JP4224192B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、処理が施される基板の酸化や汚染防止技術に係り、例えば、半導体装置の製造工程において半導体ウエハにアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造工程において半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのにバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置 (furnace 。以下、熱処理装置という。）が、広く使用されている。
【０００３】
従来のこの種の熱処理装置として、特開昭６３−２４６１５号公報に記載されているものがある。この熱処理装置は第一のボートと第二のボートとを備えており、第一のボート上のウエハがプロセスチューブの処理室で熱処理されている間に、第二のボートへ新規のウエハを移載しておき、熱処理終了後に第一のボートがプロセスチューブの処理室から搬出（アンローディング）されると、搬出された第一のボートと既に新規のウエハが保持された第二のボートとの位置が１８０度入替えられるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した熱処理装置においては、プロセスチューブの処理室において高温（例えば、１０００℃）に加熱されて搬出される途中の第一のボートおよびウエハ群が、第二のボートに保持された新規のウエハ群に近接した状態になるために、第二のボートの新規のウエハが高温となった第一のボートおよびウエハ群から熱影響を受けてしまうという問題点がある。
【０００５】
そこで、第二のボートに保持された新規のウエハの第一のボートからの熱影響を回避するために、第一のボートと第二のボートとの間隔を大きく設定すると、第一のボートと第二のボートの１８０度入替え作業時の回転半径が大きくなるため、熱処理装置が相乗的に大きくなってしまう。
【０００６】
本発明の目的は、装置の大型化を抑制しつつ熱影響を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
処理室を形成したプロセスチューブと、前記処理室に出入りして複数枚の基板を搬入搬出する二台のボートと、前記複数枚の基板を前記二台のボートに対して前記処理室の外部において授受する基板移載装置とを備えた半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記二台のボートの一方によって保持した前記基板を前記プロセスチューブによって処理した後、この一方のボートを前記プロセスチューブから搬出して前記プロセスチューブから離れた仮置きステージに移送し、該仮置きステージ上で前記基板を冷却する冷却ステップと、
該冷却ステップ後に、前記二台のボートの他方を前記プロセスチューブの軸線上の位置に移送し、該プロセスチューブの軸線上の位置において、これから処理する基板を前記基板移載装置によって移載する移載ステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０００８】
前記した手段によれば、処理室から搬出されたボートはプロセスチューブから離れた仮置きステージに移送されて待機させられるため、そのボートに保持された処理済みの基板の例えば熱影響が新規の基板に及ぶことは防止されることになる。また、仮置きステージとプロセスチューブの位置との間でボートが入替えられるため、回転半径は小さく抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置は、バッチ式縦形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置（以下、拡散ＣＶＤ装置という。）として構成されており、基板としてのウエハにアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのに使用される。
【００１１】
図１に示されているように、拡散ＣＶＤ装置１は平面視が長方形の直方体の箱形状に形成された筐体２を備えている。筐体２の左側側壁の後部（左右前後は図１を基準とする。）にはクリーンモジュール３が設置されており、クリーンモジュール３は筐体２の内部にクリーンエアを供給するようになっている。筐体２の内部における後部の略中央には熱処理ステージ４が設定され、熱処理ステージ４の左脇の前後には処理済みボートの仮置きステージ（以下、第一仮置きステージという。）５および空のボートの仮置きステージ（以下、第二仮置きステージという。）６が設定されている。筐体２の内部における前部の略中央にはウエハローディングステージ７が設定されており、その手前にはポッドステージ８が設定されている。なお、ウエハローディングステージ７の左脇にはウエハのノッチを整列させるノッチ合せ装置９が設置されている。以下、各ステージの構成を順に説明する。
【００１２】
図５および図６に示されているように、熱処理ステージ４には石英ガラスが使用されて下端が開口した円筒形状に一体成形されたプロセスチューブ１１が、中心線が垂直になるように縦に配されて筐体２に支持されている。プロセスチューブ１１の筒中空部はボートによって同心的に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１２を形成しており、プロセスチューブ１１の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口１３を構成している。したがって、プロセスチューブ１１の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１３】
プロセスチューブ１１の下端面はマニホールド１４の上端面にシールリング１５を挟んで当接されており、マニホールド１４が筐体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に支持された状態になっている。マニホールド１４の側壁の一部には排気管１６が処理室１２に連通するように接続されており、排気管１６の他端は処理室１２を所定の真空度に真空排気するための真空排気装置（図示せず）に接続されている。マニホールド１４の側壁の他の部分にはガス導入管１７が処理室１２に連通するように接続されており、ガス導入管１７の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供給するためのガス供給装置（図示せず）に接続されている。
【００１４】
プロセスチューブ１１の外部にはヒータユニット１８がプロセスチューブ１１を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット１８は筐体２に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。ヒータユニット１８は処理室１２内を全体にわたって均一に加熱するように構成されている。
【００１５】
プロセスチューブ１１の真下にはプロセスチューブ１１の外径と略等しい円盤形状に形成されたキャップ１９が同心的に配置されており、キャップ１９は送りねじ機構によって構成されたエレベータ２０によって垂直方向に昇降されるようになっている。キャップ１９は中心線上にボート２１を垂直に立脚して支持するようになっている。本実施の形態において、ボート２１は二台が使用される。
