JPH04355970A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH04355970A JPH04355970A JP3249728A JP24972891A JPH04355970A JP H04355970 A JPH04355970 A JP H04355970A JP 3249728 A JP3249728 A JP 3249728A JP 24972891 A JP24972891 A JP 24972891A JP H04355970 A JPH04355970 A JP H04355970A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池の製造方法に
関し、特に、太陽電池のパワー出力特性を安定的に改良
することによって入射光を拡散し、太陽電池の活性層に
吸収された光を効果的に用いることのできる太陽電池の
製造方法に関する。
関し、特に、太陽電池のパワー出力特性を安定的に改良
することによって入射光を拡散し、太陽電池の活性層に
吸収された光を効果的に用いることのできる太陽電池の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、各種機器において、駆動エネルギ
ー源として太陽電池が利用されている。 太陽電池は
機能部分にＰＮ接合またはＰＩＮ接合を用いており、該
ＰＮ接合を構成する半導体としては、一般にシリコンが
用いられている。光エネルギーを起電力に変換する効率
の点からは、半導体材料として単結晶シリコンを用いる
のが好ましいが、大面積化および低コスト化の点からは
アモルファスシリコンが有利といわれている。
ー源として太陽電池が利用されている。 太陽電池は
機能部分にＰＮ接合またはＰＩＮ接合を用いており、該
ＰＮ接合を構成する半導体としては、一般にシリコンが
用いられている。光エネルギーを起電力に変換する効率
の点からは、半導体材料として単結晶シリコンを用いる
のが好ましいが、大面積化および低コスト化の点からは
アモルファスシリコンが有利といわれている。
【０００３】一方、近年においては、アモルファスシリ
コンなみの低コストと単結晶シリコンなみの高エネルギ
ー変換効率とを得る目的で多結晶シリコンの使用が検討
されているが、未だ単結晶シリコンなみの高エネルギー
変換効率を得るには至っていない。
コンなみの低コストと単結晶シリコンなみの高エネルギ
ー変換効率とを得る目的で多結晶シリコンの使用が検討
されているが、未だ単結晶シリコンなみの高エネルギー
変換効率を得るには至っていない。
【０００４】単結晶シリコンにおいては、種々の高効率
化技術、例えば、ポイント−コンタクト法（Ｒｉｃｈａ
ｒｄ Ｍ． Ｓｗａｎｓｏｎ ｅｔ ａｌ．， ＩＥＥ
Ｅ， Ｖｏｌ．ＥＤ−３１， Ｎｏ．５， ＭＡＹ（１
９８４） Ｐ６６１）や、表面パッシベーション技術や
電極面積の低減化技術（Ｔ．Ｎａｍｍｏｒｉ， Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｆｏｒｕｍ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎ
ｅ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ，（１９８９）ｐ７７，Ｔ
ｏｋｙｏ）、光閉じ込め技術（Ｔ．Ｕｅｍａｔｓｕ ｅ
ｔ ａｌ．， Ｃｏｎｆ．Ｒｅｃｏｒｄｏｆ ｔｈｅ
２０ｔｈ ＩＥＥＥＰＶＳＣ （１９８８）ｐ７９２）
等の検討が行なわれているが、いずれも低コスト化の点
からは十分な技術とはいえないのが現状である。すなわ
ち、コストを下げるためには十分な薄膜化が必要である
。
化技術、例えば、ポイント−コンタクト法（Ｒｉｃｈａ
ｒｄ Ｍ． Ｓｗａｎｓｏｎ ｅｔ ａｌ．， ＩＥＥ
Ｅ， Ｖｏｌ．ＥＤ−３１， Ｎｏ．５， ＭＡＹ（１
９８４） Ｐ６６１）や、表面パッシベーション技術や
電極面積の低減化技術（Ｔ．Ｎａｍｍｏｒｉ， Ｒｅｓ
ｅａｒｃｈ Ｆｏｒｕｍ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎ
ｅ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ，（１９８９）ｐ７７，Ｔ
ｏｋｙｏ）、光閉じ込め技術（Ｔ．Ｕｅｍａｔｓｕ ｅ
ｔ ａｌ．， Ｃｏｎｆ．Ｒｅｃｏｒｄｏｆ ｔｈｅ
２０ｔｈ ＩＥＥＥＰＶＳＣ （１９８８）ｐ７９２）
等の検討が行なわれているが、いずれも低コスト化の点
からは十分な技術とはいえないのが現状である。すなわ
ち、コストを下げるためには十分な薄膜化が必要である
。
【０００５】また、従来の単結晶シリコン太陽電池の薄
型化では、単結晶シリコンをエッチングによって薄くし
た平板型の基板を用いるしかなく、熱拡散、酸化等の熱
処理工程において基板の歪や電極形成による基板の湾曲
が問題となり、微細構造の形成や形成プロセスの安定化
、大面積化等困難なところが多かった。
型化では、単結晶シリコンをエッチングによって薄くし
た平板型の基板を用いるしかなく、熱拡散、酸化等の熱
処理工程において基板の歪や電極形成による基板の湾曲
が問題となり、微細構造の形成や形成プロセスの安定化
、大面積化等困難なところが多かった。
【０００６】また、米国特許４，８１６，４２０号明細
書には、タンデム型太陽電池の製造方法が開示されてい
る。この方法は、まず結晶基板上にマスク層を形成し、
マスク層の上に横成長結晶物質を与える条件の下で基体
のマスクされていない領域に結晶物質を蒸着し、単結晶
物質のシートが得られるまで横成長を続け、基体からそ
のシートを分離し、その分離されたシートから薄膜太陽
電池を形成する。タンデム型太陽電池を形成するには前
記太陽電池ともう一枚の太陽電池とを張り合わせる。
書には、タンデム型太陽電池の製造方法が開示されてい
る。この方法は、まず結晶基板上にマスク層を形成し、
マスク層の上に横成長結晶物質を与える条件の下で基体
のマスクされていない領域に結晶物質を蒸着し、単結晶
物質のシートが得られるまで横成長を続け、基体からそ
のシートを分離し、その分離されたシートから薄膜太陽
電池を形成する。タンデム型太陽電池を形成するには前
記太陽電池ともう一枚の太陽電池とを張り合わせる。
【０００７】しかしながら、比較的薄い半導体層にて変
換効率の高い太陽電池を提供するには決して充分なもの
とは言えず未だ改良の余地があった。また、歩留まりに
おいても同様に改善の余地があった。
換効率の高い太陽電池を提供するには決して充分なもの
とは言えず未だ改良の余地があった。また、歩留まりに
おいても同様に改善の余地があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の同じ材料、同じ層厚で形成した太陽電池よりも光電変
換効率が向上した太陽電池を歩留まりよく製造すること
にある。
の同じ材料、同じ層厚で形成した太陽電池よりも光電変
換効率が向上した太陽電池を歩留まりよく製造すること
にある。
【０００９】本発明の他の目的は、大面積の太陽電池パ
ネルを低コストで作製するのに好適な太陽電池の製造方
法を提供することにある。
ネルを低コストで作製するのに好適な太陽電池の製造方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の太陽電池の製造方法は、第１の基板上に少な
くとも一つの凹凸部を有する単結晶半導体からなる層を
形成し、該層を利用して光起電力素子を形成し、その後
別の第２の基板上に光起電力素子を接合させることを特
徴とするものである。
の本発明の太陽電池の製造方法は、第１の基板上に少な
くとも一つの凹凸部を有する単結晶半導体からなる層を
形成し、該層を利用して光起電力素子を形成し、その後
別の第２の基板上に光起電力素子を接合させることを特
徴とするものである。
【００１１】以下、本発明の好適な実施態様について説
明するが、本発明は該実施態様に限定されることはなく
、本発明の目的を達成するものであれば、用いる材料や
形状及び大きさ、製造工程等が変更されたものをも包含
する。
明するが、本発明は該実施態様に限定されることはなく
、本発明の目的を達成するものであれば、用いる材料や
形状及び大きさ、製造工程等が変更されたものをも包含
する。
【００１２】本発明に用いられる基板は、Ｓｉ，Ｇｅ，
Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ等からなる単結晶基板や、ＧａＡ
ｓ，ＩｎＰ，ＣｄＴｅ等からなる基板が用いられる。ま
た、酸化シリコンや窒化シリコン等の非単結晶材料から
なる基板であっても良い。勿論、単結晶Ｓｉ上にＳｉＯ
２が形成されたものや、樹脂等からなる基板上に上記各
材料がコーティングされたものであっても良い。
Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ等からなる単結晶基板や、ＧａＡ
ｓ，ＩｎＰ，ＣｄＴｅ等からなる基板が用いられる。ま
た、酸化シリコンや窒化シリコン等の非単結晶材料から
なる基板であっても良い。勿論、単結晶Ｓｉ上にＳｉＯ
２が形成されたものや、樹脂等からなる基板上に上記各
材料がコーティングされたものであっても良い。
【００１３】そして、非単結晶材料からなる実質的に平
坦な表面を有する基板を用いて、複数の単結晶領域を有
