JP3160877U - シャワーヘッド電極アセンブリの端部クランプ留めおよび機械固定される内側電極 - Google Patents
シャワーヘッド電極アセンブリの端部クランプ留めおよび機械固定される内側電極 Download PDFInfo
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Abstract
Description
102A、102B 熱制御プレート
104A、104B 上方プレート、上部プレート
106A、106B ガス注入穴
108A 位置合わせピン
108B 位置合わせリング
109A 位置合わせピン
110A、110B 上方電極
120A、120B 内側電極
120aa、120ba プラズマ暴露される表面
120ab、120bb 設置表面
130A、130B 外側電極
140A、140B 受け板
150A、150B クランプリング
160A ボルト
160B カムロック
170A、170B 圧縮リング
190 環状シュラウド
205 スタッド、ロックピン
207A カムシャフト
207B 細長カムシャフト
209 カムシャフト軸受
211A、211B 受け板ボア
213 ソケット
215 円板ばねスタック
301 スタッド/円板ばねアセンブリ
303 スタッド/ソケットアセンブリ
400A 分解図
401 キーイングピン
402 キースタッド
403A、403B 六角開口
420A 側部立面図
440A、440B カッターパス縁部
R1、R2 半径
520A、520B ねじ山付き止まり穴
530aa、530ab、530ac、530ba、530bb、530bc 止まり穴
532a、532b 内方段部
532aa、532ba 垂直方向表面
532ab、532bb 水平方向表面
534a、534b 外方段部
534aa、534ba 垂直方向表面
534ab、534bb 水平方向表面
540A、540Ba、540Bb 平滑な止まり穴
550A、550B 環状溝
610A プラスチックインサート
7100 内側ガスケット
7200 環状中間ガスケット
7300 環状外方ガスケット
701 第1のリング
702 第2のリング
703 第3のリング
703x、703y 円形穴
704 第4のリング
704s、704t、704u、704v、704w、704x、704y、704z 円形穴
705 第5のリング
706 第6のリング
707 第7のリング
708a、708b、708c 小径切欠部
708x、708y、708z 大径円形外向切欠部
709a 半円形外向切欠部
709b 円形内向切欠部
712 スポーク
723a、723b、723c、723d スポーク
723ah、723bh 丸角矩形開口
734 スポーク
745a、745b、745c、745d スポーク
745ah、745bh 丸角矩形開口
756 スポーク
756h 矩形開口
767a、767b、767c、767d スポーク
767ah、767bh 矩形開口
7400 内側ガスケット
7401 第1のリング
7402 第2のリング
7403 第3のリング
7403x、7403y 円形穴
7404 第4のリング
7405 第5のリング
7406 第6のリング
7407 第7のリング
7407ah、7407bh 切欠部
7412 スポーク
7423a、7423b、7423c、7423d スポーク
7423ah、7423bh 丸角矩形開口
7434 スポーク
7445a、7445b スポーク
7456 スポーク
7467a、7467b スポーク
7500 第1の環状ガスケット
7508a、7508b、7508c 小径切欠部
7508x、7508y、7508z 大径円形外向切欠部
7609a 円形穴
7610、7620、7630 円形穴
7600 第2の環状ガスケット
7700 第3の環状ガスケット
7701 円形外向切欠部
7800 内側ガスケット
Claims (17)
- 容量結合プラズマ処理チャンバ内のシャワーヘッド電極アセンブリ用の内側電極であって、前記シャワーヘッド電極アセンブリは、受け板の上面と下面との間に延在するガス注入穴を有する当該受け板、内方延在フランジと前記受け板の前記下面中の開口に係合する固定具を受容するように構成された穴とを有するクランプリング、内方延在フランジと前記受け板の前記下面中の開口に係合する固定具を受容するように構成された穴とを有する外側電極、位置合わせリング、前記内側電極を前記受け板に装着する複数のねじ式固定具、ならびに複数の位置合わせピンを備え、
前記内側電極は、
前記内側電極の下面上のプラズマ暴露される表面と、
前記内側電極の上面上の設置表面と、
前記内側電極の外周部上の第1の環状段部および第2の環状段部であって、それぞれ前記クランプリングの前記内方延在フランジおよび前記外側電極の前記内方延在フランジに対合するように構成された、当該第1の環状段部および第2の環状段部と、
前記内側電極の前記プラズマ暴露される表面と前記設置表面との間に延在し、前記受け板中の前記ガス注入穴に合致するパターンで配置された、複数のガス注入穴と、
前記位置合わせピンを受容するように構成された、前記設置表面中の複数のねじ山のない止まり穴と、
前記位置合わせリングを受容するように構成された、前記設置表面中の環状溝と、
前記内側電極を前記受け板に装着させるねじ式固定具を受容するように構成された、前記設置表面中の複数のねじ付き止まり穴と
を備えることを特徴とする内側電極。 - 前記ガス注入穴は、0.04インチ(1mm)以下の直径を有し、前記内側電極の中心に位置する1つの中心ガス注入穴と、8列の同心列のガス注入穴とを有するパターンで配置され、
第1の列が、前記内側電極の前記中心から約0.6〜0.7インチ(15〜18mm)のラジアル方向距離の位置に配置された、8個のガス注入穴を有し、
第2の列が、前記内側電極の前記中心から約1.3〜1.4インチ(33〜36mm)のラジアル方向距離の位置に配置された、18個のガス注入穴を有し、
第3の列が、前記内側電極の前記中心から約2.1〜2.2インチ(53〜56mm)のラジアル方向距離の位置に配置された、28個のガス注入穴を有し、
第4の列が、前記内側電極の前記中心から約2.8〜3.0インチ(71〜76mm)のラジアル方向距離の位置に配置された、38個のガス注入穴を有し、
第5の列が、前記内側電極の前記中心から約3.6〜3.7インチ(91〜94mm)のラジアル方向距離の位置に配置された、48個のガス注入穴を有し、
第6の列が、前記内側電極の前記中心から約4.4〜4.5インチ(112〜114mm)のラジアル方向距離の位置に配置された、58個のガス注入穴を有し、
第7の列が、前記内側電極の前記中心から約5.0〜5.1インチ(127〜130)のラジアル方向距離の位置に配置された、66個のガス注入穴を有し、
第8の列が、前記内側電極の前記中心から約5.7〜5.8インチ(145〜147mm)のラジアル方向距離の位置に配置された、74個のガス注入穴を有し、
各列中の前記ガス注入穴は、方位角的に均等に離間されることを特徴とする請求項1に記載の内側電極。 - 前記ガス注入穴は、0.04インチ(1mm)以下の直径を有し、前記内側電極の中心に位置する1つの中心ガス注入穴と、8列の同心列のガス注入穴とを有するパターンで配置され、
第1の列が、前記内側電極の前記中心から約0.6〜0.7インチ(15〜18mm)のラジアル方向距離の位置に配置された8個のガス注入穴を有し、
第2の列が、前記内側電極の前記中心から約1.3〜1.4インチ(33〜36mm)のラジアル方向距離の位置に配置された18個のガス注入穴を有し、
第3の列が、前記内側電極の前記中心から約2.1〜2.2インチ(53〜56mm)のラジアル方向距離の位置に配置された28個のガス注入穴を有し、
第4の列が、前記内側電極の前記中心から約2.8〜3.0インチ(71〜76mm)のラジアル方向距離の位置に配置された40個のガス注入穴を有し、
第5の列が、前記内側電極の前記中心から約3.6〜3.7インチ(91〜94mm)のラジアル方向距離の位置に配置された48個のガス注入穴を有し、
第6の列が、前記内側電極の前記中心から約4.4〜4.5インチ(112〜114mm)のラジアル方向距離の位置に配置された56個のガス注入穴を有し、
