JP2793472B2 - 銅微細加工方法および銅微細加工装置 - Google Patents
銅微細加工方法および銅微細加工装置Info
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- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩにおける微細配線
の形成に関し、特に従来より低温で加工することがで
き、かつＬＳＩ作製に充分な異方性を有する銅微細加工
方法およびその方法を実施するための装置に関する。
の形成に関し、特に従来より低温で加工することがで
き、かつＬＳＩ作製に充分な異方性を有する銅微細加工
方法およびその方法を実施するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩの配線材料として一般にＡ
ｌが用いられている。しかし、配線が微細になるに従
い、Ａｌではストレスマイグレーションおよびエレクト
ロマイグレーション耐性が悪く半導体素子の信頼性の上
で問題となっている。さらに、半導体素子単体の高速化
に伴い、配線遅延が素子全体の処理速度を決定するよう
になってきた。このため、より高速の半導体素子を実現
するためには、より抵抗の低い材料を配線として使用す
ることが必要不可欠となってきている。上記要求に対
し、将来の半導体素子の配線材料として銅を使用するこ
とが検討されている。しかし、現在Ａｌ等を微細加工す
るのに用いられるドライエッチング法では、将来ＬＳＩ
に必要な銅の微細加工を実現することは困難であり、銅
配線を実用化する上で問題がある。これは次の理由によ
ると考えられている。通常のドライエッチングにおいて
は、プラズマにより分解したハロゲン等がエッチング対
象の表面に吸着し、表面から離脱しやすい分子を形成す
る。これらの分子がイオン衝撃を受けて表面から離脱
し、エッチングが進行する。この時、イオンが基板に対
して垂直に入射することから、エッチングにおいて側壁
がエッチングされない異方性が得られる。しかし、銅の
エッチングの場合においては、銅のハロゲン化物が基板
表面から離脱しないためエッチングが進行しない。これ
は、銅ハロゲン化物の平衡蒸気圧がアルミ等のそれと比
較して著しく低いことと、イオンアシストの効果がほと
んどないことに起因している。その結果、例えば室温程
度でＣｌ2プラズマに晒すと、銅表面にＣｕＣｌ2が形成
されるだけでエッチングが進行しない。このため、基板
を２５０℃以上に加熱して銅ハロゲン化物の離脱を促進
し、エッチングが行われている。
ｌが用いられている。しかし、配線が微細になるに従
い、Ａｌではストレスマイグレーションおよびエレクト
ロマイグレーション耐性が悪く半導体素子の信頼性の上
で問題となっている。さらに、半導体素子単体の高速化
に伴い、配線遅延が素子全体の処理速度を決定するよう
になってきた。このため、より高速の半導体素子を実現
するためには、より抵抗の低い材料を配線として使用す
ることが必要不可欠となってきている。上記要求に対
し、将来の半導体素子の配線材料として銅を使用するこ
とが検討されている。しかし、現在Ａｌ等を微細加工す
るのに用いられるドライエッチング法では、将来ＬＳＩ
に必要な銅の微細加工を実現することは困難であり、銅
配線を実用化する上で問題がある。これは次の理由によ
ると考えられている。通常のドライエッチングにおいて
は、プラズマにより分解したハロゲン等がエッチング対
象の表面に吸着し、表面から離脱しやすい分子を形成す
る。これらの分子がイオン衝撃を受けて表面から離脱
し、エッチングが進行する。この時、イオンが基板に対
して垂直に入射することから、エッチングにおいて側壁
がエッチングされない異方性が得られる。しかし、銅の
エッチングの場合においては、銅のハロゲン化物が基板
表面から離脱しないためエッチングが進行しない。これ
は、銅ハロゲン化物の平衡蒸気圧がアルミ等のそれと比
較して著しく低いことと、イオンアシストの効果がほと
んどないことに起因している。その結果、例えば室温程
度でＣｌ2プラズマに晒すと、銅表面にＣｕＣｌ2が形成
されるだけでエッチングが進行しない。このため、基板
を２５０℃以上に加熱して銅ハロゲン化物の離脱を促進
し、エッチングが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の銅微細
加工方法においては、現在主にアルミ配線を加工するた
めに使用されているホトレジストをマスクとして使用で
きないため、プロセス上互換性がない。これは、エッチ
ング時の基板温度が高いことに起因し、レジストが硬化
するなどの問題が生じるためである。また、基板温度が
高いため、エッチング中の銅配線中に容易に塩素が熱拡
