JPS59135730A - 表面改質装置 - Google Patents
表面改質装置Info
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- JPS59135730A JPS59135730A JP58008731A JP873183A JPS59135730A JP S59135730 A JPS59135730 A JP S59135730A JP 58008731 A JP58008731 A JP 58008731A JP 873183 A JP873183 A JP 873183A JP S59135730 A JPS59135730 A JP S59135730A
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- JP
- Japan
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- raw material
- surface treatment
- treatment chamber
- sample reservoir
- excitation
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分封〕
本発明はエツチング装置、デポジション装置等の表面改
質装置４の改良に係り、特に、処理速度（エツチング速
度、デポジション速度等）？向上させ、かつ、次面処理
に関与する反応音制御するに好適な原材料気体の活性化
手段に関する。
質装置４の改良に係り、特に、処理速度（エツチング速
度、デポジション速度等）？向上させ、かつ、次面処理
に関与する反応音制御するに好適な原材料気体の活性化
手段に関する。
現任、プラズマエツチング装置、プラズマデポジション
装置等の表面改質装置においては、処理速度の向上およ
び表面改質時の反応の１ｔｉｌＪ御が要求されている。
装置等の表面改質装置においては、処理速度の向上およ
び表面改質時の反応の１ｔｉｌＪ御が要求されている。
これらの要求は、量産性、再現性や制御性の向上に直接
結びつく。
結びつく。
第１図および第２図にプラズマエツチング装置ｉ＜＜の
概略構成金泥した、第１図はＲＦ”（１３，５にれらの
装置における原材料気体の表面処理室内への導入方法の
大部分は、原材料気体全そのまま表面処理室１−あるい
は放電管８内に導入するものである。（プラズマデポジ
ション装置についても同様）一方、これらの装置におけ
るイオン化率ｒ？ ｒアｎ ｐ ／ （ｎ ｐ −１−ｎ ｏ ）ｎｐ：プ
ラズマ密１現 ロ０：原材料気体の密ｊ現 で足ｆ減すると、イオン化率の向い廂磁嚇マイクロθ支
ノラズー７エッチング装置６でさえもＩ′の１直は４父
％程度である（ Ｋ、 ５ｕｊｕｋｉ ｅｔ ａｌ、
Ｊｐｒｉ、 Ｊ、Ａｐｐｌ。
概略構成金泥した、第１図はＲＦ”（１３，５にれらの
装置における原材料気体の表面処理室内への導入方法の
大部分は、原材料気体全そのまま表面処理室１−あるい
は放電管８内に導入するものである。（プラズマデポジ
ション装置についても同様）一方、これらの装置におけ
るイオン化率ｒ？ ｒアｎ ｐ ／ （ｎ ｐ −１−ｎ ｏ ）ｎｐ：プ
ラズマ密１現 ロ０：原材料気体の密ｊ現 で足ｆ減すると、イオン化率の向い廂磁嚇マイクロθ支
ノラズー７エッチング装置６でさえもＩ′の１直は４父
％程度である（ Ｋ、 ５ｕｊｕｋｉ ｅｔ ａｌ、
Ｊｐｒｉ、 Ｊ、Ａｐｐｌ。
