JPS60208038A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents

イオンビ−ム発生装置

Info

Publication number
JPS60208038A
JPS60208038A JP59066898A JP6689884A JPS60208038A JP S60208038 A JPS60208038 A JP S60208038A JP 59066898 A JP59066898 A JP 59066898A JP 6689884 A JP6689884 A JP 6689884A JP S60208038 A JPS60208038 A JP S60208038A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
ion beam
substance
laser beam
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59066898A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Ueda
植田 至宏
Koichi Ono
高一 斧
Tatsuo Omori
達夫 大森
Shigeto Fujita
重人 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59066898A priority Critical patent/JPS60208038A/ja
Publication of JPS60208038A publication Critical patent/JPS60208038A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/24Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08Ion sources; Ion guns

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質。
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関するも
のである。
〔従来技術〕
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生方法とし
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には2つあり、1つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の1つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
〔発明の概要〕
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイオンビー
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できる自動電離状態(Auto
ionization 1evel )を使うことによ
り、従来の共鳴光励起、イオン化方式に比べ入力光エネ
ルギに対するイオン化効率を数桁以上向上でき、かつ選
択イオン化における選択性に優れたイオンビーム発生装
置を提供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
まず本発明装置におけるイオン化方法をアルミニウムイ
オンビームを発生する場合を例にとって従来のイオン化
方法と比較しつつ説明する。第1図はアルミニウム中性
原子のエネルギ準位図である。
従来のイオン化方法は、例えば波長が3082人。
6200人の2本のレーザビームBl、B2をイオン化
させたいアルミニウム蒸気に照射する方法であり、即ち
基底状態3p(2PO)にあるアルミニウム原子をまず
3082人のレーザビームB1により第1励起状!53
d(2D)に共鳴励起し、その後6200人のレーザビ
ームB2により光電離させるものである。
この従来のイオン化方法に対し、本発明装置におけるイ
オン化方法は、イオン化させるべき物質をその基底状態
から自動電離状態に1本のレーザビームにより直接共鳴
励起させるか又は2本以上のレーザビームにより階段状
に共鳴励起せしめるものである。上記アルミニウム蒸気
をイオン化せしめる場合は、波長3440人のレーザビ
ームB3により基底状態から2電子励起状態3S3p2
に共鳴励起し、同時に波長3050人のレーザビームB
4により該2電子励起状態3s3p2から自動電離状態
3s3p4Sに励起させ、該自動電離状態3S3p4S
において、所定の遷移確率でもって自動電離、イオン化
させるものである。
この発明装置におけるイオン化方法の場合、従来のイオ
ン化方法がエネルギ準位3d(2D)から直接イオン化
させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁以上
高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さくてす
み、しかも完全に共鳴のみを使うためレーザビームのエ
ネルギ準位。
波長を不純物原子のそれらと一致しないように選択すれ
ばイオン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純
度の高いものができる。
また上記レーザビームの波長を変えることにより、容易
に(To種の物質のイオンビームを発生することができ
、この場合イオン化される多種の物質を前もってイオン
ビーム発生容器内に導入しておいても良い、このように
発生するイオンビームの種類を容易に変えることができ
る本発明の手法は従来の方法にないものであり、イオン
ビームで処理する2つ以上の行程を連続して行なうこと
ができる利点がある。
次にこの発明の実施例を図について説明する。
第2図は本発明の第1の実施例を示す。図において、l
はイオン化されるべき物質が導入される容器、1aは上
記物質を該容器1内に導入するためのガス導入孔、1b
はガス排出孔、3a、3bは図示しないレーザビーム発
生部からのレーザビームB3.B4を上記容器1内に導
入する窓であり、該容器1内のレーザビームB3.B4
が交差する空間はイオン生成空間4となっている。そし
て上記レーザビーム発生部には、図示していないが波長
可変レーザ又は自由電子レーザ等の2つのレーザと、該
各レーザの発振のトリガとなる電気信号パルスを発生す
るパルス発生回路が設けられている。
6は電極、6aは該電極6に電圧を印加する端子、8は
試料、8aは該試料8を保持する試料台であり、該試料
台8aと上記電極6との間には直流電圧が印加され、こ
れによりイオン化された物質をイオンビームとして引き
出すための引き出し電界が発生される。なお、上記イオ
ン化電界が上記引き出し電界を兼ねるようにしてもよい
次に動作について説明する。
本実施例装置により、アルミニウムのイオンビームを発
