정가스 흐름을 만들기 위해서 보트 탑재부에 인접하게 배치된 송풍장치, 송풍장치에 의해 만들어진 세정가스 흐름에 대해서 제2탑재부의 바람의 영향 아래서 보트가 통과하도록, 제1탑재부로부터 제2탑재부로, 제2탑재부로부터 제1뚜껑으로, 제1뚜껑으로부터 제1탑재부로 보트를 반송하기 위한 보트 반송기구를 구비하여 기판 처리장치가 구성되고, 보트 반송기구에 의해서 제1부로부터 제2부로 제1보트를 반송하는 단계와, 송풍장치에 의해서 만들어진 세정가스 흐름에 대해서 제2탑재부의 바람의 영향 아래서 제2보트가 통과되도록, 보트 반송기구에 의해서 제1뚜껑으로부터 제1부로 제2보트를 반송하는 단계 및, 보트 반송기구에 의해서 제2부로부터 제1뚜껑으로 제1보트를 반송하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리장치를 이용하는 기판 처리방법이다.
이하, 본 발명이 첨부된 예시도면 도 1 내지 도 10을 참조로 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 종형 열처리장치의 계략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 종형 열처리장치의 계략적인 평면도이며, 도 3은 도 1의 종형 열처리장치의 계략적 인 종단면도이고, 도 4는 도 1의 캐리어 탑재부와 노치 정렬기구의 계략적인 정면도이며, 도 5는 도 1의 보트 반송기구의 계략적인 사시도이고, 도 6은 보트를 반송하는 방법을 나타낸 계략적인 평면도이다.
이러한 도면에서, 참조부호 1은 크린룸내에 설치된 종형 열처리장치의 외측벽을 형성하는 하우징이다. 하우징(1)의 내부는 격벽(5;bulkhead)에 의해 캐리어(2)의 반입 반출과 보관 등을 행하기 위한 캐리어 반송영역(Sa)과, 캐리어(2)내에 수용된 반도체 웨이퍼(W; 피처리 기판이라 함)가 종형 열처리로(4)로 반입 반출되는 보트(3)로 이동되어 교체되는 로딩영역(Sb)으로 분할된다.
도 1과 도 2에 나타낸 바와 같이, 하우징(1)의 전면부에는 오퍼레이터나 자동 반송 로버트에 의해 캐리어(2)를 반입 반출하기 위한 반입출구(6)가 구비된다. 도 2와 도 3에 나타낸 바와 같이, 반입출구(6)에는 상하로 움직여 반입출구(6)를 개폐할 수 있는 도어(7)가 구비된다. 캐리어 반송영역(Sa)내에는, 그것상으로 캐리어(2)를 탑재하기 위한 탑재대(8)가 반입출구(6) 근방에 제공된다. 도 1과 도 3에 도시된 바와 같이, 센서기구(9)가 캐리어의 뚜껑(도시되지 않았음)을 개방하고, 다수의 반도체 웨이퍼(W)의 위치를 검출하기 위해 탑재대(8)의 후방부에 구비된다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 복수개의 캐리어(2)를 보관하기 위해서 선반형상 보관부(10)가 탑재대(8)의 위쪽 및 격벽(5)의 상부 근방에 형성된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 이동 탑재하기 위해 그것상으로 캐리어(2)를 탑재하기 위한 테이블로서 다수의, 예컨대 2개의 캐리어 탑재부(11;트랜스퍼 스테이지(transfer stage)라 함)가 격벽측(5)상의 이격된 위치에 상하로 제 공된다. 따라서, 다른 쪽의 캐리어 탑재부에서 반도체 웨이퍼(W)가 다른 캐리어(2)로 이동 탑재되는 동안, 한쪽의 캐리어 탑재부에서 한쪽의 캐리어(2)가 교환될 수 있으므로, 처리장치의 생산성을 향상시킬 수 있다. 탑재대(8)와 보관부(10) 및 캐리어 탑재부(11)사이에서 캐리어(2)의 반송을 행하기 위해서, 캐리어 반송기구(12)가 캐리어 반송영역(Sa)에 설치된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 캐리어 반송기구(12)는 캐리어 반송영역(Sa)측에 구비된 승강기구(12a)에 의해 승강될 수 있는 승강암(12b)과, 캐리어(2)의 바닥부를 지지하여 횡방향으로 반송하기 위한 상기 승강암(12b)상에 탑재된 반송암(12c)을 구비하여 구성된다.
캐리어(2)는 다수의, 예컨대 13 혹은 25매의 반도체 웨이퍼(W)를 수용하고 뚜껑(도시되지 않았음)에 의해 밀폐되는, 소위 클로즈형 캐리어이다. 캐리어(2)는 다단의 수평상태로 그리고 상하로 이격된 반도체 웨이퍼(W)를 수용 및 지지하기 위한 휴대용 플라스틱 용기를 구비하여 구성된다. 반도체 웨이퍼(W)의 직경은, 예컨대 300mm이다. 뚜껑(도시되지 않았음)은 웨이퍼 취출구를 기밀하게 막도록 캐리어(2)의 전방부에 형성된 웨이퍼 취출구에 탈착 가능하게 구비된다.
필터를 통해 공급된 청정한 공기가 캐리어 반송영역(Sa)으로 공급되므로, 캐리어 반송영역(Sa)이 청정한 공기로 채워진다. 한편, 청정한 공기가 로딩영역(Sb)으로 또한 공급되므로 로딩영역(Sb)이 청정한 공기로 채워지거나, (N2)와 같은 불활성가스가 로딩영역(Sb)으로 공급되므로 로딩영역(Sb)이 불활성가스로 채워진다. 도 1에 도시된 바와 같이, 격벽(5)은 2개의 상부 및 하부 개구(13)를 갖는 바, 이들 각각의 캐리어(2)가 캐리어 반송영역(Sa)측에 당접하도록 적용된다. 개구(13)는 캐리어 탑재부(11) 각각에 대응된다. 각 개구(13)에는 개구(13)를 개폐하기 위한 도어(14)가 구비된다. 개구(13)의 크기가 실질적으로 캐리어(2)의 웨이퍼-취출구와 동일하도록 형성되므로, 반도체 웨이퍼(W)가 개구(13) 및 웨이퍼-취출구를 통해 캐리어(2)로 반입 및 반출될 수 있다.