ＰＩすＳ、１６．１９７９（１９７７））。Ｉ（、Ｆ放
−と用いる平行平根型プラズマエツチング装（汀ではｒ
の値はさらに小さい。プラズマ中にはイオンの他に電気
的に中性な活性粒子も存在するが、しかし１、プラズマ
中の粒子の大部分ｔｉｔ末分解の原材料気体粒子である
。処理速度ケ向上さ１丈る／こめに（・ｘｊ、＋、Ｔｉ
Ｌ（オ料気体粒子′（ｉ−効率よく分ノゲｒ・イオン化
するこ々が心安でべ）５゜ ２ＩＪｔ杓料気体粒子ケ効率よく分用イ・イオン化する
手ｊ役と１−１て、１ｔＩ１１あるいはマイクロを皮を
用いる手踊励起が知られている。第３図にその具体例を
示した。ご７′ｌらの予備励起では、原材料気体ケあら
かじめｒｊｉＪ処理室１０でＲＦあるいはマイクロ波に
より励起・ｗ（離するため、表面処理室１円における原
材料気体粒子の分）ずｆ・イオン化が促進される。
−と用いる平行平根型プラズマエツチング装（汀ではｒ
の値はさらに小さい。プラズマ中にはイオンの他に電気
的に中性な活性粒子も存在するが、しかし１、プラズマ
中の粒子の大部分ｔｉｔ末分解の原材料気体粒子である
。処理速度ケ向上さ１丈る／こめに（・ｘｊ、＋、Ｔｉ
Ｌ（オ料気体粒子′（ｉ−効率よく分ノゲｒ・イオン化
するこ々が心安でべ）５゜ ２ＩＪｔ杓料気体粒子ケ効率よく分用イ・イオン化する
手ｊ役と１−１て、１ｔＩ１１あるいはマイクロを皮を
用いる手踊励起が知られている。第３図にその具体例を
示した。ご７′ｌらの予備励起では、原材料気体ケあら
かじめｒｊｉＪ処理室１０でＲＦあるいはマイクロ波に
より励起・ｗ（離するため、表面処理室１円における原
材料気体粒子の分）ずｆ・イオン化が促進される。
以−Ｌ述べたように、Ｒｌｉ”放′屯やマイクロ波放電
による予備励起は処理速度の白土に利し効果金持つ。し
かシフ、一方で、この方法では反応のｔｔｆ：Ｊ御が困
難である。一般に、放電中の市モの運動エネルギーには
大きな幅がめるので、］尤Ｆ放１にやマイクロ波放醒中
では原材料気体粒子甲のほとんどすべての結合が切〃ｔ
され、多棟類の活性ＩＡ′７子が生成される。このよう
な多棟類の活性粒子ケ表＋Ｍｉ処理１えに送り込み、さ
らに放電させるわけであるから、表面処理反応では極め
て多棟類の活性粒子が生成さ７′１２る。この結果、表
面処理時の化′テ′反応（ｄ惨めで、ｆＪ！、雑なもの
となり、反応の制側１性が低１−’ １．、、、イ（面
処理の再現性が低下する。
による予備励起は処理速度の白土に利し効果金持つ。し
かシフ、一方で、この方法では反応のｔｔｆ：Ｊ御が困
難である。一般に、放電中の市モの運動エネルギーには
大きな幅がめるので、］尤Ｆ放１にやマイクロ波放醒中
では原材料気体粒子甲のほとんどすべての結合が切〃ｔ
され、多棟類の活性ＩＡ′７子が生成される。このよう
な多棟類の活性粒子ケ表＋Ｍｉ処理１えに送り込み、さ
らに放電させるわけであるから、表面処理反応では極め
て多棟類の活性粒子が生成さ７′１２る。この結果、表
面処理時の化′テ′反応（ｄ惨めで、ｆＪ！、雑なもの
となり、反応の制側１性が低１−’ １．、、、イ（面
処理の再現性が低下する。
したがって、ＲＦ放′屯やマイクロ被放１江金使用する
予備励起は処理速度の向上につながるが反面。
予備励起は処理速度の向上につながるが反面。
１」１ｉ反応の制御が困難という欠点ｋ イーｎ Ｌ、
−Ｃいる。
−Ｃいる。
したがって、本発明の目的ｒ１反応のル１１餌ｊが′ｄ
嶋で、かつ、処理・重度の向上が（はがれる予備励起手
段？備７ｔた表［ｍ改質装置全提供するととにイ’ｒ
−’！ｖ。