し、かつ、複数の結晶面からなる凹凸表面を有する半導
体層を形成する場合には、特開平３−９４４７７に記載
されている単結晶半導体層の形成工程を利用すれば良い
。
坦な表面を有する基板を用いて、複数の単結晶領域を有
し、かつ、複数の結晶面からなる凹凸表面を有する半導
体層を形成する場合には、特開平３−９４４７７に記載
されている単結晶半導体層の形成工程を利用すれば良い
。
【００１４】一方、単結晶基板を用いて凹凸表面を有す
る半導体層を形成する場合には、用いる単結晶基板自体
に凹凸が形成されていることが好ましい。
る半導体層を形成する場合には、用いる単結晶基板自体
に凹凸が形成されていることが好ましい。
【００１５】また、上述した各種基板上に凹凸表面を有
する半導体層を形成するための堆積膜形成方法としては
、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）や化学的気相堆積法（Ｃ
ＶＤ）が用いられる。とりわけ、単結晶総領域を含む堆
積膜を形成するためには、バイアススパッタリング法や
ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長法が好ましい。 その中でも、堆積速度を向上させ、かつ良質の凹凸表面
を有する単結晶半導体層形成のためには、後に詳しく説
明するＣＶＤ法が望ましい。このようなＣＶＤ法につい
ては米国特許４，８３５，００５号明細書に詳しく開示
されている。
する半導体層を形成するための堆積膜形成方法としては
、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）や化学的気相堆積法（Ｃ
ＶＤ）が用いられる。とりわけ、単結晶総領域を含む堆
積膜を形成するためには、バイアススパッタリング法や
ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長法が好ましい。 その中でも、堆積速度を向上させ、かつ良質の凹凸表面
を有する単結晶半導体層形成のためには、後に詳しく説
明するＣＶＤ法が望ましい。このようなＣＶＤ法につい
ては米国特許４，８３５，００５号明細書に詳しく開示
されている。
【００１６】本発明に用いられるより好ましい技術の一
つは、図１に示すように、単結晶シリコンウエハー上に
光閉じ込め効果を奏するように凹凸部としてのＶ型溝を
形成し、さらに超薄膜の絶縁層を前記Ｖ型溝上に形成す
ることである。
つは、図１に示すように、単結晶シリコンウエハー上に
光閉じ込め効果を奏するように凹凸部としてのＶ型溝を
形成し、さらに超薄膜の絶縁層を前記Ｖ型溝上に形成す
ることである。
【００１７】ここで、光閉じ込め効果を奏するに好まし
いＶ型溝を形成することについて簡単に説明する。
いＶ型溝を形成することについて簡単に説明する。
【００１８】光閉じ込め効果を奏するようなＶ型溝の形
成法とは、図１（ａ）に示されるように、（１００）面
を持つシリコンウエハーを用い、酸化シリコン膜、窒化
シリコン膜等のエッチングマスクを形成した後、水酸化
カリウム液やヒドラジン等の異方性エッチングを起こさ
せる溶液でシリコンウエハーをエッチングする。このエ
ッチングで、エッチング速度の早い（１００）面は時間
が経つにつれてウエハ内部へエッチングが進み、最終的
に（１１１）面で囲まれたＶ型溝が形成される。Ｖ型溝
の傾きは、結晶面方位で決まっており、その開き角は約
７０．５°となる。
成法とは、図１（ａ）に示されるように、（１００）面
を持つシリコンウエハーを用い、酸化シリコン膜、窒化
シリコン膜等のエッチングマスクを形成した後、水酸化
カリウム液やヒドラジン等の異方性エッチングを起こさ
せる溶液でシリコンウエハーをエッチングする。このエ
ッチングで、エッチング速度の早い（１００）面は時間
が経つにつれてウエハ内部へエッチングが進み、最終的
に（１１１）面で囲まれたＶ型溝が形成される。Ｖ型溝
の傾きは、結晶面方位で決まっており、その開き角は約
７０．５°となる。
【００１９】Ｖ型溝の深さ（エッチングの深さ）は（１
００） 面を持つシリコンウエハの厚さと、エッチング
マスクの間隔によって任意に制御することができる。
００） 面を持つシリコンウエハの厚さと、エッチング
マスクの間隔によって任意に制御することができる。
【００２０】ついで、フッ化水素水溶液等のエッチング
マスクを溶かし得る液でエッチングマスクを除去し、図
１（ｂ）に示すような光閉じ込め効果を奏する構造に加
工されたＶ型溝１０３を形成することができる。
マスクを溶かし得る液でエッチングマスクを除去し、図
１（ｂ）に示すような光閉じ込め効果を奏する構造に加
工されたＶ型溝１０３を形成することができる。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、光閉じ込
め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝１０３の表面に
、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、熱酸化法等により絶縁層として
酸化シリコン薄膜１０４を不均一に堆積させる。これに
より、複数箇所で下地の単結晶Ｓｉ表面が露出し、表面
エネルギー等に差が生じ、またエッジエネルギーの発生
等により、より結晶成長が起こり易くなる。また、光閉
じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝からの結晶
成長層の剥離をも容易にする。このような酸化シリコン
薄膜１０４の膜厚は適宜所望に従って決められるが、好
ましくは２Å〜１００Å、より好ましくは３Å〜５０Å
、最適には４Å〜１０Åである。このくらい薄い膜であ
れば従来の成膜方法をもってしても、自然に不均一な膜
となり易い。
め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝１０３の表面に
、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、熱酸化法等により絶縁層として
酸化シリコン薄膜１０４を不均一に堆積させる。これに
より、複数箇所で下地の単結晶Ｓｉ表面が露出し、表面
エネルギー等に差が生じ、またエッジエネルギーの発生
等により、より結晶成長が起こり易くなる。また、光閉
じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝からの結晶
成長層の剥離をも容易にする。このような酸化シリコン
薄膜１０４の膜厚は適宜所望に従って決められるが、好
ましくは２Å〜１００Å、より好ましくは３Å〜５０Å
、最適には４Å〜１０Åである。このくらい薄い膜であ
れば従来の成膜方法をもってしても、自然に不均一な膜
となり易い。
【００２２】本発明に用いられるより好ましい技術のも
う一つは、前述の図１（ｃ）に示された光閉じ込め効果
を奏する構造に加工された基体を、堆積膜を形成するた
めの成膜空間内に配設し、前記基体上にケイ素とハロゲ
ンとを含む化合物を分解することにより生成される活性
種（Ａ）と該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする成膜
用の化学物質より生成される活性種（Ｂ）とを同時に、
または各々別々に導入し、該活性種の化学作用を利用し
て図２（ａ）に示すように、第１の導電型の実質的に単
結晶で構成される層２０１を形成し、該単結晶層２０１
の上方に第２の導電型の実質的に単結晶で構成される層
２０２を形成する技術である。このような単結晶層２０
１及び２０２の層厚は適宜所望に従って決められるが、
特に層２０２の層厚としては、好ましくは３μｍ〜５０
μｍ、さらに好ましくは４μｍ〜３０μｍ、最適には５
μｍ〜２０μｍであるのが望ましい。
う一つは、前述の図１（ｃ）に示された光閉じ込め効果
を奏する構造に加工された基体を、堆積膜を形成するた
めの成膜空間内に配設し、前記基体上にケイ素とハロゲ
ンとを含む化合物を分解することにより生成される活性
種（Ａ）と該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする成膜
用の化学物質より生成される活性種（Ｂ）とを同時に、
または各々別々に導入し、該活性種の化学作用を利用し
て図２（ａ）に示すように、第１の導電型の実質的に単
結晶で構成される層２０１を形成し、該単結晶層２０１
の上方に第２の導電型の実質的に単結晶で構成される層
２０２を形成する技術である。このような単結晶層２０
１及び２０２の層厚は適宜所望に従って決められるが、
特に層２０２の層厚としては、好ましくは３μｍ〜５０
μｍ、さらに好ましくは４μｍ〜３０μｍ、最適には５
μｍ〜２０μｍであるのが望ましい。
【００２３】この方法では堆積膜を形成するための成膜
空間においてプラズマを生起させる代わりに、ケイ素と
ハロゲンとを含む化合物を成膜空間とは異なる活性空間
（Ａ）において活性化エネルギーを与えて分解すること
により生成される活性種（Ａ）と成膜用の化学物質より
生成される活性種（Ｂ）との共存下において、化学的相
互作用を生起させるため、形成される堆積膜はプラズマ
や生成されたイオン等によるスパッタリングや電子等の
悪影響を受けない。また、本発明によれば、成膜空間の
雰囲気温度、基体温度を所望に従って任意に制御するこ
とにより、より安定したＣＶＤ法とすることができる。