第7の列が、前記内側電極の前記中心から約5.0〜5.1インチ(127〜130)のラジアル方向距離の位置に配置された64個のガス注入穴を有し、
第8の列が、前記内側電極の前記中心から約5.7〜5.8インチ(145〜147mm)のラジアル方向距離の位置に配置された72個のガス注入穴を有し、
各列中の前記ガス注入穴は、方位角的に均等に離間されることを特徴とする請求項1に記載の内側電極。 - 前記複数のねじ付き止まり穴は、円形列の8つの均等に離間されたねじ付き止まり穴を含み、前記8つのねじ付き止まり穴はそれぞれ、1/4−32のねじ寸法にねじ山を施され、前記内側電極の前記中心から約2.4〜2.6インチ(61〜66mm)のラジアル方向距離の位置に配置され、少なくとも0.2インチ(15mm)の深さを有することを特徴とする請求項1に記載の内側電極。
- 前記8つのねじ付き止まり穴は、前記内側電極の半径の1/4から1/2の半径部分上に配置されることを特徴とする請求項4に記載の内側電極。
- 前記複数のねじ付き止まり穴は、円形列の8つの均等に離間されたねじ付き止まり穴を含み、前記8つの均等に離間されたねじ付き止まり穴は、7−16/28のねじ寸法にねじ山を施され、前記内側電極の前記中心から約2.4〜2.6インチ(61〜66mm)のラジアル方向距離の位置に配置され、少なくとも0.15インチ(38mm)の深さを有することを特徴とする請求項1に記載の内側電極。
- 前記位置合わせピンを受容するように構成された前記複数のねじ山のない止まり穴は、第1の穴のセットおよび第2の穴のセットを含み、
前記第1の穴のセットは、2つの穴を含み、前記2つの穴は、(a)前記内側電極の前記中心から約1.7〜1.8インチ(43〜46mm)のラジアル方向距離の位置に配置され、(b)ラジアル方向に整列され、互いから約180°または約175°だけ方位角的に偏移され、(c)約0.10〜0.12インチ(2.5〜3.0mm)の直径を有し、(d)少なくとも0.2インチ(5mm)の深さを有し、
前記第2の穴のセットは、第1の穴、第2の穴、および第3の穴を含み、(a)前記第1の穴、前記第2の穴、および前記第3の穴は、前記内側電極の前記中心から約6.0〜6.1インチ(152〜155mm)のラジアル方向距離の位置に配置され、(b)前記第1の穴は、前記第1のセット中の1つの穴から時計回り方向に約10°だけ方位角的に偏移され、(c)前記第2の穴および前記第3の穴は、前記第1の穴にラジアル方向に整列され、前記第1の穴から反時計回り方向に約92.5°および約190°だけ方位角的に偏移され、(d)約0.11〜0.12インチ(2.8〜3.0mm)の直径を有し、(e)少なくとも0.1インチ(2.5mm)の深さを有することを特徴とする請求項1に記載の内側電極。 - 前記内側電極は、約0.4インチ(約10mm)の均一厚さおよび約12.5インチ(318mm)の直径を有する平坦な円盤であり、前記第1の段部は、約12.1インチ(307mm)の内径および約0.11インチ(2.8mm)の長さの垂直方向表面を有し、前記第2のステップは、約12.0インチの内径および約0.13インチの長さの垂直方向表面を有し、前記環状溝は、約0.44インチ(11mm)の外径、約0.24インチ(6.1mm)の内径、および少なくとも0.1インチ(2.5mm)の深さを有し、前記内側電極は、0.005から0.020オーム・センチの間の抵抗および10ppm未満の重金属汚染物質総量を有する単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなるプレートから製造されることを特徴とする、請求項1に記載の内側電極。
- シャワーヘッド電極アセンブリ中に設置されるように構成されたガスケットセットにおける熱伝導性および導電性ガスケットであって、前記シャワーヘッド電極アセンブリは、8列の円形列のガス注入穴と、複数の位置合わせピン穴と、固定機構を受容するための位置合わせリング溝および/または複数のねじ穴とを有する内側電極、固定機構を受容するための複数のねじ穴を有する外側電極、ならびに固定機構を受容するための複数のねじ穴を有する環状シュラウドを備え、
前記ガスケットセットは、
複数のスポークにより連結された複数の同心平坦リングを備え、前記内側電極の上に設置されるように構成された内側ガスケットと、
複数の切欠部を有する平坦環状リングを備え、前記内側ガスケットを囲み、前記内側ガスケットと同心であり、前記内側電極の上に設置されるように構成された第1の環状ガスケットと、
複数の切欠部を有する平坦環状リングを備え、前記第1の環状ガスケットを囲み、前記第1の環状ガスケットと同心であり、前記外側電極の上に設置されるように構成された第2の環状ガスケットと、
複数の切欠部を有する平坦環状リングを備え、前記第2の環状ガスケットを囲み、前記第2の環状ガスケットと同心であり、前記環状シュラウドの上に設置されるように構成された第3の環状ガスケットと
から構成され、前記ガスケットは、ガス注入穴、位置合わせピン穴、前記位置合わせリング溝、および/または前記ねじ穴に対応することを特徴とする、ガスケット。 - 前記内側ガスケット中の前記同心平坦リングは、連続的である、または分節されることを特徴とする請求項9に記載のガスケット。
- 前記内側ガスケットは、約0.006インチ(0.15mm)の厚さおよび少なくとも0.1インチ(2.5mm)の幅を有する少なくとも6つの同心平坦リングを含み、第1のリングが、少なくとも0.44インチ(11mm)の内径および最大で1.35インチ(34.3mm)の外径を有し、第2のリングが、少なくとも1.35インチ(34.3mm)の内径および最大で2.68インチ(68.1mm)の外径を有し、第3のリングが、少なくとも2.68インチ(68.1mm)の内径および最大で4.23インチ(107mm)の外径を有し、第4のリングが、少なくとも4.23インチ(107mm)の内径および最大で5.79インチ(147mm)の外径を有し、第5のリングが、少なくとも5.79インチ(147mm)の内径および最大で7.34インチ(186mm)の外径を有し、第6のリングが、少なくとも7.34インチ(186mm)の内径および最大で8.89インチ(226mm)の外径を有することを特徴とする請求項9に記載のガスケット。
- (a)前記第1の環状ガスケットは、固定機構に対応するように構成された外周部の上の3つの切欠部と、位置合わせピンに対応するように構成された内周部の上の3つの切欠部とを有し、
(b)前記第2の環状ガスケットは、内周部の上の1つの切欠部と、固定機構に対応するように構成された第1の8個穴のセットと、ツールのアクセスを可能にするように構成された第2の3個穴のセットとを有し、前記第1のセット中の前記穴の直径が、前記第2のセット中の前記穴の直径よりも大きく、
(c)前記第3の環状ガスケットは、固定機構に対応するように構成された外周部の上の8つの切欠部を有し、内周部の上には切欠部を有さないことを特徴とする請求項9に記載のガスケット。 - (a)前記第1の環状ガスケットは、約0.006インチ(0.15mm)の厚さ、少なくとも0.1インチの幅、約11.95インチ(303.5mm)の内径、および約12.47インチ(316.7mm)の外径を有し、
(b)前記第2の環状ガスケットは、約0.006インチ(0.15mm)の厚さ、少なくとも0.1インチ(2.5mm)の幅、約13.90インチ(353.0mm)の内径、および約16.75インチの外径を有し、
