JPS62178779A - Ｒｆ型イオン・スラスタ - Google Patents

Ｒｆ型イオン・スラスタ

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JPS62178779A
JPS62178779A JP61016832A JP1683286A JPS62178779A JP S62178779 A JPS62178779 A JP S62178779A JP 61016832 A JP61016832 A JP 61016832A JP 1683286 A JP1683286 A JP 1683286A JP S62178779 A JPS62178779 A JP S62178779A
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JP
Japan
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plasma
ignitor
gas
ion thruster
igniter
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JP61016832A
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Hideki Yoshida
英樹 吉田
Toru Sugawara
亨 菅原
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は１人工術星の軌道制御を行なうＲＦ型イオン
・スラスタに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来のＲＦ　（Ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　）型
イオ７−スラスタの構成を第３図に示す。ガス導入系か
ら放電容器ｌ内に導入されたＸｅガスにインダクション
コイル６によって加速された電子が衝突して１を離＋ プラズマを放電室８内に生成し、Ｘｅイオンが電極２，
３．４で構成される加速電極によって運動エネルギを与
えられ、中和器７から放出される゛電子によって中和化
された後送出されてイオン・スラスタの推力となる。シ
離プラズマをインダクションコイル６で生成する友めの
ｉｔ子は、放゛成開始時はイグナイタ・フィラメント９
から、定常状態時は一、１離プラズマから供給される。
イグナイタ・フィラメント９による電子供給法は、設を
場所として放電室８内でなければならず、プラズマにさ
らされ寿命の問題カＳ生じる。又、取り付は方法も放電
容器１が石英ガラス等の絶縁物でなければならないこと
から、極めて難しいという欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、放
電室外部に設置できるイグナイタを具備したＲＦ型イオ
ン・スラスタを提供することを目的とする。
〔発明の慨要〕
本発明は、石英ガラス等の絶縁物を透過するレーザ光や
γ硼、β−俄を発するレーザ発振器、ｒ縁源、β−線源
よりなるイグナイタを放電室外部に具備したことを特徴
とするＲＦ型イオン・スラスタである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、プラズマによる寿命の問題の発生しな
い敗り付は方法の容易なイグナイタとなる。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施例を詳細に説明する。なお従来装置と
その構成が同一の部分については同一符号を附けてその
説明を省略する。第１図に示すように１本発明のＲＦ型
イオン・スラスタは、ガス導入系からＸｅガスを放電室
８に導入し、イグナイタ・レーザ発振器ｌＯから放出さ
れたレーザ光と衝突させ初期電離プラズマを生成する。
生成され九初期電離プラズマ中の電子がインダクション
コイル６によって誘導された高周波４界によって周方向
に加速されＸｅガスと衝突して’ｔｇプラズマを増加さ
せる。このような状態が数ｍ　ｓｅｃ程度続いた後、壁
面等で消滅するプラズマ艙と生成量がつり合って平衡状
態になる。電離プラズマ中からＸｅ＋イオンが°ｔ！２
．３．４で引出加速された後イオン・スラスタ九に放出
される。イグナイタ・レーザ発振器ｌＯとしては、Ｎｄ
ガラスレーザでもＣＯ，、ｌ（６−Ｎ　ｅ　ｅ　　エキ
シマレーザ等どれでも良いが、小型の半導体レーザが最
適である。
第２図に本発明の別の実施例を示す。イグナイタとして
、γ線源ｌｌを使用し、ｒ禄とＸｅガスとの衝突から初
期電離プラズマを生成させている。
ｒ線源１１のかわりにβ−線源を使用し、β−緑とＸｅ
ガスとの衝突から初期電離プラズマを生成させてもよい
。ｒ線源１１．β−線源としては。
半減期が１０年以上あってα線を放射しないものならな
んでもよい。α線の放射は放’を容器１に衝突して照射
クリープを引き起こすので放射されていないものがよい
。
実施列として、イグナイタ・レーザ発振器１０゜ｒ＠Ｉ
＃１１を放電容器ｌの左端に設けであるが、設置場所は
取り付は容易な位置でよく本設置場所に限定するもので
はない。また、導入ガスとしてＸｅを用いているが、Ｘ
ｅガスに限定するものではない。加速を極の構成も３枚
に限定するものではない。
本発明は、ＲＦ型のイオン・スラスタを用いて説明した
が、几Ｆ型の放電室を使用している装置であればよく、
例えば核融合で使用されるプラズマ加熱用中性粒子入射
装置のＲＦ型のイオン源についても全く同じように゛適
用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は本発明
の別の実ｍ例を示す断面図、第３図は従来のＲＦ型イオ
ン・スラスタの構成図である。 ｌ・・・放電容器、２．３．４・・・電極、５・・・≠
イフユーザ、６・・・インダクションコイル、７・・・
中和器。 ８・・・放電室、９・・・イグナイタ・フィラメント、
１０・・・イグナイタ・レーザ発振器、１１・・・イグ
ナイタ・　ｒＳ源。 代理人　弁理士　　　則　近　］１ｆ　　右同　　　　
　竹　花　喜久男

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ガス導入系と放電容器と加速電極とインダクショ
    ンコイルとイグナイタと中和器と電源等で構成されるイ
    オン・スラスタに於いて、レーザ発振器によりなるイグ
    ナイタを放電容器の外側に設けてレーザ光を放電室内に
    発射できるようにしたことを特徴とするＲＦ型イオン・
    スラスタ。
  2. （２）上記イグナイタをγ線源もしくはβ＾−線源によ
    り構成し、放電容器の外側に設けてγ線もしくはβ＾−
    線を放電室内に放射できるようにしたことを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載のＲＦ型イオン・スラスタ。
JP61016832A 1986-01-30 1986-01-30 Ｒｆ型イオン・スラスタ Expired - Lifetime JPH07101029B2 (ja)

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