JP2016201526A - 基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】おもて面を上向きにした基板と裏面を上向きにした基板の両方を取り扱う場合において、基板の表裏の状態管理の複雑化を抑えること。【解決手段】実施形態に係る基板処理システムは、第１処理ブロックと、第２処理ブロックと、反転機構とを備える。第１処理ブロックは、基板における第１の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第１処理ユニットと、第１処理ユニットに対して基板の搬入出を行う第１搬送装置とを含む。第２処理ブロックは、基板における第１の面とは反対側の面である第２の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第２処理ユニットと、第２処理ユニットに対して基板の搬入出を行う第２搬送装置とを含む。反転機構は、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの基板の搬送経路の途中に配置され、基板を反転させる。【選択図】図２

Description

開示の実施形態は、基板処理システムに関する。

従来、半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ等の基板に対してエッチング処理や洗浄処理あるいは成膜処理といった各種の処理が施される。

基板に対する処理としては、基板のおもて面を上向きにした状態で行われるものと、基板の裏面を上向きにした状態で行われるものとがある。このため、近年では、おもて面を上向きにした基板に対して基板処理を行う処理ユニットと、裏面を上向きにした基板に対して基板処理を行う処理ユニットとの両方を備える基板処理システムが提案されている。

例えば、特許文献１には、基板のおもて面を上向きにした状態で基板のおもて面に洗浄液を供給する第１処理装置と、基板の裏面を上向きにした状態で基板の裏面に洗浄液を供給する第２処理装置と、基板の表裏を反転させる基板反転装置と、第１処理装置、第２処理装置および基板反転装置へアクセスして基板の搬入出を行う基板搬送装置とを備えた基板処理システムが開示されている。

特開２０１３−２１０２６号公報

しかしながら、特許文献１に記載の基板処理システムでは、おもて面を上向きにした基板と裏面を上向きにした基板とが混在するため、基板の状態管理が複雑化するおそれがある。

実施形態の一態様は、おもて面を上向きにした基板と裏面を上向きにした基板の両方を取り扱う場合において、基板の表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる基板処理システムを提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る基板処理システムは、第１処理ブロックと、第２処理ブロックと、反転機構とを備える。第１処理ブロックは、基板における第１の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第１処理ユニットと、第１処理ユニットに対して基板の搬入出を行う第１搬送装置とを含む。第２処理ブロックは、基板における第１の面とは反対側の面である第２の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第２処理ユニットと、第２処理ユニットに対して基板の搬入出を行う第２搬送装置とを含む。反転機構は、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの基板の搬送経路の途中に配置され、基板を反転させる。

実施形態の一態様によれば、おもて面を上向きにした基板と裏面を上向きにした基板の両方を取り扱う場合において、基板の表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる。

図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。 図２は、第１の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。 図３は、第１処理ユニットの模式平面図である。 図４は、第１処理ユニットの模式側面図である。 図５は、第２処理ブロックの模式平面図である。 図６は、第２処理ユニットの模式平面図である。 図７は、第２処理ユニットの模式側面図である。 図８は、第１バッファ部の構成を示す図である。 図９は、第１バッファ部の構成を示す図である。 図１０は、主搬送装置、移し換え装置、第１搬送装置および第２搬送装置の配置図である。 図１１は、第１搬送装置が備えるウェハ保持部の模式平面図である。 図１２は、第２搬送装置が備えるウェハ保持部の模式平面図である。 図１３は、第１の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハの搬送フローの説明図である。 図１４は、第２の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。 図１５は、第２の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。 図１６は、第２の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハの搬送フローの説明図である。 図１７は、第３の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。 図１８は、第３の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハの搬送フローの説明図である。 図１９は、第４の実施形態に係る第１処理ユニットの模式側面図である。 図２０は、第５の実施形態に係る基板処理システムの模式平面図である。 図２１は、第５の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。 図２２は、第５の実施形態に係る第２処理ユニットの模式平面図である。 図２３は、第５の実施形態に係る受渡ブロックの模式背面図である。 図２４は、バッファ部の模式平面図である。 図２５は、バッファ部の模式側面図である。 図２６は、第５の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハＷの搬送フローの説明図である。 図２７は、第５の実施形態に係る基板処理システムにおけるウェハＷの搬送フローの説明図である。 図２８は、おもて面洗浄処理を行わない場合におけるウェハの搬送フローの説明図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
＜基板処理システム１の構成＞
まず、第１の実施形態に係る基板処理システム１の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る基板処理システム１の模式平面図である。また、図２は、第１の実施形態に係る基板処理システム１の模式側面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、搬入出ブロック２と、処理ブロック３と、受渡ブロック４とを備える。これらは、搬入出ブロック２、受渡ブロック４および処理ブロック３の順に並べて配置される。

基板処理システム１は、搬入出ブロック２から搬入された基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を受渡ブロック４経由で処理ブロック３へ搬送し、処理ブロック３において処理する。また、基板処理システム１は、処理後のウェハＷを処理ブロック３から受渡ブロック４経由で搬入出ブロック２へ戻し、搬入出ブロック２から外部へ払い出す。以下、各ブロック２〜４の構成について説明する。

＜搬入出ブロック２の構成＞
搬入出ブロック２は、載置部１１と、搬送部１２とを備える。載置部１１には、複数枚のウェハＷを水平状態で収容する複数のカセットＣが載置される。

搬送部１２は、載置部１１に隣接して配置され、内部に主搬送装置１３を備える。主搬送装置１３は、載置部１１と受渡ブロック４との間でウェハＷの搬送を行う。

＜処理ブロック３の構成＞
図２に示すように、処理ブロック３は、第１処理ブロック３Ｕと、第２処理ブロック３Ｌとを備える。第１処理ブロック３Ｕと第２処理ブロック３Ｌとは、隔壁やシャッター等によって空間的に仕切られており、高さ方向に並べて配置される。本実施形態では、第１処理ブロック３Ｕが上段側に配置され、第２処理ブロック３Ｌが下段側に配置される。

第１処理ブロック３Ｕでは、回路形成面（以下、「おもて面」と記載する）を上向きにした状態のウェハＷに対して処理が行われる。一方、第２処理ブロック３Ｌでは、おもて面とは反対側の面である裏面を上向きにした状態のウェハＷに対して処理が行われる。これら第１処理ブロック３Ｕおよび第２処理ブロック３Ｌの構成について説明する。

＜第１処理ブロック３Ｕの構成＞
第１処理ブロック３Ｕは、図１に示すように、搬送部１６と、第１搬送装置１７と、複数の第１処理ユニット１８とを備える。第１搬送装置１７は、搬送部１６の内部に配置され、複数の第１処理ユニット１８は、搬送部１６の外部において搬送部１６に隣接して配置される。

第１搬送装置１７は、受渡ブロック４と第１処理ユニット１８との間でウェハＷの搬送を行う。具体的には、第１搬送装置１７は、受渡ブロック４からウェハＷを取り出して第１処理ユニット１８へ搬送する処理と、第１処理ユニット１８によって処理されたウェハＷを第１処理ユニット１８から取り出して受渡ブロック４へ搬送する処理とを行う。

第１処理ユニット１８は、おもて面を上向きにした状態のウェハＷに対してベベル洗浄処理を行う。ベベル洗浄処理とは、ウェハＷの周縁部（ベベル部）に付着したパーティクルやボート痕等を除去する処理のことである。

ここで、第１処理ユニット１８の構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、第１処理ユニット１８の模式平面図である。また、図４は、第１処理ユニット１８の模式側面図である。

図３および図４に示すように、第１処理ユニット１８は、第１チャンバ１０１と、第１保持部１０２と、第１回収カップ１０３と、ベベル洗浄部１０４と、第１吐出部１０５（図４参照）とを備える。

第１チャンバ１０１は、第１保持部１０２、第１回収カップ１０３、ベベル洗浄部１０４および第１吐出部１０５を収容する。第１チャンバ１０１の天井部には、第１チャンバ１０１内にダウンフローを形成するＦＦＵ（Fun Filter Unit）１１１が設けられる。

第１保持部１０２は、ウェハＷを吸着保持する吸着保持部１２１と、吸着保持部１２１を支持する支柱部材１２２と、支柱部材１２２を回転させる駆動部１２３を備える。

吸着保持部１２１は、真空ポンプなどの吸気装置（図示せず）に接続され、かかる吸気装置の吸気によって発生する負圧を利用してウェハＷの裏面を吸着することによってウェハＷを水平に保持する。かかる吸着保持部１２１としては、たとえばポーラスチャックを用いることができる。なお、吸着方式は上記の例に限定されるものではなく、たとえば静電チャック等の他の方式を用いてもよい。

吸着保持部１２１は、ウェハＷよりも小径の吸着領域を有する。これにより、後述するベベル洗浄部１０４のベベルブラシ１４１をウェハＷの周縁部に当接させることができる。

支柱部材１２２は、吸着保持部１２１の下部に設けられており、第１チャンバ１０１および第１回収カップ１０３に対して軸受（図示せず）を介して回転可能に支持される。駆動部１２３は、支柱部材１２２の下部に設けられ、支柱部材１２２を鉛直軸まわりに回転させる。これにより、吸着保持部１２１に吸着保持されたウェハＷが回転する。

第１回収カップ１０３は、第１保持部１０２を取り囲むように配置される。第１回収カップ１０３の底部には、第１吐出部１０５から吐出される薬液を第１チャンバ１０１の外部へ排出するための排液口１３１と、第１チャンバ１０１内の雰囲気を排気するための排気口１３２とが形成される。

