KR100431515B1 - 반도체 세정설비에서의 웨이퍼 반전 유닛 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 세정 설비 및 세정 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 이면 유닛 장치는 웨이퍼를 정렬하기 위한 정렬 수단과, 정렬을 마친 웨이퍼를 반전시키기 위한 반전 수단과; 웨이퍼를 반입/반출 대기 상태로 유지하기 위한 리프트 핀을 포함하되; 상기 반전 수단은 상기 웨이퍼를 진공 흡착하는 아암과, 상기 아암이 연결 설치되는 회전축 및; 상기 웨이퍼의 반전을 위하여 상기 회전축을 180도 회전시키기 위한 반전 모터로 이루어진다.
Description
본 발명은 반도체 세정 설비 및 그 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 플랫존의 정렬과 웨이퍼 반전 동작이 정확한 반도체 세정 설비 및 그 세정방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조에 있어서는, 기판(반도체 웨이퍼, LCD 기판등)의 전면이 세정된 상태에 있는 것을 전제로 하여 미세가공이 이루어진다. 따라서, 각 가공처리에 앞서서, 또는 각 가공처리 사이에 기판 표면에 존재하는 이물질을 제거하는 세정 공정이 필수적으로 수반된다.
예를 들면, 포토리소그라피 공정에서는, 레지스트 도포에 앞서서 기판의 전면을 스핀 스크러버(scrubber)에서 브러시 세정을 수행한다.
잘 알려진 세정 방법은 로봇(이송로봇)이 웨이퍼를 클램핑 한 후, 웨이퍼를 세정장치 내로 인입하고, 세정이 완료되면 웨이퍼를 세정 장치로부터 인출하는 것이다. 그리고, 최근에는 기판의 전면(소자 형성면 또는 윗면이라고도 칭함)뿐만 아니라 이면(backside)도 세정하는 것이 통례로 되어 있으며, 웨이퍼의 전면의 반대면인 이면을 세정하기 위해서는 별도의 웨이퍼 반전 수단으로 웨이퍼를 뒤집은 후, 상기 방법으로 웨이퍼를 세정해야 한다.
이와 같이, 종래 세정 설비는 스핀 스크러버 유닛에서 기판의 전면과 이면을 선택적 또는 번 갈아서 세정할 수 있도록 웨이퍼 이면 유닛 장치를 구비하고 있다.
종래 웨이퍼 이면 유닛 장치(10)는 도 1에 개략적으로 도시된 바와같이, 웨이퍼가 안착되는 스핀척(12)과, 웨이퍼의 플랫존을 정렬하기 위한 수단과, 스핀척(12)으로부터 웨이퍼(w)를 업다운 시키기 위한 리프트핀(14) 그리고 웨이퍼를 반전시키기 위한 반전 수단(20)을 구비하고 있다.
그러나, 종래 웨이퍼 이면 유닛 장치는 다음과 같은 문제점을 안고 있다.
첫째, 웨이퍼(w)의 플랫존을 정렬하기 위한 수단으로, 포토 센서(18)가 사용되는데, 이 포토 센서(20)는 장시간 사용할 경우 감도 저하( 가장 큰 원인은 이물질이 포토 센서에 달라붙음으로 인한 감도 저하)로 인한 웨이퍼 플랫존 정렬 오류를 유발시킨다. 이러한 웨이퍼 정렬 오류는 웨이퍼 이송시 또는 후속 공정(스핀 스크러버에서의 세정) 진행시 웨이퍼의 이탈을 유발시킨다.
