JP2003092335A - 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法

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JP2003092335A
JP2003092335A JP2001283948A JP2001283948A JP2003092335A JP 2003092335 A JP2003092335 A JP 2003092335A JP 2001283948 A JP2001283948 A JP 2001283948A JP 2001283948 A JP2001283948 A JP 2001283948A JP 2003092335 A JP2003092335 A JP 2003092335A
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hand
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dust
wafer
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Takashi Kataoka
敬 片岡
Hirosuke Sato
裕輔 佐藤
Takashi Haraguchi
貴史 原口
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 基板処理の際に、基板搬送中の基板表面への
ダストの付着を防止する。 【解決手段】 基板処理装置は、基板に所定の処理を施
す処理部1と、処理部との間で基板を搬送する搬送部2
とを備え、搬送部は、伸縮自在の搬送アーム10と、搬
送アームの先端に位置して任意の基板を保持するハンド
11と、ハンドの上方に位置して、基板表面へのダスト
の付着を防止するダスト付着防止手段とを備える。ダス
ト付着防止手段は、たとえば固定式あるいは開閉自在の
カバー14、電気的な集塵機、カバーとパージガス導入
管の組み合わせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理対象である基
板を処理室に搬送する基板搬送装置と、これを用いた基
板処理装置に関し、特に、基板表面へのダストの付着を
効果的に防止することのできる基板搬送装置と、これを
用いた基板処理装置、および基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示用装置用ガラス
基板等の基板に、CVD(chemical vapor depositio
n)、エッチング等の処理を施すために、基板処理装置
が用いられている。図8は、基板処理装置の一例として
の、CVD装置の概略断面図である。CVD装置は、実
際に処理を行な処理室(反応室)101と、処理室10
1内に処理すべきウエハ112を搬送する搬送部102
とを備える。ウエハ112は、単体またはサセプタ11
3に支持された状態で、搬送アーム110のハンド11
1に搭載され、ハンド111とともにゲートバルブ10
4から処理室101内に挿入される。搬送アーム110
は折りたたみ式に回転および上下移動可能であり、ウエ
ハ112を挿入するときは、アーム110が延びて、ウ
エハ112を搭載したハンド111を、処理室に差し入
れる構成となっている。
【0003】ハンド111は、たとえば図8(b)に示
されるように、先端がサセプタ113の円周に沿ったフ
ォーク状に形成され、保持していたウエハ112および
サセプタ113を処理室101の処理台(不図示)上の
所定の位置に設置した後、搬送部102に戻る。その
後、処理室の上部から原料ガスが供給され、ウエハ11
2に所定の処理が施される。処理が終了した後、再び搬
送アーム110が延びてハンド111が処理室101内
に挿入され、処理済みのウエハ112(およびサセプタ
113)を受け取って、搬送部102内に回収する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した処理室101
において、熱CVDでは通常、ウエハ112を数百℃の
温度に加熱する。ウエハ112の表面近傍で原料ガスを
熱分解して反応性を高めることにより、ウエハ112表
面で化学反応を促進するためである。その際に、処理室
101において、反応副生成物の発生等が原因で、ダス
トが発生し、処理室101内壁などに付着し、残留す
る。この残留ダストが、ウエハ112を処理室から回収
するとき、あるいは次のウエハを処理室内に搬送すると