空間においてプラズマを生起させる代わりに、ケイ素と
ハロゲンとを含む化合物を成膜空間とは異なる活性空間
（Ａ）において活性化エネルギーを与えて分解すること
により生成される活性種（Ａ）と成膜用の化学物質より
生成される活性種（Ｂ）との共存下において、化学的相
互作用を生起させるため、形成される堆積膜はプラズマ
や生成されたイオン等によるスパッタリングや電子等の
悪影響を受けない。また、本発明によれば、成膜空間の
雰囲気温度、基体温度を所望に従って任意に制御するこ
とにより、より安定したＣＶＤ法とすることができる。
【００２４】この方法が通常のＣＶＤ法と違う点の一つ
は、予め成膜空間とは異なる空間（以下活性化空間とい
う）において活性化された活性種を使用することである
。これにより従来のＣＶＤ法により成膜速度を飛躍的に
延ばしたり、堆積膜形成の際の基体温度も一層の低温化
を図ることが可能となる。しかも、単結晶層を形成し易
い方法でもある。
は、予め成膜空間とは異なる空間（以下活性化空間とい
う）において活性化された活性種を使用することである
。これにより従来のＣＶＤ法により成膜速度を飛躍的に
延ばしたり、堆積膜形成の際の基体温度も一層の低温化
を図ることが可能となる。しかも、単結晶層を形成し易
い方法でもある。
【００２５】本発明では、成膜空間に導入される活性化
空間（Ａ）からの活性種（Ａ）は生産性および取り扱い
易さなどの点から、その寿命が０．１秒以上、より好ま
しくは１秒以上、最適には１０秒以上あるものが所望に
従って選択されて使用され、この活性種（Ａ）の構成要
素が成膜空間で形成される堆積膜を構成する成分を構成
するものとなる。また、成膜用の化学物質は、活性化空
間（Ｂ）において活性化エネルギーを作用させられるこ
とにより、活性化されて活性種（Ｂ）となる。活性種（
Ｂ）は成膜空間に導入され堆積膜を形成する際、同時に
活性化空間（Ａ）から導入され、形成される堆積膜の構
成成分となる構成要素を含む活性種（Ａ）と化学的に相
互作用する。活性化空間（Ａ）に導入されるケイ素とハ
ロゲンを含む化合物としては、例えば、鎖状または環状
シラン化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子
で置換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、Ｓ
ｉｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の正数、ＹはＦ，Ｃｌ，Ｂ
ｒおよびＩより選択される少なくとも一種の元素である
。）で示される環状ハロゲン化ケイ素、ＳｉｖＹ２ｖ（
ｖ は３以上の正数、Ｙは前述の意味を有する。）で示
される環状ハロゲン化ケイ素、ＳｉｕＨｘＹｙ（ｕおよ
びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕまたは２ｕ＋
２である。）で示される鎖状または環状化合物などが挙
げられる。
空間（Ａ）からの活性種（Ａ）は生産性および取り扱い
易さなどの点から、その寿命が０．１秒以上、より好ま
しくは１秒以上、最適には１０秒以上あるものが所望に
従って選択されて使用され、この活性種（Ａ）の構成要
素が成膜空間で形成される堆積膜を構成する成分を構成
するものとなる。また、成膜用の化学物質は、活性化空
間（Ｂ）において活性化エネルギーを作用させられるこ
とにより、活性化されて活性種（Ｂ）となる。活性種（
Ｂ）は成膜空間に導入され堆積膜を形成する際、同時に
活性化空間（Ａ）から導入され、形成される堆積膜の構
成成分となる構成要素を含む活性種（Ａ）と化学的に相
互作用する。活性化空間（Ａ）に導入されるケイ素とハ
ロゲンを含む化合物としては、例えば、鎖状または環状
シラン化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子
で置換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、Ｓ
ｉｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の正数、ＹはＦ，Ｃｌ，Ｂ
ｒおよびＩより選択される少なくとも一種の元素である
。）で示される環状ハロゲン化ケイ素、ＳｉｖＹ２ｖ（
ｖ は３以上の正数、Ｙは前述の意味を有する。）で示
される環状ハロゲン化ケイ素、ＳｉｕＨｘＹｙ（ｕおよ
びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕまたは２ｕ＋
２である。）で示される鎖状または環状化合物などが挙
げられる。
【００２６】具体的には、例えば、ＳｉＦ４，（ＳｉＦ
２）５，（ＳｉＦ２）６，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，Ｓ
ｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＣｌ４，（ＳｉＣｌ２）
５，ＳｉＢｒ４，（ＳｉＢｒ２）５，Ｓｉ２Ｃｌ６，Ｓ
ｉ２Ｂｒ６，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ３Ｃｌ，ＳｉＨ２Ｃ
ｌ２，ＳｉＨＢｒ３，ＳｉＨＩ３，Ｓｉ２Ｃｌ３Ｆ３な
どのガス状態の、または容易にガス化し得るものが挙げ
られる。
２）５，（ＳｉＦ２）６，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，Ｓ
ｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＣｌ４，（ＳｉＣｌ２）
５，ＳｉＢｒ４，（ＳｉＢｒ２）５，Ｓｉ２Ｃｌ６，Ｓ
ｉ２Ｂｒ６，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ３Ｃｌ，ＳｉＨ２Ｃ
ｌ２，ＳｉＨＢｒ３，ＳｉＨＩ３，Ｓｉ２Ｃｌ３Ｆ３な
どのガス状態の、または容易にガス化し得るものが挙げ
られる。
【００２７】活性種（Ａ）を生成させるためには、前記
ケイ素とハロゲンを含む化合物に加えて、必要に応じて
ケイ素単体や他のケイ素化合物、水素、ハロゲン化合物
（例えばＦ２ガス、Ｃｌ２ガス、ガス化したＢｒ２，Ｉ
２ 等）などを併用することができる。
ケイ素とハロゲンを含む化合物に加えて、必要に応じて
ケイ素単体や他のケイ素化合物、水素、ハロゲン化合物
（例えばＦ２ガス、Ｃｌ２ガス、ガス化したＢｒ２，Ｉ
２ 等）などを併用することができる。
【００２８】活性化空間（Ａ）で活性種（Ａ）を生成さ
せる方法としては、各々の条件、装置を考慮してマイク
ロ波、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒータ
加熱、赤外線加熱等による熱エネルギー、光エネルギー
などの活性化エネルギーが使用される。
せる方法としては、各々の条件、装置を考慮してマイク
ロ波、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒータ
加熱、赤外線加熱等による熱エネルギー、光エネルギー
などの活性化エネルギーが使用される。
【００２９】活性化空間（Ｂ）において、活性種（Ｂ）
を生成させる前記成膜用の化学物質としては、水素ガス
および／またはハロゲンガス（例えば、Ｆ２ガス、Ｃｌ
２ガス、ガス化したＢｒ２，Ｉ２等）が有利に用いられ
る。 また、これらの成膜用の化学物質に加えて、例えばヘリ
ウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスを用いることが
できる。これらの成膜用の化学物質の複数を用いる場合
には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内にガス状態で導
入することもできるし、あるいはこれらの成膜用の化学
物質をガス状態で各々独立した供給源から各個別に活性
化空間（Ｂ）に導入することもできる。また各々独立の
活性化空間に導入して、各々個別に活性化することもで
きる。
を生成させる前記成膜用の化学物質としては、水素ガス
および／またはハロゲンガス（例えば、Ｆ２ガス、Ｃｌ
２ガス、ガス化したＢｒ２，Ｉ２等）が有利に用いられ
る。 また、これらの成膜用の化学物質に加えて、例えばヘリ
ウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガスを用いることが
できる。これらの成膜用の化学物質の複数を用いる場合
には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内にガス状態で導
入することもできるし、あるいはこれらの成膜用の化学
物質をガス状態で各々独立した供給源から各個別に活性
化空間（Ｂ）に導入することもできる。また各々独立の
活性化空間に導入して、各々個別に活性化することもで
きる。
【００３０】本発明において、成膜空間に導入させる前
記活性種（Ａ）と前記活性種（Ｂ）との量の割合は、成
膜条件、活性種の種類などで適宜所望に従って決められ
るが、好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量比）が
適当であり、より好ましくは、８：２〜４：６とされる
のが望ましい。
記活性種（Ａ）と前記活性種（Ｂ）との量の割合は、成
膜条件、活性種の種類などで適宜所望に従って決められ