嶋で、かつ、処理・重度の向上が（はがれる予備励起手
段？備７ｔた表［ｍ改質装置全提供するととにイ’ｒ
−’！ｖ。
上記目的ケ達成するため′２Ｆ−発明においては１．と
面処理用ｌＩハ杓科気体栄イ］く面処理室に導入する前
に衣Ｉ用処理室に除皮しＺ（−試料だめに原材料気体？
導入し、熱２元２．：Ｌ子１ｉがのりもの少なくとも１
つ？用いてあらかじめ気１本悄成原チ１分子を励起・解
離する↓うＶこし）′ζ（−とにより、六回改質時の反
応ケよりよ＜ ｉｌｉ！１山しながら処理速＃ケ謂犬さ
せるようにしだものてあイ）。
面処理用ｌＩハ杓科気体栄イ］く面処理室に導入する前
に衣Ｉ用処理室に除皮しＺ（−試料だめに原材料気体？
導入し、熱２元２．：Ｌ子１ｉがのりもの少なくとも１
つ？用いてあらかじめ気１本悄成原チ１分子を励起・解
離する↓うＶこし）′ζ（−とにより、六回改質時の反
応ケよりよ＜ ｉｌｉ！１山しながら処理速＃ケ謂犬さ
せるようにしだものてあイ）。
〔りへ明の火施例」
はじめに、本発明の児押について連・′＼る。
先に、述べたように、Ｈ，Ｉ”放電■・マイクロ彼放由
；ケ用いたｊ’ Ｖｉｉ＋ ｍυ起の欠点（／、ｆ、表
面処理時の化学反応が抜雑となり、反応の１６．］御が
内実ＩＬという点にある。−ぞ１．−ｃこの原因は、予
１箱励起の際に放電によって原（」料′Ａ体柁Ｐ中のほ
とんどすべての結合が切１仇さ７し多棟類の活性粒子ン
クエ生成されることにあ６、。
；ケ用いたｊ’ Ｖｉｉ＋ ｍυ起の欠点（／、ｆ、表
面処理時の化学反応が抜雑となり、反応の１６．］御が
内実ＩＬという点にある。−ぞ１．−ｃこの原因は、予
１箱励起の際に放電によって原（」料′Ａ体柁Ｐ中のほ
とんどすべての結合が切１仇さ７し多棟類の活性粒子ン
クエ生成されることにあ６、。
そこで、；１＼発明でな、ｉ、この−ｐ ｕｉｉｉ励起
金励起光熱電子線のうちの少なくとも１つ１用いて行な
うことで反応のｆｔｉ制御Ｌ′４し１．ｒ：向上させ−
１かつ処理速度の向上ゲはかったものである。たとえＶ
ｊ：、原口科気体金あらかじめ加熱する方式では、加熱
温１現ｋ ！ｌ１ｌＪ御することで既知の子実定数・解
離定数奮もとに予備的な気体粒子の励起・解離全制御す
ることが（り能である。また、光および電子線は単色化
（エネルギー金特定の狭い範囲に絞る）が”Ｕ能である
ので、これらケ原材料気体に照射することにより、気体
原子・分子金ある特定の準位に励起したり、あるいは、
分子中の特定の結合ケ切断したりすること７５卸Ｊ能で
ある。′すなわち、原材料気体の予備的な励起・解離に
熱、光１ｍ子線のうちの少なくとも１つ金柑いることに
より、（１）処理速度が向」二すると共に、（２）几Ｆ
放電やマイクロ波数′屯紫用いる場合に比べ気体原子・
分子の予備的な励起・解離がより制御できるので、表面
処理反応の制御性が向上する。
金励起光熱電子線のうちの少なくとも１つ１用いて行な
うことで反応のｆｔｉ制御Ｌ′４し１．ｒ：向上させ−
１かつ処理速度の向上ゲはかったものである。たとえＶ
ｊ：、原口科気体金あらかじめ加熱する方式では、加熱
温１現ｋ ！ｌ１ｌＪ御することで既知の子実定数・解
離定数奮もとに予備的な気体粒子の励起・解離全制御す
ることが（り能である。また、光および電子線は単色化
（エネルギー金特定の狭い範囲に絞る）が”Ｕ能である
ので、これらケ原材料気体に照射することにより、気体
原子・分子金ある特定の準位に励起したり、あるいは、
分子中の特定の結合ケ切断したりすること７５卸Ｊ能で
ある。′すなわち、原材料気体の予備的な励起・解離に