きに、気流の乱れ等のために、処理室内部に巻きあが
る。巻き上がったダストは、重力によりウエハ表面に降
下し、付着して表面を汚染する。ウエハ表面にダストが
付着すると、最終製品の歩留まりが落ち、生産性が著し
く低下することになる。残留ダストの付着は、半導体ウ
エハのみならず、液晶用のガラス基板や、その他の基板
を処理する際にも問題になる。
【0005】そこで本発明は、基板搬送時に基板表面へ
のダストの付着を効果的に防止することのできる基板搬
送装置と、これを用いた基板処理装置を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した従来技術におけ
る課題を解決するために、本発明の第1の側面として、
基板搬送装置は、搬送アームと、搬送アームの先端に位
置して任意の基板を保持するハンドと、ハンドの上方に
位置して基板表面へのダストの付着を防止するダスト付
着防止手段とを備える。
【0007】ダスト付着防止手段は、ハンドに固定的、
あるいは開閉自在に取り付けられたカバーである。開閉
自在のカバーを用いるときは、基板の搬送中は、カバー
が閉じられて基板を覆い、基板をハンドへ搭載あるいは
ハンドから取り外すときにカバーが開けられる。
【0008】ハンド上方にカバーを設けることにより、
搬送中の気流の乱れにより巻き上げられたダストが基板
表面に降下、付着して、基板表面を汚染することを防止
できる。
【0009】ダスト付着防止手段は、ハンドに取り付け
られた電気的な集塵機であってもよい。この場合は、帯
電したダストが基板に到達する前に、反対の極性を帯び
た集塵機に捕獲され、基板表面が清浄に維持される。
【0010】本発明の第2の側面では、基板搬送装置
は、搬送アームと、搬送アームの先端に位置して任意の
基板を保持するハンドと、前記ハンドの上方に位置して
前記ハンドとの間に所定の空間を形成するガス導入ポー
ト付きのカバーと、ガス導入ポートに接続されて前記所
定の空間にパージガスを供給するパージガス導入管とを
備える。
【0011】この基板搬送装置は、基板搬送中に、基板
とカバーとの間の間隙にパージガスを流すことができ
る。これによって、上方から降下してくるダストだけで
はなく、基板の側方から回りこんでくるダストが基板表
面に付着することをも防止できる。
【0012】本発明の第3の側面では、基板搬送装置
は、搬送アームと、搬送アームの先端に位置して任意の
基板を保持するハンドと、ハンドの上方に位置してハン
ドを覆う金属メッシュと、金属メッシュに接続される直
流電源とを備える。金属メッシュは、たとえば上下一対
のメッシュであり、直流電圧を印加することにより、マ
ッシュ間に放電が生じ、ダストが帯電する。メッシュ間
の電位勾配により、帯電したダストがいずれかのメッシ
ュで捕獲され、基板表面に付着するダストが大幅に低減
される。
【0013】本発明の第4の側面では、上述した基板搬
送装置を用いた基板処理装置を提供する。基板処理装置
は、基板に所定の処理を施す処理部と、処理部との間で
基板を搬送する搬送部とを備える。搬送部は、搬送アー
ムと、搬送アームの先端に位置して任意の基板を保持す
るハンドと、ハンドの上方に位置して基板表面へのダス
トの付着を防止するダスト付着防止手段とを備える。
【0014】基板は、処理部へ、あるいは処理部から搬
送される間、ダスト付着防止手段によって保護され、搬
送中の気流の乱れにより処理部の内部でダストが巻き上
がったとしても、ダストによる基板の表面の汚染が防止
される。
【0015】本発明の第5の側面では、基板処理装置
は、基板に所定の処理を施す処理部と、処理部との間で
前記基板を搬送する搬送部とを備え、搬送部は、搬送ア
ームと、搬送アームの先端に位置して任意の基板を保持
するハンドと、ハンドの上方に位置して前記ハンドとの
間に所定の空間を形成するガス導入ポート付きのカバー
と、ガス導入ポートに接続されて基板の搬送中に前記所
定の空間にパージガスを供給するパージガス導入管とを
備える。
【0016】この基板処理装置では、処理室へ、あるい
は処理室から基板を搬送する際に、カバーと基板との間
隙にパージガスを流すことにより、基板側面からのダス
トの侵入をも防止することができる。
【0017】これらの基板処理装置は、搬送部に接続さ
れて処理対象である基板をあらかじめ収容する予備室を
さらに備えてもよい。
【0018】本発明の第6の側面では、基板へのダスト
の付着を防止することのできる基板処理方法を提供す
る。この基板処理方法では、処理対象の基板を、ダスト
付着防止手段を有する搬送部の搬送アーム先端に位置す
るハンドに設置する。そして、基板をダスト付着防止手
