JP2001230185A - 現像処理方法及び現像処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハ表面全面に渡り，現像液を同時期に同
圧力で接触させることができる現像処理装置を提供す
る。 【解決手段】 現像処理装置２０の現像部２０ａ内に現
像液を含む所定濃度の混合液を貯留する貯留容器６１を
設ける。貯留容器６１上方には，ウェハＷの処理面Ｓを
下方に向けて吸着保持する保持手段７０を設ける。この
保持手段７０は，ウェハＷを上下移動可能とするシリン
ダ７２を有している。そして，ウェハＷがこの保持手段
７０に保持され，シリンダ７２により下降され，上述し
た貯留容器６１内の混合液にウェハＷ処理面Ｓのみが浸
漬される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の現像処理方
法と現像処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後の
ウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ，ウ
ェハに所定の回路パターンを形成する。

【０００３】上述した現像処理では，ウェハの直径上の
位置にほぼ直径の長さを有し，長手方向に沿って多数の
供給口が形成されている細長の現像液供給ノズルを用い
る。そして，この現像液供給ノズルが直径上に位置さ
れ，ウェハを少なくとも半回転以上低速で回転させるよ
うにして，ウェハの全面に現像液を所定量供給し，その
後ウェハを一定時間静止状態においた後にウェハ上の現
像液を洗い流すようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
たような現像方式では，現像液供給ノズルがウェハに対
して相対的に回転しながらウェハ表面に現像液を供給す
るため，ウェハ上の各部分に現像液が供給されるタイミ
ング，すなわち現像開始タイミングが異なり，現像時間
に差が生じる。また，現像液供給開始時に供給口から現
像液が供給されるウェハの部分，すなわち現像液のファ
ーストインパクトを受ける部分とその後のウェハの回転
により現像液が供給される部分とでは，現像液の供給圧
に差が生じる。このように，ウェハ上の各部分において
現像時間，供給圧が異なると，ウェハ全面に渡り均一な
現像処理が行われず，ウェハの現像欠陥，線幅不良，形
状不良等を引き起こすおそれがある。

【０００５】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，ウェハ表面全面に渡り，同時期に同圧力で現像
液と接触させることができる現像処理方法とそれらの機
能を備えた現像処理装置を提供することをその目的とし
ている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１によれば，現像
液によって基板の表面を現像する現像処理方法であっ
て，前記基板の表面を下方に向けた状態で保持する工程
と，貯留容器内に貯留されている現像液に前記基板の表
面のみを浸漬させて，前記基板を現像させる工程と有す
ることを特徴とする基板の現像処理方法が提供される。

【０００７】このように，基板表面を下方に向けた状態
で保持した後，この基板を貯留されている現像液に浸漬
させて，基板表面のみを現像することにより，基板表面
が現像液に同時に接触され，結果的に基板全面に渡っ
て，現像液が同時期に同圧力で供給される。したがっ
て，基板面内において，現像時間が同一となり，また基
板と現像液との接触圧力が同一となるため，基板が均一
に現像される。また，基板の表面のみを浸漬させるた
め，現像液による基板裏面の汚染が防止される。さら
に，基板表面のみを浸漬させるだけの現像液の量で足り
るため，現像液の節約が図られる。なお，基板表面と
は，現像処理が施される処理面をいう。

【０００８】請求項２によれば，現像液によって基板の
表面を現像する現像処理方法であって，前記現像液と純
水との所定濃度の混合液を貯留容器に貯留する工程と，
前記基板の表面を下方に向けた状態で保持する工程と，
前記混合液に前記基板の表面のみを浸漬させて，前記基
板を現像する工程を有することを特徴とする基板の現像
処理方法が提供される。

【０００９】現像液の種類によっては，基板上の塗布液
と現像液とが反応して現像欠陥等の原因となる副生成物
が生成されることがあるが，請求項２のように，純粋な
現像液でなく所定濃度の混合液に浸漬させることによ
り，かかる場合であっても前記浸積の初期からの前記反
応が抑制され副生成物の生成が抑制される。なお，前記
現像液と純水との所定濃度の混合液を貯留容器に貯留す
る工程とは，前記貯留容器に現像液と純水を別々に供給
する場合のみならず，予め所定濃度に混合されている混
合液を貯留容器に供給して，貯留する場合も含まれる。

【００１０】かかる請求項２の発明において，請求項３
のように，前記貯留容器に現像液を供給し，前記混合液
の濃度を変更する工程を有するようにしてもよい。この
ように，前記混合液に基板を浸漬させた後に，前記混合
液に現像液を加え前記混合液の濃度を変更させることに
より，例えば，当初は前記所定濃度よりも低い濃度の混
合液に基板を浸漬させ，その後現像液を加えて現像処理
に適した所定濃度の混合液にすることができる。それ
故，基板上の塗布液と混合液中の現像液とが反応して副
生成物が生成されやすい当初は，混合液の濃度を低くし
ておき，その後徐々に濃度を上げて，所定の現像処理を
行うことが可能となる。

【００１１】上述した各現像処理方法において，請求項
４の発明のように，前記貯留容器内の液面に対して，前
記基板を所定角度傾けて，前記基板表面を液面に接触さ
せる工程を有するようにしてもよい。このように，前記
基板の表面を前記液面に接触させる際に，前記基板を液
面に対して傾斜させることにより，基板の着液時に周辺
から巻き込まれた気体がこの傾斜に沿って上昇し，この
気体が基板表面から排除される。したがって，巻き込ま
れた気体が例えば気泡となって基板表面に付着すること
により引き起こされる現像欠陥等が防止される。

【００１２】請求項５の発明によれば，前記貯留容器内
の液面に対して，前記基板を下側に凸状にして，前記基
板表面を液面に接触させる工程を有することを特徴とす
る基板の現像処理方法が提供される。

【００１３】この請求項５によれば，前記基板が下に凸
状に反った状態で前記液面に接触されるため，基板の中
心から徐々に周辺部へと浸漬されることとなり，周辺部
から気体を巻き込むことはない。また，仮に基板の中心
部に気体が取り込まれたとしても，この気体は次第に周
辺部へと追いやられ，気体を基板表面から排出すること
ができる。したがって，前記気体により引き起こされる
現像欠陥等が防止される。

【００１４】上述した各現像処理方法において，請求項
６のように，前記基板の現像後に少なくとも前記基板の
表面を洗浄する工程を有するようにしてもよい。このよ
うに，前記基板の表面を洗浄することにより，現像液を
洗い流すことができる。したがって，この現像処理後に
行われる処理を好適に行うことができる。なお，少なく
とも基板表面を洗浄する工程であるので，その際に基板
の裏面も洗浄してもよい。

【００１５】請求項７の発明によれば，前記基板を洗浄
する洗浄部を有し，前記基板を前記貯留容器から取り出
して，この基板を前記洗浄部に搬送する工程と，前記基
板の少なくとも表面を洗浄する工程とを有することを特
徴とする基板の現像処理方法が提供される。

【００１６】このように，基板を洗浄する洗浄部を前記
貯留容器と個別に配置し，前記貯留容器に浸漬されてい
た基板をこの洗浄部まで搬送して洗浄することにより，
前記浸漬工程と前記洗浄工程が異なる場所で行われるた
め，２枚の基板を同時並行的に処理させることができ
る。すなわち，一枚の基板が洗浄されているときに他の
基板を現像液に浸漬させて現像させることができる。こ
のため，所定数の基板を所定期間内に処理する場合に必
要となる現像処理装置の数を低減させることができる。
したがって，これらの現像処理装置間に必ず存在する処
理精度の誤差により生じる最終線幅の相違等が減少し，
好適に多数の現像処理が行われる。また，現像液又は前
記混合液と洗浄液が混ざることがないため，容易に再利
用することができる。

