JPH0562649A - マイクロ波励起型紫外ランプ装置 - Google Patents
マイクロ波励起型紫外ランプ装置Info
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- JPH0562649A JPH0562649A JP26038191A JP26038191A JPH0562649A JP H0562649 A JPH0562649 A JP H0562649A JP 26038191 A JP26038191 A JP 26038191A JP 26038191 A JP26038191 A JP 26038191A JP H0562649 A JPH0562649 A JP H0562649A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空紫外光であっても、高効率で発生させる
ことができ、かつ、容易に外部へ導出して所望部に供給
することのできるマイクロ波励起型紫外ランプ装置を提
供する。 【構成】 マイクロ波共振器１は、中空円筒状に形成さ
れた金属製の外筒２と、この外筒２と同軸的に設けられ
た金属製の内筒３とから構成されている。外筒２の底部
には、誘電体４によって気密に隔離された放電部５が設
けられており、この放電部５内には、所定のランプガ
ス、例えば、希ガス、ハロゲンガス、希ガスとハロゲン
ガスの混合ガス等が充填される。また、この放電部５と
隣接する外筒２の底板６には、真空紫外光に対して透過
性の高い材料からなる平板７が設けられた窓８が配設さ
れており、この窓８には金属メッシュ９が設けられてい
る。
ことができ、かつ、容易に外部へ導出して所望部に供給
することのできるマイクロ波励起型紫外ランプ装置を提
供する。 【構成】 マイクロ波共振器１は、中空円筒状に形成さ
れた金属製の外筒２と、この外筒２と同軸的に設けられ
た金属製の内筒３とから構成されている。外筒２の底部
には、誘電体４によって気密に隔離された放電部５が設
けられており、この放電部５内には、所定のランプガ
ス、例えば、希ガス、ハロゲンガス、希ガスとハロゲン
ガスの混合ガス等が充填される。また、この放電部５と
隣接する外筒２の底板６には、真空紫外光に対して透過
性の高い材料からなる平板７が設けられた窓８が配設さ
れており、この窓８には金属メッシュ９が設けられてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外光化学プロセスの
光源等として利用されるマイクロ波励起型紫外ランプ装
置に関する。
光源等として利用されるマイクロ波励起型紫外ランプ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、紫外光化学プロセス等に用いられ
る紫外光源としては、エキシマレーザー、重水素ラン
プ、キセノンフラッシュランプ等が知られている。ま
た、近年では、エキシマレーザーとは異なり、エキシマ
分子からの自然放出光を取り出すエキシマランプも開発
されている。
る紫外光源としては、エキシマレーザー、重水素ラン
プ、キセノンフラッシュランプ等が知られている。ま
た、近年では、エキシマレーザーとは異なり、エキシマ
分子からの自然放出光を取り出すエキシマランプも開発
されている。
【０００３】ところで、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｃ2 Ｈ
2 をはじめとして、半導体プロセスに用いられる多くの
ガス材料には、波長180 nm以下の真空紫外領域に強い光
吸収特性があることが知られているが、このような真空
紫外領域の光源としては、従来、エキシマレーザーおよ
び重水素ランプが知られている。例えば放電励起Ｆ2 レ
ーザーは、波長157 nmで発振する広義のエキシマレーザ
ーであり、発振スペクトル幅約1 nmと狭く、波長選択性
に優れている。
2 をはじめとして、半導体プロセスに用いられる多くの
ガス材料には、波長180 nm以下の真空紫外領域に強い光
吸収特性があることが知られているが、このような真空
紫外領域の光源としては、従来、エキシマレーザーおよ
び重水素ランプが知られている。例えば放電励起Ｆ2 レ
ーザーは、波長157 nmで発振する広義のエキシマレーザ
ーであり、発振スペクトル幅約1 nmと狭く、波長選択性
に優れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た紫外光源のうち放電励起Ｆ2 レーザーでは、最適動作