ベベル洗浄部１０４は、ベベルブラシ１４１と、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に延在し、シャフト１４２を介してベベルブラシ１４１を上方から支持するアーム１４３と、アーム１４３をレール１４４に沿って水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に移動させる移動機構１４５とを備える。移動機構１４５は、アーム１４３を鉛直方向（Ｚ軸方向）にも移動させることが可能である。

第１吐出部１０５は、例えば第１回収カップ１０３の底部に設けられ、バルブ１５１や流量調整器（図示せず）等を介して薬液供給源１５２に接続される。かかる第１吐出部１０５は、薬液供給源１５２から供給される薬液をウェハＷの裏面周縁部へ向けて吐出する。なお、薬液供給源１５２から供給される薬液としては、例えばＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）等を用いることができる。

第１処理ユニット１８は、上記のように構成されており、おもて面を上向きにしたウェハＷの裏面を吸着保持部１２１で吸着保持した状態でウェハＷを回転させる。そして、第１処理ユニット１８は、回転するウェハＷの裏面周縁部へ向けて第１吐出部１０５から薬液を吐出しながら、ベベル洗浄部１０４のベベルブラシ１４１をウェハＷの周縁部に当接させる。このように、薬液による化学的な洗浄と、ベベルブラシ１４１による物理的な洗浄とを組み合わせることにより、パーティクルやボート痕等の除去性能を高めることができる。

なお、第１処理ユニット１８は、ベベル洗浄処理後、第１吐出部１０５から純水等のリンス液を供給することによって、ウェハＷの周縁部に残存する薬液を洗い流すリンス処理を行ってもよい。また、第１処理ユニット１８は、リンス処理後、ウェハＷを回転させることによってウェハＷの周縁部を乾燥させる。

＜第２処理ブロック３Ｌの構成＞
つづいて、第２処理ブロック３Ｌの構成について図５を参照して説明する。図５は、第２処理ブロック３Ｌの模式平面図である。

図５に示すように、第２処理ブロック３Ｌは、搬送部２６と、第２搬送装置２７と、複数の第２処理ユニット２８とを備える。第２搬送装置２７は、搬送部２６の内部に配置され、複数の第２処理ユニット２８は、搬送部２６の外部において搬送部２６に隣接して配置される。

第２搬送装置２７は、受渡ブロック４と第２処理ユニット２８との間でウェハＷの搬送を行う。具体的には、第２搬送装置２７は、受渡ブロック４からウェハＷを取り出して第２処理ユニット２８へ搬送する処理と、第２処理ユニット２８によって処理されたウェハＷを第２処理ユニット２８から取り出して受渡ブロック４へ搬送する処理とを行う。

第２処理ユニット２８は、裏面を上向きにした状態のウェハＷに対し、ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等を除去する裏面洗浄処理を行う。ここで、第２処理ユニット２８の構成について図６および図７を参照して説明する。図６は、第２処理ユニット２８の模式平面図である。また、図７は、第２処理ユニット２８の模式側面図である。

図６および図７に示すように、第２処理ユニット２８は、第２チャンバ２０１と、第２保持部２０２と、第２回収カップ２０３と、裏面洗浄部２０４と、第２吐出部２０５とを備える。

第２チャンバ２０１は、第２保持部２０２、第２回収カップ２０３、裏面洗浄部２０４および第２吐出部２０５を収容する。第２チャンバ２０１の天井部には、第２チャンバ２０１内にダウンフローを形成するＦＦＵ２１１が設けられる。

第２保持部２０２は、ウェハＷよりも大径の本体部２２１と、本体部２２１の上面に設けられた複数の把持部２２２と、本体部２２１を支持する支柱部材２２３と、支柱部材２２３を回転させる駆動部２２４を備える。

かかる第２保持部２０２は、複数の把持部２２２を用いてウェハＷの周縁部を把持することによってウェハＷを保持する。これにより、ウェハＷは、本体部２２１の上面からわずかに離間した状態で水平に保持される。

なお、第２処理ユニット２８では、裏面が上方を向いた状態、言い換えれば、おもて面が下方を向いた状態のウェハＷに対して裏面洗浄処理が行われる。このため、第１保持部１０２（図４参照）のようにウェハＷを吸着するタイプのものを第２処理ユニット２８で使用すると、回路形成面であるおもて面を汚すおそれがある。そこで、基板処理システム１では、回路形成面を極力汚さないように、ウェハＷの周縁部を把持するタイプのものを第２保持部２０２として用いることとしている。

第２回収カップ２０３は、第２保持部２０２を取り囲むように配置される。第２回収カップ２０３の底部には、第１回収カップ１０３と同様の排液口２３１と排気口２３２とが形成される。

裏面洗浄部２０４は、裏面ブラシ２４１と、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に延在し、シャフト２４２を介して裏面ブラシ２４１を上方から支持するアーム２４３と、アーム２４３をレール２４４に沿って水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に移動させる移動機構２４５とを備える。移動機構２４５は、アーム２４３を鉛直方向（Ｚ軸方向）にも移動させることが可能である。また、裏面洗浄部２０４は、図示しない回転機構を備えており、かかる回転機構を用いて裏面ブラシ２４１をシャフト２４２まわりに回転させることができる。

第２吐出部２０５は、第２回収カップ２０３の外方に配置される。第２吐出部２０５は、ノズル２５１と、水平方向に延在し、ノズル２５１を支持するアーム２５２と、アーム２５２を旋回および昇降させる旋回昇降機構２５３とを備える。

図７に示すように、ノズル２５１は、バルブ２５５や流量調整器（図示せず）等を介して洗浄液供給源２５６に接続される。かかる第２吐出部２０５は、洗浄液供給源２５６から供給される洗浄液をウェハＷへ向けて吐出する。なお、洗浄液供給源２５６から供給される洗浄液は、例えば純水である。なお、洗浄液として、薬液（例えばＳＣ−１）を利用するようにしても良い。

第２処理ユニット２８は、上記のように構成されており、裏面を上向きにしたウェハＷの周縁部を第２保持部２０２で保持して回転させる。つづいて、第２処理ユニット２８は、回転するウェハＷの上方に配置された裏面洗浄部２０４の裏面ブラシ２４１をウェハＷに接触させる。また、第２処理ユニット２８は、回転するウェハＷの上方に配置された第２吐出部２０５からウェハＷへ向けて洗浄液を吐出する。そして、第２処理ユニット２８は、裏面ブラシ２４１を回転させながら、例えばウェハＷの中心部から外周部へ移動させる。これにより、ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等が除去される。

＜受渡ブロック４の構成＞
次に、受渡ブロック４について説明する。図１および図２に示すように、受渡ブロック４の内部には、複数の移し換え装置１５ａ，１５ｂと、第１バッファ部２１Ｕと、第２バッファ部２１Ｌと、第１受渡部２２Ｕと、第２受渡部２２Ｌと、第１反転機構２３ａと、第２反転機構２３ｂとが配置される。

第１バッファ部２１Ｕ、第２バッファ部２１Ｌ、第１受渡部２２Ｕ、第２受渡部２２Ｌ、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂは、高さ方向に並べて配置される。具体的には、上から順に、第１受渡部２２Ｕ、第１バッファ部２１Ｕ、第２バッファ部２１Ｌ、第２受渡部２２Ｌ、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂの順番で配置されている（図２参照）。

移し換え装置１５ａ，１５ｂは、図示しない昇降機構を備えており、かかる昇降機構を用いて鉛直方向に移動することにより、高さ方向に並べて配置された第１受渡部２２Ｕ等に対してウェハＷの搬入出を行う。移し換え装置１５ａは、第１受渡部２２Ｕ等のＹ軸正方向側から第１受渡部２２Ｕ等に対してアクセスする。また、移し換え装置１５ｂは、第１受渡部２２Ｕ等のＹ軸負方向側から第１受渡部２２Ｕ等に対してアクセスする。

第１バッファ部２１Ｕ、第２バッファ部２１Ｌ、第１受渡部２２Ｕおよび第２受渡部２２Ｌは、ウェハＷを多段に収容可能なモジュールである。このうち、第１バッファ部２１Ｕおよび第２バッファ部２１Ｌは、主搬送装置１３と移し換え装置１５ａ，１５ｂとによってアクセスされる。

ここで、第１バッファ部２１Ｕおよび第２バッファ部２１Ｌの構成について図８および図９を参照して説明する。図８および図９は、第１バッファ部２１Ｕの構成を示す図である。なお、図８では一例として第１バッファ部２１Ｕの構成を示すが、第２バッファ部２１Ｌの構成も第１バッファ部２１Ｕと同様である。

図８に示すように、第１バッファ部２１Ｕは、ベース部２１１と、ベース部２１１上に立設された３つの支持部２１２，２１３，２１４とを備える。３つの支持部２１２，２１３，２１４は、円周方向に約１２０度の間隔で配置されており、先端においてウェハＷの外周部をそれぞれ保持する。また、各支持部２１２，２１３，２１４は、高さ方向に沿って複数設けられている（たとえば図９に示す複数の支持部２１２を参照）。これにより、第１バッファ部２１Ｕは、複数枚のウェハＷを多段に収容することができる。

かかる第１バッファ部２１Ｕには、主搬送装置１３と移し換え装置１５ａとがそれぞれ異なる方向からアクセスする。具体的には、主搬送装置１３は、第１バッファ部２１ＵのＸ軸負方向側から支持部２１２および支持部２１４の間を通って第１バッファ部２１Ｕ内に進入する。また、移し換え装置１５ａは、第１バッファ部２１ＵのＹ軸正方向側から支持部２１２および支持部２１３の間を通って第１バッファ部２１Ｕ内に進入する。

