JP2002083802A - エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 - Google Patents
エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置Info
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機物のエッチングならびにアッシングにお
いて必要な反応種を効率よくかつ選択的に生成して高速
処理を実現すること。 【解決手段】 エッチング装置やアッシング装置といっ
たようなドライプロセッシング装置であって、減圧容器
１０内に、プラズマ生成室１と、プラズマ生成室１に対
してシャワーヘッド２を介して連接されたダウンストリ
ーム領域３と、が設けられてなるダウンストリーム方式
の装置であり、酸素ガスをプラズマ生成室１に供給し、
かつ、水素ガスをダウンストリーム領域３に供給するこ
とにより、被処理物４としての有機物を、エッチングま
たはアッシングする。
いて必要な反応種を効率よくかつ選択的に生成して高速
処理を実現すること。 【解決手段】 エッチング装置やアッシング装置といっ
たようなドライプロセッシング装置であって、減圧容器
１０内に、プラズマ生成室１と、プラズマ生成室１に対
してシャワーヘッド２を介して連接されたダウンストリ
ーム領域３と、が設けられてなるダウンストリーム方式
の装置であり、酸素ガスをプラズマ生成室１に供給し、
かつ、水素ガスをダウンストリーム領域３に供給するこ
とにより、被処理物４としての有機物を、エッチングま
たはアッシングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶ディスプレイ等の製造工程においてあるいは他の任
意の微細加工工程において使用されるエッチング装置や
アッシング装置といったようなドライプロセッシング装
置に関するものである。
液晶ディスプレイ等の製造工程においてあるいは他の任
意の微細加工工程において使用されるエッチング装置や
アッシング装置といったようなドライプロセッシング装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体デバイスや液晶ディスプレ
イ等の製造工程におけるエッチング処理やアッシング処
理においては、ＲＦ〜マイクロ波によって励起されるプ
ラズマを利用するドライプロセッシング装置が広く使用
されている。
イ等の製造工程におけるエッチング処理やアッシング処
理においては、ＲＦ〜マイクロ波によって励起されるプ
ラズマを利用するドライプロセッシング装置が広く使用
されている。
【０００３】放電プラズマを利用するドライプロセッシ
ングにおいては、被処理物が荷電粒子を含む雰囲気に曝
されるため、チャージアップに起因するデバイス損傷な
どのダメージ問題が発生することがある。このため、減
圧容器内のプラズマ生成室に対してシャワーヘッド（典
型的には、グラウンド電位とされた金属メッシュ）を介
して連接されたダウンストリーム領域内に被処理物を導
入することによって、チャージアップに起因するダメー
ジ問題を克服するダウンストリーム方式の装置が知られ
ている。
ングにおいては、被処理物が荷電粒子を含む雰囲気に曝
されるため、チャージアップに起因するデバイス損傷な
どのダメージ問題が発生することがある。このため、減
圧容器内のプラズマ生成室に対してシャワーヘッド（典
型的には、グラウンド電位とされた金属メッシュ）を介
して連接されたダウンストリーム領域内に被処理物を導
入することによって、チャージアップに起因するダメー
ジ問題を克服するダウンストリーム方式の装置が知られ
ている。
【０００４】ダウンストリーム方式の装置においては、
プラズマ生成室において生成されるラジカル（電気的に
中性な活性種）とイオンと電子とのうち、シャワーヘッ
ドにおいて荷電粒子であるイオンと電子とを除去し、ラ
ジカルだけをダウンストリーム領域に導いてこれらラジ
カルを使用して被処理物の処理を行う。
プラズマ生成室において生成されるラジカル（電気的に
中性な活性種）とイオンと電子とのうち、シャワーヘッ
ドにおいて荷電粒子であるイオンと電子とを除去し、ラ
ジカルだけをダウンストリーム領域に導いてこれらラジ
カルを使用して被処理物の処理を行う。
