JP2001085412A - 真空処理方法 - Google Patents
真空処理方法Info
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- JP2001085412A JP2001085412A JP26130699A JP26130699A JP2001085412A JP 2001085412 A JP2001085412 A JP 2001085412A JP 26130699 A JP26130699 A JP 26130699A JP 26130699 A JP26130699 A JP 26130699A JP 2001085412 A JP2001085412 A JP 2001085412A
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- ashing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング処理で基板に付着物が生じても良
好にアッシング処理することができ、残留レジストを防
止できる真空処理方法を提供する。 【解決手段】 プラズマアッシングに先立って、アッシ
ング室２に設置した基板２１を２００℃以上に加熱する
とともに、アッシング２室内に水蒸気４８を導入して基
板２１の処理面に沿って中央部から周縁側へ流し、室内
ガス圧を１００Ｐａ以上に保持することにより、プラズ
マエッチングで発生した付着物層４９をアッシングす
る。
好にアッシング処理することができ、残留レジストを防
止できる真空処理方法を提供する。 【解決手段】 プラズマアッシングに先立って、アッシ
ング室２に設置した基板２１を２００℃以上に加熱する
とともに、アッシング２室内に水蒸気４８を導入して基
板２１の処理面に沿って中央部から周縁側へ流し、室内
ガス圧を１００Ｐａ以上に保持することにより、プラズ
マエッチングで発生した付着物層４９をアッシングす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ、液
晶パネル等の電子デバイスの製造に用いられる真空処理
方法に関するものである。
晶パネル等の電子デバイスの製造に用いられる真空処理
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップ、液晶パネル等の電
子デバイスを製造する際に、電子デバイスを構成する様
々な薄膜を所望の形状にパターンニングするために、エ
ッチマスクを付けた基板をエッチング液に浸漬するウエ
ットエッチング法や、エッチマスクを付けた基板を真空
チャンバーに入れプラズマやイオンなどを照射するドラ
イエッチング法などが用いられている。近年では、電子
デバイスの極小化に伴って各種薄膜のパターン形状の極
細化が進み、ウエットエッチング法よりも加工精度の高
いドライエッチング法を用いるのが主流となっている。
またレジストの除去方法でも、従来の薬液による除去方
法から、ガスプラズマを用いたプラズマアッシングに主
流が移ってきている。
子デバイスを製造する際に、電子デバイスを構成する様
々な薄膜を所望の形状にパターンニングするために、エ
ッチマスクを付けた基板をエッチング液に浸漬するウエ
ットエッチング法や、エッチマスクを付けた基板を真空
チャンバーに入れプラズマやイオンなどを照射するドラ
イエッチング法などが用いられている。近年では、電子
デバイスの極小化に伴って各種薄膜のパターン形状の極
細化が進み、ウエットエッチング法よりも加工精度の高
いドライエッチング法を用いるのが主流となっている。
またレジストの除去方法でも、従来の薬液による除去方
法から、ガスプラズマを用いたプラズマアッシングに主
流が移ってきている。
【０００３】Ａｌ合金からなる基板のドライエッチング
を説明すると、まず、エッチング室内の下部電極上に基
板を設置してその周縁部を押圧リングにより上方から押
圧固定し、反応ガスを一定量供給し適宜に排気して所望
の圧力状態に調整しつつ、下部電極とそれに対向して設
けた上部電極との間でプラズマを発生させることによっ
て、基板の表面をエッチングする。次に、エッチング処
理を終了した基板を大気にさらすことなくアッシング室
に挿入して下部ステージ上に設置し、反応ガスを一定量