【００１７】上述した請求項６又は７の現像処理方法に
おいて，請求項８のように，前記基板を洗浄する工程後
に，前記基板を乾燥させる工程を有するようにしてもよ
い。このように，基板を乾燥させる工程を有することに
より，上述したように現像し，洗浄した基板を乾燥させ
ることができる。したがって，洗浄液により濡れた基板
を乾燥させ，現像処理後の処理を好適に行うことができ
る。

【００１８】請求項９の発明によれば，現像液によって
基板の表面を現像する現像処理装置であって，前記基板
の表面を下方に向けた状態で保持する保持手段と，少な
くとも前記現像液を含む処理液を貯留する貯留容器を有
し，前記基板の表面が前記処理液に浸漬可能となるよう
に，前記保持手段と前記貯留容器とが相対的に上下方向
に移動自在であることを特徴とする基板の現像処理装置
が提供される。

【００１９】このように，前記基板の表面を下方に向け
て保持する保持手段と前記現像液を貯留する貯留容器を
有し，この保持手段と貯留容器が相対的に移動可能設け
ることにより，前記基板の表面を現像液の液面に浸漬さ
せる等の上述した請求項１〜３の現像処理方法を好適に
実施することができる。したがって，基板面内において
均一に現像処理が施されるため，現像欠陥，線幅不良等
が防止される。なお，前記処理液は，現像液と純水との
混合液や，純粋な現像液をも含む意味である。

【００２０】かかる請求項９の発明において，請求項１
０のように，前記保持手段が保持する基板を水平面に対
し傾斜可能に構成されるようにしてもよい。このよう
に，前記保持手段に前記基板を傾斜させる機能を設ける
ことにより，前記基板を前記貯留容器の処理液の液面に
対して傾斜させて，前記基板表面を処理液に接触させる
ことが可能となり，上述した請求項４の現像処理方法が
好適に実施される。したがって，前記接触時に巻き込ま
れた気体が基板の表面から排除され，現像欠陥等が防止
される。なお，前記保持手段が保持する前記基板を水平
面に傾斜可能とは，前記保持手段が基板を予め傾斜させ
て保持する場合や，保持してから傾斜させる場合も含
む。

【００２１】また，請求項１１のように，前記保持手段
が，前記基板の裏面を複数箇所で吸着保持する吸着部を
有し，前記基板が下側に凸状になるように，前記複数の
吸着部は配置されるようにしてもよい。このとき，請求
項１２のように，前記複数の吸着部の内，少なくとも一
つの吸着部は，前記基板の中心付近を吸着し，他の吸着
部は，前記基板の周辺部を吸着するように前記複数の吸
着部は配置されており，前記基板の中心付近を吸着する
吸着部は，基板の周辺部を吸着する他の吸着部よりも相
対的に下方に突出しているようにしてもよい。このよう
にして，前記保持手段に前記吸着部を設けることによ
り，基板が下側に凸状に反って保持されるため，上述し
た請求項５に記載の現像処理方法が好適に実施される。
従って，基板表面が貯留容器の処理液と接触する際に，
周辺部の気体が基板表面に巻き込まれることが防止さ
れ，仮に気体が巻き込まれたとしてもこの気体を排除で
きる。したがって，気体の巻き込み等による現像欠陥等
が防止される。

【００２２】また，請求項１３のように，基板の裏面を
吸着する前記保持手段の面が，下側に凸状に湾曲して形
成されるようにしても，請求項１１又は１２と同様に請
求項５に記載の現像処理方法が好適に実施され，その結
果，現像欠陥等が防止される。

【００２３】請求項１４の発明によれば，処理液を貯留
する貯留容器に現像液を供給する現像液供給手段と，前
記処理液を排液する排液手段を有することを特徴とする
基板の現像処理装置が提供される。

【００２４】このように，前記貯留容器に現像液を供給
する現像液供給手段を設けることにより，前記基板表面
を処理液に浸漬する前に貯留容器に現像液を供給し貯留
させておいたり，先に純水と現像液との低濃度の混合液
を前記貯留容器に貯留しておいた場合には，基板表面を
浸積した後に貯留容器に現像液を加えて，前記処理液の
濃度を変更させることができる。したがって，上述した
請求項１〜３の現像処理方法が好適に実施されるため，
基板面内において均一に現像処理が施され，現像欠陥，
線幅不良等が防止される。また，処理液を排液する排液
手段を設けることにより，処理液を必要に応じて交換す
ることができ，新鮮な処理液を用いて基板表面を現像す
ることができる。

【００２５】また，請求項１５の発明によれば，処理液
を貯留する貯留容器は，前記貯留容器に純水を供給する
純水供給手段を有することを特徴とする基板の現像処理
装置が提供される。

【００２６】このように，純水供給手段を有することに
より，貯留容器に純水を供給して，現像液と混合して所
定濃度の処理液を前記貯留容器に貯留することができ
る。また，前記処理液を交換する際に前記処理液を排液
した後に，純水を貯留容器に供給し，貯留容器を洗浄す
ることができる。したがって，清浄に保たれた貯留容器
に所定濃度の処理液を貯留し，上述した現像処理を好適
に行うことができる。

【００２７】さらに，かかる請求項１５の発明におい
て，請求項１６のように前記純水が供給される供給口
が，前記貯留容器の処理液の液面より高い位置に設ける
ようにしてもよい。このように，前記供給口を貯留容器
に貯留される処理液の液面よりも高い位置に設けること
により，前記処理液を排液する際に，前記供給口から純
水を供給して前記貯留容器に付着した汚れた処理液を好
適に洗い流すことができる。したがって，貯留容器の汚
染を原因とする処理液の汚染が防止され，現像処理が好
適に実施される。

【００２８】上述した各現像処理装置において，請求項
１７のように，前記基板の表面に洗浄液を供給する洗浄
液供給手段を有するようにしてもよい。このように，洗
浄液供給手段を設けることにより，上述したように，前
記基板表面を前記処理液に浸漬させて所定時間現像した
後に，基板に洗浄液を供給し，処理液の付着した前記基
板を洗浄することができる。

【００２９】かかる請求項１７の発明において，請求項
１８のように，基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄
液供給手段を有するようにしてもよい。このように，基
板の裏面に洗浄液を供給し，基板の裏面をも洗浄するこ
とにより，現像時に過って基板裏面に付着した処理液を
洗浄することができる。

【００３０】また，請求項１９の発明によれば，請求項
１７又は１８において，前記保持手段が，所定速度で回
転自在に構成されていることを特徴とする基板の現像処
理装置が提供される。このように，前記保持手段に回転
機能を取り付けることにより，前記基板の洗浄により前
記基板に付着した洗浄液を遠心力により振り切り，前記
基板を乾燥させることができる。したがって，基板の乾
燥処理が上述した現像，洗浄時に基板を保持していた保
持手段により行われ，別途乾燥用の装置を設ける必要が
無くなる。

