JPH06349776A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06349776A JPH06349776A JP14104693A JP14104693A JPH06349776A JP H06349776 A JPH06349776 A JP H06349776A JP 14104693 A JP14104693 A JP 14104693A JP 14104693 A JP14104693 A JP 14104693A JP H06349776 A JPH06349776 A JP H06349776A
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- JP
- Japan
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- microwave
- plasma
- manufacturing apparatus
- ignitability
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ着火性の向上及び処理レートの向上
が可能な半導体製造装置を提供する。 【構成】 マイクロ波を処理室１へ導入してプラズマ８
を生じさせ、このプラズマ８を用いて半導体ウェハ５に
対する処理を行うプラズマ応用装置であって、処理室１
のマイクロ波導入部に水銀蒸気４を封入した石英製の封
入部３を配設し、処理室１内へマイクロ波７と同時に紫
外線６を供給し、プラズマの着火性を向上させる。
が可能な半導体製造装置を提供する。 【構成】 マイクロ波を処理室１へ導入してプラズマ８
を生じさせ、このプラズマ８を用いて半導体ウェハ５に
対する処理を行うプラズマ応用装置であって、処理室１
のマイクロ波導入部に水銀蒸気４を封入した石英製の封
入部３を配設し、処理室１内へマイクロ波７と同時に紫
外線６を供給し、プラズマの着火性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを用いた半導
体製造装置の構成技術、特に、アッシングやエッチング
を行う際の着火性を向上させるために用いて効果のある
技術に関するものである。
体製造装置の構成技術、特に、アッシングやエッチング
を行う際の着火性を向上させるために用いて効果のある
技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、エッチング装置では、マイクロ
波が照射されている空間に反応ガスを導入し、例えば2.
５ギガヘルツ程度のマイクロ波によって反応ガスのプラ
ズマを発生させ、この中のラジカルな反応種を半導体ウ
ェハがセットされている反応室に導入し、半導体ウェハ
に対するエッチングを行っている。なお、マイクロ波に
代えて高周波電源を用いるものもある。また、マイクロ
波と高周波を同時に用いる場合もある。
波が照射されている空間に反応ガスを導入し、例えば2.
５ギガヘルツ程度のマイクロ波によって反応ガスのプラ
ズマを発生させ、この中のラジカルな反応種を半導体ウ
ェハがセットされている反応室に導入し、半導体ウェハ
に対するエッチングを行っている。なお、マイクロ波に
代えて高周波電源を用いるものもある。また、マイクロ
波と高周波を同時に用いる場合もある。
【０００３】通常、マイクロ波を共振させる手段として
は、導体に穴を開けたスリット板を用い、マイクロ波の
共振と同時に処理室へのマイクロ波の導入を行ってい
る。
は、導体に穴を開けたスリット板を用い、マイクロ波の
共振と同時に処理室へのマイクロ波の導入を行ってい
る。
【０００４】なお、反応ガスをＣＦ4 ＋Ｏ2 などに代え
ることでレジストアッシングを行うことができる。例え
ば、酸素ガスをもとに放電によってオゾン（Ｏ3 ) を発
生させ、これを反応室に導入し、半導体ウェハ上のレジ
ストをオゾンで灰化する構成になっている。
ることでレジストアッシングを行うことができる。例え
ば、酸素ガスをもとに放電によってオゾン（Ｏ3 ) を発
生させ、これを反応室に導入し、半導体ウェハ上のレジ
ストをオゾンで灰化する構成になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、マイクロ波によるプラズマ着火性が良好でないとい
う問題があるほか、マイクロ波だけでは処理ガスの原
子、分子の励起が不十分であるために処理レートを向上
できないという問題もある。
ば、マイクロ波によるプラズマ着火性が良好でないとい
う問題があるほか、マイクロ波だけでは処理ガスの原
子、分子の励起が不十分であるために処理レートを向上
できないという問題もある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、プラズマ着火性
の向上及び処理レートの向上が可能な技術を提供するこ
とにある。
の向上及び処理レートの向上が可能な技術を提供するこ
とにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００９】すなわち、マイクロ波を処理室へ導入して
プラズマを生じさせ、このプラズマを用いて半導体ウェ
ハに対する処理を行う半導体製造装置であって、前記処
理室内へマイクロ波と同時に紫外線を導入する紫外線発
生手段を設けるようにしている。
プラズマを生じさせ、このプラズマを用いて半導体ウェ