第１バッファ部２１Ｕおよび第２バッファ部２１Ｌには、いずれもおもて面を上向きにした状態のウェハＷが収容される。

第１受渡部２２Ｕには、第１搬送装置１７と移し換え装置１５ａ，１５ｂとがアクセス可能であり、受渡ブロック４から第１処理ブロック３Ｕへ搬入されるウェハＷまたは第１処理ブロック３Ｕから受渡ブロック４へ搬出されるウェハＷが収容される。かかる第１受渡部２２Ｕには、おもて面を上向きにした状態のウェハＷが収容される。かかる第１受渡部２２Ｕは、第１搬送装置１７がアクセス可能な位置、具体的には、第１処理ブロック３Ｕの搬送部１６に隣接する位置に配置される。

第２受渡部２２Ｌには、第２搬送装置２７と移し換え装置１５ａ，１５ｂとがアクセス可能であり、受渡ブロック４から第２処理ブロック３Ｌへ搬入されるウェハＷまたは第２処理ブロック３Ｌから受渡ブロック４へ搬出されるウェハＷが収容される。かかる第２受渡部２２Ｌには、裏面を上向きにした状態のウェハＷが収容される。かかる第２受渡部２２Ｌは、第２搬送装置２７がアクセス可能な位置、具体的には、第２処理ブロック３Ｌの搬送部２６に隣接する位置に配置される。

第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂは、ウェハＷの表裏を反転させる。本実施形態では、第１反転機構２３ａが、おもて面を上向きにしたウェハＷを反転させ、第２反転機構２３ｂが、裏面を上向きにしたウェハＷを反転させるものとするが、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂがいずれの表裏状態のウェハＷを反転させるかについては、上記の例に限定されない。

このように、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、おもて面を上向きにしたウェハＷに対して処理を行う第１処理ユニット１８を第１処理ブロック３Ｕに配置し、裏面を上向きにしたウェハＷに対して処理を行う第２処理ユニット２８を第１処理ブロック３Ｕと空間的に仕切られた第２処理ブロック３Ｌに配置することとした。また、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、ウェハＷの表裏を反転させる反転機構２３ａ，２３ｂを、第１処理ブロック３Ｕから第２処理ブロック３ＬへのウェハＷの搬送経路である受渡ブロック４に配置することとした。

このように構成することで、第１処理ブロック３Ｕにおいては、おもて面を上向きにしたウェハＷのみを取り扱うことができ、第２処理ブロック３Ｌにおいては、裏面を上向きにしたウェハＷのみを取り扱うことができる。すなわち、第１処理ブロック３Ｕおよび第２処理ブロック３Ｌのいずれにおいても、おもて面を上向きにしたウェハＷと裏面を上向きにしたウェハＷとが混在する状況が生じない。このため、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、ウェハＷの表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる。

＜制御装置５の構成＞
基板処理システム１は、制御装置５（図１参照）を備える。制御装置５は、たとえばコンピュータであり、制御部５１と記憶部５２とを備える。記憶部５２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部５１は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、記憶部５２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置５の記憶部５２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。なお、制御部５１は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。

＜搬送手段の構成＞
次に、基板処理システム１が備える搬送手段すなわち主搬送装置１３、移し換え装置１５ａ，１５ｂ、第１搬送装置１７および第２搬送装置２７の構成について図１０を参照して説明する。図１０は、主搬送装置１３、移し換え装置１５ａ，１５ｂ、第１搬送装置１７および第２搬送装置２７の配置図である。

図１０に示すように、主搬送装置１３は、ウェハＷを保持する複数（ここでは、５つ）のウェハ保持部１３０を備える。主搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持部１３０を用いてカセットＣと第１バッファ部２１Ｕおよび第２バッファ部２１Ｌとの間で複数枚のウェハＷを同時に搬送することができる。

移し換え装置１５ａ，１５ｂは、上述したように、図２に示す第１バッファ部２１Ｕ、第２バッファ部２１Ｌ、第１受渡部２２Ｕ、第２受渡部２２Ｌ、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂに対してウェハＷの搬入出を行う。

第１搬送装置１７および第２搬送装置２７は、水平方向および鉛直方向への移動が可能である。第１搬送装置１７は、ウェハ保持部１７０を用いて第１受渡部２２Ｕと第１処理ユニット１８との間でウェハＷの搬送を行い、第２搬送装置２７は、ウェハ保持部２７０を用いて第２受渡部２２Ｌと第２処理ユニット２８との間でウェハＷの搬送を行う。

ここで、第１搬送装置１７および第２搬送装置２７が備えるウェハ保持部１７０，２７０の構成について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、第１搬送装置１７が備えるウェハ保持部１７０の模式平面図である。また、図１２は、第２搬送装置２７が備えるウェハ保持部２７０の模式平面図である。

図１１に示すように、第１搬送装置１７が備えるウェハ保持部１７０は、先端部が二股状に分岐した形状を有する本体部１７１と、本体部１７１の上面に設けられ、ウェハＷを吸着する複数の吸着部１７２とを備える。吸着部１７２は、例えば本体部１７１の基端部および二股状の各先端部にそれぞれ設けられる。各吸着部１７２は、真空ポンプなどの吸気装置（図示せず）に接続され、かかる吸気装置の吸気によって発生する負圧を利用してウェハＷを吸着する。

かかるウェハ保持部１７０は、吸着部１７２を用いてウェハＷの裏面を吸着することによってウェハＷを保持する。このため、ウェハ保持部１７０によれば、搬送中におけるウェハＷの位置ずれを防止することができる。

第１処理ユニット１８では、上述したようにベベル洗浄処理が行われる。ここで、ベベル洗浄処理を行う際にウェハＷの位置がずれていると、ウェハＷの周縁部に対してベベルブラシ１４１を適切に当接させることが難しい。このため、ベベル洗浄処理を行う場合には、ウェハＷの中心が第１保持部１０２の回転中心と一致していることが好ましい。

ウェハＷの位置ずれは、搬送中に生じることがある。このため、第１処理ユニット１８へウェハＷを搬送した後、ベベル洗浄処理の開始前に、ウェハＷの位置調整を行って搬送によるウェハＷの位置ずれを正すことが考えられる。しかし、このようにした場合、処理時間の増加によるスループットの低下や、位置調整用の機構の配置に伴うシステムの大型化等が生じるおそれがある。

これに対し、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、搬送中におけるウェハＷの位置ずれを吸着部１７２によって防止することができるため、第１処理ユニット１８の第１保持部１０２に対してウェハＷを適切な位置で保持させることができる。したがって、位置調整処理や位置調整用の機構が不要であるため、スループットの低下やシステムの大型化を抑制することができる。

つづいて、第２搬送装置２７が備えるウェハ保持部２７０の構成について説明する。図１２に示すように、第２搬送装置２７が備えるウェハ保持部２７０は、ウェハＷよりも大径の内周部を有する本体部２７１と、本体部２７１の内周部からかかる内周部の径方向内側へ突出する複数の爪部２７２とを備える。

かかるウェハ保持部２７０は、ウェハＷの外周部を爪部２７２に載置させることによってウェハＷを保持する。したがって、ウェハ保持部２７０によれば、吸着痕等の汚れを極力生じさせることなくウェハＷを搬送することができる。

基板処理システム１において、第２搬送装置２７は、ベベル洗浄処理および裏面洗浄処理の両方を終えた洗浄済みのウェハＷを受渡ブロック４まで搬送することとなる。このため、基板処理システム１では、洗浄済みのウェハＷを極力汚すことないウェハ保持部２７０を備える第２搬送装置２７を第２処理ブロック３Ｌの搬送部２６に配置することとしている。

このように、第１処理ユニット１８と第２処理ユニット２８とでは、ウェハＷの搬入出に適した搬送装置が異なる。これに対し、基板処理システム１では、処理ブロック３を第１処理ブロック３Ｕと第２処理ブロック３Ｌとに分けたため、第１処理ユニット１８に適した第１搬送装置１７と、第２処理ユニット２８に適した第２搬送装置２７との両方を使用することが可能である。

なお、図１０では、移し換え装置１５ａ，１５ｂ、第１搬送装置１７および第２搬送装置２７が１つのウェハ保持部を備える場合の例を示したが、移し換え装置１５ａ，１５ｂ、第１搬送装置１７および第２搬送装置２７は、主搬送装置１３と同様、複数のウェハ保持部を備えていてもよい。

＜ウェハＷの搬送フロー＞
次に、第１の実施形態に係る基板処理システム１におけるウェハＷの搬送フローについて図１３を参照して説明する。図１３は、第１の実施形態に係る基板処理システム１におけるウェハＷの搬送フローの説明図である。なお、図１３では、おもて面を上向きにしたウェハＷの搬送フローを実線で、裏面を上向きにしたウェハＷの搬送フローを破線で示している。