【００１６】
図２〜図６に示されているように、二台のボート２１、２１はいずれも、上下で一対の端板２２、２３と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２４とを備えており、各保持部材２４に長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設された複数条の保持溝２５間にウエハＷを挿入されることにより、複数枚のウエハＷを水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するように構成されている。
【００１７】
ボート２１の下側端板２３の下には断熱キャップ部２６が形成されており、断熱キャップ部２６の下面には断熱キャップ部２６の外径よりも小径の円柱形状に形成された支柱２７が垂直方向下向きに突設されている。断熱キャップ部２６の下面における支柱２７の下面には後記するボート移送装置のアームが挿入されるスペースが形成されており、支柱２７の下面における外周辺部によってアームを係合するための係合部２８が構成されている。支柱２７の下面にはベース２９が水平に設けられている。
【００１８】
図１〜図４に示されているように、第一仮置きステージ５と第二仮置きステージ６との間にはボート２１を熱処理ステージ４と第一仮置きステージ５および第二仮置きステージ６との間で移送するボート移送装置３０が設備されている。図８に示されているように、ボート移送装置３０は水平面内で往復回動する第一アーム３１および第二アーム３２を備えており、第一アーム３１および第二アーム３２は円弧形状に形成されて、ボート２１の支柱２７の外側に挿入された状態で断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することにより、ボート２１全体を垂直に支持するようになっている。そして、第一アーム３１はボート２１を熱処理ステージ４と第一仮置きステージ５との間で移送するように構成されており、第二アーム３２はボート２１を熱処理ステージ４と第二仮置きステージ６との間で移送するように構成されている。
【００１９】
図１〜図４に示されているように、ウエハローディングステージ７にはウエハ移載装置４０が設置されており、ウエハ移載装置４０はウエハＷをポッドステージ８とノッチ合せ装置９と熱処理ステージ４との間で移送して、ポッド５０とノッチ合せ装置９とボート２１との間で移載するように構成されている。
【００２０】
すなわち、図７に示されているように、ウエハ移載装置４０はベース４１を備えており、ベース４１の上面にはベース４１に対して旋回するターンテーブル４２が設置されている。ターンテーブル４２の上にはリニアガイド４３が設置されており、リニアガイド４３はその上に設置された移動台４４を水平移動させるように構成されている。移動台４４の上には取付台４５が移動台４４によって水平移動されるように設置されており、取付台４５にはウエハＷを下から支持するツィーザ４６が複数枚（本実施の形態においては五枚）、等間隔に配置されて水平に取り付けられている。ウエハ移載装置４０は送りねじ機構によって構成されたエレベータ４７によって昇降されるようになっている。
【００２１】
図７および図１に示されているように、ウエハ移載装置４０のツィーザ４６のストロークＬ4 は、Ｌ4 ＞Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ3 、に設定されている。ここで、Ｌ1 はウエハ移載装置４０の中心からポッドステージ８の中心までの距離、Ｌ2 はウエハ移載装置４０から第二仮置きステージ６の中心までの距離、Ｌ3 はウエハ移載装置４０の中心から熱処理ステージ４の中心までの距離である。
【００２２】
ポッドステージ８にはウエハＷを搬送するためのキャリア（収納容器）としてのＦＯＵＰ（front opning unified pod。以下、ポッドという。）５０が一台ずつ載置されるようになっている。ポッド５０は一つの面が開口した略立方体の箱形状に形成されており、開口部にはドア５１が着脱自在に装着されている。ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。したがって、拡散ＣＶＤ装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるため、クリーンルームに要するコストを低減することができる。そこで、本実施の形態に係る拡散ＣＶＤ装置においては、ウエハのキャリアとしてポッド５０が使用されている。なお、ポッドステージ８にはポッド５０のドア５１を開閉するためのドア開閉装置（図示せず）が設置されている。
【００２３】
次に、前記構成に係る拡散ＣＶＤ装置の作用を説明する。
【００２４】
図１〜図４に示されているように、複数枚のウエハＷが収納されたポッド５０はポッドステージ８に供給される。ポッドステージ８に供給されたポッド５０はドア５１をドア開閉装置によって開放される。
【００２５】
ポッド５０に収納されたウエハＷは、図９（ｂ）に示されているように熱処理ステージ４において支持されたボート２１へウエハ移載装置４０によってノッチ合せ装置９を経由して移載される。すなわち、図７において、（ａ）に示された状態から（ｂ）に示されているように、移動台４４および取付台４５がポッド５０の方向に移動されてツィーザ４６がポッド５０内に挿入され、ツィーザ４６によってポッド５０内のウエハＷを受け取った後に、（ａ）に示された位置に後退する。この状態で、ターンテーブル４２が約９０度回動し、続いて、移動台４４および取付台４５がノッチ合せ装置９の方向に移動されて、ツィーザ４６のウエハＷをノッチ合せ装置９に受け渡す。ウエハＷのノッチ合せ終了後、ウエハ移載装置４０はツィーザ４６によってノッチ合せ装置９からウエハＷを受け取った後に、ツィーザ４６を（ａ）に示された位置に後退させる。この状態で、ターンテーブル４２が約９０度回動し、続いて、移動台４４および取付台４５がボート２１の方向に移動されてツィーザ４６の上のウエハＷをボート２１の保持溝２５に受け渡す。ウエハＷをボート２１に移載したウエハ移載装置４０は移動台４４および取付台４５を一度後退させた後に約１８０度回動して、ツィーザ４６をポッド５０側に向けた図７（ａ）の状態になる。
【００２６】
この際、ウエハ移載装置４０の外径は図１に直径Ｄで示されているように設定されているため、ウエハＷがポッドステージ８や第二仮置きステージ６に衝突することなく、ウエハ移載装置４０は回転することができる。
【００２７】
また、ウエハ移載装置４０は五枚のツィーザ４６を備えているため、一回の移載作動で五枚のウエハＷをポッド５０の五段の保持溝からボート２１の五段の保持溝２５に移載することができる。ここで、ボート２１がバッチ処理するウエハＷの枚数は一台のポッド５０に収納されたウエハＷの枚数よりも多いため、ウエハ移載装置４０は複数台のポッド５０から所定枚数のウエハＷをボート２１にエレベータ４７によって昇降されて移載することになる。なお、ウエハＷのノッチ合せが予め行われている場合には、ウエハ移載装置４０はウエハＷをノッチ合せ装置９を介さずにポッド５０からボート２１に直接移載することになる。
【００２８】
