JPH07130693A - 枚葉式両面洗浄装置 - Google Patents
枚葉式両面洗浄装置Info
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- JPH07130693A JPH07130693A JP5300985A JP30098593A JPH07130693A JP H07130693 A JPH07130693 A JP H07130693A JP 5300985 A JP5300985 A JP 5300985A JP 30098593 A JP30098593 A JP 30098593A JP H07130693 A JPH07130693 A JP H07130693A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- wafer
- cleaned
- semiconductor wafer
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多種多様な工程に対応できる枚葉式両面洗浄
装置。 【構成】 被洗浄体が収納されたカセットを搬入搬出す
るカセットステーションと、このカセットステーション
から取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送機構と、
この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路と、この
搬送路に沿って設けられた被洗浄体を洗浄する少なくと
も1つの洗浄機構と、上記搬送路に沿って設けられた被
洗浄体の表裏面を反転させる被洗浄体反転機構とから構
成されたことを特徴とする枚葉式両面洗浄装置。
装置。 【構成】 被洗浄体が収納されたカセットを搬入搬出す
るカセットステーションと、このカセットステーション
から取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送機構と、
この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路と、この
搬送路に沿って設けられた被洗浄体を洗浄する少なくと
も1つの洗浄機構と、上記搬送路に沿って設けられた被
洗浄体の表裏面を反転させる被洗浄体反転機構とから構
成されたことを特徴とする枚葉式両面洗浄装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、枚葉式両面洗浄装置
に関するものである。
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】被洗浄体例えば半導体ウエハ(以下にウ
エハという)を水平に保持して回転させ、ウエハの表面
に処理液(洗浄液)を供給すると共に、ブラシをウエハ
の表面に押し当てて表面の粒子汚染物を除去する技術
が、特開昭57−90941号に開示されている。
エハという)を水平に保持して回転させ、ウエハの表面
に処理液(洗浄液)を供給すると共に、ブラシをウエハ
の表面に押し当てて表面の粒子汚染物を除去する技術
が、特開昭57−90941号に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
の高集積化あるいは多品種少量生産にともない単一な処
理工程のみでは、表面処理、裏面処理、パターンが形成
された半導体ウエハの表面処理等の多様な工程に対応で
きなくなると言う改善点があった。この発明は上記事情
に鑑みなされたもので、多様な工程に対応できる枚葉式
両面洗浄装置を提供することを目的とするものである。
の高集積化あるいは多品種少量生産にともない単一な処
理工程のみでは、表面処理、裏面処理、パターンが形成
された半導体ウエハの表面処理等の多様な工程に対応で
きなくなると言う改善点があった。この発明は上記事情
に鑑みなされたもので、多様な工程に対応できる枚葉式
両面洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の枚葉式両面洗浄装置は、被洗浄体が収納
されたカセットを搬入搬出するカセットステーション
と、このカセットステーションから取り出された上記被
洗浄体を搬送する搬送機構と、この搬送機構が上記被搬
送体を搬送する搬送路と、この搬送路に沿って設けられ
た被洗浄体を洗浄する少なくとも1つの洗浄機構と、上
記搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を反転さ
せる被洗浄体反転機構とから構成されたことを特徴とす
る。
に、この発明の枚葉式両面洗浄装置は、被洗浄体が収納
されたカセットを搬入搬出するカセットステーション
と、このカセットステーションから取り出された上記被
洗浄体を搬送する搬送機構と、この搬送機構が上記被搬
送体を搬送する搬送路と、この搬送路に沿って設けられ
た被洗浄体を洗浄する少なくとも1つの洗浄機構と、上
記搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を反転さ
せる被洗浄体反転機構とから構成されたことを特徴とす
る。
【0005】また、被洗浄体が収納されたカセットを搬
入搬出するカセットステーションと、このカセットステ
ーションから取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送
機構と、この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路
と、この搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を
反転させる被洗浄体反転機構と、上記搬送路に沿って設
けられた被洗浄体を洗浄する複数の洗浄機構を設け、こ
の複数の洗浄機構が、被洗浄体の表面を洗浄する表面洗
浄機構と被洗浄体の裏面を洗浄する裏面洗浄機構の内少
なくとも1つであることを特徴とする。
入搬出するカセットステーションと、このカセットステ
ーションから取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送
機構と、この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路
と、この搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を
反転させる被洗浄体反転機構と、上記搬送路に沿って設
けられた被洗浄体を洗浄する複数の洗浄機構を設け、こ
の複数の洗浄機構が、被洗浄体の表面を洗浄する表面洗
浄機構と被洗浄体の裏面を洗浄する裏面洗浄機構の内少
なくとも1つであることを特徴とする。
【0006】また、被洗浄体が収納されたカセットを搬
入搬出するカセットステーションと、このカセットステ
ーションから取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送
機構と、この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路
と、この搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を
反転させる被洗浄体反転機構と、上記搬送路に沿って設
けられた被洗浄体を加熱する加熱機構と、上記搬送路に
沿って設けられた被洗浄体を洗浄する複数の洗浄機構を
設け、この複数の洗浄機構が、被洗浄体の表面を洗浄す
る表面洗浄機構と被洗浄体の裏面を洗浄する裏面洗浄機
構の内少なくとも1つであることを特徴とする。
入搬出するカセットステーションと、このカセットステ
ーションから取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送
機構と、この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路
と、この搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を
反転させる被洗浄体反転機構と、上記搬送路に沿って設
けられた被洗浄体を加熱する加熱機構と、上記搬送路に
沿って設けられた被洗浄体を洗浄する複数の洗浄機構を
設け、この複数の洗浄機構が、被洗浄体の表面を洗浄す
る表面洗浄機構と被洗浄体の裏面を洗浄する裏面洗浄機
構の内少なくとも1つであることを特徴とする。
【0007】また、前記被洗浄体反転機構には、被洗浄
体のオリフラ合わせを行なうオリフラ合わせ機構を設け
たことを特徴とする。。
体のオリフラ合わせを行なうオリフラ合わせ機構を設け
たことを特徴とする。。
【0008】また、前記カセットステーションと前記搬
送機構と前記搬送路と前記被洗浄体反転機構と前記洗浄
機構とが、同一の筐体内に設けられていることを特徴と
する。
送機構と前記搬送路と前記被洗浄体反転機構と前記洗浄
機構とが、同一の筐体内に設けられていることを特徴と
する。
【0009】
【作用】上記のように構成されるこの発明の枚葉式両面
洗浄装置によれば、被洗浄体が収納されたカセットを搬
入搬出するカセットステーションと、このカセットステ
ーションから取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送
機構と、この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路
と、この搬送路に沿って設けられた被洗浄体を洗浄する
少なくとも1つの洗浄機構と、上記搬送路に沿って設け
られた被洗浄体の表裏面を反転させる被洗浄体反転機構
とから構成されているので、多種多様な処理のスループ
ットを向上することが出来る。
洗浄装置によれば、被洗浄体が収納されたカセットを搬
入搬出するカセットステーションと、このカセットステ