るが、好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量比）が
適当であり、より好ましくは、８：２〜４：６とされる
のが望ましい。
【００３１】またこの方法により形成される堆積膜は、
成膜中または成膜後にいわゆる半導体分野でいう不純物
元素でドーピングすることが可能である。使用する不純
物元素としては、ｐ型不純物として、周期表第３Ｂ族の
元素、例えば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等が好適な
ものとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期表第５
Ｂ族の元素、例えば、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ 等が好適
なものとして挙げられるが、特にＢ，Ｇａ，Ｐ，Ｓｂ等
が最適である。ドーピングされる不純物の量は、所望さ
れる電気的・光学的特性に応じて適宜決定される。
成膜中または成膜後にいわゆる半導体分野でいう不純物
元素でドーピングすることが可能である。使用する不純
物元素としては、ｐ型不純物として、周期表第３Ｂ族の
元素、例えば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等が好適な
ものとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期表第５
Ｂ族の元素、例えば、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ 等が好適
なものとして挙げられるが、特にＢ，Ｇａ，Ｐ，Ｓｂ等
が最適である。ドーピングされる不純物の量は、所望さ
れる電気的・光学的特性に応じて適宜決定される。
【００３２】かかる不純物元素を成分として含む物質（
不純物導入用物質）としては、常温常圧でガス状態であ
る、あるいは少なくとも活性化条件下で気体であり、適
宜の気化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが
好ましい。このような化合物としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ
４，ＰＦ３，ＰＦ５，ＡｓＨ３，ＡｓＦ３，ＡｓＦ５，
ＡｓＣｌ３，ＳｂＨ３，ＳｂＦ５，ＳｉＨ３，ＢＦ３，
ＢＣｌ３，ＢＢｒ３，Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９
，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，ＡｌＣｌ３等
を挙げることができる。不純物元素を含む化合物は、１
種用いても２種以上併用してもよい。
不純物導入用物質）としては、常温常圧でガス状態であ
る、あるいは少なくとも活性化条件下で気体であり、適
宜の気化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが
好ましい。このような化合物としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ
４，ＰＦ３，ＰＦ５，ＡｓＨ３，ＡｓＦ３，ＡｓＦ５，
ＡｓＣｌ３，ＳｂＨ３，ＳｂＦ５，ＳｉＨ３，ＢＦ３，
ＢＣｌ３，ＢＢｒ３，Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９
，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，ＡｌＣｌ３等
を挙げることができる。不純物元素を含む化合物は、１
種用いても２種以上併用してもよい。
【００３３】不純物元素を成分として含む化合物は、ガ
ス状態で直接成膜空間内に導入しても差し支えないし、
あるいは予め活性化空間（Ａ）ないしは活性化空間（Ｂ
）、または第３の活性化空間（Ｃ）で活性化させた後、
成膜空間に導入することもできる。
ス状態で直接成膜空間内に導入しても差し支えないし、
あるいは予め活性化空間（Ａ）ないしは活性化空間（Ｂ
）、または第３の活性化空間（Ｃ）で活性化させた後、
成膜空間に導入することもできる。
【００３４】尚、このＣＶＤ法において「活性種」とは
、形成される堆積膜の原料にはなり得るが、そのままの
エネルギー状態では堆積膜を形成することが全くまたは
殆どできない前駆体と化学的相互作用を起こして、例え
ば、前記前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学
的に反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが
できる状態にする役目を担うものである。従って、活性
種としては、形成される堆積膜を構成する要素になる構
成要素を含んでいても良く、あるいはそのような構成要
素を含んでいなくても良い。
、形成される堆積膜の原料にはなり得るが、そのままの
エネルギー状態では堆積膜を形成することが全くまたは
殆どできない前駆体と化学的相互作用を起こして、例え
ば、前記前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学
的に反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが
できる状態にする役目を担うものである。従って、活性
種としては、形成される堆積膜を構成する要素になる構
成要素を含んでいても良く、あるいはそのような構成要
素を含んでいなくても良い。
【００３５】次に図２（ｂ）に示すように、導電性接着
剤２０３を介して、前記第２の導電型の実質的に単結晶
層を固定する支持体２０４とを接着し固定する。導電性
接着剤２０３としては、例えばＡｇ系ペースト、Ａｇ／
Ｃｕ系ペースト、Ｎｉ系ペースト等が使用され、前記単
結晶層を固定する支持体２０４としては、導電性を有す
る支持体が使用され、例えば、ステンレス板、アルミ板
、鉄板等が使用される。
剤２０３を介して、前記第２の導電型の実質的に単結晶
層を固定する支持体２０４とを接着し固定する。導電性
接着剤２０３としては、例えばＡｇ系ペースト、Ａｇ／
Ｃｕ系ペースト、Ｎｉ系ペースト等が使用され、前記単
結晶層を固定する支持体２０４としては、導電性を有す
る支持体が使用され、例えば、ステンレス板、アルミ板
、鉄板等が使用される。
【００３６】本発明に用いられる好ましいもう一つの技
術は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、図２（ｂ）に
おける光閉じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝
基体１０３と、前記第１の導電型の実質的に単結晶で構
成される層２０１とを剥離することである。
術は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、図２（ｂ）に
おける光閉じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝
基体１０３と、前記第１の導電型の実質的に単結晶で構
成される層２０１とを剥離することである。
【００３７】ここで光閉じ込め効果を奏する構造に加工
されたＶ型溝基体１０３と前記第１の導電型の実質的に
単結晶で構成される層２０１とを剥離する方法について
簡単に説明する。
されたＶ型溝基体１０３と前記第１の導電型の実質的に
単結晶で構成される層２０１とを剥離する方法について
簡単に説明する。
【００３８】前記図２（ｂ）において、光閉じ込め効果
を奏する構造に加工されたＶ型溝１０３の表面上に、Ｃ
ＶＤ法等により不均一に堆積した薄膜の酸化シリコン膜
１０４を、該酸化シリコン膜を溶解し得る液、例えばフ
ッ化水素水溶液等に浸し、超音波振動等を加えることに
より、第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２
０１を、光閉じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型
溝の表面から剥離する。
を奏する構造に加工されたＶ型溝１０３の表面上に、Ｃ
ＶＤ法等により不均一に堆積した薄膜の酸化シリコン膜
１０４を、該酸化シリコン膜を溶解し得る液、例えばフ
ッ化水素水溶液等に浸し、超音波振動等を加えることに
より、第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２
０１を、光閉じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型
溝の表面から剥離する。
【００３９】次いで、図３（ｃ）に示すように、前記剥
離した第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２
０１の表面上に、透明電極３０１、例えばＳｎＯ２，Ｉ
ｎ２Ｏ３，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ
）等を蒸着し、次いで図４に示すように、前記透明電極
上に集電電極４０１を、例えば、Ａｇ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｐｄ，Ａｌ等を真空蒸着法にて、または、Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｎｉ等の粉末を含む導電ペーストを印刷した
