JP2004011005A

JP2004011005A - 処理装置および処理方法

Info

Publication number: JP2004011005A
Application number: JP2002169324A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kawanami; 河南　博; Yasuhiko Kojima; 小島　康彦; Tadahiro Ishizaka; 石坂　忠大
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-06-10
Filing date: 2002-06-10
Publication date: 2004-01-15

Abstract

【課題】被処理体の被処理面の裏面への処理が防がれた、高い信頼性と高い生産性とを備えた処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】副搬送機構２６は、ウェハ載置台２４上のウェハＷをサセプタ載置台２５上のサセプタＳ上に、ウェハＷの裏面が覆われるように載置する。主搬送機構２７は、サセプタ載置台２５上の、ウェハＷが載置されたサセプタＳをロードロックチャンバ３７内に搬入し、ボート４２にウェハＷおよびサセプタＳを保持させる。ウェハＷとサセプタＳの複数の組を保持したボート４２は、昇降機構４９によって加熱炉３８内まで上昇する。このようにボート４２を加熱炉３８内にロードした状態で、ウェハＷの表面に減圧ＣＶＤにより成膜を行う。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ等の被処理体に所定の処理を施す処理装置および処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハ等の被処理体に成膜処理を施す装置として、減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置が知られている。減圧ＣＶＤ装置は、減圧下の気相に熱エネルギーを与えることにより気相反応を進行させ、その反応生成物を基板（ウェハ）上に堆積させて薄膜を形成する。
【０００３】
減圧ＣＶＤ装置の中でも、バッチ式の縦型減圧ＣＶＤ装置がその生産性の高さから広く用いられている。図９に、縦型減圧ＣＶＤ装置１０１の構成を示す。図９に示す縦型減圧ＣＶＤ装置１０１では、被処理体であるウェハＷは、ボート１０２に複数枚、例えば、１００枚程度、水平に積み重ねた状態で保持され、直立した加熱炉１０３内にロードされる。成膜は、加熱炉１０３内に原料ガスを供給しつつ、ヒータ１０４により加熱炉１０３を外側から加熱することにより行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記縦型減圧ＣＶＤ装置１０１において、ウェハＷは、図１０に示すように、ボート１０２を構成する複数、例えば、３本の支柱１０５、１０５、１０５の溝部１０６、１０６、１０６に挿入され、保持される。すなわち、ウェハＷは、被処理面だけでなく、その裏面が露出した状態でボート１０２にセットされる。これにより、加熱炉１０３内での成膜処理では、ウェハＷの被処理面だけでなく、その裏面にも膜が形成される。ウェハＷの裏面に形成された膜は、搬送治具等と接触してパーティクルとなって飛散し、他のウェハＷや、搬送治具、ＣＶＤ装置、他の処理装置等を汚染し、処理の信頼性および生産性を低下させる。
【０００５】
縦型減圧ＣＶＤ装置に限らず、上記のように、裏面が露出した状態で保持された被処理体に成膜等の処理を施す処理装置では、被処理体の裏面にも処理が施され、膜形成などが生じてしまう。これはパーティクル等の原因となり、処理装置だけでなく、搬送治具や他の処理装置を汚染することとなる。また、処理後の裏面の洗浄が不可欠であり、工程数の増加により実質的なスループットが低下する。このように、裏面が露出した状態で被処理体を保持して処理を施す処理装置では、十分に高い信頼性および生産性が得られないおそれがあった。
【０００６】
上記事情を鑑みて、本発明は、高い信頼性と高い生産性とを備えた処理装置および処理方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、被処理体の被処理面の裏面への処理が防がれた、高い信頼性と高い生産性とを備えた処理装置および処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る処理装置は、
平板状の被処理体の一面に所定の処理を施す処理装置であって、
処理容器と、
前記被処理体をその他面を覆う状態で載置可能でかつ搬送可能な載置部材を、前記被処理体が載置された状態で前記処理容器内に保持する保持部材と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、載置部材によって被処理体の他面（被処理面でない面）が覆われていることにより、被処理体の一面（被処理面）に所定の処理を施すことができる一方で、他面への処理は防がれる。これにより、被処理体の他面への膜形成等は防がれ、処理後の他面の洗浄処理が省略可能となり高いスループットが得られる。また、他面に形成された膜の剥離による処理装置の汚染等は防がれ、高い処理の信頼性が得られる。ここで、載置部材は被処理体が載置された状態で搬送可能に構成されており、処理装置は、被処理体が載置された載置部材を搬入するだけの、複雑な載置機構を要しない簡単な構造とすることが可能である。これにより、メンテナンスの容易化、製造コストの低減等、より高い生産性が得られる。
【０００９】
上記第１の観点に係る処理装置において、
前記処理容器は開口を備え、
前記処理容器に前記開口を介して接続され、前記被処理体が載置された前記載置部材を前記保持部材に保持させるためのローディング室をさらに備え、
前記保持部材は、前記ローディング室と前記処理容器との間を前記開口を介して移動可能に構成されていてもよい。
【００１０】
すなわち、被処理体が載置された載置部材をローディング室にてボート等の保持部材に保持させ、その後、被処理体および載置部材を収容した保持部材が処理容器内に移動し、この状態で処理が行われるようにしてもよい。
【００１１】
