JP3004699B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理方法

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JP3004699B2 JP2237665A JP23766590A JP3004699B2 JP 3004699 B2 JP3004699 B2 JP 3004699B2 JP 2237665 A JP2237665 A JP 2237665A JP 23766590 A JP23766590 A JP 23766590A JP 3004699 B2 JP3004699 B2 JP 3004699B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマ処理方法に関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題） プラズマ処理例えばプラズマエッチングでは、真空チ
ャンバー内に平行平板電極を配置し、エッチングガスが
導入される前記電極間に高周波（RFともいう）電圧を印
加してプラズマを生成し、一方の前記電極上に載置され
た被処理体をエッチングする平行平板電極型のエッチン
グ装置は公知である。
この種のエッチング装置では、真空チャンバー内圧力
を比較的低くした低圧エッチングが試みられている。こ
の際、低圧条件ではガス密度が低いので、平行平板電極
間に高周波電圧を印加したのみではプラズマが立ち難
く、プラズマが安定するまでのマッチング時間が長くな
ったり、また、その再現性が悪化するという問題が生じ
ていた。この傾向は、高周波電力を低くする程顕著であ
り、低圧，低RFパワーの条件で、かつ、平行平板電極間
距離が短いプラズマ処理装置にて、プラズマ発生を容易
に行なう要求があった。
従来、上記各条件下でプラズマ処理を行なうために
は、ECR方式あるいはマグネトロンプラズマエッチング
方式などが採用されているが、本発明者等はこのような
方式を採用せずに、平行平板電極型プラズマ処理装置に
て、安定したプラズマ発生を行なえる方法につき開発を
試みた。
本発明の目的とするところは、低圧，低RFパワーで平
行平板電極間距離が短いプラズマ処理条件にて、安定し
たプラズマを迅速に発生することができるプラズマ処理
方法を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１に記載の発明に係るプラズマ処理方法は、真
空チャンバー内に平行平板電極を配置し、プロセスガス
が導入される前記電極間に高周波電圧を印加してプラズ
マを生成し、一方の前記電極上に載置された被処理体を
処理する方法において、 前記真空チャンバー内の前記平行平板電極間に436nm
以下の波長にて発光スペクトルのピーク強度を有する光
源光を照射し、その後に前記高周波電圧を印加し、 前記真空チャンバー内圧力を1Torr以下とし、高周波
電力を400W以下として、前記高周波電圧印加後にプラズ
マが安定に至るまでのマッチング時間を短縮したことを
特徴とする。
請求項２に記載のプラズマ処理方法は、請求項（１）
において、 前記高周波電圧を印加して、前記平行平板電極間に生
成された前記プラズマが安定した後、前記光の照射を停
止することを特徴とする。
請求項３に記載のプラズマ処理方法は、請求項（１）
又は（２）において、 前記光は、254nm〜436nmの波長にて発光スペクトルの
ピーク強度を有する低圧水銀ランプにて発生されること
を特徴とする。
（作用） 請求項１に記載の発明では、特定波長帯域に発光スペ
クトルのピーク強度を有する光源光を平行平板電極間に
照射した後、高周波（RF）電圧を印加している。これに
より、1Torr以下という低圧、400w以下という低RFパワ
ーでも、RF印加時よりプラズマが安定となる時までのマ
ッチング時間を比較的短くでき、しかも再現性良くプラ
ズマを発生できる。
請求項２に記載の発明では、プラズマ安定後のタイミ
ングで光の照射を停止させている。このように、光照射
は、プラズマ励起時にのみ効果を有するので、プラズマ
安定後は、光エネルギーがなくても、高周波電力だけ
で、プラズマの安定状態を維持し、プラズマ処理を続行
することができる。尚、光照射を停止させるタイミング
は、プラズマ安定後であれば任意に設定できる。
請求項３に記載の発明では、光の照射源として、254n
m〜436nmの波長で発光スペクトルのピーク強度を有する
低圧水銀ランプを用いている。
ここで、低圧水銀ランプとは、真空のガラス管内に水
銀蒸気を封入した放電光源で、かつ、内部蒸気圧が数mT
orr前後とっている。そして、低圧水銀ランプを発光さ