ーションから取り出された上記被洗浄体を搬送する搬送
機構と、この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路
と、この搬送路に沿って設けられた被洗浄体を洗浄する
少なくとも1つの洗浄機構と、上記搬送路に沿って設け
られた被洗浄体の表裏面を反転させる被洗浄体反転機構
とから構成されているので、多種多様な処理のスループ
ットを向上することが出来る。
【0010】
【実施例】以下本発明装置の一実施例につき図面を参照
して具体的に説明する。図1に示す如く、本発明に係わ
る枚葉式両面洗浄装置1について説明する。
して具体的に説明する。図1に示す如く、本発明に係わ
る枚葉式両面洗浄装置1について説明する。
【0011】この枚葉式両面洗浄装置1は、次のように
構成されている。その一端側に被洗浄体として例えば多
数枚の半導体ウエハWを収容し半導体製造工程の各工程
間を搬送する複数のカセット2を、たとえば4個載置可
能に構成したキャリアステ−ション3が設けられてい
る。このキャリアステ−ション3の中央部には、上記カ
セット2に対して半導体ウエハWの搬入・搬出及び半導
体ウエハWの位置決めをおこなう機能を有する補助ア−
ム4が設けられている。また、前記枚葉式両面洗浄装置
1の中央部にてその長さ方向に移動可能に例えば直線移
送路6が設けられている。この直線移送路6の上には、
前記補助ア−ム4から半導体ウエハWを受渡される搬送
機構たとえばメインア−ム5が、前記枚葉式両面洗浄装
置1の長さ方向に移動可能に設けられている。このメイ
ンア−ム5の直線移送路6の両側には、この直線移送路
6に沿って各種処理機構が配置されている。具体的に
は、これらの処理機構としては前記移送路6の一側方に
は、プロセスステ−ションとして例えば半導体ウエハW
の表面をブラシ洗浄するための表面ブラシスクラバ7及
び半導体ウエハWの裏面をブラシ洗浄するための裏面ブ
ラシスクラバ8が並設されるとともに、メインア−ム5
の前記直線移送路6の他側方には加熱装置9が上下方向
に4基積み重ねて設けられ、その隣には、2基の被洗浄
体反転機構10が上下方向に積み重ねて設けられて枚葉
式両面洗浄装置1が構成されている。
構成されている。その一端側に被洗浄体として例えば多
数枚の半導体ウエハWを収容し半導体製造工程の各工程
間を搬送する複数のカセット2を、たとえば4個載置可
能に構成したキャリアステ−ション3が設けられてい
る。このキャリアステ−ション3の中央部には、上記カ
セット2に対して半導体ウエハWの搬入・搬出及び半導
体ウエハWの位置決めをおこなう機能を有する補助ア−
ム4が設けられている。また、前記枚葉式両面洗浄装置
1の中央部にてその長さ方向に移動可能に例えば直線移
送路6が設けられている。この直線移送路6の上には、
前記補助ア−ム4から半導体ウエハWを受渡される搬送
機構たとえばメインア−ム5が、前記枚葉式両面洗浄装
置1の長さ方向に移動可能に設けられている。このメイ
ンア−ム5の直線移送路6の両側には、この直線移送路
6に沿って各種処理機構が配置されている。具体的に
は、これらの処理機構としては前記移送路6の一側方に
は、プロセスステ−ションとして例えば半導体ウエハW
の表面をブラシ洗浄するための表面ブラシスクラバ7及
び半導体ウエハWの裏面をブラシ洗浄するための裏面ブ
ラシスクラバ8が並設されるとともに、メインア−ム5
の前記直線移送路6の他側方には加熱装置9が上下方向
に4基積み重ねて設けられ、その隣には、2基の被洗浄
体反転機構10が上下方向に積み重ねて設けられて枚葉
式両面洗浄装置1が構成されている。
【0012】このように構成された枚葉式両面洗浄装置
1に組み込まれる裏面ブラシスクラバ8は、図2に示す
ように被洗浄体たとえば半導体ウエハWを回路パターン
面を下向きにして水平状態に保持する回転保持手段であ
るスピンチャック101と、このスピンチャック101
にて保持される半導体ウエハWの上面に処理液すなわち
洗浄液をジェット流にして噴出するジェットノズル10
2と、洗浄液噴射ノズル103から供給される洗浄液を
用いて半導体ウエハWの上面に付着する粒子汚染物を洗
浄除去するブラシ104と、被洗浄体を裏面ブラシスク
ラバー8に搬入搬出するために上下動し開閉する開閉ド
ア106と連動して上下動することにより、半導体ウエ
ハWを洗浄する時に洗浄液等が飛び散ることを防止する
ためのカップ105とで主要部が構成されている。
1に組み込まれる裏面ブラシスクラバ8は、図2に示す
ように被洗浄体たとえば半導体ウエハWを回路パターン
面を下向きにして水平状態に保持する回転保持手段であ
るスピンチャック101と、このスピンチャック101
にて保持される半導体ウエハWの上面に処理液すなわち
洗浄液をジェット流にして噴出するジェットノズル10
2と、洗浄液噴射ノズル103から供給される洗浄液を
用いて半導体ウエハWの上面に付着する粒子汚染物を洗
浄除去するブラシ104と、被洗浄体を裏面ブラシスク
ラバー8に搬入搬出するために上下動し開閉する開閉ド
ア106と連動して上下動することにより、半導体ウエ
ハWを洗浄する時に洗浄液等が飛び散ることを防止する
ためのカップ105とで主要部が構成されている。
【0013】スピンチャック101は、図4に示す如く
駆動源であるモータ110によって回転される駆動軸1
11の上端部に水平に連結する回転板112が設けら
れ、この回転板112を取付けるボス部112aにおけ
る駆動軸111の流体流出口111cの上方には、N2
ガスの流れを半導体ウエハWの周辺部に案内する流体案
内手段である案内板115が取り付けられている。この
案内板115は、円盤部材にて形成され、その下面にお
ける同心円上の4箇所に脚部116を設け、この脚部1
16を貫通してボス部112aにねじ結合される取付ね
じ117にてボス部112a上に固定されている。ま
た、前記回転板112の外周辺には、適宜間隔をおいて
立設されて半導体ウエハWの周縁部分を支持し水平状態
に保持するための保持爪113が設けられている。
駆動源であるモータ110によって回転される駆動軸1
11の上端部に水平に連結する回転板112が設けら
れ、この回転板112を取付けるボス部112aにおけ
る駆動軸111の流体流出口111cの上方には、N2
ガスの流れを半導体ウエハWの周辺部に案内する流体案
内手段である案内板115が取り付けられている。この
案内板115は、円盤部材にて形成され、その下面にお
ける同心円上の4箇所に脚部116を設け、この脚部1
16を貫通してボス部112aにねじ結合される取付ね
じ117にてボス部112a上に固定されている。ま
た、前記回転板112の外周辺には、適宜間隔をおいて
立設されて半導体ウエハWの周縁部分を支持し水平状態
に保持するための保持爪113が設けられている。
【0014】前記回転板112の外周辺の3箇所には、
スリット112bが設けられ、ウエハ搬送用のメインア
ーム5には、馬蹄形状のアーム本体5aの内周面の3箇
所にウエハ係止爪5bを設けておき、そして、メインア
ーム5のウエハ係止爪5bが回転板12のスリット11
2b内を通る位置でメインアーム5を昇降移動すること
によって半導体ウエハWの受け渡しを行うことができる
ように構成されている。
スリット112bが設けられ、ウエハ搬送用のメインア
ーム5には、馬蹄形状のアーム本体5aの内周面の3箇
所にウエハ係止爪5bを設けておき、そして、メインア
ーム5のウエハ係止爪5bが回転板12のスリット11
2b内を通る位置でメインアーム5を昇降移動すること
によって半導体ウエハWの受け渡しを行うことができる
ように構成されている。
【0015】前記駆動軸111は、保持される半導体ウ
エハWの下面に流体を流出する流路111aを有する例
えばステンレス鋼製の中空軸にて形成されると共に、そ
の内周面に汚れ防止用のフッ素樹脂製チューブ111b
を嵌合されている。また、前記駆動軸111は、前記モ
ータ110内を貫通した状態に配設されており、この駆
動軸111の下部の流体流入側はモータ110の下端よ
り下方に突出し、その外側にモータ110の下端部との
間に例えば塩化ビニル製部材にて形成される絶縁性の中
間ブロック121を介して例えばステンレス鋼製のシー
ルブロック122が固定されている。この場合、シール
ブロック122には、中間ブロック121に取付けられ
る第1のシール部材123a(例えば、Oリング,メカ
ニカルシールなど)を介してモータ110と区画される
第1の室124a(空間部)と、この第1の室124a
との間に駆動軸111の外周部と非接触の第2のシール
部材であるラビリンス(labyrinth)シール1
23bを介して区画される第2の室124b(空間部)
が形成されている。ラビリンスシール123bを駆動軸
111との間に僅かな隙間を残して取付けるには、駆動
軸111の外周にシートを巻き付けてラビリンスシール
123bを取付けた後、駆動軸111に巻き付けたシー
トを取外すことによって行うことができる。そして、ラ
ビリンスシール123bと駆動軸111とが非接触か否
かを調べるには、中間ブロック121が絶縁性であるの
で、駆動軸111とラビリンスシール123b(具体的
にはシールブロック122)との間をテスターにて電気
的にチェックすることによって行うことができる。
エハWの下面に流体を流出する流路111aを有する例
えばステンレス鋼製の中空軸にて形成されると共に、そ
の内周面に汚れ防止用のフッ素樹脂製チューブ111b
を嵌合されている。また、前記駆動軸111は、前記モ
ータ110内を貫通した状態に配設されており、この駆
動軸111の下部の流体流入側はモータ110の下端よ
り下方に突出し、その外側にモータ110の下端部との
間に例えば塩化ビニル製部材にて形成される絶縁性の中
間ブロック121を介して例えばステンレス鋼製のシー