上記構成において、前記開口を気密に開閉可能な開閉部材を備え、前記開閉部材は、前記保持部材が前記処理容器内にある状態で前記開口を閉鎖することが望ましい。これにより、処理容器内に所定の処理雰囲気を形成して処理を行うことができる。また、一方で、ローディング室の処理雰囲気による汚染は防がれる。
【００１２】
上記構成において、前記保持部材は、前記被処理体が載置された前記載置部材を複数保持可能に構成されていてもよい。また、前記保持部材は、例えば、前記被処理体が載置された複数の前記載置部材を、前記被処理体の一面に垂直な方向に、前記被処理体が互いに略平行となるように保持する。すなわち、本発明は、バッチ式の縦型処理装置に適用可能である。
【００１３】
上記構成において、
前記ローディング室は搬送用開口を備え、
前記被処理体が載置された前記載置部材を前記搬送用開口を介して前記ローディング室内に搬入し、前記ローディング室内に配置された前記保持部材に保持させる第１搬送機構をさらに備えることが望ましい。
また、上記構成において、前記搬送用開口を気密に開閉可能な開閉機構をさらに備えることが望ましい。
【００１４】
すなわち、ローディング室に搬送用開口を介して接続された搬送領域から、この搬送領域に配置された第１の搬送機構によって被処理体が載置された載置部材をローディング室内の保持部材に保持させるようにしてもよい。また、搬送用開口を気密に開閉可能とすることにより、ローディング室および処理容器内の清浄度を高く保つことができる。
【００１５】
上記構成において、前記処理装置は、例えば、前記ローディング室の外部で、前記被処理体を前記載置部材上に載置する第２の搬送機構を備える。第２の搬送機構は、例えば、上記搬送領域に配置され、被処理体は搬送領域内で載置部材上に載置される。
【００１６】
上記構成において、前記第２の搬送機構は、例えば、前記被処理体を非接触状態で保持する。第２の搬送機構は、例えば、ベルヌーイチャックにより被処理体を保持する。これにより、被処理体を汚染することなく載置部材上に移送することが可能となる。
【００１７】
上記構成において、例えば、前記保持部材は円盤状に形成されている。
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る処理装置は、
平板状の被処理体の一面に所定の処理を施す処理装置であって、
処理容器と、
前記被処理体をその他面を覆う状態で載置可能でかつ搬送可能な載置部材を、前記被処理体が載置された状態で前記処理容器内に保持する、前記処理容器内に固定して設けられた保持部材と、
を備えたことを特徴とする。
【００１９】
上記構成によれば、固定式の被処理体の保持部材を備える枚葉式の処理装置において、載置部材によって被処理体の他面（被処理面でない面）が覆われていることにより、被処理体の一面（被処理面）に所定の処理を施すことができる一方で、他面への処理は防がれる。これにより、被処理体の他面への膜形成等は防がれ、処理後の他面の洗浄処理が省略可能となり高いスループットが得られる。また、他面に形成された膜の剥離による処理装置の汚染等は防がれ、高い処理の信頼性が得られる。ここで、載置部材は被処理体が載置された状態で搬送可能に構成されており、処理装置は、被処理体が載置された載置部材を搬入するだけの、複雑な載置機構を要しない簡単な構造とすることが可能である。これにより、メンテナンスの容易化、製造コストの低減等、より高い生産性が得られる。
【００２０】
上記構成の第２の観点に係る処理装置において、
前記処理容器は開口を備え、
前記処理容器内に前記開口を介して前記被処理体が載置された前記載置部材を搬入し、前記保持部材に保持させる第１の搬送機構をさらに備えるようにしてもよい。
第１の搬送機構は、例えば、開口を介して処理容器に接続された搬送領域から、処理容器内に被処理体が載置された載置部材を搬入する。
【００２１】
上記処理装置は、例えば、前記処理容器の外部で前記被処理体を前記載置部材上に載置する第２の搬送機構をさらに備える。第２の搬送機構は、例えば、上記搬送領域内に配置される。
【００２２】
また、例えば、前記第２の搬送機構は前記被処理体を非接触状態で保持する。第２の搬送機構は、例えば、ベルヌーイチャックにより被処理体を保持する。これにより、被処理体を汚染することなく載置部材上に移送することが可能となる。
【００２３】
上記処理装置は、前記開口を気密に開閉可能な開閉機構をさらに備え、前記処理容器内に前記被処理体が載置された前記載置部材がある状態で、前記開閉機構は前記処理容器内を閉鎖することが望ましい。これにより、処理容器内は所定の処理雰囲気に維持可能となる。
【００２４】
上記構成において、例えば、前記保持部材は円盤状に形成されている。
【００２５】
上記目的を達成するため、本発明の第３の観点に係る処理方法は、
本発明の第１の観点に係る処理装置を用いる処理方法であって、
前記ローディング室内で前記被処理体が載置された前記載置部材を前記保持部材に保持させる工程と、
前記載置部材を保持した前記保持部材を前記処理容器内にロードする工程と、
前記処理容器内に所定のガスを導入する工程と、
前記処理容器内を加熱する工程と、
を備える、ことを特徴とする。
すなわち、本発明は、ＣＶＤ、熱処理、エッチング等に適用することができる。
【００２６】
上記目的を達成するため、本発明の第４の観点に係る処理方法は、
本発明の第２の観点に係る処理装置を用いる処理方法であって、
前記被処理体が載置された前記載置部材を前記保持部材に保持させる工程と、前記複数種のガスを１種類ずつ複数回にわたって前記処理容器内に供給する工程と、
前記複数種のガスの供給毎に、真空排気または不活性ガスによる置換を行う工程と、
を備える、ことを特徴とする。
すなわち、本発明は、いわゆるＡＬＤに適用することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態にかかる処理装置について、以下図面を参照して説明する。第１の実施の形態は、本発明をバッチ式の縦型減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に適用した例である。この縦型減圧ＣＶＤ装置は、半導体ウェハ（以下、ウェハＷ）にドープされたポリシリコン膜を形成する。
【００２８】
図１に、第１の実施の形態に係る処理装置１０の構成を示す。図１に示すように、処理装置１０は、搬送領域１１と、処理領域１２と、を備える。