供給し適宜に排気して所望の圧力状態に調整しつつ、ア
ッシング室の上部に設けたベルジャー内でプラズマを発
生させることによって、基板の表面をアッシングする。
を説明すると、まず、エッチング室内の下部電極上に基
板を設置してその周縁部を押圧リングにより上方から押
圧固定し、反応ガスを一定量供給し適宜に排気して所望
の圧力状態に調整しつつ、下部電極とそれに対向して設
けた上部電極との間でプラズマを発生させることによっ
て、基板の表面をエッチングする。次に、エッチング処
理を終了した基板を大気にさらすことなくアッシング室
に挿入して下部ステージ上に設置し、反応ガスを一定量
供給し適宜に排気して所望の圧力状態に調整しつつ、ア
ッシング室の上部に設けたベルジャー内でプラズマを発
生させることによって、基板の表面をアッシングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にして基板をエッチング処理する際に、押圧リングの押
圧面に付着したエッチング生成物やレジストエッチング
生成物が基板の周縁部に転写され付着残留する。一方、
プラズマ中の電子やラジカルやイオンの衝突により基板
が温度上昇するに伴って基板を押圧している押圧リング
の温度も上昇し、押圧箇所のレジストが他の部分より高
温にさらされる。これらの結果、基板の周縁部のレジス
ト上に付着残留したエッチング生成物やレジストエッチ
ング生成物が変質してしまい、しばしば層状をなすこの
変質物はアッシング処理でも除去できないため、レジス
ト残りが生じていた。
にして基板をエッチング処理する際に、押圧リングの押
圧面に付着したエッチング生成物やレジストエッチング
生成物が基板の周縁部に転写され付着残留する。一方、
プラズマ中の電子やラジカルやイオンの衝突により基板
が温度上昇するに伴って基板を押圧している押圧リング
の温度も上昇し、押圧箇所のレジストが他の部分より高
温にさらされる。これらの結果、基板の周縁部のレジス
ト上に付着残留したエッチング生成物やレジストエッチ
ング生成物が変質してしまい、しばしば層状をなすこの
変質物はアッシング処理でも除去できないため、レジス
ト残りが生じていた。
【０００５】本発明は上記問題を解決するもので、エッ
チング処理で基板に付着物が生じても良好にアッシング
処理することができ、残留レジストを防止できる真空処
理方法を提供することを目的とする。
チング処理で基板に付着物が生じても良好にアッシング
処理することができ、残留レジストを防止できる真空処
理方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の請求項１記載の真空処理方法は、処理対象
の基板をエッチング室にてプラズマエッチングした後、
アッシング室にてプラズマアッシングする真空処理方法
において、プラズマアッシングに先立って、アッシング
室に設置した基板を２００℃以上に加熱するとともに、
アッシング室内にＨ2Ｏガスを導入して基板の処理面に
沿って中央部から周縁側へ流し、室内ガス圧を１００Ｐ
ａ以上に保持することにより、プラズマエッチングで発
生した基板付着物をアッシングすることを特徴とする。
に、本発明の請求項１記載の真空処理方法は、処理対象
の基板をエッチング室にてプラズマエッチングした後、
アッシング室にてプラズマアッシングする真空処理方法
において、プラズマアッシングに先立って、アッシング
室に設置した基板を２００℃以上に加熱するとともに、
アッシング室内にＨ2Ｏガスを導入して基板の処理面に
沿って中央部から周縁側へ流し、室内ガス圧を１００Ｐ
ａ以上に保持することにより、プラズマエッチングで発
生した基板付着物をアッシングすることを特徴とする。
【０００７】請求項２記載の真空処理方法は、請求項１
記載の構成において、Ｈ2Ｏガスを１００Ｐａ以上に保
持しつつ１５〜３０秒間流すことを特徴とする。この構
成によれば、プラズマエッチングの工程で発生し変質し
た基板付着物もＨ2Ｏガス流によってアッシングし基板
外周側へ除去できるので、余分な付着物がない状態でプ
ラズマアッシングを行うことができ、残留レジストを防
止できる。
記載の構成において、Ｈ2Ｏガスを１００Ｐａ以上に保
持しつつ１５〜３０秒間流すことを特徴とする。この構
成によれば、プラズマエッチングの工程で発生し変質し