予め指定された複数枚のウエハＷがボート２１に移載されると、図２および図５に示されているように、ボート２１はエレベータ２０によって上昇されてプロセスチューブ１１の処理室１２に搬入（ローディング）される。ボート２１が上限に達すると、キャップ１９上面の外周辺部がマニホールド１４の下面にシールリング１５を挟んで着座した状態になってマニホールド１４の下端開口をシール状態に閉塞するため、処理室１２は気密に閉じられた状態になる。
【００２９】
処理室１２がキャップ１９によって気密に閉じられた状態で、処理室１２が所定の真空度に排気管１６によって真空排気され、ヒータユニット１８によって所定の処理温度（例えば、８００〜１０００℃）をもって全体にわたって均一に加熱され、処理ガスが処理室１２にガス導入管１７によって所定の流量供給される。これにより、所定の熱処理が施される。
【００３０】
そして、予め設定された処理時間が経過すると、図３および図６に示されているように、ボート２１を支持したキャップ１９がエレベータ２０によって下降されることにより、ボート２１がプロセスチューブ１１の処理室１２から搬出（アンローディング）される。ボート２１が搬出されたプロセスチューブ１１の処理室１２の炉口１３はシャッタ（図示せず）によって閉鎖され、処理室１２の高温雰囲気が逃げるのを防止される。処理室１２から搬出されたボート２１およびこれに保持されたウエハＷ群（以下、処理済みボート２１Ａという。）は高温の状態になっている。
【００３１】
図４および図９（ａ）に示されているように、処理室１２から搬出された高温状態の処理済みボート２１Ａはプロセスチューブ１１の軸線上の熱処理ステージ４から第一仮置きステージ５へ、ボート移送装置３０の第一アーム３１によって直ちに移送されて仮置きされる。すなわち、図９（ａ）に示されているように、第一アーム３１は処理済みボート２１Ａの支柱２７の外側に挿入して断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することによって処理済みボート２１Ａを垂直に支持した状態で、約９０度回動することにより、処理済みボート２１Ａを熱処理ステージ４から第一仮置きステージ５へ移送し、そのまま待機する。
【００３２】
図１に示されているように、第一仮置きステージ５はクリーンモジュール３のクリーンエアの吹出口の近傍に設定されているため、第一仮置きステージ５に移送されて仮置きされた高温状態の処理済みボート２１Ａはクリーンモジュール３から吹き出すクリーンエアによってきわめて効果的に冷却されることになる。
【００３３】
図４および図９（ｂ）に示されているように、ボート移送装置３０は高温状態の処理済みボート２１Ａを第一仮置きステージ５に退避させると、第二仮置きステージ６に待機させた空のボート（以下、空のボート２１Ｂという。）を第二仮置きステージ６から熱処理ステージ４に第二アーム３２によって移送し、空のボート２１Ｂをキャップ１９の上に移載する。すなわち、第二アーム３２は空のボート２１Ｂの支柱２７の外側に挿入して断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することによって空のボート２１Ｂを垂直に支持した状態で、約９０度回動することにより、空のボート２１Ｂを第一仮置きステージ５から熱処理ステージ４へ移送して、キャップ１９の上に受け渡す。キャップ１９の上に移載された状態において、空のボート２１Ｂの三本の保持部材２４はウエハ移載装置４０側が開放した状態になっている。
【００３４】
空のボート２１Ｂがキャップ１９の上に移載されると、ウエハ移載装置４０は前述した作動により、ウエハＷをポッドステージ８から熱処理ステージ４に搬送して空のボート２１Ｂに移載して行く。この際、高温状態の処理済みボート２１Ａは第一仮置きステージ５に退避されており、クリーンモジュール３により充分に冷却されているため、空のボート２１Ｂに移載中のウエハＷが高温状態の処理済みボート２１Ａの熱影響を受けることはない。
【００３５】
予め指定された複数枚のウエハＷがボート２１に移載されると、前述したように、ボート２１を支持したキャップ１９はエレベータ２０によって上昇されて、支持したボート２１をプロセスチューブ１１の処理室１２に搬入する。処理室１２に搬入されたボート２１のウエハＷは前述した作用によって所定の熱処理を施される。
【００３６】
他方、ボート２１を支持したキャップ１９が上昇すると、第一仮置きステージ５に退避されていた処理済みボート２１Ａがボート移送装置３０の第一アーム３１によって第二仮置きステージ６に移送され、図示しない置台に置かれる。この際、処理済みボート２１Ａは充分に冷却されているため、例えば、１５０℃以下になっている。また、この状態において、処理済みボート２１Ａの三本の保持部材２４はウエハ移載装置４０側が開放した状態になっている。第一アーム３１は第一仮置きステージ５に戻り、次の作動に待機する。
【００３７】
処理済みボート２１Ａがボート移送装置３０の第一アーム３１によって第二仮置きステージ６に移送されると、ウエハ移載装置４０は図７について前述した作動に準じて、第二仮置きステージ６の処理済みボート２１ＡからウエハＷを受け取ってポッドステージ８のポッド５０に移載して行く。この際、処理済みボート２１Ａがバッチ処理したウエハＷの枚数は一台のポッド５０に収納されるウエハＷの枚数よりも多いため、ウエハ移載装置４０はエレベータ４７によって昇降されながら、ポッドステージ８に入れ換えられる複数台のポッド５０にウエハＷを所定枚数（例えば、二十五枚）ずつ収納して行くことになる。なお、ポッドステージ８で処理済みウエハＷを収納されたポッド５０はポッドステージ８から搬出されて、次工程に搬送されて行く。
【００３８】
ウエハ移載装置４０によって処理済みウエハＷを全て排出（アンローディング）されて空になったボート２１Ｂは、図９（ｃ）に示されているように、第二仮置きステージ６にて、そのまま待機させられる。なお、前記実施の形態においては、ウエハＷの処理済みボート２１Ａからの排出作業が第二仮置きステージ６にて実施される場合について説明したが、ウエハＷの処理済みボート２１Ａからの排出作業は熱処理ステージ４にて実施してもよい。
【００３９】
以降、前述した作用が繰り返されてウエハＷが拡散ＣＶＤ装置１によってバッチ処理されて行く。
【００４０】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４１】
1) プロセスチューブ１１の処理室１２から搬出されて高温状態になった処理済みボート２１Ａをプロセスチューブ１１の軸線上のステージである熱処理ステージ４から離れた第一仮置きステージ５にボート移送装置３０の第一アーム３１によって直ちに移送して退避させることにより、高温状態の処理済みボート２１Ａの熱影響が熱処理ステージ４において空のボート２１Ｂに移載（ローディング）される新規のウエハＷに及ぶのを防止することができるため、これから処理される新規のウエハＷにおける処理済みボート２１Ａの熱影響による処理精度の低下を未然に防止することができる。
【００４２】
2) これから処理される新規のウエハＷにおける処理済みボート２１Ａの熱影響を回避することにより、待機中の処理室１２の温度を低下させなくて済むため、待機中の処理室１２の温度を低下させることによってスループットが低下するのを未然に回避することができる。
【００４３】