には6atm以上の高圧力、10 MW/cm3 以上の高密度励起が
必要であり、効率も0.1%以下と低いという問題がある。
また、重水素ランプは、発光スペクトルが連続的で、効
率も0.01% 以下と極めて低いという問題がある。
た紫外光源のうち放電励起Ｆ2 レーザーでは、最適動作
には6atm以上の高圧力、10 MW/cm3 以上の高密度励起が
必要であり、効率も0.1%以下と低いという問題がある。
また、重水素ランプは、発光スペクトルが連続的で、効
率も0.01% 以下と極めて低いという問題がある。
【０００５】また、本発明者等は、前述したエキシマラ
ンプとして、円筒状または方形状のマイクロ波共振器内
に、ランプガスを封入した放電部を設けたマイクロ波励
起型紫外ランプ装置を開発しているが、このようなマイ
クロ波励起型紫外ランプ装置では、マイクロ波電界が、
マイクロ波共振器内の中央部に発生するので、放電部を
マイクロ波共振器内の中央部に設けなければならない。
このため、真空紫外光の光源として用いる場合には、真
空紫外光を外部に導出するために、マイクロ波共振器内
を真空にしたり、真空紫外光導出用の真空の伝搬路を設
けなければならないという問題があった。
ンプとして、円筒状または方形状のマイクロ波共振器内
に、ランプガスを封入した放電部を設けたマイクロ波励
起型紫外ランプ装置を開発しているが、このようなマイ
クロ波励起型紫外ランプ装置では、マイクロ波電界が、
マイクロ波共振器内の中央部に発生するので、放電部を
マイクロ波共振器内の中央部に設けなければならない。
このため、真空紫外光の光源として用いる場合には、真
空紫外光を外部に導出するために、マイクロ波共振器内
を真空にしたり、真空紫外光導出用の真空の伝搬路を設
けなければならないという問題があった。
【０００６】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、真空紫外光であっても、高効率で発生さ
せることができ、かつ、容易に外部へ導出して所望部に
供給することのできるマイクロ波励起型紫外ランプ装置
を提供しようとするものである。
されたもので、真空紫外光であっても、高効率で発生さ
せることができ、かつ、容易に外部へ導出して所望部に
供給することのできるマイクロ波励起型紫外ランプ装置
を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明のマイ
クロ波励起型紫外ランプ装置は、中空構造の外筒と、こ
の外筒内に突出する如く同軸的に設けられた内筒とを有
するマイクロ波共振器と、前記マイクロ波共振器内の前
記外筒底部または前記内筒底部に隣接して設けられ、内
部に所定のランプガスが充填された放電部と、前記放電
部に隣接する前記外筒底部または前記内筒底部に設けら
れ、前記放電部内で発生した光を導出するための窓とを
具備したことを特徴とする。
クロ波励起型紫外ランプ装置は、中空構造の外筒と、こ
の外筒内に突出する如く同軸的に設けられた内筒とを有
するマイクロ波共振器と、前記マイクロ波共振器内の前
記外筒底部または前記内筒底部に隣接して設けられ、内
部に所定のランプガスが充填された放電部と、前記放電
部に隣接する前記外筒底部または前記内筒底部に設けら
れ、前記放電部内で発生した光を導出するための窓とを
具備したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構成のマイクロ波励起型紫外ランプ装置で
は、中空構造の外筒と、この外筒内に突出する如く同軸
的に設けられた内筒とを有するマイクロ波共振器、いわ
ゆるリエントラント型のマイクロ波共振器を用いてい
る。このため、マイクロ波共振器内の中央部ではなく、
対向する内筒底部と外筒底部との間に強力なマイクロ波
電界を形成することができる。
は、中空構造の外筒と、この外筒内に突出する如く同軸
的に設けられた内筒とを有するマイクロ波共振器、いわ
ゆるリエントラント型のマイクロ波共振器を用いてい
る。このため、マイクロ波共振器内の中央部ではなく、
対向する内筒底部と外筒底部との間に強力なマイクロ波
電界を形成することができる。
【０００９】したがって、この外筒底部または内筒底部
に隣接して、ランプガスが充填された放電部を設け、放
電部に隣接する外筒底部または内筒底部に光を導出する
ための窓を設けることにより、真空紫外光であっても、
高効率で発生させることができ、かつ、例えばマイクロ
波共振器内を真空にしたり、真空紫外光導出用の真空の