せると、スペクトル線が紫外線から可視光線まで数十本
確認されるが、このうち254nmが最も強く全放射の92％
以上を占め、次に436nmがこれに続いている。
これにより、低圧水銀ランプを前記光を照射する手段
として用いれば、プラズマ励起アシストとして十分に機
能することが可能となり、低圧、低RFパワーのプロセス
条件のマッチング時間短縮が可能となる。
尚、低圧水銀ランプは、高出力で純粋な水銀スペクト
ルをもち、すぐれた安定性、再現性を有し、長寿命であ
るという利点もある。
（実施例） 以下、本発明をプラズマエッチング方法に適用した一
実施例について図面を参照して具体的に説明する。
まず、本実施例方法を実施するプラズマエッチング装
置について第１図，第２図を参照して説明すると、下部
電極10上には半導体ウエハ12が載置され、クランパ14に
より所定クランプ圧で固定される。なお、クランプ14に
代えて静電チャック等を用いても良い。また、下部電極
10を介して半導体ウエハ12を所定温度に冷却しており、
この際の熱伝達を良好とするため、下部電極10とウエハ
12間にガス例えばHeガスを充填することもできる。この
下部電極10と対向配置される上部電極として、Gap距離
Ｐ（1cm以下）を隔てて平行に設けられたチャンバー壁1
6を有する。この両者で平行平板電極を構成している。
そして、本実施例では上部電極であるチャンバー壁16に
RF電源18を接続し、下部電極10を接地することで、アノ
ードカップリング（PE）方式としている。なお、これと
は逆のカソードカップリング（RIE）方式を採用するこ
ともできる。
前記チャンバー壁16にて気密なプロセスチャンバー20
を構成しており、このプロセスチャンバー20は所定真空
度に真空引きが可能であると共に、前記平行平板電極間
にエッチングガスが導入可能となっている。そして、エ
ッチングガスを導入した状態にて平行平板電極間にRF電
圧を印加すると、平行平板電極間にプラズマが生成さ
れ、半導体ウエハ12のエッチングが可能となっている。
前記プロセスチャンバー20の相対向する両側面には、
それぞれ真空引きが可能な搬入，搬出用ロードロックチ
ャンバー22,24が、開閉可能なゲートを介して連結され
ている。また、プロセスチャンバー20の他の側面には、
透明な窓部20aが設けられ、この窓部20aに臨んでプラズ
マアシストとして例えば低圧水銀ランプ30と、プラズマ
のエンド・ポイント・ディテクタ（EPDと略記する）32
とが設けられている。
前記低圧水銀ランプ30とは、真空のガラス管内に水銀
蒸気を封入した放電光源で、かつ、内部蒸気圧が数mTor
r前後となっている。本実施例で用いられる低圧水銀ラ
ンプ30は、スペクトル線が紫外線から可視まで数十本確
認されるが、このうち254nmが最も強く全放射の92％以
上を占め、次に436nmがこれに続いている。
次に、上記実施例装置でのプラズマエッチング方法に
ついて、第３図のタイミングチャートを参照して説明す
る。
処理される半導体ウエハ12は図示しないセンダより一
枚取り出され、搬入側ロードロックチャンバー22にて大
気との接触を断たれた後、プロセスチャンバー20内に搬
入される。そして、クランパ14にてウエハ12は所定クラ
ンプ圧にて下部電極10上に固定される。その後、エッチ
ングガスがプロセスチャンバー20内に導入され、チャン
バー内圧力が1Torr以下とされる。
本実施例では、次に実施されるRF電圧（RFパワーが40
0W以下）の印加前に、低圧水銀ランプ30をONさせ、平行
平板電極間のエッチングガスに光照射している。このよ
うな光照射の後にRF電圧を印加すると、たとえ低圧，低
RFパワーのプロセス条件でも、RF印加時t1よりプラズマ
が安定となる時t2までのマッチング時間Ｔを比較的短く
でき、しかも再現性良くプラズマを発生することができ
た。なお、第３図では低圧水銀ランプ30のON駆動をプラ
ズマ安定後も続行しているが、プラズマ安定後のt3のタ
イミングでOFFするものでも良い。このような現象は、
低圧水銀ランプ30の光照射がプラズマ励起アシストとし
て作用するからであり、このことは、下記の実験結果よ
り明らかとなる。
実験例 下記表１のA,B,Cのプロセス条件下で、螢光灯の照
射，消灯時と、低圧水銀ランプ30の光照射，消灯時と
の、マッチング時間Ｔを測定した。
マッチングの取り易さは、Ａ＞Ｂ＞Ｃである。
実験結果 蛍光灯の照射，消灯時のマッチング時間は下記の表２
の通りであった。なお、下記の表において、“−”は20
秒間プラズマが発光しないマッチング不良である。
一方、より条件の悪いB,C条件下で低圧水銀ランプ30
の照射，消灯した時のマッチング時間は下記の表３の通
りであった。