ハに対する処理を行う半導体製造装置であって、前記処
理室内へマイクロ波と同時に紫外線を導入する紫外線発
生手段を設けるようにしている。
【００１０】
【作用】上記した手段によれば、処理室に対してマイク
ロ波と共に紫外線を同時に供給することにより、紫外線
はプラズマ中の原子や分子を励起させ、そのエネルギー
を高めるように作用し、マイクロ波はプラズマを維持さ
せるように機能する。したがって、プラズマ着火性を向
上できるとともに、処理レートを向上させることが可能
になる。
ロ波と共に紫外線を同時に供給することにより、紫外線
はプラズマ中の原子や分子を励起させ、そのエネルギー
を高めるように作用し、マイクロ波はプラズマを維持さ
せるように機能する。したがって、プラズマ着火性を向
上できるとともに、処理レートを向上させることが可能
になる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明による半導体製造装置の一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【００１２】処理室１は、円錐形もしくは角錐形を成
し、この上部にはＵ字形の断面形状を有するマイクロ波
電源２が設置されている。処理室１の天井部には“ロ”
の字形断面形状を有し、内部に水銀蒸気４が封入された
石英ガラス製の封入部３が設置されている。半導体ウェ
ハ５は処理室１の底部に設置される。なお、マイクロ波
電源２の中空部分は導波管２ａを形成しており、内部を
マイクロ波が伝搬し、封入部３へ導入される。
し、この上部にはＵ字形の断面形状を有するマイクロ波
電源２が設置されている。処理室１の天井部には“ロ”
の字形断面形状を有し、内部に水銀蒸気４が封入された
石英ガラス製の封入部３が設置されている。半導体ウェ
ハ５は処理室１の底部に設置される。なお、マイクロ波
電源２の中空部分は導波管２ａを形成しており、内部を
マイクロ波が伝搬し、封入部３へ導入される。
【００１３】以上の構成において、アッシングを行う場
合、封入部３に水銀蒸気４を導入し、マイクロ波電源２
を駆動してマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を水
銀蒸気４に照射する。マイクロ波は水銀蒸気４の一部に
吸収され、これにより紫外線６が生じる。この紫外線６
によって処理室１内に導入された処理ガスが励起され、
処理室１内に導入されたマイクロ波７によって生じたプ
ラズマ８の着火性を向上させるように機能する。
合、封入部３に水銀蒸気４を導入し、マイクロ波電源２
を駆動してマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を水
銀蒸気４に照射する。マイクロ波は水銀蒸気４の一部に
吸収され、これにより紫外線６が生じる。この紫外線６
によって処理室１内に導入された処理ガスが励起され、
処理室１内に導入されたマイクロ波７によって生じたプ
ラズマ８の着火性を向上させるように機能する。
【００１４】すなわち、紫外線６により励起状態になっ
た原子、分子に対してエネルギーを与え、さらにマイク
ロ波７によりプラズマを着火すると、基底状態の原子、
分子によるプラズマ着火よりも着火性が向上させること
ができる。
た原子、分子に対してエネルギーを与え、さらにマイク
ロ波７によりプラズマを着火すると、基底状態の原子、
分子によるプラズマ着火よりも着火性が向上させること
ができる。
【００１５】プラズマ８は紫外線６及びマイクロ波７の
エネルギーにより維持され、このプラズマ８により半導
体ウェハ５が処理される。紫外線６とマイクロ波７を同
時に処理室１へ導いて半導体ウェハ５を処理すること
で、マイクロ波アッシャーとオゾンアッシャーの中間的
プロセス特性を得ることができる。しかも、紫外線６を
発生するに際し、そのエネルギー源にマイクロ波電源２
を用いたことで、装置の簡略化も可能になる。
エネルギーにより維持され、このプラズマ８により半導
体ウェハ５が処理される。紫外線６とマイクロ波７を同
時に処理室１へ導いて半導体ウェハ５を処理すること
で、マイクロ波アッシャーとオゾンアッシャーの中間的
プロセス特性を得ることができる。しかも、紫外線６を
発生するに際し、そのエネルギー源にマイクロ波電源２
を用いたことで、装置の簡略化も可能になる。
【００１６】なお、水銀蒸気４を用いたために、封入部
３内がエッチングされる恐れがある場合には、封入部３
の内面をＡｕ蒸着により金属膜をコーティングすればよ
い。そして、このコーティングはマイクロ波の共振面と
しても機能し、マイクロ波の導入と共振を同時に行わ
せ、マイクロ波を強めると同時に均一なマイクロ波７を
処理室１へ導入することができる。
３内がエッチングされる恐れがある場合には、封入部３
の内面をＡｕ蒸着により金属膜をコーティングすればよ
い。そして、このコーティングはマイクロ波の共振面と
しても機能し、マイクロ波の導入と共振を同時に行わ
せ、マイクロ波を強めると同時に均一なマイクロ波７を
処理室１へ導入することができる。
【００１７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００１８】また、以上の説明では、主として本発明者
によってなされた発明をその利用分野であるアッシャー
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、例えば、エッチャーに対しても適用でき