た基板付着物もＨ2Ｏガス流によってアッシングし基板
外周側へ除去できるので、余分な付着物がない状態でプ
ラズマアッシングを行うことができ、残留レジストを防
止できる。
【０００８】このとき基板温度が低いとアッシングレー
トが低くなり、基板付着物を完全に除去できずプラズマ
アッシングでレジスト残りを生じる原因となるので、あ
る程度の効率よいアッシングレートを確保するために２
００℃以上に加熱する。ただし、基板温度が高すぎると
レジストが熱変質しアッシングレートが低下するので３
００℃程度までの温度とする。
トが低くなり、基板付着物を完全に除去できずプラズマ
アッシングでレジスト残りを生じる原因となるので、あ
る程度の効率よいアッシングレートを確保するために２
００℃以上に加熱する。ただし、基板温度が高すぎると
レジストが熱変質しアッシングレートが低下するので３
００℃程度までの温度とする。
【０００９】またＨ2Ｏガスのガス圧が低いと、基板付
着物の除去を完了できずレジスト残りが生じるので１０
０Ｐａ以上に調節する。４００Ｐａ程度を超えると、効
果は同等でありながら、むしろ圧力上昇に時間を要し処
理効率の低下につながるので４００Ｐａ程度までのガス
圧とする。さらに、Ｈ2Ｏガスを流す時間が短いと基板
付着物の除去を完了できずレジスト残りが生じる反面、
基板付着物の除去が完了した後にＨ2Ｏガスを流す必要
はないので、１００Ｐａ以上に達してから１５〜３０秒
間流す。
着物の除去を完了できずレジスト残りが生じるので１０
０Ｐａ以上に調節する。４００Ｐａ程度を超えると、効
果は同等でありながら、むしろ圧力上昇に時間を要し処
理効率の低下につながるので４００Ｐａ程度までのガス
圧とする。さらに、Ｈ2Ｏガスを流す時間が短いと基板
付着物の除去を完了できずレジスト残りが生じる反面、
基板付着物の除去が完了した後にＨ2Ｏガスを流す必要
はないので、１００Ｐａ以上に達してから１５〜３０秒
間流す。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基き
具体的に説明する。本発明の一実施形態における真空処
理方法が行われる真空処理装置は、図１〜図２に示すよ
うに、エッチング室１とアッシング室２とを予備排気室
３を介して連結している。以下、詳細に説明する。
具体的に説明する。本発明の一実施形態における真空処
理方法が行われる真空処理装置は、図１〜図２に示すよ
うに、エッチング室１とアッシング室２とを予備排気室
３を介して連結している。以下、詳細に説明する。
【００１１】図１に示すように、エッチング室１には、
予備排気室３との連通部をなす基板挿入口４と、ガス供
給ライン５が接続したガス供給口６と、真空ポンプ７に
一端において連通する真空排気ライン８，９の他端が接
続した排気口１０とが形成されている。基板挿入口４に
は扉１１が設けられ、ガス供給ライン５にはバルブ１２
が介装され、真空排気ライン８にはバルブ１３、真空ポ
ンプ１４、バルブ１５がこの順に介装され、真空排気ラ
イン９にはバルブ１６が介装されている。
予備排気室３との連通部をなす基板挿入口４と、ガス供
給ライン５が接続したガス供給口６と、真空ポンプ７に
一端において連通する真空排気ライン８，９の他端が接
続した排気口１０とが形成されている。基板挿入口４に
は扉１１が設けられ、ガス供給ライン５にはバルブ１２
が介装され、真空排気ライン８にはバルブ１３、真空ポ
ンプ１４、バルブ１５がこの順に介装され、真空排気ラ
イン９にはバルブ１６が介装されている。
【００１２】エッチング室１の内部には、上部電極１７
と下部電極１８とが互いに対向して設置されており、下
部電極１８に、両電極間に高周波電圧を印加する室外の
高周波電源１９、整合機２０が接続されている。処理対
象の基板２１が載置される下部電極１８は、室内底部の
基台２２に載置され側面から押圧するホルダー２３によ
って固定されており、基台２２とホルダー２３との外周
側には下部電極１８からの放電をシールドする電気シー
ルド板２４が設けられている。基板２１の周縁部に対応
する下部電極１８の上方には、基板２１の周縁部を下部
電極１８に向けて押圧固定する押圧リング２５がアーム
（図示せず）により昇降自在に設けられている。上部電
極１７と下部電極１８はアルミニウムで作製され、基台