散し、その結果、エッチング終了後の膜表面及び膜中に
多くの塩素が存在する。これら銅膜表面あるいは膜中の
塩素は、空気中の水分等と反応し、コロージョンと呼ば
れる配線腐食の原因となり半導体素子の信頼性を劣化さ
せる。さらに、銅の微細加工に現在のドライエッチング
技術を用いた場合、エッチング反応がイオンアシストで
はなく、主に熱的に進行する。すなわち、エッチング中
に銅表面で形成された離脱分子は、基板から熱エネルギ
ーを得て離脱する。イオンが吸着分子に衝突し離脱する
イオンアシスト効果が存在する場合は、イオンが照射さ
れる部分ではエッチングが進行するが、それ以外ではエ
ッチング反応が起こらないため、イオンの有する直進性
により異方性を有した微細加工が可能となる。これに対
して、主に基板からの熱エネルギーにより離脱が進行す
る銅のドライエッチングにおいては、側壁部においても
エッチングが進行し、等方的エッチング形状が得られ、
微細な配線を形成するのに必要な異方性を得ることが困
難である。本発明の目的は、このような従来の問題点を
解決して、低温で異方性を有するエッチング加工を行う
ことのできる銅微細加工方法を提供することにある。
加工方法においては、現在主にアルミ配線を加工するた
めに使用されているホトレジストをマスクとして使用で
きないため、プロセス上互換性がない。これは、エッチ
ング時の基板温度が高いことに起因し、レジストが硬化
するなどの問題が生じるためである。また、基板温度が
高いため、エッチング中の銅配線中に容易に塩素が熱拡
散し、その結果、エッチング終了後の膜表面及び膜中に
多くの塩素が存在する。これら銅膜表面あるいは膜中の
塩素は、空気中の水分等と反応し、コロージョンと呼ば
れる配線腐食の原因となり半導体素子の信頼性を劣化さ
せる。さらに、銅の微細加工に現在のドライエッチング
技術を用いた場合、エッチング反応がイオンアシストで
はなく、主に熱的に進行する。すなわち、エッチング中
に銅表面で形成された離脱分子は、基板から熱エネルギ
ーを得て離脱する。イオンが吸着分子に衝突し離脱する
イオンアシスト効果が存在する場合は、イオンが照射さ
れる部分ではエッチングが進行するが、それ以外ではエ
ッチング反応が起こらないため、イオンの有する直進性
により異方性を有した微細加工が可能となる。これに対
して、主に基板からの熱エネルギーにより離脱が進行す
る銅のドライエッチングにおいては、側壁部においても
エッチングが進行し、等方的エッチング形状が得られ、
微細な配線を形成するのに必要な異方性を得ることが困
難である。本発明の目的は、このような従来の問題点を
解決して、低温で異方性を有するエッチング加工を行う
ことのできる銅微細加工方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】 本発明は、塩素を含む
ガスを用い、かつマスクを用いたドライエッチングによ
る銅の微細加工方法であって、７００ｎｍ以上の波長を
有する光を照射して前記塩素を含むガスと銅との反応に
より生じるエッチング生成物を励起しつつプラズマ中で
エッチングを行うことを特徴とする銅微細加工方法であ
る。本発明の方法においては、基板温度を１５０℃程度
以下に制御しつつエッチングを行うことが好ましい。ま
た、その方法を実施するための装置は、真空排気手段を
備えたチャンバ内にエッチングガスを導入するガス導入
口と、前記チャンバ内にプラズマを発生させる高周波電
源と、前記チャンバ内の基板に前記エッチングガスと銅
との反応により生じるエッチング生成物を励起する７０
０ｎｍ以上の波長の光を照射する光源とを備えてなるこ
とを特徴とする。
ガスを用い、かつマスクを用いたドライエッチングによ
る銅の微細加工方法であって、７００ｎｍ以上の波長を
有する光を照射して前記塩素を含むガスと銅との反応に
より生じるエッチング生成物を励起しつつプラズマ中で
エッチングを行うことを特徴とする銅微細加工方法であ
る。本発明の方法においては、基板温度を１５０℃程度
以下に制御しつつエッチングを行うことが好ましい。ま
た、その方法を実施するための装置は、真空排気手段を
備えたチャンバ内にエッチングガスを導入するガス導入
口と、前記チャンバ内にプラズマを発生させる高周波電
源と、前記チャンバ内の基板に前記エッチングガスと銅
との反応により生じるエッチング生成物を励起する７０
０ｎｍ以上の波長の光を照射する光源とを備えてなるこ
とを特徴とする。
【０００５】
【作用】従来のドライエッチング技術による銅の微細加
工が困難であるのは、先に述べた銅のハロゲン化物の蒸
気圧が低いためである。しかし、基板加熱により離脱促
進を行った場合、前述の問題が存在し銅微細加工が困難
となる。そこで、微細に加工するには、熱以外のエネル
ギーをエッチング生成物（吸着分子）に効率良く与え、
