KR0170391B1 - 피처리체 처리장치 및 처리방법 - Google Patents

피처리체 처리장치 및 처리방법 Download PDF

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KR0170391B1
KR0170391B1 KR1019900008899A KR900008899A KR0170391B1 KR 0170391 B1 KR0170391 B1 KR 0170391B1 KR 1019900008899 A KR1019900008899 A KR 1019900008899A KR 900008899 A KR900008899 A KR 900008899A KR 0170391 B1 KR0170391 B1 KR 0170391B1
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키미하루 마쓰무라
마사후미 노무라
히로지 카미카와
쥰이치 나가타
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다카시마 히로시
도오교오 에레구토론 큐우슈우 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

피처리체 처리장치 및 처리방법
제1도는 실시예 1의 애슁장치의 구성을 나타내는 설명도.
제2도는 동실시예 1의 애슁장치의 요부의 평면도.
제3도는 확산판 본체의 어댑터의 접속면을 나타내는 설명도.
제4도는 반응 챔버의 상면판의 착설상태를 나타내는 설명도.
제5도는 어댑터에 형성된 확산 슬릿의 설명도.
제6도는 다른 어댑터에 형성된 확산 슬릿의 설명도.
제7도는 가스 확산판에 착설된 연결 아암의 설명도.
제8도는 실린더내의 씨일의 1예를 나타내는 설명도.
제9도는 실시예 2의 애슁장치의 요부를 나타내는 단면도.
제10도는 유량조절 장치의 구성을 나타내는 설명도.
제11도는 동 유량조절 장치의 유량제어의 상태를 나타내는 설명도.
제12도는 유량조절 장치의 다른 예를 나타내는 설명도.
제13도는 실시예 3의 피처리체 처리장치의 측면도.
제14도는 동 실시예 3의 피처리체 처리장치의 평면도.
제15도는 실시예 4에서 사용하는 장치의 1예를 나타내는 설명도.
제16도는 실시예 4에서 사용하는 트레이의 일 예의 평면도.
제17도는 동 트레이의 측면도.
제18도는 제16도의 트레이의 A-A선에 따른 단면도.
제19도는 실시예 4에서 사용하는 다른 트레이의 평면도.
제20도는 실시예 4에서 사용하는 다른 트레이의 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 애슁용 반응챔버 2 : 반도체 웨이퍼
2 : 가열판 4 : 확산판
4A : 확산판 본체 4B : 어댑터
5 : 저항발열히이터 6 : 기판 승강장치
7 : 피처리체 지지부 8 : 유량 조절장치
9 : 승압장치 10 : 산소 공급장치
11 : 오존발생장치 12 : 2차가스 공급장치
13 : 2차가스 여기장치 14 : 압력 조정장치
15 : 배기가스 재해(除害)장치 16 : 펄스엔코더
17 : 가스공급관 20 : 볼록형상 작은방
21 : 볼나사 22 : 모우터
23 : 매다는 부재 24 : 연결부
25 : 원형봉 26 : 연결아암
26A: 연결아암의 앞끝단부 27 : 베어링
28,29 : 지지기둥 30,31 : 벨로우즈
32,33 : 실린더내 씨일(Seal) 34,35,36 : 컵형상 부재
37 : O링 40 : 접속면
41 : 분출용 슬릿 42 : 배기용 슬릿
43 : 확산 슬릿 50 : 온도제어장치
60 : LCD 기판 61 : 가열대
62 : 확산기구 63 : 가스 유출로
64 : 가스분출구멍 65 : 가스 여기로(勵起路)
66 : UV 광조사부(UV 광램프) 67 : 냉각로
71 : 유량조절 장치 81 : 전자밸브
82 : 이동속도 검출회로 83 : 밸브제어신호 형성회로
90,91 : 매다는 부재 92,93 : 안내레일
94,95 : 메다는 부재 96,97 : 이동자계 발생장치
98 : 드라이브신호 발생장치 100,120 : 트레이
101,121 : 오목부 102,122 : 홈
103 내지 106 : 관통구멍 107,127 : 홈
108 내지 111 : 연이어 통하는 홈 124 내지 126 : 관통구멍
128 내지 131 : 연이어 통하는 홈 166, 167 : 로드용 개폐기구
168 : 기판 반송장치 170 : 예비가열용 챔버
171 : 로드용 개폐기구 173 : 가열판
174 : 감압장치 176 : 기판승강장치
177 : 피처리체 지지부
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 LCD (Liquid Crystal Display)기판과 같은 피처리체의 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조공정에서는, 포토레지스트막이 바로 아래에 바탕막을 에칭에 의하여 미세 가공하는 것이 행하여지고 있다.
이러한 미세가공이 시행된 반도체 웨이퍼 LCD 기판등의 피처리기판은, 에칭용의 마스크에 사용된 레지스트막을, 기판표면으로부터 제거할 필요가 있다.
그리고, 포토레지스트막의 제거를 위하여, 종래로부터 애슁(Ashing)처리가 행하여지고 있다.
애슁처리는, 노출하고 있는 바탕막을 다치지 않고 불필요한 레지스트 막만을 선택적으로 제거할 수 있는 이점이 있다.
이러한 애슁처리는, 레지스트막의 제거, 실리콘웨이퍼나 마스크의 세정 외에, 잉크의 제거, 용제잔류물의 제거 등에도 사용되고 있다.
또한, 반도체 프로세스의 드라이클리닝 처리를 하는 경우에도 적합하다.
애슁장치로서 예를 들면, 일본국 특개소 52-20766 호에 오존을 함유하는 가스를 사용하는 것이 개시되어 있다.
이 장치는, 반도체 웨이퍼를 챔버내의 가열판상에 얹어 놓는다.
그리고, 반도체 웨이퍼의 위쪽에 복수의 애슁가스 분출구를 갖춘 가스확산판을 형성하고 있다.
확산판은, 가열판을 저항가열 히터에 의하여 가열함과 함께, 챔버내의 오존을 함유하는 애슁가스의 통상압력 분위기 또는 감압 분위기를 만든다.
그리고, 애슁가스를 확산판의 가스분출구로부터 반도체 웨이퍼 표면으로 분사한다.
이 가스를 반도체 웨이퍼에 부착한 유기고분자의 포토레지스트에 작용시켜, 이들의 회화(灰化) 제거를 행한다.
최근, 반도체기판은, 대형화되고 있다.
예를 들면 LCD기판과 같이 1변이 300mm정도 이상의 사각형상 유리기판의 애슁처리를 행하는 것이 필요로 되었다.
이 때문에, 피처리체의 넓은 범위에 걸쳐서 균일하게 애슁가스를 분출시켜서, 균일한 애슁처리를 행하는 것이 중요한 것으로 되고 있다.
그러나, 종래의 애슁장치는, 피처리면상의 가스확산판에 대한 애슁가스 분출구의 위치가 정해져 있다.
