JPS60153127A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS60153127A JPS60153127A JP841484A JP841484A JPS60153127A JP S60153127 A JPS60153127 A JP S60153127A JP 841484 A JP841484 A JP 841484A JP 841484 A JP841484 A JP 841484A JP S60153127 A JPS60153127 A JP S60153127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- energy beam
- plasma
- chamber
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 36
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 101100536577 Caenorhabditis elegans cct-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000653567 Homo sapiens T-complex protein 1 subunit delta Proteins 0.000 description 1
- 102100029958 T-complex protein 1 subunit delta Human genes 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明はプラズマエツチング装置に関するものである
。
。
（従来技術）
半導体集積回路の製造において、半導体／ｆターンｔエ
ツチングする方法としては、近年、ドライエツチング法
が広く用いられている。ドライエツチング法はプラズマ
を利用したエツチング法であり、その装置形態は種々の
方法がある。
ツチングする方法としては、近年、ドライエツチング法
が広く用いられている。ドライエツチング法はプラズマ
を利用したエツチング法であり、その装置形態は種々の
方法がある。
第１図は従来のプラズマエツチング装置の一例全示す。
この図において、１はチャンバで、ガスを導入するガス
導入口２および排気口３が設けられている。ま７Ｃ，こ
のチャンバ１内に上部筒、極４と下部電極５が配置され
るもので、この両電極４゜５間にはＲＦ電源６にＪｊ）
高周波が印加される。
導入口２および排気口３が設けられている。ま７Ｃ，こ
のチャンバ１内に上部筒、極４と下部電極５が配置され
るもので、この両電極４゜５間にはＲＦ電源６にＪｊ）
高周波が印加される。
このような装置においては、下部電極５上に半導体基板
７が配置される。また、半導体基板７のエツチングされ
る材質に応じて選択された適切なるガスがガス導入口２
全通してチャンバ１円に導入される。すると、ガスは、
上部電極４と下部電極５との間の高周波によりプラズマ
状態になり。
７が配置される。また、半導体基板７のエツチングされ
る材質に応じて選択された適切なるガスがガス導入口２
全通してチャンバ１円に導入される。すると、ガスは、
上部電極４と下部電極５との間の高周波によりプラズマ
状態になり。
このガスプラズマにエフ半導体基板７がエツチングされ
る。
る。
ところで、ドライエツチングにおいては、半導体基板を
エツチングするエツチングレート（速［）が重要である
。し刀為るに、第１図で一例ケ示したような従来の装置
においてはレートの遅いものが大部分であり、したがっ
て、半導体基板のエツチングに時間が長くか〃するとい
う欠点があった。
エツチングするエツチングレート（速［）が重要である
。し刀為るに、第１図で一例ケ示したような従来の装置
においてはレートの遅いものが大部分であり、したがっ
て、半導体基板のエツチングに時間が長くか〃するとい
う欠点があった。
（発明の目的ン
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は
、エツチング速度の速いプラズマエツチング装置會提供
することにある。
、エツチング速度の速いプラズマエツチング装置會提供
することにある。
（発明の概要）
この発明の要点は、プラズマチャンバ内にガス全導入す
るガス導入口の直前に、高エネルギビームによるガス励
起装置音紋け、この装置により励起され７こガス葡前記
チャンバ内に導入することによジ、プラズマ発生効率を
向上させることにある。
るガス導入口の直前に、高エネルギビームによるガス励
起装置音紋け、この装置により励起され７こガス葡前記
チャンバ内に導入することによジ、プラズマ発生効率を
向上させることにある。
（実施例）
以下この発明の一実施例を図面全参照して説明する。第
２図はこの発明の一実施例を示す図である。この図に示
すように、この発明の一実施例では、チャンバ１（）０
ラズマチヤンバ）のガス導入口２の直前に、これと接続
してガス励起装置としての高エネルギビーム照射チャン
バ８が設けられる。この高エネルギビーム照射チャンノ
９８は、高エネルギビーム放出源９を内部に有する。こ
の高エネルギビーム放出源９は電源１０に接続される。
２図はこの発明の一実施例を示す図である。この図に示
すように、この発明の一実施例では、チャンバ１（）０
ラズマチヤンバ）のガス導入口２の直前に、これと接続
してガス励起装置としての高エネルギビーム照射チャン
バ８が設けられる。この高エネルギビーム照射チャンノ
９８は、高エネルギビーム放出源９を内部に有する。こ
の高エネルギビーム放出源９は電源１０に接続される。
また、高エネルギビーム照射チャンバ８は、それ自体へ
ガス全導入するガス導入口１１’ｆ有する。
ガス全導入するガス導入口１１’ｆ有する。
なお、プラズマチャンバ１部に関する計則は第１図と同
一であり、同一部分は第１図と同一符号を付して詳細な
説明は省略する。
一であり、同一部分は第１図と同一符号を付して詳細な
説明は省略する。
このように構成された装置においては、ガス例えば酸素
ガスが、ガス導入口１１”ｋ通して冒エネルギビーム照
射チャンバ８に尋人される。そして。
ガスが、ガス導入口１１”ｋ通して冒エネルギビーム照
射チャンバ８に尋人される。そして。
高エネルギビーム照射チャンバ８内において、ｃＲ素ガ