る。
によってなされた発明をその利用分野であるアッシャー
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、例えば、エッチャーに対しても適用でき
る。
【００１９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００２０】すなわち、マイクロ波を処理室へ導入して
プラズマを生じさ、このプラズマを用いて半導体ウェハ
に対する処理を行う半導体製造装置であって、前記処理
室内へマイクロ波と同時に紫外線を導入する紫外線発生
手段を設けるようにしたので、プラズマ着火性を向上で
きるとともに、処理レートを向上させることが可能にな
る。
プラズマを生じさ、このプラズマを用いて半導体ウェハ
に対する処理を行う半導体製造装置であって、前記処理
室内へマイクロ波と同時に紫外線を導入する紫外線発生
手段を設けるようにしたので、プラズマ着火性を向上で
きるとともに、処理レートを向上させることが可能にな
る。
【図１】本発明による半導体製造装置の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
１ 処理室 ２ マイクロ波電源 ２ａ 導波管 ３ 封入部 ４ 水銀蒸気 ５ 半導体ウェハ ６ 紫外線 ７ マイクロ波 ８ プラズマ
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロ波を処理室へ導入してプラズマ
を生じさせ、このプラズマを用いて半導体ウェハに対す
る処理を行う半導体製造装置であって、前記処理室内へ
マイクロ波と同時に紫外線を供給する紫外線発生手段を
設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記紫外線発生手段は、前記処理室のマ
イクロ波導入部に水銀蒸気を封入した石英製の封入部を
配設したものであることを特徴とする請求項１記載の半
導体製造装置。 - 【請求項３】 前記封入部の内面に金属膜を形成するこ
とを特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14104693A JPH06349776A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14104693A JPH06349776A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349776A true JPH06349776A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15282996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14104693A Pending JPH06349776A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349776A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004606A3 (en) * | 1997-07-14 | 1999-04-22 | Lam Res Corp | Compact microwave downstream plasma system |
| US7135409B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-11-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Plasma etching method for semiconductor device |
| KR20200011342A (ko) | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP14104693A patent/JPH06349776A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004606A3 (en) * | 1997-07-14 | 1999-04-22 | Lam Res Corp | Compact microwave downstream plasma system |
| US7135409B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-11-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Plasma etching method for semiconductor device |
| KR20200011342A (ko) | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
| US10872774B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-12-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
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