즉, 애슁가스 분출구 부근과 다른 부분에서 가스 분위기 농도의 불균일을 일으킨다.
이 때문에, 애슁의 비율이 피처리면상의 위치에 따라 불균일하게 되고, 특히 피처리가 대형기판인 경우에 악영향이 있다.
또한, 종래의 장치는, 통상압력 분위기 또는 감압 분위기 중에서 피처리 기판에 오존 등을 함유한 처리가스를 작용시키기 때문에, 애슁처리속도가 비교적 늦은 결점이 있었다.
그리고, 실용에 있어서는, 애슁속도를 향상시키기 위하여 주로 처리온도를 높이거나, 처리가스 농도를 높이는 등의 방책이 취해지거나 하는 것이 일반적이지만 기판재료의 충격, 장치의 경제성 등으로 볼 때 바람직하지 않다.
또한, 종래의 피처리체의 처리방법으로서, CVD 처리가스의 분위기중에 있던 기판에, 자외선(UV) 광원으로부터 UV 광을 조사하고, 기판의 표면에 원하는 막을 부착 형성하거나 또는 에칭가스의 분위기 중에서, 기판의 UV광을 조사하여 에칭하는 것이 있다.
그러나, 이러한 피처리체의 처리방법은, 처리효율이 나쁘고, 처리를 위한 공간도 크게 되나, 장치가 대형화하는 등의 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 피처리면에 처리가스를 균일하게 분사하여 균일한 처리를 행하고, 대형의 피처리체에 소망의 처리를 빠른 처리속도로 실시할 수 있는 피처리체 처리장치 및 그 방법을 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 목적은, 피처리면에 처리가스를 균일하게 분사하여 균일한 처리를 간편하게 행할 수 있는 피처리체 처리장치 및 그 방법을 제공함에 있다.
즉, 본 발명은, 반응챔버내에 형성된 피처리체 지지부와, 이 피처리체 지지부에 대향하여 상기 반응챔버내에 형성한 가스 확산판과, 이 가스확산판으로부터 소정의 반응가스를 소정의 압력으로 상기 반응챔버내로 공급하는 가스공급수단과, 상기 피처리체 지지부의 지지면과 평행한 방향으로 이 확산판을 상기 피처리체 지지부에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동수단과, 이 이동수단과 상기 반응챔버와의 연결부를 밀폐하는 씨일부재를 구비하는 피처리체 처리장치이다.
[실시예]
[실시예 1]
이하, 본 발명의 피처리체 처리장치를 애슁처리장치에 적용한 실시예 1에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
제1도는 본 실시예의 애슁장치의 구성을 나타내는 설명도.
제2도는 동 실시예의 애슁장치의 요부의 평면도이다.
도면중 (1)은 애슁용 반응챔버이다.
애슁용 반응챔버(1) 내에는, 피처리체로서의 예를 들면 반도체 웨이퍼(2)가 얹혀 놓이는 가열판(3)이 형성된다.
가열판(3)에 대향하도록 가스확산판(4)이 형성된다.
가열판(3)은, 예를 들면 스테인레스강(SUS)아나 알루미늄으로 이루어지는 금속판으로 형성되어 있다.
가열판(3)의 가열수단으로서는, 예를 들면 저항발열히터(5)가 내장되어 있다.
그리고, 가열판(3)의 윗면에 얹힌 반도체 웨이퍼(2)를 가열하도록 되어 있다.
가열판(3)에는, 기판승강장치에 접속된 복수개(예를 들면 3개)의 피처리체 지지부(7)가 가열판(3)을 관통하도록 형성된다.
즉, 반도체 웨이퍼(2)의 로우드 및 언로우드시에는, 이들 피처리체 지지부(7)상에 반도체 웨이퍼(2)를 유지하도록 구성된다.
또한, 가스확산판(4)은, 예를 들면 확산판 본체(4A)와, 어댑터(4B)로 되어 있다.
본체(4A)와 어댑터(4B)는 예를 들면 나사멈춤되어 있다.
본 예에서는, 피처리체의 크기에 따라서 어댑터(4B)가 교환되어, 효율이 좋은 처리가스분사를 행하도록 되어 있다.
제3도는, 확산판 본체(4A)의 어댑터(4B)와의 접속면(40)을 아래에서 본 상태를 나타낸다.
이 가스 확산판(4)에는, 처리가스(오존을 포함하는 가스)를 분출시키기 위한 분출용 슬릿(41)과, 배기가스를 배출시키기 위한 배기용 슬릿(42)이 교호로 다수 형성된다.
예를 들면, 350mm 평방의 기판을 처리하는 장치에서는 분출용 슬릿(41)은 10개, 배기용 슬릿은(42)은 11개 형성되어 있다.
이들 슬릿(41) 및 (42)은, 예를들면 슬릿 간격 20mm, 슬릿폭이 1mm, 길이가 360mm로 되어 있다.
또한, 슬릿(41)과(42)은 소정의 간격에서 교호로 형성되면 좋고, 예를 들면 동심원 형상으로 배치하여도 좋다.
또한, 본 실시예에서는 슬릿(41),(42)에 맞는 처리가스가 유통하기 위한 개구부가 슬릿의 대신에 다수의 작은 구멍의 배열 소결체에 의한 것등, 슬릿과 같은 기능을 갖는 것이면 특히 한정되지 않는다. 어댑터(4B)는, 확산판 본체(4A)에 나사멈춤한때에, 가스의 공급, 배출유로가 확산판 본체(4A)와 연결하도록, 가스확산슬릿(43)은 분출용 슬릿(41) 및 배기용 슬릿(42)의 위치와 일치하는 위치에 형성한다.
어댑터(4B)로서는, 반도체 웨이퍼의 크기에 따른 확산 슬릿(43)의 개수 및 길이를 갖는 것이 사용된다.
또한, 반응챔버(1)의 상면판은, 제4도에 나타낸 바와 같이 개폐 가능하게 하여 반응챔버(1)에 지지되어 있다. 이 때문에, 피처리체의 크기에 따라 어댑터(4B)를 교환할 수 있도록 되어 있다.
즉, 큰 반도체 기판에 대하여는, 제5도에 나타낸 바와 같이, 그 크기에 따라서, 개수가 많고, 또한 길이가 긴 복수의 가스확산슬릿(431)을 형성한 어댑터(4B1)가, 확산판 본체(4A)에 대하여 나사멈춤되어 사용되고 있다.
또한, 작은 반도체 기판에 대하여는, 제6도에 나타낸 바와 같이, 그 크기에 따라서, 갯수가 작고, 또한 길이가 짧은 복수의 확산 슬릿(432)을 형성한 어댑터(4B2)가, 확산판 본체(4A)에 대하여 나사멈춤되어 사용된다.
이와 같이하여, 어댑터(4B)를 피처리체의 크기에 따라서 교환함으로써, 피처리체의 크기에 따라서 가스확산영역을 규정할 수 있다. 이 때문에, 어려움 없이, 효율 좋게 처리가스공급을 피처리체에 대하여 행할 수 있다.