각 도어(14)에는 캐리어(2)의 뚜껑을 개폐하기 위한 뚜껑 개폐기구(도시되지 않았음)가 구비된다. 또한, 각 도어(14)는 로딩영역(Sb)측상에서 도어(14)를 개폐하기 위한 도어 개폐기구(도시되지 않았음)와 연결된다. 도어 개폐기구는 도어(14) 및 뚜껑을 로딩영역(Sb)측을 향해 이동시키고, 더욱이 이들을 반도체 웨이퍼(W)의 이동 교체에 장애되지 않도록 상부 혹은 하부 쪽으로 이동(퇴피)시키도록 적용된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 탑재부(11)의 아래 및 캐리어 탑재부(11)의 수직 중심선을 따라서, 예컨대 반도체 웨이퍼(W)의 결정방향을 정렬하기 위해서 반도체 웨이퍼의 주연부에 구비되는 노치(절개부)를 한쪽 방향으로 정렬하기 위한 노치 정렬기구(15)가 구비된다. 노치 정렬기구(15)는 로딩영역(Sa)측에 개구를 갖는다. 노치 정렬기구(15)는 이재기구(22)에 의해 캐리어 탑재부(11)상의 캐리어(2)로부터 이동 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 노치를 정렬하도록 적용된다.
노치 정렬기구(15)는 상하로 이격된 위치에 2개의 장치를 갖추는 바, 각각의 장치는 2매의 반도체 웨이퍼(W)의 2개의 노치를 정렬할 수 있다. 따라서, 다른쪽의 장치가 다른 반도체 웨이퍼(W)를 정렬하는 동안 하나의 장치가 정렬된 반도체 웨이퍼(W)를 보트(3)로 이동 탑재시킬 수 있음에 따라, 처리장치의 생산성이 향상될 수 있다. 장치는 다수의, 예컨대 3 혹은 5매의 반도체 웨이퍼(W)를 동시에 정렬하도록 적용될 수 있다. 노치 정렬기구(15)에 의해 정렬되는 반도체 웨이퍼의 중심선이 캐리어 탑재부(11)상에 탑재된 캐리어(2)내의 반도체 웨이퍼(W)의 중심선과 일치하도록 적용된다. 처리장치의 폭과 깊이 및 높이가 실질적으로 감소될 수 있으므로, 반도체 웨이퍼의 이동 탑재 시간이 실질적으로 감소된다.
열처리로(4)가 로딩영역(Sb)내의 후방 상부에 배치된다. 열처리로(4)는 그것의 바닥부에 로의 개구(4a)를 갖는다. 뚜껑(17)이 로(4)의 바닥에 구비된다. 보트(3)를 로(4)로 반입 반출하기 위해서 그리고 개구(4a)를 개폐하기 위해서, 뚜껑(17)이 승강기구(도시되지 않았음)에 의해 상하로 움직이도록 적용된다. 다수의, 예컨대 100 혹은 150매의 상하 동일 간격으로 이격된 다단의 반도체 웨이퍼(W)를 지탱할 수 있는 보트(3)가 뚜껑(17)상에 놓이도록 적용된다. 보트(3)는 석영 등으로 제조된다. 열처리로(4)에는 열처리 후 뚜껑이 개방되고 보트(3)가 반출된 때, 개구(4a)를 폐쇄하기 위해서, 개구(4a)에 셔터(18)가 구비된다. 수평방향으로 선회하며 개구(4a)를 개폐하도록 셔터(18)가 적용된다. 셔터(18)를 선회시키기 위해서, 셔터 구동기구(18a)가 구비된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)가 보트(3)로 이동되어 교체될 때, 그것 상으로 보트(3)를 탑재하기 위한 보트 탑재부(19;보트 스테이지)가 로딩영역(Sb)의 측면 영역에 인접하여 배치된다. 보트 탑재부(19)는 제1탑재부(19a)와, 이 제1탑재부(19a)와 제1뚜껑(17) 사이에 배치된 제2탑재부(19b)를 갖는다. 로딩영역(Sb)내의 순환 가스(청정한 공기나 불활성가스)를 필터를 매개로 세정하고 세정가스 흐름을 만들기 위해서, 보트 탑재부(19) 근방에는 송풍장치(20)가 배치된다.
보트 탑재부(19)와 뚜껑(17) 사이에서 보트(3)를 반송하기 위해서, 로딩영역(Sb)내의 저부에서 캐리어 탑재부(11)와 열처리로(4) 사이에 보트 반송기구(21)가 설치된다. 특히, 제1탑재부(19a) 혹은 제2탑재부(19b)와 뚜껑사이와, 제1탑재부(19a)와 제2탑재부(19b) 사이에서 보트(3)를 반송하기 위해 보트 반송기구(21)가 설치된다.
캐리어 탑재부(11)상의 캐리어(2)와 보트 탑재부(19)상의 보트(3) 사이, 특히 캐리어 탑재부(11)상의 캐리어(2)와 노치 정렬기구(15)사이와, 노치 정렬기구(15)와 보트 탑재부(19)의 제1탑재부(19a)상의 보트(3) 사이 및, 제1탑재부(19a)상의 열처리 후의 보트(3)와 캐리어 탑재부(11)상의 빈 캐리어(2) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 이동하여 교체하기 위한 이재기구(22)가 보트 반송기구(21)상에 설치된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 보트 반송기구(21)는 수직으로 하나의 보트(3)를 지지하여 수평하게 움직일(신축) 수 있는 암을 갖는다. 특히, 도 5에 도시된 바와 같이, 보트 반송기구(21)는 회전축과 선단부를 갖고 회전축 주위로 승강 및 수평하게 선회할 수 있는 제1암(21a)을 갖는다. 또한, 보트 반송기구(21)는 지지암(21b)이 선단부 주위로 수평하게 회전할 수 있도록 제1암(21a)의 선단부에서 지지되는 C자 형상의 지지암(21b)을 갖는다. C자 형상 지지암(21b)은, 그 중심이 제1암(21a) 의 회전축을 통과하도록 설계되고, 보트(3)를 수직으로 지지하는 개구(21c)를 형성한다. 즉, 보트의 중심이 제1암(21a)의 회전축을 통해 통과될 수 있다. 따라서, 제1암(21a)과 지지암(21b)을 동기 회전시킴으로써, 보트(3)가 제1암(21a)의 회전축에 대해 방사방향(수평선 방향)으로 반송될 수 있다. 그러므로, 보트를 반송하기 위한 영역이 가능한한 최소로 될 수 있으므로, 처리장치의 폭과 깊이가 감소될 수 있다.
