JPS63233564A - 接合型トランジスタの製造法 - Google Patents
接合型トランジスタの製造法Info
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- JPS63233564A JPS63233564A JP62068302A JP6830287A JPS63233564A JP S63233564 A JPS63233564 A JP S63233564A JP 62068302 A JP62068302 A JP 62068302A JP 6830287 A JP6830287 A JP 6830287A JP S63233564 A JPS63233564 A JP S63233564A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄型の画像表示装置や、画像読取装こに利用さ
れる接合型トランジスタの製造法に関する。
れる接合型トランジスタの製造法に関する。
［従来技術］
近年ポケットテレビやワードプロセッサ等の事務機器の
ディスプレイに液晶表示素子が普及しつつある。また、
小型のファクシミリに原稿中と同じ長さの読取部を持つ
密着型ラインセンサが用いられはじめている。この様な
機器では透明で大面植の基板上に液晶セルや光センサ等
の素子が１次元又は２次元の７レイ状に多数作り込まれ
ている。これら多数の素子を駆動するには各素子からポ
ンディングにより配線を引き出す、又はマトリクス配線
を介して配線を引き出す等の方法が通常行なわれている
が、同じ基板上にトランジスタを ゛作り、込んで駆
動する事ができれば、表示の画像品質や読取の高速性、
更には駆動回路のコスト低減に対して大きな効果がある
。
ディスプレイに液晶表示素子が普及しつつある。また、
小型のファクシミリに原稿中と同じ長さの読取部を持つ
密着型ラインセンサが用いられはじめている。この様な
機器では透明で大面植の基板上に液晶セルや光センサ等
の素子が１次元又は２次元の７レイ状に多数作り込まれ
ている。これら多数の素子を駆動するには各素子からポ
ンディングにより配線を引き出す、又はマトリクス配線
を介して配線を引き出す等の方法が通常行なわれている
が、同じ基板上にトランジスタを ゛作り、込んで駆
動する事ができれば、表示の画像品質や読取の高速性、
更には駆動回路のコスト低減に対して大きな効果がある
。
この様な目的のためには、第５図に示すような通常のガ
ラス基板上にグロー放電法で堆積した非品質シリコンや
、石英ガラス上に８ＣｖＤ法によって、堆積した多結晶
シリコンを使って作られた絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタが用いられてきた。
ラス基板上にグロー放電法で堆積した非品質シリコンや
、石英ガラス上に８ＣｖＤ法によって、堆積した多結晶
シリコンを使って作られた絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタが用いられてきた。
［発明が解決しようとする問題点］
絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、製造プロセスが
比較的簡単であるが、主として半導体のゲート絶縁膜近
傍の部分を使っているため、界面準位等の影テをうけや
すく、多数の素子の特性をそろえる事、あるいは特性の
再現性を向上させる事が、かなり困難であった。
比較的簡単であるが、主として半導体のゲート絶縁膜近
傍の部分を使っているため、界面準位等の影テをうけや
すく、多数の素子の特性をそろえる事、あるいは特性の
再現性を向上させる事が、かなり困難であった。
その点、第６図に示す様な接合型トランジスタは界面の
影響を直接には受けにくく、単結晶半導体では、電界効
果トランジスタより接合型トランジスタの方がはるかに
早く実用化された。ところが従来の非単結晶基板上に作
られた非晶質シリコンや多結晶シリコンでは接合型トラ
ンジスタは実用化されていない、その原因としては、非
晶質シリコンでは少数坦体の拡散長りが極めて短かいた
めエミッタから注入された少数キャリアがベース領域中
で再結合してしまい、コレクタ領域に注入できない！Ｉ
Ｇ、また多結晶シリコンでも結晶粒間の粒界のため実質