伝搬路を設けることなく、容易に外部へ導出して所望部
に供給することができる。
に隣接して、ランプガスが充填された放電部を設け、放
電部に隣接する外筒底部または内筒底部に光を導出する
ための窓を設けることにより、真空紫外光であっても、
高効率で発生させることができ、かつ、例えばマイクロ
波共振器内を真空にしたり、真空紫外光導出用の真空の
伝搬路を設けることなく、容易に外部へ導出して所望部
に供給することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明のマイクロ波励起型紫外ランプ
装置の一実施例を図面を参照して説明する。
装置の一実施例を図面を参照して説明する。
【００１１】図１および図２は、本発明の一実施例のマ
イクロ波励起型紫外ランプ装置の構成を示すもので、図
において１はマイクロ波共振器を示している。このマイ
クロ波共振器１は、いわゆるリエントラント型とされて
おり、中空円筒状に形成された金属製の外筒２と、この
外筒２と同軸的に設けられた金属製の内筒３とから構成
されている。また、内筒３は、図中矢印で示すように、
外筒２の中心軸に沿って移動させることができるよう構
成されており、インピーダンス・マッチングをとること
ができるようになっている。
イクロ波励起型紫外ランプ装置の構成を示すもので、図
において１はマイクロ波共振器を示している。このマイ
クロ波共振器１は、いわゆるリエントラント型とされて
おり、中空円筒状に形成された金属製の外筒２と、この
外筒２と同軸的に設けられた金属製の内筒３とから構成
されている。また、内筒３は、図中矢印で示すように、
外筒２の中心軸に沿って移動させることができるよう構
成されており、インピーダンス・マッチングをとること
ができるようになっている。
【００１２】また、外筒２の底部には、例えば、アルミ
ナ系セラミックス、石英等からなる円板状の誘電体４に
よって気密に隔離された放電部５が設けられており、こ
の放電部５内には、所定のランプガス、例えば、希ガ
ス、ハロゲンガス、希ガスとハロゲンガスの混合ガス、
水素ガス、重水素ガス等が充填される。また、この放電
部５と隣接する外筒２の底板６には、真空紫外光に対し
て透過性の高い材質、例えばＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｌｉ
Ｆ、サファイヤ等からなる平板７が設けられた窓８が配
設されており、この窓８には金属メッシュ９が設けられ
ている。
ナ系セラミックス、石英等からなる円板状の誘電体４に
よって気密に隔離された放電部５が設けられており、こ
の放電部５内には、所定のランプガス、例えば、希ガ
ス、ハロゲンガス、希ガスとハロゲンガスの混合ガス、
水素ガス、重水素ガス等が充填される。また、この放電
部５と隣接する外筒２の底板６には、真空紫外光に対し
て透過性の高い材質、例えばＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｌｉ
Ｆ、サファイヤ等からなる平板７が設けられた窓８が配
設されており、この窓８には金属メッシュ９が設けられ
ている。
【００１３】この金属メッシュ９は、マイクロ波の漏れ
を防止するためのものであり、導電性の高い金属、例え
ば銅、アルミニウム等のメッシュを用いることが好まし
い。また、図１に示す例では、金属メッシュ９が放電部
５内に設けられているが、平板７の外側（放電部５の外
側）に設けてもよい。なお、図１に示すように放電部５
内に金属メッシュ９を配設する場合は、耐腐食性の高い
材質のメッシュを選択する必要がある。また、金属メッ
シュ９は、光導出のための効率と、マイクロ波の漏れと
の関係から適宜メッシュの粗さを選択する必要がある
が、本実施例では、20メッシュのものを使用した。
を防止するためのものであり、導電性の高い金属、例え
ば銅、アルミニウム等のメッシュを用いることが好まし
い。また、図１に示す例では、金属メッシュ９が放電部
５内に設けられているが、平板７の外側（放電部５の外
側）に設けてもよい。なお、図１に示すように放電部５
内に金属メッシュ９を配設する場合は、耐腐食性の高い
材質のメッシュを選択する必要がある。また、金属メッ
シュ９は、光導出のための効率と、マイクロ波の漏れと
の関係から適宜メッシュの粗さを選択する必要がある
が、本実施例では、20メッシュのものを使用した。
【００１４】上記マイクロ波共振器１には、マイクロ波
ガイド１０が設けられており、図示しないマイクロ波発
