JPH0383338A - 処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 見映夏且放 （産業上の利用分野） 本発明は、被処理体の表面に反応ガスを吹きつけて処理
する処理方法に関する。

（従来の技術） 従来よりこの種の処理方法は、半導体製造工程において
各種の工程に行われている。

例えば、第２図に示すように、加熱台１に載置した基板
２上にエツチングガスを流出させたり、同図においてオ
ゾンガスを流出させてアッシング処理を行ったり、又は
、第３図に示すように、ＣＶＤ処理ガス３の雰囲気中に
おいた基板４にＵＶ光源５を介してＵＶ光を照射し、基
板４の表面に所望する膜を被着形成したり、或は同図に
おいて。

エツチングガス３の雰囲気中で、基板４にＵＶ光を照射
してエツチングすることなどが行なわれている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記の従来例によると、第２図の処理工
程は、ガス種を変えることによって所望の反応ガスを用
いて使用できるが、第３図の処理工程の際は、第２図の
工程とは別のスペースとメカニズムでＵＶ光を照射して
処理しているので。

処理効率が悪く、又、スペースもそれだけ増加し大型化
する等の課題が存在していた。

本発明は、上記の従来の課題を解決するために開発した
もので、各種の処理工程の高ニル−プツト化を図ること
により処理効率の向上と処理装置のコンパクト化を目的
としたものである。

丑ＩＩＬ旌 （課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するため１本発明は、被処理体の表面
に反応ガスを拡散板により拡散させて処理する方法にお
いて、上記反応ガスの上記拡散板内流路に紫外光照射部
を設け、この紫外光照射部から上記被処理体に紫外線を
照射する処理方法である。

上記した反応ガスは、エツチング装置におけるエツチン
グガス、アッシング装置におけるアッシングガス、蚊は
ＣＶＤ装置におけるＣｖＤ処理ガスを適宜に選択して用
いることができる。

（作　用） 従って１本発明によると１反応ガスの拡散板内流路にＵ
Ｖ光源照射部を設け、この流路に１例えば、エツチング
ガス、アッシングガス或はＣｖＤ処理ガスを適宜に選択
し、又はガス種を変えて流入させると、ガス噴出孔より
所望のガスが噴出すると共に、流路で均一にＵＶ光で励
起されて同噴出孔より噴出するので、加熱台に載置され
ている被処理体は、ガスに対応したエツチング、アッシ
ング或はＣＶＤ処理が効率的に行なわれ、高ニルプツト
化が図れると共に、コンパクトな処理装置を得ることが
できる。

（実施例） 本発明に置ける各種の処理方法の実施例を、＠面に従っ
て説明する。

本例における処理方法には、エツチング、アッシング又
はＣＶＤ処理等を挙げることができるが、先ず、アッシ
ング装置を例にして説明する。

図示しない処理室内には、真空チャック等により被処理
体例えば方形状のＬＣＤ　（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌ　　Ｄｉｓｐｌｙ）基板ｌＯを保持する加熱台１１が
配置され、この加熱台１１は、ヒータを内蔵して温度制
御されるように設けられている。

この加熱台１１の上方には１反応ガスを拡散するための
ガス拡散機構１２例えば孔の設けられた円筒体板が設け
られ、このガス拡散機構１２の下面部分には、ガス流出
路１３とガス噴出孔１４との流路にガス励起路１５が形
成され、このガス励起路１５に長尺上のＵＶ光照射部（
ＵＶ光ランプ）１６を設けてアッシングガスを励起して
いる。

又、ガス励起路１５の近傍部分には、ガス拡散機構１２
の温度をコントロールする冷却路１７が内蔵されている
。

このガス励起路１５は、長手方向に長く形成され、巾方
向は、ガス流出路１３より広く形成されており、流入し
た反応ガスがガス励起路１５内で長手方向に速やかに拡
散され、ＵＶ光にて励起された後、スリット状のガス噴
出孔１４より均一温度に加熱されて基板１０上に吹き付
けられる。

更に、ガス拡散機構１２は、基＠１０と相対的に横カ行
にスキャンさせることができる。この場合、ガス拡散機
構１２以外に、加熱台１１を横方行に移動させるか、ガ
ス拡散機構１２と加熱台１１の双方を相対的に移動させ
ても良い。

次に上記実施例の作用を説明する。

先ず、加熱台１１又はガス拡散機構１２を昇降機構を介
して昇降させ、ガス拡散機構１２の下面と加熱台１１の
間隔を設け、このとき加熱台１１上に基板１０を載置し
て固着し、その後、加熱台１１又はガス拡散機構１２を
昇降させて間隔を１〜２履程度に設定する。

次いで、加熱台１１を表面温度が２００℃程度になるよ
うに加熱し、オゾン（０３）を含有する酸素ガスである
アッシングガスをガス流出路工３よりガス励起路１５に
流入させて拡散し、ガス噴出孔１４より基板１０に向け
て均一に噴出する。

同時に、ガス励起路１５に設けたＵＶ光光照射上１６よ
ってアッシングガスが励起される。即ち。

この状態において、ガスに含まれているオゾンは、ＵＶ
光ランプ１６により励起され、ガス噴出孔１４より噴出
直前には分解されない程度の温度に加熱されて基板１０
に向い、基板１０の表面に接メしてさらに加熱されるこ
とにより分解し、酸素り子ラジカルが多量に発生し、こ
の酸１４ｙＫ子ラジ；ルが基板１０の表面に被着された
レジスト膜と１応し、アッシングが行なわれ、レジスト
膜を除ミする。

この場合、ガス拡散機構１２をスキャンさせ゛・アクシ
ングガスの流れを基板１０のアッシング右全体に亘り均
一に流出させてアッシングを行な“上記の実施例におけ
る反応ガスは、アッシンシガスに適用した例について説
明したが、その他。

エツチング装置におけるエツチングガス、又は（ＶＤ装
置におけるＣＶＤ処理ガス等にも適用で―ることは勿論
である。

又亘立羞呆 以上のことから明らかなように、次のようなｆれた効果
を奏する。

即ち、半導体製造工程における各種の処理王手の高スル
ープツトを図ることにより処理効率の６上と処理装置の
コンパクト化に寄与することが１きる。

【図面の簡単な説明】

第１１ｊ！Ｊは、本発明における処理方法の一実施例を
示す部分断面図であり、第２図及び第３図は従来の処理
方法の各側を示す説明図である。 １０・・・被処理体（基板＞　　　１１・・・加熱台１
２・・・ガス拡散機＃ｌ　　　　１３・・・ガス流出路
１４・・・ガス噴出孔　　　　　１５・・・ガス励起路
１６・・・ＵＶ光照射部 特 許 出 願 人 チル九州株式会社

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理体の表面に反応ガスを拡散板により拡散さ
   せて処理する方法において、上記反応ガスの上記拡散板
   内流路に紫外光照射部を設け、この紫外光照射部から上
   記被処理体に紫外線を照射することを特徴とする処理方
   法。
2. （２）反応ガスは、エッチング装置におけるエッチング
   ガスである請求項１記載の処理方法。
3. （３）反応ガスは、アッシング装置におけるアッシング
   ガスである請求項１記載の処理方法。
4. （４）反応ガスは、ＣＶＤ装置におけるＣＶＤ処理ガス
   である請求項１記載の処理方法。