２２、ホルダー２３、押圧リング２５はセラミックで作
製されている。
と下部電極１８とが互いに対向して設置されており、下
部電極１８に、両電極間に高周波電圧を印加する室外の
高周波電源１９、整合機２０が接続されている。処理対
象の基板２１が載置される下部電極１８は、室内底部の
基台２２に載置され側面から押圧するホルダー２３によ
って固定されており、基台２２とホルダー２３との外周
側には下部電極１８からの放電をシールドする電気シー
ルド板２４が設けられている。基板２１の周縁部に対応
する下部電極１８の上方には、基板２１の周縁部を下部
電極１８に向けて押圧固定する押圧リング２５がアーム
（図示せず）により昇降自在に設けられている。上部電
極１７と下部電極１８はアルミニウムで作製され、基台
２２、ホルダー２３、押圧リング２５はセラミックで作
製されている。
【００１３】下部電極１８には、温度調整機（図示せ
ず）で温度制御された冷却水を流して下部電極１８を所
望の温度に維持する冷却水循環路２６が埋設されるとと
もに、下部電極１８の上面中央付近で開口して基板２１
の裏面側でヘリウムガスを流し基板２１の温度上昇を抑
制するヘリウムガス供給路２７とヘリウムガス排気路２
８とが埋設されている。ヘリウムガス供給路２７は一端
においてヘリウムガス槽（図示せず）に連通しバルブ２
７ａを介装しており、ヘリウムガス排気路２８は一端に
おいて真空ポンプ１４とバルブ１３との間の排気ライン
８に連通しバルブ２８ａを介装している。
ず）で温度制御された冷却水を流して下部電極１８を所
望の温度に維持する冷却水循環路２６が埋設されるとと
もに、下部電極１８の上面中央付近で開口して基板２１
の裏面側でヘリウムガスを流し基板２１の温度上昇を抑
制するヘリウムガス供給路２７とヘリウムガス排気路２
８とが埋設されている。ヘリウムガス供給路２７は一端
においてヘリウムガス槽（図示せず）に連通しバルブ２
７ａを介装しており、ヘリウムガス排気路２８は一端に
おいて真空ポンプ１４とバルブ１３との間の排気ライン
８に連通しバルブ２８ａを介装している。
【００１４】図２に示すように、アッシング室２の上部
には、反応ガス槽（図示せず）と連結されたガス導入口
２９が上部に開口し外側にコイル３０を巻き付けられた
ベルジャー３１がその下端開口において連通して設けら
れている。コイル３０にはガス導入口２９より導入され
た反応ガスを励起しプラズマを発生させるための高周波
電源３２と整合機３３が接続されている。
には、反応ガス槽（図示せず）と連結されたガス導入口
２９が上部に開口し外側にコイル３０を巻き付けられた
ベルジャー３１がその下端開口において連通して設けら
れている。コイル３０にはガス導入口２９より導入され
た反応ガスを励起しプラズマを発生させるための高周波
電源３２と整合機３３が接続されている。
【００１５】アッシング室２には、予備排気室３との連
通部をなす基板挿入口３４と、真空ポンプ３５に連通す
る真空排気ライン３６が接続した排気口３７とが形成さ
れている。基板挿入口３４には扉３８が設けられ、真空
排気ライン３６にはバルブ３９が介装されている。基板
２１が設置される下部ステージ４０は室内底部の基台４
１に載置され側面から押圧するホルダー４２によって固
定されている。基台４１とホルダー４２の外周側にはカ
バー４３が配置されていて、このカバー４３によって下
部ステージ４０、基台４１、ホルダー４２が室内底部に
固定されている。ホルダー４２の上部外周側にはリング
状の等方排気板４４がアッシング室２の内壁との間に等
間隙をあけて設置されていて、室内のガス流はこの間隙
に均等に流れ込んで排気口３７へ向かうように、したが
って基板表面では中心から等方排気板４４の全外周縁へ
向けて均等に流れるようにコントロールされる。下部ス
テージ４０の内部には、温度調節器（図示せず）を備え
アッシング時の基板２１の温度を所望の温度に保つヒー
ター４５が埋設されている。基台４１、ホルダー４２は
セラミックで作成され、下部ステージ４０、等方排気板
４４は耐熱性のＳＵＳ３１６で作製されている。４６は
アースである。
通部をなす基板挿入口３４と、真空ポンプ３５に連通す
る真空排気ライン３６が接続した排気口３７とが形成さ
れている。基板挿入口３４には扉３８が設けられ、真空
排気ライン３６にはバルブ３９が介装されている。基板