熱、光１ｍ子線のうちの少なくとも１つ金柑いることに
より、（１）処理速度が向」二すると共に、（２）几Ｆ
放電やマイクロ波数′屯紫用いる場合に比べ気体原子・
分子の予備的な励起・解離がより制御できるので、表面
処理反応の制御性が向上する。
次に、本発明の原理全具体例音用いてさらにｈ■・しく
説明する。原材料気体と１７てＣ，ｊエツチングガスと
して最も単純なフッ素（Ｆ２ ）ガス金用いる。１Ｆ２
は室温では女定であるが、温ＩＷのト昇に伴ない一部が
熱解離してフッ素原子（１”）になる。
説明する。原材料気体と１７てＣ，ｊエツチングガスと
して最も単純なフッ素（Ｆ２ ）ガス金用いる。１Ｆ２
は室温では女定であるが、温ＩＷのト昇に伴ない一部が
熱解離してフッ素原子（１”）になる。
熱平衡状、態
Ｆ２ □ ← ２ ト１
にあるとして、悟平衡矩数Ｋｐから計Ｓ’ｌすると（Ｊ
ＡＮＡＦ ’ｌ’ｈｅｒｍｏｃｈｅｍｉｃ ａＩ
Ｔａｆ）Ｉｅｓ、 １９６５）。
ＡＮＡＦ ’ｌ’ｈｅｒｍｏｃｈｅｍｉｃ ａＩ
Ｔａｆ）Ｉｅｓ、 １９６５）。
１００Ｔｏｒｒ、７００Ｃでは■−２の約４０係が熱解
離して１？ＶＣなっている。昌度を制御することにより
、任意の熱解離率全得ることがＤＪ能である。
離して１？ＶＣなっている。昌度を制御することにより
、任意の熱解離率全得ることがＤＪ能である。
解離光源として紫外レーザ光を用いた場合、解離率ａに
関し次式が近似的に成立する。
関し次式が近似的に成立する。
Ｊ：単位時間、単位囲績あたりに入射する光子数
Ｎ ： Ｆ ２の濃度
σ：Ｆ２の光解離断血禎
に：Ｆの再結合定数
波長２０００人、出力１０’Ａ’／ｃｍ２の紫外レーザ
光がＩＱ”］”ｏｒｒのＦ２に照射されたとすｔｉは、
Ｊ 二 ｌＸｌ０ Ｉ ７ 、 Ｎ＝４Ｘ１０”、
σ−１０−” 、 ｆ＝８Ｘ１０−１’となり
、ａ＝０．１が得られる。すなわち、この条件ではＦ２
の約１０％が光解離してＦになっている。この曲、光は
最も単色化が容易であるので、光？用いることにより、
涼（２３料気体粒子中の７侍定の結合’ｘｖＪ断じて特
定の活性粒子全作り出すこと等が比較的容易に行なえる
。
光がＩＱ”］”ｏｒｒのＦ２に照射されたとすｔｉは、
Ｊ 二 ｌＸｌ０ Ｉ ７ 、 Ｎ＝４Ｘ１０”、
σ−１０−” 、 ｆ＝８Ｘ１０−１’となり
、ａ＝０．１が得られる。すなわち、この条件ではＦ２
の約１０％が光解離してＦになっている。この曲、光は
最も単色化が容易であるので、光？用いることにより、
涼（２３料気体粒子中の７侍定の結合’ｘｖＪ断じて特
定の活性粒子全作り出すこと等が比較的容易に行なえる
。
以上、Ｆｚｆ用いて本発明ケ説明したか、ｌ、Ｘ２以外
のＪ９．Ｕ料気体に対しでも本兄明がイＪ効であること
はもちろんである。
のＪ９．Ｕ料気体に対しでも本兄明がイＪ効であること
はもちろんである。
次に、本発明の具体的な実施例全図ケ用いて説明する。
〈実施例１−〉
第４図は熱？利用して原材料気体粒子・分子を励起・解
離する予誦励起手段を示す模式図であ２）。
離する予誦励起手段を示す模式図であ２）。
試料だめ１２は表面処丹ｊ室１に’Ｊ’ｌＪ続されてい
る（以下の実施例においても試料だめ１２は１べて衣？
：＋ｉ処理室１に接続さ扛でいる）。試料ため１２中で
加熱励起・解離しまた原イ４料気体は、ピンホール１３
全通して表面処理室１に導入される。試料だめ１２中の
圧力と表面処理室１内の圧力と＋Ｊ、異なる場合が多い
ので、両者の中間に差１１Ｅ ＃：Ｉ＋気用のピンホー
ル１３ヶ設けた。ヒータ１１の１止力は、最低でも試料