둘째, 웨이퍼 반전 수단(20)은 웨이퍼(w)의 가장자리를 파지하는 좌우 가이드 링(22a,22b)과, 이 좌우 가이드 링(22a,22b)을 오픈/클로즈 시키기 위한실린더(24) 그리고 좌우 가이드 링(22a,22b)을 180도 반전시키기 위한 회전 모터(28)로 구성되며, 이 웨이퍼 반전 수단(20)은 그 조립 및 설치가 매우 어렵기 때문에 웨이퍼 반전시 좌우 가이드 링(22a,22b)의 좌우 조정의 불균형이 발생할 수 있다. 이처럼 좌우 가이드 링(22a,22b)의 좌우 불균형은 웨이퍼 반전시 웨이퍼 포지션 변경으로 인한 웨이퍼 이탈 또는 낙하를 유발시킨다. 셋째, 웨이퍼의 반전 후 2차 적으로 웨이퍼 반출시 로봇아암에 의해 웨이퍼를 픽업(pick up) 동작하여 다음 처리 유닛에 PLAC동작(PUT 동작)시에 불안한 안착을 발생시켜 해당 처리유닛에서 웨이퍼의 낙하 또는 깨짐을 유발시킨다. 결국에는 프로세스 전체 품질을 저하시키는 현상이 발생하여 설비의 신뢰성 저하로 이어진다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 플랫존을 보다 신속하고 정확하게 정렬할 수 있는 그리고 웨이퍼 반전시 발생되는 좌우 불균형으로 인한 웨이퍼 이탈 및 낙하를 방지할 수 있는 새로운 형태의 반도체 세정 설비 및 그 세정 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래 세정 설비에서 사용되는 웨이퍼 이면 유닛 장치의 개략도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 설비의 평면 구성도;
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 세정 설비의 웨이퍼 반전 유닛을 개략적으로 보여주는 도면;
도 4는 제 1 웨이퍼 반전 유닛과 제 2 웨이퍼 반전 유닛이 2단 형태로 적층된 것을 보여주는 도면;
도 5는 제 1 웨이퍼 반전 유닛과 제 2 웨이퍼 반전 유닛이 연속으로 배치된 것을 보여주는 도면;
도 6은 웨이퍼 양면 세정 과정을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
110 : 인덱서
120 : 웨이퍼 전면 세정용 스핀 스크러버
130 : 제 1 웨이퍼 반전 유닛
132 : 리프트 핀
140 : 제 2 웨이퍼 반전 유닛
150 : 웨이퍼 이면 세정용 스핀 스크러버
160 : 반송로
162 : 반송 로봇
172 : 회전척
174 : 이미지 센서
182 : 스윙 아암
184 : 회전축
186 : 반전 모터
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 피처리체 이면 유닛 장치에 있어서: 피처리체를 정렬하기 위한 정렬 수단과; 정렬을 마친 피처리체를 반전시키기 위한 반전 수단과; 피처리체를 반입/반출 대기 상태로 유지하기 위한 리프트 핀을 포함하되; 상기 반전 수단은 상기 피처리체를 진공 흡착하는 아암과, 상기 아암이 연결 설치되는 회전축 및; 상기 피처리체의 반전을 위하여 상기 회전축을 180도 회전시키기 위한 반전 모터를 구비한다.
이와 같은 본 발명에 있어서, 상기 정렬 수단은 피처리체가 놓여지는 회전척과; 상기 회전척에 놓여져 회전하는 피처리체의 플랫존을 감지하는 이미지 센서를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 있어서, 상기 이미지 센서를 상하 이동시키기 위한 실린더를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 반도체 세정 설비는 피처리체가 수납된 캐리어를 반입/반출하는 스테이지와; 상기 스테이지에 놓인 캐리어로부터 추출된 피처리체를 반송하는 반송수단과; 피처리체의 한쪽 면을 세정하는 스크러버 수단과; 상기 스크러버 수단이 내부에 설치되는 제 1 프로세스 유닛과; 상기 피처리체의 전면 및 이면이 교대로 위쪽을 향하도록 피처리체를 반전하는 반전수단과; 상기 반전 수단이 설치되는 제 2 프로세스 유닛을 포함한다.
이와 같은 본 발명에서 상기 반전 수단은 상기 피처리체를 진공 흡착하는 아암과, 상기 아암이 연결 설치되는 회전축 및; 상기 피처리체의 반전을 위하여 상기 회전축을 180도 회전시키기 위한 반전 모터를 포함한다.