ルブロック122が固定されている。この場合、シール
ブロック122には、中間ブロック121に取付けられ
る第1のシール部材123a(例えば、Oリング,メカ
ニカルシールなど)を介してモータ110と区画される
第1の室124a(空間部)と、この第1の室124a
との間に駆動軸111の外周部と非接触の第2のシール
部材であるラビリンス(labyrinth)シール1
23bを介して区画される第2の室124b(空間部)
が形成されている。ラビリンスシール123bを駆動軸
111との間に僅かな隙間を残して取付けるには、駆動
軸111の外周にシートを巻き付けてラビリンスシール
123bを取付けた後、駆動軸111に巻き付けたシー
トを取外すことによって行うことができる。そして、ラ
ビリンスシール123bと駆動軸111とが非接触か否
かを調べるには、中間ブロック121が絶縁性であるの
で、駆動軸111とラビリンスシール123b(具体的
にはシールブロック122)との間をテスターにて電気
的にチェックすることによって行うことができる。
【0016】また、上記シールブロック122の第1の
室124aには、図示しない真空ポンプ等の吸引手段に
接続する流体排出口118が設けられている。また第2
の室124bには、駆動軸111の流路111aに流体
流入口125dを介して連通されると共に、図示しない
流体例えば窒素(N2 )ガスのN2 ガス供給源と接続す
る流体供給口126が設けられている。したがって、N
2 ガス供給源から第2の室124b内に供給されるN2
ガスは駆動軸111の流路111aを通って半導体ウエ
ハWと回転板112との間に流れて半導体ウエハWの周
辺方向に向い、半導体ウエハWの上面に供給される洗浄
液の半導体ウエハW下面への回り込みの防止に供され
る。また、第2の室124b内に供給されたN2 ガスは
ラビリンスシール123bと駆動軸111との僅かな隙
間を通って第1の室124a内に流れた後、流体排出口
127から排出されるように構成されているので、第1
の室124a内の圧力が第2の室124b内の圧力より
低圧となるようにしておくことができ、このエゼクタ作
用によって駆動軸111のベアリング110aにて発生
して第1のシール部材123aに付着するごみは排出流
と共に排出される。
室124aには、図示しない真空ポンプ等の吸引手段に
接続する流体排出口118が設けられている。また第2
の室124bには、駆動軸111の流路111aに流体
流入口125dを介して連通されると共に、図示しない
流体例えば窒素(N2 )ガスのN2 ガス供給源と接続す
る流体供給口126が設けられている。したがって、N
2 ガス供給源から第2の室124b内に供給されるN2
ガスは駆動軸111の流路111aを通って半導体ウエ
ハWと回転板112との間に流れて半導体ウエハWの周
辺方向に向い、半導体ウエハWの上面に供給される洗浄
液の半導体ウエハW下面への回り込みの防止に供され
る。また、第2の室124b内に供給されたN2 ガスは
ラビリンスシール123bと駆動軸111との僅かな隙
間を通って第1の室124a内に流れた後、流体排出口
127から排出されるように構成されているので、第1
の室124a内の圧力が第2の室124b内の圧力より
低圧となるようにしておくことができ、このエゼクタ作
用によって駆動軸111のベアリング110aにて発生
して第1のシール部材123aに付着するごみは排出流
と共に排出される。
【0017】なお、シールブロック122の底部には駆
動軸111の流路111aと同軸方向に貫通口122a
が設けられており、この貫通口122aの開口部には例
えば石英ガラス等の透明板130が装着されている。そ
して、駆動軸111の上方に発光素子131が配設さ
れ、透明板130の下方側には受光素子132が配設さ
れて、発光素子131からの投光が受光素子132にて
受光されるようになっている。したがって、これら発光
素子131と受光素子132とによってスピンチャック
101上に載置される半導体ウエハWの有無の検出を行
うことができる。
動軸111の流路111aと同軸方向に貫通口122a
が設けられており、この貫通口122aの開口部には例
えば石英ガラス等の透明板130が装着されている。そ
して、駆動軸111の上方に発光素子131が配設さ
れ、透明板130の下方側には受光素子132が配設さ
れて、発光素子131からの投光が受光素子132にて
受光されるようになっている。したがって、これら発光
素子131と受光素子132とによってスピンチャック
101上に載置される半導体ウエハWの有無の検出を行
うことができる。
【0018】一方、半導体ウエハWを洗浄するためのブ
ラシ104は、自転可能に構成されるとともに、アーム
140の一端側に固着され、かつ、このアーム140の
他端側はスキャナ141に支持されている。このスキャ
ナ141の駆動により前記アーム140を介して前記ブ
ラシ104を図2に示す待機位置と半導体ウエハWの上
面との揺動範囲にわたって揺動(公転駆動)可能として
いる。
ラシ104は、自転可能に構成されるとともに、アーム
140の一端側に固着され、かつ、このアーム140の
他端側はスキャナ141に支持されている。このスキャ
ナ141の駆動により前記アーム140を介して前記ブ
ラシ104を図2に示す待機位置と半導体ウエハWの上
面との揺動範囲にわたって揺動(公転駆動)可能として
いる。
【0019】また、前記スキャナ141の下部には、前
記スキャナ141と前記アーム140を一体的に上下移
動させるための上下機構142が設けられており、前記
ブラシ104を待機位置と洗浄位置との間で揺動させる
時に、前記スキャナ141と前記アーム140を一体的
に上下移動させカップ等に衝突しないように構成されて
いる。また、前記ブラシ104の待機位置下部には、ブ
ラシ104の待機中にブラシ104を洗浄するためのブ
ラシ洗浄装置144が設けられている。
記スキャナ141と前記アーム140を一体的に上下移
動させるための上下機構142が設けられており、前記
ブラシ104を待機位置と洗浄位置との間で揺動させる
時に、前記スキャナ141と前記アーム140を一体的
に上下移動させカップ等に衝突しないように構成されて
いる。また、前記ブラシ104の待機位置下部には、ブ
ラシ104の待機中にブラシ104を洗浄するためのブ
ラシ洗浄装置144が設けられている。
【0020】一方、ジェットノズル102は、図2に示
すように、前記スピンチャック101を挟んで前記ブラ
シ104に対向する側に配設されており、アーム160
の一端側に固着され、かつ、このアーム160の他端側
はスキャナ161に支持されている。このスキャナ16
1の駆動により前記アーム160を介して前記ジェット
ノズル102を図2に示す待機位置と半導体ウエハWの
上面との揺動範囲にわたって揺動(公転駆動)可能とし
ている。
すように、前記スピンチャック101を挟んで前記ブラ
シ104に対向する側に配設されており、アーム160
の一端側に固着され、かつ、このアーム160の他端側
はスキャナ161に支持されている。このスキャナ16
1の駆動により前記アーム160を介して前記ジェット
ノズル102を図2に示す待機位置と半導体ウエハWの
上面との揺動範囲にわたって揺動(公転駆動)可能とし
ている。
【0021】また、前記スキャナ161の下部には、前
記スキャナ161と前記アーム160を一体的に上下移
動させるための上下機構162が設けられており、前記
ジェットノズル102を待機位置と噴射位置との間で揺
動させる時に、前記スキャナ161と前記アーム160
を一体的に上下移動させカップ等に衝突しないように構
成されている。また、前記ジェットノズル102の待機
位置下部には、ジェットノズル102の待機中にジェッ
トノズル102を洗浄するためのジェットノズル102
洗浄装置164が設けられている。
記スキャナ161と前記アーム160を一体的に上下移
動させるための上下機構162が設けられており、前記
ジェットノズル102を待機位置と噴射位置との間で揺
動させる時に、前記スキャナ161と前記アーム160
を一体的に上下移動させカップ等に衝突しないように構
成されている。また、前記ジェットノズル102の待機
位置下部には、ジェットノズル102の待機中にジェッ
トノズル102を洗浄するためのジェットノズル102
洗浄装置164が設けられている。
【0022】このジェットノズル102は洗浄液(純
水)供給管166を介して純水収容タンク167に接続
されており、洗浄液供給管166に配設されるポンプ1
68及びバルブ169によって所定量の洗浄液である純
水が半導体ウエハW上に散布されるようになっている。
このジェットノズル102は、半導体ウエハWの上面に
移動して純水収容タンク167から供給される純水を半
導体ウエハWの表面に散布し得るようになっている。な
お、純水収容タンク167の外周側にはヒータ170が
配設されて、純水の温度を常に一定の温度に温めてい
る。したがって、温められた純水を用いて半導体ウエハ
Wの洗浄を行うことによって、洗浄効率の向上が図れ、
また、半導体ウエハW自体が温まるので、洗浄処理後の
乾燥処理の短縮化が図れる。
水)供給管166を介して純水収容タンク167に接続
されており、洗浄液供給管166に配設されるポンプ1
68及びバルブ169によって所定量の洗浄液である純
水が半導体ウエハW上に散布されるようになっている。
このジェットノズル102は、半導体ウエハWの上面に
移動して純水収容タンク167から供給される純水を半
導体ウエハWの表面に散布し得るようになっている。な
お、純水収容タンク167の外周側にはヒータ170が
配設されて、純水の温度を常に一定の温度に温めてい
る。したがって、温められた純水を用いて半導体ウエハ
Wの洗浄を行うことによって、洗浄効率の向上が図れ、
また、半導体ウエハW自体が温まるので、洗浄処理後の
乾燥処理の短縮化が図れる。
