KR920007101A - 에칭 및 플라즈마 처리방법 - Google Patents

에칭 및 플라즈마 처리방법 Download PDF

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켄지 모모세
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이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

에칭 및 플라즈마 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법을 실시하기 위하여 사용할 수 있는 플라즈마 처리장치를 나타낸 도면,
제2도는 로드로크 챔버를 부설한 플라즈마 처리장치를 나타낸 블록도,
제3도는 플라즈마 발생을 위한 조작의 타이밍챠트도.

Claims (16)

  1. 서로 평행하게 간격을 갖고 배치된 제1및 제2의 전극이 설치된 챔버(11)를 제공하고, 제1및 제2의 전극은, 이들 사이에 플라즈마 발생영역을 규제하며, 챔버내를 배기하고, 원하는 플라즈마 발생용 가스를 이 플라즈마 발생영역 내로 도입하여, 이 플라즈마 발생영역 내의 가스로부터의 플라즈마 발생을 촉진하기위하여, 이 플라즈마 발생 영역내의 가스에, 436㎚이하 파장의 자외선을 가지는 빛을 미리 정한 기간 조사하고, 이 빛의 조사 후, 이 제1및 제2의 전극 사이에 고주파 전극을 인가하여, 이것에 의하여 이 플라즈마 발생용 가스로부터 플라즈마를 발생시키고, 및 이 플라즈마로 이 소재를 플라즈마로 에칭처리하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 빛이 조사저합 수은램프로 부터 발생되는 플라즈마로 에칭처리하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 플라즈마 발생용 가스의 압력이 1Torr 이하인 플라즈마로 에칭처리하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 빛을 10초 이하로 조사하는 플라즈마로 에칭처리하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 광 조사 후, 제1및 제2의 전극 사이에 고주파 전력을 인가하고, 플라즈마가 안정화한 후 빛을 차단하는 플라즈마로 에칭처리하는 방법.
  6. 서로 평행하게 간격을 갖고 배치된 제1및 제2의 전극이 설치된 챔버(11)를 제공하고, 제1및 제2의 전극은, 이들 사이에 플라즈마 발생영역을 규제하며, 챔버내를 배기하고, 원하는 플라즈마 발생용 가스를 이 플라즈마 발생영역 내로 도입하여, 이 플라즈마 발생영역 내의 가스로부터의 플라즈마 발생을 촉진하기위하여, 이 플라즈마 발생 영역내의 가스에, 436㎚이하 파장의 자외선을 가지는 빛을 미리 정한 기간 조사하고, 이 빛의 조사 후, 또는 빛의 차단과 동시에, 이 제1및 제2의 전극 사이에 고주파 전극을 인가하여, 이것에 의하여 이 플라즈마 발생용 가스로부터 플라즈마를 발생시키고, 및 이 플라즈마로 소재를 플라즈마 에칭처리하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 빛이 조사저합 수은램프로 부터 발생되는 플라즈마로 소재를 플라즈마처리하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 플라즈마 발생용 가스의 압력이 1Torr 이하인 플라즈마로소재를 플라즈마처리하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 빛을 10초 이하로 조사하는 플라즈마로 소재를 플라즈마처리하는 방법.
  10. 제3항에 있어서, RF전력이 50내지 500와트의 것인 플라즈마로 에칭처리하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 처리가 소재의 에칭인 소재를 플라즈마로 에칭처리하는 방법.
  12. 제6항에 있어서, 플라즈마 발생가스가, 브롬화 가스를 포함하는 소재를 플라즈마처리하는 방법.
  13. 제7항에 있어서, 플라즈마 발생가스가, 염화수소가스, 산소가스, 염소가스, 6불화유황가스, 또는 이들 중 어느 것이나 2종이상의 조합을 더욱 포함하는 소재를 플라즈마처리하는 방법.
  14. 제7항에 있어서, 플라즈마 발생가스가, 헬륨으로 희석되어 있는 소재를 플라즈마처리하는 방법.
  15. 제7항에 있어서, 소재가 표면에 폴리실리콘막 또는 질화실리콘막을 가지는 반도체 웨이퍼인 소재를 플라즈마처리하는 방법.
  16. 제7항에 있어서, 소재가 표면에 텅스텐실리사이드/폴리실리콘적층막을 가지는 반도체 웨이퍼인 소재를 플라즈마처리하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910015524A 1990-09-07 1991-09-05 에칭 및 플라즈마 처리방법 KR0155565B1 (ko)

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