JP2003266266A - 半導体ウエーハの搬送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体ウエーハの厚さにバラツキがあって
も、半導体ウエーハを吸引保持する際に吸引保持部材に
よる過剰な押圧力が作用しない半導体ウエーハの搬送装
置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエーハ載置部材上に載置された
半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引保持部材４１
と、吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸引手段４２
と、吸引保持部材を上下方向に移動する接触移動手段４
３と、吸引保持部材を所定位置に搬送する搬送移動手段
４４とを具備する半導体ウエーハの搬送装置であって、
吸引保持部材と吸引手段とを連通する通路内の圧力を検
出する圧力センサー４２４と、制御手段５０とを具備し
いる、制御手段は、接触移動手段を下降制御して吸引保
持部材を下降させ半導体ウエーハの上面に接触せしめて
吸引保持する際に、圧力センサーによって検出された圧
力が所定値以下の場合には、接触移動手段の下降制御を
停止する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
裏面を研削する研削装置等に装備され半導体ウエーハを
吸引保持して搬送する半導体ウエーハの搬送装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
の表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ
等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定の
ストリート（切断ライン）に沿ってダイシングすること
により個々の半導体チップを製造している。半導体チッ
プの放熱性を良好にするためは、半導体チップの厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体
素子を多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン
等の小型化を可能にするためにも、半導体素子の厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。そのため、半
導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する前に、そ
の裏面を研削して所定の厚さに加工している。 【０００３】半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置
は、研削前の半導体ウエーハを収容した研削前ウエーハ
用カセットが載置される第１のカセットテーブルと、第
１のカセットテーブルに載置された研削前ウエーハ用カ
セットから搬出された研削前の半導体ウエーハを載置し
センター合わせを行う仮り置きテーブルと、研削加工時
に研削前の半導体ウエーハを吸引保持するチャックテー
ブルと、該チャックテーブルに吸引保持された研削前の
半導体ウエーハを研削する研削手段と、該研削手段によ
って研削された研削後の半導体ウエーハを洗浄する洗浄
機構と、該洗浄機構によって洗浄された洗浄後の半導体
ウエーハを収容する研削後ウエーハ用カセットが載置さ
れる第２のカセットテーブル等を具備している。そし
て、各機構間には研削前または研削後の半導体ウエーハ
を搬送する半導体ウエーハ搬送機構が配設されている。
この半導体ウエーハの搬送機構は、一般に半導体ウエー
ハの上面を吸引保持して搬送する方式が採用されてい
る。吸引保持式の搬送機構は、半導体ウエーハの上面を
吸引保持する吸引保持部材と、該吸引保持部材に負圧を
作用せしめる吸引手段と、吸引保持部材を上下方向に移
動し半導体ウエーハの上面に接触せしめる接触移動手段
と、吸引保持部材を所定位置に搬送する搬送移動手段と
からなっている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上述した吸引保持式の
搬送機構によって半導体ウエーハ載置部材上に載置され
た半導体ウエーハを搬送する場合、上記搬送移動手段に
よって上記吸引保持部材を半導体ウエーハの上方まで移
動し、上記吸引手段を作動させつつ上記接触移動手段に
よって吸引保持部材を下降させ半導体ウエーハの上面に
接触させることにより、半導体ウエーハを吸引保持部材
に吸引保持する。而して、上記接触移動手段によって吸
引保持部材を下降させて半導体ウエーハの上面に接触さ
せる際に、吸引保持部材は所定位置まで下降されるが、
半導体ウエーハの厚さにはバラツキがあるため、吸引保
持部材の下降位置は半導体ウエーハの厚さの下限値に対
応して設定される。このため、厚さが上限値付近である
半導体ウエーハを吸引保持する際には、吸引保持部材が
半導体ウエーハを過剰に押圧することになり、半導体ウ
エーハを破損させる原因となるとともに、搬送機構を損
傷させるという問題がある。 【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、半導体ウエーハの厚さに
バラツキがあっても、半導体ウエーハを吸引保持する際
に吸引保持部材による過剰な押圧力が作用しない半導体
ウエーハの搬送装置を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、半導体ウエーハ載置部材
上に載置された半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸
引保持部材と、該吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸
引手段と、該吸引保持部材を上下方向に移動し半導体ウ
エーハの上面に接触せしめる接触移動手段と、該吸引保
持部材を所定位置に搬送する搬送移動手段と、を具備す
る半導体ウエーハの搬送装置において、該吸引保持部材
と該吸引手段とを連通する通路内の圧力を検出する圧力
センサーと、該圧力センサーの検出信号に基づいて該接
触移動手段を制御する制御手段とを具備し、該制御手段
は、該接触移動手段を下降制御して該吸引保持部材を下
降させ半導体ウエーハの上面に接触せしめて吸引保持す
る際に、該圧力センサーによって検出された圧力が所定
値以下の場合には、該接触移動手段の下降制御を停止す
る、ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置が提供
される。 【０００７】 【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエー
ハの搬送装置の好適な実施形態について、添付図面を参
照して詳細に説明する。 【０００８】図１には本発明に従って構成された半導体
ウエーハの搬送装置を装備した研削装置の斜視図が示さ
れている。図示の実施形態における研削装置は、略直方
体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジン
グ２の図１において右上端には、静止支持板４が立設さ
れている。この静止支持板４の内側面には、上下方向に
延びる２対の案内レール６、６および８、８が設けられ
ている。一方の案内レール６、６には荒研削手段として
の荒研削ユニット１０が上下方向に移動可能に装着され
ており、他方の案内レール８、８には仕上げ研削手段と
しての仕上げ研削ユニット１２が上下方向に移動可能に
装着されている。 【０００９】荒研削ユニット１０は、ユニットハウジン
