JPS60235339A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents

イオンビ−ム発生装置

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JPS60235339A
JPS60235339A JP59093487A JP9348784A JPS60235339A JP S60235339 A JPS60235339 A JP S60235339A JP 59093487 A JP59093487 A JP 59093487A JP 9348784 A JP9348784 A JP 9348784A JP S60235339 A JPS60235339 A JP S60235339A
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JP
Japan
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laser
ion beam
substance
excited
laser beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP59093487A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Ueda
植田 至宏
Koichi Ono
高一 斧
Tatsuo Omori
達夫 大森
Shigeto Fujita
重人 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32321Discharge generated by other radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/24Ion sources; Ion guns using photo-ionisation, e.g. using laser beam

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体加工装置をはじめ材料改質。
材料合成等に使われるイオンビーム発生装置に関するも
のである。
〔従来技術〕
従来、イオンビーム発生装置によるイオン発生方法とし
ては、種々の手法が考えられ実用化されて来た。その大
部分は放電を利用したものであったが、近年レーザ光を
使ったイオン源が考え出されて来ている。このレーザ光
等の光を使った方式には2つあり、1つはレーザ光を金
属等の固体に照射してそのプラズマをイオン源として使
ったり、レーザ光を集光して気体、液体に照射してプラ
ズマを作り、これをイオン源としたりするものであり、
他の1つは波長の可変な光源を使い、レーザ光等の単一
波長を対象とするイオン化されるべき物質のエネルギ準
位に共鳴させて該物質をイオン化させるものであり、本
発明は後者に関するものである。
〔発明の概要〕
本発明は、上記共鳴光励起、イオン化方式のイオンビー
ム発生装置において、イオン化させる物質の共鳴光励起
にてイオン化させる直前の状態として、該物質の自動電
離状D (Autoionizationlevel 
)を使うことにより、従来の共鳴光励起。
イオン化方式に比べ入力光エネルギに対するイオン化効
率を数桁以上向上でき、かつ選択イオン化における選択
性に優れたイオンビーム発生装置を提供することを目的
としている。
〔発明の実施例〕
まず本発明装置におけるイオン化方法をアルミニウムイ
オンビームを発生する場合を例にとって従来の方法と比
較しつつ説明する。第1図はアルミニウム中性原子のエ
ネルギ準位図である。
従来のイオン化方法は、例えば波長が3082人。
6200人の2本のレーザビームBl、B2をイオン化
させたいアルミニウム蒸気に照射する方法であり、即ち
基底状態3p(2PO)にあるアルミニウム原子をまず
3082人のレーザビームB1により第1励起状態3d
(2D)に共鳴励起し、その後6200人のレーザビー
ムB2によりイオン化させるものである。
本発明装置におけるイオン化方法が、上記従来のイオン
化方法と異なるのは共鳴励起のみを用いている点であり
、イオン化させるべき物質をその基底状態から自動電離
状態に1本のレーザビームにより直接共鳴励起させるか
又は2本以上のレーザビームにより階段状に共鳴励起せ
しめるものである。」−記アルミニウム蒸気をイオン化
せしめる場合は、波長3440人のレーザビームB3に
より基底状態から2電子励起状態3s3p2 (4P)
に共鳴励起し、同時に波長3050人のレーザビームB
4により該励起状態から自動電離状態3s3p4s(4
PO)に励起させ、該自動電離状態333p4sにおい
て、所定の遷移確率でもって自動電離、イオン化させる
ものである。
この発明装置にあけるイオン化方法の場合、従来のイオ
ン化方法がエネルギ準位3d(2D)等から直接イオン
化させるのに比べ、イオン化させる衝突断面積が数桁以
上高い。従ってレーザビームの出力エネルギが小さくて
すみ、しかも完全に共鳴のみを使うためレーザビームの
エネルギ準位。
波長を不純物原子のそれらと一致しないように選択すれ
ばイオン化させたい物質のみをイオン化でき、しかも純
