JP2965094B2 - 堆積膜形成方法 - Google Patents
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
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- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンを含む機能性堆
積膜、殊に半導体デバイス、太陽電池、感光デバイス、
画像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用い
る結晶性シリコンの堆積膜を形成するのに好適な方法に
関する。
積膜、殊に半導体デバイス、太陽電池、感光デバイス、
画像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用い
る結晶性シリコンの堆積膜を形成するのに好適な方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、多結晶シリコン膜の形成は主
として常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
などが用いられており、一般的には、ＬＰＣＶＤ法が広
く用いられ企業化されている。
として常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
などが用いられており、一般的には、ＬＰＣＶＤ法が広
く用いられ企業化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、たとえ
ばＬＰＣＶＤ法では基体温度が高く安価なガラス基体な
どは用いることができず、高融点の石英基体などが用い
られているが、その高コストのためより低温での薄膜形
成が必要とされている。
ばＬＰＣＶＤ法では基体温度が高く安価なガラス基体な
どは用いることができず、高融点の石英基体などが用い
られているが、その高コストのためより低温での薄膜形
成が必要とされている。
【０００４】また、結晶成長温度の低温化に関して、Ｅ
ＣＲプラズマ、ＭＢＥ法、およびバイアススパッタ法な
ど研究が栄んに行なわれているが、より低温で良質な結
晶を得るために、ガスの供給設備、成膜装置のクリーン
度の向上などが必須の要素であり、高い運転コストおよ
び繁雑な管理を必要としている。
ＣＲプラズマ、ＭＢＥ法、およびバイアススパッタ法な
ど研究が栄んに行なわれているが、より低温で良質な結
晶を得るために、ガスの供給設備、成膜装置のクリーン
度の向上などが必須の要素であり、高い運転コストおよ
び繁雑な管理を必要としている。
【０００５】また、３次元集積回路の開発に向けて、Ｓ
ＯＩ技術の一つとしてシリコン結晶の選択成長が研究さ
れている。たとえば、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 −ＨＣｌ系のＬＰ
ＣＶＤ法で、ＳｉＯ2 上への核形成を防ぐために成長／
エッチングのサイクル法が試みられている。これは、Ｓ
ｉＯ2 上に核が形成される際に遅延時間が生じることに
鑑み、この遅延時間内に原料のＳｉＨ2 Ｃｌ2 を導入し
て成長させ、次にＨＣｌに切換えてＳｉＯ2 上の多結晶
シリコン核のみを除去して洗浄化を行ない、必要な膜厚
がシリコン基体上に堆積するまで繰り返す方法である
（L.Jastrzebski,J. F. Corboy, J. T. McGinn and R.
Pagliars, J. Electrochem. Soc. 130(1983)P.P.157
1)。しかしながら、成長／エッチングサイクルの時間配
分や成長温度は欠陥密度に影響を与え、主に双晶、転移
欠陥、積層欠陥、ボイドを多数発生し、実用化には至っ
ていない。
ＯＩ技術の一つとしてシリコン結晶の選択成長が研究さ
れている。たとえば、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 −ＨＣｌ系のＬＰ
ＣＶＤ法で、ＳｉＯ2 上への核形成を防ぐために成長／
エッチングのサイクル法が試みられている。これは、Ｓ
ｉＯ2 上に核が形成される際に遅延時間が生じることに
鑑み、この遅延時間内に原料のＳｉＨ2 Ｃｌ2 を導入し
て成長させ、次にＨＣｌに切換えてＳｉＯ2 上の多結晶
シリコン核のみを除去して洗浄化を行ない、必要な膜厚
がシリコン基体上に堆積するまで繰り返す方法である
（L.Jastrzebski,J. F. Corboy, J. T. McGinn and R.
Pagliars, J. Electrochem. Soc. 130(1983)P.P.157
1)。しかしながら、成長／エッチングサイクルの時間配
分や成長温度は欠陥密度に影響を与え、主に双晶、転移
欠陥、積層欠陥、ボイドを多数発生し、実用化には至っ
ていない。
【０００６】以上の様な核密度の制御および粒径拡大技
術には、その工程の複雑性、制御性、特殊性、容易性に
幾多の問題がある。またプロセス温度が高温となるた
め、安価なガラス基体などを用いることができないとい
った問題もあり、大粒径かつ少粒界の多結晶シリコン膜
を容易に大面積で形成するには不適当である。
術には、その工程の複雑性、制御性、特殊性、容易性に
幾多の問題がある。またプロセス温度が高温となるた
め、安価なガラス基体などを用いることができないとい
った問題もあり、大粒径かつ少粒界の多結晶シリコン膜
を容易に大面積で形成するには不適当である。
【０００７】本発明は、この様な問題点を解決し、形成
される膜の諸特性、成膜速度、再現性の向上、および膜
品質の均一化を図りながら、膜の大面積比に適し、膜の
生産性の向上および量産化を容易に達成することのでき
る堆積膜形成法を提供することにある。
される膜の諸特性、成膜速度、再現性の向上、および膜
品質の均一化を図りながら、膜の大面積比に適し、膜の
生産性の向上および量産化を容易に達成することのでき
る堆積膜形成法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来の化学気
相法による堆積膜形成方法における諸問題を解決し、上
述の目的を達成すべく鋭意研究をつづけた結果完成しも
のであり、その骨子とするところは、基体上に気相反応
薄膜形成法を用いて多結晶膜を形成する堆積膜形成方法
において、前記堆積膜を形成するのに先立ち、前記基体
上に薄膜層を形成する工程と、この薄膜層にエッチング
処理を施す工程と、結晶核を前記基体表面に残留させた
後、結晶核を成長させる工程とを具備することにある。
相法による堆積膜形成方法における諸問題を解決し、上
述の目的を達成すべく鋭意研究をつづけた結果完成しも
のであり、その骨子とするところは、基体上に気相反応
薄膜形成法を用いて多結晶膜を形成する堆積膜形成方法
において、前記堆積膜を形成するのに先立ち、前記基体
上に薄膜層を形成する工程と、この薄膜層にエッチング
処理を施す工程と、結晶核を前記基体表面に残留させた
後、結晶核を成長させる工程とを具備することにある。
【０００９】本発明において、基体の表面上に形成され
る薄膜層は、好ましくはシリコン原子とハロゲン原子と
を含む化合物で構成される。このような化合物として
は、たとえば鎖状または環状水素化ケイ素化合物の水素
原子の一部または全部をハロゲン原子で置換した化合物
が用いられ、具体的には、たとえば、Ｓｉu Ｙ2u+2（ｕ
は１以上の整数、ＹはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩより選択
された元素である）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、
Ｓｉv Ｙ2v（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有す
る）で示される環状ハロゲン化ケイ素、ＳｉU ＨX ＹY
（ｕおよびＹは前述の意味を有し、ｘ＋ｙ＝２ｕまたは
２ｕ＋２である）で示される鎖状または環状化合物など
が挙げられる。
る薄膜層は、好ましくはシリコン原子とハロゲン原子と
を含む化合物で構成される。このような化合物として
は、たとえば鎖状または環状水素化ケイ素化合物の水素
原子の一部または全部をハロゲン原子で置換した化合物
が用いられ、具体的には、たとえば、Ｓｉu Ｙ2u+2（ｕ
は１以上の整数、ＹはＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩより選択
された元素である）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、
Ｓｉv Ｙ2v（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有す
る）で示される環状ハロゲン化ケイ素、ＳｉU ＨX ＹY
（ｕおよびＹは前述の意味を有し、ｘ＋ｙ＝２ｕまたは
２ｕ＋２である）で示される鎖状または環状化合物など
が挙げられる。
【００１０】具体的には、たとえばＳｉＦ4 、（ＳｉＦ
2 ）5 、（ＳｉＦ2 ）6 、（ＳｉＦ2 ）4 、Ｓｉ
2 Ｆ6 、Ｓｉ3 Ｆ8 、Ｓｉ4 Ｆ10、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ
2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ、ＳｉＣｌ4 、（ＳｉＣｌ2 ）5 、
ＳｉＢｒ4 、（ＳｉＢｒ2）5 、Ｓｉ2 Ｃｌ6 、Ｓｉ3
Ｃｌ8 、Ｓｉ2 Ｂｒ6 、Ｓｉ3 Ｂｒ8 、ＳｉＨＣｌ3 、
ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨＢｒ3 、ＳｉＨ2 Ｂｒ2 、Ｓｉ
ＨＩ3 、ＳｉＨ2 Ｉ2 、ＳｉＨ3 Ｆ3 、ＳｉＣｌ3 Ｆ3
などの、常温でガス状の、または容易にガス化し得るも
のが挙げられる。これらシリコン原子を含む化合物は１
種で用いても、あるいは２種以上を併用してもよい。
2 ）5 、（ＳｉＦ2 ）6 、（ＳｉＦ2 ）4 、Ｓｉ
2 Ｆ6 、Ｓｉ3 Ｆ8 、Ｓｉ4 Ｆ10、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ
2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ、ＳｉＣｌ4 、（ＳｉＣｌ2 ）5 、
ＳｉＢｒ4 、（ＳｉＢｒ2）5 、Ｓｉ2 Ｃｌ6 、Ｓｉ3
Ｃｌ8 、Ｓｉ2 Ｂｒ6 、Ｓｉ3 Ｂｒ8 、ＳｉＨＣｌ3 、
ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨＢｒ3 、ＳｉＨ2 Ｂｒ2 、Ｓｉ
ＨＩ3 、ＳｉＨ2 Ｉ2 、ＳｉＨ3 Ｆ3 、ＳｉＣｌ3 Ｆ3
などの、常温でガス状の、または容易にガス化し得るも
のが挙げられる。これらシリコン原子を含む化合物は１
種で用いても、あるいは２種以上を併用してもよい。
【００１１】またシリコン原子とハロゲン原子を含む化
合物と、ゲルマニウム原子とハロゲン原子を含む化合物
とを併用することも可能であり、たとえば鎖状または環
状水素化ゲルマニウム化合物の水素の一部あるいは全部
をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的に
はたとえばＧｅu Ｙ2u+2（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、
Ｃｌ、ＢｒおよびＩより選択された元素である）で示さ
れる鎖状ハロゲン化ゲルマニウム、Ｇｅv Ｙ2v（ｖは３
以上の整数、Ｙは前述の意味を有する）で示される環状
ハロゲン化ゲルマニウム、Ｇｅu Ｈx Ｙy （ｕおよびｙ
は前述の意味を有し、ｘ＋ｙ＝２ｕまたは２ｕ＋２であ
る）で示される鎖状または環状化合物などが挙げられ
る。
合物と、ゲルマニウム原子とハロゲン原子を含む化合物
とを併用することも可能であり、たとえば鎖状または環
状水素化ゲルマニウム化合物の水素の一部あるいは全部
をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的に
はたとえばＧｅu Ｙ2u+2（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、
Ｃｌ、ＢｒおよびＩより選択された元素である）で示さ
れる鎖状ハロゲン化ゲルマニウム、Ｇｅv Ｙ2v（ｖは３
以上の整数、Ｙは前述の意味を有する）で示される環状
ハロゲン化ゲルマニウム、Ｇｅu Ｈx Ｙy （ｕおよびｙ
は前述の意味を有し、ｘ＋ｙ＝２ｕまたは２ｕ＋２であ
る）で示される鎖状または環状化合物などが挙げられ
る。
【００１２】具体的にたとえばＧｅＦ4 、（ＧｅＦ2 ）
5 、（ＧｅＦ2 ）6 、（ＧｅＦ2 ）4 、（Ｇｅ
2 Ｆ6 ）、Ｇｅ3 Ｆ8 、ＧｅＨＦ3 、ＧｅＨ2 Ｆ2 、Ｇ
ｅＨ3 Ｆ、ＧｅＣｌ4 、（ＧｅＣｌ2 ）5 、ＧｅＨＣｌ
3 、ＧｅＨＢｒ3 、ＧｅＨＩ3 、Ｇｅ2 Ｃｌ3 Ｆ3 など
のガス状態または容易にガス化し得るものが挙げられ
る。これらのゲルマニウム化合物は１種用いても２種以
上併用してもよい。これらの原料となる気体をガス
（Ａ）と記す。
5 、（ＧｅＦ2 ）6 、（ＧｅＦ2 ）4 、（Ｇｅ
2 Ｆ6 ）、Ｇｅ3 Ｆ8 、ＧｅＨＦ3 、ＧｅＨ2 Ｆ2 、Ｇ
ｅＨ3 Ｆ、ＧｅＣｌ4 、（ＧｅＣｌ2 ）5 、ＧｅＨＣｌ
3 、ＧｅＨＢｒ3 、ＧｅＨＩ3 、Ｇｅ2 Ｃｌ3 Ｆ3 など
のガス状態または容易にガス化し得るものが挙げられ
る。これらのゲルマニウム化合物は１種用いても２種以
上併用してもよい。これらの原料となる気体をガス
（Ａ）と記す。
【００１３】本発明で用いられる活性種は、水素ガスお
よび／またはハロゲン化合物（たとえばＦ2 ガス、Ｃｌ
2 ガス、ガス化したＢｒ2 、Ｉ2 など）が有利に用いら
れる。またこれらのガスに加えて、たとえばヘリウム、
アルゴン、ネオンなどの不活性ガスを用いることもでき
る。これら活性種の複数を用いる場合には、予めこれら
のガスを混合して活性化させてから前駆体と会合させて
も良いし、あるいはそれぞれ独立に複数のガスを活性化
させて前駆体を会合させることもできる。これらの活性
種の原料となる気体をガス（Ｂ）と記す。ガス（Ａ）お
よびガス（Ｂ）を励起する方法としては、使用される装
置の形式や操作条件を考慮して、マイクロ波、ＲＦ、低
周波、直流などの電磁エネルギー、ヒーター加熱、赤外
線加熱などによる熱エネルギー、光エネルギーなどの励
起エネルギーが使用されるが、所望により上記励起エネ
ルギーに加えて、触媒との接触または添加を行っても良
い。前述したシリコン原子あるいはゲルマニウム原子と
ハロゲン原子を含む化合物に熱、光、放電などの励起エ
ネルギーを加えることにより、所望により触媒の作用下
で前駆体が形成可能である。
よび／またはハロゲン化合物（たとえばＦ2 ガス、Ｃｌ
2 ガス、ガス化したＢｒ2 、Ｉ2 など）が有利に用いら
れる。またこれらのガスに加えて、たとえばヘリウム、
アルゴン、ネオンなどの不活性ガスを用いることもでき
る。これら活性種の複数を用いる場合には、予めこれら
のガスを混合して活性化させてから前駆体と会合させて
も良いし、あるいはそれぞれ独立に複数のガスを活性化
させて前駆体を会合させることもできる。これらの活性
種の原料となる気体をガス（Ｂ）と記す。ガス（Ａ）お
よびガス（Ｂ）を励起する方法としては、使用される装
置の形式や操作条件を考慮して、マイクロ波、ＲＦ、低
周波、直流などの電磁エネルギー、ヒーター加熱、赤外
線加熱などによる熱エネルギー、光エネルギーなどの励
起エネルギーが使用されるが、所望により上記励起エネ
ルギーに加えて、触媒との接触または添加を行っても良
い。前述したシリコン原子あるいはゲルマニウム原子と
ハロゲン原子を含む化合物に熱、光、放電などの励起エ
ネルギーを加えることにより、所望により触媒の作用下
で前駆体が形成可能である。
【００１４】本発明において、成膜空間に導入される前
記ガス（Ｂ）と前記ガス（Ａ）との量の割合は、成膜条
件、活性膜の種類などに従ってで適宜決められるが、好
ましくは２０：１〜１：２０（導入流量比）が適当であ
り、より好ましくは１０：１〜１：１０の範囲である。
記ガス（Ｂ）と前記ガス（Ａ）との量の割合は、成膜条
件、活性膜の種類などに従ってで適宜決められるが、好
ましくは２０：１〜１：２０（導入流量比）が適当であ
り、より好ましくは１０：１〜１：１０の範囲である。
【００１５】また本発明の方法により形成される堆積膜
は、成膜中または成膜後に不純物元素でドーピングする
ことが可能である。使用する不純物元素としては、ｐ型
不純物として、周期律表第III 族Ａの元素、たとえば
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等が好適なものとして挙げ
られ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、
たとえばＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙
げられるが、特にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。
ドーピングされる不純物の量は、所望される電気的・光
学的特性に応じて適宜決定される。
は、成膜中または成膜後に不純物元素でドーピングする
ことが可能である。使用する不純物元素としては、ｐ型
不純物として、周期律表第III 族Ａの元素、たとえば
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等が好適なものとして挙げ
られ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、
たとえばＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙
げられるが、特にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。
ドーピングされる不純物の量は、所望される電気的・光
学的特性に応じて適宜決定される。
【００１６】このような不純物元素を成分として含む物
質（不純物導入用物質）としては、常温常圧でガス状で
あるか、あるいは少なくとも活性化条件下で気体にな
り、適宜の気化装置で容易に気化し得る化合物を選択す
るのが好ましい。この様な化合物としては、ＰＨ3 、Ｐ
2 Ｈ4 、ＰＦ3 、ＰＦ5 、ＰＣｌ3 、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ
3 、ＡｓＦ5 、ＡｓＣｌ3 、ＳｂＨ3 、ＳｂＦ5 、ＢＦ
3 、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ3 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ4 Ｈ10、Ｂ3 Ｈ
9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10 、Ｂ6 Ｈ12、ＡｌＣｌ、ある
いはＰ（ＣＨ3 ）3 、Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ａｓ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、Ａｓ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ｂ（ＣＨ3 ）3 、Ｂ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ＣＨ3 ）3、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 等の有機化合物等を挙げることができる。不純物元素
を含む化合物は、１種で用いても、２種以上を併用して
もよい。
質（不純物導入用物質）としては、常温常圧でガス状で
あるか、あるいは少なくとも活性化条件下で気体にな
り、適宜の気化装置で容易に気化し得る化合物を選択す
るのが好ましい。この様な化合物としては、ＰＨ3 、Ｐ
2 Ｈ4 、ＰＦ3 、ＰＦ5 、ＰＣｌ3 、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ
3 、ＡｓＦ5 、ＡｓＣｌ3 、ＳｂＨ3 、ＳｂＦ5 、ＢＦ
3 、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ3 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ4 Ｈ10、Ｂ3 Ｈ
9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10 、Ｂ6 Ｈ12、ＡｌＣｌ、ある
いはＰ（ＣＨ3 ）3 、Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ａｓ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、Ａｓ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ｂ（ＣＨ3 ）3 、Ｂ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ＣＨ3 ）3、Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 等の有機化合物等を挙げることができる。不純物元素
を含む化合物は、１種で用いても、２種以上を併用して
もよい。
【００１７】不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）お
よび（または）活性化空間（Ｂ）に、活性種および前駆
体のそれぞれを生成する物質と共に導入して活性化して
も良いし、あるいは活性化空間（Ａ）および活性化空間
（Ｂ）とは別の第３の活性化空間（Ｃ）において活性化
しても良い。
よび（または）活性化空間（Ｂ）に、活性種および前駆
体のそれぞれを生成する物質と共に導入して活性化して
も良いし、あるいは活性化空間（Ａ）および活性化空間
（Ｂ）とは別の第３の活性化空間（Ｃ）において活性化
しても良い。
【００１８】不純物導入用物質と前述の活性化エネルギ
ーを適宜選択して採用することができる。不純物導入用
物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ）は活性種お
よび（または）前駆体と予め混合されて、または独立に
成膜空間に導入される。
ーを適宜選択して採用することができる。不純物導入用
物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ）は活性種お
よび（または）前駆体と予め混合されて、または独立に
成膜空間に導入される。
【００１９】本発明において、堆積膜を形成するのに先
立ち、基体上にシリコン原子およびゲルマニウム原子を
含む薄膜層を形成するが、この薄膜層の形成方法として
は、抵抗加熱および、電子ビームによる真空蒸着法、シ
リコン原子およびゲルマニウム原子を含む気体を高周波
および直流の電磁エネルギーの付与により分解して薄膜
を形成する化学気相法（ＣＶＤ法）、シリコン原子およ
びゲルマニウム原子を含むターゲットを不活性ガスおよ
び反応性ガスの高周波および直流の電磁エネルギーの付
与によるスパッタリング法などにより作製することが可
能であり、さらにシリコン原子とハロゲン原子を含む化
合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と、
この活性種（Ａ）と化合相互作用をする成膜用化学物質
より生成される活性種（Ｂ）とをそれぞれ別個に成膜空
間に導入して化学反応させる堆積膜の形成方法によって
も作製可能である。
立ち、基体上にシリコン原子およびゲルマニウム原子を
含む薄膜層を形成するが、この薄膜層の形成方法として
は、抵抗加熱および、電子ビームによる真空蒸着法、シ
リコン原子およびゲルマニウム原子を含む気体を高周波
および直流の電磁エネルギーの付与により分解して薄膜
を形成する化学気相法（ＣＶＤ法）、シリコン原子およ
びゲルマニウム原子を含むターゲットを不活性ガスおよ
び反応性ガスの高周波および直流の電磁エネルギーの付
与によるスパッタリング法などにより作製することが可
能であり、さらにシリコン原子とハロゲン原子を含む化
合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と、
この活性種（Ａ）と化合相互作用をする成膜用化学物質
より生成される活性種（Ｂ）とをそれぞれ別個に成膜空
間に導入して化学反応させる堆積膜の形成方法によって
も作製可能である。
【００２０】このようにして作製されるシリコン原子お
よびゲルマニウム原子を含む薄膜層は、水素原子、およ
びハロゲン原子を含んでいても含んでいなくても構わな
い。また本発明において、このシリコン原子およびゲル
マニウム原子を含む薄膜層のシリコン原子およびゲルマ
ニウム原子の組成比は、適用された作製方法に応じて実
験条件を適宜変化させることにより連続的に変化させる
ことが可能であり、その組成比は、ゲルマニウム原子の
シリコン原子に対する濃度が１０-4at％から５０at％の
範囲であり、後に述べる水素プラズマ処理の条件に合わ
せて適宜選択することが可能である。
よびゲルマニウム原子を含む薄膜層は、水素原子、およ
びハロゲン原子を含んでいても含んでいなくても構わな
い。また本発明において、このシリコン原子およびゲル
マニウム原子を含む薄膜層のシリコン原子およびゲルマ
ニウム原子の組成比は、適用された作製方法に応じて実
験条件を適宜変化させることにより連続的に変化させる
ことが可能であり、その組成比は、ゲルマニウム原子の
シリコン原子に対する濃度が１０-4at％から５０at％の
範囲であり、後に述べる水素プラズマ処理の条件に合わ
せて適宜選択することが可能である。
【００２１】このシリコン原子およびゲルマニウム原子
を含む薄膜層の層厚は１原子層であってもよく、また島
状であっても連続膜であっても構わない。構造はアモル
ファス、微結晶、多結晶、単結晶のいずれでもよく、水
素プラズマ処理の条件を適宜選択することにより所望の
結晶核密度を形成することが可能である。
を含む薄膜層の層厚は１原子層であってもよく、また島
状であっても連続膜であっても構わない。構造はアモル
ファス、微結晶、多結晶、単結晶のいずれでもよく、水
素プラズマ処理の条件を適宜選択することにより所望の
結晶核密度を形成することが可能である。
【００２２】本発明において、「水素プラズマ処理」と
は、水素ガスに高周波および直流の電磁エネルギーを付
与することによって分解生成される化学種を、先に述べ
たシリコン原子およびゲルマニウム原子を含む薄膜層の
表面を導入処理することであり、この活性種によるゲル
マニウム原子のエッチング速度がシリコン原子のエッチ
ング速度に比べて遅いため、ゲルマニウム原子が基体表
面に点在し、結晶核として残存させることが可能であ
る。このようにして基体表面に残存するゲルマニウム原
子を主成分とした結晶核の密度は、ゲルマニウムの薄膜
層内の組成比および薄膜層の膜構造、および層厚に対す
る水素プラズマ条件を適宜選択することにより制御する
ことが可能である。
は、水素ガスに高周波および直流の電磁エネルギーを付
与することによって分解生成される化学種を、先に述べ
たシリコン原子およびゲルマニウム原子を含む薄膜層の
表面を導入処理することであり、この活性種によるゲル
マニウム原子のエッチング速度がシリコン原子のエッチ
ング速度に比べて遅いため、ゲルマニウム原子が基体表
面に点在し、結晶核として残存させることが可能であ
る。このようにして基体表面に残存するゲルマニウム原
子を主成分とした結晶核の密度は、ゲルマニウムの薄膜
層内の組成比および薄膜層の膜構造、および層厚に対す
る水素プラズマ条件を適宜選択することにより制御する
ことが可能である。
【００２３】本発明において、基体としては、導電物
質、絶縁物質、透光性および遮光性物質のいずれであっ
てもよく、また可撓性物質でもよい。
質、絶縁物質、透光性および遮光性物質のいずれであっ
てもよく、また可撓性物質でもよい。
【００２４】このような基体の表面に、上述したゲルマ
ニウム原子を主成分とした結晶核を形成した後に、結晶
核を中心に結晶成長を行なうためには、選択成長条件が
必要であり、シリコン原子とハロゲン原子を含む化合物
を分解することにより生成される活性種（Ａ）と、この
活性種（Ａ）を化学的相互作用をする成膜用化学物質よ
り生成される活性種（Ｂ）とをそれぞれ別個に成膜空間
に導入して化学反応させて、この成膜空間に設置された
基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、堆
積膜の堆積速度が活性種（Ｂ）の濃度で律速される領域
であることが必要である。
ニウム原子を主成分とした結晶核を形成した後に、結晶
核を中心に結晶成長を行なうためには、選択成長条件が
必要であり、シリコン原子とハロゲン原子を含む化合物
を分解することにより生成される活性種（Ａ）と、この
活性種（Ａ）を化学的相互作用をする成膜用化学物質よ
り生成される活性種（Ｂ）とをそれぞれ別個に成膜空間
に導入して化学反応させて、この成膜空間に設置された
基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、堆
積膜の堆積速度が活性種（Ｂ）の濃度で律速される領域
であることが必要である。
【００２５】さらに、選択性向上のために、核形成密度
の低い層をシリコン原子およびゲルマニウム原子を含む
薄膜層を形成するのに先立ち形成することも可能であ
る。具体的には、酸化ケイ素膜、フッ化カルシウム膜な
どを適宜形成しておくことも可能である。
の低い層をシリコン原子およびゲルマニウム原子を含む
薄膜層を形成するのに先立ち形成することも可能であ
る。具体的には、酸化ケイ素膜、フッ化カルシウム膜な
どを適宜形成しておくことも可能である。
【００２６】なお、ここで言う「選択性」とは、ゲルマ
ニウム原子を主成分とする結晶核の成長速度と核形成密
度の低い面に出現する結晶核の発生速度との比と定義す
る。図１は本発明の実験例を示す装置の略図である。同
図において、１はシリコン原子とハロゲン原子を含む化
合物を導入するガス導入管、２はシリコン原子とハロゲ
ン原子を含む化合物を分解することにより生成される活
性種（Ａ）と化学反応する成膜用化学物質より生成され
る活性種（Ｂ）を導入するガス導入管、３は基体、４は
基体３を保持するホルダーであり、基体温度を適宜設定
できる様にヒーターが内蔵されている。ガス導入管１お
よび２より導入される各ガスのうち、成膜に利用されな
かった残余ガスは、未反応または反応生成物を含め、真
空ポンプ（図示せず）で排気される。
ニウム原子を主成分とする結晶核の成長速度と核形成密
度の低い面に出現する結晶核の発生速度との比と定義す
る。図１は本発明の実験例を示す装置の略図である。同
図において、１はシリコン原子とハロゲン原子を含む化
合物を導入するガス導入管、２はシリコン原子とハロゲ
ン原子を含む化合物を分解することにより生成される活
性種（Ａ）と化学反応する成膜用化学物質より生成され
る活性種（Ｂ）を導入するガス導入管、３は基体、４は
基体３を保持するホルダーであり、基体温度を適宜設定
できる様にヒーターが内蔵されている。ガス導入管１お
よび２より導入される各ガスのうち、成膜に利用されな
かった残余ガスは、未反応または反応生成物を含め、真
空ポンプ（図示せず）で排気される。
【００２７】ガス導入管１より導入されるシリコン原子
とハロゲン原子を含む化合物は、高周波電力発生装置の
制御により、一部または全てが分解され会合空間５へ導
入される。一方、ガス導入管２より活性種（Ｂ）となる
ガスを導入し、高周波電力発生装置によりプラズマ分解
され、活性種（Ｂ）を生成し、会合空間５へ導入され
る。会合空間５において、シリコン原子とハロゲン原子
を含む化合物の分解生成物である活性種（Ａ）と、これ
と化学反応する活性種（Ｂ）とが化学反応をすると共
に、基体３へと輸送され、基体表面反応を経て、堆積膜
を形成する。３の基体としてガラス基体を用い、堆積に
先立って次のような方法によりアモルファスシリコンゲ
ルマニウム（以下ａ−ＳｉＧｅ膜と略す）膜を形成し
た。
とハロゲン原子を含む化合物は、高周波電力発生装置の
制御により、一部または全てが分解され会合空間５へ導
入される。一方、ガス導入管２より活性種（Ｂ）となる
ガスを導入し、高周波電力発生装置によりプラズマ分解
され、活性種（Ｂ）を生成し、会合空間５へ導入され
る。会合空間５において、シリコン原子とハロゲン原子
を含む化合物の分解生成物である活性種（Ａ）と、これ
と化学反応する活性種（Ｂ）とが化学反応をすると共
に、基体３へと輸送され、基体表面反応を経て、堆積膜
を形成する。３の基体としてガラス基体を用い、堆積に
先立って次のような方法によりアモルファスシリコンゲ
ルマニウム（以下ａ−ＳｉＧｅ膜と略す）膜を形成し
た。
【００２８】即ち、従来のＲＦグロー放電のプラズマＣ
ＶＤ装置によりＳｉＨ4 、ＧｅＨ4 およびＨ2 ガスの分
解によってａ−ＳｉＧｅを作製した。作製条件を後記の
表１に示す。
ＶＤ装置によりＳｉＨ4 、ＧｅＨ4 およびＨ2 ガスの分
解によってａ−ＳｉＧｅを作製した。作製条件を後記の
表１に示す。
【００２９】膜厚が１０Åになるように、堆積時間を１
０秒とした。ＧｅＨ4 流量は０．１〜１sccmの範囲で選
択し、Ｇｅ濃度の異なるａ−ＳｉＧｅ膜を複数個作製し
た。次に、これらの膜を図１に示した装置のホルダー４
にセットして水素プラズマ処理を行なった。この処理に
おいて、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導入し、
真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２０ mTo
rrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電して基体
温度を３００℃に保持し、安定するのを待って高周波電
力（図示せず）を投入する。このときのパワーは３００
Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生し、Ｈ2
ガスがプラズマ分解され、これが活性種としてａ−Ｓｉ
Ｇｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に高
周波電力およびヒーターの各通電を停止し、Ｈ2 ガスの
供給を停止した後、Ａｒガスに切換え、成膜空間を大気
圧に戻してから基体３を取り出す。
０秒とした。ＧｅＨ4 流量は０．１〜１sccmの範囲で選
択し、Ｇｅ濃度の異なるａ−ＳｉＧｅ膜を複数個作製し
た。次に、これらの膜を図１に示した装置のホルダー４
にセットして水素プラズマ処理を行なった。この処理に
おいて、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導入し、
真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２０ mTo
rrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電して基体
温度を３００℃に保持し、安定するのを待って高周波電
力（図示せず）を投入する。このときのパワーは３００
Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生し、Ｈ2
ガスがプラズマ分解され、これが活性種としてａ−Ｓｉ
Ｇｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に高
周波電力およびヒーターの各通電を停止し、Ｈ2 ガスの
供給を停止した後、Ａｒガスに切換え、成膜空間を大気
圧に戻してから基体３を取り出す。
【００３０】基体３の表面のＴＥＭ写真観察を行なった
ところ、ゲルマニウム結晶核が表面に点在しているのが
確認された。この結晶核は、高倍率の格子イメージよ
り、ゲルマニウム結晶であることがわかり、結晶核の大
きさは、前記の水素プラズマ条件下では約３００Åで、
形状はほぼ球形であることが確認された。このようにし
て得られた結晶核の密度と、水素プラズマ処理前のａ−
ＳｉＧｅ膜のＧｅ濃度との関係を図２に示す。Ｇｅ濃度
の制御は、ＧｅＨ4 ガス流量を表１に示した範囲で適宜
選択することにより可能であり、図２においてＧｅ濃度
に対して水素プラズマ処理を実施することで結晶核密度
Ｎの制御が可能であることがわかる。
ところ、ゲルマニウム結晶核が表面に点在しているのが
確認された。この結晶核は、高倍率の格子イメージよ
り、ゲルマニウム結晶であることがわかり、結晶核の大
きさは、前記の水素プラズマ条件下では約３００Åで、
形状はほぼ球形であることが確認された。このようにし
て得られた結晶核の密度と、水素プラズマ処理前のａ−
ＳｉＧｅ膜のＧｅ濃度との関係を図２に示す。Ｇｅ濃度
の制御は、ＧｅＨ4 ガス流量を表１に示した範囲で適宜
選択することにより可能であり、図２においてＧｅ濃度
に対して水素プラズマ処理を実施することで結晶核密度
Ｎの制御が可能であることがわかる。
【００３１】このように本発明では、結晶核密度の制御
が可能であり、水素プラズマ処理を実施した後、図１の
装置において大気圧に戻すことなく直ちに結晶核の成長
を行なうことが可能である。先に述べた水素プラズマ処
理を終えた後、各ガス導入管より所定のガスを後記の表
２に示す流量で流すとともに、高周波電力、基体温度、
圧力を適宜調整して結晶シリコンの成長を行なうことが
可能である。
が可能であり、水素プラズマ処理を実施した後、図１の
装置において大気圧に戻すことなく直ちに結晶核の成長
を行なうことが可能である。先に述べた水素プラズマ処
理を終えた後、各ガス導入管より所定のガスを後記の表
２に示す流量で流すとともに、高周波電力、基体温度、
圧力を適宜調整して結晶シリコンの成長を行なうことが
可能である。
【００３２】さらに結晶シリコンの成長を行なう際に基
体表面の結晶核の存在する以外の表面に核形成密度の低
い層を設けることも可能である。核形成密度の低い材料
としては、酸化ケイ素およびフッ化カルシウム膜が挙げ
られるが、酸化ケイ素膜は、熱酸化法、化学気相法、プ
ラズマ化学気相法などの各方法により適宜作製でき、フ
ッ化カルシウム膜は主に抵抗加熱、電子ビーム蒸着によ
り容易に作製可能である。
体表面の結晶核の存在する以外の表面に核形成密度の低
い層を設けることも可能である。核形成密度の低い材料
としては、酸化ケイ素およびフッ化カルシウム膜が挙げ
られるが、酸化ケイ素膜は、熱酸化法、化学気相法、プ
ラズマ化学気相法などの各方法により適宜作製でき、フ
ッ化カルシウム膜は主に抵抗加熱、電子ビーム蒸着によ
り容易に作製可能である。
【００３３】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００３４】（実施例１）本実施例では、前述の図１の
実験例で得られた、Ｇｅ結晶核を有する基体上に結晶シ
リコンを成長させ、その結果の評価をＨａｌｌ測定によ
り行なった。実験例で説明したように、基体３として、
ガラス基体上にＲＦプラズマＣＶＤ装置で作製したａ−
ＳｉＧｅ膜１０Å、膜中Ｇｅ濃度１×１０-2at％のもの
を堆積する。
実験例で得られた、Ｇｅ結晶核を有する基体上に結晶シ
リコンを成長させ、その結果の評価をＨａｌｌ測定によ
り行なった。実験例で説明したように、基体３として、
ガラス基体上にＲＦプラズマＣＶＤ装置で作製したａ−
ＳｉＧｅ膜１０Å、膜中Ｇｅ濃度１×１０-2at％のもの
を堆積する。
【００３５】次に、この基体を図１に示した装置のホル
ダー４にセットして水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、内圧を２０ mTorrに真空排気バルブ（図示せず）
を調整して保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
し、基体温度を３００℃に保持し安定するのを待って高
周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワーは
３００Ｗである。パワー投入後、数秒でプラズマが発生
してＨ2 ガスがプラズマ分解され、活性種としてａ−Ｓ
ｉＧｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に
高周波電力の通電を停止し、Ｈ2 ガスの供給を停止した
後、表２に示す条件に設定し、さらにＨａｌｌ測定用に
ＳｉＦ4 に代えてＰＨ3 ／ＳｉＦ4 混合ガス（濃度３pp
m)をガス導入管より流し、シリコン結晶の堆積を行なっ
た。堆積時間５分で膜厚は１．０μm となる。このよう
にして作製された結晶シリコン膜を、その表面にＡｌ電
極を真空蒸着で作製し、van der Pauw法によるＨａｌｌ
測定を行なったところ、電子キャリア濃度４．０×１０
17cm-3、Ｈａｌｌ移動度９０cm2/v.s の良好な値を得
た。また得られた結晶シリコン膜をラマン散乱分光法に
より観測したところ、Ｓｉ−ＳｉのＴＯモードピーク
（５２０cm-1）のみにピークが確認され、多結晶である
ことがわかった。
ダー４にセットして水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、内圧を２０ mTorrに真空排気バルブ（図示せず）
を調整して保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
し、基体温度を３００℃に保持し安定するのを待って高
周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワーは
３００Ｗである。パワー投入後、数秒でプラズマが発生
してＨ2 ガスがプラズマ分解され、活性種としてａ−Ｓ
ｉＧｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に
高周波電力の通電を停止し、Ｈ2 ガスの供給を停止した
後、表２に示す条件に設定し、さらにＨａｌｌ測定用に
ＳｉＦ4 に代えてＰＨ3 ／ＳｉＦ4 混合ガス（濃度３pp
m)をガス導入管より流し、シリコン結晶の堆積を行なっ
た。堆積時間５分で膜厚は１．０μm となる。このよう
にして作製された結晶シリコン膜を、その表面にＡｌ電
極を真空蒸着で作製し、van der Pauw法によるＨａｌｌ
測定を行なったところ、電子キャリア濃度４．０×１０
17cm-3、Ｈａｌｌ移動度９０cm2/v.s の良好な値を得
た。また得られた結晶シリコン膜をラマン散乱分光法に
より観測したところ、Ｓｉ−ＳｉのＴＯモードピーク
（５２０cm-1）のみにピークが確認され、多結晶である
ことがわかった。
【００３６】（比較例１）ａ−ＳｉＧｅの堆積と水素プ
ラズマ処理の工程を行なわない場合、即ち、ガラス基体
上に直接結晶シリコン膜を〔実施例１〕と同一の条件で
堆積させると、電子キャリア濃度５．５×１０17cm-3、
Ｈａｌｌ移動度１０cm2/v.s となり、またラマン散乱分
光法で５２０cm-1ピークと４８０cm-1に裾を持つマイク
ロクリスタル構造になっていることが確認できた。
ラズマ処理の工程を行なわない場合、即ち、ガラス基体
上に直接結晶シリコン膜を〔実施例１〕と同一の条件で
堆積させると、電子キャリア濃度５．５×１０17cm-3、
Ｈａｌｌ移動度１０cm2/v.s となり、またラマン散乱分
光法で５２０cm-1ピークと４８０cm-1に裾を持つマイク
ロクリスタル構造になっていることが確認できた。
【００３７】（実施例２）次にガラス基体上に、図３に
示すＭＩＳ構造の多結晶シリコン太陽電池を作製する例
を示す。
示すＭＩＳ構造の多結晶シリコン太陽電池を作製する例
を示す。
【００３８】図３において、３０１はガラス基体、３０
２はグリット型のＡｌ電極、３０３は酸化ケイ素層、３
０４は多結晶シリコン層、３０５はＡｌ電極であり、光
入射はガラス基体より行なう構造である。
２はグリット型のＡｌ電極、３０３は酸化ケイ素層、３
０４は多結晶シリコン層、３０５はＡｌ電極であり、光
入射はガラス基体より行なう構造である。
【００３９】まず、ガラス基体上に真空蒸着でＡｌ電極
を作製し、その上に酸化ケイ素膜を低温酸化法で作製す
る。作製条件は後記の表３に示す。この条件下では、堆
積時間１０秒で３０の酸化ケイ素膜が堆積可能である。
を作製し、その上に酸化ケイ素膜を低温酸化法で作製す
る。作製条件は後記の表３に示す。この条件下では、堆
積時間１０秒で３０の酸化ケイ素膜が堆積可能である。
【００４０】次に前述の実験例と同様にしてＲＦプラズ
マＣＶＤ法で基体を作製した。ａ−ＳｉＧｅ膜の膜厚は
１０Å、膜中のＧｅ濃度は１×１０-2at％である。
マＣＶＤ法で基体を作製した。ａ−ＳｉＧｅ膜の膜厚は
１０Å、膜中のＧｅ濃度は１×１０-2at％である。
【００４１】次に、この基体を図１に示した装置のホル
ダー４にセットし、水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２
０ mTorrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
し、基体温度を３００℃に保持し安定するのを待って高
周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワーは
３００Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生し
てＨ2 ガスがプラズマ分解され、活性種としてａ−Ｓｉ
Ｇｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に高
周波電力の通電を停止しＨ2 ガスの供給を停止した後、
表２に示す条件に設定しさらにＨａｌｌ測定用にＳｉＦ
4 に代えてＰＨ3 ／ＳｉＦ4 混合ガス（濃度０．５pp
m）をガス導入管より流し、シリコン結晶の堆積を行な
った。堆積時間は１００分で２０μmとなる。このよう
にして作製された結晶シリコン膜上にＡｌ電極を真空蒸
着で作製した。このようにして作製されたＭＩＳシリコ
ン太陽電池の諸特性は、ＡＭ１．５、照射強度１００mw
/cm2における開放電圧ＶOC＝５７５mV、短絡電流ＪSC＝
３０mA/cm2、ＦＦ＝７３％、変換効率η＝１２．６％と
良好な値であった。なお、これは光閉じ込め構造を持た
ないときのものであり、反射防止層およびテクスチャー
化の工夫によりさらに特性改善が期待される。
ダー４にセットし、水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２
０ mTorrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
し、基体温度を３００℃に保持し安定するのを待って高
周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワーは
３００Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生し
てＨ2 ガスがプラズマ分解され、活性種としてａ−Ｓｉ
Ｇｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に高
周波電力の通電を停止しＨ2 ガスの供給を停止した後、
表２に示す条件に設定しさらにＨａｌｌ測定用にＳｉＦ
4 に代えてＰＨ3 ／ＳｉＦ4 混合ガス（濃度０．５pp
m）をガス導入管より流し、シリコン結晶の堆積を行な
った。堆積時間は１００分で２０μmとなる。このよう
にして作製された結晶シリコン膜上にＡｌ電極を真空蒸
着で作製した。このようにして作製されたＭＩＳシリコ
ン太陽電池の諸特性は、ＡＭ１．５、照射強度１００mw
/cm2における開放電圧ＶOC＝５７５mV、短絡電流ＪSC＝
３０mA/cm2、ＦＦ＝７３％、変換効率η＝１２．６％と
良好な値であった。なお、これは光閉じ込め構造を持た
ないときのものであり、反射防止層およびテクスチャー
化の工夫によりさらに特性改善が期待される。
【００４２】（比較例２）実施例２において、ａ−Ｓｉ
Ｇｅ膜の作製および水素プラズマ処理工程を含まない従
来の作製技術に従がい、他の条件は同一として作製した
太陽電池の諸特性は、ＶOC＝５５０meV 、ＪSC＝２８mA
/cm2、ＦＦ＝６５％、η＝１０．０％に止まっていた。
Ｇｅ膜の作製および水素プラズマ処理工程を含まない従
来の作製技術に従がい、他の条件は同一として作製した
太陽電池の諸特性は、ＶOC＝５５０meV 、ＪSC＝２８mA
/cm2、ＦＦ＝６５％、η＝１０．０％に止まっていた。
【００４３】（実施例３）次にステンレス基体上に図４
に示す結晶シリコンゲルマニウム（以下ｃ−ＳｉＧｅと
略す）を用いたＰ−Ｎ接合型太陽電池の作製例を示す。
に示す結晶シリコンゲルマニウム（以下ｃ−ＳｉＧｅと
略す）を用いたＰ−Ｎ接合型太陽電池の作製例を示す。
【００４４】図４において、４０１はステンレス基体、
４０２はＮ型ｃ−ＳｉＧｅ、４０３はＰ型結晶シリコ
ン。４０４は透明導電膜、４０５は集電電極である。
４０２はＮ型ｃ−ＳｉＧｅ、４０３はＰ型結晶シリコ
ン。４０４は透明導電膜、４０５は集電電極である。
【００４５】前述の実験例で説明したように、ステンレ
ス基体４０１上にＲＦプラズマＣＶＤ法で作製したａ−
ＳｉＧｅ膜（厚さ１０Å、膜中のＧｅ濃度１×１０-2at
％）を堆積する。
ス基体４０１上にＲＦプラズマＣＶＤ法で作製したａ−
ＳｉＧｅ膜（厚さ１０Å、膜中のＧｅ濃度１×１０-2at
％）を堆積する。
【００４６】次に、この基体を図１に示した装置のホル
ダー４にセットして水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２
００ mTorrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
して基体温度を３００℃に保持し、安定するのを待って
高周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワー
は３００Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生
してＨ2 ガスがプラズマ分解され、これが活性種として
ａ−ＳｉＧｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５
秒後に高周波電力の通電を停止し、Ｈ2 ガスの供給を停
止した後、後記の表３に示す条件でＳｉＦ4 ガスに代え
てＧｅＦ4 ／Ｓｉ2 Ｆ6 混合ガス（ＧｅＦ4 ：ＳｉＦ4
＝４０：６０かつＰＨ3 ／（ＧｅＦ4 ＋Ｓｉ2 Ｆ6 ）＝
１ppm ）を２０sccmガス導入管１より導入する。
ダー４にセットして水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２
００ mTorrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
して基体温度を３００℃に保持し、安定するのを待って
高周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワー
は３００Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生
してＨ2 ガスがプラズマ分解され、これが活性種として
ａ−ＳｉＧｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５
秒後に高周波電力の通電を停止し、Ｈ2 ガスの供給を停
止した後、後記の表３に示す条件でＳｉＦ4 ガスに代え
てＧｅＦ4 ／Ｓｉ2 Ｆ6 混合ガス（ＧｅＦ4 ：ＳｉＦ4
＝４０：６０かつＰＨ3 ／（ＧｅＦ4 ＋Ｓｉ2 Ｆ6 ）＝
１ppm ）を２０sccmガス導入管１より導入する。
【００４７】堆積時間９０分で膜厚は２μm となる。次
に高周波電力の通電および各ガスの供給を停止した後、
表３に示す条件でＳｉＦ4 ガスに代えてＢＦ3 ／ＳｉＦ
4 混合ガス（ＢＦ3 ／ＳｉＦ4 ＝１０ppm ）を７６sccm
ガス導入管１より導入する。この条件下で２００Åのｃ
−ＳｉＰ層を堆積させ、透明導電膜および集電電極を形
成させ太陽電池の特性を測定した。ＡＭ１．５、照射強
度１００mW/cm2において、ＶOC＝４９０mV、ＪSC＝３
０．５mA/cm2、ＦＦ＝６２％、η＝９．３％の良好な値
を得た。
に高周波電力の通電および各ガスの供給を停止した後、
表３に示す条件でＳｉＦ4 ガスに代えてＢＦ3 ／ＳｉＦ
4 混合ガス（ＢＦ3 ／ＳｉＦ4 ＝１０ppm ）を７６sccm
ガス導入管１より導入する。この条件下で２００Åのｃ
−ＳｉＰ層を堆積させ、透明導電膜および集電電極を形
成させ太陽電池の特性を測定した。ＡＭ１．５、照射強
度１００mW/cm2において、ＶOC＝４９０mV、ＪSC＝３
０．５mA/cm2、ＦＦ＝６２％、η＝９．３％の良好な値
を得た。
【００４８】（比較例３）実施例３において、ａ−Ｓｉ
Ｇｅ膜の作製および水素プラズマ処理工程を行なわず、
他の条件は同一として作製した太陽電池の諸特性は、Ｖ
OC＝４２０mV、ＪSC＝２８．２mA/cm2、ＦＦ＝５８％、
η＝６．７％に止まっている。
Ｇｅ膜の作製および水素プラズマ処理工程を行なわず、
他の条件は同一として作製した太陽電池の諸特性は、Ｖ
OC＝４２０mV、ＪSC＝２８．２mA/cm2、ＦＦ＝５８％、
η＝６．７％に止まっている。
【００４９】（実施例４）ガラス基体上に、図５に示す
ＴＦＴを作製した例について説明する。図５において５
０１ガラス基体、５０２はソース電極、５０３はドレイ
ン電極、５０４はゲート電極、５０５は酸化ケイ素膜、
５０６は結晶シリコン膜である。
ＴＦＴを作製した例について説明する。図５において５
０１ガラス基体、５０２はソース電極、５０３はドレイ
ン電極、５０４はゲート電極、５０５は酸化ケイ素膜、
５０６は結晶シリコン膜である。
【００５０】ガラス基体上にＡｌのゲート電極を真空蒸
着により作製し、次に酸化ケイ素膜を実施例２の表３で
用いた作製条件で作製する。但し堆積時間は５００秒で
１５００Åの層膜とした。
着により作製し、次に酸化ケイ素膜を実施例２の表３で
用いた作製条件で作製する。但し堆積時間は５００秒で
１５００Åの層膜とした。
【００５１】次に、この基体を図１に示した装置のホル
ダー４にセットして水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２
００ mTorrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
して基体温度を３００℃に保持し、安定するのを待って
高周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワー
は３００Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生
し、Ｈ2 ガスがプラズマ分解され、活性種としてａ−Ｓ
ｉＧｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に
高周波電力の通電を停止してＨ2 ガスの供給を停止した
後、表２に示す条件において堆積時間は４５秒で１５０
０Åの結晶シリコンを堆積した。次にソース電極５０２
およびドレイン電極５０３を、Ａｌの真空蒸着および所
定のホトリソグラフィ技術により作製する。このように
して作製されたＴＦＴの移動度を測定したところ、μ＝
１３０cm2/v・s と良好な値を得ることができた。
ダー４にセットして水素プラズマ処理を行なった。この
処理において、ガス導入管２よりＨ2 ガス２０sccmを導
入し、真空排気バルブ（図示せず）を調整して内圧を２
００ mTorrに保持する。基体ホルダーのヒーターに通電
して基体温度を３００℃に保持し、安定するのを待って
高周波電力（図示せず）を投入する。このときのパワー
は３００Ｗである。パワー投入後数秒でプラズマが発生
し、Ｈ2 ガスがプラズマ分解され、活性種としてａ−Ｓ
ｉＧｅ膜表面に供給される。プラズマ発生から５秒後に
高周波電力の通電を停止してＨ2 ガスの供給を停止した
後、表２に示す条件において堆積時間は４５秒で１５０
０Åの結晶シリコンを堆積した。次にソース電極５０２
およびドレイン電極５０３を、Ａｌの真空蒸着および所
定のホトリソグラフィ技術により作製する。このように
して作製されたＴＦＴの移動度を測定したところ、μ＝
１３０cm2/v・s と良好な値を得ることができた。
【００５２】（従来例）実施例４において、ａ−ＳｉＧ
ｅ膜の作製および水素プラズマ処理工程を行なわず、他
の条件は同一として作製したＴＦＴの移動度は１０cm2/
v・s に止まっている。
ｅ膜の作製および水素プラズマ処理工程を行なわず、他
の条件は同一として作製したＴＦＴの移動度は１０cm2/
v・s に止まっている。
【００５３】
【表１】 ＲＦパワー １Ｗ 圧力 ５００mTorr 基体温度 ３２０℃ 堆積速度 １Å／sec
【００５４】
【表２】 高周波電力 2.45GHz、４００Ｗ 基体温度 ３００℃ 圧力 １００mTorr
【００５５】
【表３】 基体温度 ３２０℃ 圧力 １００mTorr
【００５６】
【発明の効果】以上述べたように本発明により非晶質基
体上に３００℃程度の低温で良質の結晶シリコンあるい
はシリコンゲルマニウム結晶が得られるようになり、こ
れによって太陽電池では変換効率の向上が、またＴＦＴ
では電子の移動度の向上が達成される。
体上に３００℃程度の低温で良質の結晶シリコンあるい
はシリコンゲルマニウム結晶が得られるようになり、こ
れによって太陽電池では変換効率の向上が、またＴＦＴ
では電子の移動度の向上が達成される。
【図１】本発明の実施例で用いられた成膜装置の模式的
断面図。
断面図。
【図２】水素プラズマ処理による堆積膜中のＧｅ濃度と
結晶核密度との変化を示すグラフ。
結晶核密度との変化を示すグラフ。
【図３】本発明方法にしたがって作製されたＭＩＳ型太
陽電池の縦断面図。
陽電池の縦断面図。
【図４】本発明方法にしたがって作製されたＰ−Ｎ型太
陽電池の縦断面図。
陽電池の縦断面図。
【図５】本発明方法にしたがって作製されたＴＦＴの縦
断面図。
断面図。
１ ガス導入管 ２ ガス導入管 ３ 基体 ４ ホルダー ５ 会合空間 ３０１ ガラス基体 ３０２ Ａｌ電極 ３０３ 酸化ケイ素層 ３０４ 多結晶シリコン層 ３０５ Ａｌ電極 ４０１ ステンレス基体 ４０２ Ｎ型ｃ−ＳｉＧｅ層 ４０３ Ｐ型ｃ−Ｓｉ ４０４ 透明導電膜 ４０５ 集電電極 ５０１ ガラス基体 ５０２ ソース電極 ５０３ ドレイン電極 ５０４ ゲート電極 ５０５ 酸化ケイ素膜 ５０６ 結晶シリコン膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/3065
Claims (7)
- 【請求項１】 基体上に気相反応薄膜形成法を用いて多
結晶膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜
を形成するのに先立ち、前記基体上に薄膜層を形成する
工程と、この薄膜層にエッチング処理を施す工程と、結
晶核を前記基体表面に残留させた後、結晶核を成長させ
る工程とを具備することを特徴とする堆積膜形成方法。 - 【請求項２】 前記薄膜層がシリコン原子およびゲルマ
ニウム原子を含む薄膜層であることを特徴とする請求項
１記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項３】 前記エッチング処理が水素プラズマ処理
であることを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載
の堆積膜形成方法。 - 【請求項４】 前記気相反応薄膜形成法が、シリコン原
子およびハロゲン原子を含む化合物を分解することによ
り生成される活性種（Ａ）と、この活性種（Ａ）と化学
的相互作用をする成膜用化学物質より生成される活性種
（Ｂ）とをそれぞれ別個に成膜空間に導入して化学反応
させ、前記成膜空間に設置された基体上に堆積膜を形成
する方法であることを特徴とする請求項１から３のいず
れか１項に記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項５】 前記堆積膜の堆積速度が前記活性種
（Ｂ）の濃度により律速されていることを特徴とする請
求項４記載の堆積膜形成方法。 - 【請求項６】 前記堆積膜を成形するのに先立ち、前記
基体上にシリコン原子およびゲルマニウム原子を含む薄
膜層を形成し、ついで水素プラズマ処理を施す工程を含
むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記
載の堆積膜形成方法。 - 【請求項７】 前記基体上にシリコン原子およびゲルマ
ニウム原子を含む薄膜層を形成するに先立ち、前記基体
表面に酸化ケイ素膜或いは、フッ化カルシウム膜から成
る層を有することを特徴とする請求項１から５のいずれ
か１項に記載の堆積膜形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184158A JP2965094B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 堆積膜形成方法 |
| US07/903,939 US5246886A (en) | 1991-06-28 | 1992-06-26 | Process for depositing a silicon-containing polycrystalline film on a substrate by way of growing Ge-crystalline nucleus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184158A JP2965094B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 堆積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513347A JPH0513347A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2965094B2 true JP2965094B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=16148382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184158A Expired - Fee Related JP2965094B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 堆積膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| US8106867B2 (en) | 1990-11-26 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
| US7154147B1 (en) * | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
| EP0541033A3 (en) * | 1991-11-08 | 1993-06-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Process of fabrication of thin-film polycristalline silicon solar cells |
| JP3144032B2 (ja) * | 1992-03-30 | 2001-03-07 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US5976992A (en) * | 1993-09-27 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of supplying excited oxygen |
| US5624873A (en) * | 1993-11-12 | 1997-04-29 | The Penn State Research Foundation | Enhanced crystallization of amorphous films |
| JP3152328B2 (ja) * | 1994-03-22 | 2001-04-03 | キヤノン株式会社 | 多結晶シリコンデバイス |
| US5985703A (en) * | 1994-10-24 | 1999-11-16 | Banerjee; Sanjay | Method of making thin film transistors |
| US5646073A (en) * | 1995-01-18 | 1997-07-08 | Lsi Logic Corporation | Process for selective deposition of polysilicon over single crystal silicon substrate and resulting product |
| JP3319550B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法 |
| CA2147198A1 (en) * | 1995-04-18 | 1996-10-19 | Chettypalayam R. Selvakumar | Low temperature ion-beam assisted deposition method for realizing sige/si heterostructures |
| JP2616741B2 (ja) * | 1995-04-27 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 多結晶シリコン−ゲルマニウム薄膜トランジスタの製造方法 |
| US6017434A (en) | 1995-05-09 | 2000-01-25 | Curagen Corporation | Apparatus and method for the generation, separation, detection, and recognition of biopolymer fragments |
| US6090442A (en) * | 1997-04-14 | 2000-07-18 | University Technology Corporation | Method of growing films on substrates at room temperatures using catalyzed binary reaction sequence chemistry |
| FR2765245B1 (fr) * | 1997-06-25 | 1999-09-17 | France Telecom | Procede d'obtention d'une couche de silicium-germanium polycristallin sur un substrat et son application a la microelectronique |
| US6258664B1 (en) | 1999-02-16 | 2001-07-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming silicon-comprising materials having roughened outer surfaces, and methods of forming capacitor constructions |
| JP4000583B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2007-10-31 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2002343993A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-11-29 | Canon Inc | 薄膜多結晶太陽電池及びその形成方法 |
| JP2003077845A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US6991999B2 (en) * | 2001-09-07 | 2006-01-31 | Applied Materials, Inc. | Bi-layer silicon film and method of fabrication |
| JP2004296598A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Canon Inc | 太陽電池 |
| US7135391B2 (en) * | 2004-05-21 | 2006-11-14 | International Business Machines Corporation | Polycrystalline SiGe junctions for advanced devices |
| JP4488039B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2010-06-23 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| US8591650B2 (en) * | 2007-12-03 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming crystalline semiconductor film, method for manufacturing thin film transistor, and method for manufacturing display device |
| EP2242588A4 (en) * | 2008-01-15 | 2017-08-16 | First Solar, Inc | Plasma-treated photovoltaic devices |
| US7989325B2 (en) * | 2009-01-13 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor |
| DE102009056731A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
| US8940580B2 (en) | 2012-06-28 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Textured multi-junction solar cell and fabrication method |
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|---|---|---|---|---|
| JPS58137218A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nec Corp | シリコン単結晶基板の処理方法 |
| JPS59123226A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| DE3429899A1 (de) * | 1983-08-16 | 1985-03-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms |
| JPH0746729B2 (ja) * | 1985-12-26 | 1995-05-17 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US4992134A (en) * | 1989-11-14 | 1991-02-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dopant-independent polysilicon plasma etch |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3184158A patent/JP2965094B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-26 US US07/903,939 patent/US5246886A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| US5246886A (en) | 1993-09-21 |
| JPH0513347A (ja) | 1993-01-22 |
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