JPS6396924A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は微細パターンを低損傷で半導体を加工する半導
体装置の製造方法に関する。

従来の技術 従来の元エツチングは光源として水銀灯の光を用いるも
のやレーザーを用いる方法があった（参考文献；キヨシ
　オザワ、ドライプロセスシンポジウＡ　（Ｋｉｙｏｓ
ｈｉ　Ｏｚａｗａ、ＤＲＹ　ＰＲＯＣＫＳＳＳＹＭＰＯ
８ＩＵＭ　）　３０　（１９８５）　）。

発明が解決しようとする問題点 従来の元エツチングでは光源から発せられた光がエツチ
ングガスに充分吸収されていなかった。

例えば水銀灯を用いる場合、光は水銀による励起光であ
りそのスペクトルは必ずしもエツチングガスの励起エネ
ルギーと一致しないため、ガスへの光吸収は効率が良く
ない。レーザーを用いる場合もこのことは同様である。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明では光源にプラズマ
発生源をおき、このプラズマより発せられる光によシエ
ッチングガスを励起し光励起エツチングを行なうもので
ある。このプラズマにエツチングガスと同種あるいは同
系統のガスを用いると、プラズマ光はエツチングガスに
効率的に吸収され励起される。この励起されたエツチン
グガスによシ半導体装置をエツチングする。

作用 光源にプラズマ光を用いることによりエツチングガスに
元エネルギーが有効に吸収される。またその際にプラズ
マ光に含まれる紫外光による照射損傷は窓材を適当に選
ぶことにより防げる。

実施例 図に本発明の一実施例方法に用いるエツチング装置の例
を示す。この実施例ではプラズマをマイクロ波励起によ
って発生させ、その発光によりエツチングガスを励起す
るものである。マグネトロン１で発生したマイクロ波は
導波管２を通って反応室６に導かれる。プラズマ発光用
ガス（例えばＣｌ２）はガス導入口３から反応室５に導
かれる。

反応室ではマイクロ波によりプラズマがおこる。

反応室５は真空ポンプ７により低圧力が保たれている。

ガス導入口８よシ入ったガス（例えばＣｌ２）はエツチ
ングチャンバ１ｏに入る。チャンバ内にはステージ１３
の上にエツチングすべきＳｉ　　ウェハ１２が置かれチ
ャンバ内圧力は真空ポンプ１１により保たれている。反
応室６でおこったプラズマ光は、石英窓９全通してエツ
チングチャンバ１０に入射する。マイクロ波がエツチン
グチャンバに漏れることを防ぐため金属網４がおかれて
いる。エツチングチャンバに導入されたエツチングガス
はプラズマ光により励起されＳｉウェハ１２をエツチン
グする。

発明の効果 以上のように本発明によれば、無損傷のエツチングが高
効率で行えるため、高集積回路のパターン形成を必要と
するエツチング工程に寄与する。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例方法に用いるエツチング装置の一
例を示す概略構成図である。 １・・・・・・マグネトロン、２・・・・・・導波管、
３・・・・・・ガス導入口、４・・・・・・金属網、５
・・・・・・（プラズマ）反応室、６・・・・・・マイ
クロ波出口、７・・・・・・真空ポンプ、８・・・・・
・ガス導入口、９・・・・・・石英窓、１ｏ・・・・・
・エツチングチャンバ、１１・・・・・・真空ポンプ、
１２・・・・・・Ｓｉ　ｒ）エバ、１３・・・・・・ス
テージ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. エッチング用ガスと同種のガスを少なくとも１つ含むガ
   スのプラズマからの発光によりエッチング装置内の前記
   エッチング用ガスを励起し、前記エッチング装置内の試
   料を励起された前記エッチング用ガスにてエッチングす
   るようにした半導体装置の製造方法。