3) ウエハＷに熱影響が及ぶのを回避することにより、拡散ＣＶＤ装置の熱処理の精度を高めることができるとともに、ウエハによって製造される半導体装置の品質および信頼性を高めることができる。
【００４４】
4) 第一仮置きステージ５および第二仮置きステージ６と熱処理ステージ４との間で処理済みボート２１Ａおよび空のボート２１Ｂの入替え移送を実行することにより、ボート移送装置３０の第一アーム３１および第二アーム３２の回転半径を小さく設定することができるため、拡散ＣＶＤ装置の筐体２の左右（間口）および前後（奥行）の寸法を小さく設定することができる。
【００４５】
5) 筐体２の容積を小さく抑制することにより、クリーンモジュール３のクリーンエアの供給量等を小さく設定することができるため、拡散ＣＶＤ装置のイニシャルコストおよびランニングコストを抑制することができる。
【００４６】
6) 第一仮置きステージ５で待機させた後の処理済みボート２１ＡのウエハＷのウエハ移載装置４０による排出（アンローディング）作業を処理室１２における熱処理中に実施することにより、ウエハローディング作業と熱処理とを同時進行させることができるため、スループットを向上させることができる。
【００４７】
7) 高温状態の処理済みボート２１Ａを待機させる第一仮置きステージ５をクリーンモジュール３のクリーンエア吹出口に臨ませることにより、高温状態の処理済みボート２１Ａをきわめて効果的に冷却させることができるため、冷却時間を短縮することができる。
【００４８】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４９】
例えば、拡散ＣＶＤ装置はアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理全般に使用することができる。
【００５０】
本実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式横形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【００５１】
前記実施の形態ではウエハに熱処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、大型化を抑制しつつ、熱の影響を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である拡散ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
【図２】その処理中を示す斜視図である。
【図３】ボート搬出後を示す斜視図である。
【図４】ボート入替え後を示す斜視図である。
【図５】処理中を示す縦断面図である。
【図６】ボート搬出後を示す縦断面図である。
【図７】ウエハ移載装置を示す各側面図であり、（ａ）は短縮時を示し、（ｂ）は伸長時を示している。
【図８】ボート移送装置を示す各斜視図であり、（ａ）は第一アームの作動を示し、（ｂ）は第二アームの作動を示している。
【図９】ボート移送装置の作動を示す各斜視図であり、（ａ）は処理済みボートの退避後を示し、（ｂ）は空のボートの熱処理ステージへの移送後を示し、（ｃ）は空のボートへの第二仮置きステージへの移送後を示している。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（基板）、１…拡散ＣＶＤ装置（半導体製造装置）、２…筐体、３…クリーンモジュール、４…熱処理ステージ、５…第一仮置きステージ、６…第二仮置きステージ、７…ウエハローディングステージ、８…ポッドステージ、９…ノッチ合せ装置、１１…プロセスチューブ、１２…処理室、１３…炉口、１４…マニホールド、１５…シールリング、１６…排気管、１７…ガス導入管、１８…ヒータユニット、１９…キャップ、２０…エレベータ、２１…ボート、２１Ａ…処理済みボート、２１Ｂ…空のボート、２２…上側端板、２３…下側端板、２４…保持部材、２５…保持溝、２６…断熱キャップ部、２７…支柱、２８…係合部、２９…ベース、３０…ボート移送装置、３１…第一アーム、３２…第二アーム、４０…ウエハ移載装置、４１…ベース、４２…ターンテーブル、４３…リニアガイド、４４…移動台、４５…取付台、４６…ツィーザ、４７…エレベータ、５０…ポッド、５１…ドア。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、処理が施される基板の酸化や汚染防止技術に係り、例えば、半導体装置の製造工程において半導体ウエハにアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造工程において半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのにバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置 (furnace 。以下、熱処理装置という。）が、広く使用されている。
【０００３】
従来のこの種の熱処理装置として、特開昭６３−２４６１５号公報に記載されているものがある。この熱処理装置は第一のボートと第二のボートとを備えており、第一のボート上のウエハがプロセスチューブの処理室で熱処理されている間に、第二のボートへ新規のウエハを移載しておき、熱処理終了後に第一のボートがプロセスチューブの処理室から搬出（アンローディング）されると、搬出された第一のボートと既に新規のウエハが保持された第二のボートとの位置が１８０度入替えられるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した熱処理装置においては、プロセスチューブの処理室において高温（例えば、１０００℃）に加熱されて搬出される途中の第一のボートおよびウエハ群が、第二のボートに保持された新規のウエハ群に近接した状態になるために、第二のボートの新規のウエハが高温となった第一のボートおよびウエハ群から熱影響を受けてしまうという問題点がある。
【０００５】
そこで、第二のボートに保持された新規のウエハの第一のボートからの熱影響を回避するために、第一のボートと第二のボートとの間隔を大きく設定すると、第一のボートと第二のボートの１８０度入替え作業時の回転半径が大きくなるため、熱処理装置が相乗的に大きくなってしまう。
【０００６】
本発明の目的は、装置の大型化を抑制しつつ熱影響を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
処理室を形成したプロセスチューブと、前記処理室に出入りして複数枚の基板を搬入搬出する二台のボートと、前記複数枚の基板を前記二台のボートに対して前記処理室の外部において授受する基板移載装置とを備えた半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記二台のボートの一方によって保持した前記基板を前記プロセスチューブによって処理した後、この一方のボートを前記プロセスチューブから搬出して前記プロセスチューブから離れた仮置きステージに移送し、該仮置きステージ上で前記基板を冷却する冷却ステップと、
該冷却ステップ後に、前記二台のボートの他方を前記プロセスチューブの軸線上の位置に移送し、該プロセスチューブの軸線上の位置において、これから処理する基板を前記基板移載装置によって移載する移載ステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０００８】