【００２９】
搬送領域１１の平面図を図２に示す。搬送領域１１は、図２に示すように、ウェハ搬送領域１３と、サセプタ搬送領域１４と、主搬送領域１５と、を備える。ここで、搬送領域１１を構成する各領域の天井部からは、防塵フィルタ、ケミカルフィルタ等を通過した清浄空気のダウンフローが形成されている。
【００３０】
ウェハ搬送領域１３は、ウェハカセット載置台１６と、ウェハ搬送室１７と、を備える。ウェハカセット載置台１６は長手状に形成され、複数個、例えば、４個のウェハカセット１８を載置可能に構成されている。ウェハカセット載置台１６には、処理前のウェハＷを収容したウェハカセット１８及び処理後のウェハＷを収容したウェハカセット１８が載置される。
【００３１】
ウェハ搬送室１７は、ウェハカセット載置台１６に隣接して設けられている。ウェハ搬送室１７には、ウェハ搬送機構１９が設置されている。ウェハ搬送機構１９は、ウェハＷを保持可能なアームを備え、ｘ方向に移動可能かつｚ軸を中心として回転可能に構成されている。これにより、ウェハ搬送機構１９は、カセット載置台上のウェハカセット１８に収納されたウェハＷのすべてにアクセス可能となっている。ウェハ搬送機構１９は、ウェハ搬送領域１３と主搬送領域１５との間でウェハＷを移送する。
【００３２】
サセプタ搬送領域１４は、サセプタカセット載置台２０と、サセプタ搬送室２１と、を備える。サセプタカセット載置台２０は長手状に形成され、複数個、例えば、４個のサセプタカセット２２を載置可能に構成されている。サセプタカセット載置台２０には、サセプタＳを収納したサセプタカセット２２が載置される。
【００３３】
ここで、サセプタカセット２２に収納されるサセプタＳは、窒化アルミニウム等のセラミックからなる、厚さ数ｍｍの円盤状部材から構成される。サセプタＳは、ウェハＷよりも大径に形成され、すなわち、径が３００ｍｍのウェハＷであれば、サセプタＳは、３００ｍｍよりも大きい径とされている。サセプタカセット載置台２０には、使用前のサセプタＳを収納するサセプタカセット２２と、使用後のサセプタＳを収納するサセプタカセット２２と、が載置されている。
【００３４】
サセプタ搬送室２１は、サセプタカセット載置台２０に隣接して設けられている。サセプタ搬送室２１には、サセプタ搬送機構２３が設置されている。サセプタ搬送機構２３は、サセプタＳを保持可能なアームを備え、ｙ方向に移動可能かつｚ軸を中心として回転可能に構成されている。これにより、サセプタ搬送機構２３は、サセプタカセット載置台２０上のサセプタカセット２２に収納されたサセプタＳのすべてにアクセス可能となっている。サセプタ搬送機構２３は、サセプタ搬送領域１４と主搬送領域１５との間でサセプタＳを移送する。
【００３５】
主搬送領域１５は、ウェハ載置台２４と、サセプタ載置台２５と、副搬送機構２６と、主搬送機構２７と、を備える。また、ウェハ搬送領域１３およびサセプタ搬送領域１４と、主搬送領域１５と、の間の壁面には、開閉自在な第１および第２の開口２８、２９がそれぞれ設けられている。
【００３６】
ウェハ載置台２４は、第１の開口２８に隣接して配置されている。ウェハ搬送機構１９は、第１の開口２８を介して、主搬送領域１５内にウェハＷを搬入し、ウェハ載置台２４上に載置する。
【００３７】
サセプタ載置台２５は、第２の開口２９に隣接して配置されている。サセプタ搬送機構２３は、第２の開口２９を介して、主搬送領域１５内にサセプタＳを搬入し、サセプタ載置台２５上に載置する。
【００３８】
副搬送機構２６は、ウェハ載置台２４上のウェハＷをサセプタ載置台２５上に載置されたサセプタＳ上に載置する。副搬送機構２６は、いわゆるベルヌーイチャックにより非接触状態でウェハＷを保持し、搬送する。
【００３９】
副搬送機構２６は、ｚ軸方向に起立するとともに略垂直に屈曲するシャフト３０と、シャフト３０の先端に設置された保持部３１と、を備える。シャフト３０は、ステンレススチール等から構成されている。シャフト３０は、図示しないモータ等の駆動機構に接続され、ｚ軸を中心として回転可能となっている。
【００４０】
保持部３１は、石英等から構成され、円盤状に形成されている。図３（ａ）に保持部３１の平面図を、図３（ｂ）に断面図を示す。図３（ａ）に示すように、保持部３１は、接合部にてシャフト３０と接合されている。シャフト３０の内部には、ガス管３２が形成され、図示しないガス源から、窒素等の不活性ガスが供給可能となっている。
【００４１】
保持部３１の内部には、中空のガス流路３３が略十字状に形成されている。ガス流路３３は、シャフト３０のガス管３２と連通しており、その内部に不活性ガスが供給可能となっている。ガス流路３３は、保持部３１の一面側に通じるガス噴出口３４と接続している。ガス噴出口３４は、例えば、十字状の端部にそれぞれ１つずつ設けられている。
【００４２】
図３（ｂ）は、保持部３１がウェハＷを保持している状態を示す。保持状態において、ガス噴出口３４からは不活性ガスが数ｓｌｍで噴出されている。不活性ガスの噴出により、ウェハＷには静圧の変化による上向きの吸引力が働く。一方で、ガスの噴出により、ウェハＷには、重力の他に下向きのガス供給圧力が働く。この２つの力を用いたいわゆるベルヌーイチャックにより、保持部３１は非接触状態で、例えば、保持部３１の対向面から数ｍｍの距離でウェハＷを懸垂保持する。保持部３１によるウェハＷの保持は、不活性ガスの供給のオンオフにより制御される。
【００４３】
図１を参照して、副搬送機構２６は、また、サセプタＳ上に載置された処理後のウェハＷを、サセプタ載置台２５からウェハ載置台２４に移送する。上記のように、ウェハ載置台２４上のウェハＷはウェハ搬送機構１９によりウェハ搬送領域１３側に移送され、一方、サセプタ載置台２５上に残ったサセプタＳはサセプタ搬送機構２３によりサセプタ搬送領域１４側に移送される。
【００４４】
図２に戻り、主搬送機構２７は、アームを備え、ｚ軸を中心として回転可能かつｚ方向に昇降可能に構成されている。主搬送領域１５と処理領域１２との間にはゲート３５が設けられている。ゲート３５にはゲートバルブ３６が設けられ、主搬送領域１５と処理領域１２との間は気密に分離可能となっている。主搬送機構２７は、サセプタ載置台２５上の、ウェハＷを載せたサセプタＳを保持し、ゲート３５を介して主搬送領域１５と処理領域１２との間でウェハＷおよびサセプタＳの搬送を行う。