この表から明らかなように、螢光灯を照射することに
より、消灯時よりも効果は認められるが、よりプロセス
条件が悪化するほどマッチング時間が長くなり、Ｃ条件
ではマッチング不良が発生している。一方、低圧水銀ラ
ンプ30を照射すると、B,C条件共に比較的短い時間でマ
ッチングが取れ、計10回の実験において再現性良くプラ
ズマを発生することができた。
実験例 低圧水銀ランプ30として、浜松ホトニクス社製の下記
の３種のUVランプを使用して実験を行った。各ランプの
放射出力強度は、光源より1m離れた位置での波長254nm
の光強度として測定したものである。
ランプの種類 放射出力強度 UV−01 ２μW/cm2 UV−02 ４μW/cm2 UV−03 ５μW/cm2 この３種のランプを用い、クランプ圧等は上記実験例
と同一に設定し、チャンバー内圧力,RFパワー，電極
間Gapをそれぞれ異なる条件に設定して、マッチング時
間Ｔを測定した。
（ａ）電極間Gap＝0.55cm, プロセスガス:Hcl/HBr＝200/30sccm でのプロセス条件では下記の表４の結果が得られた。
ただし、この表４を含め後述する表９までにおいて、
“−”は、10秒を越えてプラズマ発光のないものを示
す。
（ｂ）電極間Gap＝0.7cm, プロセスガス:Hcl/HBr＝200/30sccm でのプロセス条件では下記の表５の結果が得られた。
（ｃ）電極間Gap＝0.55cm, プロセスガス:Hcl/HBr＝200/100sccm でのプロセス条件では下記の表６の結果が得られた。
（ｄ）電極間Gap＝0.7cm, プロセスガス:Hcl/BHr＝200/100sccm でのプロセス条件では下記の表７の結果が得られた。
（ｅ）電極間Gap＝0.55cm, プロセスガス:Hcl/HBr＝200/200sccm でのプロセス条件では下記の表８の結果が得られた。
（ｅ）電極間Gap＝0.7cm, プロセスガス:Hcl/HBr＝200/200sccm でのプロセス条件では下記の表９の結果が得られた。
実験例 上記各実験例では、プロセスガスとして主にHclとHBr
との組み合わせとしたが、これは近年ccl4がフロン規制
対象ガスとして使用できなくなる傾向にあり、これに代
えてHBrの需要が高まるからであり、その最適プロセス
条件の把握が急務となっているからである。
この実験例では、HBrを用いた各種プロセスについ
て実験した。
＜Poly−Si高選択比異方性プロセス＞ エッチング条件 圧力:500mTorr,GAP:0.5cm, RFパワー:200W, ガス:Hcl/HBr＝200/300SCCM クランプ圧:5kg/cm2 He流量:5SCCM,He圧力:3Torr, 上部／下部電極温度＝40/60℃ エッチング特性 上記条件にて下記の特性が得られた。
エッチングレート:3000Å/min±５％ OXIDEに対する選択比:30以上 P.Rに対する選択比:7以上 ＜Hcl流量依存性＞ 上記のプロセス条件下で、Hclの流量のみを種々一定
し、SiO2,Poly Si及びP.Rの各エッチングレートを測定
した結果を第４図に示す。
同図に示すように、HBrを30SCCMと固定した場合に
は、Hclを200SCCM付近でPoli Siのエッチングレートが
最大となる。そして、他の層のエッチングレートとの関
係から、高い異方性エッチングを行う場合には、Hclに
対するHBr流量を、体積比で50％以下とするものが好ま
しい。
＜総流量依存性＞ HBr:Hcl＝1:1.67の流量比に固定し、その総流量を変
化させ、他のプロセス条件は上記と同一に設定して、同
様にエッチングレートを測定した結果を第５図に示す。
Poly SiO2に対するエッチングレートは総流量が180SC
CM付近で最大となるが、高い異方性エッチングの確保の
ためには、総流量を300SCCM以下とするものが好まし
い。
＜RFパワー依存性＞ HBr/Hcl＝30/200Sccmとし、RFパワーのみ上記プロセ
ス条件と一致させた際の、エッチングレートを測定した
結果を第６図に示す。
高い異方性エッチングの確保のためには、RFパワーを
100〜400Wとするものが好ましい。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。
例えば、本発明方法は上述したプラズマエッチングに
適用されるものに限らず、プラズマCVD等プラズマを生
成して処理する他のプロセスにも同様に適用可能であ
る。
［発明の効果］ 請求項１の発明によれば、特定波長帯域に発光スペク
トルのピーク強度を有する光源光を平行平板電極間に照
射することで、プラズマ励起アシスト作用を実現でき、
プラズマ発生が困難な条件である1Torr以下という低圧