또한, 가스확산판(4)의 본체(4A)의 분출용 슬릿(41)은, 제1도에 나타낸 바와 같이, 유량조절 장치(8)를 통하여, 승압장치(9)가 접속되어 있다.
승압장치(9)로서는, 플런져 펌프, 벨로우즈 펌프, 다이어프램 펌프 등의 승압펌프를 사용할 수 있다.
승압장치(9)에는, 산소공급장치(10)에서 공급된 산소로부터 오존을 발생시키는 오존발생장치(11)와, 2차 가스공급장치(12)로부터 공급된 2차 가스를 여기하는 2차 가스 여기장치(13)가 접속된다.
오존발생장치(11)로서는, 무성방전, 코로나 방전, 글로우 방전 등에 의하여 오존을 발생시키는 장치 등을 사용할 수 있다.
또한, 가스확산판(4)의 본체(4A)의 배기용 슬릿(42)은, 압력조절장치(14) 및 배기가스 제해(除害)장치(15)를 통하여 예를 들면 공장의 배기계 등에 접속된다.
또한, 반응챔버(1)의 상면판에는, 볼록형상 작은방(20)이 형성되어 있다.
볼록형상 작은방(20)에는, 그 벽면을 관통하여, 가열판(3)의 피처리체 얹어 놓는 면과 평행한 방향으로, 가스확산판(4)의 분출용 슬릿(41) 및 배기용 슬릿(42)의 교호의 형성방향으로 향하는 방향으로, 볼나사(21)가 형성되어 있다.
볼나사(21)는, 모우터(22)에 의하여 회전하도록 되어 있다.
가스확산판(4)의 윗면에는, 매다는 부재(23)가 착설된다.
매다는 부재(23)는, 볼나사(21)와 나사맞춤되어 연결된다.
제2도중의 (24)는 이 연결부를 나타낸다.
또한, 볼나사와 평행한 방향으로, 가스확산판 이동 안내용의 원형봉(25)이, 반응챔버(1)의 측면벽을 관통하여 형성되어 있다. 가스확산판(4)의 윗면에 착설된 연결아암(26)의 앞끝단부(26A)는, 제7도에 나타낸 바와 같이 베어링(27)에 의하여 원형봉(25)과 연결되어 있다.
연결아암(26)은, 원형봉(25)을 따라서 자유로이 이동 가능하게 되어있다.
원형봉(25)의 양끝단은, 지지기둥(28),(29)에 의하여 지지되고 고정되어 있다.
따라서, 모우터(22)에 의하여 볼나사(21)를 회전시키면, 가스확산판(4)은, 볼나사(21)의 길이방향(분출용 슬릿과 배기용 슬릿의 교호의 형성방법)으로, 볼나사(21)의 회전방향에 따른 방향으로 이동 가능하게 된다.
그리고, 애슁처리는, 후술하는 바와 같이 챔버(1) 내에서, 고압 분위기 하에서 행하므로, 기밀을 유지할 필요가 있다.
그래서, 볼록형상 작은방(20)의, 볼나사(21)와의 관통부 벽면과, 볼나사(21)와 가스확산판(4)의 매다는 부재(23)와의 연결부재(24)의 사이에는, 볼나사를 덮도록 하여 벨로우즈(30),(31)가 착설된다.
즉, 벨로우즈(30),(31)에 의하여, 볼록형상 작은방(20)의 볼나사(21)과의 관통부에, 나사(21)의 회전을 위한 여유를 유지한 상태에서 있어도, 반응챔버(1)내의 기밀을 확보할 수 있다.
또한, 원형봉(25)과 반응 챔버(1)와의 연결부도, 기밀유지를 위하여 실린더내 씨일(32),(33)이 실시되고 있다.
제8도는, 실린더내 씨일(32),(33)의 1예를 나타내고 있다. 즉, 저면의 중앙에 원형봉(25)의 지름에 따라서 관통구멍을 형성한 컵형상 부재(34),(35),(36)가 사용되고 있다.
컵형상 부재(34)는, 컵형상 부재(35),(36)보다도 대형의 것으로 설정된다.
컵형상 부재의 저면의 관통구멍의 앞끝단부는 테이퍼 형상으로 날카롭게 되어 있다.
컵형상 부재(34)는, 컵형상 부재(35),(36)를, 컵형상 부재(34)의 저면을 양쪽에서 끼우도록 하여, 원형봉(25)에 부착한다.
컵형상 부재(35)내의 원형봉(25)에는, 0링(37)이 감겨져 착설되어 있다.
또한, 컵형상 부재(36) 내에는 가압씨일(38)이 그 조임에 의하여 원형봉(25)에 간격없이 감겨져 있다.
또한, 가스확산판(4)에 대하여, 반도체 웨이퍼(2) 등의 피처리 기판과의 간격을 소망의 거리로 설정하도록 확산판 승강장치를 접속하여도 좋다.
그리고, 제1도에 나타낸 바와 같이, 가스확산판(4)의 분출용 슬릿(41)은 유량조절 장치(8)를 통하여 승압장치(9)가 접속되어 있다.
유량조절 장치(8)는 모우터(22)의 회전속도, 따라서 가스확산판(4)의 이동속도에 따라서 가스확산판(4)으로 보내넣는 처리가스의 유량을 자동적으로 조절한다.
본 예에서는, 모우터(22)의 회전축에 동축적으로 착설되어 있다.
그리고, 자기적 수단 또는 광학적 수단에 의하여 모우터(22)의 회전속도에 따른 펄스를 출력하는 펄스 엔코더(16)가 설치되어 있다.
이 펄스 엔코더(16)로부터의 출력펄스(FG)는, 유량조절 장치(8)로 공급된다.
이 유량조절 장치(8)는 예를 들면 제10도에 나타낸 바와 같이 구성된다.
즉, 가스공급관(17)의 도중에는, 외부로부터 공급되는 전기신호에 의하여 벨브의 개방도가 제어가능하고, 가스공급관(17)을 통하는 가스의 유량을 조절 가능한 수단, 예를 들면 전자밸브(81)가 형성된다.
그리고, 펄스 엔코더(16)로부터의 가스확산판(4)의 이동속도에 따른 주파수의 펄스(FG)가 이동속도 검출회로(82)에 공급된다. 이동속도 검출회로(82)는, 예를 들면 펄스(FG)의 주파수를 검출함에 의하여, 또는 펄스(FG)의 주기를 축차 측정함으로써, 가스확산판(4)의 이동속도를 검출한다.
이 이동속도의 검출출력은, 밸브제어신호 형성회로(83)로 공급된다. 이 밸브 제어신호 형성회로(83)는, 가스확산판(4)의 이동속도가, 일정한때는, 미리 정해진 가스유량으로 되도록, 이동속도가 늦어질때는 그 속도에 따라서 상기 가스유량을 적게되도록, 전자밸브(81)를 제어하는 신호를 형성하고, 형성한 제어신호를 전자밸브(81)로 공급하여, 그 밸브의 개방도를 제어한다.