도 5에서, 보트 반송기구(21)는 화살표 방향으로 움직일 수 있다. 도 6에서 화살표에 의해 나타낸 바와 같이, 보트 반송기구(21)는 보트(3)를 반송한다. 특히, 보트 반송기구(21)는 제1탑재부(19a)상에서 대기하는 열처리 전의 보트(3)를 제2탑재부(19b)로 반송한다 (①). 그 다음, 보트 반송기구(21)는 열처리 후의 보트(3)를 제1뚜껑(17)으로부터 제1탑재부(19a)로 반송한다 (②). 마지막으로, 보트 반송기구(21)는 제2탑재부(19b)상의 열처리 전의 보트(3)를 뚜껑(17)상으로 반송한다 (③). 도 6에 도시된 바와 같이, 열처리 후의 보트(3)는 송풍장치(20)에 의해 만들어진 세정가스 흐름에 대해서 제2탑재부(19b)의 바람의 영향하에서 통과할 수 있다. 따라서, 열처리 전의 보트(3)는 열처리 후의 다른 보트(3)의 바람의 영향하에서는 전혀 통과하지 않게 된다. 그러므로, 보트가 반송될 때, 열처리 전의 보트(3)내의 반도체 웨이퍼(W)가 열처리 후의 보트(3)로부터 발생되는 입자나 가스에 의해 오염되는 것이 방지된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 이재기구(22)는 회전 샤프트 주위로 수평회동 가능한 기본 탑재대(22a)와, 진퇴가능하고 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 다수개, 예컨대 2 혹은 5매의 박판 포크 형상인 기본 탑재대(22a)상에 구비된 지지암(22b)을 갖는다. 이재기구(22)는 도 2에서 가상선으로 나타낸 작업위치(A)로부터 실선으로 나타낸 퇴피위치(B)까지 선회암(23)을 매개로 횡방향으로 후퇴(퇴피)할 수 있다. 선회암(23)의 기부(基部) 선단부는 로딩영역(Sb)의 다른 측면 영역에 구비된 도시되지 않은 승강기구에 연결된다. 따라서, 이재기구(22)는 상하로 움질일 수 있다. 이재기구(22)가 하한으로 강하될 때, 기본 탑재대(22a)의 저부 돌기부(22c)가 강하 대기상태의 보트 반송기구(21)의 지지암(21b)의 개구(21c)내에 수용될 수 있다. 따라서, 이재기구(22)와 보트 반송기구(21)의 간섭이 방지되고, 이재기구(22)의 하한 스트로크가 작은 영역내에 설정된다.
이하, 종형 열처리장치의 동작을 상세히 설명한다. 또한 보트의 반송방법도 함께 설명한다. 캐리어(2)가 취출구(6)를 통해 탑재대(8)상에 위치될 때, 센서기구(9)는 캐리어(2)의 탑재상태를 탐지한다. 그 다음, 캐리어(2)의 뚜껑이 개방되고, 센서기구(9)가 캐리어(2)내의 다수의 반도체 웨이퍼(W)의 위치를 탐지한다. 그 다음, 캐리어(2)의 뚜껑이 다시 폐쇄되고, 캐리어(2)가 캐리어 이재기구(12)를 매개로 보관부(10)로 반송된다.
그 다음, 보관부(10)에 저장된 캐리어(2)는 캐리어 반송기구(12)를 매개로 캐리어 탑재부(11)상으로 적절한 시간에 반송된다. 캐리어 탑재부(11)상에서 캐리어 뚜껑(2) 및 격벽(5) 개구(13)의 도어(14)가 개방된 후, 이재기구(22)는 캐리어(2)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 취출한다. 그 다음, 이재기구(22)는 이들을 노치 정렬기구(15)를 매개로 탑재부(19)의 제1탑재부(19a)에 탑재된 빈 보트(3)로 연속적으로 이동 탑재시킨다. 반도체 웨이퍼(W)가 이동 탑재되는 동안, 보트 반송기구(21)는 이재기구(22)로부터 하강하여 퇴피되므로, 보트 반송기구(21)와 이재기구(22)의 간섭이 방지된다. 노치 정렬기구(15)가 캐리어 탑재부(11)의 중심선(16)상에 설치됨에 따라, 종형 열처리장치의 폭이 감소될 수 있으므로, 처리장치가 소형화 될 수 있다. 더욱이, 반도체 웨이퍼의 이동 탑재를 위한 시간이 감소될 수 있으므로, 처리장치의 생산성이 실질적으로 향상될 수 있다.
반도체 웨이퍼(W)의 이동 탑재가 종료된 후, 이재기구(22)는 선회암(23)에 의해 작업위치(A)로부터 하우징(1)의 다른 측면영역내의 퇴피위치(B)로 후퇴(퇴피)된다.