その離脱を促進することが必要であり、本発明において
は光励起を行う。例えば銅表面にＣｌ2を供給した場
合、表面でＣｕＣｌ2が形成される。このＣｕＣｌ2の表
面からの離脱速度がエッチング速度を決定する。該分子
は、７００ｎｍよりも長波長の光、特に８００〜９００
ｎｍの波長を有する光を効率的に吸収する。この光が吸
収された時、ＣｕＣｌ2が表面と安定な結合を形成する
のに大きく関与しているＣｕの３ｄ軌道の電子が励起さ
れる。その結果、マスクされていない前述の光が照射さ
れた表面では、吸着種が励起されて離脱しやすくなり、
従来より低温での銅エッチングが実現される。またこの
時、光およびイオンが直進性を有していることから、エ
ッチング形状に異方性が得られる。離脱を容易にするに
は、照射する光の強度を強くする必要がある。しかし、
照射された光の一部は、熱になり基板が加熱される。そ
こで、照射光の効果のみを効率的に得るには、基板を冷
却する必要がある。一方、装置的に光強度が充分にとれ
ない場合は、基板を加熱し、光励起効果が不足する分を
補う必要がある。このため、より制御性良く銅微細加工
を実現するには、前記光照射の他に基板温度の制御が要
求される。
工が困難であるのは、先に述べた銅のハロゲン化物の蒸
気圧が低いためである。しかし、基板加熱により離脱促
進を行った場合、前述の問題が存在し銅微細加工が困難
となる。そこで、微細に加工するには、熱以外のエネル
ギーをエッチング生成物（吸着分子）に効率良く与え、
その離脱を促進することが必要であり、本発明において
は光励起を行う。例えば銅表面にＣｌ2を供給した場
合、表面でＣｕＣｌ2が形成される。このＣｕＣｌ2の表
面からの離脱速度がエッチング速度を決定する。該分子
は、７００ｎｍよりも長波長の光、特に８００〜９００
ｎｍの波長を有する光を効率的に吸収する。この光が吸
収された時、ＣｕＣｌ2が表面と安定な結合を形成する
のに大きく関与しているＣｕの３ｄ軌道の電子が励起さ
れる。その結果、マスクされていない前述の光が照射さ
れた表面では、吸着種が励起されて離脱しやすくなり、
従来より低温での銅エッチングが実現される。またこの
時、光およびイオンが直進性を有していることから、エ
ッチング形状に異方性が得られる。離脱を容易にするに
は、照射する光の強度を強くする必要がある。しかし、
照射された光の一部は、熱になり基板が加熱される。そ
こで、照射光の効果のみを効率的に得るには、基板を冷
却する必要がある。一方、装置的に光強度が充分にとれ
ない場合は、基板を加熱し、光励起効果が不足する分を
補う必要がある。このため、より制御性良く銅微細加工
を実現するには、前記光照射の他に基板温度の制御が要
求される。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 実施例１ 図１は本発明の第一の実施例を説明するための銅微細加
工装置の構成図である。この銅微細加工装置は、内部に
基板１２が保持され真空ポンプ２１により真空排気され
るチャンバ１１と、該チャンバ１１内にプラズマを発生
させる高周波電源１０および電極１３，１４と、前記チ
ャンバ１１にエッチングガスを導入するガス導入口１７
と、石英窓１６を介して前記チャンバ１１内の基板１２
上に赤外線を照射する赤外線ランプ１５とを備えた一種
の平行平板型ＲＩＥ装置である。ガス導入口１７にはエ
ッチングガスの供給・停止を司るマスフローメータ１８
およびバルブ１９が連結しており、前記ガス導入口１７
から導入された前記エッチングガスの圧力は圧力調整用
可変バルブ２０によって一定に維持される。
て説明する。 実施例１ 図１は本発明の第一の実施例を説明するための銅微細加
工装置の構成図である。この銅微細加工装置は、内部に
基板１２が保持され真空ポンプ２１により真空排気され
るチャンバ１１と、該チャンバ１１内にプラズマを発生
させる高周波電源１０および電極１３，１４と、前記チ
ャンバ１１にエッチングガスを導入するガス導入口１７
と、石英窓１６を介して前記チャンバ１１内の基板１２
上に赤外線を照射する赤外線ランプ１５とを備えた一種
の平行平板型ＲＩＥ装置である。ガス導入口１７にはエ
ッチングガスの供給・停止を司るマスフローメータ１８
およびバルブ１９が連結しており、前記ガス導入口１７
から導入された前記エッチングガスの圧力は圧力調整用
可変バルブ２０によって一定に維持される。
【０００７】図２は本実施例における銅微細加工に用い
られる基板の断面図である。Ｓｉ基板２２上に、下地材
料として１００ｎｍの厚さを有するシリコン酸化膜２３
を熱酸化により形成した。銅はシリコンおよび酸化膜中
を容易に拡散し、半導体素子の特性を劣化させることが
報告されている。そこで、バリアメタルとして、シリコ
ン酸化膜の上に厚さ１００ｎｍのＴｉＮ層２４をスパッ
タ法により堆積させた。その後、配線材料としての銅膜
２５をスパッタ法により５００ｎｍの厚さ堆積させた。
マスクとの密着性を向上させるため、および銅腐食防止
のため、スパッタ法によりＴｉＮ層２６を５０ｎｍ堆積
させた上に、ハードマスクとして３００ｎｍの厚さのシ
リコン酸化膜２７をＣＶＤ法により堆積させた。その上
にホトレジストをスピン塗布し、露光、エッチングによ
り最小線幅０．４５ミクロンの配線パターンを形成し
た。その後、ホトレジストをマスクにして、ハードマス
クであるシリコン酸化膜２７をドライエッチングにより
除去し、前記配線パターンを有するハードマスクを形成
した。
られる基板の断面図である。Ｓｉ基板２２上に、下地材
料として１００ｎｍの厚さを有するシリコン酸化膜２３
を熱酸化により形成した。銅はシリコンおよび酸化膜中
を容易に拡散し、半導体素子の特性を劣化させることが
報告されている。そこで、バリアメタルとして、シリコ
ン酸化膜の上に厚さ１００ｎｍのＴｉＮ層２４をスパッ
タ法により堆積させた。その後、配線材料としての銅膜
２５をスパッタ法により５００ｎｍの厚さ堆積させた。
マスクとの密着性を向上させるため、および銅腐食防止
のため、スパッタ法によりＴｉＮ層２６を５０ｎｍ堆積
させた上に、ハードマスクとして３００ｎｍの厚さのシ
リコン酸化膜２７をＣＶＤ法により堆積させた。その上
にホトレジストをスピン塗布し、露光、エッチングによ
り最小線幅０．４５ミクロンの配線パターンを形成し
た。その後、ホトレジストをマスクにして、ハードマス
クであるシリコン酸化膜２７をドライエッチングにより
除去し、前記配線パターンを有するハードマスクを形成
した。
【０００８】次に、この装置を用いた銅の微細加工の方
法について装置の動作を交えて説明する。基板を装置に
セットし、チャンバ１１内部を真空ポンプ２０により真
空に排気した後、チャンバ１１のガス導入口１７より、
例えばＣｌ2を導入し、圧力調整用可変バルブ２０と真
空ポンプ２１による排気によって約３Ｐａの圧力に維持
する。赤外線ランプ１５に電力を投入し、基板表面に光
を照射する。高周波電源１０を投入し、電極１３，１４
の間にＣｌ2プラズマを発生させ、エッチングを開始す
る。本実施例の場合においては、この時の基板表面の温
度は１５０℃であった。約２分間エッチングを行った
後、高周波電源の投入、光照射、およびＣｌ2の供給を
停止した。基板が室温まで低下した後、基板を装置から
取り出して形状等を評価した。
法について装置の動作を交えて説明する。基板を装置に
セットし、チャンバ１１内部を真空ポンプ２０により真
空に排気した後、チャンバ１１のガス導入口１７より、
例えばＣｌ2を導入し、圧力調整用可変バルブ２０と真
空ポンプ２１による排気によって約３Ｐａの圧力に維持
する。赤外線ランプ１５に電力を投入し、基板表面に光
を照射する。高周波電源１０を投入し、電極１３，１４
の間にＣｌ2プラズマを発生させ、エッチングを開始す
る。本実施例の場合においては、この時の基板表面の温
度は１５０℃であった。約２分間エッチングを行った
後、高周波電源の投入、光照射、およびＣｌ2の供給を
停止した。基板が室温まで低下した後、基板を装置から
取り出して形状等を評価した。
【０００９】図３は、本実施例で得られた銅微細配線の
断面ＳＥＭ像による微細パターンを示す図面に代わる写
真である。ハードマスク下の銅はエッチングされていな
いのに対し、それ以外の部分は異方性を以て除去されて
いることがわかる。その結果、０．４５ミクロンの微細
な銅配線が形成された。なお、本実施例における最小の
配線幅は０．４５ミクロンであったが、これはハードマ
スクの寸法により制限されるものであり、より狭い配線
幅を有するマスクを使用することにより、より微細な加
工が可能となる。
断面ＳＥＭ像による微細パターンを示す図面に代わる写
真である。ハードマスク下の銅はエッチングされていな
いのに対し、それ以外の部分は異方性を以て除去されて
いることがわかる。その結果、０．４５ミクロンの微細
な銅配線が形成された。なお、本実施例における最小の
配線幅は０．４５ミクロンであったが、これはハードマ
スクの寸法により制限されるものであり、より狭い配線
幅を有するマスクを使用することにより、より微細な加
工が可能となる。
【００１０】加工した銅微細配線を大気中で約２４時間
保持したが、コロージョンと呼ばれる配線腐食は発生し
なかった。これは、低温で銅が加工出来たことから、エ
ッチング中に銅膜中に拡散する塩素の量が低下したこと
に対応する。なお、この実施例においては、光源として
赤外線ランプを使用したが、この光源に限定されるもの
ではない。要は、エッチング中に銅表面に形成されるＣ
ｕＣｌ2に吸収される波長を有する光であれば良い。例