【０００５】ダウンストリーム方式の装置においては、
通常、ガスは、プラズマ生成室にだけ供給される。その
理由は、供給される各々のガスを、効率的にイオン化し
たり励起したりするためである。
通常、ガスは、プラズマ生成室にだけ供給される。その
理由は、供給される各々のガスを、効率的にイオン化し
たり励起したりするためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】プラズマ生成室に供給
されたガスは、放電条件に応じてそれぞれ励起され、多
種多様な反応種を生成する。これら反応種は、必ずしも
反応に適切なものばかりではない。有機物のエッチング
およびアッシングにおいては、ガスとして、Ｏ2ガス
や、Ｏ2＋Ｈ2、Ｏ2＋Ｈ2Ｏ、Ｏ2＋Ｎ2、等の混合ガスが
プラズマ生成室に供給されており、反応速度は、一般的
に、高温において毎分２μｍ程度である。
されたガスは、放電条件に応じてそれぞれ励起され、多
種多様な反応種を生成する。これら反応種は、必ずしも
反応に適切なものばかりではない。有機物のエッチング
およびアッシングにおいては、ガスとして、Ｏ2ガス
や、Ｏ2＋Ｈ2、Ｏ2＋Ｈ2Ｏ、Ｏ2＋Ｎ2、等の混合ガスが
プラズマ生成室に供給されており、反応速度は、一般的
に、高温において毎分２μｍ程度である。
【０００７】本発明の目的は、有機物のエッチングなら
びにアッシングにおいて必要な反応種を効率よくかつ選
択的に生成することにより高速処理が可能なドライプロ
セッシング装置を提供することである。
びにアッシングにおいて必要な反応種を効率よくかつ選
択的に生成することにより高速処理が可能なドライプロ
セッシング装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目標は、ダウンスト
リームタイプの装置において、酸素ガスをプラズマ生成
室に供給し、かつ、水素ガスをダウンストリーム領域に
供給することにより、被処理物としての有機物を、エッ
チングまたはアッシングすることによって達成される。
リームタイプの装置において、酸素ガスをプラズマ生成
室に供給し、かつ、水素ガスをダウンストリーム領域に
供給することにより、被処理物としての有機物を、エッ
チングまたはアッシングすることによって達成される。
【０００９】以下、本発明の作用および動作原理につい
て説明する。
て説明する。
【００１０】酸素プラズマを用いたフォトレジスト等の
有機物のエッチング処理またはアッシング処理に関して
は、Ｎ2ガスやＨ2ガスやＨ2Ｏガス を酸素ガスに適当量
混合することで、アッシング速度の向上が得られている
（例えば、特開平１−１１２７３４号公報、特開平２−
７７１２５号公報）。これは、ＨラジカルやＯＨラジカ
ルなどのラジカルによって活性化エネルギーを低下させ
る作用、また、原子状酸素の濃度を増加させる作用、に
基づくものであろうと推測されている。一方、酸素によ
る有機物のエッチング除去の反応素過程の研究により、
初期の段階で酸素と有機物からＯＨラジカルを生成する
が、ＯＨラジカルは有機物との反応速度が速いため、Ｏ
Ｈラジカルの存在下ではＯＨラジカルによるエッチング
が反応の速度を決定するという説が提唱されている（J.
Electrochem. Soc., 136, No.5,1426 (1989) ）。しか
しながら、例えばＯ2＋Ｈ2Ｏ混合ガスを原料ガスとして
プラズマを形成した場合、もちろんＯＨラジカルも生成
されるけれども他のラジカルやイオン等も多数生成さ
れ、結局、ＯＨラジカルを高濃度でかつ選択的に得るこ
とはできない。
有機物のエッチング処理またはアッシング処理に関して
は、Ｎ2ガスやＨ2ガスやＨ2Ｏガス を酸素ガスに適当量
混合することで、アッシング速度の向上が得られている
（例えば、特開平１−１１２７３４号公報、特開平２−
７７１２５号公報）。これは、ＨラジカルやＯＨラジカ
ルなどのラジカルによって活性化エネルギーを低下させ
る作用、また、原子状酸素の濃度を増加させる作用、に
基づくものであろうと推測されている。一方、酸素によ
る有機物のエッチング除去の反応素過程の研究により、
初期の段階で酸素と有機物からＯＨラジカルを生成する
が、ＯＨラジカルは有機物との反応速度が速いため、Ｏ
Ｈラジカルの存在下ではＯＨラジカルによるエッチング
が反応の速度を決定するという説が提唱されている（J.