【００３１】請求項２０の発明によれば，請求項９〜１
６の各現像処理装置において，基板を洗浄する洗浄部が
前記貯留容器に隣接して設けられており，前記洗浄部
は，基板の表面を下方に向けて保持する他の保持手段を
有し，前記洗浄部内に基板を搬送する搬送手段を有する
ことを特徴とする基板の現像処理装置が提供される。

【００３２】このように，前記洗浄部を個別に設け，基
板を前記貯留容器から前記洗浄部に搬送する搬送手段を
有し，さらに洗浄部内に搬送された基板を基板表面を下
方に向けて保持する他の保持手段を有することにより，
上述した請求項７の現像処理方法を好適に実施すること
ができる。したがって，必要となる現像処理装置の数が
削減され，請求項７と同様，現像処理装置間のばらつき
が減少されるため，多数の基板の現像処理を好適に行う
ことができる。

【００３３】かかる請求項２０の発明において，請求項
２１のように，洗浄部は，前記基板の表面に洗浄液を供
給する洗浄液供給手段を有するようにしてもよい。この
ように，洗浄液供給手段により基板表面に直接洗浄液を
供給して，基板表面を洗浄することにより，基板表面に
付着した処理液を好適に洗浄することができる。

【００３４】さらに，請求項２２のように前記洗浄部
が，前記基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給
手段を有するようにしてもよい。このように，基板の裏
面に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給手段を設けること
により，基板裏面の洗浄をも行うことが可能となる。

【００３５】請求項２３の発明によれば，請求項２１又
は２２において，前記他の保持手段は，所定速度で回転
自在に構成されていることを特徴とする基板の現像処理
装置が提供される。

【００３６】このように，前記他の保持手段に回転機能
を取り付けることにより，前記基板の洗浄により前記基
板に付着した洗浄液を遠心力により振り切り，前記基板
を乾燥させることができる。したがって，基板の乾燥処
理が上述した洗浄時に基板を保持していた他の保持手段
により行われ，別途乾燥用の装置を設ける必要が無くな
る。

【００３７】請求項２４の発明によれば，前記洗浄液を
所定温度に設定可能とする温度調節手段を有することを
特徴とする基板の現像処理装置が提供される。

【００３８】請求項２４では，前記洗浄液の温度を調節
する温度調節装置を設けているため，洗浄力が高くなる
最適温度に洗浄液を調節し，その洗浄液により基板の洗
浄を行うことができる。したがって，基板の現像に使用
された処理液に応じて，洗浄液の温度を設定し，効率よ
く基板の洗浄を行うことができる。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる現
像処理装置を有する塗布現像処理システム１の平面図で
あり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であ
り，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

【００４０】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００４１】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００４２】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。

【００４３】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されて
おり，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理
システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３
は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４
の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して
配置されている。さらにオプションとして破線で示した
第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となって
いる。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ
１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処
理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。また，
本実施に形態にかかる現像処理装置においては，ウェハ
Ｗを反転し，ウェハＷの表面としての処理面を下方に向
ける必要があるため，主搬送装置１３と現像処理装置の
ある第２の処理装置群Ｇ２との間には，反転装置５５が
設けられており，この反転装置５５は，主搬送装置１３
から受け取ったウェハＷを反転させることができる。

【００４４】第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に
示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置１７と，本実施の形態にかかる現像処理装置２
０の現像部２０ａが下から順に２段に配置されている。
処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１９
と，本実施の形態にかかる現像処理装置２０の洗浄部２
０ｂとが下から順に２段に積み重ねられている。

【００４５】第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に
示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に
例えば７段に重ねられている。

【００４６】第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリ
ング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエク
ステンション・クーリング装置４１，エクステンション
装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理
を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４
５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例
えば８段に積み重ねられている。

【００４７】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４
に属するエクステンション・クーリング装置４１，エク
ステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しな
い露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハ
Ｗを搬送できるように構成されている。

【００４８】上述した現像処理装置２０の構造につい
て，詳しく説明する。図４，図５に示すように，現像処
理装置２０のチャンバー６０内には，ウェハＷを処理液
としての現像液と純水との混合液に浸漬して現像する現
像部２０ａと現像後のウェハＷを洗浄・乾燥させる洗浄
部２０ｂとが設けられている。

【００４９】先ず，現像部２０ａについて説明すると，
図５に示すように現像部２０ａ内には，上述した現像液
を含む混合液を貯留する貯留容器６１が設けられてい
る。この貯留容器６１は，前記混合液が貯留された場合
に少なくともウェハＷの処理面Ｓよりも広い液面が形成
されるように構成されている。すなわち，ウェハＷの処
理面Ｓを混合液の液面に対し略平行に接触させることが
できるように構成されている。

【００５０】貯留容器６１下部は，中心が低くなるよう
に傾斜しており，この中心には，貯留されている混合液
を排液する排液管６２が設けられている。この排液管６
２には，弁６３が取り付けられている。従って，ウェハ
Ｗの現像に用いられた混合液を新しいものと交換する際
には，弁６３が開放され，この排液管６２から前記混合
液を排液することができる。

【００５１】この貯留容器６１には，この貯留容器６１
に現像液を供給する現像液供給手段６５が設けられてい
る。この現像液供給手段６５は，現像部２０ａ外に設け
られた現像液供給源６５ａと貯留容器６１内に設けられ
た現像液供給口６５ｃとを有し，現像液供給手段６５
は，現像液供給源６５ａの現像液を現像液供給管６５ｂ
を通じて，現像液供給口６５ｃから貯留容器６１に供給
するように構成されている。現像液供給源６５ａには，
現像液の温度を調節する図示しない温度調節装置が取り
付けられており，現像液の温度は，常時所定温度に保た
れる。さらに，現像液供給口６５ｃ付近には，現像部２
０ａ内の雰囲気をチャンバー６０外に排気するための排
気管６４が取り付けられており，随時雰囲気制御を行っ
ている。

【００５２】また，貯留容器６１には，この貯留容器６
１に純水を供給する純水供給手段６６が設けられてい
る。この純水供給手段６６は，現像部２０ａ外に設けら
れた純水供給源６６ａと貯留容器６１内に設けられた純
水供給口６６ｃとを有し，純水供給源６６ａの純水を純
水供給管６６ｂを通じて，純水供給口６６ｃから貯留容
器６１に供給するように構成されている。純水供給管６
６ｂの一部は，図６に示すように，貯留部６１の内壁に
沿って環状に形成されており，この環状の部分に純水供
給口６６ｃが等間隔で複数個設けられている。また，こ
の純水供給口６６ｃは，貯留容器６１に貯留される混合
液の最高液面高さよりも高い位置に設けらている。ま
た，純水供給源６６ａには，純水の温度を調節する図示
しない温度調節装置が取り付けられており，純水の温度
は，常時所定温度に保たれている。

【００５３】従って，前記現像液供給手段６５と純水供
給手段６６により貯留容器６１に現像液と純水を供給
し，所定濃度の混合液を貯留することができる。また，
上述したように，純水供給口６６ｃが，純水供給管６６
ｂに多数個設けられ，かつ混合液の最高液面高さより高
い位置に設けられているため，この純水供給口６６ｃか
ら供給される純水により，前記混合液の交換時に貯留容
器６１内を好適に洗浄することができる。