振器、アイソレータ、方向性結合器、スタブチューナ等
からなるマイクロ波発生装置からのマイクロ波を、この
マイクロ波ガイド１０によってマイクロ波共振器１内に
導くよう構成されている。
ガイド１０が設けられており、図示しないマイクロ波発
振器、アイソレータ、方向性結合器、スタブチューナ等
からなるマイクロ波発生装置からのマイクロ波を、この
マイクロ波ガイド１０によってマイクロ波共振器１内に
導くよう構成されている。
【００１５】上記構成のマイクロ波励起型紫外ランプ装
置では、マイクロ波ガイド１０によってマイクロ波共振
器１内に導入されたマイクロ波が、内筒３の側面と外筒
２の側面の間でつくるインダクタンス成分と、内筒３の
底面と外筒２の底面との間でつくるキャパシタンス成分
との間で共振し、内筒３の底面と外筒２の底面との間に
強力なマイクロ波電界が発生する。これにより、放電部
５内でランプ放電が生じ、このランプ放電によって発生
した真空紫外光を窓８から取り出すことができる。
置では、マイクロ波ガイド１０によってマイクロ波共振
器１内に導入されたマイクロ波が、内筒３の側面と外筒
２の側面の間でつくるインダクタンス成分と、内筒３の
底面と外筒２の底面との間でつくるキャパシタンス成分
との間で共振し、内筒３の底面と外筒２の底面との間に
強力なマイクロ波電界が発生する。これにより、放電部
５内でランプ放電が生じ、このランプ放電によって発生
した真空紫外光を窓８から取り出すことができる。
【００１６】例えば、ランプガスとしてＦ2 とＨｅの混
合ガスを使用し、混合比Ｆ2 ／Ｈｅ＝5 ／95（％）、ガ
ス圧を20Torr、マイクロ波発振器として発振周波数2450
MHzのCWマグネトロン管を用いた場合、縦軸を強度、横
軸を波長とした図３のグラフに発光スペクトルを示すよ
うに、波長157nm および166nm を中心とする2 つのピー
クを有する真空紫外光を得ることができた。なお、Ｆ2
螢光出力は、図４に示すようにＦ2 濃度に依存し、全圧
10Torrの場合、マイクロ波注入パワーが185Wの時、およ
び310Wの時もＦ2 濃度が4 ％で最大となり、それ以上で
は減少した。また、Ｆ2 濃度を4 ％、すなわち混合比を
Ｆ2／Ｈｅ＝4 ／96（％）とし、全圧とＦ2 螢光出力と
の関係を調べたところ、図５に示すように、Ｆ2 螢光出
力は、全圧5 〜10Torrで最大となった。従って、ランプ
ガスとしてＦ2とＨｅの混合ガスを使用した場合、Ｆ2
濃度を3 〜5 ％、全圧5 〜15Torr程度とすることが好ま
しい。なお、最大出力は、マイクロ波注入パワーが310W
の時で、18.9 Wであり、内部効率は6.2 ％であった。
合ガスを使用し、混合比Ｆ2 ／Ｈｅ＝5 ／95（％）、ガ
ス圧を20Torr、マイクロ波発振器として発振周波数2450
MHzのCWマグネトロン管を用いた場合、縦軸を強度、横
軸を波長とした図３のグラフに発光スペクトルを示すよ
うに、波長157nm および166nm を中心とする2 つのピー
クを有する真空紫外光を得ることができた。なお、Ｆ2
螢光出力は、図４に示すようにＦ2 濃度に依存し、全圧
10Torrの場合、マイクロ波注入パワーが185Wの時、およ
び310Wの時もＦ2 濃度が4 ％で最大となり、それ以上で
は減少した。また、Ｆ2 濃度を4 ％、すなわち混合比を
Ｆ2／Ｈｅ＝4 ／96（％）とし、全圧とＦ2 螢光出力と
の関係を調べたところ、図５に示すように、Ｆ2 螢光出
力は、全圧5 〜10Torrで最大となった。従って、ランプ
ガスとしてＦ2とＨｅの混合ガスを使用した場合、Ｆ2
濃度を3 〜5 ％、全圧5 〜15Torr程度とすることが好ま
しい。なお、最大出力は、マイクロ波注入パワーが310W
の時で、18.9 Wであり、内部効率は6.2 ％であった。
【００１７】このように、本実施例によれば、真空紫外
光を高効率で発生させることができる。また、放電部５
をマイクロ波共振器１内の端部に設けることができるの
で、窓８から真空紫外光を簡単に取り出すことができ、
所望部に供給することができる。すなわち、例えば円筒
型のマイクロ波共振器や方形型のマイクロ波共振器を用
いた場合のように、マイクロ波共振器内を真空にした
り、マイクロ波共振器内に真空紫外光導出用の真空領域
を設けたりする必要がない。
光を高効率で発生させることができる。また、放電部５
をマイクロ波共振器１内の端部に設けることができるの
で、窓８から真空紫外光を簡単に取り出すことができ、
所望部に供給することができる。すなわち、例えば円筒
型のマイクロ波共振器や方形型のマイクロ波共振器を用