Electrochem. Soc., 136, No.5,1426 (1989) ）。しか
しながら、例えばＯ2＋Ｈ2Ｏ混合ガスを原料ガスとして
プラズマを形成した場合、もちろんＯＨラジカルも生成
されるけれども他のラジカルやイオン等も多数生成さ
れ、結局、ＯＨラジカルを高濃度でかつ選択的に得るこ
とはできない。
【００１１】これに対し、本発明においては、酸素ガス
をプラズマ生成室に供給して酸素ガスを励起し、プラズ
マ生成室内に酸素プラズマを形成する。この酸素プラズ
マ内には、酸素ラジカルと酸素イオンと電子とが含有さ
れている。このうち、シャワーヘッドを通ってダウンス
トリーム領域に到達できるのは、電気的に中性の反応種
である酸素ラジカルだけである。
をプラズマ生成室に供給して酸素ガスを励起し、プラズ
マ生成室内に酸素プラズマを形成する。この酸素プラズ
マ内には、酸素ラジカルと酸素イオンと電子とが含有さ
れている。このうち、シャワーヘッドを通ってダウンス
トリーム領域に到達できるのは、電気的に中性の反応種
である酸素ラジカルだけである。
【００１２】ダウンストリーム領域へと到達した酸素ラ
ジカルは、ダウンストリーム領域に導入された水素ガス
と反応することにより、ＯＨラジカルが生成される。こ
の反応過程は、電子的に励起されている Ｏ（1Ｄ）と基
底状態のＨ2（Ｘ1Σ+ g）との衝突によりＯＨ＋Ｈラジカ
ルが生成されるとの報告（Chemical Physics, vol.96,
381 (1985)）によっても支持されている。
ジカルは、ダウンストリーム領域に導入された水素ガス
と反応することにより、ＯＨラジカルが生成される。こ
の反応過程は、電子的に励起されている Ｏ（1Ｄ）と基
底状態のＨ2（Ｘ1Σ+ g）との衝突によりＯＨ＋Ｈラジカ
ルが生成されるとの報告（Chemical Physics, vol.96,
381 (1985)）によっても支持されている。
【００１３】このようにして、ダウンストリーム領域内
において生成されたＯＨラジカルが、ダウンストリーム
領域内に導入されている被処理物としての有機物を、エ
ッチングまたはアッシングする。つまり、本発明におい
ては、ＯＨラジカルを高濃度でかつ選択的に生成できる
上、被処理物の近傍でＯＨラジカルが生成されるため、
輸送に伴うＯＨラジカルの損失がほとんどない状況でエ
ッチング処理またはアッシング処理に使用できるため、
高速処理が可能である。
において生成されたＯＨラジカルが、ダウンストリーム
領域内に導入されている被処理物としての有機物を、エ
ッチングまたはアッシングする。つまり、本発明におい
ては、ＯＨラジカルを高濃度でかつ選択的に生成できる
上、被処理物の近傍でＯＨラジカルが生成されるため、
輸送に伴うＯＨラジカルの損失がほとんどない状況でエ
ッチング処理またはアッシング処理に使用できるため、
高速処理が可能である。
【００１４】このように、本発明は、高濃度でかつ選択
的にＯＨラジカルを生成することができることに加え
て、このような高濃度のＯＨラジカルを使用してエッチ
ング処理またはアッシング処理を行い得る点において、
画期的なものである。
的にＯＨラジカルを生成することができることに加え
て、このような高濃度のＯＨラジカルを使用してエッチ
ング処理またはアッシング処理を行い得る点において、
画期的なものである。
【００１５】これは、プラズマ生成室において生成され
た酸素プラズマから酸素ラジカルを引き出し、この酸素
ラジカルとダウンストリーム領域に導入した基底状態の
水素ガスとを反応させることにより、所望の反応種であ
るＯＨラジカルを高濃度にかつ選択的に生成するとい
う、従来のダウンストリーム装置にはない新規な着想に
基づくものである。
た酸素プラズマから酸素ラジカルを引き出し、この酸素
ラジカルとダウンストリーム領域に導入した基底状態の
水素ガスとを反応させることにより、所望の反応種であ
るＯＨラジカルを高濃度にかつ選択的に生成するとい
う、従来のダウンストリーム装置にはない新規な着想に
基づくものである。
【００１６】シャワーヘッドを通しては、酸素ラジカル
だけではなく、励起されていない状態の酸素分子すなわ
ち基底状態の酸素分子も、ダウンストリーム領域内へと
到達する。この基底状態の酸素分子に、１３０〜１７５
ｎｍの波長の光を照射すると、励起状態の酸素原子 Ｏ
（1Ｄ）と基底状態の酸素原子 Ｏ（3Ｐ）とに解離す
る。すなわち、 Ｏ2（Ｘ3Σ- g）＋ｈν（１３０〜１７５ｎｍ）→Ｏ（1
Ｄ）＋Ｏ（3Ｐ） という反応が起こる。このようにして生成された励起状