이와 같은 본 발명에서 상기 반전 수단은 상기 피처리체의 반전시 피처리체의 유/무를 감시하는 제 1 센서를 더 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 피처리체를 정렬하기 위한 정렬 수단을 더 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 정렬 수단은 상기 반전 수단이 설치된 상기 제2 챔버내에 설치될 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 정렬 수단은 피처리체가 놓여지는 회전척과; 상기 회전척에 놓여진 웨이퍼의 플랫존을 감지하는 이미지 센서를 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 감지 센서의 상하 이동을 위한 실린더와 회전척상에/로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 리프트 핀을 더 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 제 2 프로세스 유닛은 다단으로 적층 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 특징은 반도체 세정 방법에 있어서, 캐리어로부터 피처리체를 취출하여 제 2 프로세스 유닛으로 반송하는 단계; 상기 피처리체의 소자 형성면이 아래쪽을 향하도록 1차 반전하는 단계; 반전된 피처리체를 제 1 프로세스 유닛으로 반송하는 단계; 제 1 프로세스 유닛에서 피처리체의 이면을 세정하는 단계; 세정 완료된 피처리체를 상기 제 2 프로세스 유닛으로 반송하는 단계; 상기 피처리체의 소자 형성면이 윗쪽을 향하도록 반전하는 단계; 반전된 피처리체를 제 1 프로세스 유닛으로 반송하는 단계; 제 1 프로세스 유닛에서 피처리체의 소자 형성면을 세정하는 단계; 양면 모두 세정된 피처리체를 캐리어로 반송하는 단계를 포함한다.
이와 같은 본 발명에서 1차 반전 단계전에 피처리체를 정렬하는 단계를 더 포함한다.
예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2 및 도 6을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 설비의 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 세정 설비의 웨이퍼 반전 유닛 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 반도체 세정 설비(100)는 공정 진행방향으로부터 웨이퍼(w)가 로딩 및 언로딩되는 인덱서(IND;Index)(110), SSW(Spin Scrubber Wafer; 웨이퍼 전면 세정용 스핀 스크러버 유닛)(120) FBO(Front to backside with Orientation; 전면(상) 웨이퍼를 이면(상) 웨이퍼 상태로 반전시키는 제 1 웨이퍼 반전 유닛)(130), BF(backside to front without orientation; 이면(상)웨이퍼를 전면(상)웨이퍼 상태로 반전시키는 제 2 웨이퍼 반전 유닛)(140), SSR(Spin Scrubber Reverse;웨이퍼 이면 세정용 스핀 스크러버 유닛)(150) 그리고 웨이퍼(w)를 반송하는 반송로봇(162)이 설치된 반송로(160)로 이루어진다.
도 3을 참조하여 제 1 웨이퍼 반전 유닛(130)의 구성을 좀 더 구체적으로 살펴보면, 제 1 웨이퍼 반전 유닛(FBO;120)은 웨이퍼(w)의 플랫존(결정면)을 정렬하기 위한 수단과, 정렬을 마친 웨이퍼를 반전(전면이 아래를 향하도록) 시키기 위한 수단 그리고 웨이퍼를 반입 또는 반출 대기 상태로 유지하기 위한 리프트 핀(132)을 구비한다.
상기 웨이퍼 정렬 수단은 웨이퍼가 놓여지는 회전척(172)과, 상기 회전척(172)에 놓여져 회전하는 웨이퍼(w)의 플랫존을 감지하는 이미지 센서(174)를 구비한다. 상기 이미지 센서(174)는 웨이퍼(w)에 근접하게 접근하여 보다 정확한 감지가 가능하도록 상하 실린더(176)에 의한 상하 이동이 가능하다.
상기 반전 수단은 상기 웨이퍼를 진공으로 흡착하는 스윙 아암(182)과, 이 스윙 아암이 연결 설치되는 회전축(184) 그리고 웨이퍼의 반전(front에서 backside 또는 backside에서 front)을 위하여 상기 회전축(184)을 180도 회전시키기 위한 반전 모터(186)로 이루어진다. 상기 이미지 센서(174)는 웨이퍼의 반전시 웨이퍼 유/무를 감시하는 기능도 겸한다.