的に拡散長りが短かくなっており、さらに粒界に沿って
電流が流れるため、逆方向特性が良好な接合が形成でき
ない事等が考えられる。したがって少くとも多結晶シリ
コンにおいても１粒径を十分大きくし又１粒界に沿って
流れる電流が減少できれば、接合型トランジスタを実現
しうると考えられる。しかしながら通常のガラス基板の
様な実用に供しうる程度に低コストではあるが、４００
℃を越える様な高い温度に耐えない非単結晶基板上に堆
積された多結晶シリコンでは、容易にこの条件を満たす
ことはできなかった。また接合を形成する方法もこの様
な基板上に堆積された場合熱拡散工程は使用できず、多
くの場合高額な設備を必要とするイオン打込みによらざ
るを得なかった０以上の様に液晶表示素子や密着型ライ
ンセンサ等には、特性の均一性や再現性には問題を残し
ながらも絶縁ゲート型電界効果トランジスタが検討され
てきたのが現状である。
影響を直接には受けにくく、単結晶半導体では、電界効
果トランジスタより接合型トランジスタの方がはるかに
早く実用化された。ところが従来の非単結晶基板上に作
られた非晶質シリコンや多結晶シリコンでは接合型トラ
ンジスタは実用化されていない、その原因としては、非
晶質シリコンでは少数坦体の拡散長りが極めて短かいた
めエミッタから注入された少数キャリアがベース領域中
で再結合してしまい、コレクタ領域に注入できない！Ｉ
Ｇ、また多結晶シリコンでも結晶粒間の粒界のため実質
的に拡散長りが短かくなっており、さらに粒界に沿って
電流が流れるため、逆方向特性が良好な接合が形成でき
ない事等が考えられる。したがって少くとも多結晶シリ
コンにおいても１粒径を十分大きくし又１粒界に沿って
流れる電流が減少できれば、接合型トランジスタを実現
しうると考えられる。しかしながら通常のガラス基板の
様な実用に供しうる程度に低コストではあるが、４００
℃を越える様な高い温度に耐えない非単結晶基板上に堆
積された多結晶シリコンでは、容易にこの条件を満たす
ことはできなかった。また接合を形成する方法もこの様
な基板上に堆積された場合熱拡散工程は使用できず、多
くの場合高額な設備を必要とするイオン打込みによらざ
るを得なかった０以上の様に液晶表示素子や密着型ライ
ンセンサ等には、特性の均一性や再現性には問題を残し
ながらも絶縁ゲート型電界効果トランジスタが検討され
てきたのが現状である。
本発明は、この様な現状に鑑みなされたものであって、
低コストな透明大面積基板上に大規模な設備を必要とし
ない工程で作製できる接合型トランジスタの製造方法を
提供するものである。
低コストな透明大面積基板上に大規模な設備を必要とし
ない工程で作製できる接合型トランジスタの製造方法を
提供するものである。
［問題点を解決する為の手段］
本発明者らの検討によると、多結晶シリコンを用いた接
合型トランジスタを実用化するためには特にベース領域
の多結晶シリコンを高品質化する事が極めて重要である
ことが判った。すなわち、エミッタからベース領域λ注
入された少数担体は結晶粒界において再結合を起こしや
すい、ベース領域を薄くする事によって、相対的に粒界
の影響は低減できるが、極端に薄くすると、空乏層が十
分に拡がらないため良好な接合が形成できない。
合型トランジスタを実用化するためには特にベース領域
の多結晶シリコンを高品質化する事が極めて重要である
ことが判った。すなわち、エミッタからベース領域λ注
入された少数担体は結晶粒界において再結合を起こしや
すい、ベース領域を薄くする事によって、相対的に粒界
の影響は低減できるが、極端に薄くすると、空乏層が十
分に拡がらないため良好な接合が形成できない。
またベースからの取出し電極の形成がデバイス製造工程
上困難になる等の問題があり、ベース領域の厚さの実用
上の下限はほぼ１０００Åである事が見出された。
上困難になる等の問題があり、ベース領域の厚さの実用
上の下限はほぼ１０００Åである事が見出された。
この点からベース領域を構成する多結晶シリコンは、そ
の粒径あるいは少くとも膜厚方向の長さの平均が、１０
００五以上である事が望ましい、また粒界に沿って流れ
る電流を減少させるためには。
の粒径あるいは少くとも膜厚方向の長さの平均が、１０
００五以上である事が望ましい、また粒界に沿って流れ
る電流を減少させるためには。
粒界に沿って流れる電流の原因となる１粒界の局在準位