２１が設置される下部ステージ４０は室内底部の基台４
１に載置され側面から押圧するホルダー４２によって固
定されている。基台４１とホルダー４２の外周側にはカ
バー４３が配置されていて、このカバー４３によって下
部ステージ４０、基台４１、ホルダー４２が室内底部に
固定されている。ホルダー４２の上部外周側にはリング
状の等方排気板４４がアッシング室２の内壁との間に等
間隙をあけて設置されていて、室内のガス流はこの間隙
に均等に流れ込んで排気口３７へ向かうように、したが
って基板表面では中心から等方排気板４４の全外周縁へ
向けて均等に流れるようにコントロールされる。下部ス
テージ４０の内部には、温度調節器（図示せず）を備え
アッシング時の基板２１の温度を所望の温度に保つヒー
ター４５が埋設されている。基台４１、ホルダー４２は
セラミックで作成され、下部ステージ４０、等方排気板
４４は耐熱性のＳＵＳ３１６で作製されている。４６は
アースである。
【００１６】上記した構成の真空処理装置における基板
２１のエッチングを説明する。まず、基板２１を予備排
気室３に搬入し予備排気室３内を真空引きする。その後
に、基板挿入口４の扉１１を開き基板２１をマニュピレ
ータなど（図示せず）でエッチング室１内に搬入して下
部電極１８上に載置し、押圧リング２５を下降させて基
板２１の周縁部を押圧固定する。
２１のエッチングを説明する。まず、基板２１を予備排
気室３に搬入し予備排気室３内を真空引きする。その後
に、基板挿入口４の扉１１を開き基板２１をマニュピレ
ータなど（図示せず）でエッチング室１内に搬入して下
部電極１８上に載置し、押圧リング２５を下降させて基
板２１の周縁部を押圧固定する。
【００１７】次に、バルブ１２を開いてガス供給ライン
５、ガス供給口６を通じて反応性ガスをエッチング室１
内に一定量供給し、バルブ１２を開閉して排気口１０、
真空排気ライン９を通じて排気することにより、室内を
所望の圧力状態に調節する。そして、高周波電源１９お
よび整合機２０を作動させて下部電極１８に高周波電力
を供給することにより上部電極１７との間でプラズマを
発生させ、プラズマ中の電子やラジカルやイオンの衝突
によって基板２１の表面をエッチング処理する。この時
には、冷却水循環路２６に冷却水を流して下部電極１８
を所望の温度に維持するとともに、ヘリウムガス供給路
２７とヘリウムガス排気路２８とにより基板２１の裏面
側でヘリウムガスを流し基板２１の温度上昇を抑制す
る。
５、ガス供給口６を通じて反応性ガスをエッチング室１
内に一定量供給し、バルブ１２を開閉して排気口１０、
真空排気ライン９を通じて排気することにより、室内を
所望の圧力状態に調節する。そして、高周波電源１９お
よび整合機２０を作動させて下部電極１８に高周波電力
を供給することにより上部電極１７との間でプラズマを
発生させ、プラズマ中の電子やラジカルやイオンの衝突
によって基板２１の表面をエッチング処理する。この時
には、冷却水循環路２６に冷却水を流して下部電極１８
を所望の温度に維持するとともに、ヘリウムガス供給路
２７とヘリウムガス排気路２８とにより基板２１の裏面
側でヘリウムガスを流し基板２１の温度上昇を抑制す
る。
【００１８】エッチングが終了したら、バルブ１２を閉
じて反応性ガスの供給を停止し、押圧リング２５を上昇
させ、下部電極１８に収納していたピン（図示せず）を
上昇させて基板２１を下部電極１８の上方へ持ち上げ、
基板挿入口４の扉１１を開いて、マニュピレータなどに
より基板２１を予備排気室３に取り出す。このようなド
ライエッチング直後のＡｌ合金を大気に触れさせると腐
蝕が生じるので、予備排気室３内は真空引きしたままと
する。
じて反応性ガスの供給を停止し、押圧リング２５を上昇
させ、下部電極１８に収納していたピン（図示せず）を
上昇させて基板２１を下部電極１８の上方へ持ち上げ、
基板挿入口４の扉１１を開いて、マニュピレータなどに
より基板２１を予備排気室３に取り出す。このようなド
ライエッチング直後のＡｌ合金を大気に触れさせると腐
蝕が生じるので、予備排気室３内は真空引きしたままと
する。
【００１９】なお予備排気室３内を真空引きしたまま、
基板挿入口３４の扉３８を開き、基板２１をアッシング
室２に挿入して、ヒーター４５で２００℃以上に加熱し