えば、この波長を有する他のランプでも良いし、白色光
をバンドパスフィルタでこの波長をもつ光を抽出しても
良い。
保持したが、コロージョンと呼ばれる配線腐食は発生し
なかった。これは、低温で銅が加工出来たことから、エ
ッチング中に銅膜中に拡散する塩素の量が低下したこと
に対応する。なお、この実施例においては、光源として
赤外線ランプを使用したが、この光源に限定されるもの
ではない。要は、エッチング中に銅表面に形成されるＣ
ｕＣｌ2に吸収される波長を有する光であれば良い。例
えば、この波長を有する他のランプでも良いし、白色光
をバンドパスフィルタでこの波長をもつ光を抽出しても
良い。
【００１１】実施例２ 図４は本発明の第二の実施例を説明するための銅微細加
工装置の構成図である。本装置は、基本的には第一の実
施例に用いた図１の装置と同様であるが、下部電極１４
内に、基板温度を変化させる為の基板加熱冷却機構３０
を有しており、外部に設けられた基板温度制御部３２お
よび熱電対３１によって所定の基板温度に制御できるよ
うな構造となっている。基板温度を制御しない場合には
赤外線照射により基板温度が２５０℃に上昇するような
条件で、前述の基板加熱冷却機構を用いて基板を１５０
℃に冷却した。他のエッチング条件、エッチングプロセ
スは、実施例１と同様に行った。その結果、光強度が弱
い実施例１の場合と比較し、約１．５倍のエッチング速
度が得られた。本実施例においては、基板の冷却を行っ
たが、装置的に光量が得られない場合には、プロセス的
に許される範囲で加熱を行うことにより同様の効果が得
られる。
工装置の構成図である。本装置は、基本的には第一の実
施例に用いた図１の装置と同様であるが、下部電極１４
内に、基板温度を変化させる為の基板加熱冷却機構３０
を有しており、外部に設けられた基板温度制御部３２お
よび熱電対３１によって所定の基板温度に制御できるよ
うな構造となっている。基板温度を制御しない場合には
赤外線照射により基板温度が２５０℃に上昇するような
条件で、前述の基板加熱冷却機構を用いて基板を１５０
℃に冷却した。他のエッチング条件、エッチングプロセ
スは、実施例１と同様に行った。その結果、光強度が弱
い実施例１の場合と比較し、約１．５倍のエッチング速
度が得られた。本実施例においては、基板の冷却を行っ
たが、装置的に光量が得られない場合には、プロセス的
に許される範囲で加熱を行うことにより同様の効果が得
られる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のエッチング方法では２５０℃以下では離脱しない
エッチング生成物の離脱が光によって促進され、その結
果、従来より低温でエッチングをすることが出来る。ま
た、光およびイオンの異方性を利用して、マスクされた
部分の銅はエッチングされないが、露出した銅はエッチ
ングされるという異方性を有した加工が可能となり、こ
れによって低温でかつ充分な異方性を有する銅微細加工
が実現され、１ミクロン以下の線幅を有した銅配線が形
成できるという効果がある。さらに、光照射と同時に基
板温度を制御することにより、より制御性良く銅微細加
工が実現される効果がある。
従来のエッチング方法では２５０℃以下では離脱しない
エッチング生成物の離脱が光によって促進され、その結
果、従来より低温でエッチングをすることが出来る。ま
た、光およびイオンの異方性を利用して、マスクされた
部分の銅はエッチングされないが、露出した銅はエッチ
ングされるという異方性を有した加工が可能となり、こ
れによって低温でかつ充分な異方性を有する銅微細加工
が実現され、１ミクロン以下の線幅を有した銅配線が形
成できるという効果がある。さらに、光照射と同時に基
板温度を制御することにより、より制御性良く銅微細加
工が実現される効果がある。
【図１】本発明の第一の実施例を説明するための銅微細
加工装置の構成図である。
加工装置の構成図である。
【図２】本発明の第一の実施例を説明するための基板構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図３】本発明の方法によって得られた銅微細配線の断
面ＳＥＭ像による微細パターンを示す図面に代る写真で
ある。
面ＳＥＭ像による微細パターンを示す図面に代る写真で
ある。
【図４】本発明の第二の実施例を説明するための銅微細
加工装置の構成図である。
加工装置の構成図である。