を減少させる必要がある。
を減少させる必要がある。
未発Ｉｌ１者らは、少くともベース領域を、シリコンと
ハロゲンを含むガス種を活性化室にてプラズマ放電、白
熱したタングステンフィラメント、レーザー光等の手段
にて活性化して得られる前駆体と、少くとも水素を含む
ガス種を別の活性化室にて活性化して得られる前駆体と
、必要に応じてホーウ素、アルミニウム、カリウム、イ
ンジウム等の周期律表３族の、又はリン、ヒ素、アンチ
モン等の周期律表５族の原子を含むガス種を前記のいず
れかの活性化室又はこれとは別の活性化室にて活性化し
て得られる前駆体との反応で得られる多結晶シリコンで
作る４９により前記の目的を達成しうる事を見出した。
ハロゲンを含むガス種を活性化室にてプラズマ放電、白
熱したタングステンフィラメント、レーザー光等の手段
にて活性化して得られる前駆体と、少くとも水素を含む
ガス種を別の活性化室にて活性化して得られる前駆体と
、必要に応じてホーウ素、アルミニウム、カリウム、イ
ンジウム等の周期律表３族の、又はリン、ヒ素、アンチ
モン等の周期律表５族の原子を含むガス種を前記のいず
れかの活性化室又はこれとは別の活性化室にて活性化し
て得られる前駆体との反応で得られる多結晶シリコンで
作る４９により前記の目的を達成しうる事を見出した。
すなわち本発明の接合型トランジスタの製造法は、非単
結晶基板上に多結晶シリコンを積層して構成する接合型
トランジスタの製造法において。
結晶基板上に多結晶シリコンを積層して構成する接合型
トランジスタの製造法において。
少くともベース領域は、少くともシリコンとハロゲンを
含むガス種を活性化室で活性化して得られる前駆体と、
少くとも水素を含むガス種を、前記活性化室と別の活性
化室で活性化して得られる前駆体と、要すれば周期律表
の３族又は５族の原子を含むガス種を、前記いずれかの
活性化室又は別の活性化室で活性化して得られる前駆体
とを反応させて得られる多結晶シリコンで構成すること
を特徴としたものである。
含むガス種を活性化室で活性化して得られる前駆体と、
少くとも水素を含むガス種を、前記活性化室と別の活性
化室で活性化して得られる前駆体と、要すれば周期律表
の３族又は５族の原子を含むガス種を、前記いずれかの
活性化室又は別の活性化室で活性化して得られる前駆体
とを反応させて得られる多結晶シリコンで構成すること
を特徴としたものである。
ここでシリコンとハロゲンを含むガス種としてはたとえ
ば、５ｉｎＸ２ｎ、ｚ （ｎ＝ １． ２．３． Ｘ
＝ Ｆ。
ば、５ｉｎＸ２ｎ、ｚ （ｎ＝ １． ２．３． Ｘ
＝ Ｆ。
Ｃ１、Ｂｒ 、 Ｉ）、 （ＳｉＸ２）ｎ（ｎ≧３．
Ｘ＝Ｆ、 Ｃ１、Ｂｒ。
Ｘ＝Ｆ、 Ｃ１、Ｂｒ。
■）等が利用できる。又、水素原子を含むガス種として
は、Ｎ２ 、５ｉｎＴｏｎ、ｚ（ｎ＝ １．２．３）
、 ＳｉＨ，、Ｎ４−ｎ（ｎ＝１．２．３）等が利用で
きる。
は、Ｎ２ 、５ｉｎＴｏｎ、ｚ（ｎ＝ １．２．３）
、 ＳｉＨ，、Ｎ４−ｎ（ｎ＝１．２．３）等が利用で
きる。
さらに周期律表３族の原子を含むガス種としては、たと
えば、８２８６ 、 ＢＦ３． ＡＩＬ （ＣＨｓ）ｚ
、 ＧａＣＣＨｚ）ｓ等が利用できる。
えば、８２８６ 、 ＢＦ３． ＡＩＬ （ＣＨｓ）ｚ
、 ＧａＣＣＨｚ）ｓ等が利用できる。
又１周期律表５族の原子を含むガス種としては、 Ｎ２
、 ＮＨ３、ＰＨ３、ＰＦｓ 、 ＡｓＨｘ等が利用
できる。
、 ＮＨ３、ＰＨ３、ＰＦｓ 、 ＡｓＨｘ等が利用
できる。
次に、前駆体とは、ガス種が何らかのエネルギーを付与
され、解離１反応、励起、イオン化或いはラジカル化等
の変化をした状態を指すものである。
され、解離１反応、励起、イオン化或いはラジカル化等
の変化をした状態を指すものである。
これらのガスの混合ガスからグロー放電法によって導゛
心型の制御された多結晶シリコンが作られる事は知られ
ていたが、未発ｒＪＩ者らはさらに、少くともシリコン
とハロゲンを含むガス種と、少くとも水素を含むガス種
を別々に活性化した後反応させる市により初めて接合ト
ランジスタとして好適な多結晶シリコンを作製しうる事
を見出したのである。
心型の制御された多結晶シリコンが作られる事は知られ
ていたが、未発ｒＪＩ者らはさらに、少くともシリコン
とハロゲンを含むガス種と、少くとも水素を含むガス種