度の高いものができる。
また上記レーザビームの波長を変えることにより、容易
に他種の物質のイオンビームを発生することができ、こ
の場合イオン化される多種の物質を前もってイオンビー
ム発生容器内に導入しておいても良い。このように発生
するイオンビームの種類を容易に変えることができる本
発明の手法は従来の方法にないものであり、イオンビー
ムで処理する2つ以上の行程を連続して行なうことがで
きる利点がある。
次にこの発明の実施例を図について説明する。
第2図ないし第4図は本発明の第1の実施例を示す。ま
ず、本実施例装置の概略構成を示す第2図において、1
はイオン化されるべき物質が導入される容器、1aは上
記物質を該容器1内に導入するためのガス導入孔、■b
はガス排出孔、3a。
3bは第3図に示すレーザビーム発生部20からのレー
ザビームB3.B4を上記容器1内に導入する窓であり
、該容器1内のレーザビームB3゜B4が交差する空間
はイオン生成空間4となっている。
6は上記イオン生成空間4の下部に配設された電極、6
aは該電極6に電圧を印加する端子、8は試料、8aは
該試料8を保持する試料台であり、該試料台8aと上記
電極6との間には直流電圧が印加され、これによりイオ
ン化された物質をイオンビームとして引き出すための電
界が発生される。
第3図は本実施例装置のし〜ザビーム発生部であるレー
ザ発振装置の構成例を、第4図はその色素セル部を示す
本発明において元素を階段状に励起させるためには複数
の各々特定周波数のレーザビームが必要であり、該複数
のレーザビームを同期させる必要がある訳であるが、第
3図及び第4図のレーザ発振装置20はこのような同期
ができる。ものである。
図において、21はレーザ発振装置20の反射鏡セル、
22は2個の色素セル、23は1本のフラッシュランプ
、24は鏡、25は平面鏡、26は回折格子、B3.B
4はレーザビームである。
次に動作について説明する。
本実施例装置により、アルミニウムのイオンビームを発
生する場合を考える。まず容器1にガス導入孔1aより
アルミニウム蒸気10を導入する。
そして上記し〜ザ発振装置20において1本のフランシ
ュランプ23により2個の色素セル22が励起され、こ
れにより波長の異なる色素レーザビームB3.B4が同
期して発振される。すると波長3440人のレーザビー
ムB3が窓3aを介して上記容器1に導入され、また3
050人のレーザビームB4が窓3bを介して同様に導
入され、両ビームB3.B4が容器1内のイオン生成空
間4において交差し、これにより上記アルミニウム蒸気
10は、3440人のレーザビームB3により基底状態
から2電子励起状態3S3p2に共鳴励起され、さらに
3050人のレーザビームB4により上記2電子励起状
態3S3p2から自動電離状態3S3p4Sに階段状に
共鳴励起され、これにより該励起蒸気は所定の遷移確率
でもってイオン状態となる。
また上記電極6と試料台8aとの間には直流電圧が印加
されており、これにより上記イオン化されたアルミニウ
ム蒸気10はアルミニウムのイオンのみからなるイオン
ビーム9として引き出され、該イオンビーム9は上記試
料8に照射される。
以上の動作説明における本実施例の特徴を示すと、まず
第1に本実施例は完全に共鳴のみを用いて選択イオン化
を行なうものであるので、上記容器l内にイオン化させ
るべき物質、この場合アルミニウム、以外の不純物、酸
素、窒素、炭素、水素等が含まれていて、しかもその量
がアルミニウムより多くても、レーザビームのエネルギ
準位。
波長を上記不純物等のそれらと一致させないようにして
希望の元素、この場合はアルミニウム、のみがイオン化
された純粋なアルミニウムイオンビームが得られる。
第2に本実施例は上述のとおり、選択イオン化を行なう
ものであり、かつ共鳴光励起によるイオン化を行なうも
のであるので、電子や他の元素が励起されたり、エネル
ギ吸収により温度上昇したりすることはなく、その結果
イオンビームを照射する対象試料8、例えば半導体の場
合は基板、の温度を上昇させることはなく、低温処理が
できる。
第3にイオンビームの種類や特性を変える場合はレーザ
ビームの波長を変えれば良く、従来のような試料を取り
出したり、イオン源部を交換するために容器を開閉した
りする必要はなく、従って、イオン注入とアニーリング
等の連続動作が容易にできる。
第5図は本発明の第2の実施例を示す。図において、第
2図と同一符号は同−又は相当部分を示し、13はイオ
ン化させるべき物質12を収容するオーブン、13aは
上記オーブン13の外周に設けられたヒータ、11はイ
オン化されたアルミニウム蒸気10を容器1の軸心に集
束せしめるマグネット、14は上記集束されたアルミニ
ウム蒸気10をイオンビーム9として引き出す引き出し
電極である。
次に動作について説明する。
オーブン13内にイオン化させる物質であるアルミニウ
ム12を入れ、ヒータ13aによりオーブン13を加熱
すると上記アルミニウム12が溶融、気化してアルミニ
ウム蒸気10が発生し、該茎気10はガス導入孔1aを
通って容器1内に導入される。そして3440人のレー
ザビームB3,3050人のレーザビームB4が各々窓
3a、3bを介して上記容器1内に導入されて上記蒸気
10に照射される。するとこれにより蒸気10は基底状
態から2電子励起状態3s3p2を経て自動電離状態3