いた場合のように、マイクロ波共振器内を真空にした
り、マイクロ波共振器内に真空紫外光導出用の真空領域
を設けたりする必要がない。
【００１８】また、発光部を面発光とすることができ、
平面状の結晶窓（平板７）を用いることができる。さら
に、内筒３を外筒２の中心軸に沿って移動させることに
より、例えば3 重スタブチューナーを用いたり、共振器
長を変化させたりすることなく、良好なインピーダンス
・マッチングをとることができる。また、内筒３の断面
積を変更することにより、放電面積を変更することもで
きる。
平面状の結晶窓（平板７）を用いることができる。さら
に、内筒３を外筒２の中心軸に沿って移動させることに
より、例えば3 重スタブチューナーを用いたり、共振器
長を変化させたりすることなく、良好なインピーダンス
・マッチングをとることができる。また、内筒３の断面
積を変更することにより、放電面積を変更することもで
きる。
【００１９】図６は他の実施例を示すもので、この実施
例では、上記実施例の放電部５に換えて、上面および側
面がセラミックス等の誘電体４で形成され、下面がＭｇ
Ｆ2 の結晶等からなる平板７で構成された放電部５ａが
設けられており、金属メッシュ９は放電部５ａの外側に
設けられている。
例では、上記実施例の放電部５に換えて、上面および側
面がセラミックス等の誘電体４で形成され、下面がＭｇ
Ｆ2 の結晶等からなる平板７で構成された放電部５ａが
設けられており、金属メッシュ９は放電部５ａの外側に
設けられている。
【００２０】また、図７に示す実施例は、上記実施例の
マイクロ波共振器１に換えて、外筒２ｂの底部に、内筒
３へ向けて突出する凸部２０が形成され、凸部を互いに
対向させる如く配置したマイクロ波共振器１ｂを用いた
例を示すもので、放電部５ｂはこの凸部２０の上側底部
に隣接して設けられている。すなわち、放電部５ｂの上
部は、セラミックス等の誘電体４で形成されており、放
電部５ｂの下部は、凸部２０の上側底部に隣接して設け
られたＭｇＦ2 の結晶等からなる平板７で形成されてい
る。そして、この平板７を介して凸部２０内から真空紫
外光を導出するように窓８が設けられている。
マイクロ波共振器１に換えて、外筒２ｂの底部に、内筒
３へ向けて突出する凸部２０が形成され、凸部を互いに
対向させる如く配置したマイクロ波共振器１ｂを用いた
例を示すもので、放電部５ｂはこの凸部２０の上側底部
に隣接して設けられている。すなわち、放電部５ｂの上
部は、セラミックス等の誘電体４で形成されており、放
電部５ｂの下部は、凸部２０の上側底部に隣接して設け
られたＭｇＦ2 の結晶等からなる平板７で形成されてい
る。そして、この平板７を介して凸部２０内から真空紫
外光を導出するように窓８が設けられている。
【００２１】これらの実施例でも前述した実施例と同様
な効果を得ることができる。また、マイクロ波共振器
１、放電部５、窓８等の構造は適宜変更可能であり、例
えば図１に示す実施例において、内筒３を中空とし、放
電部５および窓８を内筒３の底部側に設けること等も可
能である。
な効果を得ることができる。また、マイクロ波共振器
１、放電部５、窓８等の構造は適宜変更可能であり、例
えば図１に示す実施例において、内筒３を中空とし、放
電部５および窓８を内筒３の底部側に設けること等も可
能である。
【００２２】以下に実際に本発明をエッチングに適用し
た例を説明する。図８は、図１に示すマイクロ波共振器
１の底板６にエッチングセル１１を連結した装置の図で
ある。このエッチングセル１１には、エッチングガスを
エッチングセル１１内に充填するためのエッチングガス
導入管１２および排出用のエッチングガス排出管１３が
設けられている。そして、真空紫外光を導出する窓８の
下方に試料のシリコンウエハ１４を設置し、その表面に
紫外光を照射してエッチングを行った。
た例を説明する。図８は、図１に示すマイクロ波共振器
１の底板６にエッチングセル１１を連結した装置の図で
ある。このエッチングセル１１には、エッチングガスを
エッチングセル１１内に充填するためのエッチングガス
導入管１２および排出用のエッチングガス排出管１３が
設けられている。そして、真空紫外光を導出する窓８の
下方に試料のシリコンウエハ１４を設置し、その表面に
紫外光を照射してエッチングを行った。
【００２３】ランプガスとしてＦ2 とＨｅの混合ガスを
使用し、混合比Ｆ2 ／Ｈｅ＝4 ／96（％）、ガス圧を15
Torr、マイクロ波発振器として発振周波数2450 MHzのＣ