【００５４】貯留容器６１の上方には，ウェハＷの処理
面Ｓを下方に向けて保持する保持手段７０が固定して設
けられている。この保持手段７０は，ウェハＷを上方か
ら吸着して保持する吸着部７１を有している。この吸着
部７１は，その下面に多数の吸引口（図示せず）が設け
られ，例えば，真空ポンプなどの吸引手段の吸引によっ
て，ウェハＷを吸着することが可能に構成されている。
そして，吸着部７１の吸引のＯＮ・ＯＦＦにより，ウェ
ハＷを着脱する。また，吸着部７１には，この吸着部７
１を上下動自在とするシリンダ７２が取り付けられてお
り，このシリンダ７２の駆動は，図示しない制御装置に
より制御されている。したがって，ウェハＷは，その処
理面Ｓを下方に向けて保持された状態で，シリンダ７２
により下降され，上述した貯留容器６１に貯留されてい
る混合液にウェハＷ処理面Ｓを浸漬することが可能とな
る。

【００５５】また，吸着部７１の吸着面は，図７に示す
ように保持したウェハＷが所定角度α傾斜するようにわ
ずかに傾斜して形成されている。この傾斜角度αは，ウ
ェハＷの処理面Ｓのみを前記混合液に着液させても，混
合液がウェハＷの裏面に回り込まない程度の所定角度で
ある。例えばウェハＷの直径が３００ｍｍでウェハＷの
厚みが０．８ｍｍの場合には，約０．５度となる。この
ように，ウェハＷを所定角度α傾斜させて，保持するこ
とにより，ウェハＷ処理面Ｓを混合液に接触させる際に
巻き込まれた気体がウェハＷの傾斜に沿って上昇し，ウ
ェハＷの処理面Ｓから前記気体が排除される。なお，上
述したウェハＷの傾斜は，予め吸着部７１を傾斜させて
形成することにより設けていたが，吸着部７１を所定角
度だけ傾斜させるような駆動機構を設けてもよい。

【００５６】現像部２０ａ内には，上述したウェハＷを
反転させる反転装置５５と，前記吸着部７１及び後述す
る洗浄部２０ｂのスピンチャック１０１にアクセス自在
なウェハＷの搬送手段８０が設けられている。この搬送
手段８０には，図８に示すように，水平方向に伸縮自在
な水平多関節型ロボットとして構成されているアーム本
体８１が設けられている。このアーム本体８１の下側に
は，アーム本体８１を支持する基盤８２が設けられてい
る。また，この基盤８２下側には，この基盤８２を回転
させ，上下移動させ，さらに上述したアーム本体８１を
伸縮させるアーム駆動機構８３が取り付けられている。
したがって，アーム駆動機構８３に制御された搬送手段
８０により，反転装置５５内のウェハＷを現像部２０ａ
の吸着部７１まで搬送すること，吸着部７１のウェハＷ
を後述する洗浄部２０ｂのスピンチャック１０１まで搬
送すること，さらにスピンチャック１０１から再び反転
装置５５まで搬送することが可能となる。なお，現像部
２０ａのチャンバー６０には，ウェハＷを搬入出するた
めの搬送口８５が設けられている。

【００５７】また，アーム本体８１は，ウェハＷの処理
面Ｓを下方に向けた状態で，ウェハＷの処理面Ｓを傷つ
けないようにウェハＷを保持する必要がある。したがっ
て，例えば，図９に示すように，アーム本体８１のアー
ム８１ａは，その下面に複数の吸引口８１ｂが設けら
れ，真空ポンプなどの吸引手段からの吸引によって，ウ
ェハＷの裏面を吸着することが可能に構成されている。
そして，この吸引のＯＮ・ＯＦＦによって，ウェハＷを
保持，離脱する。また，現像部２０ａの吸着部７１及び
洗浄部２０ｂのスピンチャック１０１にウェハＷを受け
渡し可能にするため，アーム８１ａは略３／４円環状に
形成され，前記吸着部７１及びスピンチャック１０１が
その円環状内を通過可能になっている。したがって，例
えば前記吸着部７１にウェハＷを受け渡す際には，吸着
部７１が下降し，アーム８１ａに吸着保持されているウ
ェハＷを吸着部７１がウェハＷの裏面から吸着保持し，
一方でアーム８１ａがウェハＷの吸着を止めることでア
ーム８１ａから吸着部７１にウェハＷを受け渡すことが
できる。

【００５８】次に，ウェハＷが現像された後にウェハＷ
に付着した混合液を洗浄する洗浄部２０ｂについて説明
する。この洗浄部２０ｂは，図５に示すように，現像部
２０ａと隔壁９０により隔てられ隣接して設けられてい
る。洗浄部２０ｂ上部には，現像部２０ａの保持手段７
０と類似する他の保持手段としての第２の保持手段１０
０が固定されて設けられている。この第２の保持手段１
００は，ウェハＷを上方から吸着保持するスピンチャッ
ク１０１を有している。また，第２の保持手段１００
は，スピンチャック１０１の上側に，駆動機構１０２を
有し，スピンチャック１０１は，駆動機構１０２によ
り，上下移動自在でかつ回転自在である。

【００５９】第２の保持手段１００下方には，ウェハＷ
を洗浄する際に前記駆動機構１０２により下降されたウ
ェハＷを収容する略筒状のカップ１０５が設けられてい
る。このカップ１０５は，洗浄時のウェハＷを側面と底
面とで包囲するように形成されており，その上面は開口
している。このカップ１０５内には，ウェハＷの処理面
Ｓに対して，下方から洗浄液を供給する洗浄液供給ノズ
ル１０６と，ウェハＷの裏面に対して，上方から洗浄液
を供給する裏面洗浄液供給ノズル１０７が設けられてい
る。

【００６０】また，ウェハＷに供給される洗浄液の温度
を調節する温度調節装置１０８が設けられており，洗浄
液は，洗浄力の高い所定温度に設定され，ウェハＷに供
給される。したがって，ウェハＷの洗浄時には，ウェハ
Ｗがスピンチャック１０１により回転された状態で，ウ
ェハＷの両面に前記洗浄液供給ノズル１０６と裏面洗浄
液供給ノズル１０７から所定温度の洗浄液が供給され，
ウェハＷが洗浄される。また，洗浄液により濡れたウェ
ハＷを乾燥させる際には，前記両ノズル１０６，１０７
からの洗浄液の供給を停止させ，スピンチャック１０１
によりウェハＷを高速回転させることにより，ウェハＷ
が乾燥される。

【００６１】また，カップ１０５の底面には，洗浄液を
排液するための排液管１１０が取り付けられている。こ
の排液管１１０により，洗浄時にウェハＷから飛散した
洗浄液がカップ１０５により受け止められ，その下方の
排液管７６から排出されるように構成されている。

【００６２】なお，現像部２０ａと洗浄部２０ｂの間の
隔壁９０には，シャッタ９１が設けられており，洗浄部
２０ｂへの搬入出時のみ開放され，その他の時は，各処
理部の雰囲気や，各処理液が干渉し合わないように閉鎖
されている。

【００６３】次に，以上のように構成されている現像処
理装置２０の作用について，塗布現像処理システム１で
行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説
明する。

【００６４】先ず，未処理のウェハＷがウェハ搬送体７
によりカセットＣから１枚取りだされ，第３の処理装置
群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬入される。
このアドヒージョン装置３１において，レジスト液との
密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布された
ウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置
３０搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェ
ハＷは，レジスト塗布装置１７又１９，プリベーキング
装置３４又は３５に順次搬送され，所定の処理が施され
る。その後，ウェハＷは，エクステンション・クーリン
グ装置４１に搬送される。