段で保護した状態で、搬送アームにより処理室内へ搬送
して、処理台上に搭載する。そして、基板に所定の処理
を施す。
【0019】この方法により、処理室内への搬送時に気
流の乱れ等により処理前の基板表面にダストが付着する
のを防止することができる。
【0020】前記処理室内への基板の搬送中に、基板上
にパージガスを流しながらダスト付着を防止してもよ
い。
【0021】この方法はまた、処理済みの基板を、基板
表面を前記ダスト付着防止手段で保護した状態で処理室
から取り出す工程をさらに含んでもよい。これにより、
精密な処理により緻密なパターン等が形成された基板
を、効果的にダストから保護することができる。
【0022】本発明のその他の特徴、効果は、以下で述
べる実施の形態により、いっそう明確になる。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明は、CVD装置、エッチン
グ装置、プラズマ表面処理装置、液晶表示用ガラス基板
処理装置など、あらゆる分野の基板処理装置に適用され
るものであるが、具体的な例として、原料ガスを熱分解
して反応させるCVD装置を例にとって説明する。
【0024】<第1実施形態>図1は、本発明の第1実
施形態にかかる基板処理装置の概略図である。基板処理
装置は、ウエハ等の基板を処理する反応室(処理室)1
と、反応室1内へ処理対象であるウエハ(基板)12を
搬送する搬送部2を含む。反応室1と搬送部2との間は
ゲートバルブ4で連結されている。搬送部2は、水平、
上下、回転等の移動可能な搬送アーム10と、搬送アー
ムの先端に位置し、処理対象であるウエハ12を保持す
るハンド11と、ハンド11の上方に位置するダスト防
止手段としてのカバー14を有する。図1の例では、ウ
エハ12は、サセプタ13に支持された状態でハンド1
1に搭載され、サセプタ13ごとカバー14に覆われて
保護されている。
【0025】ハンド11に搭載されたウエハ12は、カ
バー14で覆われた状態で、ゲートバルブ4から反応室
1内部に挿入される。具体的には、搬送アームが延びて
ハンド11を反応室1内の処理台(不図示)上に差し出
し、ウエハ12をサセプタ13ごと処理台に設置してか
ら、搬送部2へ引き返す。その後、原料ガスが反応室1
の上部から供給され、ウエハ12に所定の処理が施され
る。処理終了後、再度、搬送アーム10が駆動され、カ
バー14に覆われたハンド11がゲートバルブ4から反
応室内部に挿入されて、処理済のウエハ12を受け取
る。ウエハ12の受け取りは、たとえば、処理終了後に
プッシャーピン(不図示)が処理台表面から突出して、
ウエハ12をハンド11とカバー14の間の高さまで持
ち上げる。そこへハンド11が延びてきて、ウエハ12
を受け取り、プッシャーピンが処理台内部に引き下が
る。ウエハ12は、ハンド11に再度保持され、カバー
14により表面が保護された状態で、搬送部12に回収
される。
【0026】カバー14は固定式であっても、可動式で
あってもよい。図2に、可動式のカバー14の構成例を
示す。図2(a)は、カバー14がヒンジ15のまわり
にピボット(揺動)可能な構成例を示す。搬送部2にお
いて、ハンド11が処理すべき新たなウエハ12を受け
取るとき、あるいは処理済みのウエハ12を取り外すと
きに、カバー14が開けられる。より具体的には、搬送
部2の上部に取り付けられた蓋19が開けられた後に、
カバー14が実線で示すオープン位置まで開けられ、搬
送部2へ、あるいは搬送部2からのウエハの出し入れが
直接行われる。カバー14の開閉は、手動であっても、
駆動機構を用いた自動開閉であってもよい。
【0027】図2(b)は、カバー14が回転軸20の
まわりに、水平方向に回転可能な構成例を示す。図2
(b)の例においても、搬送部2の蓋19が開けられ、
カバー14が回転移動して、ウエハ12を直接、搬送部
2のハンド11に搭載し、あるいはハンド11から処理
済のウエハ12を取り除く。カバー14の水平回転は、
手動であっても、自動であってもよい。
【0028】図2(a)、(b)のいずれの場合も、カ
バーは金属、セラミックス、SiCコートカーボンな
ど、任意の素材で構成することができる。
【0029】図3は、ダスト防止手段の別の構成例を示
す。図3の例では、カバー14に代えて、ハンド11上
方に位置する電気的な集塵機構16を使用する。集塵機
構16は、上メッシュ16aと下メッシュ16bを有
し、上メッシュ16aと下メッシュ16bの間には、搬
送部2の外部に配置された直流電源18から配線17を
介して直流電圧が印加される。図3の例では、上メッシ