だめ１２が］、０００Ｃ程度まで加熱できる能力である
ことが必要である。。
る（以下の実施例においても試料だめ１２は１べて衣？
：＋ｉ処理室１に接続さ扛でいる）。試料ため１２中で
加熱励起・解離しまた原イ４料気体は、ピンホール１３
全通して表面処理室１に導入される。試料だめ１２中の
圧力と表面処理室１内の圧力と＋Ｊ、異なる場合が多い
ので、両者の中間に差１１Ｅ ＃：Ｉ＋気用のピンホー
ル１３ヶ設けた。ヒータ１１の１止力は、最低でも試料
だめ１２が］、０００Ｃ程度まで加熱できる能力である
ことが必要である。。
実施例
第５図は実施例１を改良したものであイ）。ノズル１４
より吹き出／ζ原計（料気体（ｆよＬＭ）１熱根１５に
（ｄｉＪ突することにより、より効率的に励起・解離さ
れる。加熱板１５の温度は試料だめ１２の内壁温度と同
桿）糺にし、１おく１、 〈実施例３５ 第６図は′：ｆ！、施１＋ｌＪ １． ’、ｒ改良した
ものである。羽１６ゲ試料だめ１２中に設置すること（
１（−より、原イ」料気体が「も渦部に接する機会がふ
え、その結果、原材料気体粒子が効率的にｓｔｒ起・解
離する。
より吹き出／ζ原計（料気体（ｆよＬＭ）１熱根１５に
（ｄｉＪ突することにより、より効率的に励起・解離さ
れる。加熱板１５の温度は試料だめ１２の内壁温度と同
桿）糺にし、１おく１、 〈実施例３５ 第６図は′：ｆ！、施１＋ｌＪ １． ’、ｒ改良した
ものである。羽１６ゲ試料だめ１２中に設置すること（
１（−より、原イ」料気体が「も渦部に接する機会がふ
え、その結果、原材料気体粒子が効率的にｓｔｒ起・解
離する。
〈実施例４〉
第７図はピンホールを設けない場合の実施例を不したも
のである。銅環熱伝導に優れた拐質で作ったらせん管１
８全加熱炉１７内を通すことにより、らせん管１８内で
通る原材料気体粒子熱し７て）ψノ起・ｌ！Ｊ’ｆ離を
行なう。
のである。銅環熱伝導に優れた拐質で作ったらせん管１
８全加熱炉１７内を通すことにより、らせん管１８内で
通る原材料気体粒子熱し７て）ψノ起・ｌ！Ｊ’ｆ離を
行なう。
・（実施例５）
第８図は、光栄用いて涼Ｉ科気体原子・分子を励起・解
離する場合の模式図である。光ｅ９としでし・−ザを用
いる。レーザ２１から出たレーザ光は、反射貌１９の一
端にあけられた穴２２および窓２０全通過して試料だめ
１２内に入射する。この時レーザブＣの−＆ｌＩは涼材
料気原子・分子に吸収されこれら全励起・解離するが、
残りの光は窓２０を通過して反射鏡１９で反射されてＶ
」び試料ため１２内に入射する。反射鏡１９は光励起・
光解離の効率金高めるために設置されている。
離する場合の模式図である。光ｅ９としでし・−ザを用
いる。レーザ２１から出たレーザ光は、反射貌１９の一
端にあけられた穴２２および窓２０全通過して試料だめ
１２内に入射する。この時レーザブＣの−＆ｌＩは涼材
料気原子・分子に吸収されこれら全励起・解離するが、
残りの光は窓２０を通過して反射鏡１９で反射されてＶ
」び試料ため１２内に入射する。反射鏡１９は光励起・
光解離の効率金高めるために設置されている。
〈実施例６）
第９図は、ノズル１４より吹き出した原相料気体にレン
ズ群２３で来光したレーザ光音照射する場合の模式図で
ある。本実施例では、レンズ集光によって１７−ザ尤の
エネルギー密度金高めでいるため、気体原子・分子の励
起・解離効率金増人させることがｏＪ能である。
ズ群２３で来光したレーザ光音照射する場合の模式図で
ある。本実施例では、レンズ集光によって１７−ザ尤の