Ｗマグネトロン管を用いた。マイクロ波注入パワーは31
0Wとした。
使用し、混合比Ｆ2 ／Ｈｅ＝4 ／96（％）、ガス圧を15
Torr、マイクロ波発振器として発振周波数2450 MHzのＣ
Ｗマグネトロン管を用いた。マイクロ波注入パワーは31
0Wとした。
【００２４】図９に50nmの熱酸化膜（ＳｉＯ2 ）を有す
るシリコンウエハをエッチング試料１４として用いたと
きの、光照射依存性を示す。エッチングガスとしてラン
プガスと同じＦ2 ／Ｈｅ（＝4 ／96（％））の混合ガス
を用いた。エッチングガスの全圧は、50Torrと100 Torr
の2 種類である。同図から全圧50Torr、全圧100 Torrの
ときの熱酸化膜のエッチングレートは、それぞれ1.76nm
/s、3.83nm/sで、Ｓｉ基板のエッチングレートは、全圧
50Torr、全圧100 Torrのとき、それぞれ0.28nm/s、0.77
nm/sであった。以上から、本発明のマイクロ波励起型紫
外ランプ装置のエッチングに対する有効性が確認でき
た。
るシリコンウエハをエッチング試料１４として用いたと
きの、光照射依存性を示す。エッチングガスとしてラン
プガスと同じＦ2 ／Ｈｅ（＝4 ／96（％））の混合ガス
を用いた。エッチングガスの全圧は、50Torrと100 Torr
の2 種類である。同図から全圧50Torr、全圧100 Torrの
ときの熱酸化膜のエッチングレートは、それぞれ1.76nm
/s、3.83nm/sで、Ｓｉ基板のエッチングレートは、全圧
50Torr、全圧100 Torrのとき、それぞれ0.28nm/s、0.77
nm/sであった。以上から、本発明のマイクロ波励起型紫
外ランプ装置のエッチングに対する有効性が確認でき
た。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波励起型紫外ランプ装置によれば、真空紫外光であって
も、高効率で発生させることができ、かつ、容易に外部
へ導出して所望部に供給することができる。
波励起型紫外ランプ装置によれば、真空紫外光であって
も、高効率で発生させることができ、かつ、容易に外部
へ導出して所望部に供給することができる。
【図１】本発明の一実施例の要部構成を示す縦断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の平面図である。
【図３】実施例装置における発光スペクトルを示すグラ
フである。
フである。
【図４】実施例装置におけるＦ2 濃度とＦ2 螢光出力と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】実施例装置における全圧とＦ2 螢光出力との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図６】本発明の他の実施例の要部構成を示す縦断面図
である。
である。
【図７】本発明の他の実施例の要部構成を示す縦断面図
である。
である。
【図８】本発明をエッチングに適用した装置の要部構成
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図９】図８の装置を用いて熱酸化膜を有するシリコン
ウエハをエッチングした場合の光照射時間依存性を示す
グラフである。
ウエハをエッチングした場合の光照射時間依存性を示す
グラフである。
１ マイクロ波共振器 ２ 外筒 ３ 内筒 ４ 誘電体 ５ 放電部 ６ 底板 ７ 平板 ８ 窓 ９ 金属メッシュ １０ マイクロ波ガイド １１ エッチングセル １２ エッチングガス導入管 １３ エッチングガス排出管 １４ 試料
Claims (2)
- 【請求項１】 中空構造の外筒と、この外筒内に突出す
る如く同軸的に設けられた内筒とを有するマイクロ波共
振器と、 前記マイクロ波共振器内の前記外筒底部または前記内筒
底部に隣接して設けられ、内部に所定のランプガスが充
填された放電部と、 前記放電部に隣接する前記外筒底部または前記内筒底部
に設けられ、前記放電部内で発生した光を導出するため
の窓とを具備したことを特徴とするマイクロ波励起型紫
外ランプ装置。 - 【請求項２】 前記窓の外側に、処理ガス導入管と処理
ガス排出管を有し、被処理物を収容可能に構成された処
理室を設けたことを特徴とする請求項１記載のマイクロ