ュ17aがマイナス側に接続され、下メッシュ17bは
プラス側に接続される。電圧印加により、上メッシュ1
6aと下メッシュ16bの間に放電が生じ、ダストは負
に帯電する。メッシュ間の電位勾配により、負に帯電し
たダストは下メッシュ16bに捕獲され、ハンド11に
保持されたウエハ(不図示)表面へのダストの付着が効
果的に防止される。
【0030】上メッシュ16aと下メッシュ16bは、
ハンド11に固定されても、可動に構成されてもよい。
可動の場合は図2(a)に示すように、ピボット式に開
閉されるものでも、図2(b)に示すように、水平回転
されるものでもよい。
【0031】ハンド11の上方にウエハを覆うダスト防
止手段を設けることにより、ウエハ12の搬送時に常に
ウエハ表面が保護され、搬送時の気流の乱れによって巻
き上げられたダストがウエハ上に降下し付着するのを防
止することができる。
【0032】<第2実施形態>図4は、本発明の第2実
施形態に係る基板処理装置の搬送部2の概略断面図であ
る。第2実施形態では、ダスト防止手段として、ウエハ
上方にカバーを設けるとともに、搬送中に、ウエハとカ
バーとの間の空間に清浄なパージガスを流す構成とす
る。
【0033】具体的には、第2実施形態に係る基板処理
装置は、ウエハ等の基板を処理する反応室(処理室)1
と、反応室1内へ処理対象であるウエハ(基板)12を
搬送する搬送部2を含み、搬送部2は、移動可能な可動
搬送アーム10と、搬送アームの先端に位置し、処理対
象であるウエハ12を保持するハンド11と、ハンド1
1の上方に位置するダスト防止手段としてのカバー24
と、カバー24に接続されてカバー24とウエハ12の
間の空間にパージガスを供給するパージガス導入管21
を有する。パージガス導入管21は、搬送時のアーム1
0の伸び縮みを考慮して、たとえば伸縮可能なフレキシ
ブルチューブである。
【0034】パージガス導入管21は、搬送部2の機密
を保ったまま、ウエハ搬送中にパージガスを供給する。
搬送中にウエハ12とカバー24との間隙にパージガス
を流すことによって、上方から降下してくるダストを防
止すると同時に、ウエハ12の側方から回り込んでくる
ダストをも排除することができる。
【0035】図4において、矢印はパージガスの流れを
模式的に表わしたものである。パージガスは、ウエハ全
体に均一に広がるようにして、一方向に流れる。パージ
ガスは、処理済のウエハを反応室から回収する際だけで
はなく、新たなウエハを反応室に挿入する際にも供給す
るのが好ましい。ウエハ処理前にもパージガスを流すこ
とにより、処理直前までウエハ表面が清浄に維持され、
成膜特性が向上する。
【0036】図4の例では、ガス供給管21は、アーム
10に沿って配置されているが、アーム内部を空洞にし
て、内部に配置されてもよい。また、パージガスの種類
としては、キャリアガスと同じガスであっても、異なる
ガスであってもよい。
【0037】図5は、図4に示すダスト防止手段、すな
わち、カバー24とパージガス導入管21との組み合わ
せの変形例を示す図である。図5(a)の例では、カバ
ー24の中央部にガス導入ポート25を設け、パージガ
ス導入管21から供給されるパージガスを、ウエハ12
の中央部に垂直方向から導入する。この構成例では、パ
ージガスがウエハ12の中央から外側周辺に向けて流
れ、ウエハ上でガスの流れがより均一になるとともに、
ガス流によるウエハ上へのダストの巻き込みがほとんど
ない。
【0038】図5(b)は、ダスト防止手段のさらに別
の変形例を示す。図5(b)の例では、ウエハ12上に
位置するカバー35は、ウエハ12表面に対向するガス
分散シート36を有する。ガス分散シート36により、
カバー34全体がシャワーヘッド構造となり、ウエハ外
周に向けての均一なガス流により、ウエハ上へのガスの
逆流を防ぐことができる。また、ガス分散シート36に
代えて、目の細かいフィルタを用いても、同様の効果を
達成することができる。
【0039】図5(a)、5(b)のいずれの例でも、
パージガス導入管21は、アーム10の内部を通る構成
とすることができる。また、図4、5のいずれの例でも
カバー24、34がヒンジ、回転軸などにより、パージ
ガス導入管ごと開閉可能な構成としてもよい。
【0040】図4、5に示す第2実施形態において、ウ
エハ12の搬送中に継続してパージガスを流し続けても
よいが、パージガスを流さない瞬間があってもよい。た
とえば、ウエハ12を反応室の処理台上に設置した後、
ハンド11およびアーム10を搬送部2に引き戻す前
に、いったんパージガスの供給を停止して、パージガス