態の酸素原子 Ｏ（1Ｄ）が基底状態の水素ガスと反応す
ることによっても、また、ＯＨラジカルが生成される。
この目的のため、本発明の代替可能な実施形態において
は、ダウンストリーム領域に１３０〜１７５ｎｍの波長
の光を照射する光照射機構が設けられている。
だけではなく、励起されていない状態の酸素分子すなわ
ち基底状態の酸素分子も、ダウンストリーム領域内へと
到達する。この基底状態の酸素分子に、１３０〜１７５
ｎｍの波長の光を照射すると、励起状態の酸素原子 Ｏ
（1Ｄ）と基底状態の酸素原子 Ｏ（3Ｐ）とに解離す
る。すなわち、 Ｏ2（Ｘ3Σ- g）＋ｈν（１３０〜１７５ｎｍ）→Ｏ（1
Ｄ）＋Ｏ（3Ｐ） という反応が起こる。このようにして生成された励起状
態の酸素原子 Ｏ（1Ｄ）が基底状態の水素ガスと反応す
ることによっても、また、ＯＨラジカルが生成される。
この目的のため、本発明の代替可能な実施形態において
は、ダウンストリーム領域に１３０〜１７５ｎｍの波長
の光を照射する光照射機構が設けられている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のエッチング装置や
アッシング装置といったようなドライプロセッシング装
置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
アッシング装置といったようなドライプロセッシング装
置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１８】〔第１実施形態〕図１は、本発明のドライ
プロセッシング装置の第１実施形態を示すものである。
まず最初に、図１を参照して、装置構成について説明す
る。
プロセッシング装置の第１実施形態を示すものである。
まず最初に、図１を参照して、装置構成について説明す
る。
【００１９】図１において、ドライプロセッシング装置
は、減圧容器１０内に、プラズマ生成室１と、プラズマ
生成室１に対してシャワーヘッド２（グラウンド電位と
された金属メッシュ）を介して連接されたダウンストリ
ーム領域３と、が設けられて構成されたダウンストリー
ム方式の装置である。
は、減圧容器１０内に、プラズマ生成室１と、プラズマ
生成室１に対してシャワーヘッド２（グラウンド電位と
された金属メッシュ）を介して連接されたダウンストリ
ーム領域３と、が設けられて構成されたダウンストリー
ム方式の装置である。
【００２０】被処理物４を載置するための載置台５が、
ダウンストリーム領域３内に設置されている。
ダウンストリーム領域３内に設置されている。
【００２１】詳細には図示していないものの、当業者に
は明らかなように、減圧容器１０の下部に設けられた排
気経路６には、真空ポンプおよび可変コンダクタンスバ
ルブが接続されており、減圧容器１０は、所定の減圧状
態に維持されるようになっている。
は明らかなように、減圧容器１０の下部に設けられた排
気経路６には、真空ポンプおよび可変コンダクタンスバ
ルブが接続されており、減圧容器１０は、所定の減圧状
態に維持されるようになっている。
【００２２】また、プラズマ生成室１には、プラズマ形
成手段７が接続されている。プラズマ形成手段７は、当
業者には周知のように、ＲＦ電源を用いた誘導結合プラ
ズマ源や容量結合プラズマ源とすることができ、あるい
は、図示のように誘電体窓７ａを介するマイクロ波励起
による表面波プラズマ源とすることもできる。
成手段７が接続されている。プラズマ形成手段７は、当
業者には周知のように、ＲＦ電源を用いた誘導結合プラ
ズマ源や容量結合プラズマ源とすることができ、あるい
は、図示のように誘電体窓７ａを介するマイクロ波励起
による表面波プラズマ源とすることもできる。
【００２３】また、プラズマ生成室１には、酸素ガスを
導入するためのガス導入ポート８が設けられており、ダ
ウンストリーム領域３には、水素ガスを導入するための
ガス導入ポート９が設けられている。
導入するためのガス導入ポート８が設けられており、ダ
ウンストリーム領域３には、水素ガスを導入するための
ガス導入ポート９が設けられている。
【００２４】次に、この第１実施形態における動作原理
について説明する。
について説明する。
【００２５】ガス導入ポート８を通して、酸素ガスをプ
ラズマ生成室１に供給する。プラズマ形成手段７によっ
て酸素ガスを励起することにより、プラズマ生成室１内
に酸素プラズマを形成する。減圧容器１０が排気経路６
を通して真空引きされていることにより、プラズマの構
成粒子は、ダウンストリーム領域３に向けて引かれる。
