JP4283973B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、処理が施される基板の酸化や汚染防止技術に係り、例えば、半導体装置の製造工程において半導体ウエハにアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程において半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのにバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置 (furnace 。以下、熱処理装置という。）が、広く使用されている。
【０００３】
従来のこの種の熱処理装置として、特許第２６８１０５５号公報に記載されているものがある。この熱処理装置においては、ウエハ移載装置とプロセスチューブの真下空間との間にボート交換装置が配置されており、ボート交換装置の回転テーブルの上に一対（二台）のボートが載置され、回転テーブルを中心として一対のボートが１８０度ずつ回転することにより、未処理のボートと処理済みのボートとが交換されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
熱処理装置における熱処理条件によっても異なるが、プロセスチューブの処理室から搬出されて来る処理済みボートおよびこれに保持されたウエハ群（以下、処理済みボートという。）の温度は、３００℃〜５００℃になっているのが一般的である。このような高温状態のままでボートからウエハをウエハ移載装置によってディスチャージすることは困難である。そこで、この高温になった処理済みボートにクリーンエアを吹き付けて強制的に冷却させた後に、ボートからウエハをウエハ移載装置によってディスチャージすることが、考えられる。
【０００５】
前記した熱処理装置において、高温となった処理済みのボートを冷却するためのクリーンエアを処理済みのボートに吹き付けるクリーンユニットを設置する場合には、回転テーブルとの干渉を避ける必要上、クリーンユニットは回転テーブルの回転半径の外側に配置する必要があるため、ボートへのウエハの移載位置とクリーンユニットのエア吹出口とは、少なくともウエハの外径以上の距離だけは離間してしまう。このようにクリーンユニットの吹出口がボートから離間すると、離間した分だけ、ボートに保持されたウエハに吹き付けるクリーンエアの流速が低下してしまうため、冷却時間が長くなってしまう。
【０００６】
本発明の目的は、処理済みボートの強制冷却時間を短縮することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板を処理する処理室を形成したプロセスチューブと、
前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートと、
前記プロセスチューブの下側に設けられた熱処理ステージと、
前記ボートを前記処理室と前記熱処理ステージとの間で昇降させるエレベータと、
処理前の前記複数枚の基板を保持する前記ボートを待機させる待機ステージと、
処理済みの前記複数枚の基板を保持した前記ボートを冷却する冷却ステージと、
前記待機ステージの前記ボートに対して前記複数枚の基板を授受する基板移載装置と、
を備えており、前記ボートが複数台使用される基板処理装置において、
前記待機ステージおよび前記冷却ステージは、前記熱処理ステージを挟んで前記エレベータと反対側で、前記エレベータと前記熱処理ステージとを通過する直線を境界とした両側にそれぞれ配置されており、
前記待機ステージおよび前記冷却ステージの前記熱処理ステージと反対側には、前記待機ステージの前記ボートおよび前記冷却ステージの前記ボートに向けてクリーンエアを吹き出す吹出口が設けられており、
前記熱処理ステージを挟んで前記待機ステージおよび前記冷却ステージと反対側であって、前記冷却ステージと対向する側の領域には、前記クリーンエアを吸い込む吸込口が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
前記した手段によれば、処理室から搬出されたボートにクリーンエアを吹き付けて冷却する冷却ステージが設定されているため、処理室から搬出されたボートにクリーンユニットの吹出口を接近させることができる。クリーンユニットの吹出口をボートに接近させることにより、ボートに保持された基板に吹き付けるクリーンエアの流速は低下しないため、冷却時間を短縮させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式縦形ホットウオール形拡散，ＣＶＤ装置（以下、拡散ＣＶＤ装置という。）として構成されており、基板としてのウエハにアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理を施すのに使用される。