による反応室内部の気流が収まった後に、ハンド11お
よびアーム10を搬送部2に引き込むこととしてもよ
い。
【0041】<第3実施形態>図6は、本発明の第3実
施形態に係る基板処理装置の概略図である。第1および
第2実施形態では、搬送部2の内部に設置された搬送ア
ーム10の先端に位置するハンド11に、外部から直接
ウエハ(あるいはサセプタに支持されたウエハ)12を
搭載する構成であったが、第3実施形態では、ウエハの
搭載および取り外し専用の予備室を設ける。
【0042】基板処理装置は、ウエハ等の基板を処理す
る反応室(処理室)1と、反応室1内へ処理対象である
ウエハ(基板)12を搬送する搬送室2と、搬送室2へ
供給されるウエハを収容する予備室3を含み、搬送室2
は、移動可能な可動搬送アーム10と、搬送アームの先
端に位置し、処理対象であるウエハ12を保持するハン
ド11と、ハンド11の上方に位置するダスト防止手段
としてのカバー44を有する。カバー44は、第1実施
形態、第2実施形態で説明したいずれのタイプのもので
もよく、固定式であっても、可動であってもよい。ま
た、カバーに代えて電気的集塵機を取り付けてもよい。
反応室1と搬送室2との間は、第1のゲートバルブ4で
接続され、搬送部2と予備室3の間は、第2のゲートバ
ルブ5で接続される。
【0043】処理対象であるウエハ(あるいはサセプタ
に支持されたウエハ)は、とびら6から、あらかじめ予
備室3内の所定の位置、たとえばテーブル61上に配置
される。予備室3のガスをポンプで排気した後、所定の
ガス雰囲気に置換し、予備室3と搬送室2の圧力をほぼ
同じにする。この状態で、第2のゲートバルブ5を開
け、搬送アーム10を伸ばして、ハンド11を予備室3
内に挿入し、処理すべきウエハ(あるいはウエハを支持
したサセプタ)を受け取る。ウエハ受け渡し機構とし
て、たとえば、テーブル61にプッシャーピンメカニズ
ム(不図示)を設けてもよい。この場合、カバー44を
オープンにしておいてもよいが、固定式のカバーであっ
ても、カバーがウエハの受け渡しに影響することはな
い。予備室3でウエハを受け取った後、搬送アームが収
縮し、ハンド11を搬送室2に引き上げ、第2のゲート
バルブ5が閉じられる。
【0044】次に、搬送室2と反応室1をほぼ同じ圧力
にした後に、第1のゲートバルブ4を開ける。搬送アー
ム10を今度は反応室1の方向に伸ばして、ハンド11
を第1ゲートバルブ4から反応室1内に挿入し、ウエハ
を処理テーブル65上に設置する。このとき、第2実施
形態のカバーを使用する場合には、パージガスを流しな
がら反応室1内へウエハを搬送する。
【0045】ハンド11を搬送室2へ引き上げたあと、
第1ゲートバルブ4を閉じて、反応室1内でウエハに所
定の処理を施す。処理後、再度搬送アーム10を伸ばし
てハンド11を反応室1に挿入して、処理済のウエハを
受け取る。
【0046】予備室3を設けることにより、それぞれが
密閉された空間内で、圧力やガス雰囲気を所望の状態で
ウエハの受け渡しを行うことができる。
【0047】図7は、予備室を用いる別の構成例を示
す。この基板処理装置は、ウエハ等の基板を処理する反
応室(処理室)1と、反応室1内へ処理対象であるウエ
ハ(基板)12を搬送する搬送室2と、搬送室2へ供給
されるウエハを収容する予備室3を含み、搬送室2は、
移動可能な可動搬送アーム10と、搬送アームの先端に
位置し、処理対象であるウエハ12を保持するハンド1
1と、ハンド11の上方に位置するダスト防止手段とし
てのカバー44を有し、予備室3は複数のウエハ72を
収納するカセット71を有する。
【0048】図7の構成例では、予備室3を所定のガス
雰囲気、所定の圧力に設定した後、カセット71を上下
に移動させることにより、ウエハ72を一枚ずつハンド
11に載せる。この構成例では、ハンド11上方に位置
するカバー44が開閉されない固定式のものであって
も、ウエハ72の受け渡しをスムースに行うことができ
る。この場合、ハンドに固定されたカバーに、パージガ
ス導入管を組み合わせた構成としてもよい。また、上下
一対の固定メッシュを組み合わせた固定的な電気集塵機
を設けた場合にも、ウエハ72の受け渡しがスムースに
行われる。これにより、基板処理装置の生産性が向上す
る。
【0049】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはない。たとえば、搬送アームは本実施例に示した
もののみでなく、マグネットカップリング式のトランス
ファーロッドやベローズを用いたエレファントノーズ等
の手段を用いて構成してもよい。
【0050】