前記した手段によれば、処理室から搬出されたボートはプロセスチューブから離れた仮置きステージに移送されて待機させられるため、そのボートに保持された処理済みの基板の例えば熱影響が新規の基板に及ぶことは防止されることになる。また、仮置きステージとプロセスチューブの位置との間でボートが入替えられるため、回転半径は小さく抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置は、バッチ式縦形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置（以下、拡散ＣＶＤ装置という。）として構成されており、基板としてのウエハにアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのに使用される。
【００１１】
図１に示されているように、拡散ＣＶＤ装置１は平面視が長方形の直方体の箱形状に形成された筐体２を備えている。筐体２の左側側壁の後部（左右前後は図１を基準とする。）にはクリーンモジュール３が設置されており、クリーンモジュール３は筐体２の内部にクリーンエアを供給するようになっている。筐体２の内部における後部の略中央には熱処理ステージ４が設定され、熱処理ステージ４の左脇の前後には処理済みボートの仮置きステージ（以下、第一仮置きステージという。）５および空のボートの仮置きステージ（以下、第二仮置きステージという。）６が設定されている。筐体２の内部における前部の略中央にはウエハローディングステージ７が設定されており、その手前にはポッドステージ８が設定されている。なお、ウエハローディングステージ７の左脇にはウエハのノッチを整列させるノッチ合せ装置９が設置されている。以下、各ステージの構成を順に説明する。
【００１２】
図５および図６に示されているように、熱処理ステージ４には石英ガラスが使用されて下端が開口した円筒形状に一体成形されたプロセスチューブ１１が、中心線が垂直になるように縦に配されて筐体２に支持されている。プロセスチューブ１１の筒中空部はボートによって同心的に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１２を形成しており、プロセスチューブ１１の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口１３を構成している。したがって、プロセスチューブ１１の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１３】
プロセスチューブ１１の下端面はマニホールド１４の上端面にシールリング１５を挟んで当接されており、マニホールド１４が筐体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に支持された状態になっている。マニホールド１４の側壁の一部には排気管１６が処理室１２に連通するように接続されており、排気管１６の他端は処理室１２を所定の真空度に真空排気するための真空排気装置（図示せず）に接続されている。マニホールド１４の側壁の他の部分にはガス導入管１７が処理室１２に連通するように接続されており、ガス導入管１７の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供給するためのガス供給装置（図示せず）に接続されている。
【００１４】
プロセスチューブ１１の外部にはヒータユニット１８がプロセスチューブ１１を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット１８は筐体２に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。ヒータユニット１８は処理室１２内を全体にわたって均一に加熱するように構成されている。
【００１５】
プロセスチューブ１１の真下にはプロセスチューブ１１の外径と略等しい円盤形状に形成されたキャップ１９が同心的に配置されており、キャップ１９は送りねじ機構によって構成されたエレベータ２０によって垂直方向に昇降されるようになっている。キャップ１９は中心線上にボート２１を垂直に立脚して支持するようになっている。本実施の形態において、ボート２１は二台が使用される。
【００１６】
図２〜図６に示されているように、二台のボート２１、２１はいずれも、上下で一対の端板２２、２３と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２４とを備えており、各保持部材２４に長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設された複数条の保持溝２５間にウエハＷを挿入されることにより、複数枚のウエハＷを水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するように構成されている。
【００１７】
ボート２１の下側端板２３の下には断熱キャップ部２６が形成されており、断熱キャップ部２６の下面には断熱キャップ部２６の外径よりも小径の円柱形状に形成された支柱２７が垂直方向下向きに突設されている。断熱キャップ部２６の下面における支柱２７の下面には後記するボート移送装置のアームが挿入されるスペースが形成されており、支柱２７の下面における外周辺部によってアームを係合するための係合部２８が構成されている。支柱２７の下面にはベース２９が水平に設けられている。
【００１８】
図１〜図４に示されているように、第一仮置きステージ５と第二仮置きステージ６との間にはボート２１を熱処理ステージ４と第一仮置きステージ５および第二仮置きステージ６との間で移送するボート移送装置３０が設備されている。図８に示されているように、ボート移送装置３０は水平面内で往復回動する第一アーム３１および第二アーム３２を備えており、第一アーム３１および第二アーム３２は円弧形状に形成されて、ボート２１の支柱２７の外側に挿入された状態で断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することにより、ボート２１全体を垂直に支持するようになっている。そして、第一アーム３１はボート２１を熱処理ステージ４と第一仮置きステージ５との間で移送するように構成されており、第二アーム３２はボート２１を熱処理ステージ４と第二仮置きステージ６との間で移送するように構成されている。
【００１９】
図１〜図４に示されているように、ウエハローディングステージ７にはウエハ移載装置４０が設置されており、ウエハ移載装置４０はウエハＷをポッドステージ８とノッチ合せ装置９と熱処理ステージ４との間で移送して、ポッド５０とノッチ合せ装置９とボート２１との間で移載するように構成されている。
【００２０】
すなわち、図７に示されているように、ウエハ移載装置４０はベース４１を備えており、ベース４１の上面にはベース４１に対して旋回するターンテーブル４２が設置されている。ターンテーブル４２の上にはリニアガイド４３が設置されており、リニアガイド４３はその上に設置された移動台４４を水平移動させるように構成されている。移動台４４の上には取付台４５が移動台４４によって水平移動されるように設置されており、取付台４５にはウエハＷを下から支持するツィーザ４６が複数枚（本実施の形態においては五枚）、等間隔に配置されて水平に取り付けられている。ウエハ移載装置４０は送りねじ機構によって構成されたエレベータ４７によって昇降されるようになっている。