【００１１】
図１に示されているように、拡散ＣＶＤ装置１は平面視が長方形の直方体の箱形状に形成された筐体２を備えている。筐体２の左側側壁の後部（左右前後は図１を基準とする。）にはクリーンユニット３が設置されており、クリーンユニット３は筐体２の内部にクリーンエアを供給するようになっている。筐体２の内部における後部の略中央には熱処理ステージ４が設定され、熱処理ステージ４の左脇の前後には空のボートを仮置きして待機させる待機ステージ（以下、待機ステージという。）５および処理済みボートを仮置きして冷却するステージ（以下、冷却ステージという。）６が設定されている。筐体２の内部における前部の略中央にはウエハローディングステージ７が設定されており、その手前にはポッドステージ８が設定されている。ウエハローディングステージ７の左脇にはノッチ合わせ装置９が設置されている。以下、各ステージの構成を順に説明する。
【００１２】
図５および図６に示されているように、熱処理ステージ４の上部には石英ガラスが使用されて下端が開口した円筒形状に一体成形されたプロセスチューブ１１が、中心線が垂直になるように縦に配されている。プロセスチューブ１１の筒中空部はボートによって同心的に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１２を形成しており、プロセスチューブ１１の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口１３を構成している。したがって、プロセスチューブ１１の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１３】
プロセスチューブ１１の下端面はマニホールド１４の上端面にシールリング１５を挟んで当接されており、マニホールド１４が筐体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に支持された状態になっている。マニホールド１４の側壁の一部には排気管１６が処理室１２に連通するように接続されており、排気管１６の他端は処理室１２を所定の真空度に真空排気するための真空排気装置（図示せず）に接続されている。マニホールド１４の側壁の他の部分にはガス導入管１７が処理室１２に連通するように接続されており、ガス導入管１７の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供給するためのガス供給装置（図示せず）に接続されている。
【００１４】
プロセスチューブ１１の外部にはヒータユニット１８がプロセスチューブ１１を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット１８は筐体２に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。ヒータユニット１８は処理室１２内を全体にわたって均一に加熱するように構成されている。
【００１５】
熱処理ステージ４におけるプロセスチューブ１１の真下にはプロセスチューブ１１の外径と略等しい円盤形状に形成されたキャップ１９が同心的に配置されており、キャップ１９は送りねじ機構によって構成されたエレベータ２０によって垂直方向に昇降されるようになっている。キャップ１９は中心線上にボート２１を垂直に立脚して支持するようになっている。本実施の形態において、ボート２１は二台が使用される。
【００１６】
図５および図６に示されているように、二台のボート２１、２１はいずれも、上下で一対の端板２２、２３と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２４とを備えており、各保持部材２４に長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設された複数条の保持溝２５間にウエハＷを挿入されることにより、複数枚のウエハＷを水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するように構成されている。
【００１７】
ボート２１の下側端板２３の下には断熱キャップ部２６が形成されており、断熱キャップ部２６の下面には断熱キャップ部２６の外径よりも小径の円柱形状に形成された支柱２７が垂直方向下向きに突設されている。断熱キャップ部２６の下面における支柱２７の下面には後記するボート移送装置のアームが挿入されるスペースが形成されており、支柱２７の下面における外周辺部によってアームを係合するための係合部２８が構成されている。支柱２７の下面にはベース２９が水平に設けられている。
【００１８】