後焼成する印刷法等により形成して太陽電池を作製する
。また、剥離した光閉じ込め効果を奏する構造に加工さ
れたＶ型溝１０３は再び酸化シリコン薄膜１０４を不均
一に堆積させる工程に戻り、基体として再利用される。
離した第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２
０１の表面上に、透明電極３０１、例えばＳｎＯ２，Ｉ
ｎ２Ｏ３，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ
）等を蒸着し、次いで図４に示すように、前記透明電極
上に集電電極４０１を、例えば、Ａｇ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｐｄ，Ａｌ等を真空蒸着法にて、または、Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｎｉ等の粉末を含む導電ペーストを印刷した
後焼成する印刷法等により形成して太陽電池を作製する
。また、剥離した光閉じ込め効果を奏する構造に加工さ
れたＶ型溝１０３は再び酸化シリコン薄膜１０４を不均
一に堆積させる工程に戻り、基体として再利用される。
【００４０】すなわち、本発明の一つの実施態様は、光
閉じ込め効果を奏する構造に加工された基体表面上に、
薄膜の絶縁層を形成する工程、前記基体を堆積膜を形成
するための成膜空間内に配設して、前記基体上にケイ素
とハロゲンとを含む化合物を分解することにより生成さ
れる活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用
をする、成膜用の化学物質により形成される活性種（Ｂ
）とを同時にまたは各々別々に導入し、該活性種の化学
作用を利用して第１の導電型の実質的に単結晶で構成さ
れる層を形成する工程、該第１の導電型の実質的に単結
晶で構成される層の上方に該層と同様にして第２の導電
型の実質的に単結晶で構成される層を形成する工程、前
記第１及び第２の実質的に単結晶で構成される層を前記
光閉じ込め効果を奏する構造に加工された基体表面から
剥離する工程、とを有する太陽電池の製造方法である。
閉じ込め効果を奏する構造に加工された基体表面上に、
薄膜の絶縁層を形成する工程、前記基体を堆積膜を形成
するための成膜空間内に配設して、前記基体上にケイ素
とハロゲンとを含む化合物を分解することにより生成さ
れる活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用
をする、成膜用の化学物質により形成される活性種（Ｂ
）とを同時にまたは各々別々に導入し、該活性種の化学
作用を利用して第１の導電型の実質的に単結晶で構成さ
れる層を形成する工程、該第１の導電型の実質的に単結
晶で構成される層の上方に該層と同様にして第２の導電
型の実質的に単結晶で構成される層を形成する工程、前
記第１及び第２の実質的に単結晶で構成される層を前記
光閉じ込め効果を奏する構造に加工された基体表面から
剥離する工程、とを有する太陽電池の製造方法である。
【００４１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって何等限定される
ものではない。
るが、本発明はこれらの実施例によって何等限定される
ものではない。
【００４２】実施例１
（光閉じ込め効果を奏し、かつ剥離が容易なＶ型溝の形
成工程）図１（ａ） に示すように、２５０μｍ厚の（
１００）シリコンウエハ１０１の表面に絶縁層１０２と
して熱酸化膜を２０００Å形成した。次にフォトリソグ
ラフィーを用いてエッチングを行ない、絶縁層１０２の
幅（ａ’）が１μｍ、絶縁層１０２の間隔（ｂ’）が２
００μｍであるような基体を作製し、ＫＯＨ水溶液やヒ
ドラジン溶液中にて約７０℃で約２４時間結晶面選択エ
ッチングを行なった後、流水洗浄を行なった。次いで、
５％濃度のフッ化水素水溶液に１時間浸し、エッチング
マスクである絶縁層１０２を除去し、流水洗浄した後乾
燥させて、図１（ｂ）に示すような光閉じ込め効果を奏
する構造に加工されたＶ型溝１０３を形成させた。
成工程）図１（ａ） に示すように、２５０μｍ厚の（
１００）シリコンウエハ１０１の表面に絶縁層１０２と
して熱酸化膜を２０００Å形成した。次にフォトリソグ
ラフィーを用いてエッチングを行ない、絶縁層１０２の
幅（ａ’）が１μｍ、絶縁層１０２の間隔（ｂ’）が２
００μｍであるような基体を作製し、ＫＯＨ水溶液やヒ
ドラジン溶液中にて約７０℃で約２４時間結晶面選択エ
ッチングを行なった後、流水洗浄を行なった。次いで、
５％濃度のフッ化水素水溶液に１時間浸し、エッチング
マスクである絶縁層１０２を除去し、流水洗浄した後乾
燥させて、図１（ｂ）に示すような光閉じ込め効果を奏
する構造に加工されたＶ型溝１０３を形成させた。
【００４３】次に、前記Ｖ型溝１０３を、容量結合形電
極を有する従来型のＲＦプラズマＣＶＤ装置内の反応室
内に設置し、ＳｉＨ４ガスとＯ２ガスをそれぞれ２０ｓ
ｃｃｍと４０ｓｃｃｍにて別系統から反応室内に導入し
ながら、基体温度２７０℃、高周波電力５０Ｗ、高周波
周波数１３．５６ＭＨｚ、圧力０．８Ｔｏｒｒで数分間
放電することにより、図１（ｃ）に示すような不均一で
単結晶が一部分露出した酸化シリコン薄膜１０４を層厚
８Åで形成させた。
極を有する従来型のＲＦプラズマＣＶＤ装置内の反応室
内に設置し、ＳｉＨ４ガスとＯ２ガスをそれぞれ２０ｓ
ｃｃｍと４０ｓｃｃｍにて別系統から反応室内に導入し
ながら、基体温度２７０℃、高周波電力５０Ｗ、高周波
周波数１３．５６ＭＨｚ、圧力０．８Ｔｏｒｒで数分間
放電することにより、図１（ｃ）に示すような不均一で
単結晶が一部分露出した酸化シリコン薄膜１０４を層厚
８Åで形成させた。
【００４４】（結晶層の形成）図５に示すような装置を
用いて、前記光閉じ込め効果を奏する構造に加工された
Ｖ型溝基体１０３の表面上に結晶層を形成させた。図５
において、５０１はケイ素とハロゲンを含む化合物を導
入するガス導入管、５０２はケイ素とハロゲンを含む化
合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と化
学反応する成膜用化学物質を導入するガス導入管、５０
３は基体、５０４は基体５０３を保持するホルダーであ
り基体温度を適宜設定できるようヒーターが内蔵されて
いる。ガス導入管５０１及び５０２より導入される各ガ
スは未反応、または反応生成物を含め真空ポンプ（図示
せず）で排気される。
用いて、前記光閉じ込め効果を奏する構造に加工された
Ｖ型溝基体１０３の表面上に結晶層を形成させた。図５
において、５０１はケイ素とハロゲンを含む化合物を導
入するガス導入管、５０２はケイ素とハロゲンを含む化
合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と化
学反応する成膜用化学物質を導入するガス導入管、５０
３は基体、５０４は基体５０３を保持するホルダーであ
り基体温度を適宜設定できるようヒーターが内蔵されて
いる。ガス導入管５０１及び５０２より導入される各ガ
スは未反応、または反応生成物を含め真空ポンプ（図示
せず）で排気される。
【００４５】ガス導入管５０１より導入されるケイ素と
ハロゲンを含む化合物は、高周波電力発生装置の制御に
より、一部または全てが分解され会合空間５０５へ導入
される。一方、ガス導入管５０２より導入される活性種
（Ｂ）となるガスを導入し、高周波電力発生装置により
導入されたガスをプラズマ分解させ、活性種（Ｂ）を多
量生成し、会合空間５０５へ導入させる。会合空間５０
５にてケイ素とハロゲンを含む化合物の分解生成物であ
る活性種（Ａ）およびこれと化学反応する活性種（Ｂ）
は、化学反応を経て基体５０３へと輸送され、基板表面
反応を経て、堆積膜を形成する。 今、表１に示す結
晶性シリコンの作製条件にしたがって、ＳｉＦ４ガス７
５ｓｃｃｍをガス導入管５０１より、また、Ｈ２及びＡ
ｒガスを各々９， ７５ｓｃｃｍずつガス導入管５０２
より導入し、成膜空間圧力を３８０ｍＴｏｒｒになるよ
う排気バルブ（図示せず）を調整する。高周波電力２．
４５ＧＨｚを４００Ｗに調整し、堆積を開始する。基体
５０３として、Ｓｉ（１００）ウエハー（抵抗率１ｋΩ
ｃｍ程度）を用いた。これは予め有機洗浄した後、一般
にＲＣＡ洗浄として知られる洗浄法（ＮＨ３：Ｈ２Ｏ２
：Ｈ２Ｏ＝１：１：４ ｍｏｌ比にて１０分間の煮沸の
後、さらにＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：４ ｍ
ｏｌ比にて１０分間煮沸）を実施した後にエッチング液
（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：９ ｍｏｌ比）で３０秒間ディッ
ピングを行なったものである。
ハロゲンを含む化合物は、高周波電力発生装置の制御に
より、一部または全てが分解され会合空間５０５へ導入
される。一方、ガス導入管５０２より導入される活性種
（Ｂ）となるガスを導入し、高周波電力発生装置により
導入されたガスをプラズマ分解させ、活性種（Ｂ）を多
量生成し、会合空間５０５へ導入させる。会合空間５０
５にてケイ素とハロゲンを含む化合物の分解生成物であ