また、以下では、主搬送装置１３を「ＣＲＡ」、移し換え装置１５ａ，１５ｂを「ＭＰＲＡ」、第１搬送装置１７を「ＰＲＡ１」、第２搬送装置２７を「ＰＲＡ２」と記載する場合がある。また、第１バッファ部２１Ｕを「ＳＢＵ１」、第２バッファ部２１Ｌ「ＳＢＵ２」、第１受渡部２２Ｕを「ＴＲＳ１」、第２受渡部２２Ｌを「ＴＲＳ２」、第１反転機構２３ａを「ＲＶＳ１」、第２反転機構２３ｂを「ＲＶＳ２」と記載する場合がある。また、第１処理ユニット１８を「ＣＨ１」、第２処理ユニット２８を「ＣＨ２」と記載する場合がある。なお、図１３では、第１バッファ部２１Ｕ（ＳＢＵ１）、第２バッファ部２１Ｌ（ＳＢＵ２）、第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）、第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）および第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）については符号を省略して示している。

図１３に示すように、基板処理システム１では、まず、主搬送装置１３（ＣＲＡ）がカセットＣから未処理のウェハＷを複数枚まとめて取り出して第１バッファ部２１Ｕ（ＳＢＵ１）に収容する（ステップＳ１０１）。

つづいて、移し換え装置１５ａ（ＭＰＲＡ）が、第１バッファ部２１Ｕ（ＳＢＵ１）から未処理のウェハＷを取り出して第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）に移し換える（ステップＳ１０２）。

つづいて、第１処理ブロック３Ｕの第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）が、第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）からウェハＷを取り出して第１処理ユニット１８（ＣＨ１）へ搬送し（ステップＳ１０３）、第１処理ユニット１８（ＣＨ１）が、ウェハＷに対してベベル洗浄処理を行う。また、ベベル洗浄処理が終了すると、第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）が、ベベル洗浄処理済みのウェハＷを第１処理ユニット１８（ＣＨ１）から取り出して第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）に収容する（ステップＳ１０４）。

つづいて、移し換え装置１５ａ（ＭＰＲＡ）が、ベベル洗浄処理済みのウェハＷを第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）から取り出して第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）へ移し換え（ステップＳ１０５）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）が、かかるウェハＷの表裏を反転する。これにより、ウェハＷは、裏面が上方を向いた状態となる。

つづいて、移し換え装置１５ｂ（ＭＰＲＡ）が、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）からウェハＷを取り出して第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）へ移し換える（ステップＳ１０６）。

つづいて、第２処理ブロック３Ｌの第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）からウェハＷを取り出して第２処理ユニット２８（ＣＨ２）へ搬送し（ステップＳ１０７）、第２処理ユニット２８（ＣＨ２）が、ウェハＷに対して裏面洗浄処理を行う。また、裏面洗浄処理が終了すると、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、裏面洗浄処理済みのウェハＷを第２処理ユニット２８（ＣＨ２）から取り出して第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）に収容する（ステップＳ１０８）。

なお、第２搬送装置２７によるウェハＷの搬送処理（ステップＳ１０７，Ｓ１０８）および第２処理ユニット２８における裏面洗浄処理は、第１搬送装置１７によるウェハＷの搬送処理（ステップＳ１０３，Ｓ１０４）および第１処理ユニット１８におけるベベル洗浄処理と並行して行われる。また、第１搬送装置１７によるウェハＷの搬送処理（ステップＳ１０３，Ｓ１０４）および第２搬送装置２７によるウェハＷの搬送処理（ステップＳ１０７，Ｓ１０８）は、移し換え装置１５ａ，１５ｂ（ＭＰＲＡ）によるウェハＷの搬送処理（ステップＳ１０２，Ｓ１０５，Ｓ１０６，Ｓ１０９，Ｓ１１０）と並行して行われる。これにより、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。

つづいて、移し換え装置１５ｂ（ＭＰＲＡ）が、第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）からウェハＷを取り出して第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）へ移し換え（ステップＳ１０９）、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）が、かかるウェハＷの表裏を反転する。これにより、ウェハＷは、再びおもて面が上方を向いた状態となる。

つづいて、移し換え装置１５ａ（ＭＰＲＡ）が、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）からウェハＷを取り出して第２バッファ部２１Ｌ（ＳＢＵ２）へ移し換え（ステップＳ１１０）、主搬送装置１３（ＣＲＡ）が、ベベル洗浄処理および裏面洗浄処理を終えたウェハＷを第２バッファ部２１Ｌ（ＳＢＵ２）から複数枚まとめて取り出してカセットＣへ収容する（ステップＳ１１１）。これにより、一連の基板処理が終了する。

上述してきたように、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、第１処理ブロック３Ｕと、第２処理ブロック３Ｌと、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ１，ＲＶＳ２）とを備える。第１処理ブロック３Ｕは、ウェハＷにおけるおもて面（「第１の面」の一例に相当）を上向きにした状態でウェハＷの処理を行う第１処理ユニット１８（ＣＨ１）と、第１処理ユニット１８（ＣＨ１）に対してウェハＷの搬入出を行う第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）とを含む。第２処理ブロック３Ｌは、ウェハＷにおけるおもて面とは反対側の面である裏面（「第２の面」の一例に相当）を上向きにした状態でウェハＷの処理を行う第２処理ユニット２８（ＣＨ２）と、第２処理ユニット２８（ＣＨ２）に対してウェハＷの搬入出を行う第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）とを含む。第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ１，ＲＶＳ２）は、第１処理ブロック３Ｕから第２処理ブロック３ＬへのウェハＷの搬送経路の途中に配置され、ウェハＷを反転させる。

したがって、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、おもて面を上向きにしたウェハＷと裏面を上向きにしたウェハＷの両方を取り扱う場合において、ウェハＷの表裏の状態管理の複雑化を抑えることができる。

また、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）および第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）に対するウェハＷの搬入出を移し換え装置１５ａ，１５ｂ（ＭＰＲＡ）に行わせることとしている。これにより、第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）および第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）に対して上記ウェハＷの搬入出を行わせる場合と比較して、第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）および第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）の処理負荷を低減させることができる。

なお、基板処理システム１は、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）および第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）に対するウェハＷの搬入または搬出を第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）および第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）に行わせてもよい。この場合には、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）および第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）を第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）や第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）がアクセス可能な位置に配置すればよい。

また、第１の実施形態では、第１処理ブロック３Ｕが上段側に配置され、第２処理ブロック３Ｌが下段側に配置される場合の例を示したが、第１処理ブロック３Ｕおよび第２処理ブロック３Ｌの配置は逆でもよい。

（第２の実施形態）
＜第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａの構成＞
次に、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａについて説明する。まず、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａの構成について図１４および図１５を参照して説明する。図１４は、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａの模式平面図である。また、図１５は、第２の実施形態に係る基板処理システムの模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１４に示すように、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａは、搬入出ブロック２と、第１処理ブロック３Ｂと、第２処理ブロック３Ｆと、第１受渡ブロック４Ｆと、第２受渡ブロック４Ｂとを備える。これらは、搬入出ブロック２、第１受渡ブロック４Ｆ、第２処理ブロック３Ｆ、第２受渡ブロック４Ｂおよび第１処理ブロック３Ｂの順に並べて配置される。

なお、搬入出ブロック２および第１受渡ブロック４Ｆについては、第１の実施形態における搬入出ブロック２および受渡ブロック４Ｆと同様の構成であるため、ここでの説明は省略する。

＜第１処理ブロック３Ｂの構成＞
第１処理ブロック３Ｂは、第２受渡ブロック４Ｂの後方すなわち基板処理システム１Ａの最後方に配置される。かかる第１処理ブロック３Ｂは、第１搬送装置１７と、複数の第１処理ユニット１８とを備える。第１搬送装置１７は、第１処理ユニット１８および第２受渡ブロック４Ｂ間のウェハＷの搬送を行う。

複数の第１処理ユニット１８は、第１搬送装置１７のＹ軸正方向側およびＹ軸負方向側に隣接して配置される。図１５に示すように、複数の第１処理ユニット１８は、高さ方向に並べて配置される。

＜第２処理ブロック３Ｆの構成＞
第２処理ブロック３Ｆは、第１受渡ブロック４Ｆと第２受渡ブロック４Ｂとの間に配置され、第２搬送装置２７と、複数の第２処理ユニット２８とを備える。第２搬送装置２７は、第１受渡ブロック４Ｆおよび第２処理ユニット２８間のウェハＷの搬送を行う。また、第２搬送装置２７は、第１受渡ブロック４Ｆおよび第２受渡ブロック４Ｂ間のウェハＷの搬送も行う。

複数の第２処理ユニット２８は、第２搬送装置２７のＹ軸正方向側およびＹ軸負方向側に隣接して配置される。図１５に示すように、複数の第２処理ユニット２８は、高さ方向に並べて配置される。

＜第２受渡ブロック４Ｂの構成＞
第２受渡ブロック４Ｂは、第２処理ブロック３Ｆと第１処理ブロック３Ｂとの間に配置される。かかる第２受渡ブロック４Ｂの内部には、移し換え装置１５ｃと、第３受渡部１９とが配置される。

移し換え装置１５ｃは、上述した移し換え装置１５ａ，１５ｂと同様の構成を有し、第３受渡部１９のＹ軸正方向側に配置される。なお、第２受渡ブロック４Ｂは、必ずしも移し換え装置１５ｃを備えることを要しない。

第３受渡部１９は、複数枚のウェハＷを多段に収納可能である。また、第３受渡部１９は、水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿ってスライド可能に構成されており、Ｘ軸負方向側へスライドすることによって第２処理ブロック３Ｆの搬送部２６へ進入して、第２搬送装置２７との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。なお、第３受渡部１９は、第１受渡部２２Ｕおよび第２受渡部２２Ｌと同様の構成を有するものであってもよい。