【００６５】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，こ
のウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４
又は４５，クーリング装置４３に順次搬送され，これら
の処理装置において所定の処理が施される。その後，反
転装置５５に搬送され，ウェハＷの処理面Ｓが下方に向
くように反転させた後，現像処理装置２０に搬送され
る。

【００６６】そして，現像処理の終了したウェハＷは，
再び反転装置５５で反転された後，主搬送装置１３によ
りポストベーキング装置３５，クーリング装置３０と順
次搬送される。その後，ウェハＷは，エクステンション
装置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣ
に戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。

【００６７】上述した現像処理装置２０の作用について
詳しく説明すると，先ず，前処理工程の終了したウェハ
Ｗが主搬送装置１３により，反転装置５５に搬送され
る。そして，この反転装置５５においてウェハＷが反転
され，ウェハＷの処理面Ｓが下方に向けられる。次い
で，ウェハＷは，現像処理装置２０の搬送手段８０によ
り，反転装置５５内から現像処理装置２０の現像部２０
ａ内に搬入され，吸着部７１に吸着保持される。

【００６８】現像部２０ａの貯留容器６１には，図５に
示すように現像液供給手段６５と，純水供給手段６６に
より，温度調節された現像液と純水が供給され，所定濃
度の混合液が所定の液面高さまで満たされる。

【００６９】次に，吸着部７１に保持されたウェハＷ
が，シリンダ７２により下降され，図１０に示すように
ウェハＷの処理面Ｓ全面が前記混合液の液面Ｅに接触し
浸漬されたところで停止される。このとき，ウェハＷ裏
面に混合液が付着しないように，ウェハＷの下降距離が
調節される。また，上述したようにウェハＷは，前記混
合液の液面に対して所定角度で傾斜して吸着されている
ので，液面Ｅと接触する際に巻き込まれた気体Ａがウェ
ハＷの処理面Ｓから排除される。

【００７０】ウェハＷの処理面Ｓは，混合液に所定時間
浸漬され，現像される。そして，所定時間経過後，ウェ
ハＷはシリンダ７２により再び上昇され，混合液から取
り出されて貯留容器６１上方に退避される。

【００７１】次に，ウェハＷは再び搬送手段８０に吸着
保持され，シャッタ９１を通って洗浄部２０ｂ内に搬送
され，洗浄部２０ｂ内のスピンチャック１０１に吸着保
持される。

【００７２】このとき，現像部２０ａでは，貯留容器６
１下方に設けられた弁６３が開放され，前記現像工程で
使用された混合液が排液管６３から排出される。その
後，純水供給手段６６の純水供給口６６ｃから貯留容器
６１内に純水が供給され，付着している前記混合液が洗
い落とされる。そして，純水による洗浄が終了すると，
純水の供給が停止され弁６３が閉鎖される。次いで，現
像液供給手段６５と純水供給手段６６により，所定量ず
つ現像液と純水が貯留容器６１内に供給され，再び所定
濃度の混合液が貯留される。

【００７３】そして，上述したように，先のウェハＷが
洗浄部２０ｂに搬送され，現像部２０ａの混合液の交換
が終了すると，同様にして，次のウェハＷが搬送手段８
０により反転装置５５から現像部２０ａ内に搬送され
て，現像処理される。こうすることにより，現像部２０
ａと洗浄部２０ｂにおいて同時にウェハＷの処理を行う
ことができる。

【００７４】一方，洗浄部２０ｂに搬送され，スピンチ
ャック１０１に吸着保持されたウェハＷは，駆動機構１
０２により下降され，カップ１０５内の所定位置に収容
される。その後，ウェハＷは，駆動機構１０５により回
転されると共に，洗浄液供給手段１０６及び裏面洗浄液
供給手段１０７から所定温度の洗浄液が供給され，洗浄
される。このとき供給される洗浄液は，温度調節装置１
０８により洗浄力の高い温度，例えば５０℃程度に調節
されている。

【００７５】ウェハＷの両面に所定時間洗浄液が供給さ
れ，その後，洗浄液の供給を停止される。そして，駆動
機構１０５によって，ウェハＷの回転速度を上げ，遠心
力によりウェハＷに付着している洗浄液を振り切り，乾
燥させる。所定時間後ウェハＷの回転を停止させウェハ
Ｗの乾燥が終了する。

【００７６】乾燥が終了したウェハＷは，搬送手段８０
により再度支持され，シャッタ９１を経由して，反転装
置５５内に搬送される。反転装置５５内に搬送されたウ
ェハＷは，そこで反転され，ウェハＷの処理面Ｓが上向
きに戻される。

【００７７】その後，ウェハＷは，主搬送装置１３によ
り，反転装置５５から次工程が行われるポストベーキン
グ装置３５に搬送される。

【００７８】以上の実施の形態によれば，ウェハＷの処
理面Ｓを下方に向けて保持し，ウェハＷ処理面Ｓのみを
貯留容器６１内の混合液に浸漬させて，現像させるた
め，ウェハＷ処理面Ｓの全面に渡り，現像液を同時期に
同圧力で供給することができる。したがって，ウェハＷ
処理面Ｓ内で，現像時間が同一となり，混合液とウェハ
Ｗとの接触圧力が同一となるため，ウェハＷ処理面Ｓの
現像が均一に行われる。

【００７９】貯留容器６１に現像液だけでなく，純水と
の混合液を貯留させておき，この混合液にウェハＷを浸
漬させるため，ウェハＷ処理面Ｓに塗布されたレジスト
液と現像液が当初から過剰に反応し，ウェハＷに害を及
ぼす副生成物が生成されることが抑制される。なお，こ
の副生成物の生成は，ウェハＷ処理面Ｓに塗布されるレ
ジスト液の種類により左右されるため，混合液の代わり
に純粋な現像液を用いても差し支えない。

【００８０】また，ウェハＷの処理面Ｓのみを浸漬させ
るので，現像の必要のないウェハＷの裏面を現像液によ
り汚染させることが防止される。

【００８１】ウェハＷを混合液の液面に対して，所定角
度α傾斜させて吸着保持し，そのまま混合液に接触させ
るので，この接触時に巻き込まれる気体Ａが排除され，
この気体Ａを原因とする現像欠陥等が防止される。

【００８２】また，現像部２０ａと洗浄部２０ｂを個別
に設けたため，２枚のウェハＷを現像部２０ａと洗浄部
２０ｂとで同時に処理することができる。従って，スル
ープットが向上すると共に，所定時間内に所定枚数のウ
ェハＷを処理する場合に，最低限必要となる現像処理装
置２０の数を減少させることができる。その結果，複数
の現像処理装置間で必ず生じる処理精度の誤差を抑制で
きる。また，現像する混合液と洗浄する洗浄液が混ざる
ことがないため，前記混合液と洗浄液を再利用し易い。

【００８３】ウェハＷを洗浄する際に用いられる洗浄液
が温度調節装置１０８により，洗浄力の高い温度に設定
されるため，洗浄力が向上し，ウェハＷに付着した現像
液を好適に落とすことができる。

【００８４】以上の実施の形態では，予め現像に適した
所定濃度の現像液と純水との混合液を貯留容器６１に貯
留し，その混合液の中にウェハＷを浸漬させて現像して
いたが，所定濃度に比べて低い濃度の混合液を貯留して
おき，ウェハＷをその中へ浸漬させた後に，さらに現像
液供給手段６５から現像液を供給し，混合液を所定の濃
度にして現像を行ってもよい。このように，ウェハＷが
最初に混合液と接触する際には，この混合液の濃度を所
定濃度よりも低くしておき，ある程度現像が進んだ後に
混合液を所定濃度とすることにより，上述したような現
像液とウェハＷ上のレジスト液との反応により生成され
る副生成物が抑制される。