図１に示されているように、待機ステージ５と冷却ステージ６との間にはボート２１を熱処理ステージ４と待機ステージ５および冷却ステージ６との間で移送するボート移送装置３０が設備されている。図７に示されているように、ボート移送装置３０はスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、水平面内で約９０度ずつ往復回動する一対の第一アーム３１および第二アーム３２を備えている。第一アーム３１および第二アーム３２はいずれも円弧形状に形成されており、ボート２１の支柱２７の外側に挿入された状態で断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することにより、ボート２１全体を垂直に支持するようになっている。
【００１９】
図１および図７に示されているように、待機ステージ５にはボート２１を垂直に支持する待機台３３が設置されており、第一アーム３１はボート２１を待機台３３と熱処理ステージ４のキャップ１９との間で移送するように構成されている。冷却ステージ６には冷却台３４が設置されており、第二アーム３２はボート２１を冷却台３４と熱処理ステージ４のキャップ１９との間で移送するように構成されている。
【００２０】
図１に示されているように、筐体２内にクリーンエア３５を供給するクリーンユニット３はクリーンエア３５を待機ステージ５および冷却ステージ６に向けて吹き出すように構成されている。すなわち、図８に示されているように、クリーンユニット３はクリーンエア３５を吸い込む吸込ダクト３６を備えており、吸込ダクト３６の下端部には吸込ファン３７が設置されている。吸込ファン３７の吐出口側には吹出ダクト３８が前後方向に延在するように長く敷設されており、吹出ダクト３８の筐体２の内側面における吸込ダクト３６の前後の両脇にはクリーンエア３５を待機ステージ５および冷却ステージ６にそれぞれ向けて吹き出す吹出口３９、３９が大きく開設されている。
【００２１】
他方、図１に示されているように、筐体２の内部における後側の右隅には排気用ファン４０が設置されており、排気用ファン４０はクリーンユニット３の吹出口３９、３９から吹き出されたクリーンエア３５を吸い込んで筐体２内の外部に排出するようになっている。
【００２２】
図１〜図４に示されているように、ウエハローディングステージ７にはスカラ形ロボットによって構成されたウエハ移載装置４１が設置されており、ウエハ移載装置４１はウエハＷをポッドステージ８と待機ステージ５との間で移送してポッドとボート２１との間で移載するように構成されている。
【００２３】
すなわち、図９に示されているように、ウエハ移載装置４１はベース４２を備えており、ベース４２の上面にはベース４２に対して旋回するターンテーブル４３が設置されている。ターンテーブル４３の上にはリニアガイド４４が設置されており、リニアガイド４４はその上に設置された移動台４５を水平移動させるように構成されている。移動台４５の上には取付台４６が移動台４５によって水平移動されるように設置されており、取付台４６にはウエハＷを下から支持するツィーザ４７が複数枚（本実施の形態においては五枚）、等間隔に配置されて水平に取り付けられている。図１〜図４に示されているように、ウエハ移載装置４１は送りねじ機構によって構成されたエレベータ４８によって昇降されるようになっている。
【００２４】
ポッドステージ８にはウエハＷを搬送するためのキャリア（収納容器）としてのＦＯＵＰ（front opning unified pod。以下、ポッドという。）５０が一台ずつ載置されるようになっている。ポッド５０は一つの面が開口した略立方体の箱形状に形成されており、開口部にはドア５１が着脱自在に装着されている。ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。したがって、拡散ＣＶＤ装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるため、クリーンルームに要するコストを低減することができる。そこで、本実施の形態に係る拡散ＣＶＤ装置においては、ウエハのキャリアとしてポッド５０が使用されている。なお、ポッドステージ８にはポッド５０のドア５１を開閉するためのドア開閉装置（図示せず）が設置されている。
【００２５】
次に、前記構成に係る拡散ＣＶＤ装置の作用を説明する。
【００２６】
図１に示されているように、複数枚のウエハＷが収納されたポッド５０はポッドステージ８に供給される。図２に示されているように、ポッドステージ８に供給されたポッド５０はドア５１をドア開閉装置によって開放される。
【００２７】
ポッド５０に収納されたウエハＷは、図１および図２に示されているように待機ステージ５の待機台３３に置かれた空のボート（以下、第一ボート２１Ａという。）にウエハ移載装置４１によって移載される。
【００２８】