(c)前記第3の環状ガスケットは、約0.006インチ(0.15mm)の厚さ、少なくとも0.1インチ(2.5mm)の幅、17.29インチ(439.2mm)の内径、および約18.69インチ(474.7mm)の外径を有することを特徴とする請求項9に記載のガスケット。 - 請求項1に記載の前記内側電極を備えるシャワーヘッド電極アセンブリであって、前記受け板は、前記クランプリングおよび前記ねじ式固定具によって前記内側電極に装着される、シャワーヘッド電極アセンブリにおいて、前記ねじ式固定具は、前記ねじ付き止まり穴内にねじ留めされることを特徴とする、シャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記内側電極の前記第2の段部と対合する内方延在フランジを有する前記外側電極をさらに備え、前記外側電極は、前記外側電極の上に設置される、拡張ヘッドを有するスタッドと、前記受け板中に設置される回転自在カムシャフトとを備えるカムロックによって、前記受け板に装着され、前記回転自在カムシャフトは、前記スタッドの拡張ヘッドに係合する偏心切欠部を有することを特徴とする、請求項14に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記ねじ付き止まり穴は、前記内側電極の半径の1/4から1/2の半径部分上に配置され、前記ねじ式固定具は、前記ねじ付き止まり穴にねじ式係合されるソケットを備え、前記ソケットは、拡張ヘッドを有するスタッドを備え、前記拡張ヘッドは、前記内側電極の上に設置されるスタッドおよび前記外側電極の上に設置されるスタッドが、前記回転自在カムシャフトの中の1つの中の切欠部中に同時に係合されるように、前記回転自在カムシャフト中の偏心切欠部に係合することを特徴とする請求項15に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 請求項16に記載の前記シャワーヘッド電極アセンブリを組み付ける方法において、
前記内側電極の前記設置表面の上の前記環状溝の中に前記位置合わせリングを挿入するステップと、
前記内側電極の前記設置表面の上の前記複数のねじ山のない止まり穴の中に位置合わせピンを挿入するステップと、
前記内側電極の前記設置表面の上に内側ガスケットおよび第1の環状ガスケットを設置するステップと、
複数のボルトにより、前記受け板に対して前記内側電極の前記外方段部の周囲に前記クランプリングを固定するステップと、
前記外側電極の前記上面の上に第2の環状ガスケットを配置するステップと、
カムロックにより、前記外方ガスケットが上に設置される前記外側電極と、前記内側電極とを、前記受け板に固定するステップと
を含むことを特徴とする、方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012030382A2 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8470127B2 (en) | 2011-01-06 | 2013-06-25 | Lam Research Corporation | Cam-locked showerhead electrode and assembly |
TWI680490B (zh) * | 2014-07-11 | 2019-12-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置及上部電極總成 |
JP7203262B1 (ja) | 2022-03-31 | 2023-01-12 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7462771B2 (ja) | 2020-02-03 | 2024-04-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シャワーヘッドアセンブリ |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8161906B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8221582B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
US8272346B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
KR200464037Y1 (ko) * | 2009-10-13 | 2012-12-07 | 램 리써치 코포레이션 | 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극 |
US9245717B2 (en) * | 2011-05-31 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor |
TW201317372A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 鍍膜修正板及鍍膜裝置 |
CN102601873B (zh) * | 2012-03-28 | 2014-09-03 | 长春光华微电子设备工程中心有限公司 | 精密机械用绝缘垫板及其制作方法 |
US20130284092A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Faceplate having regions of differing emissivity |
US9058960B2 (en) * | 2012-05-09 | 2015-06-16 | Lam Research Corporation | Compression member for use in showerhead electrode assembly |
US9267205B1 (en) * | 2012-05-30 | 2016-02-23 | Alta Devices, Inc. | Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor |
KR101482630B1 (ko) * | 2012-11-07 | 2015-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치 |
US9610591B2 (en) * | 2013-01-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable gas distribution plate |
US8883029B2 (en) * | 2013-02-13 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Method of making a gas distribution member for a plasma processing chamber |
US9911579B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate |
JP6298373B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2018-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置および上部電極アセンブリ |
CN107523806A (zh) * | 2014-09-08 | 2017-12-29 | 应用材料公司 | 蜂巢式多区域气体分配板 |
US9847599B2 (en) * | 2014-10-17 | 2017-12-19 | Raytheon Company | Longitudinal, tolerance-mitigating cam-lock fastening system |
KR102398067B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2022-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전 척 |
US20180230597A1 (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of remote plasmas flowable cvd chamber |
US20180323039A1 (en) * | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Applied Materials, Inc. | Active far edge plasma tunability |