を別々に活性化した後反応させる市により初めて接合ト
ランジスタとして好適な多結晶シリコンを作製しうる事
を見出したのである。
その理由としては、水素原子ラジカル、ハロゲン原子ラ
ジカルの結晶化促進作用が最適に制御されうる事、又、
各種前駆体からの反応生成物の内、成長中の膜の表面に
おいて最も安定な結合を作る生成物を選択的に生成しう
るためであろうと考えられる。
ジカルの結晶化促進作用が最適に制御されうる事、又、
各種前駆体からの反応生成物の内、成長中の膜の表面に
おいて最も安定な結合を作る生成物を選択的に生成しう
るためであろうと考えられる。
この方法に°よると堆積時の基板温度は４００℃以下で
よく、安価な基板を利用できる。接合の形成に必要な不
純物のドーピングは、堆積時に３族又は５族原子を気相
中に混合する事によって可能で、前記基板温度以上の高
温も、特別な設備も不必要である。
よく、安価な基板を利用できる。接合の形成に必要な不
純物のドーピングは、堆積時に３族又は５族原子を気相
中に混合する事によって可能で、前記基板温度以上の高
温も、特別な設備も不必要である。
［実施例１
以下本発明の実施例について説明する。第１図は実施例
で使用した多結晶シリコンの堆′ｍ装置であって、バタ
フライバルブｌを介して排気されている真空槽２の中に
、ヒータによって加熱可能なサセプタ３が設けられ、該
サセプタ３上に基板４が固定できるようになっている。
で使用した多結晶シリコンの堆′ｍ装置であって、バタ
フライバルブｌを介して排気されている真空槽２の中に
、ヒータによって加熱可能なサセプタ３が設けられ、該
サセプタ３上に基板４が固定できるようになっている。
この真空槽２にはマイクロ液アプリケータ５が接続され
、この内部に石英ガラス製の外管６及び内管７が設けら
れている。アプリケータ５にはマイクロ波電源から導波
管８を介してマイクロ波電源９からマイクロ液電力が投
入され、グロー放電プラズマがたてられる。ここで外管
６にはボンベ１０よりＡｒ、ボンベ！！よりＮ２が導入
され、内管７にはボンベ１２よりＳｉＦ４．また必要に
応じてボンベ１３より５ｉＦｓにて希釈されたＰＦｓ、
又はボンベ１４よりＳｉＦ４で希釈されたＢＦ３も同咋
に混合される様になっている。
、この内部に石英ガラス製の外管６及び内管７が設けら
れている。アプリケータ５にはマイクロ波電源から導波
管８を介してマイクロ波電源９からマイクロ液電力が投
入され、グロー放電プラズマがたてられる。ここで外管
６にはボンベ１０よりＡｒ、ボンベ！！よりＮ２が導入
され、内管７にはボンベ１２よりＳｉＦ４．また必要に
応じてボンベ１３より５ｉＦｓにて希釈されたＰＦｓ、
又はボンベ１４よりＳｉＦ４で希釈されたＢＦ３も同咋
に混合される様になっている。
（実施例１）
まず、スパッタリング法にてＣ−ｒを５０ＯＡ堆積した
コーニング７０５９番ガラスを、サセプタ３に固定して
ガラスの表面温度を３００℃に保ち真空度が１、ＯＸ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒになるまで排気した。この状態からＡ
ｒを２５０ｓｃｃｓ 、Ｎ２を５０ｓｃｃ層、５ｉＦａ
を３０ｓｃｃ厘さらにＰＦｓ を５ｉＦｓに対し１１０
００ｐｐの濃度で流した後、バタフライバルブｌを調整
して真空槽２内の圧力を０．７〒ｏｒｒに調整した。こ
こで、２００−のマイクロ波を投入し、グロー放電プラ
ズマをたてて成膜を開始し、 １００秒で約５００Ａ＊
積した。ここでＰＦＳの流量を減らしＳｉＦ＜に対して
５Ｏｐｐ■で放電を続け、１時間で約１８００ＯＡ堆積
した。ここでＰＦＳのみ流れを止め、ただちにＢＦ３を
１１００ｐｐ流して、１０分で約３００ＯＡ堆積して、
ＢＦ３のみ流れを止め、ＰＦｓを１１００ｐｐ流し、１
５分で約４５０ＯＡ堆桔した後、放電を停止しガスの流
れを止めた。
コーニング７０５９番ガラスを、サセプタ３に固定して
ガラスの表面温度を３００℃に保ち真空度が１、ＯＸ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒになるまで排気した。この状態からＡ
ｒを２５０ｓｃｃｓ 、Ｎ２を５０ｓｃｃ層、５ｉＦａ
を３０ｓｃｃ厘さらにＰＦｓ を５ｉＦｓに対し１１０
００ｐｐの濃度で流した後、バタフライバルブｌを調整
して真空槽２内の圧力を０．７〒ｏｒｒに調整した。こ