すなわち、図９において、（ａ）に示された状態から（ｂ）に示されているように、移動台４５および取付台４６がポッド５０の方向に移動されてツィーザ４７がポッド５０内に挿入され、ツィーザ４７によってポッド５０内のウエハＷを受け取った後に、（ａ）に示された位置に後退する。この状態で、ターンテーブル４３が反転し、続いて、移動台４５および取付台４６が待機ステージ５の方向に移動されて、ツィーザ４７が保持したウエハＷを第一ボート２１Ａの保持溝２５に受け渡す。ウエハＷを第一ボート２１Ａに移載したウエハ移載装置４１は移動台４５および取付台４６を一度後退させた後に再び反転して、ツィーザ４７をポッド５０側に向けた図９（ａ）の状態になる。
【００２９】
この際、ウエハ移載装置４１は五枚のツィーザ４７を備えているため、一回の移載作動で五枚のウエハＷをポッド５０の五段の保持溝から第一ボート２１Ａの五段の保持溝２５に移載することができる。ここで、第一ボート２１Ａがバッチ処理するウエハＷの枚数は一台のポッド５０に収納されたウエハＷの枚数よりも多いため、ウエハ移載装置４１は複数台のポッド５０から所定枚数のウエハＷを第一ボート２１Ａにエレベータ４８によって昇降されて移載することになる。
【００３０】
他方、図２に示されているように、熱処理ステージ４においては、所定枚数のウエハＷを保持した第二のボート２１がキャップ１９に垂直に支持された状態でエレベータ２０によってプロセスチューブ１１の処理室１２に搬入されて所定の処理を施されている。
【００３１】
すなわち、図５に示されているように、キャップ１９に垂直に支持されたボート２１はエレベータ２０によって上昇されてプロセスチューブ１１の処理室１２に搬入（ローディング）される。ボート２１が上限に達すると、キャップ１９の上面の外周辺部がマニホールド１４の下面にシールリング１５を挟んで着座した状態になってマニホールド１４の下端開口をシール状態に閉塞するため、処理室１２は気密に閉じられた状態になる。
【００３２】
処理室１２がキャップ１９によって気密に閉じられた状態で、処理室１２が所定の真空度に排気管１６によって真空排気され、ヒータユニット１８によって所定の処理温度（例えば、８００〜１０００℃）をもって全体にわたって均一に加熱され、処理ガスが処理室１２にガス導入管１７によって所定の流量供給される。これにより、所定の熱処理が施される。
【００３３】
この熱処理の間に、待機ステージ５においては第一ボート２１ＡにウエハＷがウエハ移載装置４１によって移載（ローディング）されていることになる。
【００３４】
予め設定された処理時間が経過すると、図６に示されているように、ボート２１を支持したキャップ１９がエレベータ２０によって下降されることにより、ボート２１がプロセスチューブ１１の処理室１２から搬出（アンローディング）される。ボート２１が搬出されたプロセスチューブ１１の処理室１２の炉口１３はシャッタ（図示せず）によって閉鎖され、処理室１２の高温雰囲気が逃げるのを防止される。処理室１２から搬出されたボート２１およびこれに保持されたウエハＷ群（以下、処理済みボート２１Ｂという。）は高温の状態になっている。
【００３５】
図３に示されているように、処理室１２から搬出された高温状態の処理済みボート２１Ｂはプロセスチューブ１１の軸線上の熱処理ステージ４から冷却ステージ６へ、ボート移送装置３０の第二アーム３２によって直ちに移送されて仮置きされる。すなわち、第二アーム３２は処理済みボート２１Ｂの支柱２７の外側に挿入して断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することによって処理済みボート２１Ｂを垂直に支持した状態で、約９０度回動することにより、処理済みボート２１Ｂを熱処理ステージ４のキャップ１９の上から冷却ステージ６の冷却台３４の上へ移送し載置する。
【００３６】
次いで、待機ステージ５において指定の枚数のウエハＷを移載された第一ボート２１Ａは、図４に示されているように、待機ステージ５から熱処理ステージ４へボート移送装置３０の第一アーム３１によって移送され、キャップ１９の上に移載される。すなわち、第一アーム３１は第一ボート２１Ａの支柱２７の外側に挿入して断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することによって第一ボート２１Ａを垂直に支持した状態で、約９０度回動することによって、第一ボート２１Ａを待機ステージ５から熱処理ステージ４へ移送し、キャップ１９の上に受け渡す。
【００３７】
ここで、図４に示されているように、冷却ステージ６はクリーンユニット３のクリーンエア３５の吹出口３９に近傍に設定されているため、冷却ステージ６の冷却台３４に移載された高温状態の処理済みボート２１Ｂはクリーンユニット３の吹出口３９から吹き出すクリーンエア３５によってきわめて効果的に冷却される状態になる。