한편, 상기 제 2 웨이퍼 반전 유닛(BF;140)은 웨이퍼의 플랫존 정렬 수단을 제외하고는 상기 제 1 웨이퍼 반전 유닛(130)과 동일한 구성과 기능을 갖는 반전 수단, 리프트 핀 등을 갖으며, 이들에 대한 설명은 앞서 상세하게 설명하였기에 생략하기로 한다.
다음은 도 2 및 도 3 그리고 도 6을 참조하면서 웨이퍼 양면 세정 과정을 살펴보기로 한다.
먼저, 웨이퍼(W)는 인덱서(110)에 놓인 캐리어(112)로부터 인출되어 제 1 웨이퍼 반전 유닛(130)으로 반송된다. 제 1 웨이퍼 반전 유닛으로 유입된 웨이퍼(w)는 상승된 리프트 핀(132)상에 놓여진다.(s10) 웨이퍼(w)는 이 리프트 핀(132)이 하강하면서 스핀척(172)상에 진공 흡착된다.(s20) 상기 스핀척(172)은 저속으로회전한다. 이미지 센서(174)는 하강하여(s30) 상기 스핀척(172) 상에서 저속으로 회전하고 있는 웨이퍼(w)의 플랫존을 체크한다.(s40) 플랫존 정렬이 완료된 웨이퍼(w)는 리프트 핀(132)의 상승과 함께 스핀척(172)으로부터 들어올려지고(s50), 반전 수단의 스윙 아암(182)은 상기 웨이퍼(w)의 중심으로 이동하여 웨이퍼(w)를 진공 흡착한다.(s60) 상기 리프트 핀(132)은 다시 하강하고, 웨이퍼 유/무를 확인 한다.(s70) 상기 회전축은 반전 모터(186)의 회전에 의해 180도 회전하면서 스윙 아암(182)에 흡착된 웨이퍼(w)가 180도 회전하게 된다.(s80)(이때, 웨이퍼는 전면이 아래를 향하게 된다) 웨이퍼 이면이 윗쪽을 향하도록 회전 완료된 후에는 상기 이미지 센서(174)와 스윙 아암(182)의 진공으로 웨이퍼 유/무를 체크한다.(s90) 상기 리프트 핀은 다시 업되고(s100), 스위 아암은 홈 포지션으로 이동한다.(s110) 반전된 웨이퍼는 반송 로봇(162)에 의해 제 1 웨이퍼 반전 유닛(130)으로부터 반출되어(s120) 웨이퍼 이면 세정용 스핀 스크러버 유닛(SSR;150)으로 반송되어 웨이퍼 이면을 세정하게 된다. 웨이퍼 이면의 세정이 완료된 웨이퍼는 다시 반송 로봇(162)에 의해 제 2 웨이퍼 반전 유닛(140)으로 이동된 후, 앞서 설명한 바와 같은 수순에 따라 반전 수단에 의해 웨이퍼의 이면이 아래를 향하도록 반전되어 진 후 반송 로봇(162)에 의해 SSW(120)로 반송되어 웨이퍼 전면을 세정 한 후에는 인덱서(110)의 캐리어(112)로 이송되는 것으로 웨이퍼 양면 세정이 완료되는 것이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 웨이퍼 반전 유닛(130)과 제 2 웨이퍼 반전 유닛(140)이 연속으로 배치된 경우, 하나의 반전 수단으로 웨이퍼의 상태 반전을 수행할 수 있도록, 반전 수단은 양면 진공 흡착 구조의 스윙 아암을 갖는다.
다시 도 5를 참조하면, 연속하여 설치된 제 1 웨이퍼 반전 유닛(130)과 제 2 웨이퍼 반전 유닛(140)에 양면 진공 스윙암(182a)을 사용하는 방법은 다음과 같다. 측면에서 보면 표면-이면(FBO)으로 웨이퍼를 반전하고자 할 때는, 기본 위치에서 웨이퍼(w) 저면으로 이동하여 웨이퍼를 진공흡착하고(기존 위치이동 3mm up 됨), 회전하여(180도) 회전후 다시 기본 위치로 이동(3mm down)한다. 이면-표면(BF)으로 웨이퍼를 상태 반전하고자 할 때는 기본위치에서 웨이퍼 상단으로 이동(기본위치 3mm up)하여 웨이퍼를 진공 흡착하고(기본위치 이동 3mm down), 회전하여(180도) 회전 후 기본 위치로 이동한다.
