JPS60208025A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
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- JPS60208025A JPS60208025A JP59066892A JP6689284A JPS60208025A JP S60208025 A JPS60208025 A JP S60208025A JP 59066892 A JP59066892 A JP 59066892A JP 6689284 A JP6689284 A JP 6689284A JP S60208025 A JPS60208025 A JP S60208025A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 33
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 36
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 12
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005283 ground state Effects 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 239000003574 free electron Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/24—Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質。
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関するも
のである。
のである。
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発注方法とし
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には2つあり、1つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の1つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には2つあり、1つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の1つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイオンビー
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できるリュードベルグ状態(R
ydberg leνel )又はこれに近い高励起状
態を使うことにより、従来の共鳴光励起、イオン化方式
に比べ入力光エネルギに対するイオン化効率を数桁以上
向上でき、かつ選択イオン化における選択性に優れたイ
オンビーム発生装置を提供することを目的としている。
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質のシュタ
ルク効果によりイオン化できるリュードベルグ状態(R
ydberg leνel )又はこれに近い高励起状
態を使うことにより、従来の共鳴光励起、イオン化方式
に比べ入力光エネルギに対するイオン化効率を数桁以上
向上でき、かつ選択イオン化における選択性に優れたイ
オンビーム発生装置を提供することを目的としている。
まず本発明装置におけるイオン化方法をマグネシウムイ
オンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比
較しつつ説明する。第1図はマグネシウム中性原子のエ
ネルギ準位図である。
オンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比
較しつつ説明する。第1図はマグネシウム中性原子のエ
ネルギ準位図である。
従来のイオン化方法は、例えば波長が2853人。
5528人の2本のレーザビームBl、B2をイオン化
させたいマグネシウム蒸気に照射する方法であり、即ち
基底状態3s(13)にあるマグネシウム原子をまず2
853人のレーザビームB1により第1励起状態3p(
’PO)に共鳴励起し、その後5528人のレーザビー
ムB2によりエネルギ準位3d (I D)に共鳴励起
し、さらに2853人のレーザビ一ムB1でイオン化さ
せるものである。
させたいマグネシウム蒸気に照射する方法であり、即ち
基底状態3s(13)にあるマグネシウム原子をまず2
853人のレーザビームB1により第1励起状態3p(
’PO)に共鳴励起し、その後5528人のレーザビー
ムB2によりエネルギ準位3d (I D)に共鳴励起
し、さらに2853人のレーザビ一ムB1でイオン化さ
せるものである。
本発明装置におけるイオン化方法が上記従来のイオン化
方法と異なる点は、マグネシウム蒸気を第1励起状態3
p(’P’)からシュタルク効果によりイオン化できる
リュードベルグ状113d(ID)又はこれに近い高励
起状態に励起し、さらに該励起蒸気に電界を印加してイ
オン化する点にある。例えば、リュードベルグ状態13
d(ID)にする場合は波長3859人のレーザビーム
B3によりリュードベルグ状態に共鳴励起させ、さらに
該励起蒸気をイオン化するには該蒸気に例えば火成で示
される電界をレーザビームB3と共に即用することによ
り、この励起状態からシュタルク幼果によりイオン化を
行なうものである。
方法と異なる点は、マグネシウム蒸気を第1励起状態3
p(’P’)からシュタルク効果によりイオン化できる
リュードベルグ状113d(ID)又はこれに近い高励
起状態に励起し、さらに該励起蒸気に電界を印加してイ
オン化する点にある。例えば、リュードベルグ状態13
d(ID)にする場合は波長3859人のレーザビーム
B3によりリュードベルグ状態に共鳴励起させ、さらに