열처리가 완료된 후, 뚜껑(17)은 하강되고, 열처리 후의 보트(3)가 노(4)로부터 로딩영역(Sb)으로 반출된다. 뚜껑(17)이 보트(3)를 옮긴 후, 셔터(18)가 즉시 로의 개구(4a)를 폐쇄한다. 따라서, 열처리로(4)의 개구(4a)로부터 로딩영역(Sb)으로 적은 양의 열이 방출되므로, 로딩영역(Sb)내의 기기로의 열영향을 방지할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 열처리 후의 보트(3)가 로(4)로부터 반출된 후, 보트 반송기구(21)가 우선 제1탑재부(19a)상에 대기하는 열처리 전의 다른 보트(3)를 제2탑재부(19b)로 반송한다 (①). 그 다음, 보트 반송기구(21)는 열처리 후의 보트(3)를 제1뚜껑(17)으로부터 제1탑재부(19a)로 반송한다 (②). 그 다음, 보트 반송기구(21)는 제2탑재부(19b)상의 열처리전의 보트(3)를 뚜껑(17)상으로 반송한다. 즉, 보트 반송기구(21)는 열처리전의 보트(3)가 열처리 후의 보트(3)의 바람의 영향이 미치는 쪽을 통과하지 않도록 보트(3)를 반송시킨다. 그 러므로, 보트(3)의 반송시에, 열처리 전의 보트(3)내의 반도체 웨이퍼(W)가 열처리 후의 보트(3)로부터 발생하는 입자나 가스에 의해 오염되는 것이 방지된다. 열처리 후의 보트(3)를 반출한 직후에는 열처리 전의 보트(3)가 열처리 후의 보트(3)로부터 더 멀리 떨어진 위치에 있게 된다. 따라서, 열처리 후의 보트(3)로부터 열처리 전의 보트(3)로의 열영향이 억제되거나 방지될 수 있다.
보트(3) 반송중에는, 이재기구(22)가 보트 반송기구(21)로부터 상방향이 아니라 횡방향으로 퇴피되므로, 반송중의 보트(3)와 이재기구(22)가 서로 간섭하는 것을 효과적으로 방지한다. 이재기구(22)가 상방향이 아닌 횡방향으로 퇴피하도록 구성되므로, 수평방향으로 개폐 이동하는 셔터(18)와 이재기구(22)가 서로 간섭하지 않는다.
열처리 전의 보트(3)가 뚜껑(17)상으로 반송된 후, 보트(3) 및 뚜껑(17)이 셔터(18)가 개방된 개구(4a)를 통해 로(4)로 도입된다. 다음 열처리가 보트(3)내의 반도체 웨이퍼(W)상에서 행해진다. 한편, 열처리 후의 보트(3)가 제1탑재부(19a)상으로 반송된 후, 보트(3)내의 처리된 반도체 웨이퍼(W)가 이재기구(22)에 의해 보트(3)로부터 캐리어 탑재부(11)상의 빈 캐리어(2)로 되돌려진다. 그 다음, 상기 사이클이 반복된다.
본 발명의 다른 실시예가 도 7 내지 도 10을 참조로 상세히 설명된다. 도 7은 본 발명의 종형 열처리장치의 다른 실시예의 대략적인 사시도이다. 도시의 편리성을 위해서, 처리장치의 외부 및 내측벽은 도 7에 도시되지 않았다. 보트 반송기구(105)는 제1탑재부로부터 보트 승강기(141)상으로 웨이퍼 보트(142)를 반송하 기 위한 제1선회암(151)과, 보트 승강기(141)로부터 제2탑재부로 웨이퍼 보트(142)를 반송하기 위한 제2선회암(152) 및, 제2탑재부로부터 제1탑재부로 웨이퍼 보트(142)를 반송하기 위한 보트 이동기구(153)를 구비하여 구성된다.
보트 이동기구(153)는 웨이퍼 보트(142)가 탑재된 보트 탑재대(154)와, 보트 탑재대(154)를 제1탑재부와 제2탑재부 사이로 안내하기 위한 가이드 래일(155) 및, 보트 탑재부(154)를 구동하기 위한 구동수단(도시되지 않았음)을 구비하여 구성된다.
제1선회암(151) 및 제2선회암(152)의 각 기부 선단부는 각 선회 중심샤프트(156 혹은 157)에 선회 가능하게 부착된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 플랜지부(147)가 웨이퍼 보트(142)의 저단부에 구비된다. 링 형상 돌기부(147a)가 보트 승강기(141)상의 열실린더(141a)와 함께 고정되기 위해 플랜지부(147)의 저부에 구비된다. 제1선회암(151)과 제2선회암(152)의 각 자유단은 링 형상 돌기부(147a)와의 간섭을 회피하기 위한 절개부를 갖고, 플랜지부(147)의 저부 표면을 지지하도록 적용된다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제1선회암(151)과 제2선회암(152) 각각은 암(151 혹은 152)상에 탑재된 웨이퍼 보트(142)의 플랜지부(147)를 횡으로 조이도록 적용되는 적어도 2개의 클램프부재(158)로 이루어진 클램프 기구를 갖는다. 특히, 개폐기구(도시되지 않았음)에 의해 웨이퍼 보트(142)의 플랜지부(147)를 조이고 푸는 데 클램프부재(158)가 적용된다. 또한, 스프링이나 탄성고무(도시되지 않았음)와 같은 탄성부재의 탄성력을 사용함으로써, 클램프부재(158)가 웨이퍼 보트(142)의 플랜지부(147)를 조이고 풀 수 있다. 따라서, 선회암(151 혹은152)이 선회되는 동안 웨이퍼 보트(142)가 떨어지는 것이 방지된다. 도 9에서, 참조부호 159는 제1선회암(151)이나 제2선회암(152)을 선회시키며 구동시키는 모터와 같은 구동수단을 가리킨다.
도 8에 있어서, 가상 X축은 보트 승강기(141)에 탑재된 웨이퍼 보트(142)의 중심축(A)을 통해서, 이재 탑재대(102)에 대해서 수평한 전/후방향으로 연장된다. 가상 Y축은 X축에 직교하는 수평방향으로 연장된다. 제1선회암(151)과 제2선회암(152)의 선회축(156,157)은 중심축(A)에 대해 대칭적으로 Y축상에 설치된다. 특히, 도 8에 도시된 바와 같이, 선회축(156,157)은 각각 로딩영역(104)의 좌우측에 배치된다.
도 8의 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이, 보트 탑재부(154)의 제1탑재부(P1)와 제2탑재부(P2)는 X축에 대해 대칭적으로 설치된다. 세정가스 흐름을 만들기 위한 필터장치(146)가 로딩영역(104)을 정의하는 제1탑재부(P1) 근방에서 횡벽(145)에 인접하게 배치된다. 필터장치(146)에 의해 만들어진 세정가스 흐름이 로딩영역(104)에서 제1탑재부(P1)를 통해서 제2탑재부(P2)를 향해 흐르도록 적용된다. 로딩영역(104)을 정의하는 제2탑재부(P2) 근방의 횡벽이 청정 가스를 흡수하는 데 적용된다. 선회암(151)이 필터장치(146) 아래에 위치된다.