た下部ステージ４０上に設置する。そして、ガス導入口
２９からＨ2Ｏガス４８を一定量供給しバルブ３９を開
閉して排気口３７から排気することにより、ベルジャー
３１、アッシング室２内を１００Ｐａ以上の圧力状態に
調整しながら、ガス導入口２９から基板２１の中央部へ
下降するＨ2Ｏガス４８を基板２１の周縁側へ、更に等
方排気板４４の外周縁へ向けて均等に流し、１００Ｐａ
以上に達してからも１５秒から３０秒流す。このように
することで、エッチング処理工程でエッチング生成物や
レジストエッチング生成物より基板２１の外周縁のレジ
スト上に発生した付着物層４９をアッシングし、等方排
気板４４の外周側へ除去することができる。
基板挿入口３４の扉３８を開き、基板２１をアッシング
室２に挿入して、ヒーター４５で２００℃以上に加熱し
た下部ステージ４０上に設置する。そして、ガス導入口
２９からＨ2Ｏガス４８を一定量供給しバルブ３９を開
閉して排気口３７から排気することにより、ベルジャー
３１、アッシング室２内を１００Ｐａ以上の圧力状態に
調整しながら、ガス導入口２９から基板２１の中央部へ
下降するＨ2Ｏガス４８を基板２１の周縁側へ、更に等
方排気板４４の外周縁へ向けて均等に流し、１００Ｐａ
以上に達してからも１５秒から３０秒流す。このように
することで、エッチング処理工程でエッチング生成物や
レジストエッチング生成物より基板２１の外周縁のレジ
スト上に発生した付着物層４９をアッシングし、等方排
気板４４の外周側へ除去することができる。
【００２０】その後に、高周波電源３２および整合機３
３を動作させコイル３０に高周波電力を印加してベルジ
ャー３１内にプラズマを発生させ、Ｈ2Ｏガス４８（あ
るいは続いて供給するその他の反応性ガス）の流れとと
もに流下して基板２１に衝突するプラズマ中の電子やラ
ジカルやイオンによって、基板２１の表面のレジストを
アッシングする。
３を動作させコイル３０に高周波電力を印加してベルジ
ャー３１内にプラズマを発生させ、Ｈ2Ｏガス４８（あ
るいは続いて供給するその他の反応性ガス）の流れとと
もに流下して基板２１に衝突するプラズマ中の電子やラ
ジカルやイオンによって、基板２１の表面のレジストを
アッシングする。
【００２１】アッシング処理が終了したら、下部ステー
ジ４０に収納していたピン（図示せず）を上昇させて基
板２１を下部ステージ４０の上方に押し上げ、基板搬入
口３４の扉３８を開け、マニュピレータ等で基板２１を
挟んで、予備排気室３に取り出す。
ジ４０に収納していたピン（図示せず）を上昇させて基
板２１を下部ステージ４０の上方に押し上げ、基板搬入
口３４の扉３８を開け、マニュピレータ等で基板２１を
挟んで、予備排気室３に取り出す。
【００２２】
【実施例】上述したような真空処理装置にてウエハを処
理した具体例を示す。膜厚２μｍのレジストを形成した
６インチＡｌ−Ｓｉ合金ウエハを処理対象として、エッ
チング室内において、６０℃に温度調節した下部電極上
に設置し、ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガス（混合比１：３）
を供給してガス圧を１３３Ｐａに調節しつつ、４００Ｗ
の高周波電力をかけることにより、エッチングした。こ
の時のエッチング速度は６００ｎｍ／分であった。この
ウエハをアッシング室に挿入して、２５０℃に温度調節
した下部ステージ上に設置して熱伝導にて加熱するとと
もに（ウエハは２３０℃まで温度上昇した）、予め気化
器（図示せず）にて気化させたＨ2Ｏガスを導入してウ
エハの表面に沿って中央部から周縁側に流し、室内ガス
圧が３００Ｐａに達してからも２０秒間流した。次い
で、アッシング室内のガス圧を１００Ｐａまで下げ、ベ
ルジャーに高周波電力１５００Ｗを印加しＨ 2Ｏプラズ
マを発生させて６０秒アッシングし、その後にガスをＯ
2に切り替えＯ 2プラズマを発生させて更に６０秒アッシ
ングした。得られたウエハはアッシングが良好に行われ
ていて、レジストは完全に除去されていた。
理した具体例を示す。膜厚２μｍのレジストを形成した
６インチＡｌ−Ｓｉ合金ウエハを処理対象として、エッ
チング室内において、６０℃に温度調節した下部電極上
に設置し、ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガス（混合比１：３）