エネルギー密度金高めでいるため、気体原子・分子の励
起・解離効率金増人させることがｏＪ能である。
実施例
第１０図は、レーザのかわりに光源としてランブ２５金
用いた場合の実施例金示したものである。
用いた場合の実施例金示したものである。
光学フィルタ２４により波長範囲の選択が口Ｊ能であり
、励起・解離の効率も太さい。
、励起・解離の効率も太さい。
〈実施例８；〉
第１１図は、励起・解離のエネルギー源として１粍子線
金用いる場合の実施例全示したものである。
金用いる場合の実施例全示したものである。
ノズル１４より吹き出した原材料気体に、電子線２６よ
り単色化された電子線が照射される。
り単色化された電子線が照射される。
・−８：実施例９〉
「Ｂ１２図は実施例１〜８′！、での仮合例の一例金示
したものである。試料ため１２内に導入された原桐料気
体は、ヒータ１１によシ加熱されると同時にランプ２５
からの照射される。本実施例によれば一気体原子・分子
力旬鳴により励起・解離すると同時に光により励起・解
離するため、全体的な励起・解離の効率は上列する。
したものである。試料ため１２内に導入された原桐料気
体は、ヒータ１１によシ加熱されると同時にランプ２５
からの照射される。本実施例によれば一気体原子・分子
力旬鳴により励起・解離すると同時に光により励起・解
離するため、全体的な励起・解離の効率は上列する。
実施例１−．８を組合せれは本実施例以外にも様様な実
施例が考えられるが、１これら複合的な実施例が本発明
に含−まれることはも、シろんである。また、同一手段
全複数回あるいは複数個使用することも本発明に含１れ
る。
施例が考えられるが、１これら複合的な実施例が本発明
に含−まれることはも、シろんである。また、同一手段
全複数回あるいは複数個使用することも本発明に含１れ
る。
最後に、今まで述べてきた実施例では特にノＪ＜さなか
ったが、解媒の併用も櫓効であると考える。
ったが、解媒の併用も櫓効であると考える。
触媒は特別の反応のみを強めることが知られているので
、触媒全試料だめ中にあわせて設置する（二とにより、
気体原子・分子の特定の励起・）γ島１１□ケ促進する
ことが可能と考えられる。
、触媒全試料だめ中にあわせて設置する（二とにより、
気体原子・分子の特定の励起・）γ島１１□ケ促進する
ことが可能と考えられる。
〔発明の効果コ
本発明によれば、原材料気体？表向処理室に導入する以
前に励起・解離できるので、表面処理室内での放′ｉＬ
による励起・解離が促進され表面処理速度？向上させる
ことができる。さらに、温度・波長静音選択することに
より試別だめ中での励起・解崩過程の選択が可能な／こ
め、表面処理室内での化学反応の制御がｒｉｆ能である
。
前に励起・解離できるので、表面処理室内での放′ｉＬ
による励起・解離が促進され表面処理速度？向上させる
ことができる。さらに、温度・波長静音選択することに
より試別だめ中での励起・解崩過程の選択が可能な／こ
め、表面処理室内での化学反応の制御がｒｉｆ能である
。
第１図は平行平板型プラズマエツチング装置「１の模式
図、第２図は有磁場−ｒイクロ波プラズマエツチング装
置の模式図、第３図はＲＦ ｋ用いた予備励起機構付エ
ノナング装置のセラ１略図、第４図〜第７図は本発明に
よる次面改質装置における励起・解離に熱金利用する予
備励起手段の模式図、第８図〜第９図は同じく励起・解
離にレーザ光？利用する予備励起手段の模式図、第１０
図は同じく励起・解離にランプ光源全利用する予備励起