로딩영역(104)내에서의 세정가스 흐름을 위해서, 바람직하게는 제1탑재부(P1)가 웨이퍼 보트를 로(140)내로 반입하는 데 사용되고, 바람직하게는 제2탑재부(P2)가 로(140)로부터 웨이퍼 보트를 반출하는데 사용된다. 특히, 제1탑 재부(P1)에서 반도체 웨이퍼(W)가 빈 웨이퍼 보트(142)내로 이동 탑재된다. 그 다음, 웨이퍼 보트(142)가 보트 승강기(141)상으로 반송되어 열처리로(140)내로 반입된다 (적재(積載)). 열처리 후의 웨이퍼 보트(142)가 보트 승강기(141)로부터 제2탑재부(P2)상으로 반송된다. 처리된 반도체 웨이퍼(W)가 제2탑재부(P2)에서 웨이퍼 보트(142)로부터 꺼내진다 (적하(積荷)). 따라서, 열처리전의 반도체 웨이퍼(W)가 세정가스 흐름에 노출되어 입자 등에 의해 오염되는 것이 방지되므로, 반도체 웨이퍼(W)가 그 표면을 청정하게 유지하며 열처리로내로 적재될 수 있다. 한편, 열처리 후의 웨이퍼(W)가 세정 가스 흐름의 영향 아래서 열처리로(140)로부터 반출된다. 따라서, 열처리 후의 웨이퍼(W)가 입자 등에 의해 오염될 수 있다. 그러나, 열처리 후의 웨이퍼(W)가 행금공정 및 다음의 처리공정으로 반송되므로, 웨이퍼의 표면에 입자가 부착되면, 행금공정에서 입자가 제거된다.
상기 열처리장치는 이하와 같이 동작된다. 우선, 카세트(120)가 도시되지 않은 오퍼레이터나 자동 반송로보트에 의해서 외측으로부터 이재 탑재대(102)상에 탑재된다. 카세트(120)가 웨이퍼를 이동 탑재하기 위해서, 카세트 이재장치(103)에 의해서 지지 탑재대(130)상으로 반송된다. 열처리의 처리상황에 의존하여 카세트(120)가 일시적으로 저장될 수 있다.
그 다음, 웨이퍼 이재장치(143)에 의해서 반도체 웨이퍼(W)가 지지대(130)상의 카세트(120)로부터 반출된다. 반도체 웨이퍼(W)가 노치 정렬기(144)에 의해 정렬되고, 제1탑재부(P1)에서 웨이퍼 보트(142)내로 반입된다. 웨이퍼 보트(142)가 제1선회암(151)에 의해 보트 승강기(141)상에 탑재되어, 열처리로(140)로 반입된 다.
열처리가 완료된 후, 웨이퍼 보트(142)는 열처리로(140)로부터 반출되고, 제2선회암(152)에 의해 보트 승강기(141)로부터 제2탑재부(P2)로 반송된다. 처리된 반도체 웨이퍼(W)가 웨이퍼 보트(142)로부터 꺼내지고, 웨이퍼 이재장치(143)에 의해서 지지 탑재대(130)상의 카세트(120)로 반송된다. 처리된 반도체 웨이퍼(W)로 채워진 카세트(120)가 이재 탑재대(102)를 통해서 외측으로 반송된다.
도 10a 내지 도 10f는 웨이퍼 보트의 이동 흐름을 대략적으로 나타낸 도면이다. 도 7 내지 도 9에서, 웨이퍼 보트는 동일한 참조부호 142로 가리켜지나, 도 10a 내지 도 10f에서는 2개의 웨이퍼 보트가 다른 참조부호 148과 149로 각각 가리켜진다. 더욱이, 도 10a 내지 도 10f에서, 참조부호 W1과 W2는 열처리 전의 웨이퍼와 열처리 후의 웨이퍼를 각각 가리킨다. 제1탑재부는 필터장치(146) 근방에 노출된다. 도 10a에서, 예컨대 제1탑재부는 웨이퍼 보트(149)에 의해 점유된 위치로서 보여진다.
제1웨이퍼 보트(148)가 열처리로(140)로 반입되어, 열처리가 진행하는 동안, 제1탑재부에서 열처리 전의 웨이퍼(W1)는 보트 탑재대(154)상에 탑재된 빈 제2웨이퍼 보트(149)내로 이동 탑재된다 (도 10a를 보자).
제1웨이퍼 보트(148)의 열처리가 완료된 후, 제1웨이퍼 보트(148)는 적하되어 제2선회암(152)에 의해 제2탑재부로 반송된다. 동시에, 제2웨이퍼 보트(149)가 제1선회암(151)에 의해 제1탑재부로부터 열처리로(140) 아래의 보트 승강기(141)상으로 반송된다 (도 10b를 보자). 그 다음, 제2선회암(152)으로부터 적하된 제1웨 이퍼보트(148)를 수취하기 위해서, 보트 탑재대(154)는 비게되고, 제1탑재부(P1)로부터 제2탑재부(P2)로 되돌려진다.
제2웨이퍼 보트(149)가 열처리로(140)내로 반입되어, 열처리가 진행되는 동안, 열처리 후의 웨이퍼(W2)는 제2탑재부에서 보트 탑재부(154)에 탑재된 제1웨이퍼 보트(148)로부터 꺼내진다 (도 10c를 보자).
제1웨이퍼 보트(148)가 빈 후, 보트 탑재대(154)는 그것상에 탑재된 제1웨이퍼 보트(148)와 함께, 제2탑재부(P2)로부터 제1탑재부(P1)로 이동한다. 열처리로(140)에서 제2웨이퍼 보트(149)가 열처리를 행하는 동안, 열처리 전의 웨이퍼(W1)는 제1탑재부에서 보트 탑재대(154)상에 탑재된 제1웨이퍼 보트(148)로 이동 탑재된다 (도 10d를 보자).