【００４５】
処理装置１０は、ロードロックチャンバ３７と、加熱炉３８と、を備える。
【００４６】
ロードロックチャンバ３７は、上記のように主搬送領域１５に隣接して配置され、主搬送領域１５にゲート３５を介して接続されている。
【００４７】
ロードロックチャンバ３７の下部には、パージガスライン３９が接続されている。パージガスライン３９は、図示しないパージガス源に接続されており、ロードロックチャンバ３７内にパージガス、例えば、窒素ガスを供給する。また、ロードロックチャンバ３７の下部には第１排気ライン４０が接続されている。第１排気ライン４０にはバルブＶ１が設けられ、排気機構を備えたポンプユニット４１に接続されている。第１排気ライン４０はロードロックチャンバ３７内の、主としてパージガスを排気する。
【００４８】
ロードロックチャンバ３７の内部には、複数、例えば、５０〜１５０セットのサセプタＳおよびウェハＷを収容可能なボート４２が設けられている。ボート４２は、石英等からなる保温筒４３を介してステンレススチール等からなるターンテーブル４４上に設置されている。ターンテーブル４４は、回転機構４５に接続された回転軸４６に支持されており、ｚ軸を中心として回転可能に構成されている。回転機構４５は、ステンレススチール等からなる円盤状の蓋体４７を貫通するように設けられ、蓋体４７と回転軸４６との間は、磁性流体シール等により気密に封止されている。また、蓋体４７の周縁には、Ｏリング４８が設けられている。
【００４９】
回転機構４５は、ボールネジ等を備えた昇降機構４９に接続され、ボート４２全体が昇降可能となっている。ボート４２の昇降により、ボート４２の加熱炉３８へのロード／アンロードが行われる。
【００５０】
ボート４２の拡大図を図４に示す。ボート４２は、図４に示すように、例えば、半円弧状の部分に配置された、例えば、３本の支柱５０、５０、５０を有する。支柱５０、５０、５０は、その上下端を図示しないリング状の保持板で固定している。３本の支柱５０、５０、５０は、保持板の略半円側において所定の間隔を隔てて配置されており、これと反対側の半円側がサセプタＳおよびウエハＷを搬入出するための搬入出側となる。
【００５１】
各支柱５０、５０、５０の内側には、断面半円状に凹部状に削られた多数の溝部５０ａ、５０ａ、５０ａが支柱５０、５０、５０の長手方向に所定のピッチで設けられている。溝部５０ａは、一本の支柱５０に、例えば、５０個〜１５０個程度設けられている。溝部５０ａの幅およびそのピッチは、主搬送機構２７がサセプタＳおよびウェハＷを容易に差し込み可能なように形成されている。ウェハＷは、溝部５０ａにウエハＷの裏面、すなわち下面の周縁部で接触し、各支柱５０、５０、５０に設けられた３つの溝部５０ａ、５０ａ、５０ａで支持するようになっている。従って、サセプタＳおよびウェハＷは、主面に垂直な方向に複数、互いに平行するように配置される。
【００５２】
図１に戻り、加熱炉３８は、外管５１と、内管５２と、を有する。外管５１と内管５２とは横断面の半径が互いに異なり、同軸に設置されている。外管５１はその上端が閉じられ、内管５２はその上端が開かれている。外管５１および内管５２は、それぞれその下端にて筒状のマニホールド５３に保持されている。また、外管５１の周囲には、ヒータ５４が外管５１を包囲するように設けられている。ヒータ５４により、加熱炉３８内は、所定の温度に加熱可能とされている。
【００５３】
マニホールド５３の側面には、成膜ガス供給管５５およびドープガス供給管５６が挿設されている。成膜ガス供給管５５およびドープガス供給管５６は、それぞれ、いずれも図示しない成膜ガス源およびドープガス源に接続されている。これにより、成膜用ガス、例えば、ジシランガス（Ｓｉ_２Ｈ_６）ガス、および、ドープガス、例えば、フォスフィンガス（ＰＨ_３）がそれぞれ内管５２内に供給される。
【００５４】
マニホールド５３の側面には、外管５１と内管５２との間隙に通じる排気管５７が挿設されている。排気管５７は第２排気ライン５８に接続されている。第２排気ライン５８はバルブＶ２を備えてポンプユニット４１に接続され、加熱炉３８内はポンプユニット４１により排気可能となっている。
【００５５】
次に、上記構成の処理装置１０を用いて行われる処理動作について図面を参照して説明する。なお、以下に示す例は、一例に過ぎず、同様の処理が可能な構成であればいかなるものであってもよい。
【００５６】
先ず、図２を参照して、外部からウェハカセット載置台１６にウェハカセット１８が搬送される。ウェハ搬送機構１９は、ウェハカセット１８からウェハＷを取り出し、主搬送領域１５内のウェハ載置台２４上に載置する。一方、外部からサセプタカセット載置台２０にサセプタカセット２２が収容される。サセプタ搬送機構２３は、サセプタカセット２２からサセプタＳを取り出し、主搬送領域１５内のサセプタ載置台２５上にサセプタＳを載置する。
【００５７】
主搬送領域１５にウェハＷおよびサセプタＳが搬入された状態で、副搬送機構２６はウェハＷを非接触状態で保持し、サセプタ載置台２５上のサセプタＳ上に移送、載置する。このとき、副搬送機構２６はウェハＷをサセプタＳとほぼ同心となるように配置し、サセプタＳはウェハＷよりも大径であるので、ウェハＷの裏面はサセプタＳによって覆われた状態となる。
【００５８】
続いて、図１を参照して、主搬送機構２７は、ウェハＷが載った状態のサセプタＳをローディングチャンバ内に移送する。主搬送機構２７は、ウェハＷおよびサセプタＳをボート４２の溝部に差し込み、溝部に保持させた後にローディングチャンバ内から退出する。その後、ゲートバルブ３６は閉鎖される。
【００５９】
次いで、昇降機構４９により、ボート４２は加熱炉３８内の最上昇位置まで上昇する。このとき、蓋体４７は、その周縁がマニホールド５３の下端と接する状態にあり、加熱炉３８とロードロックチャンバ３７との間はＯリング４８により気密に封止される。
【００６０】
加熱炉３８の内部は、ヒータ５４により所定の温度に予熱されている。この状態で、加熱炉３８内にボート４２がロードされる。続いて、成膜ガス供給管５５からジシランガスを内管５２内に導入すると共に、ドープガス供給管５６からフォスフィンガスを内管５２内に導入する。このとき、ポンプユニット４１は第２排気ライン５８を介して加熱炉３８内を所定の減圧雰囲気とする。成膜処理は、上記雰囲気下で、ボート４２を回転させながら所定時間行われる。このような減圧ＣＶＤ処理により、ウェハＷの表面にドープされたポリシリコン膜が形成される。