【0023】また、表面ブラシスクラバ7の構成は、図
2に示すように前記裏面ブラシスクラバ8における、半
導体ウエハWを水平状態に保持する回転保持手段である
スピンチャック101と、洗浄液噴射ノズル103から
供給される洗浄液を用いて半導体ウエハWの上面に付着
する粒子汚染物を洗浄除去するブラシ104と、被洗浄
体を裏面ブラシスクラバー8に搬入搬出するために上下
動し開閉する開閉ドアと連動して上下動することによ
り、半導体ウエハWを洗浄する時に洗浄液等が飛び散る
ことを防止するためのカップ105とによって構成され
ることは略同じである。構成の相違は、前記スピンチャ
ック101にて保持される半導体ウエハWの上面に処理
液すなわち洗浄液をジェット流にして噴出するジェット
ノズル102の代わりに図3に示すメガソニックノズル
180を備えていることである。このメガソニックノズ
ル180から超音波振動を与えられた洗浄液を半導体ウ
エハWの上面に噴射して洗浄するように構成されてい
る。さらに詳しくには、前記メガソニックノズル180
には、洗浄液を供給する洗浄液供給管181と、供給さ
れた洗浄液に超音波振動を与える超音波発振器182
と、洗浄液を噴射する噴射口183が設けられている。
前記超音波発振器182は、洗浄液に対して、たとえ
ば、0.5から5メガヘルツの範囲の超音波振動を与え
るように構成されている。
2に示すように前記裏面ブラシスクラバ8における、半
導体ウエハWを水平状態に保持する回転保持手段である
スピンチャック101と、洗浄液噴射ノズル103から
供給される洗浄液を用いて半導体ウエハWの上面に付着
する粒子汚染物を洗浄除去するブラシ104と、被洗浄
体を裏面ブラシスクラバー8に搬入搬出するために上下
動し開閉する開閉ドアと連動して上下動することによ
り、半導体ウエハWを洗浄する時に洗浄液等が飛び散る
ことを防止するためのカップ105とによって構成され
ることは略同じである。構成の相違は、前記スピンチャ
ック101にて保持される半導体ウエハWの上面に処理
液すなわち洗浄液をジェット流にして噴出するジェット
ノズル102の代わりに図3に示すメガソニックノズル
180を備えていることである。このメガソニックノズ
ル180から超音波振動を与えられた洗浄液を半導体ウ
エハWの上面に噴射して洗浄するように構成されてい
る。さらに詳しくには、前記メガソニックノズル180
には、洗浄液を供給する洗浄液供給管181と、供給さ
れた洗浄液に超音波振動を与える超音波発振器182
と、洗浄液を噴射する噴射口183が設けられている。
前記超音波発振器182は、洗浄液に対して、たとえ
ば、0.5から5メガヘルツの範囲の超音波振動を与え
るように構成されている。
【0024】次に、前記被洗浄体反転機構10について
説明する。前記被洗浄体反転機構10には、図1に示す
ように上下2段の室11、12が設けられている。ま
た、図5に示す如く、下段の室12において、内奥に設
置された支持板201を貫通する駆動軸202に接続さ
れた反転駆動部200が、設けられている。
説明する。前記被洗浄体反転機構10には、図1に示す
ように上下2段の室11、12が設けられている。ま
た、図5に示す如く、下段の室12において、内奥に設
置された支持板201を貫通する駆動軸202に接続さ
れた反転駆動部200が、設けられている。
【0025】反転駆動部200は、駆動モータ204と
モータ駆動軸205に固着された駆動プーリ206と、
前記駆動軸202に固着されたプーリ207と、両プー
リ206、207を連結するベルト208とから構成さ
れている。前記駆動軸202は、図示しない軸受けを介
して回転可能に設けられている。駆動軸202の先端部
には、アーム開閉駆動部210が設けられている。この
アーム開閉駆動部210は、一対の半円形のウエハ把持
アーム211a,211bの基端部にそれぞれ固着され
たアーム支持体212a,212bが設けられ、このア
ーム支持体212a,212bは、図示しないシリンダ
機構により水平方向に移動可能に設けられている。
モータ駆動軸205に固着された駆動プーリ206と、
前記駆動軸202に固着されたプーリ207と、両プー
リ206、207を連結するベルト208とから構成さ
れている。前記駆動軸202は、図示しない軸受けを介
して回転可能に設けられている。駆動軸202の先端部
には、アーム開閉駆動部210が設けられている。この
アーム開閉駆動部210は、一対の半円形のウエハ把持
アーム211a,211bの基端部にそれぞれ固着され
たアーム支持体212a,212bが設けられ、このア
ーム支持体212a,212bは、図示しないシリンダ
機構により水平方向に移動可能に設けられている。
【0026】図6の状態では、アーム支持体212a,
212bが互いに近接しており、前記ウエハ把持アーム
211a,211bは閉じている。この状態から前記シ
リンダ機構により前記アーム支持体212a,212b
は互いに離間する方向に移動すると、前記ウエハ把持ア
ーム211a,211bも互いに離間して開く。逆の動
作を行うと、前記アーム支持体212a,212bは互
いに接近する方向へ移動し、前記ウエハ把持アーム21
1a,211bも互いに接近して閉じる。ここで、前記
ウエハ把持アーム211a,211bが閉じるとは前記
半導体ウエハWを周縁部両側から把持出来る程度に閉じ
た状態であり、前記ウエハ把持アーム211a,211
bが開くとは前記半導体ウエハWを離脱させる程に開い
た状態である。
212bが互いに近接しており、前記ウエハ把持アーム
211a,211bは閉じている。この状態から前記シ
リンダ機構により前記アーム支持体212a,212b
は互いに離間する方向に移動すると、前記ウエハ把持ア
ーム211a,211bも互いに離間して開く。逆の動
作を行うと、前記アーム支持体212a,212bは互
いに接近する方向へ移動し、前記ウエハ把持アーム21
1a,211bも互いに接近して閉じる。ここで、前記
ウエハ把持アーム211a,211bが閉じるとは前記
半導体ウエハWを周縁部両側から把持出来る程度に閉じ
た状態であり、前記ウエハ把持アーム211a,211
bが開くとは前記半導体ウエハWを離脱させる程に開い
た状態である。
【0027】前記反転駆動部200において駆動モータ
204が作動してアーム回転軸202を任意の角度だけ
回転させると、前記アーム回転軸202と一体にアーム
開閉駆動部210およびウエハ把持アーム211a,2
11bが回転するようになっている。前記アーム開閉駆
動部210の両側面には一対のシャッタ板214a,2
14bが取付されるとともに、このシャッタ板214
a,214bが通過する経路の両側には、図示しない遮
光型の光センサーが取付され、前記シャッタ板214b
が光センサーを遮光している。この静止状態から反転動
作が行われるときは、アーム開閉駆動部210が180
°回転(反転)したところで、前記シャッタ板214a
が光センサーを遮光するので、その遮光のタイミングで
回転が止まり位置決めされるように構成されている。
204が作動してアーム回転軸202を任意の角度だけ
回転させると、前記アーム回転軸202と一体にアーム
開閉駆動部210およびウエハ把持アーム211a,2
11bが回転するようになっている。前記アーム開閉駆
動部210の両側面には一対のシャッタ板214a,2
14bが取付されるとともに、このシャッタ板214
a,214bが通過する経路の両側には、図示しない遮
光型の光センサーが取付され、前記シャッタ板214b
が光センサーを遮光している。この静止状態から反転動
作が行われるときは、アーム開閉駆動部210が180
°回転(反転)したところで、前記シャッタ板214a
が光センサーを遮光するので、その遮光のタイミングで
回転が止まり位置決めされるように構成されている。
【0028】上記のように、前記ウエハ把持アーム21
1a,211bは、室12の所定位置で、前記反転駆動
部200および前記アーム開閉駆動部210によって、
180°回転(反転)動作を行うようになっている。前
記ウエハ把持アーム211a,211bの真下で下段室
12の底部には、前記半導体ウエハWのオリフラ合わせ
を行うためのスピンチャック220が設けられている。
このスピンチャック220は、駆動モータ221によっ
て所定の速度で回転するように構成されている。また、
前記スピンチャック220と前記駆動モータ221は、
支持体222により支持されるとともに、前記スピンチ
ャック220と前記駆動モータ221と前記支持体22
2を上下移動させるための上下機構224によって、上
下移動可能となるように構成されている。
1a,211bは、室12の所定位置で、前記反転駆動
部200および前記アーム開閉駆動部210によって、
180°回転(反転)動作を行うようになっている。前
記ウエハ把持アーム211a,211bの真下で下段室
12の底部には、前記半導体ウエハWのオリフラ合わせ
を行うためのスピンチャック220が設けられている。
このスピンチャック220は、駆動モータ221によっ
て所定の速度で回転するように構成されている。また、
前記スピンチャック220と前記駆動モータ221は、
支持体222により支持されるとともに、前記スピンチ
ャック220と前記駆動モータ221と前記支持体22
2を上下移動させるための上下機構224によって、上
下移動可能となるように構成されている。
【0029】また、前記室12の前上部および下部の所
定位置に、オリフラ合わせ用の光センサーを構成する発
光部225および受光部226が互いに対向して配置さ
れている。尚、オリフラ合わせは、前記スピンチャック
220が前記半導体ウエハWを載せて回転し、受光部2
26が発光部225からの光をモニターすることによっ
て行われる。
定位置に、オリフラ合わせ用の光センサーを構成する発
光部225および受光部226が互いに対向して配置さ