【００３８】
この際、図４に示されているように、クリーンユニット３の吹出口３９から吹き出したクリーンエア３５の流れは、吹出口３９から見ると待機ステージ５とは反対方向である筐体２の後部右隅に配置された排気用ファン４０に向かうため、熱処理ステージ４および待機ステージ５の方向には向かわない。したがって、処理済みボート２１Ｂに接触したクリーンエア３５が熱処理ステージ４および待機ステージ５に流れることにより、熱処理ステージ４および待機ステージ５の第一ボート２１Ａに保持されたウエハＷ群を汚染する現象の発生は、未然に防止することができる。
【００３９】
待機ステージ５から熱処理ステージ４に移送されてキャップ１９に移載された第一ボート２１Ａはエレベータ２０によって上昇され、プロセスチューブ１１の処理室１２に搬入されて所定の処理を施される。
【００４０】
この第一ボート２１Ａに対する熱処理の間に、熱処理ステージ４におけるプロセスチューブ１１の下方空間においては、先に熱処理されて冷却ステージ６の冷却台３４に置かれた処理済みボート２１Ｂが、ボート移送装置３０によって冷却ステージ６から熱処理ステージ４を経て待機ステージ５に移送されて待機台３３に載置される。すなわち、ボート移送装置３０の第二アーム３２は処理済みボート２１Ｂの支柱２７の外側に挿入して断熱キャップ部２６の係合部２８に下から係合することによって処理済みボート２１Ｂを垂直に支持した状態で、約９０度回動することにより、処理済みボート２１Ｂを冷却ステージ６から熱処理ステージ４へ移送する。
【００４１】
処理済みボート２１Ｂが熱処理ステージ４に移送されると、ボート移送装置３０の第一アーム３１が約９０度回転されて熱処理ステージ４に移動され、熱処理ステージ４の処理済みボート２１Ｂを受け取る。処理済みボート２１Ｂを受け取ると、第一アーム３１は元の方向に約９０度逆回転して処理済みボート２１Ｂを熱処理ステージ４から待機ステージ５に移送して、待機台３３に移載する。この際、処理済みボート２１Ｂは充分に冷却されているため、処理済みボート２１Ｂの温度は、例えば、１５０℃以下になっている。また、待機台３３に移載された状態において、処理済みボート２１Ｂの三本の保持部材２４はウエハ移載装置４１側が開放した状態になっている。
【００４２】
処理済みボート２１Ｂがボート移送装置３０の第一アーム３１によって待機ステージ５の待機台３３に移載されると、ウエハ移載装置４１は図７について前述した作動に準じて、待機ステージ５の処理済みボート２１ＢからウエハＷを受け取ってポッドステージ８のポッド５０に移載して行く。この際、処理済みボート２１Ｂがバッチ処理したウエハＷの枚数は一台のポッド５０に収納されるウエハＷの枚数よりも多いため、ウエハ移載装置４１はエレベータ４８によって昇降されながら、ポッドステージ８に入れ換えられる複数台のポッド５０にウエハＷを所定枚数（例えば、二十五枚）ずつ収納して行くことになる。
【００４３】
全てのウエハＷがポッド５０に戻されると、図７について前述した作動により、待機台３３上のボート２１には次に処理すべき新規のウエハＷがウエハ移載装置４１によって移載されて行く。そして、指定された枚数のウエハＷが移載されると、ボート２１は待機ステージ５の待機台３３の上で次の作動に待機する状態になる。
【００４４】
以降、前述した作用が繰り返されてウエハＷが拡散ＣＶＤ装置１によってバッチ処理されて行く。
【００４５】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４６】
1) プロセスチューブ１１の処理室１２から搬出されて高温状態になった処理済みボート２１Ｂをクリーンユニット３のクリーンエア３５の吹出口３９に臨ませた冷却ステージ６にボート移送装置３０の第二アーム３２によって直ちに移送することにより、高温状態の処理済みボート２１Ｂをきわめて効果的に冷却させることができるため、冷却時間を短縮することができる。
【００４７】
2) 処理済みボート２１Ｂを冷却させるクリーンユニット３の吹出口３９を冷却ステージ６に近接させることにより、高速のクリーンエア３５の流れを処理済みボート２１Ｂに吹き付けることができるため、処理済みボート２１Ｂの冷却時間をより一層短縮することができ、また、処理済みボート２１Ｂに付着したパーティクルを吹き飛ばすことによってパーティクルを低減することができ、拡散ＣＶＤ装置ひいてはＩＣの品質および信頼性並びに歩留りを高めることができる。
【００４８】
3) クリーンユニット３の吹出口３９から吹き出したクリーンエア３５を筐体２の外部に排出するための排気用ファン４０をクリーンユニット３の吹出口３９から見ると待機ステージ５とは反対方向に配置することにより、クリーンユニット３の吹出口３９から吹き出したクリーンエア３５の流れが待機ステージ５の方向に向かうのを防止することができるため、処理済みボート２１Ｂに接触したクリーンエア３５が熱処理ステージ４および待機ステージ５のボート２１に保持されたウエハＷ群を汚染するのを防止することができる。