該励起蒸気をイオン化するには該蒸気に例えば火成で示
される電界をレーザビームB3と共に即用することによ
り、この励起状態からシュタルク幼果によりイオン化を
行なうものである。
E (V/am) =0.3125X109 ・n−4
ここでnはリュードベルグ状態の有効主量子数である。
ここでnはリュードベルグ状態の有効主量子数である。
この発明装置におけるイオン化方法の場合、従来のイオ
ン化方法がエネルギ準位3d(ID)から直接イオン化
させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁以上
高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さくてす
み、しかも完全に共鳴のみを使うためレーザビームのエ
ネルギ準位。
ン化方法がエネルギ準位3d(ID)から直接イオン化
させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁以上
高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さくてす
み、しかも完全に共鳴のみを使うためレーザビームのエ
ネルギ準位。
波長を不純物原子のそれらと一致しないように選択すれ
ばイオン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純
度の高いものができる。
ばイオン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純
度の高いものができる。
また上記レーザビームの波長や電界強度を変えることに
より、容易に他種の物質のイオンビームを発生すること
ができ、この場合イオン化される多種の物質を前もって
イオンビーム発生容器内に導入しておいても良い。この
ように発生するイオンビームの種類を容易に変えること
ができる本発明の手法は従来の方法にないものであり、
イオンビームで処理する2つ以上の行程を連続して行な
うことができる利点がある。
より、容易に他種の物質のイオンビームを発生すること
ができ、この場合イオン化される多種の物質を前もって
イオンビーム発生容器内に導入しておいても良い。この
ように発生するイオンビームの種類を容易に変えること
ができる本発明の手法は従来の方法にないものであり、
イオンビームで処理する2つ以上の行程を連続して行な
うことができる利点がある。
次にこの発明の実施例を図について説明する。
第2図は本願の第1の発明の第1の実施例を示す。図に
おいて、1はイオン化されるべき物質が導入される容器
、1aは上記物質を該容器1内に導入するためのガス導
入孔、1bはガス排出孔、3a、3bは図示しないレー
ザビーム発生部からのレーザビームBl、B3を上記容
器1内に導入する窓であり、該容器1内のレーザビーム
Bl。
おいて、1はイオン化されるべき物質が導入される容器
、1aは上記物質を該容器1内に導入するためのガス導
入孔、1bはガス排出孔、3a、3bは図示しないレー
ザビーム発生部からのレーザビームBl、B3を上記容
器1内に導入する窓であり、該容器1内のレーザビーム
Bl。
B3が交差する空間はイオン生成空間4となっている。
なお上記レーザビーム発生部としては、波長可変レーザ
又は自由電子レーザ等のレーザが用いられる。
又は自由電子レーザ等のレーザが用いられる。
5.6は上記イオン生成室lB14を挟んで配置された
電極、5a、6aは上記電極5.6に電圧を印加する端
子であり、これらは上記イオン生成空間4に上記物質を
イオン化するためのイオン化電界を印加する電界発生部
15を構成している。8は試料、8aは該試料8を保持
する試料台であり、該試料台8aと上記電極6との間に
は直流電圧が印加され、これによりイオン化された物質
をイオンビームとして引き出すための引き出し電界が発
生される。なお、上記イオン化電界が上記引き出し電界
を兼ねるようにしてもよい。
電極、5a、6aは上記電極5.6に電圧を印加する端
子であり、これらは上記イオン生成空間4に上記物質を
イオン化するためのイオン化電界を印加する電界発生部
15を構成している。8は試料、8aは該試料8を保持
する試料台であり、該試料台8aと上記電極6との間に
は直流電圧が印加され、これによりイオン化された物質
をイオンビームとして引き出すための引き出し電界が発
生される。なお、上記イオン化電界が上記引き出し電界
を兼ねるようにしてもよい。
次に動作について説明する。
本実施例装置により、マグネシウムのイオンビームを発
生する場合を考える。まず容器1にガス導入孔1aより
マグネシウム蒸気10を導入する。
生する場合を考える。まず容器1にガス導入孔1aより
マグネシウム蒸気10を導入する。
そして上記レーザビーム発生部が発振し、これにより波
長2853人のレーザビームB1が窓3aを介して上記
容器1に導入され、また3859人のレーザビームB3
が窓3bを介して同様に導入され、両ビームBl、B3
が容器1内のイオン生成空間4において交差し、これに
より上記マグネシウム蒸気10は、2853人のレーザ
ビームB1により基底状態3s(Is)から第1励起状
態3p(IPO)に共鳴励起され、さらに3859人の
レーザビームB3により上記第1励起状態3p(IPO
)がらりュードベルグ状fi13d(10)に階段状に
共鳴励起される。
長2853人のレーザビームB1が窓3aを介して上記
容器1に導入され、また3859人のレーザビームB3
が窓3bを介して同様に導入され、両ビームBl、B3
が容器1内のイオン生成空間4において交差し、これに
より上記マグネシウム蒸気10は、2853人のレーザ
ビームB1により基底状態3s(Is)から第1励起状
態3p(IPO)に共鳴励起され、さらに3859人の
レーザビームB3により上記第1励起状態3p(IPO
)がらりュードベルグ状fi13d(10)に階段状に
共鳴励起される。
また上記レーザ発振と時間的に同期して電極5と電極6
の各々に端子5a、6aがら電圧が印加され、これによ
り、上記リュードヘルグ状憇13d (I D)にある
マグネシウム蒸気1oに電界が印加され、その結果マグ