제2웨이퍼 보트(149)의 열처리가 완료된 후, 제2웨이퍼 보트(149)는 적하되고, 제2선회암(152)에 의해 제2탑재부로 반송된다. 동시에, 제1웨이퍼보트(148)는 제1선회암(151)에 의해 제1탑재부로부터 열처리로 아래의 보트승강기(141) 상으로 반송된다 (도 10e를 보자). 그 다음, 제2선회암(152)으로부터 적하된 제2웨이퍼 보트(149)를 수취하기 위해서, 보트 탑재대(154)는 비게되고, 제1탑재부(P1)로부터 제2탑재부(P2)로 되돌려진다.
제1웨이퍼보트(148)가 열처리로(140)내로 적재되어 열처리를 겪는 동안, 열처리 후의 웨이퍼(W2)는 제2탑재부에서 보트 탑재부(154)상에 탑재된 제2웨이퍼보트(149)로부터 꺼내진다 (도 10f를 보자).
제2웨이퍼 보트(149)가 빈 후, 그것상에 탑재된 제2웨이퍼보트(149)와 함께 보트탑재대(154)가 제2탑재부(P2)로부터 제1탑재부(P1)로 이동한다. 그 다음, 도 10a에서 도 10f의 싸이클이 반복된다.
상기 실시예에 있어서, 선회암(151,152)의 선회축(156,157)이 보트 승강기(141)상에 탑재된 웨이퍼 보트(142)의 중심축(A)에 대해서 Y축상에 대칭적으로 설치된다. 제1탑재부(P1) 및 제2탑재부(P2)는, Y축에 직교하고 중심축(A)을 통과하는 X축에 대해서 대칭적으로, 중심축(A)에 대한 이재 탑재대(102)의 한 측면에 설치된다. 그러므로, 제1탑재부 및 제2탑재부가 로딩영역(104)의 한 측면영역내에서 X축에 대해 횡방향으로 설치되고, 단지 하나의 암이 웨이퍼보트를 전달하는 통상적인 장치에 비교해서, 열처리장치의 폭이 효과적으로 감소될 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변형을 실시할 수 있다. 예컨대, 기판은 반도체 웨이퍼일 뿐 아니라 글래스 기판이나 LCD기판으로 될 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 개구로부터 뚜껑이 개방되어 열처리 후의 보트가 반출될 때, 로의 개구로부터 방출되는 열에 의해 야기되는 바람직하지 않은 영향을 감소시킬 수 있는 종형 열처리장치를 제공할 수 있다.
또한, 보트와 이재기구의 간섭을 방지하기 위해서, 보트가 반송될 때, 보트의 이동궤적으로부터 이재기구를 횡방향으로 퇴피(退避)시키고, 보트의 이동궤적과 기판의 이재기구의 점유공간을 오버랩시킴으로써, 기판의 처리능력을 향상시킬 수 있다.
또한, 캐리어 탑재부의 상하방향의 중심선상을 따라서 노치정렬기구를 설치하고, 높이를 증가시키지 않고 폭 및 깊이를 감소시킴으로써, 종형 열처리장치의 소형화를 달성할 수 있다.
또한, 보트 반송시에 기판의 오염이 제한될 수 있는 보트 반송방법을 제공할 수 있다.
Claims (10)
- 삭제
- 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구를 갖춘 열처리로와,기판을 상하 다단으로 지지하는 보트가 탑재되고, 탑재된 보트와 함께 종형 열처리로의 개구를 개폐시킬 수 있는 제1뚜껑,보트 및 다른 보트가 탑재될 수 있는 보트 탑재부,보트 탑재부와 제1뚜껑 사이에서 2개의 보트를 교대로 반송하기 위한 보트 반송기구 및,제1뚜껑이 개구를 개방함에도 불구하고 개구를 통해 통과하는 보트가 없을 때, 종형 열처리로의 개구를 폐쇄하기 위한 제2뚜껑을 갖추어 이루어지되,상기 제2뚜껑은 개구를 개방하기 위해서, 종형 열처리로의 개구의 외측표면에 대해서 종방향 및 횡방향으로 움직일 수 있는 셔터인 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 삭제
- 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구를 갖춘 열처리로와,기판을 상하 다단으로 지지하는 보트가 탑재되고, 탑재된 보트와 함께 종형 열처리로의 개구를 개폐시킬 수 있는 제1뚜껑,보트 및 다른 보트가 탑재될 수 있는 보트 탑재부,보트 탑재부와 제1뚜껑 사이에서 2개의 보트를 교대로 반송하기 위한 보트 반송기구 및,제1뚜껑이 개구를 개방함에도 불구하고 개구를 통해 통과하는 보트가 없을 때, 종형 열처리로의 개구를 폐쇄하기 위한 제2뚜껑을 갖추어 이루어지되,상기 기판을 수용하는 캐리어가 탑재될 수 있는 캐리어 탑재부와,캐리어 탑재부상에 탑재된 캐리어와 보트 탑재부상에 탑재된 보트 사이에서 기판을 이동 탑재하기 위한 이재기구를 더 갖추고서,보트 반송기구에 의해 보트가 반송될 때, 이재기구가 보트와 간섭되지 않도록 이재기구가 신축되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 제4항에 있어서, 기판에 구비된 노치를 정렬하기 위해서, 캐리어 탑재부의 수직 중심선을 따라 설치된 노치 정렬기구를 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구를 갖춘 열처리로와,기판을 상하 다단으로 지지하는 보트가 탑재되고, 탑재된 보트와 함께 종형 열처리로의 개구를 개폐시킬 수 있는 제1뚜껑,보트 및 다른 보트가 탑재될 수 있는 보트 탑재부,보트 탑재부와 제1뚜껑 사이에서 2개의 보트를 교대로 반송하기 위한 보트 반송기구 및,제1뚜껑이 개구를 개방함에도 불구하고 개구를 통해 통과하는 보트가 없을 때, 종형 열처리로의 개구를 폐쇄하기 위한 제2뚜껑을 갖추어 이루어지되,상기 보트 반송기구가,회전축과 선단부를 갖추고, 상하로 승강되고 회전축 주위로 수평하게 회전될 수 있는 제1암과,선단부 주위로 수평하게 회전될 수 있도록 선단부에서 지지되고, 보트의 중심이 제1암의 회전축에 걸쳐 통과되도록 보트를 수직으로 지지하고 보트를 반송시킬 수 있는 제2암을 포함하고,제1암과 제2암을 동시에 회전시킴으로써, 제1암의 회전축에 대해서 방사방향(radial direction)으로 보트를 반송할 수 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 제6항에 있어서, 이재기구가 보트 반송기구상에서 상하로 움직이는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구를 갖춘 열처리로와,기판을 상하 다단으로 지지하는 보트가 탑재되고, 탑재된 보트와 함께 종형 열처리로의 개구를 개폐시킬 수 있는 제1뚜껑,보트 및 다른 보트가 탑재될 수 있는 보트 탑재부,보트 탑재부와 제1뚜껑 사이에서 2개의 보트를 교대로 반송하기 위한 보트 반송기구 및,제1뚜껑이 개구를 개방함에도 불구하고 개구를 통해 통과하는 보트가 없을 때, 종형 열처리로의 개구를 폐쇄하기 위한 제2뚜껑을 갖추어 이루어지되,송풍장치가 세정가스 흐름을 만들기 위해서 보트 탑재부에 인접하게 배치된 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 제8항에 있어서, 보트 탑재부가 제1탑재부와, 이 제1탑재부와 제1뚜껑 사이에 설치된 제2탑재부를 갖추고,송풍장치에 의해서 만들어진 세정가스 흐름에 대해서 제2탑재부의 바람의 영향아래서 보트가 통과 되도록, 제1탑재부로부터 제2탑재부로, 제2탑재부로부터 제1뚜껑으로, 제1뚜껑으로부터 제1탑재부로 보트를 반송하도록 보트 반송기구가 동작될 수 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 바닥부와 이 바닥부에 구비된 개구를 갖춘 종형 열처리로와, 기판을 상하 다단으로 지지하는 보트가 탑재되고 탑재된 보트와 함께 종형 열처리로의 개구를 개폐할 수 있는 제1뚜껑, 제1탑재부와 이 제1탑재부와 제1뚜껑 사이에 설치된 제2탑재부를 갖춘 보트 탑재부, 제1뚜껑이 개구를 개방함에도 불구하고 개구를 통해 통과하는 보트가 없을 때 종형 열처리로의 개구를 폐쇄하기 위한 제2뚜껑, 기판을 수용하는 캐리어가 탑재될 수 있는 캐리어 탑재부, 캐리어 탑재부상에 탑재된 캐리어와 보트 탑재부상에 탑재된 보트 사이에서 기판을 이동 탑재하기 위한 이재기구, 세정가스 흐름을 만들기 위해서 보트 탑재부에 인접하게 배치된 송풍장치, 송풍장치에 의해 만들어진 세정가스 흐름에 대해서 제2탑재부의 바람의 영향 아래서 보트가 통과하도록, 제1탑재부로부터 제2탑재부로, 제2탑재부로부터 제1뚜껑으로, 제1뚜껑으로부터 제1탑재부로 보트를 반송하기 위한 보트 반송기구를 구비하여 기판 처리장치가 구성되고,보트 반송기구에 의해서 제1탑재부로부터 제2탑재부로 제1보트를 반송하는 단계와,송풍장치에 의해서 만들어진 세정가스 흐름에 대해서 제2탑재부의 바람의 영향 아래서 제2보트가 통과되도록, 보트 반송기구에 의해서 제1뚜껑으로부터 제1탑재부로 제2보트를 반송하는 단계 및,보트 반송기구에 의해서 제2탑재부로부터 제1뚜껑으로 제1보트를 반송하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리장치를 이용하는 기판 처리방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32756898A JP3664897B2 (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | 縦型熱処理装置 |
JP1998-327568 | 1998-11-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000034872A KR20000034872A (ko) | 2000-06-26 |
KR100549786B1 true KR100549786B1 (ko) | 2006-02-08 |
Family
ID=18200528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990022238A KR100549786B1 (ko) | 1998-11-18 | 1999-06-15 | 기판 처리장치 및 기판 처리방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6247245B1 (ko) |
JP (1) | JP3664897B2 (ko) |
KR (1) | KR100549786B1 (ko) |