이와 같이 구성된 피처리체 처리장치를 사용하여, 다음과 같이하여 반도체 웨이퍼(2) 등의 기판의 애슁처리를 한다.
먼저, 예열용 챔버에서 예를 들면 50 내지 150℃의 가열온도로 예열처리된 반도체 웨이퍼(2) 등의 피처리 기판을, 도시하지 않은 반송장치에 의하여 센더로부터, 애슁용 반응챔버(1)내로 반입한다.
이 반입시, 애슁용 챔버(1)에서는, 기판승강장치(6)에 의하여 피처리체 지지부(7)을 가열판(3)상에 돌출시키고 있다.
그리고, 도시하지 않은 기판반송 장치로부터 피처리체 지지부(7)상에 반도체 웨이퍼(2)를 받아넘긴다.
다음에, 기판반송 장치의 반송아암을 후퇴시킨다.
그리고, 기판승강장치(6)에 의하여 피처리체 지지부(7)를 하강시켜, 가열판(3)상에 반도체 웨이퍼(2)를 얹어놓는다.
이때, 가열판(3)은 온도제어장치(50)의 저항가열히터(5)를 제어하여, 예를 들면 150 내지 250℃ 또는 200내지 300℃에서 가열한다.
이 상태에서, 반도체 웨이퍼(2)의 애슁처리를 개시한다.
즉, 애슁용 챔버(1)에서는, 가열판(3)에 의하여 반도체 웨이퍼(2)를 가열한다.
그리고, 오존발생장치(11)에서 공급되는 오존을 포함한 가스와, 2차 가스 여기장치(13)로부터 공급되는 여기된 2차 가스를, 승압장치(9)에 의하여 2 내지 20ata 정도로 승압한다.
이 혼합가스를 유량조절 장치(8)에 의하여 3 내지 30ℓ/min의 유량으로 조절하여, 가스확산판(4)의 분출용 슬릿으로부터 반도체 웨이퍼(2)로 향하여 분출시킴과 함께, 배기용 슬릿으로부터 배기하고, 고압 애슁처리를 한다.
이때, 모우터(22)에 구동신호를 공급하여 구동한다.
이에 의하여 볼나사(21)가 회전하고, 가스확산판(4)은 볼나사(21)에 따른 방향으로 이동한다.
본 예의 경우, 모우터(22)에는 소정시간마다 회전방향을 반전시키도록 구동신호가 공급된다.
그리고, 가스확산판(4)은 분출용 슬릿과 배기용 슬릿과의 교호로 형성된 방향으로, 왕복운동을 한다.
가스확산판(4)의 이동거리는 예를 들면 4㎝정도 된다.
본 예에서는, 제11도 A에 나타낸 것처럼, 가스확산판(4)의 이동범위의 양끝단의 이동방향 변화점인 순간 정지점(A) 및 (B)로부터 5내지 10mm 이동한 감속점(C) 및 가속점(D)까지의 사이는 확산판(4)이, 미리 정해진 일정속도(예를 들면 3mm/s)로 되도록, 모우터(22)가 가속 제어된다.
또한, 감속점(C) 및 가속점(D)으로부터 이동속도를 상기 일정속도에서 감속하여, 순간 정지점(A) 및 (B)에서는 정지되도록 모우터(22)가 감속제어된다.
이 경우, 가스유량은, 유량조절장치(8)에서 제11도 B에 나타낸 것처럼, 감속점(C) 및 가속점(D)의 사이의 등속도 이동구간에서는 일정한 유량(예를들면 20ℓ/분)으로 조절된다.
그리고, 순간 정지점(A) 및 (B)과, 감속점(C) 및 가속점(D) 사이의 감속구간 및 가속구간에서는, 이동속도변화에 따라서 가스유량이, 동 도면에 나타낸 바와 같이, 감속시는 20ℓ/분에서 서서히 적어지고, 가속시는 20ℓ/분까지 서서히 많아지도록 제어된다. 이 결과, 반도체 웨이퍼 표면의 단위면적당, 항상 동일한 가스공급량으로 설정된다.
배기가스 내에 남은 오존은, 배기가스 제해장치(15)에 의해 분해된 후, 공장의 배기계등으로 보낸다.
배기는, 압력조절장치(14)에 의하여 애슁용 챔버(1)내의 압력을 소정압력(예를 들면 2내지 20ata)으로 유지하도록 제어되면서 행해진다.
그리고, 소정시간의 처리 또는 배출가스중의 성분을 검출함으로써, 처리종료을 검지 한다.
이것에 의하여 고압 애슁처리의 종료를 검지하고, 고압애슁의 종료처리가 행해진다.
애슁이 종료한 반도체 웨이퍼는, 도시안된 냉각 유니트에 보내어 냉각 처리된다.
이와 같이 하여 확산판(4)은 이동시키면서 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 처리가스인 오존을 분사한다.
그리고, 분출용 슬릿의 위치에 관계없이 균일하게 반도체 웨이퍼의 피처리면에 처리가스가 분사된다.
즉, 가스확산판(4)이 정지하고 있으면, 제1도에 화살표로 나타낸 바와 같이, 가스확산판(4)과 반도체 웨이퍼(2)의 사이에 애슁가스가 흘러, 분출용 슬릿의 위치 근방의 쪽이 배기용 슬릿의 근방보다 가스의 농도가 높게될 우려가 있다.
그러나, 가스확산판(4)의 이동속도에 따라 가스공급량을 변화시켜, 피처리기판의 단위 체적당 유량의 가스가 공급된다.
이 결과 반도체 웨이퍼(2)의 면전체에 걸쳐, 균일하게 애슁가스를 분사하게 된다.
또한, 애슁처리시에, 애슁가스에 오존을 함유하는 산소가스의 외에 2차 가스인 N2O, NO, NO2, C2F6, CCL4, CF4등을 유량조절 장치(8)에 의하여 유량조절하여, 산소가스와 혼합한 것을 사용하면, 애슁 적용범위를 넓혀, 범용성이 있는 애슁처리가 가능하다.
또한, 제12도에 나타낸 바와 같이, 2차가스 여기장치(13)로부터의 2차 가스에 대하여는, 유량을 이동속도에 따라 제어하는 밸브를 형성하지 않고, 오존발생장치(11)의 출력 측의 가스관만으로, 전자밸브를 갖춘 유량조절장치(71)를 형성한다.
그리고, 이 유량조절 장치(71)를 상술한 것과 같이하여, 모우터(22)의 속도, 결국, 가스확산판(4)의 이동속도에 따라 제어하여도 좋다.
또한, 오존과 2차 가스의 혼합비를 가스확산판(4)의 이동속도에 따라서, 이동속도가 늦어지는 만큼 오존량을 적게 되도록 제어하여도 좋다.