生する場合を考える。まず容器lにガス導入孔1aより
アルミニウム蒸気10を導入する。
そして上記レーザビーム発生部において、そのパルス発
生回路から各レーザにトリガパルスが与えられる。する
と波長3440人のレーザビームB3が窓3aを介して
上記容器1に導入され、また3050人のレーザビーム
B4が窓3bを介して同様に導入され、両ビームB3.
B4が容易1内のイオン生成空間4において交差し、こ
れにより上記アルミニウム蒸気10は、3440人のレ
ーザビームB3により基底状態から2電子励起状態3s
3p2に共鳴励起され、さらに3050人のレーザビー
ムB4により上記2電子励起状態3s3p2から自動電
離状態3s3p4sに階段状に共鳴励起され、これによ
り該励起蒸気は所定の遷移確率でもってイオン状態とな
る。
また上記電極6と試料台8aとの間には直流電圧が印加
されており、これにより上記イオン化されたアルミニウ
ム蒸気10はアルミニウムのイオンのみからなるイオン
ビーム9として引き出され、該イオンビーム9は上記試
料8に照射される。
以上の動作説明における本実施例の特徴を示すと、まず
第1に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器1内にイオン化させ
るべき物質、この場合アルミニウム、以外の不純物、酸
素、窒素、炭素5水素等が含まれていて、しかもその量
がアルミニウムより多くても、レーザビームのエネルギ
準位。
波長を上記不純物等のそれらと一致させないようにして
希望の元素、この場合はアルミニウム、のみがイオン化
された純粋なアルミニウムイオンビームが得られる。
第2に本実施例は上述のとおり、選択イオン化を行なう
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料8、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
第3にイオンビームの種類や特性を変える場合はレーザ
ビームの波長及び印加電圧を変えれば良く、従来のよう
な試料を取り出したり、イオン源部を交換するために容
器を開閉したりする必要はなく、従って、イオン注入と
アニーリング等の連続動作が容易にできる。
第3図は本発明の第2の実施例を示す。図において、第
2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、13はイオ
ン化させるべき物質12を収容するオーブン、13aは
上記オーブン13の外周に設けられたヒータ、11はイ
オン化されたアルミニウム蒸気10を容器1の軸心に集
束せしめるマグネット、14は上記集束されたアルミニ
ウム蒸気10をイオンビーム9として引き出す引き出し
電極である。
次に動作について説明する。
オーブン13内にイオン化させる物質であるアルミニウ
ム12を入れ、ヒータ13aによりオーブン13を加熱
すると上記アルミニウム12が溶融、気化してマグネシ
ウム蒸気10が発生し、該蒸気10はガス導入孔1aを
通って容器1内に導入される。そして3440人のレー
ザビームB3と3050人のレーザビームB4が各々窓
3a、3bを介して上記容器1内に導入されて上記蒸気
10に照射されるゆするとこれにより蒸気10は基底状
態から2電子励起状態3a3p2を経て自動電離状態3
 s 3 p4Sに階段状に励起され、その結果該励起
蒸気が所定の遷移確率で自動電離されてイオン生成空間
4にアルミニウムイオンが生成され、該アルミニウムイ
オンはマグネット11により軸心に集束された後、引き
出し電極14によってイオンビーム9として放出される
第4図は本発明の第3の実施例によるイオンビーム発生
装置におけるレーザ発振装置の構成例である。
本発明において元素を階段状に励起させるためには複数
の各々特定周波数のレーザビームが必要であり、該複数
のレーザビームを同期させる必要がある訳であるが、第
4図はその同期方法の一例を示すものである。
本レーザ発振装置20は、3台の波長の異なるレーザ2
2,23.24と、該各レーザ22〜24にレーザ発振
のトリガとなる電気信号パルスを与える1台のトリガ発
生器21とから構成されている。このように各レーザ2
2〜24をトリガ発生器21からのトリガパルスによっ
て発振するように構成したことにより、発振するレーザ
ビームω1.ω2□ ω3は時間的に同期されたものと
なる。
第5図は本発明の第4の実施例によるイオンビーム発生
装置のレーザ発振装置の構成例であり、図において、2
5〜27は固体レーザのレーザヘッド、28はフラッシ
ュランプ電源、29はQスイッチのボッケルセル電源で
あり、該1組の電源は各レーザヘッド25〜27を同期
して発振せしめるトリガ手段30となっている。この実
施例では各レーザヘッド25〜27が上記1組の電源2
8.29を共用しているので、発振するレーザビームω
1〜ω3は時間的に同期されたものとなる。
〔発明の効果〕
このように、本発明に係るイオンビーム発生装置によれ
ば、イオン化されるべき物質をレーザビームの照射によ
りその基底状態から自動電離状態に共鳴光励起し、該励
起蒸気が所定の遷移確率で自動電離してイオン状態にな
るようにしたので、イオン化効率及びイオンの選択性を
大きく向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はマグネシウム中性原子のシングレット系のエネ
ルギ状態図、第2図は本発明の第1の実施例によるシャ
ワー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第3図は本
発明の第2の実施例による集束型イオンビーム発生装置
の概略構成図、第4図ハ本発明の第3の実施例によるイ
オンビーム発生装置のレーザビーム発振器のブロック図
、第5図は本発明の第4の実施例によるイオンビーム発
生装置のレーザビーム発振器のブロック図である。 代理人 大岩増雄 1 第1図 エ ネ Iし 式 () 第4図 第5図 0 手続補正書(自発) 1、事件の表示 特願昭59−66898号3、補正を
する者 代表者片山仁八部 5、?ili正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄1図面の簡単な説明の欄
、及び図面(第1図) 6、?ii正の内容 ill 明細書第4頁第5〜6行の「該物質のシュタル
ク効果によりイオン化できる自動電離状態」を「該物質
の自動電離状態」に訂正する。 (2)同第13頁第7行の「マグネシウム」を「アルミ
ニウム」に訂正する。 (3) 第1図を別紙の通り訂正する。 以 上 第1図 (cm″) 基々54大態1、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 +11 イオン化されるべき物質を収容する容器と、該
    容器内の上記物質にレーザビームを照射するレーザビー
    ム発生部とを備え、上記物質のイオンビームを発生する
    装置において、上記レーザビーム発生部はレーザ発振の
    トリガとなる電気信号を発生するトリガ手段と、上記物