こで、２００−のマイクロ波を投入し、グロー放電プラ
ズマをたてて成膜を開始し、 １００秒で約５００Ａ＊
積した。ここでＰＦＳの流量を減らしＳｉＦ＜に対して
５Ｏｐｐ■で放電を続け、１時間で約１８００ＯＡ堆積
した。ここでＰＦＳのみ流れを止め、ただちにＢＦ３を
１１００ｐｐ流して、１０分で約３００ＯＡ堆積して、
ＢＦ３のみ流れを止め、ＰＦｓを１１００ｐｐ流し、１
５分で約４５０ＯＡ堆桔した後、放電を停止しガスの流
れを止めた。
次工程を第２図（ａ）〜（ｅ）に示す、（ａ）は多結品
シリコンの堆積終了直後の状懲で、 １５はガラス基板
、１６はＣｒ層、１７はｎ◆層１８はｎ層（コレクタ領
域）、１９は２層（ベース領域）、２０はｎ層（エミッ
タ領域）である０次いでＳｉ層を必要部を残してホトリ
ソグラフィ一工程にて除去し、次いで通常のグロー放電
分解法にて５ｉＨａとＮＨ３の混合ガ°スによってａ−
９ｉＮ：Ｈな（ｂ）のように堆積し、パシベーション層
とした。この時の基板温度は２５０℃であった。さらに
パシベーション層にベース電極取出し用の穴２２を（ｃ
）の如く開け、次いでＫＯＨ水溶液（１０ｗｔ＄）にて
エツチングした所、エミッタ領域よりベース領域のエツ
チング速度が著しく遅いためエツチング時間の決定が容
易であった。さらに（ｄ）のようにエミッタ電極取出し
用の穴２３及びコレクタ電極取出し用の穴２４をあけた
。
シリコンの堆積終了直後の状懲で、 １５はガラス基板
、１６はＣｒ層、１７はｎ◆層１８はｎ層（コレクタ領
域）、１９は２層（ベース領域）、２０はｎ層（エミッ
タ領域）である０次いでＳｉ層を必要部を残してホトリ
ソグラフィ一工程にて除去し、次いで通常のグロー放電
分解法にて５ｉＨａとＮＨ３の混合ガ°スによってａ−
９ｉＮ：Ｈな（ｂ）のように堆積し、パシベーション層
とした。この時の基板温度は２５０℃であった。さらに
パシベーション層にベース電極取出し用の穴２２を（ｃ
）の如く開け、次いでＫＯＨ水溶液（１０ｗｔ＄）にて
エツチングした所、エミッタ領域よりベース領域のエツ
チング速度が著しく遅いためエツチング時間の決定が容
易であった。さらに（ｄ）のようにエミッタ電極取出し
用の穴２３及びコレクタ電極取出し用の穴２４をあけた
。
ざらにＡｌを蒸若してから電極をパターンニングし、（
ｅ）の如くベース電極２５．エミッタ電極２６およびコ
レクタ電極２７を形成した。こうして得られた接合型ト
ランジスタのエミッタ設ｎ特性を第３図に示す。
ｅ）の如くベース電極２５．エミッタ電極２６およびコ
レクタ電極２７を形成した。こうして得られた接合型ト
ランジスタのエミッタ設ｎ特性を第３図に示す。
（ａ）はＶｕｔ（ベース・エミッタ電圧） −１ｏ（ベ
ース電流）特性で（ｂ）はＶＣＥ（コレクタ拳エミッタ
電圧）Ｉｃ（コレクタ電流）特性である。（ｂ）からエ
ミッタ接地での電流増幅率βが約ｌＯとなっており接合
型トランジスタとしての増巾動作をしている１バが分る
。
ース電流）特性で（ｂ）はＶＣＥ（コレクタ拳エミッタ
電圧）Ｉｃ（コレクタ電流）特性である。（ｂ）からエ
ミッタ接地での電流増幅率βが約ｌＯとなっており接合
型トランジスタとしての増巾動作をしている１バが分る
。
比較のためベース領域の厚さくｄ）を変えた接合型トラ
ンジスタを同様に試作した。その結果を第１表に示す。
ンジスタを同様に試作した。その結果を第１表に示す。
（以下余白）
第１表
また通常のグロー放電分解法により（基板温度３５０℃
） ５ｉＨｓとＨ２の混合ガスから得られる多結晶シリ
コンで試作したｄ ＝ １０００Åの接合トランジスタ
では全く増巾動作が認められなかった。
） ５ｉＨｓとＨ２の混合ガスから得られる多結晶シリ
コンで試作したｄ ＝ １０００Åの接合トランジスタ
では全く増巾動作が認められなかった。
（実施例２）
実施例１と同様の構成であるが多結晶シリコンを堆積す
るに際し、第１層はＡｒを２５０ｓｃｃｍ 、 Ｈ２を
５０ｓｃｃｍ、 ＳｉＦ４を３０ｓｃｃｓｅ、さらにＢ
Ｆ３ を５ｉＦｉに対し１１０００ｐｐの濃度で流して
堆積し、第２居は、 ＢＦｚの流量を減らして５０ｐｐ
ｍで堆積し、第３層は、ＢＦ３の流れを止め、ＰＦｓを
１１００ｐｐ流して堆積し、第４居はＰＦＳの流れを止
め、再びＢＦ３を１１００ｐｐ流して堆積した。
るに際し、第１層はＡｒを２５０ｓｃｃｍ 、 Ｈ２を
５０ｓｃｃｍ、 ＳｉＦ４を３０ｓｃｃｓｅ、さらにＢ