또한, 전자밸브를 사용하지 않고, 오존발생장치(11)로서, 그 발생파워를 제어 가능한 것을 사용하여, 가스확산판(4)의 이동속도에 따라 그 발생파워를 제어해도 좋다.
그밖에, 가스공급량의 제어수단으로서는 여러 가지의 것을 사용할 수 있다.
또한, 이상의 예에서는, 모우터(22)의 회전속도로부터 가스확산판(4)의 이동 속도를 검출하고, 그 이동속도에 따라 가스공급량을 제어하도록 하였다.
그러나, 가스확산판(4)의 이동범위 및 순간 정지점의 위치, 또는 감속점 및 가속점의 위치는 알 수 있으므로, 가스확산판(4)의 이동중의 현재위치를 센서에서 검출하고, 그 현재위치에 따른 가스공급량으로 되도록 제어할 수도 있다.
또한, 상술한 실시예에서는 가스확산판을 왕복 운동시키도록 하였다.
그러나, 이 이동으로서, 예를 들면 한 방향으로 일과적(一過的)으로 소정의 처리시간으로 이동 통과시키도록 하여도, 상기와 동일한 작용효과가 얻어진다.
또한, 상술한 실시예에서, 가스확산판을 이동시키도록 하였다. 그러나, 피처리체와의 상대적인 이동이라면 좋다.
따라서, 피처리체측을 이동시켜도 좋고, 또는 양자를 상호 역방향으로 이동 시켜도 좋다.
또한, 씨일링 처리방법으로서는, 상기의 실시예에 한하지 않고 여러 가지 씨일링 기술을 사용할 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서, 애슁대상으로서 포토레지스트막의 경우를 설명하였으나, 본 발명은 잉크나 용제의 제거등, 산화하여 제거가능한 것이면 각종의 것에 적용할 수 있다.
또한, 오존을 포함하는 가스는, 산소에 한하지 않고, 오존과 반응하지 않는 가스, 특히 N2, Ar, Ne등과 같은 불활성 가스에 이온을 포함하는 것도 좋다.
또한, 피처리체는, 반도체 웨이퍼에 한하지 않고, LCD 기판의 외에, 유리기판상에 형성된 포토마스크, 프린트 기판등 여러 가지로 적용가능하다.
더욱이, 특별한 산화되기 쉬운 재료로 이루어진 ITO막(인듐-주석-산화막), 비결정 실리콘 등의 바탕막의 애슁으로서, 바탕막에 손상을 주지 않도록 정밀한 애슁제어(예를들면, 애슁을 일정한 얇은막 두께에서 중지하고, 그후는 습식처리로 교체하는 경우)가 필요한 경우에 본 발명은 매우 유효하다.
또한, 본 발명은 이상과 같은 애슁처리에 한하지 않고 예를 들면 HF, C1F3등의 클리닝 가스에 의한 세정을 행하는 세정장치, TEOS(테트라 에톡시 실란)과 오존광를 사용하여 막 형성하는 CVD 장치, 산화막 형성장치에도 적용 가능하다.
또한, 메인으로 되는 애슁용 반응챔버(1)의 양쪽에 전처리용의 챔버인 예열챔버와 후처리용 챔버인 크리닝 유니트 등을 형성하여도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 실시예 1에 의하면, 가스확산판을 피처리체의 피처리면에 대하여 상대적으로 이동시킨 상태에서 처리가스를, 피처리면에 공급하기 때문에, 피처리면 전체에 걸쳐서 균일하게 처리가스를 공급하여, 피처리면의 균일한 처리를 행할 수 있다.
또한, 처리는 고압 하에서 행하므로, 처리속도를 빨리 하는 것이 가능하다.
또한, 가스확산판과 피처리체와의 상대적인 이동기구의 반응챔버와의 연결부에는, 씨일 처리가 실시되어 있기 때문에, 반응챔버 내의 기밀은 충분하게 유지될 수 있다.
[실시예 2]
제9도는 본 실시예에서 사용되는 애슁장치의 요부를 나타내는 단면도이다.
도시안된 처리실내에는, 피처리체인 사각형상의 LCD(Liquid Crystal Display) 기판(60)을, 진공척등에 의해서 유지하는 가열대(61)가 배치되어 있다.
가열대(61)는, 내장된 히터에 의해 온도제어 되도록 되어있다.
가열대(61)의 위쪽 방향에는, 반응가스를 확산하기 위한 가스확산기구(62)가 형성되어 있다.
확산기구(62)는 가스유출로(63)와 가스분출구멍(64)과의 유로를 가지는 원통체판으로 구성되어 있다.
가스확산기구(62)내부의 가스유출로(63)와 가스분출구멍(64)과의 접속부에는 가스여기로(65)가 형성되어 있다.
가스여기로(65)내에는 길이상의 UV광조사부(UV광램프)(66)를 형성하여 애슁가스를 여기하도록 되어있다.
가스여기로(65)의 근방에는, 가스확산기구(62)의 온도를 제어하기 위한 냉각로(67)가 뚫어 설치되어 있다.
가스여기로(65)는, 가스확산기구(62)의 길이방향을 따라 형성되어 있다.
가스여기로(65)의 넓이는, 가스유출로(63)의 내경에 따라 넓어지게 되어있다.
즉, 반응가스는 가스여기로(65)내에 유입되어 빠르게 확산되고, UV광으로 여기된 후, 슬릿 형상의 가스분출구멍(64)에서 기판(60)위로 균일온도로 가열되어 내뿜어지게 되어있다.
가스확산기구(62)는, 기판(60)에 대하여 주사시킬 수 있도록 되어있다.
이 경우, 가열대(61)쪽을 횡방향으로 이동 시키던가, 가스확산판기구(62)와 가열대(61) 쌍방을 상대적으로 이동시켜도 좋다.
그렇지만, 먼저, 가열대(61)(또는 가스확산기구(62))를 승강기구를 개재하여 승강시킨다.
그리고, 가스확산기구(62)의 하면과 가열대(61)의 간격을 소정값으로 설정한다.
그 다음에, 가열대(61)위에 기판(60)을 얹어놓고 밀착한다.
그 후, 가열대(61)(또는 가스확산기구(62))를 승강시키고, 가스확산기구(62)의 아랫면과 기판(60)의 간격을 1내지 2mm정도를 설정한다.
다음에, 가열대(16)를 표면온도가 200℃정도로 되도록 가열한다.
이것에 의해서, 오존(O3)을 함유한 산소가스로부터 이루어진 애슁가스를 가스유출로(63)에서 가스여기로(65)로 유입시켜 확산하고, 가스분출구멍(64)에서 기판(60)을 향하여 균일하게 분출한다.
이때, 가스여기로(65)에 형성된 UV광조사부(66)에 의해서 애슁가스를 여기한다.
즉, 가스를 포함되어 있는 오존은, 가스분출구멍(64)에서 분출직전에는 분해되지 않는 정도의 온도로 가열된 기판(60)으로 향한다.