れている。尚、オリフラ合わせは、前記スピンチャック
220が前記半導体ウエハWを載せて回転し、受光部2
26が発光部225からの光をモニターすることによっ
て行われる。
【0030】前記ウエハ把持アーム211a,211b
と前記スピンチャック220との間には、板状のウエハ
支持台230が垂直方向に移動可能に設けられている。
このウエハ支持台230は、中央部から120°間隔で
3方へそれぞれ延びた3つの板片部からなり、各板片部
の先端部には前記半導体ウエハWの周縁部を担持するた
めの支持ピン231が立設されている。また、前記ウエ
ハ支持台230の中央部には、前記スピンチャック22
0が通過できるように中心開口232が設けられてい
る。前記ウエハ支持台230は、室12の一内側面から
延びている一対の支持アーム235a,235bによっ
て支持されている。これらの支持アーム235a,23
5bは、室12の一内側面に設けられた昇降機構236
によって昇降駆動される。
と前記スピンチャック220との間には、板状のウエハ
支持台230が垂直方向に移動可能に設けられている。
このウエハ支持台230は、中央部から120°間隔で
3方へそれぞれ延びた3つの板片部からなり、各板片部
の先端部には前記半導体ウエハWの周縁部を担持するた
めの支持ピン231が立設されている。また、前記ウエ
ハ支持台230の中央部には、前記スピンチャック22
0が通過できるように中心開口232が設けられてい
る。前記ウエハ支持台230は、室12の一内側面から
延びている一対の支持アーム235a,235bによっ
て支持されている。これらの支持アーム235a,23
5bは、室12の一内側面に設けられた昇降機構236
によって昇降駆動される。
【0031】この昇降機構236は、前記支持アーム2
35a,235bの基端部に固着されているブロック2
37と、このブロック237を垂直方向に案内するため
のガイド238と、ピストンロッド239の先端部が前
記ブロック237に固着されているシリンダ240とか
ら構成されている。前記シリンダ240が作動して前記
ピストンロッド239が前進すると、前記ブロック23
7がガイド238に沿って下降し、前記ブロック237
と一体に前記支持アーム235a,235bおよびウエ
ハ支持台230も下降する。前記ピストンロッド239
が後退すると、ブロック237と一体に前記支持アーム
235a,235bおよびウエハ支持台230も上昇す
る。このような昇降機構236の昇降駆動によって、前
記ウエハ支持台230は、前記ウエハ把持アーム211
a,211bと前記半導体ウエハWの受渡しを行うため
の第一の位置と、前記メインアームと前記半導体ウエハ
Wの受渡しを行うための第二の位置(第一の位置と第三
の位置の間の位置)と、前記半導体ウエハWの反転動作
を可能とするため、または前記スピンチャック220と
前記半導体ウエハWの受渡しを行うための第三の位置と
の間で昇降移動するように構成されている。
35a,235bの基端部に固着されているブロック2
37と、このブロック237を垂直方向に案内するため
のガイド238と、ピストンロッド239の先端部が前
記ブロック237に固着されているシリンダ240とか
ら構成されている。前記シリンダ240が作動して前記
ピストンロッド239が前進すると、前記ブロック23
7がガイド238に沿って下降し、前記ブロック237
と一体に前記支持アーム235a,235bおよびウエ
ハ支持台230も下降する。前記ピストンロッド239
が後退すると、ブロック237と一体に前記支持アーム
235a,235bおよびウエハ支持台230も上昇す
る。このような昇降機構236の昇降駆動によって、前
記ウエハ支持台230は、前記ウエハ把持アーム211
a,211bと前記半導体ウエハWの受渡しを行うため
の第一の位置と、前記メインアームと前記半導体ウエハ
Wの受渡しを行うための第二の位置(第一の位置と第三
の位置の間の位置)と、前記半導体ウエハWの反転動作
を可能とするため、または前記スピンチャック220と
前記半導体ウエハWの受渡しを行うための第三の位置と
の間で昇降移動するように構成されている。
【0032】また、上室11には、前記スピンチャック
220等のオリフラ合わせ機構が設けられていない点を
除いて、上記した下段室12内の各部つまりウエハ把持
アーム211a,211b、反転駆動部200、アーム
開閉駆動部210、ウエハ支持台230等と同様の構成
となっている。この上段室11では、半導体ウエハ反転
動作だけがおこなわれるように構成されている。
220等のオリフラ合わせ機構が設けられていない点を
除いて、上記した下段室12内の各部つまりウエハ把持
アーム211a,211b、反転駆動部200、アーム
開閉駆動部210、ウエハ支持台230等と同様の構成
となっている。この上段室11では、半導体ウエハ反転
動作だけがおこなわれるように構成されている。
【0033】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、半導体ウエハWを洗浄処理する場合には、
まず、キャリアステ−ション3に載置されたカセット2
に収納された半導体ウエハWを補助ア−ム4によって取
り出す。この補助アームが、メインアーム5に受渡しを
行う位置に移動し、半導体ウエハWの位置決めをおこな
った後、メインア−ム5によって半導体ウエハWを受け
取る。この後、表面洗浄のみ、裏面洗浄のみ、あるいは
表面洗浄と裏面洗浄を連続処理するかによって、処理工
程が異なる。本実施例においては、裏面洗浄した後に表
面洗浄を行う工程について説明する。
置において、半導体ウエハWを洗浄処理する場合には、
まず、キャリアステ−ション3に載置されたカセット2
に収納された半導体ウエハWを補助ア−ム4によって取
り出す。この補助アームが、メインアーム5に受渡しを
行う位置に移動し、半導体ウエハWの位置決めをおこな
った後、メインア−ム5によって半導体ウエハWを受け
取る。この後、表面洗浄のみ、裏面洗浄のみ、あるいは
表面洗浄と裏面洗浄を連続処理するかによって、処理工
程が異なる。本実施例においては、裏面洗浄した後に表
面洗浄を行う工程について説明する。
【0034】メインアーム5によって受け取られた半導
体ウエハWは、表面(パターンが形成される面)を上向
きに保持されているので、被洗浄体反転機構10におい
て表裏面の反転を行う。メインアーム5に保持された半
導体ウエハWを被洗浄体反転機構10のウエハ支持台2
30の上方に移動した後、メインアーム5を下方に移動
することによって、メインアームに保持されていた半導
体ウエハWをウエハ支持台230に移載する。この後、
ウエハ支持台230の下方で待機していたスピンチャッ
ク220がウエハ支持台230の中心開口232を通過
して上昇して、半導体ウエハWを受け取る。スピンチャ
ック220を回転させながら受光部が発光部225から
の光をモニターすることにより、オリフラ合わせを行
い、オリフラがあった状態でスピンチャック220が停
止する。この後、スピンチャック220が下降し、半導
体ウエハWがウエハ支持台230に載置される。ウエハ
支持台230がウエハ把持アーム211a,211bと
の受渡し位置まで上昇する。このときウエハ把持アーム
211a,211bは、開いた状態になっている。ウエ
ハ把持アーム211a,211bを閉じることによって
半導体ウエハWを受取り、ウエハ支持台230が、ウエ
ハ把持アーム211a,211bが回転出来る位置まで
下降した後に、反転駆動部によってウエハ把持アーム2
11a,211bを回転させることによって、半導体ウ
エハWを反転させる。反転された半導体ウエハWは、ウ
エハ支持台230が再び上昇してウエハ把持アーム21
1a,211bが開くことによってウエハ支持台230
に移載される。ウエハ支持台230はメインアーム5と
の受渡し可能な位置まで下降する。メインアーム5が、
支持台230の下方をすり抜けて、ウエハ支持台230
支持台の下方からすくい上げるように半導体ウエハWを
受け取る。メインアーム5は裏面ブラシスクラバ8に半
導体ウエハWを移載して裏面洗浄を行う。
体ウエハWは、表面(パターンが形成される面)を上向
きに保持されているので、被洗浄体反転機構10におい
て表裏面の反転を行う。メインアーム5に保持された半
導体ウエハWを被洗浄体反転機構10のウエハ支持台2
30の上方に移動した後、メインアーム5を下方に移動
することによって、メインアームに保持されていた半導
体ウエハWをウエハ支持台230に移載する。この後、
ウエハ支持台230の下方で待機していたスピンチャッ
ク220がウエハ支持台230の中心開口232を通過
して上昇して、半導体ウエハWを受け取る。スピンチャ
ック220を回転させながら受光部が発光部225から
の光をモニターすることにより、オリフラ合わせを行
い、オリフラがあった状態でスピンチャック220が停
止する。この後、スピンチャック220が下降し、半導
体ウエハWがウエハ支持台230に載置される。ウエハ
支持台230がウエハ把持アーム211a,211bと
の受渡し位置まで上昇する。このときウエハ把持アーム
211a,211bは、開いた状態になっている。ウエ
ハ把持アーム211a,211bを閉じることによって
半導体ウエハWを受取り、ウエハ支持台230が、ウエ
ハ把持アーム211a,211bが回転出来る位置まで
下降した後に、反転駆動部によってウエハ把持アーム2
11a,211bを回転させることによって、半導体ウ
エハWを反転させる。反転された半導体ウエハWは、ウ
エハ支持台230が再び上昇してウエハ把持アーム21
1a,211bが開くことによってウエハ支持台230
に移載される。ウエハ支持台230はメインアーム5と
の受渡し可能な位置まで下降する。メインアーム5が、
支持台230の下方をすり抜けて、ウエハ支持台230
支持台の下方からすくい上げるように半導体ウエハWを