Ｆ３ を５ｉＦｉに対し１１０００ｐｐの濃度で流して
堆積し、第２居は、 ＢＦｚの流量を減らして５０ｐｐ
ｍで堆積し、第３層は、ＢＦ３の流れを止め、ＰＦｓを
１１００ｐｐ流して堆積し、第４居はＰＦＳの流れを止
め、再びＢＦ３を１１００ｐｐ流して堆積した。
ドーパントの！ｉ類以外基板温度、圧力、マイクロ波電
力、堆積時間、及びパシベーション、電極の構造等はす
べて実施例１と同様である。ただし、ベース電極取出し
用の穴の形成に当っては、ＫＯ）Ｉ水溶液では、うまく
エツチングの終点をｉ′１１御しにくいため、ＣＦ４
と０２ （８１混合）の混合ガスにてドライエツチング
を行った。こうして作られた接合型トランジスタのエミ
ッタ接地での電流増幅率βは約５であり、増幅動作が確
認された。
力、堆積時間、及びパシベーション、電極の構造等はす
べて実施例１と同様である。ただし、ベース電極取出し
用の穴の形成に当っては、ＫＯ）Ｉ水溶液では、うまく
エツチングの終点をｉ′１１御しにくいため、ＣＦ４
と０２ （８１混合）の混合ガスにてドライエツチング
を行った。こうして作られた接合型トランジスタのエミ
ッタ接地での電流増幅率βは約５であり、増幅動作が確
認された。
（実施例３）
ヒ素をドープした比抵抗１０ΩＣ層のｎ型多結晶シリコ
ン基板を、実施例１の装置のサセプタに固定した。基板
表面を３００℃に保ち、真空度が１．０×１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｙになるまで排気した。この状態からＡ、を２５Ｇｓ
ｃｃｍ 、 Ｈ２を５０ｓｃｃｍ流し、０−７Ｔｏｒｒ
にＷ！Ｊ”Ｍした後、 ２００ｗのマイクロ波を投入し
、水素プラスマ処理を１分間行った。そのまま５ｉＦｓ
を３０ｓｃｃｍ、 ＢＦ３を５ｒＦｓに対し１００ｐｐ
＠流して再度圧力を０．７ ＴｏｒｒにＷ整して、１０
分で約３００ＯＡ堆積してＢＦ３ を止め、ただちにＰ
Ｆｓを１１００ｐｐ！して１５分で約４５０ＯＡ堆積し
た後放電を停止し、かつガスの流れを止めた。
ン基板を、実施例１の装置のサセプタに固定した。基板
表面を３００℃に保ち、真空度が１．０×１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｙになるまで排気した。この状態からＡ、を２５Ｇｓ
ｃｃｍ 、 Ｈ２を５０ｓｃｃｍ流し、０−７Ｔｏｒｒ
にＷ！Ｊ”Ｍした後、 ２００ｗのマイクロ波を投入し
、水素プラスマ処理を１分間行った。そのまま５ｉＦｓ
を３０ｓｃｃｍ、 ＢＦ３を５ｒＦｓに対し１００ｐｐ
＠流して再度圧力を０．７ ＴｏｒｒにＷ整して、１０
分で約３００ＯＡ堆積してＢＦ３ を止め、ただちにＰ
Ｆｓを１１００ｐｐ！して１５分で約４５０ＯＡ堆積し
た後放電を停止し、かつガスの流れを止めた。
以下は実施例１、実施例２と同様、の工程によって、第
４図に示す構造の接合トランジスタを作製した。ここで
２８は多結晶シリコン基板でコレクタ領域を構成する。
４図に示す構造の接合トランジスタを作製した。ここで
２８は多結晶シリコン基板でコレクタ領域を構成する。
２８は上記［ＩＦ３流しながら堆積した多結晶シリコン
層でベース領域を構成する。３０はＰＦｓを流しながら
堆積した多結晶シリコン居でエミック領域を構成する。
層でベース領域を構成する。３０はＰＦｓを流しながら
堆積した多結晶シリコン居でエミック領域を構成する。
３１はａ−３ｉＮ二Ｉ（のパシベーション層：３２は
ベース電極、３３はエミッタ電極、３４は基板の裏に蒸
着したアルミ層でコレクタ電極である。
ベース電極、３３はエミッタ電極、３４は基板の裏に蒸
着したアルミ層でコレクタ電極である。
こうして作られた接合トランジスタのエミッタ接地での
電流増巾率βは１０で増巾動作が確認された。
電流増巾率βは１０で増巾動作が確認された。
［５１ＩＪＩの効果］
以上説明した様に本発明によれば多結晶シリコンの堆積
法を用いる事によって低コストの透明大面私大板上に大
規模な設備を必要としない工程で、初めて実用的な接合
型トランジスタを形成できる１ｔとなり薄型の画像表示
装置や画像読取製数の画像品位の向上や、低コスト化に
大きな効果がある。
法を用いる事によって低コストの透明大面私大板上に大
規模な設備を必要としない工程で、初めて実用的な接合
型トランジスタを形成できる１ｔとなり薄型の画像表示