 s 3 p 4 ”に階段状に励起され、その結果該
励起蒸気が所定の遷移確率で自動電離されてイオン生成
空間4にアルミニウムイオンが生成され、該アルミニウ
ムイオンはマグネット11により軸心に集束された後、
引き出し電極14によってイオンビーム9として放出さ
れる。
なお、上記実施例ではレーザビームB3.B4の波長を
異なるものとするために、上記2個の色素セル22とし
て異なる色素のものを使用したが、これとは逆に該2個
の色素セル22として同じ色素のものを使用し、平面鏡
25と回折格子26との配位角θ1.θ2により波長を
相互に変えたりすることができ、このようにしてもイオ
ン化させる物質に共鳴させる波長を選択でき、かつ各レ
ーザビームを相互に時間同期でき、その結果物質を階段
状に励起できる。
また、上記実施例では、フラッシュランプにより励起さ
れる発振用レーザが色素レーザである場合について説明
したが、この発振用レーザとしては、アレキサンドライ
トレーザ等の固体レーザ。
波長可変レーザを用いることもできる。
〔発明の効果〕
このように、本発明に係るイオンビーム発生装置によれ
ば、イオン化されるべき物質をレーザビームの照射によ
りその基底状態から自動電離状態に共鳴光励起し、該励
起蒸気が所定の遷移確率で自動電離してイオン状態にな
るようにしたので、イオン化効率及びイオンの選択性を
大きく向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はアルミニウム中性原子のシングレット系のエネ
ルギ状態図、第2図は本発明の第1の実施例によるシャ
ワー型イオンビーム発生装置の概略構成図、第3図はそ
のレーザビーム発生部の概略構成図、第4図はその色素
セル部分を示し、第4図+a)はその断面平面図、第4
図fb)はその断面正面図、第5図は本発明の第2の実
施例による集束型イオンビーム発生装置の概略構成図で
ある。 1.13・・・容器、20・・・レーザビーム発生部、
22・・・レーザ、23・・・フラッシュランプ、B1
〜B4・・・レーザビーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 ↑ 工 子 iし へ (c m”) 第3図 第4図 第5図 1

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)イオン化されるべき物質を収容する容器と、該容
    器内の上記物質にレーザビームを照射するレーザビーム
    発生部とを備え、上記物質のイオンビームを発生する装
    置において、上記レーザビーム発生部はフラッシュラン
    プと、これにより励起され上記物質をエネルギ準位の基
    底状態から自動電離状態に共鳴光励起するような波長を
    有するレーザビームを発生するレーザとからなるもので
    あることを特徴とするイオンビーム発生装置。
  2. (2)上記レーザビーム発生部は、上記物質を基底状態
    から中間状態を経て上記自動電離状態に階段状に共鳴光
    励起するような波長の異なる複数のレーザビームを発生
    するものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載のイオンビーム発生装置。
  3. (3)上記レーザビーム発生部は、1つのフラ・ノンユ
    ランプと、該フラッシュランプからの光により励起され
    る相互に時間同期可能な複数のレーザ発振セルとからな
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記
    載のイオンビーム発生装置。
  4. (4)上記レーザビーム発生部のレーザとして、波長可
    変レーザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項ないし第3項のいずれかに記載のイオンビーム発生装
    置。
  5. (5)上記レーザビーム発生部のレーザとして、色素レ
    ーザを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項な
    いし第3項のいずれかに記載のイオンビーム発生装置。
  6. (6) 上記レーザビーム発生部のレーザとして、アレ
    キサンドライトレーザ等の固体レーザ又は該固体レーザ
    からの高調波によって励起される色素レーザのいずれか
    一方又は両方を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項ないし第3項のいずれかに記載のイオンビーム発
    生装置。
  7. (7) 上記各レーザビームの各々の位相が相互に時間
    的に同期することを特徴とする特許請求の範囲第2項記
    載のイオンビーム発生装置。
  8. (8)上記物質は、固体又は液体の物質を加熱気化して
    生成された蒸気として上記容器内に導入されることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項ないし第7項のいずれか
    に記載のイオンビーム発生装置。
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