受け取る。メインアーム5は裏面ブラシスクラバ8に半
導体ウエハWを移載して裏面洗浄を行う。
【0035】メインアーム5によって保持された半導体
ウエハWは、開放された開閉ドア106を通過して搬入
されスピンチャック101の上方に移動された後、メイ
ンアーム5が下方に移動することによりスピンチャック
101から後退させる。
ウエハWは、開放された開閉ドア106を通過して搬入
されスピンチャック101の上方に移動された後、メイ
ンアーム5が下方に移動することによりスピンチャック
101から後退させる。
【0036】次に、N2 ガス供給源からシールブロック
122の流体供給口126を介して第2の室124b内
にN2 ガスを供給すると、後述する一部を残してN2 ガ
スは駆動軸111の流体流入口125dを介して流路1
11a内を通って案内板111にあたり、半導体ウエハ
Wの下面側(回路パターン面側)に流出され、半導体ウ
エハWの周辺側に流れる。このN2 ガスの流れによって
半導体ウエハWの裏面と回転板112との間にベルヌー
イ効果によって負圧が生じ、この負圧によって半導体ウ
エハWが回転板112側に向って吸引され保持爪113
上に保持される。
122の流体供給口126を介して第2の室124b内
にN2 ガスを供給すると、後述する一部を残してN2 ガ
スは駆動軸111の流体流入口125dを介して流路1
11a内を通って案内板111にあたり、半導体ウエハ
Wの下面側(回路パターン面側)に流出され、半導体ウ
エハWの周辺側に流れる。このN2 ガスの流れによって
半導体ウエハWの裏面と回転板112との間にベルヌー
イ効果によって負圧が生じ、この負圧によって半導体ウ
エハWが回転板112側に向って吸引され保持爪113
上に保持される。
【0037】上記のようにして半導体ウエハWの周縁部
を把持保持した状態で、モータ110が駆動して駆動軸
111を回転して半導体ウエハWを水平回転する。そし
て、ブラシ104を半導体ウエハWの上方に移動すると
共に、洗浄液噴射ノズル103から半導体ウエハWの表
面に純水を散布して、ブラシ104によって半導体ウエ
ハWの上面(回路パターンが形成されていない面)に付
着する粒子汚染物を除去する。このとき、ブラシ104
は、半導体ウエハWの中心と外周端との間を往復移動し
て半導体ウエハWの全面を均等に洗浄する。また、半導
体ウエハWの裏面側には、半導体ウエハWの中心部から
外周方向に向ってN2 ガスが流れるので、半導体ウエハ
Wの上面に供給される洗浄液の半導体ウエハW裏面への
回り込みを防止することができる。ブラシによる洗浄が
終了すると、ブラシ104を待機位置まで移動させると
ともに洗浄液の噴出を停止する。この後、ジェットノズ
ル102を半導体ウエハWの略中心位置に移動して、ジ
ェットノズル102から半導体ウエハWの表面に洗浄液
を散布し、半導体ウエハWの略中心位置と外周端との間
を往復移動して半導体ウエハWの全面を均等に洗浄す
る。この洗浄は、ジェットノズル102から洗浄液を散
布するジェット洗浄単独でおこなってもよく、また、ブ
ラシ104近傍に洗浄液を供給しつつ洗浄するブラシ洗
浄単独で行ってもよく、また、両者を交互に行う、同時
に行うなど、被洗浄体の種類や洗浄状態に応じて、種々
変更設定して行うようにしてもよい。
を把持保持した状態で、モータ110が駆動して駆動軸
111を回転して半導体ウエハWを水平回転する。そし
て、ブラシ104を半導体ウエハWの上方に移動すると
共に、洗浄液噴射ノズル103から半導体ウエハWの表
面に純水を散布して、ブラシ104によって半導体ウエ
ハWの上面(回路パターンが形成されていない面)に付
着する粒子汚染物を除去する。このとき、ブラシ104
は、半導体ウエハWの中心と外周端との間を往復移動し
て半導体ウエハWの全面を均等に洗浄する。また、半導
体ウエハWの裏面側には、半導体ウエハWの中心部から
外周方向に向ってN2 ガスが流れるので、半導体ウエハ
Wの上面に供給される洗浄液の半導体ウエハW裏面への
回り込みを防止することができる。ブラシによる洗浄が
終了すると、ブラシ104を待機位置まで移動させると
ともに洗浄液の噴出を停止する。この後、ジェットノズ
ル102を半導体ウエハWの略中心位置に移動して、ジ
ェットノズル102から半導体ウエハWの表面に洗浄液
を散布し、半導体ウエハWの略中心位置と外周端との間
を往復移動して半導体ウエハWの全面を均等に洗浄す
る。この洗浄は、ジェットノズル102から洗浄液を散
布するジェット洗浄単独でおこなってもよく、また、ブ
ラシ104近傍に洗浄液を供給しつつ洗浄するブラシ洗
浄単独で行ってもよく、また、両者を交互に行う、同時
に行うなど、被洗浄体の種類や洗浄状態に応じて、種々
変更設定して行うようにしてもよい。
【0038】また、第2の室124b内に供給されたN
2 ガスの一部は、ラビリンスシール16bと駆動軸11
1との僅かな隙間を通って第1の室124a内に流れた
後、流体排出口18から排出される。したがって、第1
の室124a内の圧力が第2の室124b内の圧力より
低圧となり、このエゼクタ作用によって駆動軸111の
ベアリング10aにて発生して第1のシール部材16a
に付着するごみは排出流と共に排出されるので、半導体
ウエハWの下面の回路パターン面へのごみの付着を防止
することができる。また、第1の室124aからモータ
10の内部へのごみの侵入を防止することができる。
2 ガスの一部は、ラビリンスシール16bと駆動軸11
1との僅かな隙間を通って第1の室124a内に流れた
後、流体排出口18から排出される。したがって、第1
の室124a内の圧力が第2の室124b内の圧力より
低圧となり、このエゼクタ作用によって駆動軸111の
ベアリング10aにて発生して第1のシール部材16a
に付着するごみは排出流と共に排出されるので、半導体
ウエハWの下面の回路パターン面へのごみの付着を防止
することができる。また、第1の室124aからモータ
10の内部へのごみの侵入を防止することができる。
【0039】このように裏面洗浄処理が終了すると、カ
ップ105と開閉ドア106が下降して、スピンチャッ
ク101の下方にメインアーム5が挿入された後、メイ
ンアーム5が、上方に移動して半導体ウエハWを受取
る。この状態では、半導体ウエハWは、上面が裏面を向
いているので、被洗浄体反転機構10において表裏面の
反転を行う。
ップ105と開閉ドア106が下降して、スピンチャッ
ク101の下方にメインアーム5が挿入された後、メイ
ンアーム5が、上方に移動して半導体ウエハWを受取
る。この状態では、半導体ウエハWは、上面が裏面を向
いているので、被洗浄体反転機構10において表裏面の
反転を行う。
【0040】メインアーム5に保持された半導体ウエハ
Wを被洗浄体反転機構10のウエハ支持台230の上方
に移動した後、メインアーム5を下方に移動することに
よって、メインアームに保持されていた半導体ウエハW
をウエハ支持台230に移載する。この後、ウエハ支持
台230の下方で待機していたスピンチャック220が
ウエハ支持台230の中心開口232を通過して上昇し
て、半導体ウエハWを受け取る。スピンチャック220
を回転させながら受光部が発光部225からの光をモニ
ターすることにより、オリフラ合わせを行い、オリフラ
があった状態でスピンチャック220が停止する。この
後、スピンチャック220が下降し、半導体ウエハWが
ウエハ支持台230に載置される。ウエハ支持台230
がウエハ把持アーム211a,211bとの受渡し位置
まで上昇する。このときウエハ把持アーム211a,2
11bは、開いた状態になっている。ウエハ把持アーム
211a,211bを閉じることによって半導体ウエハ
Wを受取り、ウエハ支持台230が、ウエハ把持アーム
211a,211bが回転出来る位置まで下降した後
に、反転駆動部によってウエハ把持アーム211a,2
11bを回転させることによって、半導体ウエハWを反
転させる。反転された半導体ウエハWは、ウエハ支持台
230が再び上昇してウエハ把持アーム211a,21
1bが開くことによってウエハ支持台230に移載され
る。ウエハ支持台230はメインアーム5との受渡し可
能な位置まで下降する。メインアーム5が、支持台23
0の下方をすり抜けて、ウエハ支持台230支持台の下
方からすくい上げるように半導体ウエハWを受け取る。
メインアーム5は表面ブラシスクラバ7に半導体ウエハ
Wを移載して表面洗浄を行う。
Wを被洗浄体反転機構10のウエハ支持台230の上方
に移動した後、メインアーム5を下方に移動することに
よって、メインアームに保持されていた半導体ウエハW
をウエハ支持台230に移載する。この後、ウエハ支持
台230の下方で待機していたスピンチャック220が
ウエハ支持台230の中心開口232を通過して上昇し
て、半導体ウエハWを受け取る。スピンチャック220
を回転させながら受光部が発光部225からの光をモニ
ターすることにより、オリフラ合わせを行い、オリフラ
があった状態でスピンチャック220が停止する。この
後、スピンチャック220が下降し、半導体ウエハWが
ウエハ支持台230に載置される。ウエハ支持台230
がウエハ把持アーム211a,211bとの受渡し位置
まで上昇する。このときウエハ把持アーム211a,2
11bは、開いた状態になっている。ウエハ把持アーム
211a,211bを閉じることによって半導体ウエハ
Wを受取り、ウエハ支持台230が、ウエハ把持アーム
211a,211bが回転出来る位置まで下降した後
に、反転駆動部によってウエハ把持アーム211a,2
11bを回転させることによって、半導体ウエハWを反
転させる。反転された半導体ウエハWは、ウエハ支持台
230が再び上昇してウエハ把持アーム211a,21
1bが開くことによってウエハ支持台230に移載され
る。ウエハ支持台230はメインアーム5との受渡し可
