JPH0383338A - 処理方法 - Google Patents
処理方法Info
- Publication number
- JPH0383338A JPH0383338A JP22096989A JP22096989A JPH0383338A JP H0383338 A JPH0383338 A JP H0383338A JP 22096989 A JP22096989 A JP 22096989A JP 22096989 A JP22096989 A JP 22096989A JP H0383338 A JPH0383338 A JP H0383338A
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- Japan
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- gas
- ashing
- path
- substrate
- light irradiation
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- Pending
Links
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- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 15
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
見映夏且放
(産業上の利用分野)
本発明は、被処理体の表面に反応ガスを吹きつけて処理
する処理方法に関する。
する処理方法に関する。
(従来の技術)
従来よりこの種の処理方法は、半導体製造工程において
各種の工程に行われている。
各種の工程に行われている。
例えば、第2図に示すように、加熱台1に載置した基板
2上にエツチングガスを流出させたり、同図においてオ
ゾンガスを流出させてアッシング処理を行ったり、又は
、第3図に示すように、CVD処理ガス3の雰囲気中に
おいた基板4にUV光源5を介してUV光を照射し、基
板4の表面に所望する膜を被着形成したり、或は同図に
おいて。
2上にエツチングガスを流出させたり、同図においてオ
ゾンガスを流出させてアッシング処理を行ったり、又は
、第3図に示すように、CVD処理ガス3の雰囲気中に
おいた基板4にUV光源5を介してUV光を照射し、基
板4の表面に所望する膜を被着形成したり、或は同図に
おいて。
エツチングガス3の雰囲気中で、基板4にUV光を照射
してエツチングすることなどが行なわれている。
してエツチングすることなどが行なわれている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記の従来例によると、第2図の処理工
程は、ガス種を変えることによって所望の反応ガスを用
いて使用できるが、第3図の処理工程の際は、第2図の
工程とは別のスペースとメカニズムでUV光を照射して
処理しているので。
程は、ガス種を変えることによって所望の反応ガスを用
いて使用できるが、第3図の処理工程の際は、第2図の
工程とは別のスペースとメカニズムでUV光を照射して
処理しているので。
処理効率が悪く、又、スペースもそれだけ増加し大型化
する等の課題が存在していた。
する等の課題が存在していた。
本発明は、上記の従来の課題を解決するために開発した
もので、各種の処理工程の高ニル−プツト化を図ること
により処理効率の向上と処理装置のコンパクト化を目的
としたものである。
もので、各種の処理工程の高ニル−プツト化を図ること
により処理効率の向上と処理装置のコンパクト化を目的
としたものである。
丑IIL旌
(課題を解決するための手段)
上記の目的を達成するため1本発明は、被処理体の表面
に反応ガスを拡散板により拡散させて処理する方法にお
いて、上記反応ガスの上記拡散板内流路に紫外光照射部
を設け、この紫外光照射部から上記被処理体に紫外線を
照射する処理方法である。
に反応ガスを拡散板により拡散させて処理する方法にお
いて、上記反応ガスの上記拡散板内流路に紫外光照射部
を設け、この紫外光照射部から上記被処理体に紫外線を
照射する処理方法である。
上記した反応ガスは、エツチング装置におけるエツチン
グガス、アッシング装置におけるアッシングガス、蚊は
CVD装置におけるCvD処理ガスを適宜に選択して用
いることができる。
グガス、アッシング装置におけるアッシングガス、蚊は
CVD装置におけるCvD処理ガスを適宜に選択して用
いることができる。
(作 用)
従って1本発明によると1反応ガスの拡散板内流路にU
V光源照射部を設け、この流路に1例えば、エツチング
ガス、アッシングガス或はCvD処理ガスを適宜に選択
し、又はガス種を変えて流入させると、ガス噴出孔より
所望のガスが噴出すると共に、流路で均一にUV光で励
起されて同噴出孔より噴出するので、加熱台に載置され
ている被処理体は、ガスに対応したエツチング、アッシ
ング或はCVD処理が効率的に行なわれ、高ニルプツト