る活性種（Ａ）およびこれと化学反応する活性種（Ｂ）
は、化学反応を経て基体５０３へと輸送され、基板表面
反応を経て、堆積膜を形成する。 今、表１に示す結
晶性シリコンの作製条件にしたがって、ＳｉＦ４ガス７
５ｓｃｃｍをガス導入管５０１より、また、Ｈ２及びＡ
ｒガスを各々９， ７５ｓｃｃｍずつガス導入管５０２
より導入し、成膜空間圧力を３８０ｍＴｏｒｒになるよ
う排気バルブ（図示せず）を調整する。高周波電力２．
４５ＧＨｚを４００Ｗに調整し、堆積を開始する。基体
５０３として、Ｓｉ（１００）ウエハー（抵抗率１ｋΩ
ｃｍ程度）を用いた。これは予め有機洗浄した後、一般
にＲＣＡ洗浄として知られる洗浄法（ＮＨ３：Ｈ２Ｏ２
：Ｈ２Ｏ＝１：１：４ ｍｏｌ比にて１０分間の煮沸の
後、さらにＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：４ ｍ
ｏｌ比にて１０分間煮沸）を実施した後にエッチング液
（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：９ ｍｏｌ比）で３０秒間ディッ
ピングを行なったものである。
【００４６】
【表１】
以上のような作製条件下で作製される結晶シリコンは、
堆積速度１８Å／ｓと高速であり、反射型高速電子線回
折像からは菊池帯の観察される優れた単結晶薄膜である
ことがわかる。
堆積速度１８Å／ｓと高速であり、反射型高速電子線回
折像からは菊池帯の観察される優れた単結晶薄膜である
ことがわかる。
【００４７】次に、基体５０３として、前記図１（ｃ）
に示すような光閉じ込め効果を奏する構造に加工された
Ｖ型溝基体を用い、先に説明した表１に示す結晶性シリ
コン作製条件の下で、図５に示す装置を用いて堆積を行
なった（図２（ａ））。但し、基体の有機洗浄及びＲＣ
Ａ洗浄、ＨＦディッピングは行なわず、また、光閉じ込
め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝表面に形成され
た第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２０１
は、不純物導入用物質としてＢ２Ｈ６／ＡｒガスをＳｉ
Ｆ４ガスに対して１ｐｐｍ、Ｈ２及びＡｒガスと共にガ
ス導入管５０２より導入し、また、第２の導電型の実質
的に単結晶で構成される層２０２は、不純物導入用物質
として、ＰＨ３／ＡｒガスをＳｉＦ４ガスに対して１ｐ
ｐｍ、Ｈ２及びＡｒと共にガス導入管５０２より導入し
てシリコン結晶層を堆積させた。
に示すような光閉じ込め効果を奏する構造に加工された
Ｖ型溝基体を用い、先に説明した表１に示す結晶性シリ
コン作製条件の下で、図５に示す装置を用いて堆積を行
なった（図２（ａ））。但し、基体の有機洗浄及びＲＣ
Ａ洗浄、ＨＦディッピングは行なわず、また、光閉じ込
め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝表面に形成され
た第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２０１
は、不純物導入用物質としてＢ２Ｈ６／ＡｒガスをＳｉ
Ｆ４ガスに対して１ｐｐｍ、Ｈ２及びＡｒガスと共にガ
ス導入管５０２より導入し、また、第２の導電型の実質
的に単結晶で構成される層２０２は、不純物導入用物質
として、ＰＨ３／ＡｒガスをＳｉＦ４ガスに対して１ｐ
ｐｍ、Ｈ２及びＡｒと共にガス導入管５０２より導入し
てシリコン結晶層を堆積させた。
【００４８】次に、シリコン結晶層を堆積させた基体５
０３を基体温度４１０℃から自然冷却により冷却した後
、基体５０３を堆積装置より取り出し、導電性接着剤２
０３としての銀ペーストを第２の導電型の実質的に単結
晶で構成させる層２０２の表面上に塗布し、次いで前記
単結晶層を固定する支持体２０４として、厚さ１．５ｍ
ｍのステンレス板を貼り着けた（図２（ｂ））。
０３を基体温度４１０℃から自然冷却により冷却した後
、基体５０３を堆積装置より取り出し、導電性接着剤２
０３としての銀ペーストを第２の導電型の実質的に単結
晶で構成させる層２０２の表面上に塗布し、次いで前記
単結晶層を固定する支持体２０４として、厚さ１．５ｍ
ｍのステンレス板を貼り着けた（図２（ｂ））。
【００４９】（結晶層の剥離）図２（ｂ）に示す単結晶
層を堆積させ、導電性接着剤を介してステンレス板を貼
着けた基体の光閉じ込め効果を奏する構造に加工された
Ｖ型溝基体１０３側より第１の導電型の実質的に単結晶
で構成される層２０１までを、５％フッ化水素水溶液に
浸し、超音波振動を加えることにより層２０１とＶ型溝
基体１０３とを剥離して（図３（ａ））、図３（ｂ）に
示すステンレス支持体側に残ったものに流水洗浄を十分
に行なった。
層を堆積させ、導電性接着剤を介してステンレス板を貼
着けた基体の光閉じ込め効果を奏する構造に加工された
Ｖ型溝基体１０３側より第１の導電型の実質的に単結晶
で構成される層２０１までを、５％フッ化水素水溶液に
浸し、超音波振動を加えることにより層２０１とＶ型溝
基体１０３とを剥離して（図３（ａ））、図３（ｂ）に
示すステンレス支持体側に残ったものに流水洗浄を十分
に行なった。
【００５０】次いで、十分に乾燥させた層２０１の表面
上にＲＨ法により透明電極３０１としてＳｎＯ２／ＩＴ
Ｏを８００Å蒸着した（図３（ｃ））。最後に前記透明
電極３０１上に集電電極４０１を、Ａｇの粉末を含む導
電ペーストを印刷した後焼成する印刷法により形成して
、図４に示すような薄膜単結晶シリコン太陽電池を得た
。
上にＲＨ法により透明電極３０１としてＳｎＯ２／ＩＴ
Ｏを８００Å蒸着した（図３（ｃ））。最後に前記透明
電極３０１上に集電電極４０１を、Ａｇの粉末を含む導
電ペーストを印刷した後焼成する印刷法により形成して
、図４に示すような薄膜単結晶シリコン太陽電池を得た
。
【００５１】このようにして得られた薄膜単結晶シリコ
ン太陽電池のＩ−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００
ｍＷ／ｃｍ２の光照射下で測定を行なった。その結果、
光起電力の変換効率は１７％であり、実用の単結晶シリ
コン太陽電池特性として優れたものであった。尚、測定
時の太陽電池の面積は４ｃｍ２で行なった。
ン太陽電池のＩ−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００
ｍＷ／ｃｍ２の光照射下で測定を行なった。その結果、
光起電力の変換効率は１７％であり、実用の単結晶シリ
コン太陽電池特性として優れたものであった。尚、測定
時の太陽電池の面積は４ｃｍ２で行なった。
【００５２】また、剥離した光閉じ込め効果を奏する構
造に加工されたＶ型溝基体１０３を再び用いて合計１０
回、単結晶シリコン太陽電池の作製を行ない、同様にＩ
−Ｖ特性を測定したところ、光起電力の変換効率のばら
つきは±５％以内であった。
造に加工されたＶ型溝基体１０３を再び用いて合計１０
回、単結晶シリコン太陽電池の作製を行ない、同様にＩ
−Ｖ特性を測定したところ、光起電力の変換効率のばら
つきは±５％以内であった。
【００５３】実施例２
実施例１において単結晶シリコン膜形成を図５の装置に
代えて図６の概略図に示す成膜装置にて行なった。
代えて図６の概略図に示す成膜装置にて行なった。
【００５４】同図において、６０１はガス導入リングで
、主としてシリコン原子とハロゲンを含む化合物を真空
チャンバー６０３へ導入する。６０２はガス導入管であ
り、主として活性種（ｂ）の原料となるガスを石英キャ
ビティ６０３内へ導入する。マイクロ波はマイクロ波発
振器（図示せず）より発生し、導波管６０５内を伝搬し
、しぼり６０６を適宜調整することによりしぼり６０６
とメッシュ６０４の間に定在波を発生させ石英キャビテ
ィ６０３内に存在するガスをプラズマ化することができ
る。６０７はヒーター内臓のホルダーであり、基体６０
８を所望の温度に加熱保持することが可能である。
本実施例では、実施例１と同様にして作製した光閉じ込
め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝基体を基体６０
８として配置した。
、主としてシリコン原子とハロゲンを含む化合物を真空
チャンバー６０３へ導入する。６０２はガス導入管であ
り、主として活性種（ｂ）の原料となるガスを石英キャ
ビティ６０３内へ導入する。マイクロ波はマイクロ波発
振器（図示せず）より発生し、導波管６０５内を伝搬し
、しぼり６０６を適宜調整することによりしぼり６０６
とメッシュ６０４の間に定在波を発生させ石英キャビテ
ィ６０３内に存在するガスをプラズマ化することができ
る。６０７はヒーター内臓のホルダーであり、基体６０
８を所望の温度に加熱保持することが可能である。
本実施例では、実施例１と同様にして作製した光閉じ込
め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝基体を基体６０
８として配置した。
【００５５】ガス導入管６０２より水素ガス２５ｓｃｃ
ｍ及びＨｅガス３５ｓｃｃｍを石英キャビティ６０３へ
導入した。また、ガス導入リング６０１よりＳｉ２Ｆ６
ガス１２ｓｃｃｍを図６に示すように基体６０８に向け
て導入した。マイクロ波発振器の電力を３００Ｗに調整
し、しぼり６０６を調整することで石英キャビティ６０
３内の水素ガス及びＨｅガスをプラズマ化することが可