能な位置まで下降する。メインアーム5が、支持台23
0の下方をすり抜けて、ウエハ支持台230支持台の下
方からすくい上げるように半導体ウエハWを受け取る。
メインアーム5は表面ブラシスクラバ7に半導体ウエハ
Wを移載して表面洗浄を行う。
【0041】メインアーム5によって保持された半導体
ウエハWは、開放された開閉ドア106を通過して搬入
されスピンチャック101の上方に移動された後、メイ
ンアーム5が下方に移動することによりスピンチャック
101から後退させる。次に、N2 ガス供給源からシー
ルブロック122の流体供給口126を介して第2の室
124b内にN2 ガスを供給すると、後述する一部を残
してN2 ガスは駆動軸111の流体流入口125dを介
して流路111a内を通って案内板111にあたり、半
導体ウエハWの下面側(回路パターン面側)に流出さ
れ、半導体ウエハWの周辺側に流れる。このN2 ガスの
流れによって半導体ウエハWの裏面と回転板112との
間にベルヌーイ効果によって負圧が生じ、この負圧によ
って半導体ウエハWが回転板112側に向って吸引され
保持爪113上に保持される。
ウエハWは、開放された開閉ドア106を通過して搬入
されスピンチャック101の上方に移動された後、メイ
ンアーム5が下方に移動することによりスピンチャック
101から後退させる。次に、N2 ガス供給源からシー
ルブロック122の流体供給口126を介して第2の室
124b内にN2 ガスを供給すると、後述する一部を残
してN2 ガスは駆動軸111の流体流入口125dを介
して流路111a内を通って案内板111にあたり、半
導体ウエハWの下面側(回路パターン面側)に流出さ
れ、半導体ウエハWの周辺側に流れる。このN2 ガスの
流れによって半導体ウエハWの裏面と回転板112との
間にベルヌーイ効果によって負圧が生じ、この負圧によ
って半導体ウエハWが回転板112側に向って吸引され
保持爪113上に保持される。
【0042】上記のようにして半導体ウエハWの周縁部
を把持保持した状態で、モータ110が駆動して駆動軸
111を回転して半導体ウエハWを水平回転する。そし
て、ブラシ104を半導体ウエハWの上方に移動すると
共に、洗浄液噴射ノズル103から半導体ウエハWの表
面に純水を散布して、ブラシ104によって半導体ウエ
ハWの上面(回路パターンが形成されていない面)に付
着する粒子汚染物を除去する。このとき、ブラシ104
は、半導体ウエハWの中心と外周端との間を往復移動し
て半導体ウエハWの全面を均等に洗浄する。また、半導
体ウエハWの裏面側には、半導体ウエハWの中心部から
外周方向に向ってN2 ガスが流れるので、半導体ウエハ
Wの上面に供給される洗浄液の半導体ウエハW裏面への
回り込みを防止することができる。ブラシによる洗浄が
終了すると、ブラシ104を待機位置まで移動させると
ともに洗浄液の噴出を停止する。この後、メガソニック
ノズル180を半導体ウエハWの略中心位置に移動し
て、メガソニックノズル180から半導体ウエハWの表
面に洗浄液を散布し、半導体ウエハWの略中心位置と外
周端との間を往復移動して半導体ウエハWの全面を均等
に洗浄する。この洗浄は、メガソニックノズル180か
ら洗浄液を散布するメガソニック洗浄単独でおこなって
もよく、また、ブラシ104近傍に洗浄液を供給しつつ
洗浄するブラシ洗浄単独で行ってもよく、また、両者を
交互に行う、同時に行うなど、被洗浄体の種類や洗浄状
態に応じて、種々変更設定して行うようにしてもよい。
を把持保持した状態で、モータ110が駆動して駆動軸
111を回転して半導体ウエハWを水平回転する。そし
て、ブラシ104を半導体ウエハWの上方に移動すると
共に、洗浄液噴射ノズル103から半導体ウエハWの表
面に純水を散布して、ブラシ104によって半導体ウエ
ハWの上面(回路パターンが形成されていない面)に付
着する粒子汚染物を除去する。このとき、ブラシ104
は、半導体ウエハWの中心と外周端との間を往復移動し
て半導体ウエハWの全面を均等に洗浄する。また、半導
体ウエハWの裏面側には、半導体ウエハWの中心部から
外周方向に向ってN2 ガスが流れるので、半導体ウエハ
Wの上面に供給される洗浄液の半導体ウエハW裏面への
回り込みを防止することができる。ブラシによる洗浄が
終了すると、ブラシ104を待機位置まで移動させると
ともに洗浄液の噴出を停止する。この後、メガソニック
ノズル180を半導体ウエハWの略中心位置に移動し
て、メガソニックノズル180から半導体ウエハWの表
面に洗浄液を散布し、半導体ウエハWの略中心位置と外
周端との間を往復移動して半導体ウエハWの全面を均等
に洗浄する。この洗浄は、メガソニックノズル180か
ら洗浄液を散布するメガソニック洗浄単独でおこなって
もよく、また、ブラシ104近傍に洗浄液を供給しつつ
洗浄するブラシ洗浄単独で行ってもよく、また、両者を
交互に行う、同時に行うなど、被洗浄体の種類や洗浄状
態に応じて、種々変更設定して行うようにしてもよい。
【0043】このように表面洗浄処理が終了すると、ス
ピンチャック101を回転させて洗浄液を振り切り乾燥
させる。この後、カップ105と開閉ドア106が下降
して、スピンチャック101の下方にメインアーム5が
挿入された後、メインアーム5が、上方に移動して半導
体ウエハWを受取る。
ピンチャック101を回転させて洗浄液を振り切り乾燥
させる。この後、カップ105と開閉ドア106が下降
して、スピンチャック101の下方にメインアーム5が
挿入された後、メインアーム5が、上方に移動して半導
体ウエハWを受取る。
【0044】この後、メインアーム5に保持された半導
体ウエハWを加熱装置9に搬入して、乾燥のために例え
ば100°Cに加熱してたとえば30秒間の加熱処理を
行う。加熱処理が終了した後、再びメインーム5によっ
て保持されて、補助アーム4に受け渡される。補助アー
ム4に保持された半導体ウエハWは、キャリア2に戻さ
れる。
体ウエハWを加熱装置9に搬入して、乾燥のために例え
ば100°Cに加熱してたとえば30秒間の加熱処理を
行う。加熱処理が終了した後、再びメインーム5によっ
て保持されて、補助アーム4に受け渡される。補助アー
ム4に保持された半導体ウエハWは、キャリア2に戻さ
れる。
【0045】なお、上記説明では、スピンチャック11
2の流路111aを通って半導体ウエハWの下面側に供
給される流体がN2 ガスである場合について説明した
が、必ずしもN2 ガスである必要はなく、その他の不活
性ガスや空気あるいは純水等の液体であってもよい。純
水等の液体を使用する場合には、洗浄液供給管8から分
岐される管路をシールブロック15の流体流入口19に
接続すればよい。このように流体に純水を用いることに
より、半導体ウエハWの保持及び半導体ウエハWの裏面
への洗浄後の洗浄液(純水)の付着を防止する純水の供
給と、洗浄用純水の供給とを同一の純水収容タンク9か
ら供給することができ、洗浄処理の効率化と装置の小型
化を図ることができる。
2の流路111aを通って半導体ウエハWの下面側に供
給される流体がN2 ガスである場合について説明した
が、必ずしもN2 ガスである必要はなく、その他の不活
性ガスや空気あるいは純水等の液体であってもよい。純
水等の液体を使用する場合には、洗浄液供給管8から分
岐される管路をシールブロック15の流体流入口19に
接続すればよい。このように流体に純水を用いることに
より、半導体ウエハWの保持及び半導体ウエハWの裏面
への洗浄後の洗浄液(純水)の付着を防止する純水の供
給と、洗浄用純水の供給とを同一の純水収容タンク9か
ら供給することができ、洗浄処理の効率化と装置の小型
化を図ることができる。
【0046】さらに、上記実施例の構成は、上記プロセ
スに限らず例えばウエハの裏面洗浄工程を行った後に表
面洗浄工程を行ってもよい。また、表面洗浄においては
メガソニックによる超音波洗浄を行い、裏面洗浄におい
てはジェットノズルによる洗浄を行ったが、これに限ら
れるものではなく、表面洗浄においてジェットノズルに
よる洗浄を行ってもよく、また、裏面洗浄においてメガ
ソニックによる超音波洗浄を行ってもよいことは言うま
でもないことである。このようにプロセスを任意に所望
のプロセスを必要に応じてプログラムできることが特徴
である。
スに限らず例えばウエハの裏面洗浄工程を行った後に表
面洗浄工程を行ってもよい。また、表面洗浄においては
メガソニックによる超音波洗浄を行い、裏面洗浄におい
てはジェットノズルによる洗浄を行ったが、これに限ら
れるものではなく、表面洗浄においてジェットノズルに
よる洗浄を行ってもよく、また、裏面洗浄においてメガ
ソニックによる超音波洗浄を行ってもよいことは言うま
でもないことである。このようにプロセスを任意に所望
のプロセスを必要に応じてプログラムできることが特徴
である。
【0047】また、上記実施例では、被処理体の回転保
持手段としてベルヌーイ効果を利用したスピンチャック
を用いて説明したが、これに限られるものではなく、特
願平05ー116390号に示すように、メカニカルチ
ャックによって保持する方式に構成しても良いことは言
うまでもないことである。
持手段としてベルヌーイ効果を利用したスピンチャック
を用いて説明したが、これに限られるものではなく、特
願平05ー116390号に示すように、メカニカルチ
ャックによって保持する方式に構成しても良いことは言
うまでもないことである。
【0048】また、本装置においては、それぞれのレシ
ピをモード画面20より入力することが出来るようにな
っている。前記ブラシ104、ジェットノズル102、
メガソニックノズル180等のスキャン方式は、それぞ
れのスキャン距離とスキャン速度を設定することによ
り、スキャン時間を自動的に設定できるようになってい
る。また、ブラシ104の自転方向についても、CW
(時計回り)モード、CCW(反時計回り)モード、C