化が図れると共に、コンパクトな処理装置を得ることが
できる。
V光源照射部を設け、この流路に1例えば、エツチング
ガス、アッシングガス或はCvD処理ガスを適宜に選択
し、又はガス種を変えて流入させると、ガス噴出孔より
所望のガスが噴出すると共に、流路で均一にUV光で励
起されて同噴出孔より噴出するので、加熱台に載置され
ている被処理体は、ガスに対応したエツチング、アッシ
ング或はCVD処理が効率的に行なわれ、高ニルプツト
化が図れると共に、コンパクトな処理装置を得ることが
できる。
(実施例)
本発明に置ける各種の処理方法の実施例を、@面に従っ
て説明する。
て説明する。
本例における処理方法には、エツチング、アッシング又
はCVD処理等を挙げることができるが、先ず、アッシ
ング装置を例にして説明する。
はCVD処理等を挙げることができるが、先ず、アッシ
ング装置を例にして説明する。
図示しない処理室内には、真空チャック等により被処理
体例えば方形状のLCD (LiquidCrysta
l Disply)基板lOを保持する加熱台11が
配置され、この加熱台11は、ヒータを内蔵して温度制
御されるように設けられている。
体例えば方形状のLCD (LiquidCrysta
l Disply)基板lOを保持する加熱台11が
配置され、この加熱台11は、ヒータを内蔵して温度制
御されるように設けられている。
この加熱台11の上方には1反応ガスを拡散するための
ガス拡散機構12例えば孔の設けられた円筒体板が設け
られ、このガス拡散機構12の下面部分には、ガス流出
路13とガス噴出孔14との流路にガス励起路15が形
成され、このガス励起路15に長尺上のUV光照射部(
UV光ランプ)16を設けてアッシングガスを励起して
いる。
ガス拡散機構12例えば孔の設けられた円筒体板が設け
られ、このガス拡散機構12の下面部分には、ガス流出
路13とガス噴出孔14との流路にガス励起路15が形
成され、このガス励起路15に長尺上のUV光照射部(
UV光ランプ)16を設けてアッシングガスを励起して
いる。
又、ガス励起路15の近傍部分には、ガス拡散機構12
の温度をコントロールする冷却路17が内蔵されている
。
の温度をコントロールする冷却路17が内蔵されている
。
このガス励起路15は、長手方向に長く形成され、巾方
向は、ガス流出路13より広く形成されており、流入し
た反応ガスがガス励起路15内で長手方向に速やかに拡
散され、UV光にて励起された後、スリット状のガス噴
出孔14より均一温度に加熱されて基板10上に吹き付
けられる。
向は、ガス流出路13より広く形成されており、流入し
た反応ガスがガス励起路15内で長手方向に速やかに拡
散され、UV光にて励起された後、スリット状のガス噴
出孔14より均一温度に加熱されて基板10上に吹き付
けられる。
更に、ガス拡散機構12は、基@10と相対的に横カ行
にスキャンさせることができる。この場合、ガス拡散機
構12以外に、加熱台11を横方行に移動させるか、ガ
ス拡散機構12と加熱台11の双方を相対的に移動させ
ても良い。
にスキャンさせることができる。この場合、ガス拡散機
構12以外に、加熱台11を横方行に移動させるか、ガ
ス拡散機構12と加熱台11の双方を相対的に移動させ
ても良い。
次に上記実施例の作用を説明する。
先ず、加熱台11又はガス拡散機構12を昇降機構を介
して昇降させ、ガス拡散機構12の下面と加熱台11の
間隔を設け、このとき加熱台11上に基板10を載置し
て固着し、その後、加熱台11又はガス拡散機構12を
昇降させて間隔を1〜2履程度に設定する。
して昇降させ、ガス拡散機構12の下面と加熱台11の
間隔を設け、このとき加熱台11上に基板10を載置し
て固着し、その後、加熱台11又はガス拡散機構12を
昇降させて間隔を1〜2履程度に設定する。
次いで、加熱台11を表面温度が200℃程度になるよ
うに加熱し、オゾン(03)を含有する酸素ガスである
アッシングガスをガス流出路工3よりガス励起路15に
流入させて拡散し、ガス噴出孔14より基板10に向け
て均一に噴出する。
うに加熱し、オゾン(03)を含有する酸素ガスである
アッシングガスをガス流出路工3よりガス励起路15に
流入させて拡散し、ガス噴出孔14より基板10に向け
て均一に噴出する。
同時に、ガス励起路15に設けたUV光光照射上16よ
ってアッシングガスが励起される。即ち。
ってアッシングガスが励起される。即ち。
この状態において、ガスに含まれているオゾンは、UV
光ランプ16により励起され、ガス噴出孔14より噴出
直前には分解されない程度の温度に加熱されて基板10
に向い、基板10の表面に接メしてさらに加熱されるこ
とにより分解し、酸素り子ラジカルが多量に発生し、こ
の酸14yK子ラジ;ルが基板10の表面に被着された
レジスト膜と1応し、アッシングが行なわれ、レジスト
膜を除ミする。
光ランプ16により励起され、ガス噴出孔14より噴出
直前には分解されない程度の温度に加熱されて基板10
に向い、基板10の表面に接メしてさらに加熱されるこ
とにより分解し、酸素り子ラジカルが多量に発生し、こ