【００６１】
ここで、上述したように、ボート４２に保持された各ウェハＷは、サセプタＳ上にその裏面が覆われるように載置された状態でボート４２に保持されている。このため、サセプタＳはその裏面が露出しており、その裏面にポリシリコン膜が形成されるものの、ウェハＷの裏面におけるポリシリコン膜の形成は防がれる。
【００６２】
成膜処理の終了後、プロセスガスの供給は停止され、加熱炉３８内はロードロックチャンバ３７とほぼ同様の圧力とされる。次いで、昇降機構４９によって、ボート４２は最下降位置まで下降する。このとき、ロードロックチャンバ３７には、パージガスライン３９から所定時間パージガスが供給され、ポンプユニット４１は第１排気ライン４０を介して供給されたパージガスを排気する。
【００６３】
パージの終了後、ゲートバルブ３６は開放される。主搬送機構２７は、ゲート３５を介してロードロックチャンバ３７内のボート４２にアクセスし、ボート４２に保持されたサセプタＳおよびウェハＷをサセプタ載置台２５上に移送する。
【００６４】
副搬送機構２６は、サセプタ載置台２５に載置された、サセプタＳ上のウェハＷを非接触状態で保持し、ウェハ載置台２４に移送する。ウェハ載置台２４上に載置されたウェハＷは、ウェハ搬送機構１９によって主搬送領域１５から搬出され、ウェハカセット１８に収容される。所定枚数のウェハＷを収納したウェハカセット１８は、外部に搬出される。
【００６５】
一方、サセプタ載置台２５上のサセプタＳは、サセプタ搬送機構２３によって、主搬送領域１５から搬出され、サセプタカセット２２に収容される。サセプタカセット２２は、外部に搬出され、サセプタＳの洗浄処理が施される。なお、サセプタＳの洗浄処理は、サセプタＳを所定回数利用した後に行ってもよい。以上で、一連の成膜処理は終了する。
【００６６】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態においては、ウェハＷをサセプタＳ上に載置した状態で成膜処理を行っている。このため、裏面が露出した状態で被処理体を保持するボート４２を用いたＣＶＤ処理であっても、ウェハＷの裏面への膜形成は防がれる。これにより、成膜処理後のウェハＷの裏面洗浄工程が省略可能となるなど、スループットの向上が図れる。また、処理後のウェハＷの搬送時における裏面からの膜の剥離等による搬送治具、他の処理空間の汚染等は低減される。さらに、ウェハＷのサセプタＳ上への載置は、ベルヌーイチャックを用いて非接触状態で行っており、ウェハＷの表面（被処理面）の汚染等は避けられる。このように、本発明を縦型減圧ＣＶＤ装置に適用した第１の実施の形態の処理装置１０によれば、ウェハＷの裏面（非被処理面）への膜形成は防ぎつつ成膜を行うことができ、信頼性が高くかつ生産性の高い処理が可能となる。
【００６７】
上記第１の実施の形態では、サセプタＳは、主搬送領域１５の外部の、サセプタ搬送領域１４のサセプタカセット２２に収納される構成とした。しかし、サセプタＳは、サセプタ載置台２５の近傍であれば、どのように配置されていてもよい。例えば、主搬送領域１５内に配置する構成としてもよく、このとき、カセットを用いず、ボート４２と同様の収納部材に収納させる構成としてもよい。あるいは、サセプタＳの収納部材と、主搬送機構２７と、を共にあるいは一方をロードロックチャンバ３７内に配置する構成としてもよい。
【００６８】
上記第１の実施の形態では、使用後のサセプタＳを一回ごとに洗浄する構成とした。しかし、所定回数使用するごとに洗浄するようにしてもよい。また、何も載せない状態あるいはダミーウェハを載せた状態のサセプタＳをボート４２に保持して加熱炉３８内にロードし、加熱炉３８内のドライクリーニングを行うようにしてもよい。
【００６９】
また、ウェハ載置台２４、サセプタ載置台２５、副搬送機構２６および主搬送機構２７の配置位置、数等は、上記のものに限られない。スループットの向上のため、それぞれを複数配置した構成としてもよい。さらには、ボート４２を２個以上設け、１つのボート４２にウェハＷを移載する間に、他のボート４２の成膜処理を行うようにしてもよい。
【００７０】
上記第１の実施の形態では、ウェハＷの表面にポリシリコン膜を形成する縦型減圧ＣＶＤ装置を例として説明した。しかし、使用するガス種は上記のものに限られない。また、形成する膜はポリシリコン膜に限らず、アモルファスシリコン膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜等、他のいかなるものであってもよい。また、縦型減圧ＣＶＤ処理に限らず、熱酸化装置等の熱処理装置、エッチング装置、アッシング装置等の他の処理装置に適用することができる。
【００７１】
（第２の実施の形態）
以下、本発明の第２の実施の形態にかかる処理装置１０について、図面を参照して説明する。第２の実施の形態では、いわゆる原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により膜形成を行う、枚葉式の熱処理装置に適用した処理装置１０について説明する。この処理装置１０は、四塩化チタン（ＴｉＣｌ_４）とアンモニア（ＮＨ_３）とを用いてウェハＷの表面に窒化チタン（ＴｉＮ）膜を形成する。
【００７２】
第２の実施の形態に係る処理装置１０の構成例を図５に示す。なお、図１および図２と同一の部分については、理解を容易にするため、同一の符号を付し説明を省略する。
【００７３】
図５に示すように、第２の実施の形態に係る処理装置１０は、図１に示す第１の実施の形態と同様に、搬送領域１１と、処理領域１２と、を備える。
【００７４】
第２の実施の形態の搬送領域１１は、第１の実施の形態の搬送領域１１から、サセプタ搬送領域１４を除いた構成を有する。搬送領域１１は、第１の実施の形態と同様に、ウェハ搬送領域１３と、主搬送領域１５と、から構成されている。
【００７５】
ここで、サセプタ載置台２５は、ウェハ載置台２４および主搬送機構２７と、ほぼ直線状にあるように配置されている。副搬送機構２６は、ウェハ載置台２４とサセプタ載置台２５との間に配置されている。ウェハＷが主搬送領域１５内に搬入された状態で、サセプタ載置台２５の上には、第１の実施の形態と同様のサセプタＳが載置されている。