ラズマ生成室１に供給する。プラズマ形成手段７によっ
て酸素ガスを励起することにより、プラズマ生成室１内
に酸素プラズマを形成する。減圧容器１０が排気経路６
を通して真空引きされていることにより、プラズマの構
成粒子は、ダウンストリーム領域３に向けて引かれる。
【００２６】しかしながら、シャワーヘッド２がグラウ
ンド電位とされていることにより、プラズマ構成粒子の
うち、荷電粒子である酸素イオンや電子等は、ダウンス
トリーム領域３に到達することはできない。結局、ダウ
ンストリーム領域３には、電気的に中性の反応種である
酸素ラジカルが到達する。
ンド電位とされていることにより、プラズマ構成粒子の
うち、荷電粒子である酸素イオンや電子等は、ダウンス
トリーム領域３に到達することはできない。結局、ダウ
ンストリーム領域３には、電気的に中性の反応種である
酸素ラジカルが到達する。
【００２７】ダウンストリーム領域３へと到達した酸素
ラジカルは、ガス導入ポート９を通してダウンストリー
ム領域３に導入された基底状態の水素ガスと反応するこ
とにより、ＯＨラジカルを生成する。このようにして生
成されたＯＨラジカルが、ダウンストリーム領域内に導
入されている被処理物としての有機物を、エッチングま
たはアッシングする。
ラジカルは、ガス導入ポート９を通してダウンストリー
ム領域３に導入された基底状態の水素ガスと反応するこ
とにより、ＯＨラジカルを生成する。このようにして生
成されたＯＨラジカルが、ダウンストリーム領域内に導
入されている被処理物としての有機物を、エッチングま
たはアッシングする。
【００２８】つまり、本発明においては、ＯＨラジカル
を高濃度でかつ選択的に生成できることに加えて、被処
理物の近傍でＯＨラジカルが生成されるため、輸送に伴
うＯＨラジカルの損失がほとんどない状況でエッチング
処理またはアッシング処理に使用するため、高速処理が
可能である。
を高濃度でかつ選択的に生成できることに加えて、被処
理物の近傍でＯＨラジカルが生成されるため、輸送に伴
うＯＨラジカルの損失がほとんどない状況でエッチング
処理またはアッシング処理に使用するため、高速処理が
可能である。
【００２９】次に、この第１実施形態による実験結果の
一例について説明する。
一例について説明する。
【００３０】本実施形態によるドライプロセッシング装
置を使用して、ガス：Ｏ2 （ガス流量：５００ｓｃｃｍ
（１分あたりに標準状態換算で５００ｃｃという流
量））、ガス：Ｈ2 （ガス流量：１０００ｓｃｃｍ）、
励起マイクロ波出力１４００Ｗ、処理室圧力：１３３Ｐ
ａ、載置台温度：２５０℃、としたとき、１００ｍｍ径
シリコンウェーハ表面全面に塗布したフォトレジストの
剥離速度として、毎分３μｍという結果が得られた。
置を使用して、ガス：Ｏ2 （ガス流量：５００ｓｃｃｍ
（１分あたりに標準状態換算で５００ｃｃという流
量））、ガス：Ｈ2 （ガス流量：１０００ｓｃｃｍ）、
励起マイクロ波出力１４００Ｗ、処理室圧力：１３３Ｐ
ａ、載置台温度：２５０℃、としたとき、１００ｍｍ径
シリコンウェーハ表面全面に塗布したフォトレジストの
剥離速度として、毎分３μｍという結果が得られた。
【００３１】これは、Ｈ2 ガスを用いない場合の２倍の
剥離速度であり、また、先の実験例と同量のＯ2および
Ｈ2の双方をプラズマ生成室１に導入した場合の１，５
倍の剥離速度である。
剥離速度であり、また、先の実験例と同量のＯ2および
Ｈ2の双方をプラズマ生成室１に導入した場合の１，５
倍の剥離速度である。
【００３２】〔第２実施形態〕図２は、本発明のドライ
プロセッシング装置の第２実施形態を示すものである。
この第２実施形態が上記第１実施形態と相違するのは、
ダウンストリーム領域３に、１３０〜１７５ｎｍの波長
領域の光を照射する光照射機構１１が設けられている点
のみであり、他は同一構成である。
プロセッシング装置の第２実施形態を示すものである。
この第２実施形態が上記第１実施形態と相違するのは、
ダウンストリーム領域３に、１３０〜１７５ｎｍの波長
領域の光を照射する光照射機構１１が設けられている点
のみであり、他は同一構成である。
【００３３】光照射機構１１の構成について説明する
と、ダウンストリーム領域３の一側面には、ＬｉＦやＭ
ｇＦ2やＣａＦ2等といったような真空紫外領域の光透過
特性が良好であるような材質から形成された光学結晶窓
１２が取り付けられている。この窓１２を通して１３０
〜１７５ｎｍという波長の光を照射し得るように、光源
１３が配置されている。光源１３は、例えば、ＡｒやＸ
ｅのエキシマランプ、重水素ランプ、水銀ランプ、など