그리고, 기판(60)의 표면에 접촉되어 더욱 더 가열된다.
이것에 의해 분해하고, 산소원자 래디컬이 다량으로 발생한다.
이 산소원자 래디컬이, 기판(60)의 표면에 부착된 레지스트막과 반응하여, 애슁이 행하여 진다.
그리고 레지스트막을 제거한다.
이 경우, 가스확산기구(62)를 주사시켜 애슁가스의 흐름을, 기판(60)의 애슁면 전체에 걸쳐 균일하게 하여 애슁을 행한다.
상기와 같이하여, 반도체제조 공정에서의 각종 처리공정의 높은 수율을 달성하고, 애슁가스 처리의 향상과 처리장치의 콤팩트화에 기여하게 된다.
또한 실시예 2는, 애슁장치에 사용하는 애슁가스에 적용된 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 이외에도, 에칭장치에 사용하는 에칭가스, VCD장치에 사용하는 화학증착가스, 세정장치에 사용하는 클리닝가스에도 적용 가능하다.
[실시예 3]
제13도는 본 실시예의 애슁장치의 측면도, 제14도는 그의 평면도이다.
또한 실시예1과 동일 부분에 있어서는 동일부호를 부여하여 설명을 생략한다.
애슁용 반응챔버(1)내에는, 피처리체로서 예를 들면 반도체 웨이퍼(2)가 얹어 놓여진 가열판(3)과, 이 가열판(3)에 대향하도록 가스공급부재의 예로써, 가스확산판(4)이 형성되어 있다.
가열판(3)은 예를 들면 SUS나 알류미늄으로 된 금속판으로 되어 있으며, 가열수단으로써 예를 들면 저항발열히터(5)가 내장되어 있어, 그의 상면에 얹어놓은 반도체 웨이퍼(2)를 가열 가능하게 구성되어 있다.
그리고, 이 가열판(3)에는, 기판승강장치(6)에 접속된 복수개 예를 들면 3개의 피처리체 지지부(7)이 가열판(3)을 관통하게 형성되어 있어, 반도체 웨이퍼(2)의 로드·언로드때에는, 이들 피처리체 지지부(7)위에 반도체 웨이퍼(2)를 유지하게 구성되어 있다.
또한, 가스확산판(4)에는, 도시안된 처리가스(오존을 포함한 가스)를 분출시키기 위한 개구의 예로서 도시하지 않은 분출용 슬릿과, 배기가스를 배기시키기 위한 개구의 예로써 도시하지 않은 배기용 슬릿이 교대로 다수 형성되어 있다.
그리고, 그 분출용 슬릿에는, 가스유량조절 장치(8)가 접속되어 있다.
이 가스유량조절 장치(8)에는, 오존발생장치(11)가 접속되고, 이 오존발생장치(11)에는 산소공급장치(10)가 접속되어 있다.
오존발생장치(11)로서는, 예를 들면 무성방전, 코로나 방전, 글로우방전등에 의하여 오존을 발생 시키는 장치등을 사용할 수 있다.
한편, 가스확산판(4)의 배기용 슬릿은, 배출가스 제해장치(15)를 통하여, 예를 들면 공장 배기계등에 접속되어 있다.
또한, 가스확산판(4)의 윗면에는 매다는 부재(90),(91)가 붙임 고정되고, 이 매다는 부재(90),(91)가 반응챔버(1)의 내벽상면에 형성된 안내레일(92),(93)에 대하여, 가스확산판(4)을 화살표방향(분출용 슬릿과 배기슬릿과 교차방향)으로 이동 가능하게 될 수 있도록 붙임고정되어 있다.
이 경우, 이동기구로서는, 예를 들면, 매다는 부재(90),(91)가 안내레일(92),(93)의 홈안을 차륜에 의해 이동 가능하도록 한 것을 사용할 수 있다.
그리고, 본 예에서는 가스 확산판(4)이, 예를 들면 리니어 모터와 같은 구조원리로 상기 도시된 화살표 방향으로 왕복운동 하도록 제어된다.
즉, 가스 확산판(4)의 도시된 화살표로 나타낸 이동방향에 따르는 측면에는, 작용도체 예를 들면, 영구자석(94),(95)이 붙임 고정되어 있다.
한편, 반응챔버(1) 바깥의, 상기 영구자석(94),(95)에 대향하는 부분에는, 이동자계 발생장치(96), (97)가 설치된다.
그리고, 드라이브신호 발생장치(98)에서 이동자계 발생장치(96), (97)로 드라이브 신호가 공급된다.
이동자계 발생장치(96),(97)는, 도시된 것처럼 가스 확산판(4)의 이동 가능방향과 평행한 방향으로 이동하는 자계를 발생한다.
그리고, 이예의 경우에는, 드라이부신호에 의하여 이동자계의 이동방향이 소정시간마다 반전하도록 되어 있다.
따라서, 가스 확산판(4)은 이동자계 발생장치(96),(97)에 의하여 도면중 화살표 방향으로 소정시간의 주기를 가지는 왕복 이동 운동을 한다.
이와 같은 구성의 장치에 의해 실시예1과 동일하게 하여 반도체 웨이퍼등의 기판의 애슁처리가 행하여 진다.
따라서, 본 실시예의 특징부분인 이동자계 발생장치(96),(97)등의 동작에 관하여 이하에 설명한다.
우선, 드라이브 신호 발생장치(98)에서, 드라이브 신호가 이동자계 발생장치(96),(97)로 공급되고, 소정의 시간마다 방향을 반전하는 이동자계가 발생한다.
이 이동자계에 의하여, 가스 확산판(4)의 측면에 붙임고정된 작용도체로서 영구자석(94),(95)은, 이 이동자계의 이동방향의 힘을 받고, 이것에 의하여, 가스 확산판(4)은, 분출용 슬릿과 배기용 슬릿에 교차방향으로 왕복운동을 행한다.
이 때, 가스 확산판(4)의 이동거리는, 예를 들면 10 내지 50mm 정도로 된다.
이렇게 하여, 가스 확산판(4)를 이동시키면서 반도체 웨이퍼등의 피처리체에 처리가스인 오존을 분사함으로써, 분용 슬릿의 위치에 관계없이, 균일하게 반도체 웨이퍼 등의 피처리체의 피처리면에 대하여 처리가스가 분사된다.
즉, 가스 확산판(4)이 정지하고 있으면, 제13도에서 화살표로 나타낸 바와 같이 가스 확산판(4)과 반도체 웨이퍼(2)와의 사이로 애슁가스가 흐르고, 분출용 슬릿의 위치 근방 쪽이 배기용 슬릿의 근방보다도 가스의 농도가 높게 되는 위험이 있으나, 가스 확산판(4)의 이동에 의해 분출용 슬릿의 위치가 이동되고, 반도체 웨이퍼(2)면의 모든 부분을 주사(走査)하도록 되므로, 반도체 웨이퍼(2)면의 전체에 걸쳐서, 균일한 애슁가스가 분사되게 된 것이다.