【００２１】
図７および図１に示されているように、ウエハ移載装置４０のツィーザ４６のストロークＬ4 は、Ｌ4 ＞Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ3 、に設定されている。ここで、Ｌ1 はウエハ移載装置４０の中心からポッドステージ８の中心までの距離、Ｌ2 はウエハ移載装置４０から第二仮置きステージ６の中心までの距離、Ｌ3 はウエハ移載装置４０の中心から熱処理ステージ４の中心までの距離である。
【００２２】
ポッドステージ８にはウエハＷを搬送するためのキャリア（収納容器）としてのＦＯＵＰ（front opning unified pod。以下、ポッドという。）５０が一台ずつ載置されるようになっている。ポッド５０は一つの面が開口した略立方体の箱形状に形成されており、開口部にはドア５１が着脱自在に装着されている。ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。したがって、拡散ＣＶＤ装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるため、クリーンルームに要するコストを低減することができる。そこで、本実施の形態に係る拡散ＣＶＤ装置においては、ウエハのキャリアとしてポッド５０が使用されている。なお、ポッドステージ８にはポッド５０のドア５１を開閉するためのドア開閉装置（図示せず）が設置されている。
【００２３】
次に、前記構成に係る拡散ＣＶＤ装置の作用を説明する。
【００２４】
図１〜図４に示されているように、複数枚のウエハＷが収納されたポッド５０はポッドステージ８に供給される。ポッドステージ８に供給されたポッド５０はドア５１をドア開閉装置によって開放される。
【００２５】
ポッド５０に収納されたウエハＷは、図９（ｂ）に示されているように熱処理ステージ４において支持されたボート２１へウエハ移載装置４０によってノッチ合せ装置９を経由して移載される。すなわち、図７において、（ａ）に示された状態から（ｂ）に示されているように、移動台４４および取付台４５がポッド５０の方向に移動されてツィーザ４６がポッド５０内に挿入され、ツィーザ４６によってポッド５０内のウエハＷを受け取った後に、（ａ）に示された位置に後退する。この状態で、ターンテーブル４２が約９０度回動し、続いて、移動台４４および取付台４５がノッチ合せ装置９の方向に移動されて、ツィーザ４６のウエハＷをノッチ合せ装置９に受け渡す。ウエハＷのノッチ合せ終了後、ウエハ移載装置４０はツィーザ４６によってノッチ合せ装置９からウエハＷを受け取った後に、ツィーザ４６を（ａ）に示された位置に後退させる。この状態で、ターンテーブル４２が約９０度回動し、続いて、移動台４４および取付台４５がボート２１の方向に移動されてツィーザ４６の上のウエハＷをボート２１の保持溝２５に受け渡す。ウエハＷをボート２１に移載したウエハ移載装置４０は移動台４４および取付台４５を一度後退させた後に約１８０度回動して、ツィーザ４６をポッド５０側に向けた図７（ａ）の状態になる。
【００２６】
この際、ウエハ移載装置４０の外径は図１に直径Ｄで示されているように設定されているため、ウエハＷがポッドステージ８や第二仮置きステージ６に衝突することなく、ウエハ移載装置４０は回転することができる。
【００２７】
また、ウエハ移載装置４０は五枚のツィーザ４６を備えているため、一回の移載作動で五枚のウエハＷをポッド５０の五段の保持溝からボート２１の五段の保持溝２５に移載することができる。ここで、ボート２１がバッチ処理するウエハＷの枚数は一台のポッド５０に収納されたウエハＷの枚数よりも多いため、ウエハ移載装置４０は複数台のポッド５０から所定枚数のウエハＷをボート２１にエレベータ４７によって昇降されて移載することになる。なお、ウエハＷのノッチ合せが予め行われている場合には、ウエハ移載装置４０はウエハＷをノッチ合せ装置９を介さずにポッド５０からボート２１に直接移載することになる。
【００２８】
予め指定された複数枚のウエハＷがボート２１に移載されると、図２および図５に示されているように、ボート２１はエレベータ２０によって上昇されてプロセスチューブ１１の処理室１２に搬入（ローディング）される。ボート２１が上限に達すると、キャップ１９上面の外周辺部がマニホールド１４の下面にシールリング１５を挟んで着座した状態になってマニホールド１４の下端開口をシール状態に閉塞するため、処理室１２は気密に閉じられた状態になる。
【００２９】
処理室１２がキャップ１９によって気密に閉じられた状態で、処理室１２が所定の真空度に排気管１６によって真空排気され、ヒータユニット１８によって所定の処理温度（例えば、８００〜１０００℃）をもって全体にわたって均一に加熱され、処理ガスが処理室１２にガス導入管１７によって所定の流量供給される。これにより、所定の熱処理が施される。
【００３０】
そして、予め設定された処理時間が経過すると、図３および図６に示されているように、ボート２１を支持したキャップ１９がエレベータ２０によって下降されることにより、ボート２１がプロセスチューブ１１の処理室１２から搬出（アンローディング）される。ボート２１が搬出されたプロセスチューブ１１の処理室１２の炉口１３はシャッタ（図示せず）によって閉鎖され、処理室１２の高温雰囲気が逃げるのを防止される。処理室１２から搬出されたボート２１およびこれに保持されたウエハＷ群（以下、処理済みボート２１Ａという。）は高温の状態になっている。
【００３１】
図４および図９（ａ）に示されているように、処理室１２から搬出された高温状態の処理済みボート２１Ａはプロセスチューブ１１の軸線上の熱処理ステージ４から第一仮置きステージ５へ、ボート移送装置３０の第一アーム３１によって直ちに移送されて仮置きされる。すなわち、図９（ａ）に示されているように、第一アーム３１は処理済みボート２１Ａの支柱２７の外側に挿入して断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することによって処理済みボート２１Ａを垂直に支持した状態で、約９０度回動することにより、処理済みボート２１Ａを熱処理ステージ４から第一仮置きステージ５へ移送し、そのまま待機する。
【００３２】
図１に示されているように、第一仮置きステージ５はクリーンモジュール３のクリーンエアの吹出口の近傍に設定されているため、第一仮置きステージ５に移送されて仮置きされた高温状態の処理済みボート２１Ａはクリーンモジュール３から吹き出すクリーンエアによってきわめて効果的に冷却されることになる。
【００３３】
図４および図９（ｂ）に示されているように、ボート移送装置３０は高温状態の処理済みボート２１Ａを第一仮置きステージ５に退避させると、第二仮置きステージ６に待機させた空のボート（以下、空のボート２１Ｂという。）を第二仮置きステージ６から熱処理ステージ４に第二アーム３２によって移送し、空のボート２１Ｂをキャップ１９の上に移載する。すなわち、第二アーム３２は空のボート２１Ｂの支柱２７の外側に挿入して断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することによって空のボート２１Ｂを垂直に支持した状態で、約９０度回動することにより、空のボート２１Ｂを第一仮置きステージ５から熱処理ステージ４へ移送して、キャップ１９の上に受け渡す。キャップ１９の上に移載された状態において、空のボート２１Ｂの三本の保持部材２４はウエハ移載装置４０側が開放した状態になっている。