한편, 제 1 웨이퍼 반전 유닛(130)과 제 2 웨이퍼 반전 유닛(140)은 도 4에 도시된 바와 같이 2단 형태로 적층되게 구성될 수 있으며, 이때에는 각각 독립적인 반전 수단을 사용하여 앞서 설명한 바와 같은 방법으로 동작을 취하면 된다.
본 발명에서는 웨이퍼의 플랫존을 감지하는 포토 센서를 제거하고, 그 대신에 이미지 센서(174)를 사용하여, 보다 정확하고 신속하게 웨이퍼의 플랫존을 감지함으로써 웨이퍼의 위치 결정 오류를 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 반전 수단은 기존의 좌우 가이드 링에 의해 발생되던 좌우 조정의 불균형으로 인한 웨이퍼의 이탈 및 낙하를 방지할 수 있다. 특히, 본 발명의 반전 수단은 그 구성이 간단하여, 웨이퍼 상태 반전 동작이 빠르고 정확하게 웨이퍼를 반전시킬 수 있다.
상기한 실시예는, 반도체 디바이스제조의 반도체 세정공정에 사용되는 세정 설비에 관계된 것이지만, 본 발명은 다른 처리 시스템에도 적용가능하며, 피처리물인 웨이퍼도, 반도체 웨이퍼에 한정하지 않고, LCD 기판, 글라스기판, CD 기판, 포토마스크, 프린트기판, 세라믹 기판 등에 적용할 수가 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 세정 설비의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 발명을 적용하면, 웨이퍼 플랫존을 보다 신속하고 정확하게 정렬할 수 있다. 그리고 웨이퍼 반전시 발생되는 좌우 불균형으로 인한 웨이퍼 이탈 및 낙하를 방지할 수 있다.
Claims (17)
- 피처리체 이면 유닛 장치에 있어서:피처리체가 놓여지는 회전척과, 상기 회전척에 놓여져 회전하는 피처리체의 플랫존을 감지하되 피처리체에 근접하도록 상하 이동이 가능한 센서를 포함하는 정렬 수단과;피처리체를 진공 흡착하는 아암과, 상기 아암이 연결 설치되는 회전축과, 상기 회전축을 180도 회전시켜 피처리체를 반전시키는 반전 모터를 포함하는 반전 수단과;상기 회전축상에 피처리체를 로딩하고 또한 상기 회전축상으로부터 피처리체를 언로딩하도록 상하 구동이 가능한 리프트 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체 이면 유닛 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 센서는 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 피처리체 이면 유닛 장치.
- 제 2항에 있어서,상기 이미지 센서를 상하 이동시키기 위한 실린더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체 이면 유닛 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 피처리체는 반도체 웨이퍼 또는 LCD 기판인 것을 특징으로 하는 피처리체의 이면 유닛 장치.