１０ 高周波電源 １１ チャンバ １２ 基板 １３ 電極 １４ 電極 １５ 赤外線ランプ １６ 石英窓 １７ ガス導入口 １８ マスフローメータ １９ バルブ ２０ 圧力調整用可変バルブ ２１ 真空ポンプ ２２ シリコン基板 ２３ シリコン酸化膜 ２４ ＴｉＮ膜 ２５ 銅膜 ２６ ＴｉＮ膜 ２７ シリコン酸化膜 ３０ 基板加熱冷却機構 ３１ 熱電対 ３２ 基板温度制御部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−132329（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−283936（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−159718（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−336423（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−162622（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 塩素を含むガスを用い、かつマスクを用
いたドライエッチングによる銅の微細加工方法であっ
て、７００ｎｍ以上の波長を有する光を基板表面に照射
して前記塩素を含むガスと銅との反応により生じるエッ
チング生成物を励起しつつプラズマ中でエッチングを行
うことを特徴とする銅微細加工方法。 - 【請求項２】 基板温度を１５０℃程度以下に制御しつ
つエッチングを行う請求項１記載の銅微細加工方法。 - 【請求項３】 真空排気手段を備えたチャンバ内にエッ
チングガスを導入するガス導入口と、前記チャンバ内に
プラズマを発生させる高周波電源と、前記チャンバ内の
基板表面に前記エッチングガスと銅との反応により生じ
るエッチング生成物を励起する７００ｎｍ以上の波長の
光を照射する光源とを備えてなることを特徴とする銅微
細加工装置。
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|---|---|---|---|
| JP5175932A JP2793472B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 銅微細加工方法および銅微細加工装置 |
| US08/261,220 US5515985A (en) | 1993-06-24 | 1994-06-15 | Method of forming fine copper conductor pattern |
| KR1019940014541A KR0156487B1 (ko) | 1993-06-24 | 1994-06-24 | 미세 구리 전도체 패턴을 형성하는 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175932A JP2793472B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 銅微細加工方法および銅微細加工装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786213A JPH0786213A (ja) | 1995-03-31 |
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-06-24 JP JP5175932A patent/JP2793472B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-15 US US08/261,220 patent/US5515985A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-24 KR KR1019940014541A patent/KR0156487B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10910232B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Copper plasma etching method and manufacturing method of display panel |
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| Publication number | Publication date |
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| US5515985A (en) | 1996-05-14 |
| KR0156487B1 (ko) | 1998-12-01 |
| JPH0786213A (ja) | 1995-03-31 |
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