TW (1) | TW514956B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8267633B2 (en) | 2008-08-13 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | FOUP opening/closing device and probe apparatus |
Families Citing this family (334)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4255091B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2009-04-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造方法 |
US6641350B2 (en) * | 2000-04-17 | 2003-11-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Dual loading port semiconductor processing equipment |
JP4653875B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2011-03-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
KR100745867B1 (ko) | 2000-08-23 | 2007-08-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 수직열처리장치 및 피처리체를 운송하는 방법 |
KR100733168B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2007-06-28 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 수직열처리장치와 수직열처리장치의 제어방법 |
KR100788068B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2007-12-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 피처리체의 처리시스템 |
KR20020019414A (ko) * | 2000-09-05 | 2002-03-12 | 엔도 마코토 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법 |
JP2002100664A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法および装置 |
TW522127B (en) * | 2001-02-21 | 2003-03-01 | Daifuku Kk | Cargo storage facility |
JP4923361B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP5031960B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2012-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US7431585B2 (en) * | 2002-01-24 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for heating substrates |
FR2844258B1 (fr) * | 2002-09-06 | 2005-06-03 | Recif Sa | Systeme de transport et stockage de conteneurs de plaques de semi-conducteur, et mecanisme de transfert |
JP2004103990A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US6774012B1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-08-10 | Cypress Semiconductor Corp. | Furnace system and method for selectively oxidizing a sidewall surface of a gate conductor by oxidizing a silicon sidewall in lieu of a refractory metal sidewall |
JP2005311306A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法 |
JP4358690B2 (ja) | 2004-06-30 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びその運用方法 |
ATE527690T1 (de) * | 2004-08-23 | 2011-10-15 | Murata Machinery Ltd | Werkzeuglade- und pufferungssystem auf liftbasis |
US8025473B2 (en) * | 2004-10-25 | 2011-09-27 | Tokyo Electron Limited | Carrying system, substrate treating device, and carrying method |
US7771563B2 (en) * | 2004-11-18 | 2010-08-10 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems |
JP2006237559A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4842227B2 (ja) | 2006-09-13 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置における地震被害拡散低減システム |
US8252640B1 (en) | 2006-11-02 | 2012-08-28 | Kapre Ravindra M | Polycrystalline silicon activation RTA |
US8747052B2 (en) * | 2006-11-22 | 2014-06-10 | Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. | Automation for high throughput semiconductor batch-wafer processing equipment |
JP4335908B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2009-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法 |
JP4327206B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法 |
US8814488B2 (en) * | 2007-04-02 | 2014-08-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
US8190277B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-05-29 | Tokyo Electron Limited | Method for limiting expansion of earthquake damage and system for limiting expansion of earthquake damage for use in semiconductor manufacturing apparatus |
JP5511273B2 (ja) | 2008-09-12 | 2014-06-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
JP2012004536A (ja) * | 2010-05-20 | 2012-01-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2011018908A (ja) * | 2010-07-15 | 2011-01-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP5654807B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2015-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法及び記憶媒体 |
JP5901978B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2016-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理装置制御プログラム、及び半導体装置の製造方法 |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
JP6278751B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送方法及び基板処理装置 |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9852936B2 (en) * | 2015-01-29 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Load port and method for loading and unloading cassette |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
JP6862163B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2021-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
KR20200038184A (ko) | 2018-10-01 | 2020-04-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5464313A (en) * | 1993-02-08 | 1995-11-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus |
JPH09289173A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4770590A (en) | 1986-05-16 | 1988-09-13 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat |
KR0147387B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1998-11-02 | 이노우에 다케시 | 종형 열처리 장치 |
US5261935A (en) * | 1990-09-26 | 1993-11-16 | Tokyo Electron Sagami Limited | Clean air apparatus |
US5697749A (en) * | 1992-07-17 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus |
TW245823B (ko) * | 1992-10-05 | 1995-04-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5514196A (en) * | 1993-02-04 | 1996-05-07 | Tokyo Electron Limited | Air cleaning apparatus |
KR100221983B1 (ko) * | 1993-04-13 | 1999-09-15 | 히가시 데쓰로 | 처리장치 |
US5645419A (en) * | 1994-03-29 | 1997-07-08 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and device |
DE59611078D1 (de) * | 1995-03-28 | 2004-10-14 | Brooks Automation Gmbh | Be- und Entladestation für Halbleiterbearbeitungsanlagen |
JP3654684B2 (ja) * | 1995-05-01 | 2005-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
JP3478364B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2003-12-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
US5820366A (en) * | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
JP3570827B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2004-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
NL1005410C2 (nl) * | 1997-02-28 | 1998-08-31 | Advanced Semiconductor Mat | Stelsel voor het laden, behandelen en ontladen van op een drager aangebrachte substraten. |
US6204194B1 (en) * | 1998-01-16 | 2001-03-20 | F.T.L. Co., Ltd. | Method and apparatus for producing a semiconductor device |
JP3656701B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2005-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US6030208A (en) * | 1998-06-09 | 2000-02-29 | Semitool, Inc. | Thermal processor |
JP3487497B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2004-01-19 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 被処理体収容治具及びこれを用いた熱処理装置 |
TW430866B (en) * | 1998-11-26 | 2001-04-21 | Tokyo Electron Ltd | Thermal treatment apparatus |
-
1998
- 1998-11-18 JP JP32756898A patent/JP3664897B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-28 US US09/321,542 patent/US6247245B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-29 TW TW088108932A patent/TW514956B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-15 KR KR1019990022238A patent/KR100549786B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-04-26 US US09/842,071 patent/US6327794B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 US US09/983,241 patent/US6493961B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5464313A (en) * | 1993-02-08 | 1995-11-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus |
JPH09289173A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8267633B2 (en) | 2008-08-13 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | FOUP opening/closing device and probe apparatus |
KR101279318B1 (ko) | 2008-08-13 | 2013-06-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Foup 개폐 장치 및 프로브 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW514956B (en) | 2002-12-21 |
KR20000034872A (ko) | 2000-06-26 |
US6493961B2 (en) | 2002-12-17 |
US20020026728A1 (en) | 2002-03-07 |
US6327794B2 (en) | 2001-12-11 |
JP3664897B2 (ja) | 2005-06-29 |
JP2000150400A (ja) | 2000-05-30 |
US20010016307A1 (en) | 2001-08-23 |
US6247245B1 (en) | 2001-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100549786B1 (ko) | 기판 처리장치 및 기판 처리방법 | |
KR100367021B1 (ko) | 처리 장치 | |
KR100676516B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR100395997B1 (ko) | 세정·건조처리장치,기판의처리장치및기판의처리방법 | |
KR19980041847A (ko) | 기판 처리시스템 | |
KR20020019414A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법 | |
KR100350693B1 (ko) | 카세트 반송 기구 | |
JP2002517055A (ja) | 基板取扱いおよび処理システムと方法 | |
JP2007088279A (ja) | 基板処理システム及び方法 | |
JP2002110609A (ja) | 洗浄処理装置 | |
KR20220037977A (ko) | 기판 세정 장치, 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법 | |
WO1999052143A1 (fr) | Mecanisme d'alignement et dispositif de traitement de semi-conducteurs utilisant ce mecanisme | |
JP5526988B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理システム | |
JPH0786373A (ja) | 基板の姿勢変換装置 | |
JP2001230185A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
KR20220037989A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JPH1131729A (ja) | 基板収納容器供給装置 | |
KR100274308B1 (ko) | 멀티 챔버 처리시스템 | |
JPH05326666A (ja) | 搬送装置 | |
JP2582578Y2 (ja) | 多室式半導体処理装置 | |
JP3638393B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US6030459A (en) | Low-pressure processing device | |
JP2001298011A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP2000340631A (ja) | ウェーハ搬送用台車 | |
TWI762668B (zh) | 基板搬送裝置及基板搬送方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130118 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140117 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160105 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |