KR0145301B1 - 에칭장치 및 에칭 방법 - Google Patents

에칭장치 및 에칭 방법

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KR0145301B1
KR0145301B1 KR1019890005926A KR890005926A KR0145301B1 KR 0145301 B1 KR0145301 B1 KR 0145301B1 KR 1019890005926 A KR1019890005926 A KR 1019890005926A KR 890005926 A KR890005926 A KR 890005926A KR 0145301 B1 KR0145301 B1 KR 0145301B1
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electrode
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cooling
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KR1019890005926A
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츠메사토시 카가
카즈오 후카자와
Original Assignee
고다가 토시오
도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

에칭 장치 및 에칭방법
제1도는 본 발명의 실시예에 관한 에칭장치가 적용되는 플라즈마에쳐(etcher)를 나타낸 사시도,
제2도는 제1도에 나타낸 에쳐의 평면도,
제3도는 본 발명에서 웨이퍼를 반송하기 위한 다관절 로보트을 나타낸 단면도,
제4도는 본 발명에서 예쳐의 처리부에서 웨이퍼를 반송하는 반송기구를 나타낸도면,
제5도는 본 발명의 실시예에 관한 에칭 장치를 나타낸 단면도,
제6도는 본 발명의 에칭장치의 하부전극을 반송하는 반송기구를 나타낸 도면,
제7도는 본 발명의 에칭장치의 하부전극의 요부를 확대하여 나타낸 도면,
제8도는 본 발명에서의 에쳐의 조작부를 나타낸 블록도,
제9도는 본 발명의 에칭장치에서의 클램프링과 축과의 결합부를 나타낸 단면도,
제10도는 본 발명에서의 에칭처리과정을 나타낸 플로우 챠아트이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 처리용기 3 : 웨이퍼 반입구
4 : 웨이퍼 반출구 7 : 웨이퍼 카세트
8 : 얹어 놓는대 9 : 로보트
10 : 아암 11 : 처크부재
11a : 내부처크 11b : 외부처크
12 : 처리실 13, 14 : 로우드 록크(load lock) 실
15 : 예비실 15a, 16a, 16b, 18a, 18b : 개폐기구
19 : 승강기구 20 : 하부전극
20a : 필름 21 : 지지판
22 : 너트 23 : 보올스크류우
24 : 모우터 25 : 스프로켓
26 : 체인 27 : 벨로우즈
28 : 리프터 핀 30 : 승강기
31 : 코일 스프링 32 : 냉각의 유통로
33 : 배기구멍 34 : 배기링
35 : 배기관 36 : 클램프링
36a : 끼워맞춤부 36b : 구멍
36c : 요입부 37 : 에어 실린더
38 : 전극 지지체 39 : 냉각액 유통로
40 : 상부전극 41 : 공간
42 : 가스공급관 43a, 43b, 43c : 확산판
44 : 관통구멍 45 : 절연링
46 : 시일드링 47 : 고주파 전원
50 : 베이스 51 : 제1아암
52 : 제2아암 53 : 제3아암
54 : 제4아암 55, 56 : 모우터
57, 58, 59, 60 : 벨트 61, 62, 63 : 통형상체
70 : 핸들링 장치 71 : 웨이퍼 호울더
72 : 다관절 아암 73 : 베이스
74 : 모우터 80 : 핸들링 장치
81 : 웨이퍼 호울더 82 : 다관절 아암
83 : 베이스 84 : 모우터
90 : 지지부재 91 : 고정부재
93 : 공간 94 : 관통구멍
95 : 승강판 96 : 로드
100 : 로우더·언로우더부 110 : 가스 공급원
111 : 가스 공급관 112 : 유량계(流量計)
113 : 밸브 114 : 가스 배출관
115 : 밸브 116 : 압력계
120 : 냉각가스 도입관 121 : 세로구멍
130 : 가압계(加壓系) 131 : 축
132 : 축(131)의 앞끝단부 133 : 착설부재
140 : 반응가스 공급제(供給系) 141 : 가스 공급원
142 : 흐름량 조절기 150 : 터어보 분자 펌프
151 : 로우터리 펌프 200 : 수납부
300 : 반송부 400 : 어라이먼트부
500 : 처리부 600 : 조작부
601 : 마이크로 콘트로울러 602 : 메모리
603 : 입출력부 604 : CRT
605 : 입력부 700 : 간막이부
W : 반도체 웨이퍼
본 발명은, 반도체 소자 등을 에칭하는 에칭장치(device) 및 에칭 방법에 관한 것이다. 근년에, 반도체 소자의 복잡한 제조공정의 간략화, 공정의 자동화를 가능하게 하고, 또한 미세한 페번을 높은 정밀도로 형성할 수가 있는 각종 박막의 에칭장치로서, 가스 플라즈마증의 반응성분을 이용한 플라즈마 에칭장치가 주목되고 있다.
이와같은 플라즈마 에칭장치로서는, 예를들면 일본국 특개소 57-156034호 공보에 개시된 것이 알려져 있다.
이 장치에서는, 진공장치에 연이어 설치된 기밀 용기의 아래쪽에 알루미늄제의 하부전극이 형성되고, 이 하부전극의 윗쪽에 이것에 대향하도록, 예를들면 알루미늄제의 전극체에 지지된 비결정성 카아본제의 상부전극이 형성되고, 이들 상부전극 및 하부전극사이에 RF 전원이 접속되어 있다.
그리고, 전극 사이를 진공상태로 유지하면서, 하부전극위에 피처리체, 예를들면 반도체 웨이퍼를 반입하여 설치하여, 상기에서 설명한 RF 전원으로부터 각 전극사이에 전력을 공급하고, 동시에 소망의 처리가스를 전극사이에 공급한다. 그렇게하면, 공급된 전력에 의하여 처리가스가 플라즈나화 되고, 이 플라즈마화된 처리 가스에 의하여 피처리체의 표면이 에칭된다. 이와같은 장치에서, 하부전극위에 반도체 웨이퍼를 설치하는 경우, 상부 전극을 상승시켜서 전극사이에 소정의 간격을 형성하여, 로보트 핸드(robot hand) 등의 반송장치에 의하여 반송되어 온 반도체웨이퍼를 하부 전극위에 얹어놓고, 그 후에 상부전극을 하강하여 각 전극사이의 간격을 소정의 량으로 설정한다. 그러나, 이 장치에서는 상부전극을 승강시키는 구조로 되어 있기 때문에, 구동계가 웨이퍼의 반송면 보다도 위에 위치한다.
따라서, 구동계에서 발생한 먼지가 진공의부를 반송중인 웨이퍼나 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼에 부착되고, 이와같이 부착된 먼지나 고집적화된 IC의 미세한 패턴형성에 나쁜 영향을 주므로, 에칭공정의 생산성의 저하를 초래한다. 이와같은 결점을 해소하기 위하여, 하부전극을 이동시키도록 하고, 그의 구동계를 웨이퍼를 얹어놓는 위치보다도 아래에 형성한 장치가 제안되어 있다(일본국 실개소 56-43158호 공보 참조). 그러나, 이 장치에서는, 하부전극위에 얹어놓여진 반도체 웨이퍼와 하부전극과의 간격이 반드시 일정하지 않으므로, 균일한 에칭처리를 달성할 수가 없게될 우려가 있다. 본 발명은 이와같은 결점을 해소하기 위하여 이루어진 것으로서, 그의 목적은, 높은 생산성 및 균일한 에칭을 실시할 수가 있는 에칭장치 및 에칭 방법을 제공하는데에 있다.
본 발명에 관한 에칭 장치는, 그의 내부에서 에칭처리하기 위한 하우징과, 위, 아래에 대향배치된 하부전극 및 상부전극을 가지며, 하부전극위에 피처리체를 얹어놓은 상태에서 이들 전극사이에 플라즈마를 발생시키기위한 전극 수단과, 상기 하부전극의 윗면 보다도 아래에 배치되어 상기 하부전극을 승강시키기 위한 승강수단과, 이들 전극사이에 전력을 인가하기 위한 전원수단과, 상기 하부전극 및 상부 전극사이에 형성되어, 피처리체를 상기 하부전극 및 상부전극사이의 소정 위치에서 보호지지하는 보호지지 수단과, 상기 하부전극 및 상부전극 사이로 플라즈마 생성 용의 반응가스를 공급하기 위한 가스공급수단과, 를 구비한다.
본 발명에 관한 에칭 방법은, 위, 아래로 대향하는 하부전극과 상부 전극과의 사이에 피처리체를 설치하고, 이들 전극사이에 플라즈마를 발생시켜서 피처리체를 에칭하는 에칭방법에 있어서, 피처리체를 하부전극 위에 얹어놓기 위한 얹어놓는 공정과, 하부전극과 상부전극과의 사이에 형성된 보호지지 부재에 윗쪽으로 부터 소정의 압력을 부여하면서 상기 하부전극을 상승시켜, 피처리체를 보호지지 부재에 밀어붙여서 보호지지시키는 보호지지 공정과, 상기 하부전극과 상부전극과의 사이에 전력을 인가함과 동시에 그 사이로 반응가스를 공급하여 전극사이에 플라즈마를 형성하여, 피처리체를 에칭하는 에칭공정을 구비하고 있다.
[실시예]
다음에, 본 발명을 반도체 제조공정에서 사용되는 에칭장치에 적용한 실시예에 대하여, 첨부한 도면을 참조하여, 상세히 설명하면 다음과 같다. 제1도는 본 실시예에 관한 플라즈마 에쳐(etcher)를 나타낸 사시도이고, 제2도는 그의 평면도이다. 이 에쳐는, 피처리체, 예를들면 반도체 웨이퍼(W)를 수납하는 수납부(200), 수납부(200)에서 웨이퍼(W)를 반출, 반입하기 위한 반송부(300) 및 반송부(300)로부터 반송되어 온 웨이퍼(W)의 우치 맞춤을 행하는 어라이먼트부(400)를 구비하는 로우더·언로우더부(100)와, 어라이먼트부(400)에서 위치 맞춤된 웨이퍼(W)를 에칭처리하는 처리부(500)와, 이들 각 구성부의 동작설정 및 모니터 등을 행하는 조작부(600)와, 수납부(200) 및 조작부(600)와 그외의 부분과를 분리하는 간막이부(700)와로 구성되어 있다. 우선, 로우더·언로우더부(100)에 대하여 설명한다. 수납부(200)는, 예를들면 25때의 반도체 웨이퍼를 소정의 간격으로 얹어놓기 위한 웨이퍼가세트(7)를 복수개(제2도에서는 2개) 수납 가능하게 되어 있으며, 수납된 웨이터 카세트(7)는, 각각 대응하는 카세트를 얹어놓는대(8)에 얹어놓여져 있다. 이 경우에, 각 웨이퍼 카세트는, 그 속에 탑재된 웨이퍼가 수평으로 되도록 얹어놓여진다. 이들 얹어놓는대(8)는 각각 독립된 승강기구(도시않됨) 의하여 위, 아래로 운동한다.
그리고, 한쪽의 웨이퍼 카세트가 로우드용으로 사용되고, 다른쪽의 다른쪽의 웨이퍼 카세트가 언로우드용으로 사용된다.
또한, 이 승강기구는 웨이퍼에로의 먼지의 부착을 방지하기 위하여, 항상 카세트를 얹어 놓는대(8) 보다도 아래에 위치하도록 구성하는 것이 바람직하다. 반송부(300)에는, 수납부(200)와 어라이먼트부(400) 및 처리부(500)와의 사이에 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 다관절 로보트(9)가 형성되어 있다. 이 다관절 로보트(9)는, 제3도에 나타낸 바와 같이, 이암구동계가 수용된 베이스(50)에 제1아암(51), 제2아암(52), 제3아암(53), 제4아암(54)이 순차적으로 연이어 실치되어 다관절을 구성하고 있으며, 제4아암(54)에는 웨이퍼를 보호지지하기 위한 기구, 예를들면 진공흡착기구(도시않됨)를 구비한 아암(10)이 형성되어 있다. 이 아암(10)은 웨이터(W)에로의 중금속오염을 방지하기 위하여, 세라믹 또는 석영으로 형성되어 있다. 이들 아암(51), (52), (53), (54)은, 각각 모우터(55), (56)의 회전구동이 통형상체(61), (62), (63) 및 벨트(57), (58), (59), (60)에 의하여 전달됨으로써, 각 아암이 인접하는 아암에 대하여 상대적으로 회동된다. 또한, 베이스(50)는 도시하지 아니한 구동기구에 의하여 회전이동 및 화살표(A)를 따르는 수평이동이 실행된다. 이와 같이하여, 웨이퍼(W)를 얹어놓은 아암(10)을 소망의 위치로 이동시킬 수가 있다. 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 어라이먼트부(400)에는, 웨이퍼(W)를 소정의 위치에 흡착하여 보호지지하기 위한 배큼(Vacuum) 처크부재(11)가 형성되어 있다. 배큼처크부재(11)에는 원기등 형상의 내부체크(11a)와, 소정의 간격을 두고서 내부처크(11a)를 둘러싸도록 형성된 둥근고리 형상의 외부처크(11b)와를 구비하고 있다. 내부처크(11a)는 그의 축을 중심으로 한 회전이동 및 상하운동이 가능하고, 외부처크(11b)는 화살표(B) 방향을 따라 수평이동이 가능하다. 또한, 처크부재(11)의 바깥쪽에는, 내부 처크의 중심방향으로 이동이 가능하게, 웨이퍼의 바깥둘레 검출용센서, 예를들면 투과형 센서(도시않됨)가 형성되어 있으며, 이 센서의 검출신호에 따라 내부처크(11a) 및 외부처크(11b)에 의하여 웨이퍼(W)를 미리 결정된 위치로 어라이먼트 한다. 처리부(500)는, 어라이먼트부(400)에서 위치 맞춤된 웨이퍼(W)에 소정의 에칭처리를 실시하기 위한 것으로서, 에칭 처리실(12), 로우드 록크(load lock)실(13), (14) 및 예비실(15)을 구비하고 있다. 처리실(12)은, 소망하는 분위기의 감압상태로 유지된 상태에서 웨이퍼(W)를 에칭처리하기 위한 것으로서, 그의내부에 다음에 설명하는 에칭처리 기구가 형성되어 있다. 로우드 록크실(13), (14)은 기밀상태를 유지하면서 웨이퍼(W)를 반송이 가능하게 하는 것으로, 이것에 의하여 웨이퍼(W)의 처리실(12)에 대한 반출, 반입시에, 처리실(12)내를 소망의 분위기로 유지하여 둘수가 있다. 이와같은 로우드 록크실로서는, 예를들면 미합중국 특허 제4,433,951호에 개시된 것을 이용할 수가 있다. 로우드 록크실(13)은 처리실(12)의 안쪽에 형성되어 있으며, 로우드 록크실(14)은 바깥쪽에 형성되어 있다.
이들 로우드 록크실(13), (14)에는, 처리실(12)의 분위기에 영향을 주지않도록 웨이퍼(W)를 반출, 반입하기 위하여, 각각 개폐기구(16a), (16b) 및 개폐기구(18a), (18b)가 형성되어 있다. 이와 같은 개폐기구는 예를들면 게이트 밸브로 구성할 수가 있다. 게이트 밸브는 예를들면 미합중국 특허 제4,632,624호에 개시되어 있다. 또한, 로우드 록크실(13), (14)에는, 진공배기 기구 예를들면 로우터리 펌프(도시않됨)가 접속되어 있고, 또한, 불활성 가스 예를들면 N2가스를 도입가능한 정화기구(도시않됨)가 형성되어 있다. 예비실(15)은, 처리후의 웨이퍼(W)에 라이트(light) 에칭이나 에칭등의 처리를 실시한다거나, 그의 내부를 단독으로 로우드 록크실(14)과 수납부(200)의 중간의 압력으로 유지할 수도 있으므로 다목적으로 사용할 수가 있다. 예비실(15)에는, 다관절 로보트(9) 쪽에 상기에서 설명한 개폐기구(16a), (16b), (18a), (18b)와 동일한 구조의 개폐기구(15a)가 형성되어 있고, 또한 불활성 가스를 도입하는 정화기구 및 배기기구(이들 모두 도시않됨)가 형성되어 있다. 이들 정화기구 및 배기기구를 적절하게 동작시킴으로써, 개폐기구(15a)를 개방상태로 하였을 때에 예비실(15)내의 압력과 대기와의 사이의 압력차에 의하여 웨이퍼(W)가 들뜨는 것을 방지할 수가 있다. 처리부(500)에서의 웨이퍼(W)의 반송은, 제4도에 나타낸 바와같이, 로우드 록크실(13) 및 (14)에 각각 형성된 핸들링 장치(70) 및 (80)에 의하여 행하여 진다. 핸들링 장치(70)는, 도시하지 아니한 회전기구에 의하여 회전이 가능하게 형성된 베이스(73)와, 웨이퍼를 화살표(C) 방향으로 수평이동할 수 있는 다관절 아암(72)과, 다관절 아암(72)을 구동하는 모우터(74)와, 다관절 아암(72)의 앞끝단에 형성된 웨이퍼 호울더(71)를 구비하고 있으며, 배이스(73)의 회전이동 및 다관절 아암(72)의 직선이동에 의하여, 웨이퍼(W)를 어라이먼트부(400)에서 처리실(12)에로 반송하는 것이다.
또한, 핸들링 장치(80)는 핸들링 장치(70)와 마찬가지의 구조를 갖고 있으며, 배이스(83)와, 다관절 아암(82)과, 모우터(84)와, 웨이퍼 호울더(81)를 구비하고 있으며, 베이스(83)의 회전이동 및 다관절 아암(82)의 직선이동에 의하여, 웨이퍼(W)를 처리실(12)에서 예비실(15)을 통과하여 수납부(200)에로 반송하는 것이다. 예비실(15)에는, 다관절 로보트(9)쪽으로 개폐기구(15a)가 형성되어 있고, 또한 불활성가스를 도입하는 정화기구 및 배기기구(이들 모두 도시않됨)가 형성되어 있다. 이들 정화기구 및 배기기구를 적절하게 작동시킴으로써, 개폐기구(15a)를 개방상태로 하였을 때에 예비실(15)내의 압력과 대기와의 압력차에 의하여 웨이퍼(W)가 들뜨는 것을 방지할 수가 있다. 조작부(600)는, 장치전체의 제어, 장치의 동작설정, 및 웨이퍼 처리상태의 감시를 하기 위한 것으로서, 제8도에 나타낸 바와같이, 각 구성부를 제어하기 위한 마이크로 콘트로울러(601)와, 메모리(602), 키이보오드 및 IC카아드 삽입부를 갖는 입력부(605) 및 표시장치로서의 CRT(604)로 이루어지는 압출력부(603)와를 구비하고 있다. 간막이부(700)는, 수납부(200) 및 조작부(600)와 그외의 부분을 분리하는 것으로서, 수납부(200) 및 조작부(600)는 높은 압력으로서, 클린(clean)도가 높은 클린룸에 설치되고, 그외의 부분은 그것보다도 낮은 압력으로서 클린도가 낮은 메인티넌스(maintenance)용 클린룸에 설치된다.
그리고, 에칭장치는, 높은 클린도의 클린룸으로 부터 메인티넌스용 클린룸으로 공기의 흐름통로가 형성되도록 설치된다. 다음에, 처리실(12)에서 웨이퍼(W)를 에칭하는 에칭처리기구에 대하여 설명한다. 제5도는, 에칭처리기구를 나타낸 단면도이다. 이 처리기구는, 처리실(12)의 아래쪽에 형성된 하부전극(20)과, 하부전극(20)을 승강시키기 위한 승강기구(19)와, 상부전극(40)과, 상부 전극(40)을 지지하는 전극 지지체(38)와, 웨이퍼(W)를 호울드하기 위한 클램프링(36)과, 클램프링 클램프링(36)에 밀어 붙이는 힘을 부여하기 위한 가압계(加壓系)(130)와, 반응가스를 웨이퍼(W)에 공급하기 위한 반응가스 공급계(供給系)(140)와를 구비하고 있다. 처리실(12)의 둘레벽은 표면이 알루마이트 처리(anodized)된 알루미늄으로 형성되어 있으며, 웨이퍼 반입구(3)와, 반출구(4)가 형성되어 있다. 이들 반입구(3) 및 반출구(4)는 각각 상기에서 설명한 개폐기구(16b), (18a)에 의하여 개폐된다. 하부전극(20)은 둥근 기둥형상을 이루고, 표면에 알루마이트처리가 실시된 알루미늄으로 형성되어 있으며, 승강이 가능하게 형성되어 있다.
그리고, 웨이퍼(W)를 지지하는 윗면은 중심부가 약간 불룩한 도움 형상을 이루고 있다. 이와같이 도움형상으로 형성함으로써, 다음에 설명하는 클램프링에 의하여 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 하였을때에 웨이퍼(W)를 거의 수평상태로 유지할수가 있다. 또한, 하부전극(20)의 하부에는 원판형상의 지지판(21)이 고정되어 있다.
또한, 하부전극(20)의 윗면에는 20 내지 100㎛ 두께의 합성고분자 필름, 예를들면 내열성 폴리이미드계수지 필름(20a)이 내열성 아크릴계 접착제에 의하여 접착되어 있다. 이 필름(20a)에 의하여 웨이퍼(W)와 하부전극(20)과의 사이의 임피이던스를 일정하게 할수가 있다. 처리실(12)의 아래쪽에는, 하부전극(20)을 승강시키기 위한 승강기구(19)가 하부전극(20)에 연이어 설치되어 있다. 승강기구(19)는, 하부전극(20)을 승강시키기 위한 모우터(24)와, 처리실(12)의 바닥벽에 고정부재(91)를 개재하여 고정되어 모우터(24)를 지지하는 원판형상의 지지부재(90)와, 지지부재(90)와 처리실(12)의 바닥벽과를 연결하는 3개의 보올스크류우(23)와, 보올스크류우(23)에 나사맞춤되어 상기에서 설명한 지지판(21)에 고정된 너트(22)와를 구비하고 있다. 보올스크류우(23)의 하나는 모우터(24)에 연결되어 있으며, 모우터(24)가 구동됨으로써, 그 보울스크류우가 회전되어, 다음에 나타낸 기구에서 하부전극(20)이 승강된다. 즉, 각 보울스크류우에는, 각각 기어가 형성된 스프로켓(25)의 같은 높이로 고정되어 있고, 이들 스프로켓(25)이, 제6도에 나타낸 바와같이, 연이어 접속한 체인(26)으로 연결되어 있어서, 3개의 보울 스크류우(23)가 동기하여 회전된다. 따라서, 모우터(24)를 구동함으로써 지지판(21)을 개재하여 너트(22)에 연결된 하부전극(20)이 승강된다. 이것에 의하여, 하부전극(20)을 안정하게 승강 시킬 수가 있다. 또한, 보울스크류우(23)가 3개 형성되어 있기 때문에, 하부전극(20)의 평행도의 조정을 용이하게 행할 수가 있다. 하부전극(20)과 처리실(12)의 바닥벽과는, 먼지의 발생을 방지한다는 견지에서 바람직한 재질, 예를들면 스테인레스 스틸로 형성된 벨로우즈(27)에 의하여 접속되어 있으며, 승강기구(19)에 의하여 전극(20)이 승강 될 때에도 처리실(12)내의 기밀성이 유지되도록 되어 있다. 하부전극(20)의 내부에는 공간(93)이 형성되어 있으며, 이 공간(93)으로부터 윗쪽으로 관통하는 4개의 관통구멍(94)(도면에는 2개만 도시되어 있음)이 형성되어 있다. 공간(93)의 안쪽에는 승강판(95)이 상, 하운동이 가능하게 형성되어 있으며, 그의 윗면에는 스테인레스 스틸로 형성된 웨이퍼(W) 지지용인 4개의 리프터 핀(28)이 고정되어 있고, 리프터핀(26)은 각각 대응하는 관통구멍(94)에 삽입되어 있다. 하부전극(20)이 아래쪽에는 승강기(30)가 형성되어 있으며, 승강판(95)은 로드(96)를 통하여 승강기(30)에 접속되어 있다.
그리고, 승강기(30)를 구동시킴으로써 승강판(95)이 승강되고, 이것에 의하여 리프터핀(28) 위의 웨이퍼(W)가 승강된다. 승강판(95)과 하부전극(20)과는 코일스프링(31)으로 연결되어 있으며, 승강판(95)이 코일 스프링(31)에 의하여 아래쪽으로 힘을 가하고 있어서, 승강기(30)가 구동되고 있지 않을 경우에 리프터핀(28)의 앞끝단이 하부전극(20)의 윗면보다도 아래에 위치하도록 되어 있다. 공간(93)에는, 제7도에 나타낸 바와같이, 가스 공급원(110)으로부터 연장하는 가스공급관(111)이 접속되어 있으며, 가스공급원(110)으로부터 공간(93)으로, 냉각 가스로서의 He가스가 공급된다. 가스공급관(111)에는 유량계(流量計)(112) 및 밸브(113)가 형성되어 있다. 또한, 공간(93)에는 가스 배출관(114)이 접속되어 있으며, 이 배기관(114)에서 공간(93)의 내부가 배기된다. 배기관(114)에는 밸브(115) 및 압력계(116)가 형성되어 있다. 관통구멍(94)으로부터는 수평방향으로 냉각가스 도입관(120)이 연장되어 있으며, 이 냉각 가스도입관(120)으로부터 하부전극(20)의 윗면을 향하여 16개의 세로구멍(121)이 형성되어 있다.
그리고, 에칭처리시에, 공간(93)으로 공급된 냉각용의 He가스가 관통구멍(94)과 가스도입관(120) 및 세로구멍(121)을 통하여 흘러서 웨이퍼(W)에 균일하게 공급되도록, 웨이퍼(W)가 균일하게 냉각된다. 따라서, 에칭의 균일성이 매우 높다. 또한, 하부전극(20)내에 냉각액 유통로(32)가 형성되어 있으며, 이 유통로(32)로 도시하지 아니한 냉각액 공급원으로부터 공급된 냉각액, 예를들면 부동액과 물과의 혼합액을 순환시켜서 전극(20)을 냉각하도록 되어 있으므로, 이것에 의하여서도 에칭처리의 균일성을 높일 수가 있다. 클램프링(36)은, 예를들면 알루미늄으로 만들어져 있으며, 표면이 알루마이트 처리되어 있다. 이 클램프링(36)은, 하부전극(20)위에 형성되어 있으며, 하부전극(20)의 웨이퍼(W)지지부에 끼워맞추는 끼워맞춤부(36a)를 갖고 있고, 끼워맞춤부(36a)에는 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 작은 직경을 갖는 구멍(36b)이 형성되어 있다.
그리고, 에칭시에는, 구멍(36b)에 웨이퍼(W)가 대응하도록 하여, 클램프링(36)에 의하여 웨이퍼(W)의 위치가 결정된다. 이 클램프링(36)에 밀어붙이는 힘을 작용시키기 위한 가압계(130)는, 클램프링(36)을 지지하는 4개의 고순도 알루미나제의 축(131)과, 각축에 연결된 가압용의 4개의 에어실린더(37)와를 구비하고 있다.
축(131)의 앞끝단부(132)는, 제9도에 나타낸 바와같이, 반구형상으로 되어 있으며, 이 앞 끝단부(132)가 클램프링(36)의 요입부(36c)의 바닥부에 맞닿은 상태로, 착설부재(133)에 의하여 축(131)과 클램프링(36)이 결합된다. 이 경우에, 축(131)의 앞끝단부(132)가 반구 형상을 이루고 있기때문에, 축(131)과 클램프링(36)이 이루는 각도를 약간 변화시킬 수가 있다.
따라서, 클램프링(36)의 위치설정을 높은 정밀도로 행할수가 있다. 처리실(12)의 상부에, 하부전극(20)과 대향하도록 상부전극지지체(38)가 형성되어 있으며, 이 지지체(38)의 아래면에 전기적 접속을 유지한 상태로 예를들면 비결정성 카아본제의 상부전극(40)이 형성되어 있다. 상부전극 지지체(38)는, 도전성의 재질, 예를들면 표면이 알루마이트 처리된 알루미늄으로 형성되어 있다. 이 상부전극 지지체(38)내에 냉각액 유통로(39)가 형성되어 있으며, 이 유통로(39)로 도시하지 아니한 냉각액 공급원으로 불부터 공급된 냉각액, 예를들면 부동액과 물과의 혼합액이 순환됨으로써 지지체(38)가 냉각된다. 전극 지지체(38)와 상부전극(40)과의 사이에는, 공간(41)이 형성되어 있으며, 이 공간(41)에는 가스 공급계(140)로부터 가스가 공급된다. 즉, 공간(41)에는 가스공급관(42)이 접속되어 있으며, 가스공급관(42)은 처리실(12)의 외부에 형성된 가스공급원(141)이 접속되어 있고, 그 도중에 흐름량 조절기(예를들면 패스 플로우 콘트로울러)(142)가 형성되어 있다. 그리고, 가스공급원(141)으로부터 가스공급관(42)을 통하여 CHF3, CH4등의 반응가스 및 Ar, He 등의 캐리어가스가 공간(41)으로 공급된다.
공간(41)내에는, 반응가스를 확산시키기 위한 3개의 확산판(43a), (43b), (43c)이 형성되어 있다. 확산판(43a)은 공간(41) 상부의 가스도입부에 형성되어 있고, 확산판(43b), (43c)은 공간 (41)의 중앙부에 형성되어 있다. 각 확산판에는, 가스유통용의 구멍이 방사형상으로 형성되어 있으며, 그의 크기는 예를들면 확산판(43a)에서는 20㎜, 확산판(43b)에서는 5㎜, 확산판(43c)에서는 2㎜이다. 각 확산판에 형성된 가스유통 구멍은, 서로 상하의 위치가 어긋나 있으며, 반응가스를 유효하게 확산시킬 수가 있도록 되어 있다. 상부전극(40)에는 복수개의 관통구멍(44)이 형성되어 있으며, 상기 확산판에서 확산된 반응가스가 관통구멍(44)을 통과하여 처리실(12)의 내부로 공급된다. 상부전극 지지체(38) 및 상부 전극(40)의 주위에는 절연링(45)이 형성되어 있고, 또한 절연링(45)의 아래끝단부로 볼부터 상부전극(40)의 아래면 가장자리부에 걸쳐서 절연체 예를들면 4 블화 에틸린으로 형성된 시일드링(46)이 형성되어 있다. 시일드링(46)에 의하여 상부전극(40)의 가장자리부를 시일드함으로써, 상부전극(40)의 플라즈마 발생부분의 면적을 웨이퍼(W)의 면적과 실질적으로 동일한 크기로 하여, 에칭처리시에 웨이퍼(W)에 대응하는 부분에 플라즈마를 발생시킬 수가 있다. 전극(40)에는 고주파 전원(47)이 접속되어 있으며, 이 전원(47)으로부터 상부전극(40)과 하부전극(20)과의 사이로 고주파 전력이 인가되어 그 사이에 플라지마가 형성된다. 처리실(12) 안쪽벽의 하부전극(20) 쪽부분에는, 하부전극(20)의 바깥둘레부 근방으로 이르는 베기링(34)이 고정되어 있다. 베기링(34)에는, 복수개의 베기구멍(33)이 형성되어 있으며, 처리용기(2)내의 가스가 이 배기구멍(33)을 통과하여 배기된다. 배기구멍(33)은, 예를들면, 직경이 5㎜로서, 100간격으로 36개가 균등하게 배치되어 있다. 처리용기(2) 측벽의 베기링(34)의 아래쪽에는, 베기관(35)이 연결되어 있고, 베기관(35)에는 터어보분자 펌프(150) 및 로우터리 펌프(151)가 접속되어 있다. 이들 펌프 (150), (151)를 구동시킴으로써, 처리실(12)의 내부가 배기된다. 다음에 제10도를 참조하면서, 이와같이 구성된 에칭장치의 동작에 대하여 설명한다. 우선, 오퍼레이터 또는 로보트 핸드에 의하여 2개의 카세트를 얹어놓는대(8)에, 각각 로우드용 및 언로우드용의 웨이퍼 카세트(7)를 얹어놓는다. 이 경우에, 로우드용 카세트에는 25매의 웨이퍼(W)를 탑재하고 언로우드용의 카세트는 비어둔다.
그리고, 로우두용 웨이퍼 카세트가 얹어놓여진 얹어놓은데의 아래에 형성된 승강기구에 의하여 로우드 하고자하는 웨이퍼(W)를 소정의 위치에 설정한다. 이때에, 다관절 로보트(9)를 로우드용 카세트에 인접하도록 위치시켜 둔다. 이 상태에서 다관절 로보트(9)의 아암(10)을 처리 하고자 하는 웨이퍼의 아래에 삽입하고, 이어서 카세트를 얹어놓은대(8)를 약간 하강시켜, 웨이퍼(W)를 아암(10) 위에 진공 흡착시킨다.
다음에, 웨이퍼가 흡착된 아암(10)을 어라이먼트부(400)로 반출하여, 웨이퍼(W)를 처크(11)위로 반송한다. 여기에서 웨이퍼(W)의 중심맞춤과 오리엔테이션 플래트(orientation flat)의 위치 맞춤을 행한다. 이때에, 안쪽의 로우드 록크실(13)에는 불활성가스 예를들면 N2가스를 도입하여, 가압상태로 하여둔다.
그리고, N2가스와 도입을 계속하면서 개폐기구(16a)를 개방상태로하여, 위치 맞춤된 후의 웨이퍼(W)를 핸들링 장치(70)의 다관절아암(72)에 얹어놓고, 이어서 핸들링장치(70)에 의하여 웨이퍼(W)를 로우드록크실(13)로 반송하고, 개폐기구(16a)를 폐쇄상태로 한다. 그후에 로우드 록크실(13)내를 예를들면 0.1 내지 2 Torr로 감압한다. 이때, 처리실(12) 내를 1 × 10-4Torr로 감압하여 둔다. 로우드 록크실(13)의 개폐기구(16b)를 개방상태로 하여두고, 핸들장치(70)에 의하여 웨이퍼(W)를 처리실(12)에로 반열한다(스텝1). 이때에, 승강기구(30)의 구동에 의하여 하부전극(20)의 관통구멍(94)에서 리프터핀(28)을 예를들면 12㎜/초의 속도로 상승시킨다(스텝2). 이것에 의하여, 웨이퍼(W)가 4개의 리프턴핀(28)의 위끝단에서 지지된다. 웨이퍼(W)의 반입동작의 종료후에, 핸들링 장치(70)의 다관절 아암(72)을 모우드 록크실(13)내에 수납하고, 개폐기구(16b)를 폐쇄상태로 한다(스템3). 이어서, 승강기구(19)에 의하여 하부전극(20)을 상승시켜, 웨이퍼(W)를 하부전극(20)위에 얹어놓는다(스템4). 또한 연속하여 하부전극(20)을 저속으로 상승시켜, 클램프링(36)에 맞닿게한다(스텝5). 그후에, 가압계(130)에 의하여 클램프링(36)에 소정의 밀어누르는 힘을 작용시키면서, 하부전극(20)을 더욱더, 예를들면 5㎜ 상승시킨다(스텝 6).
이것에 의하여, 웨이퍼(W)가 하부전극(20)과 클램프링(36)에 끼워져 지지된 상태로 되어 웨이퍼(W)의 위치가 결정된다. 이 경우에, 상기에서 설명한 바와같이 하부전극(20)의 표면은 약간 도움형상으로 되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 클램프링(36)으로 밀어 붙일때에 웨이퍼(W)의 중앙부가 아래쪽으로 돌출되지 않으므로, 웨이퍼(W)의 평탄도를 높일 수가 있다. 또한, 가압계(130)에 의하여 클램프링(36)에 작용시키는 밀어붙이는 힘을 조절할수가 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 평탄도를 한층 더 높게 할 수가 있다. 또한, 승강기구(19)에 의한 하부전극(20)의 승강동작은, 상기에서 설명한 바와같이, 모우터(24)를 구동시킴으로써 행하여 진다. 모우터(24)가 회전하면, 그것에 연결된 보울스크류우(23)가 회전하므로, 그것에 착설된 스프로켓(25)도 그 위치에서 회전한다. 그렇게하면, 체인(26)이 연동으로 동작하므로, 다른 스프로켓(25)도 동시에 같은 방향으로 회전한다. 즉, 3개의 스프로켓이 모두 동시에 회전하게 되는 것이어서, 3개의 보울스크류우(23)가 동기하여 회전한다. 보올스크류우(23)와 지지판(21)과는, 너트(22)에 의하여 길이 맞춤되어 있기 때문에, 3개의 보울 스크류우(23)가 동기하여 회전함으로써, 지지판(21)이 미리 조정된 평행도를 유지한 상태 그리고 승강한다. 따라서, 하부전극(20)은 양호한 평행도를 유지하면서 승강시킬 수가 있다. 이와같은 하부전극(20)의 승강동작에 의하여, 하부전극(20)과 상부전극(40)과의 간격이 예를들면 6내지 20㎜로 설정된다. 이와같은 동작중에, 처리실(12)내의 배기를 콘트로울러(601)에 의하여 제어하여 두고, 처리실(12)의 소망의 가스흐름 및 배기압력으로 설정되어 있는가 아닌가를 표시부(604)에서 확인한다. 그후에, 처리실(12) 내가 2 내지 3 Torr로 유지되도록 배기를 제어하면서, 예를들면 CHP2, 가스, CF4가스와 같은 반응가스, 및 예를들면 He가스, Ar 가스와 같은 캐리어가스를 각각 100 SCCM 및 1000 SCCM의 흐름량으로 가스공급원(141)으로부터 가스공급관(42)을 통하여 상부전극 지지체(38)의 공간(41)으로 공급된다. 캐리어 가스로 운반된 반응가스는, 공간(41)내의 확산판(43a), (43b), (43c)에 의하여 균등하게 정류되어, 균일하게 확산한다. 그리고, 반응가스는 상부전극(40)에 형성된 관통구멍(44)으로부터 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 유출된다. 이와같이 반응가스를 공급하면서, 고주파 전원(47)으로부터 상부전극(40)으로 주파수가 예를들면 13.56MHz인 고주파 전력을 인가하여, 웨이퍼(W)에 공급된 반응가스를 플라즈마화하고, 이 플라이즈마에 의하여 웨이퍼(W)의 에칭, 예를들면 이방성(異方性) 에칭을 행한다(스텝 7). 또한, 고주파 전력을 인가하면, 상부전극(40) 및 전극지지체(38)가 고온으로 되므로 양쪽의 열팽창계수의 차에 의하여 비결정성 카아본체의 상부전극(40)이 갈라질 우려가 있지만, 상부전극(40)은 전극지지체(38)의 냉각액 유통로(39)로 예를들면 부동액과 물과로 이루어진 냉각액을 유동시킴으로써 간접적으로 냉각되고 있는 것이어서, 이와같은 우려가 없게된다. 또한, 이때에 하부전극(20)이 고온으로 되어 웨이퍼(W)1의 표면에 형성된 레지스트 페턴이 파괴될 우려가 있지만, 하부전극(20)도 유통로(32)로 냉각액을 유통시킴으로써 냉각되고 있는 것이어서 이와같은 우려가 없게 된다. 유통되는 냉각액은, 웨이퍼(W)를 일정의 온도에서 처리하기 위하여 예를들면 0 내지 60℃의 범위 내의 소정온도로 제어한다. 또한, 에칭시에, 플라이즈마의 열에너지에 의하여 웨이퍼(W)도 고온으로 되지만, 상기에서 설명한 바와같이 관통구멍(94) 및 세로구멍(121)으로부터 웨이퍼(W)로 냉각가스를 공급함으로써, 웨이퍼(W)를 효과있고 또한 균일하게 냉각할 수가 있다. 웨이퍼(W)는 하부전극(20)에 밀착되어 있지만, 실제로는 웨이퍼(W)와 하부전극(20)의 표면과의 사이에는, 이들 표면의 미세한 요철부분에 의하여 약간의 간격이 있기때문에, 이 간격에서 웨이퍼(W)의 대략 전체면에 걸쳐서 냉각가스를 공급할 수가 있다. 이와같이하여, 소정시간 예를들면 2분간 에칭처리를 계속한다. 에칭처리가 종료한 후에, 처리실(12)내의 가스를 배기하면서 하부전극(2D)을 하강시켜, 웨이퍼(W)를 리프터핀(28)에 얹어놓은 상태로 한다. 이어서, 처리실(12)내의 압력과 바같쪽 로우드록크실(14) 내의 압력과를 같은 정도로 조절하고, 개폐기구(18a)를 개방상태로 한다.
그리고, 로우드록크실(14)에 형성된 핸들링장치(80)의 다관절 아암(82)을 처리실(12)내로 반입하여, 웨이퍼(W)의 아래에 삽입하고, 리프터핀(28)을 하강시켜, 웨이퍼(W)를 아암(82)에 흡착시킨다. 그후에, 다관절 아암(82)을 로우드 록크실(14)로 되돌리고, 개폐기구(18a)를 폐쇄상태로 한다. 이때에, 예비실(15)을 로우드록크실(14)과 같을 정도의 압력까지 감압하여 둔다. 그후에, 개폐기구(18b)를 개방상태로 하고, 다관절 아암(82)에 의하여 예비실(15)내의 얹어놓는데(도시않됨)에로 웨이퍼(W)를 반송한다. 이어서, 개폐기구(18b)를 폐쇄상태로 하고, 얹어놓는대를 하강시켜, 예비실(15)에서 필요에 따라 소정의 처리를 행한후에, 개폐기구(15a)를 개방상태로 한다. 이때에, 다관절 로보트(9)를 미리 예비실(15)쪽으로 이동시켜 두고, 그의 아암(10)을 예비실(15)에로 삽입하여, 아암(10)에 웨이퍼(W)를 흡착시킨다. 이 상태에서, 아암(10)을 예비실(15)로부터 반출하고, 이어서, 개폐기구(15a)를 폐쇄상태로 하여, 다관절 로보트(9)를 180°회전 시킨다. 그리고, 아암(10)을 비어있는 카세트(7)를 향하여 이동시키고, 그 카세트의 소정위치에 웨이퍼(W)를 수납한다. 이상에서와 같은 일련의 동작을, 로우드용 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼가 없어질 때까지 계속한다. 이상에서 설명한 바와같이, 본 발명에 의하면, 상,하전극사이에 피처리체, 예를들면 웨이퍼를 보호지지하고, 그 사이에 플라즈마를 발생시켜서 에칭하는 에칭장치에 있어서, 상부전극은 고정상태로 하고, 하부전극의 웨이퍼를 얹어놓는면 보다도 아래쪽에 구동기구를 설치하고, 이 구동기구에 의하여 웨이퍼의 반입, 반출시에 하부전극을 아래쪽으로 이동시키도록 한 것이어서, 구동기구로부터의 먼지에 의한 웨이퍼의 오염을 매우 적게 할수가 있으므로, 에칭 처리에서의 생산성을 현저하게 향상시킬 수가 있다. 또한, 보호지지 기구로서의 클램프링에 의하여 웨이퍼를 보호지지하여 그의 위치설정을 행하는 것이어서, 상부전극과 웨이퍼와의 간격을 균일하게 설정할수가 있다. 따라서, 균일한 에칭처리를 실시할 수가 있다. 또한, 웨이퍼를 얹어놓는 하부전극의 표면이 도음형상으로 되어 있는 것이어서, 웨이퍼를 클램프링으로 보호지지하였을 경우에 아래쪽으로 뛰어 나오는 상태로 되는 것을 방지할 수가 있다. 또한, 웨이퍼를 클램프링으로 보호지지할때에, 가압가구에 의하여 클램프링에 압력을 가할 수가 있고, 또한, 그 압력을 변화시킬 수가 있는 것이어서, 웨이퍼를 확실하게 보호지지할수가 있음과 동시에, 에칭하는 웨이퍼의 형성에 따라 적절한 밀어 붙이는 힘을 가할 수가 있다. 이것에 의하여, 한층더 균일한 에칭 처리를 행할 수가 있다. 또한, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것만은 아니고, 여러종류의 변형이 가능하다. 예를들면, 상기한 실시예에서는 하부전극의 승강기구에서 3개의 보올스크류우를 체인으로 동기시켜 회전시키도록 하였지만, 이것에 한정까지 않고, 예를들면 고무재의 링 및 둥근고리형상의 스프로켓과 같은 다른 것을 사용할 수도 있다. 또한, 하부전극을 1개의 모우터에 의하여 승강시키도록 하였지만, 이것에 한정하지 않고, 3개의 보올스크류우에 각각 별도의 모우터를 연결하고, 그들은 동기시켜 회전시키는 것이어도 좋다. 필요에 따라, 피처리체에 대한 먼지의 부착을 방지할수가 있고, 평형상태를 유지하면서 하부전극을 이동시킬 수 있도록 구성되어 있으면 좋다. 또한 보울스크류우의 수는 3개로 한정까지 않고 그보다 많아도 상관없다. 피처리체는 웨이퍼에 한정되는 것만은 아니고, 예를들면 액정 TV의 화면표시장치에 사용되는 LCD기판 이어도 좋다. 또한, 하부전극에 피처리체를 주고받는 리프터핀을 4개로 하였지만, 3개 이상이면 어떠한 갯수이어도 좋다.

Claims (18)

  1. 그 내부에서 에칭처리하기 위한 하우징과, 상하로 대향배치된 하부전극(20) 및 상부전극(40)을 가지며, 하부전극(20)위에 피처리체를 얹어 놓은 상태에서 이들 전극(20), (40) 사이에 플라즈마를 발생시키기 위한 전극수단과, 상기 하부전극(20)의 윗면보다도 아래에 배치되어 상기 하부전극(20)을 승강시키기 위한 승강수단과, 이들 전극(20), (40) 사이에 전력을 인가하기 위한 전원수단과, 상기 하부전극(20) 및 상부 전극(40) 사이에 형성되고, 피처리체를 상기 하부전극(20) 및 상부전극(40)사이의 소정 위치에서 보호지지하는 보호지지수단과, 상기 하부전극(20) 및 상부전극(40) 사이로 플라즈마 생성용의 반응가스를 공급하기 위한 가스공급수단을 구비하는 에칭장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부전극(20)은, 그 윗면에 대하여 돌출되거나 들어가는 것이 자유로운 3개 이상의 피처리체 지지핀을 가지며, 지지핀이 돌출된 상태에서 피처리체가 지지핀 위로 주고받아지고, 들어간 상태에서 피처리체가 그 윗면에 얹어 놓여지는 에칭장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보호지지수단은, 상기 피처리체의 가장자리부를 보호 지지하는 보호지지부재를 갖고, 상기 피처리체가 얹어 놓여진 하부전극(20)을 상기 승강수단에 의하여 상승시켜서 피처리체를 상기 보호지지부재에 밀어 누름으로써 피처리체가 보호 지지되는 에칭장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 하부전극(20)은, 그 피처리체를 얹어놓은 면이 윗쪽으로 불룩한 도움(dome)현상을 이루고 있는 에칭장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 피처리체를 상기 보호지지부재에 보호지지 시킬 때에, 상기 보호지지부재에 소정의 압력을 부여하는 가압수단을 가지고 있는 에칭장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 승강수단은, 수직방향을 따라 형성된 적어도 3개의 보올스큐류우(23)와, 상기 하부전극(20)을 이들 보올스크류우(23)에 상하 운동이 가능하게 지지하는 지지부재와, 하나의 보올스크류우(23)을 회전시키기 위한 구동수단과, 모든 보올스크류우(23)를 동기하여 회전시키기 위한 동기회전수단을 가지고 있는 에칭장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 동기회전수단은, 각 보올스크류우(23)와 동일한 높이로 형성된 스프로켓(25)과, 이들 스프로켓(25)을 연결하는 체인(26)을 가지고 있는 에칭장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전극수단은, 상부전극(40)을 지지하는 전극지지체(38)를 가지고 있는 에칭장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전극지지체(38)는, 상기 가스공급수단으로 부터 공급된 반응가스를 확산시키기 위한 확산부재를 가지고 있는 에칭장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 확산부재는, 여러개의 가스유통구멍을 갖는 확산판(43a), (43b), (43c)을 가지고 있는 에칭장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 하부전극(20)을 냉각하기 위한 하부전극 냉각수단을 가지고 있는 에칭장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 상부전극(40)을 냉각하기 위한 상부전극 냉각수단을 가지고 있는 에칭장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 피처리체에 냉각가스를 뿜어서 피처리체를 냉각하기 위한 피처리체 냉각수단을 가지고 있는 에칭장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 피처리체 냉각수단은, 냉각가스 공급원(141)과, 피처리체를 향하여 냉각가스를 토출시키기 위한 여러개의 가스토출구를 가지고 있는 에칭장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 하우징내을 배기하는 배기수단을 가지고 있는 에칭장치.
  16. 그 내부에서 에칭처리하기 위한 하우징과, 상하로 대향배치된 하부전극(20) 및 상부전극(40)을 가지며, 하부전극(20)위에 피처리체를 얹어놓은 상태에서 이들 전극(20), (40) 사이에 플라즈마를 발생시키기 위한 전극수단과, 상기 하부전극(20)의 윗면보다도 아래에 배치되어 상기 하부전극(20)을 승강시키기 위한 승강수단과, 이들 전극(20), (40) 사이에 전력을 인가하기 위한 전원수단과, 상기 하부전극(20) 및 상부 전극(40) 사이에 형성되고, 피처리체를 상기 하부전극(20) 및 상부전극(40) 사이의 소정 위치에서 보호지지하는 보호지지수단과, 상기 하부전극(20) 및 상부전극(40) 사이로 플라즈마 생성용의 반응가스를 공급하기 위한 가스공급수단과, 상기 피처리체에 냉각가스를 뿜어서 피처리체를 냉각하기 위한 피처리체 냉각수단을 구비하는 에칭장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 피처리체 냉각수단은, 냉각가스 공급원(141)과, 피처리체를 향하여 냉각가스를 토출시키기 위한 여러개의 가스 토출구를 갖고 있는 에칭장치.
  18. 피처리체를 하부전극(20) 위에 얹어 놓기 위한 얹어놓은 공정과, 하부전극(20)과 상부전극(40)과의 사이에 형성된 보호지지부재에 윗쪽으로부터 소정의 압력을 부여하면서 상기 하부전극(20)을 상승시켜, 피처리체를 보호지지부재에 눌러붙여서 보호지지시키는 보호지지공정과, 상기 하부전극(20)과 상부전극(40)과의 사이에 전력을 인가함과 동시에 그 사이로 반응가스를 공급하여 전극(20), (40)사이에 플라즈마를 형성하여, 피처리체를 에칭하는 에칭공정과를 구비하며, 상하로 대향하는 하부전극(20)과 상부전극(40) 사이에 피처리체를 설치하고, 이들 전극(20), (40) 사이에 플라즈마를 발생시켜서 피처리체를 에칭하는 에칭방법.
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