力、400w以下という低RFパワーのプロセス条件でも、RF
印加後プラズマが安定するまでのマッチング時間を短縮
でき、再現性好くプラズマを発生することが可能とな
る。
請求項２の発明によれば、プラズマ安定後は、光エネ
ルギーなしに、高周波電力だけで、プラズマの安定状態
を維持し、低圧力、低RFパワーのプロセス条件でのプラ
ズマ処理を続行することができる。
請求項３の発明によれば、低圧水銀ランプは長寿命で
安定した水銀スペクトルが発光可能であることから、低
圧、低RFパワーのプロセス条件でマッチング時間を短縮
したプラズマ処理を、何回も長期に亘って効率よく行う
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明方法を実施する一実施例装置としての
プラズマエッチング装置の概略説明図、 第２図は、第１図の装置を構成するプロセスチャンバー
及び低圧水銀ランプ等の配置例を説明するための概略説
明図、 第３図は、第１図の装置においてプラズマ発生のための
動作のタイミングチャート、 第４図は、エッチングレートのHcl流量依存性を示す特
性図、 第５図は、エッチングレートのHcl及びHBrの総流量依存
性を示す特性図、 第６図は、エッチングレートのRFパワー依存性を示す特
性図である。 10,16……平行平板電極、12……被処理体、 18……RF電源、20……プロセスチャンバー、 30……低圧水銀ランプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−186535（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−207525（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−111335（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−60532（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空チャンバー内に平行平板電極を配置
    し、プロセスガスが導入される前記電極間に高周波電圧
    を印加してプラズマを生成し、一方の前記電極上に載置
    された被処理体を処理する方法において、 前記真空チャンバー内の前記平行平板電極間に436nm以
    下の波長にて発光スペクトルのピーク強度を有する光源
    光を照射し、その後に前記高周波電圧を印加し、 前記真空チャンバー内圧力を1Torr以下とし、高周波電
    力を400W以下として、前記高周波電圧印加後にプラズマ
    が安定に至るまでのマッチング時間を短縮したことを特
    徴とするプラズマ処理方法。
  2. 【請求項２】請求項（１）において、 前記高周波電圧を印加して、前記平行平板電極間に生成
    された前記プラズマが安定した後、前記光の照射を停止
    することを特徴とするプラズマ処理方法。
  3. 【請求項３】請求項（１）又は（２）において、 前記光源光は、254nm〜436nmの波長にて発光スペクトル
    のピーク強度を有する低圧水銀ランプにて発生されるこ
    とを特徴とするプラズマ処理方法。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5560804A (en) * 1991-03-19 1996-10-01 Tokyo Electron Limited Etching method for silicon containing layer
JP2920848B2 (ja) * 1991-03-19 1999-07-19 東京エレクトロン株式会社 シリコン層のエッチング方法
US5314573A (en) * 1991-05-20 1994-05-24 Tokyo Electron Limited Dry etching polysilicon using a bromine-containing gas
US5756401A (en) * 1992-03-23 1998-05-26 Fujitsu Limited Process for the etching of polycide film
FR2694131B1 (fr) * 1992-07-21 1996-09-27 Balzers Hochvakuum Procede et installation pour la fabrication d'un composant, notamment d'un composant optique, et composant optique ainsi obtenu.