【００７６】
第２の実施の形態の搬送領域１１は、第１の実施の形態と同様に、主搬送機構２７と、ベルヌーイチャックを用いた副搬送機構２６と、を備える。副搬送機構２６は、ウェハ載置台２４上のウェハＷを非接触状態で保持し、サセプタ載置台２５上のサセプタＳ上に移送する。このとき、ウェハＷの裏面はサセプタＳにより覆われるように載置される。主搬送機構２７は、ウェハＷが載置されたサセプタＳを保持し、処理領域１２に搬送する。なお、主搬送機構２７は、ｚ方向に昇降可能でなくてもよい。
【００７７】
処理領域１２は、処理チャンバ６０から構成される。処理チャンバ６０は搬送領域１１にゲート３５を介して接続されている。ゲート３５にはゲートバルブ３６が設けられ、処理領域１２と処理チャンバ６０との間は気密に分離可能となっている。
【００７８】
処理チャンバ６０の断面構成を図６に示す。図６に示すように、処理チャンバ６０は略円筒状の、例えば、アルミニウムからなる容器６１を備える。容器６１の天井部には、ガス導入口６２が設けられている。ガス導入口６２を介して、図示しない原料ガス源から、原料ガスが容器６１内に所定の流量で導入される。なお、ガス導入口６２は、容器６１の側壁に設けてもよい。
【００７９】
また、容器６１の側壁には、上述したゲート３５が設けられている。ゲート３５を介して、容器６１にまたは容器６１から、被処理体であるウェハＷが搬入または搬出される。ゲート３５には、上述したように、ゲートバルブ３６が設けられている。
【００８０】
容器６１の底部には、排気口６３が形成されている。排気口６３は、図示しない真空ポンプ等の排気装置に接続されている。なお、排気口６３は、容器６１の側壁に設けてもよい。
【００８１】
容器６１の天井部と底部とには、加熱ブロック６４ａ、６４ｂが設けられている。加熱ブロック６４ａ、６４ｂは、窒化アルミニウム等のセラミックから所定の厚さを有して構成され、容器６１の天井部および底部のほぼ全体に重なるように設けられている。加熱ブロック６４ａ、６４ｂは、その内部に抵抗体等からなるヒータ６５を備え、容器６１の内部を所定温度まで加熱可能となっている。
【００８２】
容器６１内には、上下の加熱ブロック６４ａ、６４ｂに挟まれるように、処理空間が形成されている。ガス導入口６２および排気口６３はこの処理空間に接続されており、処理空間を給排気可能に構成されている。
【００８３】
底部の加熱ブロック６４ｂの上面には、起立した棒状の載置ピン６６が形成されている。載置ピン６６は、例えば、底部の加熱ブロック６４ｂと一体成型により形成されている。載置ピン６６は、例えば、３本形成され、ウェハＷが載置された状態のサセプタＳを載置可能となっている。また、載置ピン６６は、サセプタＳを載置した状態で、主搬送機構２７のアームがサセプタＳと底部加熱ブロック６４ｂの上面との間を進退可能な高さに設定されている。
【００８４】
次に、上記構成の処理装置１０を用いて行われる処理動作について図面を参照して説明する。なお、以下に示す例は、一例に過ぎず、同様の処理が可能な構成であればいかなるものであってもよい。
【００８５】
先ず、図５を参照して、外部からウェハカセット載置台１６にウェハカセット１８が搬送される。ウェハ搬送機構１９は、ウェハカセット１８からウェハＷを取り出し、主搬送領域１５内のウェハ載置台２４上に載置する。
【００８６】
主搬送領域１５にウェハＷおよびサセプタＳが搬入された状態で、副搬送機構２６はウェハＷを非接触状態で保持し、サセプタ載置台２５上のサセプタＳ上に移送、載置する。このとき、副搬送機構２６はウェハＷをサセプタＳとほぼ同心となるように配置し、これにより、ウェハＷの裏面はサセプタＳによって覆われた状態となる。
【００８７】
続いて、主搬送機構２７は、ウェハＷが載った状態のサセプタＳを処理チャンバ６０内に移送する。主搬送機構２７は、サセプタＳを載置ピン６６上に載置させた後、処理チャンバ６０内から退出する。その後、ゲートバルブ３６は閉鎖される。以下、処理チャンバ６０内にて、ＡＬＤを用いた成膜処理がウェハＷに施される。
【００８８】
図７は、成膜工程における処理チャンバ６０内の温度および圧力プロファイルと、原料ガスの供給タイミングと、を示すチャートの一例である。また、図８は、ＴｉＮ膜の形成の様子を模式的に示す図である。
【００８９】
ゲートバルブ３６の閉鎖後、図示しない排気装置により、チャンバ内を、所定の圧力、例えば、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度まで排気し、かつ、ウェハＷをＴｉＣｌ_４の付着に適した温度、例えば、６００℃まで昇温する。この状態で、ＴｉＣｌ_４ガスを数秒間、例えば、３秒間処理チャンバ６０内に供給する。なお、供給時間は特に限定されないが、数秒間で十分である。これにより、図８（ａ）に示すように、ウェハＷの表面上には、ＴｉＣｌ_４分子層７０が多層に付着する。
【００９０】
次に、処理チャンバ６０内を排気し、例えば、１．３３×１０^−３Ｐａ（１０^−５Ｔｏｒｒ）程度の圧力まで下げる。同時に、ヒータ６５への供給電力を遮断あるいは低下させて、ＮＨ_３の付着に適した温度、例えば、３００℃までウェハＷを降温させる。
【００９１】
排気過程では、図８（ｂ）に示すように、ウェハＷの表面に付着していたＴｉＣｌ_４分子層７０は、吸着エネルギーの差から、１層目を除いて飛散する。これにより、ウェハＷの表面には、１層のＴｉＣｌ_４分子層７０が付着している。
【００９２】
このようにして、処理チャンバ６０内の圧力が１．３３×１０^−３Ｐａ程度になり、かつ、ヒータ６５の温度が３００℃程度まで低下した状態で、ＮＨ_３ガスを短時間、例えば、３秒間程度処理チャンバ６０内に導入する。なお、ＮＨ_３の導入時間は、特に限定されないが、数秒程度で十分である。
【００９３】
これにより、図８（ｃ）に示すように、ウェハＷ表面の１層のＴｉＣｌ_４分子層７０は、導入されたＮＨ_３分子と反応して１層のＴｉＮ層７１を形成する。さらに、形成したＴｉＮ層７１の上には、ＮＨ_３の分子層７２が多層に付着する。
【００９４】
次に、ＮＨ_３ガスの導入により１３３Ｐａ程度となった処理チャンバ６０内を再び排気し、１．３３×１０^−３Ｐａ程度の圧力まで下げる。同時に、ウェハＷを再び６００℃程度まで昇温する。この排気過程により、図８（ｄ）に示すように、ＴｉＮ層７１上に付着しているＮＨ_３分子層７２は、１層目を除いて飛散する。従って、このとき、ＴｉＮ層７１上に１層のＮＨ_３分子層７２のみが付着している。