    質をエネルギ準位の基底状態から自動電離状態に共鳴光
    励起するような波長を有するレーザビームを発生するレ
    ーザとからなるものであることを特徴とするイオンビー
    ム発生装置。 (2ン 上記レーザビーム発生部は、上記物質を基底状
    態から中間状態を経て上記自動電離状態に階段状に共鳴
    光励起するような波長の異なる複数のレーザビームをそ
    のトリガ手段からの1つのトリガパルスによって相互に
    時間同期して発生するものであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のイオンビーム発生装置。 (3) 上記レーザビーム発生部として、波長可変レー
    ザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
    第2項記載のイオンビーム発生装置。 (4)上記レーザビーム発生部として、自由電子レーザ
    を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
    2項記載のイオンビーム発生装置。 (5) 上記レーザビーム発生部のトリガ手段は、複数
    のレーザの各々に1つのトリガパルスを与えるトリガパ
    ルス発生器であることを特徴とする特許請求の範囲第2
    項記載のイオンビーム発生装置。 (6)上記レーザビーム発生部のトリガ手段は、複数の
    レーザヘッドを駆動する1つのフラッシュランプ電源と
    1つのボッケルセル電源とからなることを特徴とする特
    許請求の範囲第2項記載のイオンビーム発生装置。 (7) 上記物質は、固体又は液体の物質を加熱気化し
    て生成された蒸気として上記容器に導入されることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれか
    に記載のイオンビーム発生装置。
JP59066898A 1984-04-02 1984-04-02 イオンビ−ム発生装置 Pending JPS60208038A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59066898A JPS60208038A (ja) 1984-04-02 1984-04-02 イオンビ−ム発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59066898A JPS60208038A (ja) 1984-04-02 1984-04-02 イオンビ−ム発生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60208038A true JPS60208038A (ja) 1985-10-19

Family

ID=13329207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59066898A Pending JPS60208038A (ja) 1984-04-02 1984-04-02 イオンビ−ム発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60208038A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178779A (ja) * 1986-01-30 1987-08-05 Toshiba Corp Rf型イオン・スラスタ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178779A (ja) * 1986-01-30 1987-08-05 Toshiba Corp Rf型イオン・スラスタ
JPH07101029B2 (ja) * 1986-01-30 1995-11-01 株式会社東芝 Rf型イオン・スラスタ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4149077A (en) Method for separation and enrichment of lithium isotopes by laser
US4692627A (en) Ion beam generator
JPS60208038A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPH0368420A (ja) レーザー同位体分離装置
JPS60208035A (ja) イオンビ−ム発生装置
US4716295A (en) Ion beam generator
JPS60235345A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60208025A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235341A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235346A (ja) イオンビ−ム発生装置
US4628513A (en) Tunable indium UV anti-Stokes Raman laser
JPS60208034A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60208036A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60211752A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60208033A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60208037A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS6127038A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235342A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS6127040A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235339A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235347A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235338A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235340A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235337A (ja) イオンビ−ム発生装置
JPS60235348A (ja) イオンビ−ム発生装置