第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａは、上記のように構成されており、搬入出ブロック２より搬入されたウェハＷを第１受渡ブロック４Ｆ、第２処理ブロック３Ｆおよび第２受渡ブロック４Ｂを介して第１処理ブロック３Ｂへ搬送して、第１処理ブロック３Ｂにおいてベベル洗浄処理を行う。その後、基板処理システム１Ａは、ベベル洗浄処理後のウェハＷを第１処理ブロック３Ｂから第２受渡ブロック４Ｂ、第２処理ブロック３Ｆおよび第１受渡ブロック４Ｆへ戻した後、第２処理ブロック３Ｆへ搬送して、第２処理ブロック３Ｆにおいて裏面洗浄処理を行う。そして、基板処理システム１Ａは、裏面洗浄処理後のウェハＷを第２処理ブロック３Ｆから第１受渡ブロック４Ｆ経由で搬入出ブロック２へ搬送し、搬入出ブロック２から外部へ払い出す。

＜ウェハＷの搬送フロー＞
上記したウェハＷの搬送フローについて図１６を参照して具体的に説明する。図１６は、第２の実施形態に係る基板処理システム１ＡにおけるウェハＷの搬送フローの説明図である。なお、図１６では、第３受渡部１９を「ＴＲＳ３」と記載する。また、図１６では、第１バッファ部２１Ｕ（ＳＢＵ１）、第２バッファ部２１Ｌ（ＳＢＵ２）、第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）、第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）、第３受渡部１９（ＴＲＳ３）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）、第１処理ユニット１８（ＣＨ１）および第２処理ユニット２８（ＣＨ２）については符号を省略する。

図１６に示すステップＳ２０１，Ｓ２０２の処理は、図１３に示すステップＳ１０１，Ｓ１０２の処理と同じである。すなわち、基板処理システム１Ａでは、まず、主搬送装置１３（ＣＲＡ）が、カセットＣから未処理のウェハＷを複数枚まとめて取り出して第１バッファ部２１Ｕ（ＳＢＵ１）に収容（ステップＳ２０１）し、移し換え装置１５ａ（ＭＰＲＡ）が、第１バッファ部２１Ｕ（ＳＢＵ１）から未処理のウェハＷを取り出して第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）に移し換える（ステップＳ２０２）。

つづいて、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）からウェハＷを取り出して第３受渡部１９（ＴＲＳ３）へ搬送する（ステップＳ２０３）。そして、第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）が、第３受渡部１９（ＴＲＳ３）からウェハＷを取り出して第１処理ユニット１８（ＣＨ１）へ搬送し（ステップＳ２０４）、第１処理ユニット１８（ＣＨ１）が、ウェハＷに対してベベル洗浄処理を行う。

つづいて、ベベル洗浄処理が終了すると、第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）が、ベベル洗浄処理済みのウェハＷを第１処理ユニット１８（ＣＨ１）から取り出して第３受渡部１９（ＴＲＳ３）に収容する（ステップＳ２０５）。そして、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、第３受渡部１９（ＴＲＳ３）からウェハＷを取り出して第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）に収納する（ステップＳ２０６）。その後の処理（ステップＳ２０７〜Ｓ２１３）は、図１３に示すステップＳ１０５〜Ｓ１１１と同様であるため、ここでの説明は省略する。

このように、第１処理ユニット１８を備える第１処理ブロック３Ｂと、第２処理ユニット２８を備える第２処理ブロック３Ｆとは、第１の実施形態に係る基板処理システム１のように高さ方向に並べて配置される場合に限らず、水平方向に並べて配置されてもよい。

また、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａでは、第２処理ブロック３Ｆが第１処理ブロック３Ｂよりも前段側に、言い換えれば、搬入出ブロック２に近い位置に配置される。かかる配置とすることで、ウェハＷを吸着保持する第１搬送装置１７が、ベベル洗浄処理および裏面洗浄処理を終えた洗浄済みのウェハＷを保持しないようにすることができる。このため、洗浄済みのウェハＷに吸着痕等の汚れが付着することを抑制することが可能である。

なお、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａでは、第２処理ブロック３Ｆにおいておもて面を上向きにした状態のウェハＷと、裏面を上向きにした状態のウェハＷの両方が搬送されることとなる。しかし、おもて面を上向きにした状態のウェハＷは、単に第２処理ブロック３Ｆを通過するだけであるため、第１の実施形態に係る基板処理システム１と比較してウェハＷの表裏の状態管理が大きく複雑化することはない。

（第３の実施形態）
上述した第２の実施形態では、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂが第１受渡ブロック４Ｆに配置される場合の例について説明したが、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂの配置は上記の例に限定されるものではない。そこで、第３の実施形態では、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂの配置の変形例について説明する。

図１７は、第３の実施形態に係る基板処理システム１Ｂの模式平面図である。図１７に示すように、第３の実施形態に係る基板処理システム１Ｂでは、第２受渡ブロック４Ｂに第１反転機構２３ａが配置され、第１受渡ブロック４Ｆには第２反転機構２３ｂが配置される。

次に、第３の実施形態に係る基板処理システム１ＢにおけるウェハＷの搬送フローについて図１８を参照して説明する。図１８は、第３の実施形態に係る基板処理システム１ＢにおけるウェハＷの搬送フローの説明図である。

なお、以下では、第１受渡ブロック４Ｆに配置される移し換え装置１５ａ，１５ｂを「第１移し換え装置１５ａ，１５ｂ」と記載し、第２受渡ブロック４Ｂに配置される移し換え装置１５ｃを「第２移し換え装置１５ｃ」と記載することする。また、図１８においては、第１移し換え装置１５ａ，１５ｂを「ＭＰＲＡ１」、第２移し換え装置１５ｃを「ＭＰＲＡ２」とそれぞれ記載する。

また、図１６と同様、図１８では、第１バッファ部２１Ｕ（ＳＢＵ１）、第２バッファ部２１Ｌ（ＳＢＵ２）、第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）、第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）、第３受渡部１９（ＴＲＳ３）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）、第１処理ユニット１８（ＣＨ１）および第２処理ユニット２８（ＣＨ２）については符号を省略する。

図１８に示すステップＳ３０１〜Ｓ３０５の処理は、図１６に示すステップＳ２０１〜Ｓ２０５の処理と同じである。ステップＳ２０５の処理の後、第２移し換え装置１５ｃ（ＭＰＲＡ２）は、第３受渡部１９（ＴＲＳ３）からウェハＷを取り出して第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）に移し換え（ステップＳ３０６）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）が、ウェハＷの表裏を反転する。これにより、ウェハＷは、裏面が上方を向いた状態となる。

つづいて、第２移し換え装置１５ｃ（ＭＰＲＡ２）が、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）からウェハＷを取り出して第３受渡部１９（ＴＲＳ３）へ移し換え（ステップＳ３０７）、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、第３受渡部１９（ＴＲＳ３）からウェハＷを取り出して第２処理ユニット２８へ搬送し（ステップＳ３０８）、第２処理ユニット２８（ＣＨ２）が、ウェハＷに対して裏面洗浄処理を行う。

つづいて、裏面洗浄処理が終了すると、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、裏面洗浄処理済みのウェハＷを第２処理ユニット２８（ＣＨ２）から取り出して第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）に収容する（ステップＳ３０９）。その後の処理（ステップＳ３１０〜Ｓ３１２）は、図１６に示すステップＳ２１１〜２１３と同様であるため、ここでの説明は省略する。

このように、第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂは、第１受渡ブロック４Ｆと第２受渡ブロック４Ｂとにそれぞれ配置されてもよい。

（第４の実施形態）
上述してきた各実施形態では、第１処理ブロック３Ｕ，３Ｂにおいて、ベベル洗浄処理を行う場合の例について説明した。しかし、第１処理ブロック３Ｕ，３Ｂにおいて行われる基板処理は、ベベル洗浄処理に限定されない。そこで、第４の実施形態では、第１処理ブロック３Ｕ，３Ｂにおいて行われる基板処理の変形例について図１９を参照して説明する。図１９は、第４の実施形態に係る第１処理ユニット１８Ａの模式側面図である。

図１９に示すように、第４の実施形態に係る第１処理ユニット１８Ａは、第３吐出部１０６をさらに備える。第３吐出部１０６は、バルブ１６１や流量調整器（図示せず）等を介してエッチング液供給源１６２に接続される。かかる第３吐出部１０６は、エッチング液供給源１６２から供給されるエッチング液をウェハＷの上方からウェハＷのおもて面側の外周部へ向けて吐出する。これにより、ウェハＷの外周部に形成されていた膜が除去される。

第１処理ユニット１８Ａは、上記のように構成されており、回転するウェハＷに対し、ベベル洗浄部１０４および第１吐出部１０５を用いたベベル洗浄処理を行った後、第３吐出部１０６を用いたエッジカット処理を行う。

このように、第１処理ブロック３Ｕ，３Ｂにおいてベベル洗浄処理およびエッジカット処理を行った後で、第２処理ブロック３Ｌ，３Ｆにおいて裏面洗浄処理を行うようにしてもよい。

なお、ここでは、第１処理ユニット１８Ａが、ベベル洗浄処理およびエッジカット処理の両方を行う場合の例について説明したが、ベベル洗浄処理を行う処理ユニットとエッジカット処理を行う処理ユニットとを分けて第１処理ブロック３Ｕ，３Ｂに配置してもよい。

（第５の実施形態）
＜基板処理システム１Ｃの構成＞
次に、第５の実施形態に係る基板処理システム１Ｃについて説明する。図２０は、第５の実施形態に係る基板処理システム１Ｃの模式平面図であり、図２１は、同模式側面図である。