【００４９】
4) プロセスチューブ１１の処理室１２から搬出されて高温状態になった処理済みボート２１Ｂを冷却ステージ６にボート移送装置３０の第二アーム３２によって直ちに移送して退避させることにより、高温状態の処理済みボート２１Ｂの熱影響が熱処理ステージ４および待機ステージ５のボート２１のウエハＷに及ぶのを防止することができるため、これから処理される新規のウエハＷにおける処理済みボート２１Ｂの熱影響による処理精度の低下を未然に防止することができる。
【００５０】
5) これから処理される新規のウエハＷにおける処理済みボート２１Ｂの熱影響を回避することにより、待機中の処理室１２の温度を低下させなくて済むため、待機中の処理室１２の温度を低下させることによってスループットが低下するのを未然に回避することができる。
【００５１】
6) ウエハＷに熱影響が及ぶのを回避することにより、拡散ＣＶＤ装置の熱処理の精度を高めることができるとともに、ウエハによって製造される半導体装置の品質および信頼性を高めることができる。
【００５２】
7) 待機ステージ５および冷却ステージ６と熱処理ステージ４との間で第一ボート２１Ａおよび処理済みボート２１Ｂの入替え移送を実行することにより、ボート移送装置３０の第一アーム３１および第二アーム３２の回転半径を小さく設定することができるため、拡散ＣＶＤ装置の筐体２の左右（間口）および前後（奥行）の寸法を小さく設定することができる。
【００５３】
8) 筐体２の容積を小さく抑制することにより、クリーンユニット３のクリーンエア３５の供給量等を小さく設定することができるため、拡散ＣＶＤ装置のイニシャルコストおよびランニングコストを抑制することができる。
【００５４】
9) 待機ステージ５で先の処理済みボートのウエハＷのウエハ移載装置４１による排出（アンローディング）作業およびそのボートへのウエハ移載作業を処理室１２における熱処理中に実施することにより、ウエハアンローディング作業およびローディング作業と熱処理とを同時進行させることができるため、スループットを向上させることができる。
【００５５】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００５６】
例えば、拡散ＣＶＤ装置はアニール処理や酸化膜形成処理、拡散処理および成膜処理等の熱処理全般に使用することができる。
【００５７】
本実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式横形ホットウオール形拡散ＣＶＤ装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００５８】
前記実施の形態ではウエハに熱処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理済みボートの強制冷却時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である拡散ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
【図２】その斜視図である。
【図３】処理済みボートの冷却中を示す斜視図である。
【図４】同じく平面断面図である。
【図５】熱処理ステージの処理中を示す縦断面図である。
【図６】同じくボート搬出後を示す縦断面図である。
【図７】ボート移送装置を示す斜視図である。
【図８】クリーンユニットを示す斜視図である。
【図９】ウエハ移載装置を示す各側面図であり、（ａ）は短縮時を示し、（ｂ）は伸長時を示している。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（基板）、１…拡散ＣＶＤ装置（基板処理装置）、２…筐体、３…クリーンユニット、４…熱処理ステージ、５…待機ステージ、６…冷却ステージ、７…ウエハローディングステージ、８…ポッドステージ、９…ノッチ合わせ装置、１１…プロセスチューブ、１２…処理室、１３…炉口、１４…マニホールド、１５…シールリング、１６…排気管、１７…ガス導入管、１８…ヒータユニット、１９…キャップ、２０…エレベータ、２１…ボート、２１Ａ…第一ボート、２１Ｂ…第二ボート（処理済みボート）、２２…上側端板、２３…下側端板、２４…保持部材、２５…保持溝、２６…断熱キャップ部、２７…支柱、２８…係合部、２９…ベース、３０…ボート移送装置、３１…第一アーム、３２…第二アーム、３３…待機台、３４…冷却台、３５…クリーンエア、３６…吸込ダクト、３７…吸込ファン、３８…吹出ダクト、３９…吹出口、４０…排気用ファン、４１…ウエハ移載装置、４２…ベース、４３…ターンテーブル、４４…リニアガイド、４５…移動台、４６…取付台、４７…ツィーザ、４８…エレベータ、５０…ポッド、５１…ドア。