US20190048467A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | Showerhead and process chamber incorporating same |
TWI805813B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-06-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於熱沉積的氣體分配板 |
KR102198929B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2021-01-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛 |
KR102168313B1 (ko) * | 2019-09-09 | 2020-10-21 | 김홍석 | 플라즈마챔버 전극 체결부재 |
CN115867999A (zh) * | 2020-06-06 | 2023-03-28 | 朗姆研究公司 | 用于半导体处理的可移除喷头面板 |
US20230383406A1 (en) * | 2020-09-25 | 2023-11-30 | Lam Research Corporation | Axially cooled metal showerheads for high temperature processes |
WO2023027199A1 (ko) * | 2021-08-23 | 2023-03-02 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6017577Y2 (ja) | 1979-12-10 | 1985-05-29 | 黒田精工株式会社 | 油圧弁 |
JPS5687667A (en) | 1979-12-20 | 1981-07-16 | Toshiba Corp | Reactive ion etching method |
US4585920A (en) * | 1982-05-21 | 1986-04-29 | Tegal Corporation | Plasma reactor removable insert |
US4612077A (en) * | 1985-07-29 | 1986-09-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Electrode for plasma etching system |
US4908095A (en) * | 1988-05-02 | 1990-03-13 | Tokyo Electron Limited | Etching device, and etching method |
US5074456A (en) | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
JPH04355917A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-12-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置 |
US5356515A (en) | 1990-10-19 | 1994-10-18 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
USD363464S (en) | 1992-08-27 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Electrode for a semiconductor processing apparatus |
US5423936A (en) * | 1992-10-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching system |
KR100324792B1 (ko) * | 1993-03-31 | 2002-06-20 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
JPH0766180A (ja) | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Sony Corp | プラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法 |
US5538262A (en) * | 1993-11-08 | 1996-07-23 | Matsumura; Keizo | Ultra-high vacuum gasket and vacuum apparatus using the same |
KR950020993A (ko) * | 1993-12-22 | 1995-07-26 | 김광호 | 반도체 제조장치 |
US5680013A (en) * | 1994-03-15 | 1997-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces |
US5589002A (en) | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
JP3468859B2 (ja) * | 1994-08-16 | 2003-11-17 | 富士通株式会社 | 気相処理装置及び気相処理方法 |
US5746875A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
US5590975A (en) * | 1994-12-06 | 1997-01-07 | Horntvedt; Earl | Fastening assembly |
US6086710A (en) * | 1995-04-07 | 2000-07-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment apparatus |
US5569356A (en) | 1995-05-19 | 1996-10-29 | Lam Research Corporation | Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof |
JPH0913172A (ja) | 1995-06-28 | 1997-01-14 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置用昇降機構 |
US5534751A (en) * | 1995-07-10 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement |
US5792269A (en) * | 1995-10-31 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution for CVD systems |
JPH09245994A (ja) | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Nagano Keiki Seisakusho Ltd | プラズマ利用の加工装置用電極およびその電極の製造方法 |
USD411516S (en) * | 1996-03-15 | 1999-06-29 | Tokyo Electron Limited | Gas diffusion plate for electrode of semiconductor wafer processing apparatus |
JP3728021B2 (ja) | 1996-06-28 | 2005-12-21 | 日清紡績株式会社 | プラズマエッチング電極及びその製造方法 |