の酸14yK子ラジ;ルが基板10の表面に被着された
レジスト膜と1応し、アッシングが行なわれ、レジスト
膜を除ミする。
この場合、ガス拡散機構12をスキャンさせ゛・アクシ
ングガスの流れを基板10のアッシング右全体に亘り均
一に流出させてアッシングを行な“上記の実施例におけ
る反応ガスは、アッシンシガスに適用した例について説
明したが、その他。
ングガスの流れを基板10のアッシング右全体に亘り均
一に流出させてアッシングを行な“上記の実施例におけ
る反応ガスは、アッシンシガスに適用した例について説
明したが、その他。
エツチング装置におけるエツチングガス、又は(VD装
置におけるCVD処理ガス等にも適用で―ることは勿論
である。
置におけるCVD処理ガス等にも適用で―ることは勿論
である。
又亘立羞呆
以上のことから明らかなように、次のようなfれた効果
を奏する。
を奏する。
即ち、半導体製造工程における各種の処理王手の高スル
ープツトを図ることにより処理効率の6上と処理装置の
コンパクト化に寄与することが1きる。
ープツトを図ることにより処理効率の6上と処理装置の
コンパクト化に寄与することが1きる。
第11j!Jは、本発明における処理方法の一実施例を
示す部分断面図であり、第2図及び第3図は従来の処理
方法の各側を示す説明図である。 10・・・被処理体(基板> 11・・・加熱台1
2・・・ガス拡散機#l 13・・・ガス流出路
14・・・ガス噴出孔 15・・・ガス励起路
16・・・UV光照射部 特 許 出 願 人 チル九州株式会社
示す部分断面図であり、第2図及び第3図は従来の処理
方法の各側を示す説明図である。 10・・・被処理体(基板> 11・・・加熱台1
2・・・ガス拡散機#l 13・・・ガス流出路
14・・・ガス噴出孔 15・・・ガス励起路
16・・・UV光照射部 特 許 出 願 人 チル九州株式会社
Claims (4)
- (1)被処理体の表面に反応ガスを拡散板により拡散さ
せて処理する方法において、上記反応ガスの上記拡散板
内流路に紫外光照射部を設け、この紫外光照射部から上
記被処理体に紫外線を照射することを特徴とする処理方
法。 - (2)反応ガスは、エッチング装置におけるエッチング
ガスである請求項1記載の処理方法。 - (3)反応ガスは、アッシング装置におけるアッシング
ガスである請求項1記載の処理方法。 - (4)反応ガスは、CVD装置におけるCVD処理ガス
である請求項1記載の処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22096989A JPH0383338A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 処理方法 |
KR1019900008899A KR0170391B1 (ko) | 1989-06-16 | 1990-06-16 | 피처리체 처리장치 및 처리방법 |
US08/145,663 US5445699A (en) | 1989-06-16 | 1993-11-04 | Processing apparatus with a gas distributor having back and forth parallel movement relative to a workpiece support surface |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22096989A JPH0383338A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0383338A true JPH0383338A (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=16759398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22096989A Pending JPH0383338A (ja) | 1989-06-16 | 1989-08-28 | 処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0383338A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016208110A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP22096989A patent/JPH0383338A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016208110A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
JP2017015770A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
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