이 경우에는, 통상, 가스 확산판(4)을 이동 운동시키는 경우에는, 반응챔버(1)의 외부에서 반응챔버(1)를 관통하여 구동기구의 구동용 부재를 가스 확산판에 접속하는 구성이 일반적 이였다.
그러나, 그 경우에는, 그의 구동용 부재의 반응챔버(1)와의 연결부분은, 오존을 포함한 반응가스가 외부로 새어나가지 않도록 하는 씨일 처리를 해줄 필요가 있다.
이 씨일은 구동용부재가 운동하는 것이기 때문에, 매우 곤란한 것이다.
그렇지만, 본 실시예에는 자력에 의해 반응챔버(1)내의 가스 확산판(4)과는 비접촉으로 반응챔버(1)의 바깥의 구동기구에 의해, 반응챔버(1)의 용기 벽을 개재하여, 가스 확산판(4)을 이동시키므로, 이 구동기구를 위해 상기와 같이 씨일은 전혀 필요가 없다.
또는, 본 실시예에서는, 가스 확산판을 직선 형상으로 왕복운동 시키도록 하였지만, 다른 이동 예를 들면, 한쪽 방향으로 일과적(一過的)으로 소정의 처리시간 이동 통과시킨 회전운동을 시키도록 구성하여도, 상기와 같은 작용 효과가 얻어진다.
이와 같이, 이 피처리체 처리장치에 의하면, 가스 확산판의 이동 구동은 자력에 의하여 반응챔버의 바깥에서 반응챔버 안의 가스 확산판이나 피처리체 얹어놓는 대와는 비접촉으로 행하는 것이므로, 오존등의 반응가스의 누설방지를 위한 씨일은, 이동구동 기구부를 위해서는 불필요하다고 하는 현저한 효과가 있다.
[실시예 4]
제15도는, 실시예 4의 애슁장치를 나타내고 있다.
애슁장치 그 자체의 구성은, 실시예 1의 것과 똑같은 것이므로 동일부분에 대해서는 동일부호를 붙여서 설명을 생략한다.
제16도는 본 실시예에서 사용하는 트레이의 한 예의 평면도, 제17도는 그 측면도, 제18도는 제16도의 A-A선 단면도이다.
한편, 이 트레이(100)의 뒷면에는 트레이(100)와 중심위치가 일치하고 1변의 길이가 예를 들면 52mm의 정방형의 각 변의 위치에 있어서, 예를 들면 폭 3mm, 깊이 1mm의 홈(107)이 형성되어 있다.
이 홈(107)은, 가열판(3)에 형성된 진공척 패턴의 진공흡인용의 패턴에 대응한 것으로 되어 있다.
또한, 홈(107)은, 가열판(3)의 진공 흡인용의 홈 패턴과 전적으로 일치해야 할 필요도 없다.
그리고, 홈(107)의 각변 위치의 중앙부가 관통구멍(103)내지(106)과 연이어 통하는 홈(108),(109),(110),(111)을 끼워서 연통되어 있다.
이상과 같은 구성의 트레이(100)의 오목부(101)에 1변이 130mm의 정방형 LCD기판을 끼워맞춤해서 세트하여 일체로 하고, 이 일체로 한 트레이를 처리 대상물로 하여 후술한 바와 같은 처리에 제공한다.
또한, 예를 들면 1변의 길이가 130mm인 정방형 LCD 기판보다도 적은, 예를 들면 1변의 길이가 100mm의 정방형 LCD 기판을 처리대상으로 하는 경우에는, 제19도 및 제20도에 나타낸 바와 같이 트레이(120)가 사용된다.
즉, 이 트레이(120)는 그 외형칫수 및 그 뒷면의 홈(127)의 패턴이 상기 트레이(100)와 동일하지만 그 표면에 형성된 오목부(121)는 이것에 세트되는 LCD 기판에 따라 1변의 길이가 100mm 정방형상이 된다.
그리고, 이 오목부(121)에는, 트레이(100)와 같이 예를 들면 1변의 길이가 80mm의 정방형의 각변 위치에서 예를 들면 폭 1mm, 깊이 1mm의 홈(122)이 형성된다.
그리고, 이 홈(122)은 그의 각변 위치의 중앙에 형성된 관통구멍(124),(125),(126) 및 트레이(120)의 뒷면에 형성된 연이어 통하는 홈(128),(129),(130),(131)을 끼워서 이 뒷면의 홈(127)에 연통되어 있다.
그리고 1변의 길이가 100mm 의 정방형 LCD 기판은, 이 트레이(120)의 오목부(121)에 끼워맞춤해서 세트하여 이것을 일체로 하여 처리대상물(2)로써 처리에 제공한다.
이상과 같이, 트레이(100),(120)의 오목부(101),(121) 및 그 오목부 내에 형성되는 홈(102),(122)은 트레이(100),(120)에 세트하는 피처리체의 형상 및 크기에 따라 변하지만, 트레이(100),(120)의 크기, 그 뒷면의 홈 패턴(107),(127)은 동일하다.
이상과 같은 구성의 장치에 있어서 본 실시예에서는 다음과 같이하여 LCD기판의 애슁 처리가 행하여진다.
이런 경우, 도시하지 않는 센더에는 상술한 것 같이 트레이(100),(120)에 처리대상인 LCD 기판이 세트된 것이 다수매 수납되어 있다.
그리고, LCD 기판은 상술한 바와 같이 이 트레이에 세트된 상태에서 일체로하여 다음에 상술하는 애슁 처리의 종료까지 이루어진다.
즉, 먼저 센더에서 도시안된 반송장치에 의해, 예를 들면 1변의 길이가 130mm의 정방형 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 예비가열용 챔버(170)의 로우더용 개폐기구(171)의 측방으로 반송한다.
그리고, 미리 예비가열용 챔버(170) 내의 가열판(173)을 소정온도, 예를 들면 50 내지 150℃로 가열하여 예열 조건을 조정해 놓고 예열조건이 조정되면 로우더용 개폐기구(171)를 열어서 예비가열용 챔버(170) 내에 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 반입하여 가열판(173) 위에 얹어 놓는다.
이 때, 기판 승강장치 (176)에 의해 미리 피처리체 지지부(177)을 가열판(173)위에 돌출시켜 놓는다.
그리고 반송장치의 반송아암을 삽입하여 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 이 피처리체 지지부(177) 위에 얹어 놓고 반송아암을 후퇴시킨 후, 피처리체 지지부(177)을 하강시켜 가열판(173) 상에 이 트레이(100)를 얹어 놓는다.
그리고, 가열판(173)을 개재하여 진공 흡인한다.