【００８５】また，ウェハＷを傾斜させた保持手段７０
の吸着部７１に吸着保持させることにより，ウェハＷと
混合液とが接触したときに巻き込まれる気体を排除して
いたが，ウェハＷを下側に凸状になるように保持して，
前記気体を排除するようにしてもよい。この場合例え
ば，図１１に示すように現像部２０ａ内の保持手段１２
０の吸着部１２１に複数の吸着部材１２２を凸状に設け
る。これらの吸着部材１２２は，ウェハＷの中心付近を
吸着する吸着部材１２２ａと，ウェハＷの周辺部を吸着
する吸着部材１２２ｂとで構成され，それぞれに対応し
た吸着部１２１上に配置されている。また，前記ウェハ
Ｗの中心付近を吸着する吸着部材１２２ａは，その他の
吸着部材１２２ｂよりも突出距離が長く形成されてい
る。したがって，ウェハＷを各吸着部材１２２ａ，１２
２ｂにおいて吸着保持すると，ウェハＷ中心付近がウェ
ハＷ周辺部に比べて，下側に突き出て，凸状に保持され
る。

【００８６】この結果，上述した実施の形態と同様にし
て，下側に凸状に保持されたウェハＷを下降させて混合
液と接触させ，この際に巻き込まれる気体が，傾斜した
ウェハＷ処理面Ｓに沿って上昇し排除される。なお，吸
着部１２２を格別設けなくとも，図１２に示すように，
吸着部１３２自体を下側に凸の形状に形成し，ウェハＷ
を吸着保持するようにしてもよい。

【００８７】次に第２の実施の形態として，上述した第
１の実施の形態において個別に設けられた現像部２０ａ
と洗浄部２０ｂとを一箇所に集約し，現像と洗浄の両方
を行う現像・洗浄部１４０ａを設けた場合について説明
する。

【００８８】この現像・洗浄部１４０ａを有する現像処
理装置１４０の構造は，図１３に示すように，第１の実
施の形態の現像部２０ａに洗浄部２０ｂの機能を付加し
た構造となっている。具体的には，先ず貯留容器１４１
に洗浄液が飛散しないように防壁１４１ａが取り付けら
れている。ウェハＷ処理面Ｓに洗浄液を供給する洗浄液
供給手段１４５とウェハＷ裏面に洗浄液を供給する裏面
洗浄液供給手段１４６が取り付けられている。また，こ
れらの洗浄液供給手段１４５，１４６に供給される洗浄
液の温度を調節する温度調節装置１４８が設けられてい
る。さらに，ウェハＷを吸着保持する保持手段１５０に
は，回転機能が備えられる。なお，その他の構成は，現
像処理装置２０の現像部２０ａと同様であり，現像液供
給手段６５，純水供給手段６６，搬送手段８０等が設け
られている。また，前記保持手段１５０は，保持手段７
０と同様に，液面に対して所定角度αに傾斜して形成さ
れており，ウェハＷを所定角度α傾けて保持する。

【００８９】次にこの現像処理装置１４０の作用につい
て説明すると，第１の実施の形態と同様にして，搬送手
段８０によりウェハＷが反転装置５５から現像・洗浄部
１４０ａ内に搬送され，保持手段１５０の吸着部１５１
に吸着保持される。その後，ウェハＷは，シリンダ１５
２により下降され，貯留容器６１内に貯留されている現
像液と純水との混合液にウェハＷ処理面Ｓのみを浸漬さ
せる。

【００９０】この状態で所定時間静止状態に置かれ，現
像される。そして，所定時間経過後，再び，ウェハＷ
は，シリンダ１５２により上昇され，混合液内から取り
出される。このとき，貯留容器６１下方の排液管６２の
弁６３が開放され，混合液が排液される。ウェハＷは，
防壁１４１ａ内の所定位置で停止され，洗浄が開始され
る。ウェハＷの洗浄は，ウェハＷが回転されると同時
に，洗浄液供給手段１４５と裏面洗浄液供給手段１４６
から所定温度の洗浄液が供給されて行われる。

【００９１】所定時間経過後，洗浄液の供給を停止し，
ウェハＷの回転速度を上げて，洗浄液が振り切られ，ウ
ェハＷが所定時間乾燥される。

【００９２】以上の第２の実施の形態では，第１の実施
の形態と同様にウェハＷ処理面Ｓを下方に向けて吸着保
持し，このウェハＷ処理面Ｓのみを貯留容器６１内に貯
留されている混合液に浸漬させて，ウェハＷを現像させ
るため，ウェハＷ面内において，同時期に同圧力で現像
液が供給され，均一に現像される。また，ウェハＷ処理
面Ｓのみを浸漬させるため，現像の必要のないウェハＷ
の裏面が汚染されない。

【００９３】また，現像処理装置１４０は，現像部と洗
浄部とが一箇所に集約され，現像・洗浄部１４０ａを有
することにより，第１の実施の形態と比べて現像処理装
置がコンパクト化される。また，ウェハＷを現像部から
洗浄部に搬送する必要がないため，ウェハＷの搬送中に
現像液が垂れ落ちることが無く，現像処理装置１４０の
洗浄の手間が省かれる。

【００９４】また，この第２の実施の形態においても，
第１の実施の形態で記載したように，予め貯留容器６１
に貯留しておく混合液を純粋な現像液にしてもよいし，
所定濃度より低濃度の混合液を貯留しておき，ウェハＷ
を浸漬させた後に現像液を加え所定濃度にしてもよい。
さらに，ウェハＷを保持手段１２０のように下側に凸状
に保持するようにしてもよい。

【００９５】なお，以上の実施の形態は，半導体ウェハ
デバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程にお
けるウェハＷの現像処理装置についてであったが，本発
明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤの現像処理装
置においても適用できる。

【００９６】

【発明の効果】請求項１によれば，基板表面を下方に向
けて保持し，この基板を貯留されている現像液に浸漬さ
せて，基板表面のみを現像するため，基板表面全面に渡
って，現像液が同時期に同圧力で接触する。したがっ
て，基板面内において，現像時間が同じであって，基板
と現像液との接触圧力も同一となる。その結果，基板面
内において均一に現像され，現像欠陥等が防止されるた
め，歩留まりの向上が図られる。また，基板の表面のみ
を浸漬させるので，現像液による基板裏面の汚染が防止
される。また，基板表面を浸漬させるだけの現像液の量
で足りるため，現像液の削減につながり，コストダウン
が図られる。

【００９７】また，請求項２によれば，基板を純粋な現
像液でなく所定濃度の混合液に浸漬させるため，現像液
の種類によっては基板上の塗布液と現像液とが反応し
て，現像欠陥等の原因となる副生成物が生成されること
が抑制される。したがって，この副生成物が基板表面に
付着し，現像欠陥等が引き起こされることが防止される
ため，歩留まりの向上が図られる。

【００９８】さらに，請求項３によれば，現像液と純水
との混合液に基板を浸漬させた後に，前記混合液に現像
液を加え前記混合液の濃度を変更させるため，初め，前
記所定濃度よりも低い濃度の混合液に基板を浸漬させ，
その後現像液を加えて現像処理に適した所定濃度の混合
液にすることができる。したがって，基板上の塗布液と
混合液中の現像液とが反応して副生成物が生成されやす
い当初は，混合液の濃度を低くしておき，その後徐々に
濃度を上げて，所定の現像処理を行うことが可能とな
る。