ネシウム蒸気1oはシュタルク効果によりイオン化され
る。また上記電極6と試料台8aとの間には直流電圧が
印加されており、これにより上記イオン化されたマグネ
シウム蒸気10はマグネシウムのイオンのみからなるイ
オンビーム9として引き出され、該イオンビーム9は上
記試料8に照射される。
の各々に端子5a、6aがら電圧が印加され、これによ
り、上記リュードヘルグ状憇13d (I D)にある
マグネシウム蒸気1oに電界が印加され、その結果マグ
ネシウム蒸気1oはシュタルク効果によりイオン化され
る。また上記電極6と試料台8aとの間には直流電圧が
印加されており、これにより上記イオン化されたマグネ
シウム蒸気10はマグネシウムのイオンのみからなるイ
オンビーム9として引き出され、該イオンビーム9は上
記試料8に照射される。
以上の動作説明における本実施例の特徴を示すと、まず
第1に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器1内にイオン化させ
るべき物質、この場合マグネシウム、以外の不純物、酸
素1M素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
がマグネシウムより多くても、レーザビームのエネルギ
準位。
第1に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器1内にイオン化させ
るべき物質、この場合マグネシウム、以外の不純物、酸
素1M素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
がマグネシウムより多くても、レーザビームのエネルギ
準位。
波長を上記不純物等のそれらと一致させないようにして
希望の元素、この場合はマグネシウム、のみがイオン化
された純粋なマグネシウムイオンビームが得られる。
希望の元素、この場合はマグネシウム、のみがイオン化
された純粋なマグネシウムイオンビームが得られる。
第2に本実施例は上述のとおり、選択イオン化を行なう
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料8、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料8、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
第3にイオンビームの種類や特性を変える場合はレーザ
ビームの波長及び印加電圧を変えれば良く、従来のよう
な試料を取り出したり、イオン源部を交換するために容
器を開閉したりする必要はなく、従って、イオン注入と
アニーリング等の連続動作が容易にできる。
ビームの波長及び印加電圧を変えれば良く、従来のよう
な試料を取り出したり、イオン源部を交換するために容
器を開閉したりする必要はなく、従って、イオン注入と
アニーリング等の連続動作が容易にできる。
第3図は本願の第1の発明の第2の実施例を示す。図に
おいて、第2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、
13はイオン化させるべき物質12を収容するオープン
、13aは上記オープン13の外周に設けられたヒータ
、11はイオン化されたマグネシウム蒸気10を容器1
の軸心に集束せしめるマグネット、14は上記集束され
たマグネシウム蒸気10をイオンビーム9として引き出
す引き出し電極である。
おいて、第2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、
13はイオン化させるべき物質12を収容するオープン
、13aは上記オープン13の外周に設けられたヒータ
、11はイオン化されたマグネシウム蒸気10を容器1
の軸心に集束せしめるマグネット、14は上記集束され
たマグネシウム蒸気10をイオンビーム9として引き出
す引き出し電極である。
次に動作について説明する。
オープン13内にイオン化させる物質であるマグネシウ
ム12を入れ、ヒータ13aによりオープン13を加熱
すると上記マグネシウム12が溶融、気化してマグネシ
ウム蒸気10が発生し、該蒸気10はガス導入孔1aを
通って容器l内に導入される。そして2853人のレー
ザビームB1と3859人のレーザビームB3が各々窓
3a、3bを介して上記容器l内に導入されて上記蒸気
10に照射され、また同時に電極5,6に電圧が印加さ
れて上記蒸気10に電界が印加される。するとこれによ
り蒸気10は基底状態3s(’S)から第1励起状態3
p(’P’)を経てリュードベルグ状態13d(ID)
に階段状に励起され、さらにシュタルク効果によりリュ
ードベルグ状態13d(ID)にあるマグネシウム蒸気
10の電子が自由電子となり、これによりイオン生成空
間4にマグネシウムイオンが生成され、該マグネシウム
イオンはマグネット11により軸心に集束された後、引
き出し電極14によってイオンビーム9として放出され
る。
ム12を入れ、ヒータ13aによりオープン13を加熱
すると上記マグネシウム12が溶融、気化してマグネシ
ウム蒸気10が発生し、該蒸気10はガス導入孔1aを
通って容器l内に導入される。そして2853人のレー
ザビームB1と3859人のレーザビームB3が各々窓
3a、3bを介して上記容器l内に導入されて上記蒸気
10に照射され、また同時に電極5,6に電圧が印加さ
れて上記蒸気10に電界が印加される。するとこれによ
り蒸気10は基底状態3s(’S)から第1励起状態3
p(’P’)を経てリュードベルグ状態13d(ID)
に階段状に励起され、さらにシュタルク効果によりリュ
ードベルグ状態13d(ID)にあるマグネシウム蒸気
10の電子が自由電子となり、これによりイオン生成空
間4にマグネシウムイオンが生成され、該マグネシウム
イオンはマグネット11により軸心に集束された後、引
き出し電極14によってイオンビーム9として放出され
る。
第4図は本願の第1の発明の第3の実施例によるイオン
ビーム発生装置におけるレーザ発振装置の構成例である
。
ビーム発生装置におけるレーザ発振装置の構成例である
。