を供給してガス圧を１３３Ｐａに調節しつつ、４００Ｗ
の高周波電力をかけることにより、エッチングした。こ
の時のエッチング速度は６００ｎｍ／分であった。この
ウエハをアッシング室に挿入して、２５０℃に温度調節
した下部ステージ上に設置して熱伝導にて加熱するとと
もに（ウエハは２３０℃まで温度上昇した）、予め気化
器（図示せず）にて気化させたＨ2Ｏガスを導入してウ
エハの表面に沿って中央部から周縁側に流し、室内ガス
圧が３００Ｐａに達してからも２０秒間流した。次い
で、アッシング室内のガス圧を１００Ｐａまで下げ、ベ
ルジャーに高周波電力１５００Ｗを印加しＨ 2Ｏプラズ
マを発生させて６０秒アッシングし、その後にガスをＯ
2に切り替えＯ 2プラズマを発生させて更に６０秒アッシ
ングした。得られたウエハはアッシングが良好に行われ
ていて、レジストは完全に除去されていた。
【００２３】なお、上記実施例ではＡｌ−Ｓｉ合金ウエ
ハを処理対象としたが、Ｔａ，Ｆｅ系金属をエッチング
する場合や、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の酸化物をエッチン
グする場合でも下地にＡｌやＣｕ等の金属があるものを
対象として、この方法を実施することで同様の効果が得
られる。また、ＢＣｌ3とＣｌ2とを混合比１：３で混合
した混合ガスをエッチングに用いたが、他の混合比で混
合した混合ガスやいずれかのガスを単体で使用してもＡ
ｌ−Ｓｉ合金ウエハのエッチングは可能である。ただ
し、Ｃｌ2の混合比を増せばエッチング速度が早くな
り、逆にＣｌ2の混合比を減らせばエッチング速度が遅
くなる傾向がある。
ハを処理対象としたが、Ｔａ，Ｆｅ系金属をエッチング
する場合や、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の酸化物をエッチン
グする場合でも下地にＡｌやＣｕ等の金属があるものを
対象として、この方法を実施することで同様の効果が得
られる。また、ＢＣｌ3とＣｌ2とを混合比１：３で混合
した混合ガスをエッチングに用いたが、他の混合比で混
合した混合ガスやいずれかのガスを単体で使用してもＡ
ｌ−Ｓｉ合金ウエハのエッチングは可能である。ただ
し、Ｃｌ2の混合比を増せばエッチング速度が早くな
り、逆にＣｌ2の混合比を減らせばエッチング速度が遅
くなる傾向がある。
【００２４】さらに、Ｈ2Ｏプラズマでアッシングした
後にＯ2プラズマでアッシングしたが、Ｈ2Ｏプラズマの
みで処理した場合も同様の効果が得られる。
後にＯ2プラズマでアッシングしたが、Ｈ2Ｏプラズマの
みで処理した場合も同様の効果が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラズマ
アッシングに先立って、基板を２００℃以上に加熱する
とともに、Ｈ2Ｏガスを導入して基板の処理面沿いに中
央部から周縁側へ流し、そのガス圧を１００Ｐａ以上に
保持することにより、エッチング処理の工程で発生した
基板付着物を除去するようにしたので、アッシング処理
を精度よく行うことができ、残留レジストのない高品質
な製品が得られる。
アッシングに先立って、基板を２００℃以上に加熱する
とともに、Ｈ2Ｏガスを導入して基板の処理面沿いに中
央部から周縁側へ流し、そのガス圧を１００Ｐａ以上に
保持することにより、エッチング処理の工程で発生した
基板付着物を除去するようにしたので、アッシング処理
を精度よく行うことができ、残留レジストのない高品質
な製品が得られる。
【図１】本発明の一実施形態における真空処理方法の前
半工程が行われるエッチング室の概略構成を示す断面図
半工程が行われるエッチング室の概略構成を示す断面図
【図２】同真空処理方法の後半工程が行われるアッシン
グ室の概略構成を示す断面図
グ室の概略構成を示す断面図
１ エッチング室 ２ アッシング室 ６ ガス供給口 17 上部電極 18 下部電極 21 基板 25 押圧リング 29 ガス導入口 30 コイル 40 下部ステージ 44 等方排気板 45 ヒータ 48 Ｈ2Ｏガス 49 付着物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA09 BB26 BB28 BD01 CA01 CA02 CA04 DA04 DA11 DB09 DB26 FA01 FA08 5F043 AA24 CC16 DD02 DD10 DD15 DD23 5F046 MA12