【００９９】請求項４によれば，前記基板の表面を前記
液面に接触させる際に，前記基板を液面に対して傾斜さ
せるため，基板の着液時に周辺から巻き込まれた気体を
排除することができる。したがって，巻き込まれた気体
により引き起こされる現像欠陥等が防止され，歩留まり
の向上が図られる。

【０１００】また，請求項５によれば，前記基板を下に
凸状に反った状態で，前記液面に接触させるため，請求
項４と同様に，基板と前記液面との接触時に周辺から巻
き込まれた気体を排除することができる。したがって，
現像欠陥等が防止され，歩留まりの向上が図られる。

【０１０１】請求項６によれば，基板の表面を洗浄する
ことにより，上述したように基板表面を現像液に浸漬さ
せたときに基板表面に付着した現像液を洗浄することが
できる。したがって，基板に付着した現像液により他の
装置を汚染することなく，この現像処理後に行われる処
理を好適に行うことができる。

【０１０２】請求項７によれば，基板の現像工程と基板
の洗浄工程が異なる場所で行われるため，２枚の基板を
同時に進行させることができる。このため，所定枚数の
基板を所定期間内に処理する場合に最低限必要となる現
像処理装置の数を低減させることができる。したがっ
て，これらの現像処理装置間に必ず存在する処理精度の
誤差により生じる最終線幅の相違等が減少し，好適に多
数の現像処理が行われるため，歩留まりの向上が図られ
る。また，現像液又は前記混合液と洗浄液が混ざること
がなく，容易に前記混合液と洗浄液をリサイクルするこ
とができるため，コストダウンに繋がる。

【０１０３】請求項８によれば，基板を現像し，洗浄し
た基板を乾燥させることができる。したがって，洗浄液
により濡れた基板を乾燥させ，現像処理後の処理を好適
に行うことができる。

【０１０４】請求項９によれば，前記請求項１〜３の現
像処理方法を好適に実施することができる。したがっ
て，基板面内において均一に現像処理が施されるため，
現像欠陥，線幅不良等が防止され，歩留まりの向上が図
られる。

【０１０５】また，請求項１０によれば，保持手段に基
板を傾斜させる機能を設けるため，前記請求項４の現像
処理方法が好適に実施される。したがって，基板と処理
液の液面との接触時に巻き込まれた気体が排除されるた
め，現像欠陥等が防止され，歩留まりの向上が図られ
る。

【０１０６】また，請求項１１〜１３によれば，基板表
面と処理液との接触時に周辺部から気体が巻き込まれ難
くなる上，仮に巻き込まれたとしても自然に排除される
ため，気体により引き起こされる害，例えば現像欠陥等
が防止され，歩留まりの向上が図られる。

【０１０７】請求項１４によれば，貯留容器に現像液を
供給することができるため前記請求項１〜３の現像処理
方法が好適に実施される。したがって，基板面内におい
て均一に現像処理が施され現像欠陥，線幅不良等が防止
されるため，歩留まりの向上が図られる。また，処理液
を排液する排液手段を設けるため，処理液を必要に応じ
て交換することができ，新しい処理液を用いて基板表面
を現像することができる。

【０１０８】また，請求項１５によれば，貯留容器に純
水を供給することができるため，現像液と混合して所定
濃度の処理液を前記貯留容器に貯留することができる。
したがって，請求項２又は３の現像処理方法が好適に実
施される。また，必要に応じて処理液を交換する際に前
記処理液を排液した後に，純水を貯留容器に供給し，貯
留容器内を洗浄することができる。

【０１０９】さらに，請求項１６によれば，純水の供給
口を貯留容器に貯留される処理液の液面よりも高い位置
に設けるため，前記処理液を排液する際に，前記供給口
から純水を供給して前記貯留容器に付着した汚れた処理
液を洗い流すことができる。したがって，貯留容器の汚
染を原因とする新しい処理液の汚染が防止され，現像処
理が好適に実施されるため，歩留まりの向上が図られ
る。

【０１１０】また，請求項１７によれば，洗浄液供給手
段を設けるため，基板表面を処理液に浸漬させて現像し
た後に，現像液の付着した前記基板を洗浄することがで
きるため，請求項６の現像処理方法が好適に実施され
る。したがって，現像液による他の装置の汚染を防止す
ることができる。

【０１１１】さらに，請求項１８によれば，基板の裏面
を洗浄する裏面洗浄手段を有するため，現像時に過って
基板裏面に付着した処理液を洗浄することができる。し
たがって，基板の裏面に付着した処理液による他の装置
の汚染が防止され，洗浄等の手間が省かれるためスルー
プットの向上に繋がる。

【０１１２】請求項１９によれば，基板を保持する保持
手段に回転機能が取り付けられるため，基板の洗浄によ
り前記基板に付着した洗浄液を遠心力により振り切り，
前記基板を乾燥させることができる。したがって，基板
の乾燥処理が上述した現像，洗浄時に基板を保持してい
た保持手段により行われ，別途乾燥用の装置を設ける必
要が無くなり，現像処理装置が簡素化される。

【０１１３】請求項２０によれば，洗浄部を個別に設
け，基板を前記貯留容器から前記洗浄部に搬送する搬送
手段を有し，さらに洗浄部内に搬送された基板を基板表
面を下方に向けて保持する他の保持手段を有しているた
め，請求項７の現像処理方法を好適に実施することがで
きる。したがって，２枚の基板を同時期に処理すること
ができるため，必要となる現像処理装置の数が削減さ
れ，請求項７と同様，複数の現像処理装置間に必ず存在
する処理精度の差により生じる最終線幅の相違等が減少
される。その結果，多数の現像処理が好適に行われ，歩
留まりの向上が図られる。

【０１１４】請求項２１によれば，洗浄液供給手段によ
り基板表面に直接洗浄液を供給して，基板表面を洗浄す
ることができる。したがって，請求項７の現像処理方法
を好適に実施することができる。

【０１１５】さらに，請求項２２によれば，基板の裏面
に洗浄液を供給する裏面洗浄液供給手段が設けられるた
め，基板裏面の洗浄を行うことが可能となる。したがっ
て，基板裏面に過って付着した処理液により他の装置を
汚染することが防止され，洗浄等の手間が省かれ，スル
ープットの向上が図られる。

【０１１６】請求項２３によれば，他の保持手段に回転
機能が備えられるため，洗浄時に基板に付着した洗浄液
を遠心力により振り切り，前記基板を乾燥させることが
できる。したがって，基板の乾燥処理が上述した洗浄時
に基板を保持していた保持手段により行われ，別途乾燥
用の装置を設ける必要が無くなり，現像処理装置が簡素
化される。

【０１１７】請求項２４によれば，基板を洗浄する洗浄
液の温度を調節する温度調節装置が設けられるため，洗
浄力の最も高い温度に洗浄液を調節し，この洗浄液を用
いて基板の洗浄を行うことができる。したがって，基板
が好適に洗浄され，基板上に残留する現像液により引き
起こされる現像欠陥等が防止されるため，歩留まりの向
上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態にかかる塗布現像処理システ
ムの構成の概略を示す平面説明図である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】第１の実施の形態で用いられる現像処理装置の
横断面の説明図である。