図２０および図２１に示すように、第５の実施形態に係る基板処理システム１Ｃは、第１の実施形態に係る基板処理システム１と概ね同様の構成を有するが、処理ブロック３Ｃおよび受渡ブロック４Ｃを備える点で、第１の実施形態に係る基板処理システム１と異なる。

図２１に示すように、処理ブロック３Ｃは、第２処理ユニット２８Ｃを備える。第２処理ユニット２８Ｃは、第２処理ユニット２８と異なり、裏面を上向きにした状態のウェハＷに対する処理と、裏面を下向きにした状態（すなわち、おもて面を上向きにした状態）のウェハＷに対する処理とを行う。

＜第２処理ユニット２８Ｃの構成＞
ここで、第２処理ユニット２８Ｃの構成について図２２を参照して説明する。図２２は、第５の実施形態に係る第２処理ユニット２８Ｃの模式平面図である。

図２２に示すように、第２処理ユニット２８Ｃは、第２チャンバ２０１と、第２保持部２０２と、第２回収カップ２０３と、裏面洗浄部２０４Ｃと、第２吐出部２０５と、第４吐出部２０６とを備える。なお、裏面洗浄部２０４Ｃおよび第４吐出部２０６以外の構成は、第２処理ユニット２８と同様であるため、ここでの説明は省略する。

裏面洗浄部２０４Ｃは、裏面ブラシ２４１と、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に延在し、シャフト２４２を介して裏面ブラシ２４１を上方から支持するアーム２４６と、アーム２４６を旋回および昇降させる旋回昇降機構２４７とを備える。また、裏面洗浄部２０４Ｃは、図示しない回転機構を備えており、かかる回転機構を用いて裏面ブラシ２４１をシャフト２４２まわりに回転させることができる。

裏面洗浄部２０４Ｃおよび第２吐出部２０５は、基板における第２の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第１処理部の一例に相当する。なお、第２処理ユニット２８Ｃは、裏面洗浄部２０４Ｃに代えて、第２処理ユニット２８が備える裏面洗浄部２０４を備えてもよい。

第４吐出部２０６は、第２回収カップ２０３の外方に配置される。第４吐出部２０６は、ノズル２６１と、水平方向に延在し、ノズル２６１を支持するアーム２６２と、アーム２６２を旋回および昇降させる旋回昇降機構２６３とを備える。

ノズル２６１は、たとえば２流体ノズルであり、バルブ２６４および流量調整器（図示せず）等を介して洗浄液供給源２６５に接続されるとともに、バルブ２６６および流量調整器（図示せず）等を介して気体供給源２６７に接続される。

第４吐出部２０６は、洗浄液供給源２６５から供給される洗浄液（たとえば、純水）と気体供給源２６７から供給される気体（たとえば、窒素等の不活性ガス）とをノズル２６１内で混合し、これにより液滴状の又はミスト化した洗浄液をノズル２６１から基板へ供給する。

第４吐出部２０６は、基板における第１の面を上向きにした状態で基板の処理を行う第２処理部の一例に相当する。なお、ここでは、第４吐出部２０６が備えるノズル２６１が２流体ノズルである場合の例を示したが、ノズル２６１は、通常のノズルであってもよい。

第２処理ユニット２８Ｃは、裏面を上向きにしたウェハＷが搬入された場合には、裏面洗浄部２０４Ｃおよび第２吐出部２０５を用いてウェハＷを処理する。

具体的には、第２処理ユニット２８Ｃは、裏面を上向きにしたウェハＷの周縁部を第２保持部２０２で保持して回転させる。つづいて、第２処理ユニット２８Ｃは、回転するウェハＷの上方に配置された裏面洗浄部２０４Ｃの裏面ブラシ２４１をウェハＷに接触させる。また、第２処理ユニット２８Ｃは、回転するウェハＷの上方に配置された第２吐出部２０５からウェハＷへ向けて洗浄液を吐出する。そして、第２処理ユニット２８Ｃは、裏面ブラシ２４１を回転させながら、例えばウェハＷの中心部から外周部へ移動させる。これにより、ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等が除去される。

また、第２処理ユニット２８Ｃは、おもて面を上向きにしたウェハＷが搬入された場合には、第４吐出部２０６を用いてウェハＷを処理する。

具体的には、第２処理ユニット２８Ｃは、おもて面を上向きにしたウェハＷの周縁部を第２保持部２０２で保持して回転させる。つづいて、第２処理ユニット２８Ｃは、回転するウェハＷの上方に第４吐出部２０６のノズル２６１を配置させて、ノズル２６１からウェハＷのおもて面に向けて液滴状の又はミスト化した洗浄液を供給する。これにより、ウェハＷのおもて面が洗浄され、当初からおもて面に付着していたパーティクル等を除去することができる。また、当初は付着していなくても、たとえば、第１処理ユニット１８での処理、第２処理ユニット２８Ｃでの裏面処理、及びウェハＷの搬送の過程で付着してしまったパーティクル等も除去することができる。

＜受渡ブロック４Ｃの構成＞
次に、受渡ブロック４Ｃの構成について図２０、図２１および図２３を参照して説明する。図２３は、第５の実施形態に係る受渡ブロック４Ｃの模式背面図である。

図２１および図２３に示すように、受渡ブロック４Ｃの内部には、第１受渡部２２Ｕと、バッファ部２１と、第１反転機構２３ａと、第２受渡部２２Ｌと、第２反転機構２３ｂとが、上から順に上記の順番で高さ方向に並べて配置される。また、図２０および図２３に示すように、受渡ブロック４Ｃの内部には、第１移し換え装置１５Ｃａと、第２移し換え装置１５Ｃｂとが配置される。

第１移し換え装置１５Ｃａおよび第２移し換え装置１５Ｃｂは、図示しない昇降機構を備えており、かかる昇降機構を用いて鉛直方向に移動することにより、高さ方向に並べて配置された第１受渡部２２Ｕ等に対してウェハＷの搬入出を行う。なお、第１移し換え装置１５Ｃａは、第１受渡部２２Ｕ等のＹ軸正方向側に配置され、第２移し換え装置１５Ｃｂは、第１受渡部２２Ｕ等のＹ軸負方向側に配置される。

図２３に示すように、第１移し換え装置１５Ｃａは、第１受渡部２２Ｕおよびバッファ部２１に対してアクセス可能である。これに対し、第２移し換え装置１５Ｃｂは、バッファ部２１、第１反転機構２３ａ、第２受渡部２２Ｌおよび第２反転機構２３ｂに対してアクセス可能である。

このように、受渡ブロック４Ｃでは、第１移し換え装置１５Ｃａおよび第２移し換え装置１５Ｃｂの両方がアクセス可能な位置にバッファ部２１が配置される。

＜バッファ部２１の構成＞
バッファ部２１は、上述した第１バッファ部２１Ｕおよび第２バッファ部２１Ｌと概ね同様の構成を有するが、収容可能なウェハＷの段数を第１バッファ部２１Ｕおよび第２バッファ部２１Ｌよりも多くした点で、第１バッファ部２１Ｕおよび第２バッファ部２１Ｌと異なる。

ここで、バッファ部２１の構成について図２４および図２５を参照して説明する。図２４は、バッファ部２１の模式平面図であり、図２５は、同模式側面図である。

図２４に示すように、バッファ部２１には、主搬送装置１３と第１移し換え装置１５Ｃａと第２移し換え装置１５Ｃｂとがそれぞれ異なる方向からアクセス可能である。具体的には、主搬送装置１３は、バッファ部２１のＸ軸負方向側から支持部２１２および支持部２１３の間を通ってバッファ部２１内に進入する。また、第１移し換え装置１５Ｃａは、バッファ部２１のＹ軸正方向側から支持部２１３および支持部２１４の間を通ってバッファ部２１内に進入する。

そして、第２移し換え装置１５Ｃｂは、バッファ部２１のＹ軸負方向側から支持部２１２および支持部２１４の間を通ってバッファ部２１内に進入する。なお、バッファ部２１には、おもて面を上向きにした状態のウェハＷが収容される。

図２５に示すように、バッファ部２１は、下方から順に、下段エリア２１０Ｌ、中段エリア２１０Ｍおよび上段エリア２１０Ｕの３つのエリアに区分けされている。下段エリア２１０Ｌには、未処理のウェハＷが収容される。また、中段エリア２１０Ｍには、第１処理ユニット１８により処理済みのウェハＷが収容され、上段エリア２１０Ｕには、第１処理ユニット１８および第２処理ユニット２８Ｃにより処理済みのウェハＷが収容される。

＜ウェハＷの搬送フロー＞
次に、第５の実施形態に係る基板処理システム１ＣにおけるウェハＷの搬送フローについて図２６および図２７を参照して説明する。図２６および図２７は、第５の実施形態に係る基板処理システム１ＣにおけるウェハＷの搬送フローの説明図である。

なお、図２６には、第１移し換え装置１５Ｃａから第２移し換え装置１５ＣｂへウェハＷが受け渡される前までの搬送フローを示し、図２７には、第２移し換え装置１５ＣｂへウェハＷが受け渡された後の搬送フローを示している。

また、図２６および図２７では、おもて面を上向きにしたウェハＷの搬送フローを実線で、裏面を上向きにしたウェハＷの搬送フローを破線で示している。また、以下では、第１移し換え装置１５Ｃａを「ＭＰＲＡ１」、第２移し換え装置１５Ｃｂを「ＭＰＲＡ２」と記載する場合がある。また、図２６および図２７では、バッファ部２１（ＳＢＵ）、第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）、第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）および第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）については符号を省略して示している。