【００９５】
次に、再度、処理チャンバ６０内にＴｉＣｌ_４ガスを導入する。このとき、図８（ｅ）に示すように、ＴｉＮ層７１上の１層のＮＨ_３分子層７２が、ＴｉＣｌ_４と反応して新たなＴｉＮ層７１を形成するとともに、このＴｉＮ層７１上にＴｉＣｌ_４分子層７０が多層に付着する。従って、この時点で、ウェハＷ上には２層のＴｉＮ層７１が形成されている。さらに、引き続いて排気を行い、図８（ｆ）に示すように、ＴｉＮ層７１上に付着しているＮＨ_３分子層７２は、１層目を除いて飛散する。
【００９６】
その後、図８（ｇ）に示すように、ＮＨ_３ガスの導入により３層目のＴｉＮ層７１を形成し、さらに、図８（ｈ）に示すように、３層目上に付着した１層目のＮＨ_３分子層７２を除いて、排気除去する。このように、上記と同様に、各原料ガスの供給、排気、および、ウェハＷの昇降温を所定回数繰り返してＴｉＮ層７１を１層ずつ堆積させることにより、所望の厚さのＴｉＮ層７１が得られる。ここで、上記操作は、例えば、１００〜数１００回繰り返される。
【００９７】
成膜処理の終了後、成膜ガスの供給は停止され、処理チャンバ６０内は搬送領域１１とほぼ同様の圧力とされる。その後、ゲートバルブ３６が開放され、主搬送機構２７は、ゲート３５を介して処理チャンバ６０内に進入し、載置ピン６６に保持されたサセプタＳおよびウェハＷを処理チャンバ６０の外に搬出し、サセプタ載置台２５上に移送する。
【００９８】
副搬送機構２６は、サセプタ載置台２５に載置された、サセプタＳ上のウェハＷを非接触状態で保持し、ウェハ載置台２４に移送する。ウェハ載置台２４上に載置されたウェハＷは、ウェハ搬送機構１９によって主搬送領域１５から搬出され、ウェハカセット１８に収容される。所定枚数のウェハＷを収納したウェハカセット１８は、外部に搬出される。
【００９９】
一方、サセプタ載置台２５上のサセプタＳは、引き続く他のウェハＷの処理に用いられる。サセプタＳは、所定回数使用された後に処理チャンバ６０外に搬出され、新しいものと交換される。使用したサセプタＳには洗浄処理が施される。以上で、一連の成膜処理は終了する。
【０１００】
上記した、ＡＬＤを用いた成膜工程において、ウェハＷはサセプタＳ上にあるため、ウェハＷの裏面への成膜ガスの吸着は起こらない。従って、ウェハＷの裏面における膜形成は防がれる。これにより、成膜処理後のウェハＷの裏面洗浄工程が省略可能となるなど、スループットの向上が図れる。また、処理後のウェハＷの搬送時における裏面からの膜の剥離等による搬送治具、他の処理空間の汚染等は低減される。さらに、ウェハＷのサセプタＳ上への載置は、ベルヌーイチャックを用いて非接触状態で行っており、ウェハＷの表面（被処理面）の汚染等は避けられる。このように、本発明をＡＬＤを用いる熱処理装置に適用した第２の実施の形態の処理装置１０によれば、ウェハＷの裏面（非被処理面）への膜形成を防ぎつつ成膜を行うことができ、信頼性が高くかつ生産性の高い処理が可能となる。
【０１０１】
さらに、ウェハＷのサセプタＳ上への載置は、処理チャンバ６０の外部で行われる。このため、処理チャンバ６０はサセプタＳ（およびウェハＷ）の移載用のリフトピン等の昇降機構を備えず、処理チャンバ６０を構成する容器６１に穴等を形成しない構成となっている。従って、穴を気密にふさぐためのベローズ等に由来する不純物のウェハＷの汚染を防止でき、成膜処理の高い信頼性が得られる。さらに、処理チャンバ６０自体の構造を非常に簡単なものとすることができ、メンテナンスが容易であるなど、高い生産性が得られる。
【０１０２】
上記第２の実施の形態では、ＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを用いてＴｉＮ膜を形成するものとした。しかし、形成する膜種および使用するガス種はこれに限定されず、他の膜種および他のガス種を用いることができる。
【０１０３】
また、加熱ブロックおよび載置ピン６６は、窒化アルミニウムに限らず、他のセラミック材料あるいはセラミック以外の材料を用いてもよい。
【０１０４】
また、上記成膜処理において、面に付着した余分な分子層は、高真空状態への排気により、除去し、１層目の分子層だけを残すものとした。しかし、排気工程を、不活性ガスによるパージにより行っても良い。この場合、パージ中の処理チャンバ６０内における原料ガスの分圧を所定圧力まで低下させればよい。なお、不活性ガスとしては、アルゴン、ヘリウム、キセノン、ネオン、窒素等が挙げられる。
【０１０５】
上記第２の実施の形態では、処理チャンバ６０はその内側にヒータ６５を備えた、いわゆるホットウォール型の構造とした。しかし、容器６１の天井部および／または底部をガラス材料等の透明な部材から構成し、処理チャンバ６０の外部に加熱ランプを配置して処理チャンバ６０内の加熱を行う、いわゆるホットウォール型の構成としてもよい。
【０１０６】
上記第２の実施の形態では、サセプタＳは所定回数使用された後に、新しいものと交換されて、古いものは洗浄されるものとした。しかし、所定回数使用するごとに、何も載せない状態あるいはダミーウェハを載せた状態のサセプタＳを処理チャンバ６０内に収容した状態で処理チャンバ６０のドライクリーニングを行う構成も可能である。
【０１０７】
また、ウェハ載置台２４、サセプタ載置台２５、副搬送機構２６および主搬送機構２７の配置位置、数等は、上記のものに限られない。スループットの向上のため、それぞれを複数配置した構成としてもよい。
【０１０８】
上記第１および第２の実施の形態において、副搬送機構２６は、主搬送領域１５の底部に固定するものとした。しかし、天井部に設置された構造であってもよい。また、副搬送機構２６は、ベルヌーイチャックにより、ウェハＷを搬送するものとした。しかし、非接触状態で被処理体を搬送可能な構造であれば、いかなる構造であってもよい。また、サセプタＳの形状は円盤状に限らず、方形板状等、いかなる形状であってもよい。
また、被処理体は、半導体ウエハ以外に、例えば、液晶表示基板等であってもよい。
【０１０９】
【発明の効果】