【００３４】
空のボート２１Ｂがキャップ１９の上に移載されると、ウエハ移載装置４０は前述した作動により、ウエハＷをポッドステージ８から熱処理ステージ４に搬送して空のボート２１Ｂに移載して行く。この際、高温状態の処理済みボート２１Ａは第一仮置きステージ５に退避されており、クリーンモジュール３により充分に冷却されているため、空のボート２１Ｂに移載中のウエハＷが高温状態の処理済みボート２１Ａの熱影響を受けることはない。
【００３５】
予め指定された複数枚のウエハＷがボート２１に移載されると、前述したように、ボート２１を支持したキャップ１９はエレベータ２０によって上昇されて、支持したボート２１をプロセスチューブ１１の処理室１２に搬入する。処理室１２に搬入されたボート２１のウエハＷは前述した作用によって所定の熱処理を施される。
【００３６】
他方、ボート２１を支持したキャップ１９が上昇すると、第一仮置きステージ５に退避されていた処理済みボート２１Ａがボート移送装置３０の第一アーム３１によって第二仮置きステージ６に移送され、図示しない置台に置かれる。この際、処理済みボート２１Ａは充分に冷却されているため、例えば、１５０℃以下になっている。また、この状態において、処理済みボート２１Ａの三本の保持部材２４はウエハ移載装置４０側が開放した状態になっている。第一アーム３１は第一仮置きステージ５に戻り、次の作動に待機する。
【００３７】
処理済みボート２１Ａがボート移送装置３０の第一アーム３１によって第二仮置きステージ６に移送されると、ウエハ移載装置４０は図７について前述した作動に準じて、第二仮置きステージ６の処理済みボート２１ＡからウエハＷを受け取ってポッドステージ８のポッド５０に移載して行く。この際、処理済みボート２１Ａがバッチ処理したウエハＷの枚数は一台のポッド５０に収納されるウエハＷの枚数よりも多いため、ウエハ移載装置４０はエレベータ４７によって昇降されながら、ポッドステージ８に入れ換えられる複数台のポッド５０にウエハＷを所定枚数（例えば、二十五枚）ずつ収納して行くことになる。なお、ポッドステージ８で処理済みウエハＷを収納されたポッド５０はポッドステージ８から搬出されて、次工程に搬送されて行く。
【００３８】
ウエハ移載装置４０によって処理済みウエハＷを全て排出（アンローディング）されて空になったボート２１Ｂは、図９（ｃ）に示されているように、第二仮置きステージ６にて、そのまま待機させられる。なお、前記実施の形態においては、ウエハＷの処理済みボート２１Ａからの排出作業が第二仮置きステージ６にて実施される場合について説明したが、ウエハＷの処理済みボート２１Ａからの排出作業は熱処理ステージ４にて実施してもよい。
【００３９】
以降、前述した作用が繰り返されてウエハＷが拡散ＣＶＤ装置１によってバッチ処理されて行く。
【００４０】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４１】
1) プロセスチューブ１１の処理室１２から搬出されて高温状態になった処理済みボート２１Ａをプロセスチューブ１１の軸線上のステージである熱処理ステージ４から離れた第一仮置きステージ５にボート移送装置３０の第一アーム３１によって直ちに移送して退避させることにより、高温状態の処理済みボート２１Ａの熱影響が熱処理ステージ４において空のボート２１Ｂに移載（ローディング）される新規のウエハＷに及ぶのを防止することができるため、これから処理される新規のウエハＷにおける処理済みボート２１Ａの熱影響による処理精度の低下を未然に防止することができる。
【００４２】
2) これから処理される新規のウエハＷにおける処理済みボート２１Ａの熱影響を回避することにより、待機中の処理室１２の温度を低下させなくて済むため、待機中の処理室１２の温度を低下させることによってスループットが低下するのを未然に回避することができる。
【００４３】
3) ウエハＷに熱影響が及ぶのを回避することにより、拡散ＣＶＤ装置の熱処理の精度を高めることができるとともに、ウエハによって製造される半導体装置の品質および信頼性を高めることができる。
【００４４】
4) 第一仮置きステージ５および第二仮置きステージ６と熱処理ステージ４との間で処理済みボート２１Ａおよび空のボート２１Ｂの入替え移送を実行することにより、ボート移送装置３０の第一アーム３１および第二アーム３２の回転半径を小さく設定することができるため、拡散ＣＶＤ装置の筐体２の左右（間口）および前後（奥行）の寸法を小さく設定することができる。
【００４５】
5) 筐体２の容積を小さく抑制することにより、クリーンモジュール３のクリーンエアの供給量等を小さく設定することができるため、拡散ＣＶＤ装置のイニシャルコストおよびランニングコストを抑制することができる。
【００４６】
6) 第一仮置きステージ５で待機させた後の処理済みボート２１ＡのウエハＷのウエハ移載装置４０による排出（アンローディング）作業を処理室１２における熱処理中に実施することにより、ウエハローディング作業と熱処理とを同時進行させることができるため、スループットを向上させることができる。
【００４７】
7) 高温状態の処理済みボート２１Ａを待機させる第一仮置きステージ５をクリーンモジュール３のクリーンエア吹出口に臨ませることにより、高温状態の処理済みボート２１Ａをきわめて効果的に冷却させることができるため、冷却時間を短縮することができる。
【００４８】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４９】
例えば、拡散ＣＶＤ装置はアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理全般に使用することができる。
【００５０】
本実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式横形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【００５１】
前記実施の形態ではウエハに熱処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、大型化を抑制しつつ、熱の影響を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である拡散ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
【図２】その処理中を示す斜視図である。
【図３】ボート搬出後を示す斜視図である。
【図４】ボート入替え後を示す斜視図である。
【図５】処理中を示す縦断面図である。
【図６】ボート搬出後を示す縦断面図である。
【図７】ウエハ移載装置を示す各側面図であり、（ａ）は短縮時を示し、（ｂ）は伸長時を示している。
【図８】ボート移送装置を示す各斜視図であり、（ａ）は第一アームの作動を示し、（ｂ）は第二アームの作動を示している。