第５の実施形態に係る基板処理システム１Ｃでは、第１移し換え装置１５Ｃａから第２移し換え装置１５ＣｂへのウェハＷの受け渡しをバッファ部２１を経由して行う。また、基板処理システム１Ｃでは、第２処理ユニット２８Ｃが、裏面を上向きにしたウェハＷに対する処理（裏面洗浄処理）に加え、おもて面を上向きにしたウェハＷに対する処理（おもて面洗浄処理）も行う。

図２６に示すように、基板処理システム１Ｃでは、まず、主搬送装置１３（ＣＲＡ）がカセットＣから未処理のウェハＷを複数枚まとめて取り出してバッファ部２１（ＳＢＵ）に収容する（ステップＳ４０１）。このとき、主搬送装置１３（ＣＲＡ）は、バッファ部２１（ＳＢＵ）の下段エリア２１０ＬにウェハＷを収容する。

つづいて、第１移し換え装置１５Ｃａ（ＭＰＲＡ１）が、バッファ部２１（ＳＢＵ）から未処理のウェハＷを取り出して第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）に移し換える（ステップＳ４０２）。

つづいて、第１処理ブロック３Ｕの第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）が、第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）からウェハＷを取り出して第１処理ユニット１８（ＣＨ１）へ搬送し（ステップＳ４０３）、第１処理ユニット１８（ＣＨ１）が、ウェハＷに対してベベル洗浄処理を行う。また、ベベル洗浄処理が終了すると、第１搬送装置１７（ＰＲＡ１）が、ベベル洗浄処理済みのウェハＷを第１処理ユニット１８（ＣＨ１）から取り出して第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）に収容する（ステップＳ４０４）。

つづいて、第１移し換え装置１５Ｃａ（ＭＰＲＡ１）が、ベベル洗浄処理済みのウェハＷを第１受渡部２２Ｕ（ＴＲＳ１）から取り出してバッファ部２１（ＳＢＵ）に移し換える（ステップＳ４０５）。このとき、第１移し換え装置１５Ｃａ（ＭＰＲＡ１）は、バッファ部２１（ＳＢＵ）の中段エリア２１０ＭにウェハＷを収容する。

つづいて、図２７に示すように、第２移し換え装置１５Ｃｂ（ＭＰＲＡ２）が、バッファ部２１（ＳＢＵ）からウェハＷを取り出して第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）へ移し換え（ステップＳ４０６）、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）が、かかるウェハＷの表裏を反転する。これにより、ウェハＷは、裏面が上方を向いた状態となる。

つづいて、第２処理ブロック３Ｌの第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）からウェハＷを取り出して第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）へ搬送する（ステップＳ４０７）。このとき、ウェハＷは裏面が上方を向いた状態であるため、第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）では、ウェハＷに対し、裏面洗浄部２０４Ｃおよび第２吐出部２０５を用いた裏面洗浄処理が行われる。ここで、複数の第２処理ユニット２８Ｃの処理状況は、たとえば制御装置５によってリアルタイムに管理されており、空いているユニットから順にウェハＷが搬送されていく。

つづいて、裏面洗浄処理が終了すると、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、裏面洗浄処理済みのウェハＷを第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）から取り出して第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）へ搬送し（ステップＳ４０８）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）が、かかるウェハＷの表裏を反転する。これにより、ウェハＷは、おもて面が上方を向いた状態となる。

つづいて、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）からウェハＷを取り出して再度第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）へ搬送する（ステップＳ４０９）。このとき、ウェハＷはおもて面が上方を向いた状態であるため、第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）では、ウェハＷに対し、第４吐出部２０６を用いたおもて面洗浄処理が行われる。ここで、複数の第２処理ユニット２８Ｃの処理状況は、たとえば制御装置５によってリアルタイムに管理されており、先の裏面洗浄処理が完了して空いているユニットから順にウェハＷが搬送されていく。

つづいて、おもて面洗浄処理が終了すると、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、おもて面洗浄処理済みのウェハＷを第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）から取り出して第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）へ搬送する（ステップＳ４１０）。つづいて、第２移し換え装置１５Ｃｂ（ＭＰＲＡ２）が、第２受渡部２２Ｌ（ＴＲＳ２）からウェハＷを取り出してバッファ部２１（ＳＢＵ）へ移し換える（ステップＳ４１１）。このとき、第２移し換え装置１５Ｃｂ（ＭＰＲＡ２）は、バッファ部２１（ＳＢＵ）の上段エリア２１０ＵにウェハＷを収容する。

そして、主搬送装置１３（ＣＲＡ）が、処理済みのウェハＷをバッファ部２１（ＳＢＵ）から複数枚まとめて取り出してカセットＣへ収容する（ステップＳ４１２）。これにより、一連の基板処理が終了する。

以上の構成により、第１移し換え装置１５Ｃａおよび第２移し換え装置１５Ｃｂが、おもて面が上方を向いたウェハＷのみを取り扱うようになるため、ウェハＷの状態管理の複雑化をさらに抑えることができる。

また、第２移し換え装置１５Ｃｂから第２搬送装置２７へのウェハＷの受け渡しを第２受渡部２２Ｌ経由ではなく第２反転機構２３ｂ経由で行うことにより、第２反転機構２３ｂから第２受渡部２２ＬへのウェハＷの搬送が省略されるため、一連の基板処理の効率を高めることができる。

また、第１受渡部２２Ｕおよびバッファ部２１へのアクセスを第１移し換え装置１５Ｃａに担当させ、バッファ部２１、第１反転機構２３ａ、第２受渡部２２Ｌおよび第２反転機構２３ｂへのアクセスを第２移し換え装置１５Ｃｂに担当させることで、第１移し換え装置１５Ｃａおよび第２移し換え装置１５Ｃｂの移動距離を短く抑えることができる。このため、これによっても、一連の基板処理の効率を高めることができる。

なお、ここでは、複数の第２処理ユニット２８Ｃが、裏面を上向きにしたウェハＷに対する処理（裏面洗浄処理）に加え、おもて面を上向きにしたウェハＷに対する処理（おもて面洗浄処理）も行うこととしたが、いずれか一方の処理を行うように予め機能を割り当てられていても良い。すなわち、たとえば１０台の第２処理ユニット２８Ｃのうち５台を裏面洗浄処理専用に割り当て、５台をおもて面洗浄処理専用に割り当てて、前者をステップＳ４０７での搬送先とし、後者をステップＳ４０９の搬送先とするようにしても良い。また、おもて面洗浄処理は、必ずしも実行されることを要しない。ここで、おもて面洗浄処理を行わない場合におけるウェハＷの搬送フローについて図２８を参照して説明する。図２８は、おもて面洗浄処理を行わない場合におけるウェハＷの搬送フローの説明図である。

図２６に示すステップＳ４０１〜Ｓ４０５の処理を終えた後、基板処理システム１Ｃでは、図２８に示すように、第２移し換え装置１５Ｃｂが、バッファ部２１（ＳＢＵ）からウェハＷを取り出して第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）へ移し換え（ステップＳ５０１）、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）が、かかるウェハＷの表裏を反転する。これにより、ウェハＷは、裏面が上方を向いた状態となる。

つづいて、第２処理ブロック３Ｌの第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、第２反転機構２３ｂ（ＲＶＳ２）からウェハＷを取り出して第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）へ搬送する（ステップＳ５０２）。第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）では、ウェハＷに対し、裏面洗浄部２０４Ｃおよび第２吐出部２０５を用いた裏面洗浄処理が行われる。

つづいて、裏面洗浄処理が終了すると、第２搬送装置２７（ＰＲＡ２）が、裏面洗浄処理済みのウェハＷを第２処理ユニット２８Ｃ（ＣＨ２）から取り出して第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）へ搬送し（ステップＳ５０３）、第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）が、かかるウェハＷの表裏を反転する。これにより、ウェハＷは、おもて面が上方を向いた状態となる。

つづいて、第２移し換え装置１５Ｃｂ（ＭＰＲＡ２）が、裏面洗浄処理済みのウェハＷを第１反転機構２３ａ（ＲＶＳ１）から取り出してバッファ部２１（ＳＢＵ）へ移し換える（ステップＳ５０４）。第２移し換え装置１５Ｃｂ（ＭＰＲＡ２）は、バッファ部２１（ＳＢＵ）の上段エリア２１０ＵにウェハＷを収容する。そして、主搬送装置１３（ＣＲＡ）が、処理済みのウェハＷをバッファ部２１（ＳＢＵ）から複数枚まとめて取り出してカセットＣへ収容する（ステップＳ５０５）。これにより、一連の基板処理が終了する。

このように、基板処理システム１Ｃは、裏面洗浄処理後のおもて面洗浄処理を行うことなく、裏面洗浄処理済みのウェハＷを払い出すこととしてもよい。この場合、基板処理システム１Ｃは、必ずしも第２受渡部２２Ｌを備えることを要しない。また、基板処理システム１Ｃは、第２処理ユニット２８Ｃに代えて、第２処理ユニット２８（図６および図７参照）を備えることとしてもよい。