JP3310171B2 (ja) * | 1996-07-17 | 2002-07-29 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6444037B1 (en) * | 1996-11-13 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber liner for high temperature processing chamber |
US5740009A (en) * | 1996-11-29 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improving wafer and chuck edge protection |
TW415970B (en) | 1997-01-08 | 2000-12-21 | Ebara Corp | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
USD412513S (en) * | 1997-01-29 | 1999-08-03 | Tokyo Electron Limited | Upper electrode for manufacturing semiconductors |
JP2001525997A (ja) * | 1997-05-20 | 2001-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US6024799A (en) * | 1997-07-11 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition manifold |
JP3480271B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置のシャワーヘッド構造 |
US6110556A (en) * | 1997-10-17 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
US6079356A (en) * | 1997-12-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium |
US6039836A (en) * | 1997-12-19 | 2000-03-21 | Lam Research Corporation | Focus rings |
USD420022S (en) * | 1997-12-24 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved spacing and charge migration reduction mask |
US6050506A (en) * | 1998-02-13 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition |
US5997649A (en) | 1998-04-09 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Stacked showerhead assembly for delivering gases and RF power to a reaction chamber |
US6302964B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US6550126B1 (en) * | 1998-07-30 | 2003-04-22 | Sony Electronics, Inc | Method for mounting electrode assembly |
US6228208B1 (en) * | 1998-08-12 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma density and etch rate enhancing semiconductor processing chamber |
US6050216A (en) * | 1998-08-21 | 2000-04-18 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode for plasma processing |
US6178919B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
WO2000045425A1 (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-03 | Tokyo Electron Limited | Etching system and etching chamber |
US20020179245A1 (en) | 1999-03-17 | 2002-12-05 | Toshio Masuda | Plasma processing apparatus and maintenance method therefor |
US6305677B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-10-23 | Lam Research Corporation | Perimeter wafer lifting |
US6173673B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-01-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for insulating a high power RF electrode through which plasma discharge gases are injected into a processing chamber |
US6200415B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-03-13 | Lam Research Corporation | Load controlled rapid assembly clamp ring |
US6245192B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6206972B1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-03-27 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
US6495233B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system |
JP4323021B2 (ja) | 1999-09-13 | 2009-09-02 | 株式会社エフオーアイ | プラズマ処理装置 |
JP2001150267A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Howa Mach Ltd | 旋回クランプシリンダ |
USD441348S1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-05-01 | Applied Materials, Inc. | Process chamber lid |
US6350317B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Linear drive system for use in a plasma processing system |
JP4437351B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2010-03-24 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマエッチング装置 |