【図５】第１の実施の形態で用いられる現像処理装置の
縦断面の説明図である。

【図６】現像部内の純水供給管の一部と純水供給口の外
観を示す斜視図である。

【図７】現像部で用いられるウェハの保持手段の説明図
である。

【図８】現像部内に配置された搬送手段の外観を示す斜
視図である。

【図９】搬送手段のアーム部分を拡大した説明図であ
る。

【図１０】現像部の保持手段に保持されたウェハが混合
液の液面に浸漬された状態を示した説明図である。

【図１１】吸着部を有する保持手段を示した説明図であ
る。

【図１２】下に凸状に形成された保持手段を示した説明
図である。

【図１３】第２の実施の形態に用いられる現像処理装置
の縦断面の説明図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム ２０ 現像処理装置 ６１ 貯留容器 ７０ 保持手段 ６５ 現像液供給手段 ６６ 純水供給手段 １００ 第２の保持手段 １０６ 洗浄液供給手段 １０７ 裏面洗浄液供給手段 １０８ 温度調節装置 Ｓ 処理面 Ｅ 液面 Ａ 気体 Ｗ ウェハ

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 現像液によって基板の表面を現像する現
   像処理方法であって，前記基板の表面を下方に向けた状
   態で保持する工程と，貯留容器内に貯留されている前記
   現像液に前記基板の表面のみを浸漬させて，前記基板を
   現像させる工程を有することを特徴とする，基板の現像
   処理方法。
2. 【請求項２】 現像液によって基板の表面を現像する現
   像処理方法であって，前記現像液と純水との所定濃度の
   混合液を貯留容器に貯留する工程と，前記基板の表面を
   下方に向けた状態で保持する工程と，前記混合液に前記
   基板の表面のみを浸漬させて，前記基板を現像する工程
   を有することを特徴とする，基板の現像処理方法。
3. 【請求項３】 前記貯留容器に現像液を供給し，前記混
   合液の濃度を変更する工程を有することを特徴とする，
   請求項２に記載の基板の現像処理方法。
4. 【請求項４】 前記貯留容器内の液面に対して，前記基
   板を所定角度傾けて，前記基板表面を液面に接触させる
   工程を有することを特徴とする，請求項１，２又は３の
   いずれかに記載の基板の現像処理方法。
5. 【請求項５】 前記貯留容器内の液面に対して，前記基
   板を下側に凸状にして，前記基板表面を液面に接触させ
   る工程を有することを特徴とする，請求項１，２又は３
   のいずれかに記載の基板の現像処理方法。
6. 【請求項６】 前記基板の現像後に少なくとも前記基板
   の表面を洗浄する工程を有することを特徴とする，請求
   項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の基板の現像
   処理方法。
7. 【請求項７】 前記基板を洗浄する洗浄部を有し，前記
   基板を前記貯留容器から取り出して，この基板を前記洗
   浄部に搬送する工程と，前記基板の少なくとも表面を前
   記洗浄部で洗浄する工程とを有することを特徴とする，
   請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の基板の
   現像処理方法。
8. 【請求項８】 前記基板を洗浄する工程の後に，前記基
   板を乾燥させる工程を有することを特徴とする，請求項
   ６又は７のいずれかに記載の基板の現像処理方法。
9. 【請求項９】 現像液によって基板の表面を現像する現
   像処理装置であって，前記基板の表面を下方に向けた状
   態で保持する保持手段と，少なくとも前記現像液を含む
   処理液を貯留する貯留容器を有し，前記基板の表面が前
   記処理液に浸漬可能となるように，前記保持手段と前記
   貯留容器とが相対的に上下方向に移動自在であることを
   特徴とする，基板の現像処理装置。
10. 【請求項１０】 前記保持手段は，前記保持する基板を
    水平面に対し傾斜可能に構成されていることを特徴とす
    る，請求項９に記載の基板の現像処理装置。
11. 【請求項１１】 前記保持手段は，前記基板の裏面を複
    数箇所で吸着保持する吸着部材を有し，前記基板が下側
    に凸状になるように，前記複数の吸着部材は配置されて
    いることを特徴とする，請求項９に記載の基板の現像処
    理装置。
12. 【請求項１２】 前記複数の吸着部材の内，少なくとも
    一つの吸着部材は前記基板の中心付近を吸着し，他の吸
    着部材は前記基板の周辺部を吸着するように前記複数の
    吸着部材は配置されており，前記基板の中心付近を吸着
    する吸着部材は，基板の周辺部を吸着する他の吸着部材
    よりも相対的に下方に突出していることを特徴とする，
    請求項１１に記載の基板の現像処理装置。
13. 【請求項１３】 前記基板の裏面を吸着する前記保持手
    段の面が，下側に凸状に湾曲して形成されていることを
    特徴とする，請求項９に記載の基板の現像液処理装置。
14. 【請求項１４】 前記貯留容器に現像液を供給する現像
    液供給手段と，前記処理液を排液する排液手段を有する
    ことを特徴とする，請求項９，１０，１１，１２又は１
    ３のいずれかに記載の基板の現像処理装置。
15. 【請求項１５】 前記貯留容器に純水を供給する純水供
    給手段を有することを特徴とする，請求項９，１０，１
    １，１２，１３又は１４のいずれかに記載の基板の現像
    処理装置。
16. 【請求項１６】 前記純水が供給される供給口が，前記
    貯留容器の液面より高い位置に設けられていることを特
    徴とする，請求項１５に記載の基板の現像処理装置。
17. 【請求項１７】 前記基板の表面に洗浄液を供給する洗
    浄液供給手段を有することを特徴とする，請求項９，１
    ０，１１，１２，１３，１４，１５又は１６のいずれか
    に記載の基板の現像処理装置。
18. 【請求項１８】 前記基板の裏面に洗浄液を供給する裏
    面洗浄液供給手段を有することを特徴とする，請求項１
    ７に記載の基板の現像処理装置。
19. 【請求項１９】 前記保持手段は，前記基板を所定速度
    で回転させる回転機構を有することを特徴とする，請求
    項１７又は１８のいずれかに記載の基板の現像処理装
    置。
20. 【請求項２０】 前記基板を洗浄する洗浄部が前記貯留
    容器に隣接して設けられており，前記洗浄部内に基板を
    搬送する搬送手段を有し，前記洗浄部は，基板の表面を
    下方に向けた状態で保持する他の保持手段を有すること
    を特徴とする，請求項９，１０，１１，１２，１３，１
    ４，１５又は１６のいずれかに記載の基板の現像処理装
    置。
21. 【請求項２１】 前記洗浄部は，前記基板の表面に洗浄
    液を供給する洗浄液供給手段を有することを特徴とす
    る，請求項２０に記載の基板の現像処理装置。
22. 【請求項２２】 前記洗浄部は，前記基板の裏面に洗浄
    液を供給する裏面洗浄液供給手段を有することを特徴と
    する，請求項２１に記載の基板の現像処理装置。
23. 【請求項２３】 前記他の保持手段は，前記基板を所定
    速度で回転自在とする機能を有することを特徴とする，
    請求項２１又は２２のいずれかに記載の基板の現像処理
    装置。
24. 【請求項２４】 前記洗浄液を所定温度に設定可能とす
    る温度調節手段を有することを特徴とする，請求項１
    ７，１８，１９，２１，２２又は２３のいずれかに記載
    の基板の現像処理装置。