また、ここでは、第２移し換え装置１５Ｃｂが第２反転機構２３ｂにウェハＷを搬入し（ステップＳ４０６）、第２搬送装置２７が第１反転機構２３ａにウェハＷを搬入する（ステップＳ４０８）こととした。しかし、この例に限らず、第２移し換え装置１５Ｃｂが第１反転機構２３ａにウェハＷを搬入し、第２搬送装置２７が第２反転機構２３ｂにウェハＷを搬入してもよい。また、第２移し換え装置１５Ｃｂおよび第２搬送装置２７の双方が第１反転機構２３ａおよび第２反転機構２３ｂの何れか一方にのみアクセスするようにしてもよい。この場合、受渡ブロック４Ｃは、必ずしも反転機構を２つ備えることを要しない。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
２ 搬入出ブロック
３ 処理ブロック
３Ｕ 第１処理ブロック
３Ｌ 第２処理ブロック
４ 受渡ブロック
５ 制御装置
１３ 主搬送装置（ＣＲＡ）
１５ａ，１５ｂ 移し換え装置（ＭＰＲＡ）
１７ 第１搬送装置（ＰＲＡ１）
１８ 第１処理ユニット（ＣＨ１）
２７ 第２搬送装置（ＰＲＡ２）
２８ 第２処理ユニット（ＣＨ２）
２１Ｕ 第１バッファ部（ＳＢＵ１）
２１Ｌ 第２バッファ部（ＳＢＵ２）
２２Ｕ 第１受渡部（ＴＲＳ１）
２２Ｌ 第２受渡部（ＴＲＳ２）
２３ａ 第１反転機構（ＲＶＳ１）
２３ｂ 第２反転機構（ＲＶＳ２）

Claims (17)

1. 基板における第１の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第１処理ユニットと、前記第１処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第１搬送装置とを含む第１処理ブロックと、
   前記基板における前記第１の面とは反対側の面である第２の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第２処理ユニットと、前記第２処理ユニットに対して前記基板の搬入出を行う第２搬送装置とを含む第２処理ブロックと、
   前記第１処理ブロックから前記第２処理ブロックへの前記基板の搬送経路の途中に配置され、前記基板を反転させる反転機構と
   を備えることを特徴とする基板処理システム。
2. 前記第１処理ユニットは、
   回路形成面である前記第１の面を上向きにした前記基板の前記第２の面を吸着保持した状態で、前記基板の周縁部を処理し、
   前記第２処理ユニットは、
   前記第２の面を上向きにした前記基板の周縁部を保持した状態で、前記基板の前記第２の面を処理すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記第１搬送装置は、
   前記基板を吸着する吸着部を備え、前記吸着部を用いて前記第２の面を吸着保持した状態で前記基板を搬送し、
   前記第２搬送装置は、
   前記基板よりも大径の内周部と、前記内周部から該内周部の径方向内側へ突出する複数の爪部とを備え、前記基板の外周部を前記爪部に載置させた状態で前記基板を搬送すること
   を特徴とする請求項１または２に記載の基板処理システム。
4. 前記第１搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第１受渡部と、前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第２の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第２受渡部と、前記第１受渡部および前記第２受渡部に対して前記基板の搬入出を行う移し換え装置とを含む受渡ブロック
   を備え、
   前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックは、高さ方向に並べて配置され、
   前記反転機構は、
   前記受渡ブロックに配置されること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理システム。
5. 前記移し換え装置が、前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を前記第１受渡部へ搬送し、前記第１搬送装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記第１処理ユニットへ搬送するとともに、前記第１処理ユニットによって処理された前記基板を前記第１処理ユニットから取り出して前記第１受渡部へ搬送し、前記移し換え装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送するとともに、前記反転機構によって反転された前記基板を前記反転機構から取り出して前記第２受渡部へ搬送し、前記第２搬送装置が、前記第２受渡部から前記基板を取り出して前記第２処理ユニットへ搬送すること
   を特徴とする請求項４に記載の基板処理システム。
6. 前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第１受渡部と、前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第２の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第２受渡部と、前記第１受渡部および前記第２受渡部に対して前記基板の搬入出を行う移し換え装置とを含み、前記第２処理ブロックに隣接して配置される第１受渡ブロックと、
   前記第１搬送装置および前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第１の面または前記第２の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第３受渡部を含み、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの間に配置される第２受渡ブロックと
   を備え、
   前記反転機構は、
   前記第１受渡ブロックに配置されること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理システム。
7. 前記移し換え装置が、前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を前記第１受渡部へ搬送し、前記第２搬送装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記第３受渡部へ搬送し、前記第１搬送装置が、前記第３受渡部から前記基板を取り出して前記第１処理ユニットへ搬送するとともに、前記第１処理ユニットによって処理された前記基板を前記第１処理ユニットから取り出して前記第３受渡部へ搬送し、前記第２搬送装置が、前記第３受渡部から前記基板を取り出して前記第１受渡部へ搬送し、前記移し換え装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送するとともに、前記反転機構によって反転された前記基板を前記反転機構から取り出して前記第２受渡部へ搬送し、前記第２搬送装置が、前記第２受渡部から前記基板を取り出して前記第２処理ユニットへ搬送すること
   を特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
8. 前記第１搬送装置、前記第２搬送装置および前記移し換え装置による前記基板の搬送が並行して行われること
   を特徴とする請求項４〜７のいずれか一つに記載の基板処理システム。
9. 前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第１受渡部と、前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第２の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第２受渡部と、前記第１受渡部および前記第２受渡部に対して前記基板の搬入出を行う第１移し換え装置とを含み、前記第２処理ブロックに隣接して配置される第１受渡ブロックと、
   前記第１搬送装置および前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第１の面または前記第２の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第３受渡部と、前記第３受渡部に対して前記基板の搬入出を行う第２移し換え装置とを含み、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの間に配置される第２受渡ブロックと
   を備え、
   前記反転機構は、
   前記第２受渡ブロックに配置されること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理システム。
10. 前記第１移し換え装置が、前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を前記第１受渡部へ搬送し、前記第２搬送装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記第３受渡部へ搬送し、前記第１搬送装置が、前記第３受渡部から前記基板を取り出して前記第１処理ユニットへ搬送するとともに、前記第１処理ユニットによって処理された前記基板を前記第１処理ユニットから取り出して前記第３受渡部へ搬送し、前記第２移し換え装置が、前記第３受渡部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送するとともに、前記反転機構によって反転された前記基板を前記反転機構から取り出して前記第３受渡部へ搬送し、前記第２搬送装置が、前記第３受渡部から前記基板を取り出して前記第２処理ユニットへ搬送すること
    を特徴とする請求項９に記載の基板処理システム。
11. 前記第１搬送装置、前記第２搬送装置、前記第１移し換え装置および前記第２移し換え装置による前記基板の搬送が並行して行われること
    を特徴とする請求項９または１０に記載の基板処理システム。
12. 前記第１受渡部、前記第２受渡部および前記反転機構は、
    高さ方向に並べて配置されること
    を特徴とする請求項４〜１１のいずれか一つに記載の基板処理システム。
13. 前記第１搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第１受渡部と、前記第１受渡部に対して前記基板の搬入出を行う第１移し換え装置と、前記反転機構に対して前記基板の搬入を行う第２移し換え装置と、前記第１移し換え装置および前記第２移し換え装置によりアクセス可能な位置に配置され、前記基板を一時的に収容するバッファ部とを含む受渡ブロック
    を備え、
    前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックは、高さ方向に並べて配置され、
    前記反転機構は、
    前記受渡ブロックに配置されること
    を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理システム。
14. 前記第１移し換え装置が、前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を前記第１受渡部へ搬送し、前記第１搬送装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記第１処理ユニットへ搬送するとともに、前記第１処理ユニットによって処理された前記基板を前記第１処理ユニットから取り出して前記第１受渡部へ搬送し、前記第１移し換え装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記バッファ部へ搬送し、前記第２移し換え装置が、前記バッファ部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送し、前記反転機構が、前記基板を反転し、前記第２搬送装置が、前記反転機構から前記基板を取り出して前記第２処理ユニットへ搬送すること
    を特徴とする請求項１３に記載の基板処理システム。
15. 前記受渡ブロックは、
    前記第２搬送装置によりアクセス可能な位置に配置されて前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を収容する第２受渡部
    をさらに含み、
    前記第２処理ユニットは、
    前記基板における前記第２の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第１処理部と、
    前記基板における前記第１の面を上向きにした状態で前記基板の処理を行う第２処理部と
    を備えることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理システム。
16. 前記第１移し換え装置が、前記第１の面を上向きにした状態の前記基板を前記第１受渡部へ搬送し、前記第１搬送装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記第１処理ユニットへ搬送するとともに、前記第１処理ユニットによって処理された前記基板を前記第１処理ユニットから取り出して前記第１受渡部へ搬送し、前記第１移し換え装置が、前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記バッファ部へ搬送し、前記第２移し換え装置が、前記バッファ部から前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送し、前記反転機構が、前記基板を反転し、前記第２搬送装置が、前記反転機構から前記基板を取り出して前記第２処理ユニットへ搬送し、前記第２処理ユニットが前記第１処理部を用いて前記基板の処理を行い、前記第２搬送装置が、前記第２処理ユニットから前記基板を取り出して前記反転機構へ搬送し、前記反転機構が、前記基板を反転し、前記第２搬送装置が、前記反転機構から前記基板を取り出して前記第２処理ユニットへ搬送し、前記第２処理ユニットが前記第２処理部を用いて前記基板の処理を行うこと
    を特徴とする請求項１５に記載の基板処理システム。
17. 前記第１処理ユニットによる処理と前記第２処理ユニットによる処理とが並行して行われること
    を特徴とする請求項１〜１６のいずれか一つに記載の基板処理システム。

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