US6477980B1 (en) | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6237528B1 (en) * | 2000-01-24 | 2001-05-29 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode assembly for plasma processing |
US6170432B1 (en) * | 2000-01-24 | 2001-01-09 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode assembly for plasma processing |
US6383931B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-05-07 | Lam Research Corporation | Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch |
JP3411539B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2003-06-03 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US7196283B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-03-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface |
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
US6553932B2 (en) * | 2000-05-12 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes |
CN1199247C (zh) * | 2000-05-17 | 2005-04-27 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体刻蚀处理装置及其维护方法 |
US6461435B1 (en) | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Showerhead with reduced contact area |
US6753498B2 (en) * | 2000-07-20 | 2004-06-22 | Tokyo Electron Limited | Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system |
US6412437B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process |
US6391787B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
JP3775987B2 (ja) | 2000-12-26 | 2006-05-17 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20020127853A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-09-12 | Hubacek Jerome S. | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US7211170B2 (en) | 2001-04-02 | 2007-05-01 | Lam Research Corporation | Twist-N-Lock wafer area pressure ring and assembly |
US6818096B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-11-16 | Michael Barnes | Plasma reactor electrode |
KR100400044B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2003-09-29 | 삼성전자주식회사 | 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드 |
US6786175B2 (en) * | 2001-08-08 | 2004-09-07 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode design for semiconductor processing reactor |
US6586886B1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate electrode for a plasma reactor |
US20030127806A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Belchuk Mark A. | Alignment feature for a fuel cell seal |
US6827815B2 (en) * | 2002-01-15 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly for a processing chamber |
US7479304B2 (en) * | 2002-02-14 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate fabricated from a solid yttrium oxide-comprising substrate |
US20030185729A1 (en) | 2002-03-29 | 2003-10-02 | Ho Ko | Electrode assembly for processing a semiconductor substrate and processing apparatus having the same |
US6936135B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-08-30 | Lam Research Corporation | Twist-N-Lock wafer area pressure ring and assembly for reducing particulate contaminant in a plasma processing chamber |
USD490450S1 (en) * | 2002-05-20 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Exhaust ring for semiconductor equipment |
JP4847009B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2011-12-28 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理プラズマ反応器用の多部品電極および多部品電極の一部を取り換える方法 |
USD493873S1 (en) * | 2002-05-24 | 2004-08-03 | Tokyo Electron Limited | Heating gas supplier for semiconductor manufacturing equipment |
US7166200B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
JP4753276B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US7270713B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