能である。表２に結晶シリコン作製の条件を示す。
ｍ及びＨｅガス３５ｓｃｃｍを石英キャビティ６０３へ
導入した。また、ガス導入リング６０１よりＳｉ２Ｆ６
ガス１２ｓｃｃｍを図６に示すように基体６０８に向け
て導入した。マイクロ波発振器の電力を３００Ｗに調整
し、しぼり６０６を調整することで石英キャビティ６０
３内の水素ガス及びＨｅガスをプラズマ化することが可
能である。表２に結晶シリコン作製の条件を示す。
【００５６】
【表２】
このようにして生成される水素ラジカルはガス導入リン
グ６０１より噴出するＳｉ２Ｆ６ガスと化学反応し、基
体６０８上にシリコン結晶層を堆積する。
グ６０１より噴出するＳｉ２Ｆ６ガスと化学反応し、基
体６０８上にシリコン結晶層を堆積する。
【００５７】まず、第１の導電型の実質的に単結晶で構
成される層２０１を基体６０８上に堆積させるために、
Ｓｉ２Ｆ６ガスにＢＦ３ガスを１．５ｐｐｍ混入させて
行なった。これにより基体６０８上に０．５μｍのシリ
コン結晶層が堆積された。その後、マイクロ波発振器の
出力をゼロにし、堆積を停止し、また各ガスの供給を停
止した後、真空チャンバー６０９を十分排気し残留ガス
を完全に排出した後、Ｓｉ２Ｆ６ガスにＰＨ３ガス０．
７ｐｐｍを混入し、他は同一の作製条件で第２の導電型
の実質的に単結晶で構成される層２０２を層厚７．５μ
ｍ、続けて堆積させた。
成される層２０１を基体６０８上に堆積させるために、
Ｓｉ２Ｆ６ガスにＢＦ３ガスを１．５ｐｐｍ混入させて
行なった。これにより基体６０８上に０．５μｍのシリ
コン結晶層が堆積された。その後、マイクロ波発振器の
出力をゼロにし、堆積を停止し、また各ガスの供給を停
止した後、真空チャンバー６０９を十分排気し残留ガス
を完全に排出した後、Ｓｉ２Ｆ６ガスにＰＨ３ガス０．
７ｐｐｍを混入し、他は同一の作製条件で第２の導電型
の実質的に単結晶で構成される層２０２を層厚７．５μ
ｍ、続けて堆積させた。
【００５８】次に、シリコン結晶層を堆積させた基体６
０３を基体温度３６０℃から自然冷却により冷却した後
、基体６０３を堆積装置より取り出し、導電性接着剤２
０３としての銀ペーストを第２の導電型の実質的に単結
晶で構成させる層２０２の表面上に塗布し、次いで前記
単結晶層を固定する支持体２０４として、厚さ２．０ｍ
ｍのステンレス板を貼り着けた（図２（ｂ））。
０３を基体温度３６０℃から自然冷却により冷却した後
、基体６０３を堆積装置より取り出し、導電性接着剤２
０３としての銀ペーストを第２の導電型の実質的に単結
晶で構成させる層２０２の表面上に塗布し、次いで前記
単結晶層を固定する支持体２０４として、厚さ２．０ｍ
ｍのステンレス板を貼り着けた（図２（ｂ））。
【００５９】上記ステンレス板を貼り着けた基体の光閉
じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝基体１０３
側より第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２
０１までを、５％フッ化水素水溶液に浸し、超音波振動
を加えることにより層２０１とＶ型溝基体１０３とを剥
離して（図３（ａ））、ステンレス支持体上に残ったも
のを流水洗浄を十分に行なった。
じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ型溝基体１０３
側より第１の導電型の実質的に単結晶で構成される層２
０１までを、５％フッ化水素水溶液に浸し、超音波振動
を加えることにより層２０１とＶ型溝基体１０３とを剥
離して（図３（ａ））、ステンレス支持体上に残ったも
のを流水洗浄を十分に行なった。
【００６０】次いで、十分に乾燥させた層２０１の表面
上にＲＨ法により透明電極３０１としてＳｎＯ２／ＩＴ
Ｏを８００Å蒸着した（図３（ｃ））。最後に前記透明
電極３０１上に集電電極４０１を、Ａｇの粉末を含む導
電ペーストを印刷した後焼成する印刷法により形成して
、図４に示すような薄膜単結晶シリコン太陽電池を得た
。
上にＲＨ法により透明電極３０１としてＳｎＯ２／ＩＴ
Ｏを８００Å蒸着した（図３（ｃ））。最後に前記透明
電極３０１上に集電電極４０１を、Ａｇの粉末を含む導
電ペーストを印刷した後焼成する印刷法により形成して
、図４に示すような薄膜単結晶シリコン太陽電池を得た
。
【００６１】このようにして得られた薄膜単結晶シリコ
ン太陽電池のＩ−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００
ｍＷ／ｃｍ２の光照射下で測定を行なった。その結果、
光起電力の変換効率は１６．５％であり、実用の単結晶
シリコン太陽電池特性として優れたものであった。尚、
測定時の太陽電池の面積は１４４ｃｍ２で行なった。
ン太陽電池のＩ−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００
ｍＷ／ｃｍ２の光照射下で測定を行なった。その結果、
光起電力の変換効率は１６．５％であり、実用の単結晶
シリコン太陽電池特性として優れたものであった。尚、
測定時の太陽電池の面積は１４４ｃｍ２で行なった。
【００６２】また、剥離した光閉じ込め効果を奏する構
造に加工されたＶ型溝基体１０３を再び用いて合計７回
、単結晶シリコン太陽電池の作製を行ない、同様にＩ−
Ｖ特性を測定したところ、光起電力の変換効率のばらつ
きは±７％以内であった。
造に加工されたＶ型溝基体１０３を再び用いて合計７回
、単結晶シリコン太陽電池の作製を行ない、同様にＩ−
Ｖ特性を測定したところ、光起電力の変換効率のばらつ
きは±７％以内であった。
【００６３】実施例３
実施例１において、Ｖ型溝基体１０３の表面上に堆積さ
せる不均一な酸化シリコン薄膜１０４の膜厚を第３表に
示すように変化させて、以下の操作を実施例１と同様に
して薄膜単結晶シリコン太陽電池を作製した。
せる不均一な酸化シリコン薄膜１０４の膜厚を第３表に
示すように変化させて、以下の操作を実施例１と同様に
して薄膜単結晶シリコン太陽電池を作製した。
【００６４】得られた薄膜単結晶シリコン太陽電池のＩ
−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の
光照射下で測定を行なった。光起電力の変換効率の結果
を表３に併せて示す。
−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の
光照射下で測定を行なった。光起電力の変換効率の結果
を表３に併せて示す。
【００６５】表３の結果から、Ｖ型溝基体１０３上に形
成される不均一な酸化シリコン薄膜１０４の膜厚の最適
領域が４〜１０Åであることがわかった。
成される不均一な酸化シリコン薄膜１０４の膜厚の最適
領域が４〜１０Åであることがわかった。
【００６６】
【表３】
実施例４
実施例２においてシリコン結晶層の層厚に関して、特に
第２の導電型の実質的に単結晶で構成される層２０２の
層厚を表４に示すように変化させて薄膜単結晶シリコン
太陽電池を作製した。
第２の導電型の実質的に単結晶で構成される層２０２の
層厚を表４に示すように変化させて薄膜単結晶シリコン
太陽電池を作製した。
【００６７】得られた薄膜単結晶シリコン太陽電池のＩ
−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の
光照射下で測定を行なった。光起電力の変換効率の結果
を表４に併せて示す。
−Ｖ特性について、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の
光照射下で測定を行なった。光起電力の変換効率の結果
を表４に併せて示す。
【００６８】
【表４】
表４から、シリコン結晶層の層厚に最適な領域が存在す
ることがわかった。
ることがわかった。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば光閉じ込め効果を奏する構造に加工された凹凸
表面を有する変換効率の高い薄膜単結晶シリコン太陽電
池を製造することが可能であり、特に太陽電池の大面積
化が容易に行なえる。さらに基体が複数回使用可能であ
るために良質の薄膜太陽電池をより安価に量産すること
が可能になる。
によれば光閉じ込め効果を奏する構造に加工された凹凸
表面を有する変換効率の高い薄膜単結晶シリコン太陽電
池を製造することが可能であり、特に太陽電池の大面積
化が容易に行なえる。さらに基体が複数回使用可能であ
るために良質の薄膜太陽電池をより安価に量産すること
が可能になる。
【図１】本発明の太陽電池の製造方法における各過程の
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図２】本発明の太陽電池の製造方法における各過程の
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図３】本発明の太陽電池の製造方法における各過程の
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図４】本発明の方法により製造される太陽電池の概略
斜視図である。
斜視図である。
【図５】実施例１において使用した成膜装置の模式的概
略図である。
略図である。
【図６】実施例２において使用した成膜装置の模式的概
略図である。
略図である。
１０１ シリコンウエハー
１０２ 絶縁層