그러면 이때 트레이(100)의 뒷면 홈(107) - 연이어 통하는 홈(108),(109),(110),(111) -관통구멍(103),(104),(105),(106) - 트레이(100)의 표면의 오목부(101) 내의 홈(102)과, 관통되어 있으므로 이 진공흡인에 의해 LCD 기판이 트레이(100)에 흡착되는 동시에 트레이(100)가 가열판(173) 위에 흡착되어서 고정된다.
연후에, 감압장치(174)에 의해 예비가열 챔버(170) 내를 소정의 압력, 예를 들면 0,1 내지 10Torr 정도로 감압하여 트레이(100)에 세트된 LCD 기판의 예비가열 처리를 행하고, 이 예비가열 처리에 의해 예를 들면 LCD 기판 표면에 부착된 포토레지스터 중의 용제를 효율좋고, 단시간에 제거할 수 있는 동시에 기판을 미리 가열해 놓는 것으로, 후술하는 애슁처리에서의 기판 가열 시간을 단축 할 수가 있다. 이 예비가열 처리는 예를 들면 수분간 행한다.
예비가열 처리가 끝나면, 언로우드용 개폐기구(172)를 열어서 기판반송장치(168)에 의해 예비가열 챔버(170)에서 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 반출한다.
예비가열 처리를 하는 동안 애슁용 챔버(1)에 있어서는, 예를 들면 가열판(3)을 미리 소정온도, 예를 들면 150 내지 250℃로 가열해둔다.
또한, 연속처리의 경우에는, 애슁처리의 수율에 맞추어서 예비가열처리를 끝낸 피처리체를 바로 애슁용 챔버(1)내에 반입되도록 준비해 둔다.
그리고 애슁용 챔버(1)에서 다음의 피처리체의 받아들임 준비가 완료되고 있는 경우에는, 로우드용 개폐기구(166)를 열어서 기판 반송장치(168)에 의해 예비가열 처리를 끝낸 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 이 애슁용 챔버 내에 반입한다.
그리고 실시예1과 똑같이 하여 고압애슁 종료 처리를 행한다.
그 다음, 애슁용 챔버(1) 내에 불활성가스, 예를 들면 질소 가스를 퍼지하여 상술한 로우드시의 역순서로 언로우드용 개폐기구(167)에서 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 반출한다.
그리고, 예를 들면 도시하지 않은 냉각플레이트 상에 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 얹어 놓고 냉각 처리를 행한다.
냉각 처리가 끝나면 도시하지 않은 반송장치에 의해 LCD 기판이 세트된 트레이(100)를 도시하지 않은 리시버로 반송하여 1장의 LCD 기판에 대하여 처리가 끝난다.
그리고, 트레이(100)에 세트된 LCD 기판보다 적은, 예를 들면 1변의 길이가 100mm의 정방형 LCD 기판에 대해, 애슁처리로 행할 때는, 트레이(100)에 그 작은 LCD 기판을 세트하여 그것을 샌더에 수납하고 상술한 바와 똑같이 하여 예비가열 챔버(170) 및 애슁용 챔버(1)에 순차적으로 반송하여 애슁 처리를 행한다.
이상과 같이 설명한 바와 같이, 이 피처리체 처리장치에 의하면 동일형상 및 동일 크기의 트레이에 피처리체를 세트하여 처리종료까지 양자를 일체로 하여 취급하도록 하였으므로 같은 처리장치로서 형상이나 크기가 다른 피처리체를 양호하게 처리할 수가 있다.

Claims (13)

  1. 반응챔버(1)내에 형성된 피처리체 지지부(7)와, 이 피처리체 지지부(7)에 대향하여 상기 반응챔버(1)내에 형성된 가스 확산판(4)과, 이 가스 확산판(4)에서 소정의 반응가스를 소정의 압력으로 상기 반응챔버(1)내로 공급하는 가스공급수단과, 상기 피처리체 지지부(7)의 지지면과 평행한 방향으로 이 가스 확산판(4)을 상기 피처리체 지지부(7)에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동수단과, 이 이동수단과 상기 반응챔버(1)의 연결부(24)를 밀폐하는 씨일부재(32,33)를 구비하는 피처리체 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 피처리체 지지부(7)와 가스 확산판(4)의 상대적인 이동수단에, 이 가스 확산관(4)에 형성되어 있는 피처리체 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 피처리체 지지부(7)에, 이 피처리체 지지부(7)와 상기 확산판(4)의 대향간격을 조절하는 승강기구(6)가 형성되어 있는 피처리체 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 피처리체 지지부(7)에, 상기 피처리체(2)의 온도를 조절하는 온도제어기구(50)가 형성되어 있는 피처리체 처리장치.
  5. 반응챔버(1)내에 형성된 피처리체 지지부(7)와, 이 피처리체 지지부(7)에 대향하여 상기 반응챔버(1)내에 형성된 가스 확산판(4)과, 이 가스 확산판(4)에서 소정의 반응가스를 소정의 압력으로 상기 반응챔버(1)내로 공급하는 가스공급수단과, 상기 피처리체 지지부(7)의 지지면과 평행한 방향으로 이 가스 확산판(4)을 상기 피처리체 지지부(7)에 대하여 상대적으로 이동시키는 이동수단과, 이 이동수단과 상기 반응챔버(1)의 연결부(24)를 밀폐하는 씨일 부재(20)와, 상기 피처리체 지지부(7)와 상기 가스 확산판(4)의 상대적인 이동속도에 따라서 피처리체 (2)로 향하여 공급하는 상기 반응가스의 공급량을 제어하는 가스량 제어수단을 구비하는 피처리체 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 반응챔버(1)와 가스공급수단의 사이에, 반응가스의 공급량을 제어하는 유량조절기구(8)가 형성되어 있는 피처리체 처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 피처리체 지지부(7)와 가스 확산판(4)의 상대적인 이동수단이, 이 가스 확산판(4)에 형성되어 있는 피처리체 처리장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 피처리체(2)로 향하여 공급하는 상기 반응가스의 양을 제어하는 수단이, 상기 유량조절기구(8)와 상기 이동수단의 사이에 형성된 펄스 엔코더(16)인 피처리체 처리장치.
  9. 소정의 압력 분위기 중에서 반응가스를, 피처리체(2)의 피처리면에 대하여 이동하는 가스 확산판(4)으로부터 공급하는 공정과, 상기 가스 확산판(4)의 이동속도에 대응하여 상기 반응가스의 공급량을 제어하는 공정과, 상기 피처리체(2)의 피처리면을 향하여 공급되는 반응가스에 UV광을 조사하여 반응가스를 여기시키는 공정을 구비하는 피처리체 처리방법,
  10. 제9항에 있어서, 반응가스가, 에칭(Etching)가스인 피처리체 처리방법.
  11. 제9항에 있어서, 반응가스가, 애슁(Ashing)가스인 피처리체 처리방법.
  12. 제9항에 있어서, 반응가스가, 화학증착 가스인 피처리체 처리방법.
  13. 제9항에 있어서, 반응가스가, 클리닝 가스인 피처리체 처리방법.
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