JP4472372B2 (ja) | 2003-02-03 | 2010-06-02 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
US20040173313A1 (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-09 | Bradley Beach | Fire polished showerhead electrode |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
US7296534B2 (en) | 2003-04-30 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Hybrid ball-lock attachment apparatus |
US7083702B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | RF current return path for a large area substrate plasma reactor |
JP2005019606A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置におけるガスシャワーヘッドまたはターゲットプレートを電極に固定する装置 |
JP4536662B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置および放熱方法 |
US20050116427A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-02 | Francis Seidel | Corrugated gasket core with profiled surface |
US7645341B2 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
JP4403919B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2010-01-27 | 株式会社Sumco | 耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 |
US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US7712434B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing |
US7988816B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US7740737B2 (en) * | 2004-06-21 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US20060042754A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
US20060043067A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Lam Research Corporation | Yttria insulator ring for use inside a plasma chamber |
US7244311B2 (en) * | 2004-10-13 | 2007-07-17 | Lam Research Corporation | Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity |
JP2006128000A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20060108069A1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma reaction chamber and captive silicon electrode plate for processing semiconductor wafers |
US7430986B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics |
KR100621778B1 (ko) | 2005-06-17 | 2006-09-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US7713379B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition |
US20060288934A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | Electrode assembly and plasma processing apparatus |
US7431788B2 (en) * | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Method of protecting a bond layer in a substrate support adapted for use in a plasma processing system |
US20070032081A1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-08 | Jeremy Chang | Edge ring assembly with dielectric spacer ring |
JP4628900B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2011-02-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US8679252B2 (en) * | 2005-09-23 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof |
US8789493B2 (en) * | 2006-02-13 | 2014-07-29 | Lam Research Corporation | Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch |
US8008596B2 (en) * | 2006-03-16 | 2011-08-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and electrode used therein |
US8635971B2 (en) | 2006-03-31 | 2014-01-28 | Lam Research Corporation | Tunable uniformity in a plasma processing system |
US8440049B2 (en) * | 2006-05-03 | 2013-05-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching high aspect ratio features |
US7829468B2 (en) | 2006-06-07 | 2010-11-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor |
US7740736B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-06-22 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber |
US7854820B2 (en) * | 2006-10-16 | 2010-12-21 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