【図９】ボート移送装置の作動を示す各斜視図であり、（ａ）は処理済みボートの退避後を示し、（ｂ）は空のボートの熱処理ステージへの移送後を示し、（ｃ）は空のボートへの第二仮置きステージへの移送後を示している。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（基板）、１…拡散ＣＶＤ装置（半導体製造装置）、２…筐体、３…クリーンモジュール、４…熱処理ステージ、５…第一仮置きステージ、６…第二仮置きステージ、７…ウエハローディングステージ、８…ポッドステージ、９…ノッチ合せ装置、１１…プロセスチューブ、１２…処理室、１３…炉口、１４…マニホールド、１５…シールリング、１６…排気管、１７…ガス導入管、１８…ヒータユニット、１９…キャップ、２０…エレベータ、２１…ボート、２１Ａ…処理済みボート、２１Ｂ…空のボート、２２…上側端板、２３…下側端板、２４…保持部材、２５…保持溝、２６…断熱キャップ部、２７…支柱、２８…係合部、２９…ベース、３０…ボート移送装置、３１…第一アーム、３２…第二アーム、４０…ウエハ移載装置、４１…ベース、４２…ターンテーブル、４３…リニアガイド、４４…移動台、４５…取付台、４６…ツィーザ、４７…エレベータ、５０…ポッド、５１…ドア。
Claims (5)
- 処理室を形成したプロセスチューブと、 前記処理室に出入りして複数枚の基板を搬入搬出する二台のボートと、 前記複数枚の基板を前記二台のボートに対して前記処理室の外部において授受する基板移載装置とを備えた半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記二台のボートの一方によって保持した前記基板を前記プロセスチューブによって処理した後、この一方のボートを前記プロセスチューブから搬出して前記プロセスチューブから離れた仮置きステージに移送し、該仮置きステージ上で前記基板を冷却する冷却ステップと、
該冷却ステップ後に、前記二台のボートの他方を前記プロセスチューブの軸線上の位置に移送し、該プロセスチューブの軸線上の位置において、これから処理する基板を前記基板移載装置によって移載する移載ステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記仮置きステージは、クリーンモジュールのクリーンエア吹出口に臨むように設定されており、
前記冷却ステップは、前記仮置きステージで前記クリーンエア吹出口からクリーンエアを吹き出し、前記基板を冷却することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 処理室を形成したプロセスチューブと、前記処理室に出入れして複数枚の基板を搬入搬出する二台のボートと、 前記二台のボートに対して前記複数枚の基板を前記処理室の外部において授受する基板移載装置と、前記プロセスチューブの軸線上の位置にある熱処理ステージと、前記熱処理ステージから離れた二箇所にそれぞれ配置された第一仮置きステージおよび第二仮置きステージと、を備え、前記熱処理ステージが前記第一仮置きステージと前記第二仮置きステージとの間に配置され、前記第一仮置きステージの前記基板移載装置に対する距離が前記熱処理ステージの前記基板移載装置に対する距離よりも大きく設定された半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記二台のボートの一方によって保持した前記基板を前記プロセスチューブによって処理した後、この一方のボートを前記プロセスチューブから搬出して前記熱処理ステージから前記第一仮置きステージに移送し、該第一仮置きステージ上で前記基板を冷却する冷却ステップと、
該冷却ステップ後に、前記第二仮置きステージにある前記二台のボートの他方を前記第二仮置きステージから前記熱処理ステージに移送し、該熱処理ステージにある前記二台のボートの他方にこれから処理する前記基板を前記基板移載装置によって移載する移載ステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第一仮置きステージは、クリーンモジュールのクリーンエア吹出口に臨むように設定されており、
前記冷却ステップは、 該第一仮置きステージで前記クリーンエア吹出口からクリーンエアを吹き出し、前記基板を冷却することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記二台のボートの他方にこれから処理する前記基板を前記基板移載装置によって移載した後、この他方のボートを前記プロセスチューブに搬入する搬入ステップと、
前記他方のボートによって保持した前記基板を熱処理中に、前記二台のボートの一方を前記第一仮置きステージから前記第二仮置きステージに移送し、該第二仮置きステージにある前記一方のボートから前記処理後の基板を前記基板移載装置によって移載する移載ステップと、
を有することを特徴とする請求項３の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000221961A JP4224192B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000221961A JP4224192B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043388A JP2002043388A (ja) | 2002-02-08 |
| JP4224192B2 true JP4224192B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=18716276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000221961A Expired - Lifetime JP4224192B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4224192B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103990A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2011119511A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
2000
- 2000-07-24 JP JP2000221961A patent/JP4224192B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002043388A (ja) | 2002-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050329 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4224192 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131128 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
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