の真空紫外光源とされる。光源１３は、光源１３と窓１
２との間に空気層が介在しないよう、窓１２に密着させ
ることが好ましい。また、光源１３の周囲を数〜十数Ｔ
ｏｒｒ程度の減圧雰囲気とすれば、光源１３と窓１２と
の間に間隙があったにしてもあるいは（放熱の目的で）
間隙を設けたにしても、ガスに対しての照射損失を抑制
することができる。
と、ダウンストリーム領域３の一側面には、ＬｉＦやＭ
ｇＦ2やＣａＦ2等といったような真空紫外領域の光透過
特性が良好であるような材質から形成された光学結晶窓
１２が取り付けられている。この窓１２を通して１３０
〜１７５ｎｍという波長の光を照射し得るように、光源
１３が配置されている。光源１３は、例えば、ＡｒやＸ
ｅのエキシマランプ、重水素ランプ、水銀ランプ、など
の真空紫外光源とされる。光源１３は、光源１３と窓１
２との間に空気層が介在しないよう、窓１２に密着させ
ることが好ましい。また、光源１３の周囲を数〜十数Ｔ
ｏｒｒ程度の減圧雰囲気とすれば、光源１３と窓１２と
の間に間隙があったにしてもあるいは（放熱の目的で）
間隙を設けたにしても、ガスに対しての照射損失を抑制
することができる。
【００３４】また、光源１３の背後に、高反射性の反射
鏡１４を設けることが照射効率の向上には有効である。
鏡１４を設けることが照射効率の向上には有効である。
【００３５】また、光源１３を窓１２に取り付けること
に代えて、マイクロ波キャビティ放電等によって得られ
るＸｅ等の共鳴線光のように上記波長領域（１３０〜１
７５ｎｍ）に対応する真空紫外光を発するプラズマ放電
光を窓１２に導く構成であっても、同様の効果が得られ
る。
に代えて、マイクロ波キャビティ放電等によって得られ
るＸｅ等の共鳴線光のように上記波長領域（１３０〜１
７５ｎｍ）に対応する真空紫外光を発するプラズマ放電
光を窓１２に導く構成であっても、同様の効果が得られ
る。
【００３６】また、図示しないものの、光源１３からの
光による被処理物４へのダメージを防止するために、載
置台５の近傍に、光の遮蔽機構を設置することもでき
る。
光による被処理物４へのダメージを防止するために、載
置台５の近傍に、光の遮蔽機構を設置することもでき
る。
【００３７】この第２実施形態においては、上記第１実
施形態と同様の作用効果に加え、シャワーヘッド２を通
してダウンストリーム領域３へと到達した非励起状態の
酸素分子もＯＨラジカルの生成原料として利用すること
ができ、ＯＨラジカルの生成効率がより一層高められる
こととなる。
施形態と同様の作用効果に加え、シャワーヘッド２を通
してダウンストリーム領域３へと到達した非励起状態の
酸素分子もＯＨラジカルの生成原料として利用すること
ができ、ＯＨラジカルの生成効率がより一層高められる
こととなる。
【００３８】つまり、シャワーヘッド２を通してダウン
ストリーム領域３へと到達した基底状態の酸素分子が、
光源１３から１３０〜１７５ｎｍの波長の光を照射され
ることにより、励起状態の酸素原子 Ｏ（1Ｄ）と基底状
態の酸素原子 Ｏ（3Ｐ）とに解離する。このようにして
生成された励起状態の酸素原子 Ｏ（1Ｄ）が基底状態の
水素ガスと反応することによって、ＯＨラジカルが生成
される。よって、有機物のアッシング反応に利用可能な
ＯＨラジカルを増加させることができ、より一層の高速
処理が可能とされる。
ストリーム領域３へと到達した基底状態の酸素分子が、
光源１３から１３０〜１７５ｎｍの波長の光を照射され
ることにより、励起状態の酸素原子 Ｏ（1Ｄ）と基底状
態の酸素原子 Ｏ（3Ｐ）とに解離する。このようにして
生成された励起状態の酸素原子 Ｏ（1Ｄ）が基底状態の
水素ガスと反応することによって、ＯＨラジカルが生成
される。よって、有機物のアッシング反応に利用可能な
ＯＨラジカルを増加させることができ、より一層の高速
処理が可能とされる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のドライプ
ロセッシング装置によれば、本発明の目的は、有機物の
エッチングならびにアッシングにおいて必要な反応種
（特に、ＯＨラジカル）を効率よくかつ選択的に生成で
き、高速処理を実現することができる。
ロセッシング装置によれば、本発明の目的は、有機物の
エッチングならびにアッシングにおいて必要な反応種
（特に、ＯＨラジカル）を効率よくかつ選択的に生成で
き、高速処理を実現することができる。
【図１】 本発明によるドライプロセッシング装置の第
１実施形態を概略的に示す断面図である。
１実施形態を概略的に示す断面図である。