【発明の効果】多様な基板処理において、基板搬送時に
基板に付着するダストを著しく低減することが可能であ
り、基板処理における生産性を大幅に向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の概
略断面図である。
【図2】図1の装置で用いられるカバーの構成例を示す
図である。
【図3】図1の装置で、カバーに代えて用いられる電気
的な集塵機構の一例を示す図である。
【図4】本発明の第2実施形態に係る基板処理装置の搬
送部の概略断面図である。
【図5】図4に示す搬送部の別の構成例を示す概略断面
図である。
【図6】本発明の第3実施形態に係る基板処理装置の概
略図である。
【図7】図6に示す基板処理装置の別の構成例を示す概
略図である。
【図8】従来の基板処理装置の概略断面図である
【符号の説明】
1 反応室(処理部) 2 搬送部(搬送室) 3 予備室 4 第1ゲートバルブ 5 第2ゲートバルブ 10 搬送アーム 11 ハンド 12、72 ウエハ 13 サセプタ 14、24、34、44 カバー 15 ヒンジ 16 メッシュ 18 直流電源 20 回転軸 21 パージガス導入管 25、35 ガス導入ポート 36 ガス分散シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原口 貴史 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Fターム(参考) 3C007 AS03 AS24 AS25 BS15 CT04 CV07 CW07 CY29 NS09 NS13 5F031 CA02 CA05 GA02 MA28 NA02 NA15 NA18

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 搬送アームと、 前記搬送アームの先端に位置して、任意の基板を保持す
    るハンドと、 前記ハンドの上方に位置して、前記基板の表面へのダス
    トの付着を防止するダスト付着防止手段とを備える基板
    搬送装置。
  2. 【請求項2】 前記ダスト付着防止手段は、前記ハンド
    に取り付けられたカバーである請求項1に記載の基板搬
    送装置。
  3. 【請求項3】 前記ダスト付着防止手段は、前記ハンド
    に取り付けられた電気的な集塵機である請求項1に記載
    の基板搬送装置。
  4. 【請求項4】 搬送アームと、 前記搬送アームの先端に位置して、任意の基板を保持す
    るハンドと、 ガス導入ポートを有し、前記ハンドの上方に位置して前
    記ハンドとの間に所定の空間を形成するカバーと、 前記ガス導入ポートに接続され、前記所定の空間にパー
    ジガスを供給するパージガス導入管と、 を備える基板搬送装置。
  5. 【請求項5】 搬送アームと、 前記搬送アームの先端に位置して、任意の基板を保持す
    るハンドと、 前記ハンドの上方に位置して、前記ハンドを覆う金属メ
    ッシュと、 前記金属メッシュに接続される直流電源と、を備える基
    板搬送装置。
  6. 【請求項6】 基板に所定の処理を施す処理部と、 前記処理部との間で前記基板を搬送する搬送部と、を備
    え、前記搬送部は、 搬送アームと、 前記搬送アームの先端に位置して、任意の基板を保持す
    るハンドと、 前記ハンドの上方に位置して、前記基板の表面へのダス
    トの付着を防止するダスト付着防止手段とを備える基板
    処理装置。
  7. 【請求項7】 基板に所定の処理を施す処理部と、 前記処理部との間で前記基板を搬送する搬送部と、を備
    え、前記搬送部は、 搬送アームと、 前記搬送アームの先端に位置して、任意の基板を保持す
    るハンドと、 前記ハンドの上方に位置して前記ハンドとの間に所定の
    空間を形成し、ガス導入ポートを有するカバーと、 前記ガス導入ポートに接続され、前記基板の搬送中に前
    記所定の空間にパージガスを供給するパージガス導入管
    と、 を備える基板処理装置。
  8. 【請求項8】 処理対象の基板を、ダスト付着防止手段
    を有する搬送部の搬送アーム先端に位置するハンドに設
    置するステップと、 前記基板を、前記ダスト付着防止手段で保護した状態
    で、前記搬送アームにより処理室内へ搬送して、前記処
    理室内の処理台上に搭載するステップと、 前記基板に所定の処理を施すステップとを含む基板処理
    方法。
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