装置や画像読取製数の画像品位の向上や、低コスト化に
大きな効果がある。
第１図は１本発明の実施に使用する装置の構成図、第２
図（ａ）〜（ｅ）は、実施例１．２の後工程の説ＩＪ１
図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は、実施例１の接合型ト
ランジスタの特性図、第４図は、実施例３の接合型トラ
ンジスタの構成図、第５図は、従来の多結晶シリコンを
用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ｎチャンネ
ル）の構成図、第６図は、従来の単結晶シリコンを用い
た接合型トランジスタ（ＩＩＰＩＩ型）の構成図である
。 ２・・・真空槽、４・・・基板、５・・・アプリケータ
。 ７・・・内Ｍ、６・・・外Ｍ、 ２１ 、３１・・・パ
ッシベーション層、２５．３２・・・ベース電極、２８
．３３・・・エミッタ電極、２７．３４・・・コレクタ
電極 第２図（ｅ）
図（ａ）〜（ｅ）は、実施例１．２の後工程の説ＩＪ１
図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は、実施例１の接合型ト
ランジスタの特性図、第４図は、実施例３の接合型トラ
ンジスタの構成図、第５図は、従来の多結晶シリコンを
用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ｎチャンネ
ル）の構成図、第６図は、従来の単結晶シリコンを用い
た接合型トランジスタ（ＩＩＰＩＩ型）の構成図である
。 ２・・・真空槽、４・・・基板、５・・・アプリケータ
。 ７・・・内Ｍ、６・・・外Ｍ、 ２１ 、３１・・・パ
ッシベーション層、２５．３２・・・ベース電極、２８
．３３・・・エミッタ電極、２７．３４・・・コレクタ
電極 第２図（ｅ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非単結晶基板上に多結晶シリコンを積層して構成す
る接合型トランジスタの製造法において、少くともベー
ス領域は、少くともシリコンとハロゲンを含むガス種を
活性化室で活性化して得られる前駆体と、少くとも水素
を含むガス種を、前記活性化室と別の活性化室で活性化
して得られる前駆体と、要すれば周期律表の３族又は５
族の原子を含むガス種を、前記いずれかの活性化室又は
別の活性化室で活性化して得られる前駆体とを反応させ
て得られる多結晶シリコンで構成することを特徴とする
接合型トランジスタの製造法。 ２、ベース領域は、厚さが１０００Å以上に形成する特
許請求の範囲第１項記載の接合型トランジスタの製造法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068302A JPS63233564A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 接合型トランジスタの製造法 |
| US07/171,465 US4900694A (en) | 1987-03-23 | 1988-03-21 | Process for the preparation of a multi-layer stacked junction typed thin film transistor using seperate remote plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068302A JPS63233564A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 接合型トランジスタの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63233564A true JPS63233564A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=13369859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62068302A Pending JPS63233564A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 接合型トランジスタの製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4900694A (ja) |