本発明におけるイオン生成のためのレーザビームと電界
とは時間的に同期される必要があり、また階段状に元素
を励起させるためには複数の各々特定周波数のレーザビ
ームが必要であり、該複数のレーザビームももちろん同
期させる必要がある訳であるが、第4図はその同期方法
の一例を示すものである。
とは時間的に同期される必要があり、また階段状に元素
を励起させるためには複数の各々特定周波数のレーザビ
ームが必要であり、該複数のレーザビームももちろん同
期させる必要がある訳であるが、第4図はその同期方法
の一例を示すものである。
本レーザ発振装置2oは、3台の波長可変のダイレーザ
22,23.24と、該各ダイレーザ22〜24を励起
するための励起源レーザ21と、ハーフミラ−25,2
6、全反射ミラー27とから構成されている。このよう
に励起源を1台のレーザ1で構成したことにより、発振
するレーザビームω1.ω2.ω3は時間的に同期され
たものとなる。そして上記励起源レーザ21の発振と、
上記電極5,6への電圧印加を同時に行なうことにより
、レーザビームと電界とを時間的に同期できることとな
る。
22,23.24と、該各ダイレーザ22〜24を励起
するための励起源レーザ21と、ハーフミラ−25,2
6、全反射ミラー27とから構成されている。このよう
に励起源を1台のレーザ1で構成したことにより、発振
するレーザビームω1.ω2.ω3は時間的に同期され
たものとなる。そして上記励起源レーザ21の発振と、
上記電極5,6への電圧印加を同時に行なうことにより
、レーザビームと電界とを時間的に同期できることとな
る。
なお上記第1の発明の各実施例では、イオン化させるべ
き物質をリュードベルグ状態に励起した後イオン化する
ようにした場合について説明したが、本願の第2の発明
では上記物質をリュードベルグ状態より少し低く、かつ
シュタルク効果によってイオン化できる高励起状態に励
起し、しかる後該物質に電界を印加してイオン化するよ
うにすればよく、このようにしても上記第1の発明の各
実施例と略同様の効果を奏する。
き物質をリュードベルグ状態に励起した後イオン化する
ようにした場合について説明したが、本願の第2の発明
では上記物質をリュードベルグ状態より少し低く、かつ
シュタルク効果によってイオン化できる高励起状態に励
起し、しかる後該物質に電界を印加してイオン化するよ
うにすればよく、このようにしても上記第1の発明の各
実施例と略同様の効果を奏する。
このように、本発明に係るイオンビーム発生装置によれ
ば、イオン化されるべき物質をレーザビームの照射によ
りその基底状態からりュードベルグ状態又はこれに近い
高励起状態に共鳴光励起し、さらに上記物質を電界の印
加により該励起状態からイオン状態にするようにしたの
で、イオン化効率及びイオンの選択性を大きく向上でき
る効果がある。
ば、イオン化されるべき物質をレーザビームの照射によ
りその基底状態からりュードベルグ状態又はこれに近い
高励起状態に共鳴光励起し、さらに上記物質を電界の印
加により該励起状態からイオン状態にするようにしたの
で、イオン化効率及びイオンの選択性を大きく向上でき
る効果がある。
第1図はマグネシウム中性原子のシングレット系のエネ
ルギ状態図、第2図は第1の発明の第1の実施例による
シャワー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第3図
は第1の発明の第2の実施例による集束型イオンビーム
発生装置の概略構成図、第4図は第1の発明の第3の実
施例によるイオンビーム発生装置のレーザビーム発振器
のブロック図である。 1・・・容器、15・・・電界発生部、20・・・レー
ザビーム発生部、B1〜B3・・・レーザビーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 ! 〇− 第3図 第4図 手続補正書(自発) 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭59−66892号2、発明の
名称 イオンビーム発生装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名 称
(601)三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号5、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書第4頁第20行のrllydberg
1evel」をrRydberg 5tate Jに訂
正する。 (2) 同第6頁第2行の「からシュタルク」を[から
、シュタルクJに訂正する。 (3)同第9頁第13行の「同期して電極」を「同期し
1μsec程度遅れて電極」に訂正する。 (4) 同第12頁第6行の「同時に電極」を「同時に
1μsec程度遅れて電極」に訂正する。 以 上
ルギ状態図、第2図は第1の発明の第1の実施例による
シャワー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第3図
は第1の発明の第2の実施例による集束型イオンビーム
発生装置の概略構成図、第4図は第1の発明の第3の実
施例によるイオンビーム発生装置のレーザビーム発振器
のブロック図である。 1・・・容器、15・・・電界発生部、20・・・レー
ザビーム発生部、B1〜B3・・・レーザビーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 ! 〇− 第3図 第4図 手続補正書(自発) 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭59−66892号2、発明の
名称 イオンビーム発生装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名 称
(601)三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号5、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書第4頁第20行のrllydberg