- 반도체 세정 설비에 있어서:피처리체가 수납된 캐리어를 반입/반출하는 스테이지와;상기 스테이지에 놓인 캐리어로부터 추출된 피처리체를 반송하는 반송수단과;피처리체의 한쪽 면을 세정하는 스크러버 수단이 설치되는 제 1 프로세스 유닛과;피처리체를 진공 흡착하는 아암과 상기 아암이 연결 설치되는 회전축과 상기 회전축을 180도 회전시켜 피처리체를 반전시키는 반전 모터를 포함하여 구성되어 피처리체의 전면 및 이면이 교대로 위쪽을 향하도록 피처리체를 반전하는 반전수단과, 피처리체가 놓여지는 회전척과 상기 회전척에 놓여져 회전하는 피처리체의 플랫존을 감지하되 피처리체에 근접하도록 상하 이동이 가능한 감지 센서를 포함하는 정렬 수단과, 상기 회전축상에 피처리체를 로딩하고 또한 상기 회전축상으로부터 피처리체를 언로딩하도록 상하 구동이 가능한 리프트 핀이 설치되는 제 2 프로세스 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
- 삭제
- 제 5 항에 있어서,상기 반전 수단은 상기 피처리체의 반전시 피처리체의 유/무를 감시하는 제 1 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 5 항에 있어서,상기 감지 센서는 이미지 센서인 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
- 제 5 항에 있어서,상기 감지 센서의 상하 이동을 위한 실린더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
- 삭제
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 프로세스 유닛은 다단으로 적층 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
- 피처리체가 수납된 캐리어를 반입/반출하는 스테이지와;상기 스테이지에 놓인 캐리어로부터 추출된 피처리체를 반송하는 반송수단과;피처리체의 한쪽 면을 세정하는 스크러버 수단이 설치되는 제 1 프로세스 유닛과;피처리체를 진공 흡착하는 아암과 상기 아암이 연결 설치되는 회전축과 상기 회전축을 180도 회전시켜 피처리체를 반전시키는 반전 모터를 포함하여 구성되어 피처리체의 전면 및 이면이 교대로 위쪽을 향하도록 피처리체를 반전하는 반전수단과, 피처리체가 놓여지는 회전척과 상기 회전척에 놓여져 회전하는 피처리체의 플랫존을 감지하되 피처리체에 근접하도록 상하 이동이 가능한 감지 센서를 포함하는 정렬 수단과, 상기 회전축상에 피처리체를 로딩하고 또한 상기 회전축 상으로부터 피처리체를 언로딩하도록 상하 구동이 가능한 리프트 핀이 설치되는 제 2 프로세스 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비를 사용하여,상기 캐리어로부터 피처리체를 취출하여 제 2 프로세스 유닛으로 반송하는 단계;상기 반송된 피처리체를 상승된 리프트 핀 상에 놓고, 상기 리프트 핀을 하강시켜 상기 피처리체를 상기 회전척 상에 진공흡착하고, 상기 감지 센서를 하강시켜 상기 피처리체의 플랫존을 체크하여 상기 피처리체를 정렬하는 단계;상기 리프트 핀을 상승시켜 상기 회전척으로부터 상기 피처리체를 들어올리고, 상기 들어올려진 피처리체를 상기 아암으로 진공 흡착하고, 상기 아암을 180도 회전시켜 상기 피처리체의 소자 형성면이 아래쪽을 향하도록 1차 반전하는 단계;상기 1차 반전된 피처리체를 제 1 프로세스 유닛으로 반송하는 단계;상기 제 1 프로세스 유닛에서 상기 1차 반전된 피처리체의 이면을 세정하는 단계;상기 세정 완료된 피처리체를 상기 제 2 프로세스 유닛으로 반송하는 단계;상기 반송된 피처리체를 상승된 리프트 핀 상에 놓고, 상기 리프트 상에 올려진 피처리체를 상기 아암으로 진공 흡착하고, 상기 아암을 180도 회전시켜 상기 피처리체의 소자 형성면이 윗쪽을 향하도록 2차 반전하는 단계;상기 2차 반전된 피처리체를 제 1 프로세스 유닛으로 반송하는 단계;상기 제 1 프로세스 유닛에서 상기 2차 반전된 피처리체의 소자 형성면을 세정하는 단계;상기 양면 모두 세정된 피처리체를 캐리어로 반송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 방법.
- 삭제
- 제 15항에 있어서,상기 감지 센서는 이미지 센서를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0045971A KR100431515B1 (ko) | 2001-07-30 | 2001-07-30 | 반도체 세정설비에서의 웨이퍼 반전 유닛 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0045971A KR100431515B1 (ko) | 2001-07-30 | 2001-07-30 | 반도체 세정설비에서의 웨이퍼 반전 유닛 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030012104A KR20030012104A (ko) | 2003-02-12 |
KR100431515B1 true KR100431515B1 (ko) | 2004-05-14 |
Family
ID=27717285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0045971A KR100431515B1 (ko) | 2001-07-30 | 2001-07-30 | 반도체 세정설비에서의 웨이퍼 반전 유닛 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100431515B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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