| JP (1) | JPS63233564A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5178905A (en) * | 1988-11-24 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film by hydrogen radical-assisted cvd method utilizing hydrogen gas plasma in sheet-like state |
| WO1990012126A1 (en) * | 1989-03-31 | 1990-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming polycrystalline film by chemical vapor deposition |
| JP3491903B2 (ja) * | 1990-05-18 | 2004-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JP3507072B2 (ja) * | 1991-07-16 | 2004-03-15 | セイコーエプソン株式会社 | 化学気相推積装置及び半導体膜形成方法と薄膜半導体装置の製造方法 |
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| US5975912A (en) * | 1994-06-03 | 1999-11-02 | Materials Research Corporation | Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits |
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| US5972790A (en) * | 1995-06-09 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Limited | Method for forming salicides |
| US5739065A (en) * | 1995-10-13 | 1998-04-14 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a highly sensitive photo sensor |
| WO1997022141A1 (fr) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication d'un film semi-conducteur mince et dispositif obtenu par ce procede |
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| JP4000583B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2007-10-31 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
| KR100673979B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2007-01-24 | 안강호 | 초미립자 제조장치 및 그 방법 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| DE3320162A1 (de) * | 1983-06-03 | 1984-12-06 | Olbo Textilwerke Gmbh, 5650 Solingen | Cordgewebe fuer luftreifen |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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