1evel」をrRydberg 5tate Jに訂
正する。 (2) 同第6頁第2行の「からシュタルク」を[から
、シュタルクJに訂正する。 (3)同第9頁第13行の「同期して電極」を「同期し
1μsec程度遅れて電極」に訂正する。 (4) 同第12頁第6行の「同時に電極」を「同時に
1μsec程度遅れて電極」に訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) イオン化されるべき物質を収容する容器と該容
器内の上記物質にレーザビームを照射するレーザビーム
発生部と、上記容器内の上記物質に電界を印加する電界
発生部とを備え、上記物質のイオンビームを発生する装
置において、上記レーザビーム発生部は上記物質をエネ
ルギ準位の基底状態からりュードベルグ状態に共鳴光励
起するような波長を有するレーザビームを発生するもの
であり、□上記電界発生部は上記物質をシュタルク効果
によりリュードベルグ状態からイオン状態とする電界を
発生するものであることを特徴とするイオンビーム発生
装置。 (2)上記レーザビーム発生部は、上記物質を基底状態
から中間状態を経て上記リュードベルグ状態に階段状に
共鳴光励起するような波長の異なる複数のレーザビーム
を発生するものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のイオンビーム発生装置。 (3)上記レーザビーム発生部として、波長可変レーザ
な用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
2項記載のイオンビーム発生装置。 (夷 上記レーザビーム発生部として、自由電子レーザ
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
2項記載のイオンビーム発生装置。 (5) 上記レーザビーム発生部は、1つの励起源レー
ザと、該励起源レーザからのレーザビームで励起される
相互に時間同期可能な複数の色素レーザとからなること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載のイオンビーム
発生装置。 (6)上記物質は、固体又は液体の物質を加熱気化して
生成された蒸気として上記容器に導入されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに
記載のイオンビーム発生装置。 (7) 上記電界は、上記イオン化された物質をイオン
ビームとして引き出すための引き出し電界を兼ねている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6項の
いずれかに記載のイオンビーム発生装置。 (8) イオン化されるべき物質を収容する容器と、該
容器内の上記物質にレーザビームを照射するレーザビー
ム発生部と、上記容器内の上記物質に電界を印加する電
界発生部とを備え、上記物質のイオンビームを発生する
装置において、上記レーザビーム発生部は上記物質をエ
ネルギ準位の基底状態からりュードベルグ状態に近い高
励起状態に共鳴光励起するような波長を有するレーザビ
ームを発生するものであり、上記電界発生部は上記物質
をシュタルク効果により上記高励起状態からイオン状態
とする電界を発生するものであることを特徴とするイオ
ンビーム発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59066892A JPS60208025A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59066892A JPS60208025A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60208025A true JPS60208025A (ja) | 1985-10-19 |
JPH0512813B2 JPH0512813B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=13329017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59066892A Granted JPS60208025A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60208025A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106842095A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-06-13 | 山西大学 | 基于里德堡原子量子相干效应的射频电场校对方法及装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5022999A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59066892A patent/JPS60208025A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5022999A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106842095A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-06-13 | 山西大学 | 基于里德堡原子量子相干效应的射频电场校对方法及装置 |
CN106842095B (zh) * | 2017-01-06 | 2019-06-28 | 山西大学 | 基于里德堡原子量子相干效应的射频电场校对方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0512813B2 (ja) | 1993-02-19 |
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