スは、高エネルギビーム放出源９炉ら照射される高エネ
ルギビーム例えば紫外線に、Ｃり励起され、オゾン状態
となる。このオゾン状態となった酸素ガスは、、ｆス導
入ロ２全通してプラズマチャンバ１に導入される。そし
て５このプラズマチャンバ１円において、酸素ガスは、
上部電極４と下部電極５との間の高周波によりプラズマ
状態となる。この際、酸素ガスは、オゾン状態と乃、っ
ているので、極めて効率よくプラズマ状態になる。した
がって、このガスプラズマにより半導体基板７がエツチ
ングされるわけであるが、この装置では。
スは、高エネルギビーム放出源９炉ら照射される高エネ
ルギビーム例えば紫外線に、Ｃり励起され、オゾン状態
となる。このオゾン状態となった酸素ガスは、、ｆス導
入ロ２全通してプラズマチャンバ１に導入される。そし
て５このプラズマチャンバ１円において、酸素ガスは、
上部電極４と下部電極５との間の高周波によりプラズマ
状態となる。この際、酸素ガスは、オゾン状態と乃、っ
ているので、極めて効率よくプラズマ状態になる。した
がって、このガスプラズマにより半導体基板７がエツチ
ングされるわけであるが、この装置では。
エツチング速度が極めて速くなる。なお、エツチングの
条件の一例奮示せば、高周波周波数１３．５６ＭＨｚ、
高周波電力密度０−３２ Ｗ／ｃｒｌ ｒチャンバ内ガ
ス圧１０−８＋ｎｍＨｆ （処理中−足に保持される）
である。
条件の一例奮示せば、高周波周波数１３．５６ＭＨｚ、
高周波電力密度０−３２ Ｗ／ｃｒｌ ｒチャンバ内ガ
ス圧１０−８＋ｎｍＨｆ （処理中−足に保持される）
である。
上記一実施例では高エネルギビームとして紫外線を用い
たが、遠紫外線音用いても同様の効果が得られる。
たが、遠紫外線音用いても同様の効果が得られる。
また、筒エネルギビームとしてＸ線奮用い、導入ガスと
してＣＣ６４ガスを用いに場合も同様の効果が得られ１
こ。
してＣＣ６４ガスを用いに場合も同様の効果が得られ１
こ。
さらに、関エネルギビームとしては、上記の紫外線、遠
紫外線、ＸＷＭのほかに、電子ビーム、イオンビーム音
用いても同様の効果が得られに。また、上述し１こ酸素
ガス、 ＣＣｔ４ガスのは〃為にフレオン系ガスなどの
エツチングガスの場合にも同様の効果が得られた。なお
、被エツチング材料とエツチングガスの柚類との関係會
念の１こめ示すと、被エツチング相打がフォトレジスト
の場合は０．ガス。
紫外線、ＸＷＭのほかに、電子ビーム、イオンビーム音
用いても同様の効果が得られに。また、上述し１こ酸素
ガス、 ＣＣｔ４ガスのは〃為にフレオン系ガスなどの
エツチングガスの場合にも同様の効果が得られた。なお
、被エツチング材料とエツチングガスの柚類との関係會
念の１こめ示すと、被エツチング相打がフォトレジスト
の場合は０．ガス。
アルミの場合はｃｃｔ４ガス、ポリシリコンまたはＳｉ
３Ｎ４の場合はＣＦ４である。
３Ｎ４の場合はＣＦ４である。
また、上記−実施例では、エツチング装置形式とじて平
行平板型音用いたが、円筒譬においても同様の効果を得
ることができ、同様に電極構造にも左右されずに上記一
実施例と同一の効果を得ることができる。
行平板型音用いたが、円筒譬においても同様の効果を得
ることができ、同様に電極構造にも左右されずに上記一
実施例と同一の効果を得ることができる。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明の装ｋＶこ工れば。
エツチングガス全ゾラズマチャンバ内に導入する前に、
そのガスを高エネルギビームにより励起するようにした
ので、プラズマ発生効率が上がってエツチング速度が同
上する。し１ζがって、エツチング工程の量厘性が同上
する。
そのガスを高エネルギビームにより励起するようにした
ので、プラズマ発生効率が上がってエツチング速度が同
上する。し１ζがって、エツチング工程の量厘性が同上
する。
第１図は従来のプラズマエツチング装置の一例金示す図
、第２図はこの発明のプラズマエツチング装置の一実施
例を示す図である。 １・・・チャンバ、２・・・ガス導入口、８・・・高エ
ネルギビーム照射チャンバ、９・・・高エネルギビーム
放川原、１０・・電源。 特許出願人 沖電気工業株式会社
、第２図はこの発明のプラズマエツチング装置の一実施
例を示す図である。 １・・・チャンバ、２・・・ガス導入口、８・・・高エ
ネルギビーム照射チャンバ、９・・・高エネルギビーム
放川原、１０・・電源。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (2)
- （１）プラズマチャンバ内にガスを導入するガス導入口
の直前に、ガスに対して高エネルギビームを照射するチ
ャンバ？設けたことを特徴とするプラズマエツチング装
置。 - （２）高エネルギビームとして、紫外線、遠紫外線。 Ｘ線、電子線あるいはイオンビームを用すたことｔ特゛
徴とする特許請求の範囲第１瑣記載のプラズマエツチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP841484A JPS60153127A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP841484A JPS60153127A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153127A true JPS60153127A (ja) | 1985-08-12 |
Family
ID=11692478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP841484A Pending JPS60153127A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153127A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123143A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | レジスト灰化方法 |
| JPS6276627A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS62120738A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-02 | Nec Corp | パイロツト信号送受信装置 |