【図２】 本発明によるドライプロセッシング装置の第
２実施形態を概略的に示す断面図である。
２実施形態を概略的に示す断面図である。
１ プラズマ生成室 ２ シャワーヘッド ３ ダウンストリーム領域 ４ 被処理物 ５ 載置台 １０ 減圧容器 １１ 光照射機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 亘 東京都国立市谷保992 ワイエイシイ株式 会社国立製作所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 GA37 HA23 LA06 LA07 LA09 5F004 BA20 BB05 BB26 BB28 DA00 DA24 DA25 DA26 DB26 5F046 MA12
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチング装置やアッシング装置といっ
たようなドライプロセッシング装置であって、 減圧容器内に、プラズマ生成室と、該プラズマ生成室に
対してシャワーヘッドを介して連接されたダウンストリ
ーム領域と、が設けられ、被処理物を載置するための載
置台が前記ダウンストリーム領域内に設置されてなるダ
ウンストリーム方式の装置であり、 酸素ガスを前記プラズマ生成室に供給し、かつ、水素ガ
スを前記ダウンストリーム領域に供給することにより、
前記被処理物としての有機物を、エッチングまたはアッ
シングすることを特徴とするドライプロセッシング装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載のドライプロセッシング装
置において、 前記ダウンストリーム領域に、１３０〜１７５ｎｍとい
う波長範囲の光を照射する光照射機構が設けられている
ことを特徴とするドライプロセッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000272142A JP2002083802A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000272142A JP2002083802A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002083802A true JP2002083802A (ja) | 2002-03-22 |
Family
ID=18758311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000272142A Pending JP2002083802A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002083802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016434A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Noritsu Koki Co Ltd | レジスト除去装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63120424A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 処理方法 |
| JPH0291937A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Fujitsu Ltd | 灰化装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH02263436A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法 |
| JPH07169758A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-07-04 | Toshiba Corp | 励起酸素の生成方法及び供給方法 |
| JPH07201813A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
-
2000
- 2000-09-07 JP JP2000272142A patent/JP2002083802A/ja active Pending
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