本発明によれば、高い信頼性と高い生産性とを備えた処理装置および処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる処理装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示す搬送領域の平面図を示す。
【図３】図１に示す副搬送機構の構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかるボートの拡大図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態にかかる処理装置の構成を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態にかかる処理チャンバの断面構成図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態にかかる処理装置の処理を示すチャートである。
【図８】本発明の第２の実施の形態にかかる処理装置の成膜の様子を概略的に示す図である。
【図９】従来の縦型減圧ＣＶＤ装置の構成を示す図である。
【図１０】図９に示すボートの拡大図である。
【符号の説明】
１０　　処理装置
１１　　搬送領域
１２　　処理領域
１３　　ウェハ搬送領域
１４　　サセプタ搬送領域
１５　　主搬送領域
２４　　ウェハ載置台
２５　　サセプタ載置台
２６　　副搬送機構
２７　　主搬送機構
３７　　ロードロックチャンバ
３８　　加熱炉
４２　　ボート
Ｗ　　ウェハ
Ｓ　　サセプタ

Claims

平板状の被処理体の一面に所定の処理を施す処理装置であって、
処理容器と、
前記被処理体をその他面を覆う状態で載置可能でかつ搬送可能な載置部材を、前記被処理体が載置された状態で前記処理容器内に保持する保持部材と、
を備えたことを特徴とする処理装置。
前記処理容器は開口を備え、
前記処理容器に前記開口を介して接続され、前記被処理体が載置された前記載置部材を前記保持部材に保持させるためのローディング室をさらに備え、
前記保持部材は、前記ローディング室と前記処理容器との間を前記開口を介して移動可能に構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
前記開口を気密に開閉可能な開閉部材を備え、前記開閉部材は、前記保持部材が前記処理容器内にある状態で前記開口を閉鎖する、ことを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
前記保持部材は、前記被処理体が載置された前記載置部材を複数保持可能に構成されている、ことを特徴とする請求項２または３に記載の処理装置。
前記保持部材は、前記被処理体が載置された複数の前記載置部材を、前記被処理体の一面に垂直な方向に、前記被処理体が互いに略平行となるように保持する、ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の処理装置。
前記ローディング室は搬送用開口を備え、
前記被処理体が載置された前記載置部材を前記搬送用開口を介して前記ローディング室内に搬入し、前記ローディング室内に配置された前記保持部材に保持させる第１の搬送機構をさらに備える、ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の処理装置。
前記搬送用開口を気密に開閉可能な開閉機構をさらに備える、ことを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
前記ローディング室の外部で、前記被処理体を前記載置部材上に載置する第２の搬送機構を備える、ことを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の処理装置。
前記第２の搬送機構は、前記被処理体を非接触状態で保持する、ことを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
前記保持部材は円盤状に形成されている、請求項２乃至９のいずれか１項に記載の処理装置。
平板状の被処理体の一面に所定の処理を施す処理装置であって、
処理容器と、
前記被処理体をその他面を覆う状態で載置可能でかつ搬送可能な載置部材を、前記被処理体が載置された状態で前記処理容器内に保持する、前記処理容器内に固定して設けられた保持部材と、
を備えたことを特徴とする処理装置。
前記処理容器は開口を備え、
前記処理容器内に前記開口を介して前記被処理体が載置された前記載置部材を搬入し、前記保持部材に保持させる第１の搬送機構をさらに備える、ことを特徴とする請求項１１に記載の処理装置。
前記処理容器の外部で前記被処理体を前記載置部材上に載置する第２の搬送機構をさらに備える、ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の処理装置。
前記第２の搬送機構は前記被処理体を非接触状態で保持する、ことを特徴とする請求項１３に記載の処理装置。
前記開口を気密に開閉可能な開閉機構をさらに備え、前記処理容器内に前記被処理体が載置された前記載置部材がある状態で、前記開閉機構は前記処理容器内を閉鎖する、ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の処理装置。
前記保持部材は円盤状に形成されている、ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の処理装置。
請求項２乃至１０のいずれか１項に記載の処理装置を用いる処理方法であって、
前記ローディング室内で前記被処理体が載置された前記載置部材を前記保持部材に保持させる工程と、
前記載置部材を保持した前記保持部材を前記処理容器内にロードする工程と、
前記処理容器内に所定のガスを導入する工程と、
前記処理容器内を加熱する工程と、
を備える、ことを特徴とする処理方法。
請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の処理装置を用いる処理方法であって、
前記被処理体が載置された前記載置部材を前記保持部材に保持させる工程と、前記複数種のガスを１種類ずつ複数回にわたって前記処理容器内に供給する工程と、
前記複数種のガスの供給毎に、真空排気または不活性ガスによる置換を行う工程と、
を備える、ことを特徴とする処理方法。