手段の模式図、第１１図は同じく励起・解離に一子線金
利用する予備励起手段の模式図、第１２図は同じく励起
・解離に熱とランプ光源全併用した予備励起手段の模式
図である。 ｌ・・・表向処理室、２・・・成極、３・・試料、４・
・・バルブ、訃・・マグネトロン、６・・・導波管、７
・・・ソＬ／ノイド−Ｊ−（ル、８・・・放電管、９・
・・公転板、１０・・・前処理室、１１・・・ヒータ、
１２・・・試料／こめ、１３・・・ビンポール、１４・
・・ノズル、１５・・・加熱板、１６・・・羽、１７・
・・加熱炉、１８・・・らせん管、１９・・・反射鏡、
２０・・・窓、２１・・・レーザ、２２・・・穴、２３
・・・レンズ群、２４・・・光学フィルタ、２５・・・
ランプ、”弔 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 １１ ￥５５ 目 ｌ １６ Ｄ 辺 ６ 輛゛１ 図 、−１７ ３ ′槽 ３ 図 第 ９ 図 第１０ 図 χ １１ （２） Ｚ ４１２ 日２４−
図、第２図は有磁場−ｒイクロ波プラズマエツチング装
置の模式図、第３図はＲＦ ｋ用いた予備励起機構付エ
ノナング装置のセラ１略図、第４図〜第７図は本発明に
よる次面改質装置における励起・解離に熱金利用する予
備励起手段の模式図、第８図〜第９図は同じく励起・解
離にレーザ光？利用する予備励起手段の模式図、第１０
図は同じく励起・解離にランプ光源全利用する予備励起
手段の模式図、第１１図は同じく励起・解離に一子線金
利用する予備励起手段の模式図、第１２図は同じく励起
・解離に熱とランプ光源全併用した予備励起手段の模式
図である。 ｌ・・・表向処理室、２・・・成極、３・・試料、４・
・・バルブ、訃・・マグネトロン、６・・・導波管、７
・・・ソＬ／ノイド−Ｊ−（ル、８・・・放電管、９・
・・公転板、１０・・・前処理室、１１・・・ヒータ、
１２・・・試料／こめ、１３・・・ビンポール、１４・
・・ノズル、１５・・・加熱板、１６・・・羽、１７・
・・加熱炉、１８・・・らせん管、１９・・・反射鏡、
２０・・・窓、２１・・・レーザ、２２・・・穴、２３
・・・レンズ群、２４・・・光学フィルタ、２５・・・
ランプ、”弔 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 １１ ￥５５ 目 ｌ １６ Ｄ 辺 ６ 輛゛１ 図 、−１７ ３ ′槽 ３ 図 第 ９ 図 第１０ 図 χ １１ （２） Ｚ ４１２ 日２４−
Claims (1)
- １、原月料気体ゲ衣面処理室に導入して活性化し、−Ｆ
ｌ記活性化によって生じた活性粒子？用いて上記表面処
理室内に置かれた試料の表面を改質する表面改質装置に
おいて、上記表面処理室に隣接させて試料だめケ設け、
上記試料だめに導入した上記原材料気体全熱、光、′電
子線のうちの少なくとも１つ金柑いてあらかじめ活性化
し、上目（シ活性化によって生じた活性粒子？言む」−
記原材料気体全上記表面処理室に導入して古び活性化し
７て」二ｄ己試料の表面を改質するようにしてなること
ケ′侍徴と゛する表面改質装置６゜
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| JP58008731A JPS59135730A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 表面改質装置 |
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