１０３ 光閉じ込め効果を奏する構造に加工されたＶ
型溝基体 １０４ 酸化シリコン薄膜 ２０１ 第１の導電型の実質的に単結晶で構成される
層２０２ 第２の導電型の実質的に単結晶で構成され
る層２０３ 導電性接着剤層 ２０４ 導電性支持体 ３０１ 透明電極 ４０１ 集電電極 ５０１，５０２ ガス導入管 ５０３ 基体 ５０４ ホルダー ５０５ 会合空間 ６０１ ガス導入リング ６０２ ガス導入管 ６０３ 石英キャビティ ６０４ メッシュ ６０５ マイクロ波 ６０６ しぼり ６０７ ホルダー ６０８ 基体 ６０９ 真空チャンバー
型溝基体 １０４ 酸化シリコン薄膜 ２０１ 第１の導電型の実質的に単結晶で構成される
層２０２ 第２の導電型の実質的に単結晶で構成され
る層２０３ 導電性接着剤層 ２０４ 導電性支持体 ３０１ 透明電極 ４０１ 集電電極 ５０１，５０２ ガス導入管 ５０３ 基体 ５０４ ホルダー ５０５ 会合空間 ６０１ ガス導入リング ６０２ ガス導入管 ６０３ 石英キャビティ ６０４ メッシュ ６０５ マイクロ波 ６０６ しぼり ６０７ ホルダー ６０８ 基体 ６０９ 真空チャンバー
Claims (10)
- 【請求項１】 第１の基板上に少なくとも一つの凹凸
部を有する単結晶半導体からなる層を形成し、該層を利
用して光起電力素子を形成し、その後別の第２の基板上
に光起電力素子を接合させることを特徴とする太陽電池
の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の基板が単結晶半導体からな
るものである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の基板が単結晶半導体からな
る表面を有するものである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の基板が凹凸面を有し、前記
単結晶半導体からなる層の前記凹凸部は該第１の基板の
該凹凸面に対応した形状である請求項１記載の製造方法
。 - 【請求項５】 前記第１の基板が実質的に平坦な面を
有し、前記単結晶半導体からなる層の前記凹凸部は複数
の結晶面である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記起電力素子がＰＮ接合またはＰＩ
Ｎ接合を有するものである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記起電力素子が、前記単結晶半導体
からなる層上に該層と異なる導電型の半導体層を結晶成
長させることにより形成される請求項１記載の製造方法
。 - 【請求項８】 前記起電力素子が、前記単結晶半導体
からなる層の一部にドーパントを拡散させることにより
形成される請求項１記載の製造方法。 - 【請求項９】 光閉じ込め効果を奏する構造に加工さ
れた基体表面上に、薄膜の絶縁層を形成する工程、前記
基体を堆積膜を形成するための成膜空間内に配設して、
前記基体上にケイ素とハロゲンとを含む化合物を分解す
ることにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ
）と化学的相互作用をする、成膜用の化学物質により形
成される活性種（Ｂ）とを同時にまたは各々別々に導入
し、該活性種の化学作用を利用して第１の導電型の実質
的に単結晶で構成される層を形成する工程、該第１の導
電型の実質的に単結晶で構成される層の上方に該層と同
様にして第２の導電型の実質的に単結晶で構成される層
を形成する工程、前記第１及び第２の実質的に単結晶で
構成される層を前記光閉じ込め効果を奏する構造に加工
された基体表面から剥離する工程、とを有する太陽電池
の製造方法。 - 【請求項１０】 同一の光閉じ込め効果を奏する構造
に加工された基体を複数回使用することを特徴とする請
求項９記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249728A JP2989055B2 (ja) | 1990-10-23 | 1991-09-27 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28347090 | 1990-10-23 | ||
| JP2-283470 | 1990-10-23 | ||
| JP3249728A JP2989055B2 (ja) | 1990-10-23 | 1991-09-27 | 太陽電池の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35327198A Division JP3274099B2 (ja) | 1990-10-23 | 1998-12-11 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355970A true JPH04355970A (ja) | 1992-12-09 |
| JP2989055B2 JP2989055B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=26539443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249728A Expired - Fee Related JP2989055B2 (ja) | 1990-10-23 | 1991-09-27 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989055B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534336B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method of photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device produced by the method |
| WO2009097627A2 (en) * | 2008-02-03 | 2009-08-06 | Nliten Energy Corporation | Thin-film photovoltaic devices and related manufacturing methods |
| WO2010094010A2 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Applied Materials, Inc. | Low-concentration flat profile photovoltaic modules |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103718284B (zh) * | 2011-07-26 | 2016-08-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249728A patent/JP2989055B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6534336B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Production method of photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device produced by the method |
| WO2009097627A2 (en) * | 2008-02-03 | 2009-08-06 | Nliten Energy Corporation | Thin-film photovoltaic devices and related manufacturing methods |
| WO2009097627A3 (en) * | 2008-02-03 | 2009-11-05 | Nliten Energy Corporation | Thin-film photovoltaic devices and related manufacturing methods |
| WO2010094010A2 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Applied Materials, Inc. | Low-concentration flat profile photovoltaic modules |
| WO2010094010A3 (en) * | 2009-02-13 | 2010-12-09 | Applied Materials, Inc. | Low-concentration flat profile photovoltaic modules |
| CN102318081A (zh) * | 2009-02-13 | 2012-01-11 | 应用材料公司 | 低汇聚性平坦分布光伏模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2989055B2 (ja) | 1999-12-13 |
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