US7875824B2 (en) * | 2006-10-16 | 2011-01-25 | Lam Research Corporation | Quartz guard ring centering features |
US20080087641A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Lam Research Corporation | Components for a plasma processing apparatus |
US8702866B2 (en) * | 2006-12-18 | 2014-04-22 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly with gas flow modification for extended electrode life |
US8398778B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-03-19 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
US8216418B2 (en) | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
US7862682B2 (en) | 2007-06-13 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses |
JP5194125B2 (ja) | 2007-09-25 | 2013-05-08 | ラム リサーチ コーポレーション | シャワーヘッド電極アセンブリ用の温度制御モジュール、シャワーヘッド電極アセンブリ及びシャワーヘッド電極アセンブリの上部電極の温度を制御する方法 |
US8187414B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers |
US8152954B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-04-10 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same |
US8673080B2 (en) * | 2007-10-16 | 2014-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
US20090159213A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead |
SG10201407723PA (en) | 2007-12-19 | 2014-12-30 | Lam Res Corp | A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
JP5224855B2 (ja) | 2008-03-05 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極ユニット、基板処理装置及び電極ユニットの温度制御方法 |
JP5650547B2 (ja) | 2008-03-14 | 2015-01-07 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | カムロック電極クランプ |
US8187413B2 (en) | 2008-03-18 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket |
US8206506B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8161906B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8221582B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
US8402918B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode with centering feature |
US8272346B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
SG178287A1 (en) | 2009-08-31 | 2012-03-29 | Lam Res Corp | A local plasma confinement and pressure control arrangement and methods thereof |
KR102164678B1 (ko) | 2009-08-31 | 2020-10-12 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
US8419959B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-04-16 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
KR200464037Y1 (ko) * | 2009-10-13 | 2012-12-07 | 램 리써치 코포레이션 | 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극 |
US8573152B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
-
2010
- 2010-01-21 KR KR2020100000703U patent/KR200464037Y1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-21 JP JP2010000333U patent/JP3160877U/ja not_active Expired - Lifetime
- 2010-01-22 TW TW099201343U patent/TWM396561U/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-01-22 CN CN2010201141288U patent/CN201781676U/zh not_active Expired - Lifetime
- 2010-05-11 JP JP2010003065U patent/JP3161173U/ja not_active Expired - Lifetime
- 2010-10-12 FR FR1058302A patent/FR2951317B1/fr active Active
- 2010-10-13 US US12/903,412 patent/US9245716B2/en active Active
- 2010-10-13 SG SG201007631-3A patent/SG170697A1/en unknown
- 2010-10-13 DE DE202010014257U patent/DE202010014257U1/de not_active Expired - Lifetime
-
2015
- 2015-12-09 US US14/964,103 patent/US10262834B2/en active Active
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012030382A2 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
WO2012030382A3 (en) * | 2010-09-03 | 2012-08-23 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
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