Claims (2)
- 【請求項１】 処理対象の基板をエッチング室にてプラ
ズマエッチングした後、アッシング室にてプラズマアッ
シングする真空処理方法において、 プラズマアッシングに先立って、アッシング室に設置し
た基板を２００℃以上に加熱するとともに、アッシング
室内にＨ2Ｏガスを導入して基板の処理面に沿って中央
部から周縁側へ流し、室内ガス圧を１００Ｐａ以上に保
持することにより、プラズマエッチングで発生した基板
付着物をアッシングすることを特徴とする真空処理方
法。 - 【請求項２】 Ｈ2Ｏガスを１００Ｐａ以上に保持しつ
つ１５〜３０秒間流すことを特徴とする請求項１記載の
真空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26130699A JP2001085412A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26130699A JP2001085412A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 真空処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085412A true JP2001085412A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17359969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26130699A Pending JP2001085412A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085412A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120024479A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
| CN102891061A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-01-23 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理方法及等离子体灰化装置 |
| JP2017017278A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社デンソー | 金属パターンの製造方法 |
-
1999
- 1999-09-16 JP JP26130699A patent/JP2001085412A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120024479A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
| JP2013533640A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-08-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ内のガスの流れを制御するための装置 |
| US9443753B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
| CN102891061A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-01-23 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理方法及等离子体灰化装置 |
| JP2017017278A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社デンソー | 金属パターンの製造方法 |
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