JP2793472B2 (ja) * 1993-06-24 1998-09-03 日本電気株式会社 銅微細加工方法および銅微細加工装置
US6008139A (en) * 1996-06-17 1999-12-28 Applied Materials Inc. Method of etching polycide structures
KR100252814B1 (ko) * 1996-11-26 2000-04-15 서평원 교환시스템에서의 데이타 레이트 변환장치
US6303045B1 (en) * 1997-03-20 2001-10-16 Lam Research Corporation Methods and apparatus for etching a nitride layer in a variable-gap plasma processing chamber
US6458254B2 (en) 1997-09-25 2002-10-01 Midwest Research Institute Plasma & reactive ion etching to prepare ohmic contacts
US6289842B1 (en) * 1998-06-22 2001-09-18 Structured Materials Industries Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition system
US6207544B1 (en) * 1998-12-09 2001-03-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating ultra thin nitride spacers and device incorporating same
DE10226604B4 (de) * 2002-06-14 2006-06-01 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Schicht
US20060022641A1 (en) * 2004-05-24 2006-02-02 Scalpel Drive Innovation, Llc System, apparatus, and method for increasing particle density and energy by creating a controlled plasma environment into a gaseous media
US20060108069A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma reaction chamber and captive silicon electrode plate for processing semiconductor wafers
US7442274B2 (en) * 2005-03-28 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and apparatus therefor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0622212B2 (ja) * 1983-05-31 1994-03-23 株式会社東芝 ドライエッチング方法
JPS6114722A (ja) * 1984-06-29 1986-01-22 Toshiba Corp 半導体製造装置
US4673456A (en) * 1985-09-17 1987-06-16 Machine Technology, Inc. Microwave apparatus for generating plasma afterglows
US4664769A (en) * 1985-10-28 1987-05-12 International Business Machines Corporation Photoelectric enhanced plasma glow discharge system and method including radiation means
JPS62115723A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 Nec Corp 半導体製造装置
US4778563A (en) * 1987-03-26 1988-10-18 Applied Materials, Inc. Materials and methods for etching tungsten polycides using silicide as a mask
US4828649A (en) * 1987-07-16 1989-05-09 Texas Instruments Incorporated Method for etching an aluminum film doped with silicon
US4857382A (en) * 1988-04-26 1989-08-15 General Electric Company Apparatus and method for photoetching of polyimides, polycarbonates and polyetherimides
US4908095A (en) * 1988-05-02 1990-03-13 Tokyo Electron Limited Etching device, and etching method
US4937094A (en) * 1988-05-26 1990-06-26 Energy Conversion Devices, Inc. Method of creating a high flux of activated species for reaction with a remotely located substrate
US4997520A (en) * 1988-06-10 1991-03-05 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
US5007982A (en) * 1988-07-11 1991-04-16 North American Philips Corporation Reactive ion etching of silicon with hydrogen bromide
US5013398A (en) * 1990-05-29 1991-05-07 Micron Technology, Inc. Anisotropic etch method for a sandwich structure

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Publication number Publication date
DE69119672T2 (de) 1996-10-31
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