波励起型紫外ランプ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26038191A JP3215461B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-10-08 | マイクロ波励起型紫外ランプ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-158276 | 1991-06-28 | ||
| JP15827691 | 1991-06-28 | ||
| JP26038191A JP3215461B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-10-08 | マイクロ波励起型紫外ランプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562649A true JPH0562649A (ja) | 1993-03-12 |
| JP3215461B2 JP3215461B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=26485448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26038191A Expired - Fee Related JP3215461B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-10-08 | マイクロ波励起型紫外ランプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3215461B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817731A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| GB2336240A (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-13 | Jenton International Limited | Apparatus for emitting light |
| US6737810B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrodeless discharge lamp apparatus with adjustable exciting electrodes |
| US6856093B2 (en) | 2002-03-21 | 2005-02-15 | Jenact Limited | Elongate ultraviolet light source |
| JP2007081366A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-29 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置 |
| JP2007220410A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置 |
| JP2007227338A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-09-06 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置 |
| JP2009515294A (ja) * | 2005-10-27 | 2009-04-09 | ラクシム コーポレーション | 誘電体導波管付きプラズマランプ |
| WO2011128443A3 (de) * | 2010-04-16 | 2012-02-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Vorrichtung zum erzeugen von uv-licht mit einer gasgefüllten plasmakammer |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP26038191A patent/JP3215461B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP3215461B2 (ja) | 2001-10-09 |
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