WモードとCCWモードをくみあわせた反転モードの3
つを選択できるようになっている。また、ブラシ104
の高さ、交換時期、スキャンアームのスキャン範囲の調
整も任意に設定できる。また、被洗浄体反転機構10に
は、アライメント動作、クランプ動作、反転動作等をス
テップごとにチェックするチェック機能が設けられてい
る。
ピをモード画面20より入力することが出来るようにな
っている。前記ブラシ104、ジェットノズル102、
メガソニックノズル180等のスキャン方式は、それぞ
れのスキャン距離とスキャン速度を設定することによ
り、スキャン時間を自動的に設定できるようになってい
る。また、ブラシ104の自転方向についても、CW
(時計回り)モード、CCW(反時計回り)モード、C
WモードとCCWモードをくみあわせた反転モードの3
つを選択できるようになっている。また、ブラシ104
の高さ、交換時期、スキャンアームのスキャン範囲の調
整も任意に設定できる。また、被洗浄体反転機構10に
は、アライメント動作、クランプ動作、反転動作等をス
テップごとにチェックするチェック機能が設けられてい
る。
【0049】また、上記実施例では被洗浄体が半導体ウ
エハの場合について説明したが、被洗浄体は必ずしも半
導体ウエハに限られるものではなく、たとえばLCD基
板、フォトマスク、セラミック基板、コンパクトディス
ク、あるいはプリント基板についても同様に洗浄等の処
理を施すものについても適用できる。
エハの場合について説明したが、被洗浄体は必ずしも半
導体ウエハに限られるものではなく、たとえばLCD基
板、フォトマスク、セラミック基板、コンパクトディス
ク、あるいはプリント基板についても同様に洗浄等の処
理を施すものについても適用できる。
【0050】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の枚葉
式両面洗浄装置によれば、上記のように構成されている
ので、多種多様な処理のスループットを向上することが
できると言う効果が得られる。
式両面洗浄装置によれば、上記のように構成されている
ので、多種多様な処理のスループットを向上することが
できると言う効果が得られる。
【図1】この発明の枚葉式両面洗浄装置の一例を示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図2】この発明の枚葉式両面洗浄装置における裏面ブ
ラシスクラバーを示す概略斜視図である。
ラシスクラバーを示す概略斜視図である。
【図3】この発明の枚葉式両面洗浄装置におけるメガソ
ニックノズルを示す概略斜視図である。
ニックノズルを示す概略斜視図である。
【図4】この発明の枚葉式両面洗浄装置における回転保
持機構の一例を示す断面斜視図である。
持機構の一例を示す断面斜視図である。
【図5】この発明の枚葉式両面洗浄装置における被処理
体反転機構の一例をしめす概略斜視図である。
体反転機構の一例をしめす概略斜視図である。
3 キャリアステーション 4 補助アーム 5 メインアーム 6 直線搬送路 7 表面ブラシスクラバー 8 裏面ブラシスクラバー 9 加熱装置 10 被処理体反転機構 101 スピンチャック(回転保持手段) W 半導体ウエハ(被洗浄体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 361 H B08B 3/02 B 2119−3B 11/04 2119−3B H01L 21/306 (72)発明者 松下 道明 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内
Claims (5)
- 【請求項1】 被洗浄体が収納されたカセットを搬入搬
出するカセットステーションと、 このカセットステーションから取り出された上記被洗浄
体を搬送する搬送機構と、 この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路と、 この搬送路に沿って設けられた被洗浄体を洗浄する少な
くとも1つの洗浄機構と、 上記搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を反転
させる被洗浄体反転機構とから構成されたことを特徴と
する枚葉式両面洗浄装置。 - 【請求項2】 被洗浄体が収納されたカセットを搬入搬
出するカセットステーションと、 このカセットステーションから取り出された上記被洗浄
体を搬送する搬送機構と、 この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路と、 この搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を反転
させる被洗浄体反転機構と、 上記搬送路に沿って設けられた被洗浄体を洗浄する複数
の洗浄機構を設け、この複数の洗浄機構が、被洗浄体の
表面を洗浄する表面洗浄機構と被洗浄体の裏面を洗浄す
る裏面洗浄機構の内少なくとも1つであることを特徴と
する枚葉式両面洗浄装置。 - 【請求項3】 被洗浄体が収納されたカセットを搬入搬
出するカセットステーションと、 このカセットステーションから取り出された上記被洗浄
体を搬送する搬送機構と、 この搬送機構が上記被搬送体を搬送する搬送路と、 この搬送路に沿って設けられた被洗浄体の表裏面を反転
させる被洗浄体反転機構と、 上記搬送路に沿って設けられた被洗浄体を加熱する加熱
機構と、 上記搬送路に沿って設けられた被洗浄体を洗浄する複数
の洗浄機構を設け、この複数の洗浄機構が、被洗浄体の
表面を洗浄する表面洗浄機構と被洗浄体の裏面を洗浄す
る裏面洗浄機構の内少なくとも1つであることを特徴と
する枚葉式両面洗浄装置。 - 【請求項4】 前記被洗浄体反転機構には、被洗浄体の
オリフラ合わせを行なうオリフラ合わせ機構を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項から第3項に記載
の枚葉式両面洗浄装置。 - 【請求項5】 前記カセットステーションと前記搬送機
構と前記搬送路と前記被洗浄体反転機構と前記洗浄機構
とが、同一の筐体内に設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項から第2項に記載の枚葉式両面洗
浄装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30098593A JP3066422B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 枚葉式両面洗浄装置 |
US08/336,213 US5518542A (en) | 1993-11-05 | 1994-11-04 | Double-sided substrate cleaning apparatus |
KR1019940028970A KR100307721B1 (ko) | 1993-11-05 | 1994-11-05 | 기판양면세정장치및이것을사용하는세정방법 |
TW084215779U TW298343U (en) | 1993-11-05 | 1994-11-08 | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
US08/597,536 US5686143A (en) | 1993-11-05 | 1996-02-02 | Resist treating method |
US08/890,996 US5964954A (en) | 1993-11-05 | 1997-07-10 | Double-sided substrate cleaning apparatus and cleaning method using the same |
KR1019990054437A KR100320585B1 (ko) | 1993-11-05 | 1999-12-02 | 레지스트 처리장치 |
KR1020000048569A KR100354547B1 (ko) | 1993-11-05 | 2000-08-22 | 레지스트 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30098593A JP3066422B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 枚葉式両面洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07130693A true JPH07130693A (ja) | 1995-05-19 |
JP3066422B2 JP3066422B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=17891445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30098593A Expired - Lifetime JP3066422B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 枚葉式両面洗浄装置 |
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JP (1) | JP3066422B2 (ja) |
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1993
- 1993-11-05 JP JP30098593A patent/JP3066422B2/ja not_active Expired - Lifetime
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