Claims (6)

1. 複数枚の基板を処理する処理室を形成したプロセスチューブと、
   前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートと、
   前記プロセスチューブの下側に設けられた熱処理ステージと、
   前記ボートを前記処理室と前記熱処理ステージとの間で昇降させるエレベータと、
   処理前の前記複数枚の基板を保持する前記ボートを待機させる待機ステージと、
   処理済みの前記複数枚の基板を保持した前記ボートを冷却する冷却ステージと、
   前記待機ステージの前記ボートに対して前記複数枚の基板を授受する基板移載装置と、
   を備えており、前記ボートが複数台使用される基板処理装置において、
   前記待機ステージおよび前記冷却ステージは、前記熱処理ステージを挟んで前記エレベータと反対側で、前記エレベータと前記熱処理ステージとを通過する直線を境界とした両側にそれぞれ配置されており、
   前記待機ステージおよび前記冷却ステージの前記熱処理ステージと反対側には、前記待機ステージの前記ボートおよび前記冷却ステージの前記ボートに向けてクリーンエアを吹き出す吹出口が設けられており、
   前記熱処理ステージを挟んで前記待機ステージおよび前記冷却ステージと反対側であって、前記冷却ステージと対向する側の領域には、前記クリーンエアを吸い込む吸込口が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記ボートを前記熱処理ステージと前記待機ステージおよび前記冷却ステージとの間で移送するボート移送装置が、前記待機ステージと前記冷却ステージとの間に設備されている請求項１の基板処理装置。
3. 前記待機ステージの前記ボートおよび前記冷却ステージの前記ボートに向けてクリーンエアを吹き出す吹出口は、前記熱処理ステージ、前記待機ステージおよび前記冷却ステージが設けられた筐体の一対の側壁の一方に設けられており、
   前記クリーンエアを吸い込む吸込口は、前記一対の側壁の他方における前記冷却ステージ側の隅に設けられている請求項１または２の基板処理装置。
4. 複数枚の基板を処理する処理室を形成したプロセスチューブと、
   前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートと、
   前記プロセスチューブの下側に設けられた熱処理ステージと、
   前記ボートを前記処理室と前記熱処理ステージとの間で昇降させるエレベータと、
   処理前の前記複数枚の基板を保持する前記ボートを待機させる待機ステージと、
   処理済みの前記複数枚の基板を保持した前記ボートを冷却する冷却ステージと、
   前記待機ステージの前記ボートに対して前記複数枚の基板を授受する基板移載装置と、が使用され、前記ボートが複数台使用される半導体装置の製造方法であって、
   前記処理室で前記ボートに保持された前記複数枚の基板を処理するステップと、
   前記待機ステージの前記ボートおよび前記冷却ステージの前記ボートに向けてクリーンエアを吹き出し、前記処理室から前記エレベータによって搬出され、前記熱処理ステージを挟んで前記エレベータと反対側で、前記エレベータと前記熱処理ステージとを通過する直線を境界とした両側にそれぞれ配置された前記待機ステージおよび前記冷却ステージのうちの前記冷却ステージに載置された前記処理済みのボートに向けて、前記待機ステージおよび前記冷却ステージの前記熱処理ステージと反対側に設けられた吹出口からクリーンエアを吹き出し、前記冷却ステージを通過した前記クリーンエアを、前記熱処理ステージを挟んで前記待機ステージおよび前記冷却ステージと反対側であって、前記冷却ステージと対向する側の領域に設けられた吸入口で吸い込むステップと、
   有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 前記待機ステージと前記冷却ステージとの間に設備され、前記熱処理ステージと前記待機ステージおよび前記冷却ステージとの間でボートを移送するボート移送装置によって、前記処理室から搬出された前記処理済みボートを前記冷却ステージに移送するステップを、有する請求項４の半導体装置の製造方法。
6. 前記クリーンエアは、前記熱処理ステージ、前記待機ステージおよび前記冷却ステージが設けられた筐体の一対の側壁の一方に設けられた吹出口から吹き出された後に、前記一対の側壁の他方における前記冷却ステージ側の隅に設けられた吸込口に吸い込まれる請求項４または５の半導体装置の製造方法。

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