| JPS62178779A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-05 | Toshiba Corp | Ｒｆ型イオン・スラスタ |
| JPS6410615A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device and apparatus therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5467377A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-30 | Hitachi Ltd | Plasma processing apparatus |
| JPS57192264A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Hitachi Ltd | Method of etching |
| JPS59135730A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP841484A patent/JPS60153127A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5467377A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-30 | Hitachi Ltd | Plasma processing apparatus |
| JPS57192264A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Hitachi Ltd | Method of etching |
| JPS59135730A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123143A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | レジスト灰化方法 |
| JPS6276627A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS62120738A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-02 | Nec Corp | パイロツト信号送受信装置 |
| JPS62178779A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-05 | Toshiba Corp | Ｒｆ型イオン・スラスタ |
| JPH07101029B2 (ja) * | 1986-01-30 | 1995-11-01 | 株式会社東芝 | Ｒｆ型イオン・スラスタ |
| JPS6410615A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device and apparatus therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4277304A (en) | Ion source and ion etching process | |
| JPS61136229A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS60153127A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP3223692B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS6244936A (ja) | イオンビ−ム発生方法および装置 | |
| JP2851765B2 (ja) | プラズマ発生方法およびその装置 | |
| JPH05243160A (ja) | 半導体デバイス製造用プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS59225525A (ja) | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 | |
| JPH07169743A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPS6011109B2 (ja) | ドライエツチング方法及び装置 | |
| JP2615070B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPS6257069B2 (ja) | ||
| JPS6114722A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06349776A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2666697B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH01278023A (ja) | ドライエッチング方法及びその装置 | |
| KR20050068783A (ko) | 플라즈마 식각 방법 및 장치 | |
| JP2738810B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5987818A (ja) | イオンエツチング装置 | |
| JP2709058B2 (ja) | 光ドライエツチング装置及び方法 | |
| JP3241164B2 (ja) | 励起分子線源 | |
| JPS61245526A (ja) | プラズマ光源 | |
| JPS6396924A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61161723A (ja) | イオンエツチング装置 | |
| JPS61114532A (ja) | プラズマ処理装置 |