グ１０１と、該ユニットハウジング１０１の下端に回転
自在に装着された研削ホイール１０２と、該ユニットハ
ウジング１０１の上端に装着され研削ホイール１０２を
矢印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１０３と、
ユニットハウジング１０１を装着した移動基台１０４と
を具備している。移動基台１０４には被案内レール１０
５、１０５が設けられており、この被案内レール１０
５、１０５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
６、６に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニッ
ト１０が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態
における荒研削ユニット１０は、上記移動基台１０４を
案内レール６、６に沿って移動させ研削ホイール１０２
の切り込み深さを調整する送り機構１１を具備してい
る。送り機構１１は、上記静止支持板４に案内レール
６、６と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド１１１と、該雄ねじロッド１１１を回転
駆動するためのパルスモータ１１２と、上記移動基台１
０４に装着され雄ねじロッド１１１と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ１１２
によって雄ねじロッド１１１を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット１０を上下方向に移動せし
める。 【００１０】上記仕上げ研削ユニット１２も荒研削ユニ
ット１０と同様に構成されており、ユニットハウジング
１２１と、該ユニットハウジング１２１の下端に回転自
在に装着された研削ホイール１２２と、該ユニットハウ
ジング１２１の上端に装着され研削ホイール１２２を矢
印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構１２３と、ユ
ニットハウジング１２１を装着した移動基台１２４とを
具備している。移動基台１２４には被案内レール１２
５、１２５が設けられており、この被案内レール１２
５、１２５を上記静止支持板４に設けられた案内レール
８、８に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユ
ニット１２が上下方向に移動可能に支持される。図示の
形態における仕上げ研削ユニット１２は、上記移動基台
１２４を案内レール８、８に沿って移動させ研削ホイー
ル１２３の切り込み深さを調整する送り機構１３を具備
している。この送り機構１３は、上記送り手段１１と実
質的に同じ構成である。即ち、送り機構１３は、上記静
止支持板４に案内レール６、６と平行に上下方向に配設
され回転可能に支持された雄ねじロッド１３１と、該雄
ねじロッド１３１を回転駆動するためのパルスモータ１
３２と、上記移動基台１２４に装着され雄ねじロッド１
３１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備してお
り、パルスモータ１３２によって雄ねじロッド１３１を
正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニッ
ト１２を上下方向に移動せしめる。 【００１１】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板４の前側において装置ハウジング２の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル１５を具
備している。このターンテーブル１５は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印１５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル１５には、図示の実施形態の場合それぞれ
１２０度の位相角をもって半導体ウエーハ載置部材とし
ての３個のチャックテーブル２０が水平面内で回転可能
に配置されている。このチャックテーブル２０は、上方
が開放された円形状の凹部を備えた円盤状の基台２１
と、該基台２１に形成された凹部に嵌合されるポーラス
セラミック盤によって形成された吸着保持チャック２２
とからなっており、図示しない回転駆動機構によって矢
印で示す方向に回転せしめられるように構成されてい
る。なお、チャックテーブル２０は図示しない吸引手段
に接続されている。以上のように構成されたターンテー
ブル１５に配設された３個のチャックテーブル２０は、
ターンテーブル１５が適宜回転することにより被加工物
搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加
工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめ
られる。 【００１２】図示の研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して一方側には、研削加工前の半導体ウエー
ハを収容する研削前ウエーハ用カセット３１と、該研削
前ウエーハ用カセット３１と被加工物搬入・搬出域Ａと
の間に設けられた半導体ウエーハ載置部材としての仮り
置きテーブル３２が配設されている。研削前ウエーハ用
カセット３１には、表面にテープＴが貼着された半導体
ウエーハＷが収納される。 【００１３】一方、研削装置における被加工物搬入・搬
出域Ａに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエ
ーハを洗浄する洗浄装置３４が配設されている。この洗
浄装置３４は、研削加工後の半導体ウエーハを吸引保持
するするとともに回転せしめる半導体ウエーハ載置部材
としてのスピンナーテーブルを備えている。また、被加
工物搬入・搬出域Ａに対して他方側には、上記洗浄装置
３４によって洗浄された研削加工後の半導体ウエーハＷ
を収容する研削後ウエーハ用カセット３３が配設されて
いる。 【００１４】図示の実施形態における研削装置は、研削
前ウエーハ用カセット３１内に収納された半導体ウエー
ハＷを仮り置きテーブル３２に搬出するとともに洗浄装
置３４で洗浄された半導体ウエーハＷを研削後ウエーハ
用カセット３３に搬送する被加工物搬送機構３５を備え
ている。また、図示の実施形態における研削装置は、上
記仮り置きテーブル３２上に載置された半導体ウエーハ
Ｗを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャック
テーブル２０上に搬送する被加工物搬入機構３６と、被
加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブ
ル２０上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハ
Ｗを洗浄装置３４に搬送する被加工物搬出機構３７を具
備している。 【００１５】次に、上記研削装置の研削動作について簡
単に説明する。表面にテープＴを貼着した半導体ウエー
ハＷは、テープＴを下側に即ち裏面を上側にして研削前
ウエーハ用カセット３１に収容される。研削前ウエーハ
用カセット３１に収容された研削加工前の半導体ウエー
ハＷは被加工物搬送手段３５の上下動作および旋回動作
により搬送され、仮り置きテーブル３２に載置される。
仮り置きテーブル３２に載置された研削前の半導体ウエ
ーハＷは、例えば６本のピンの中心に向かう径方向運動
により中心合わせされる。仮り置きテーブル３２に載置
され中心合わせされた半導体ウエーハＷは、被加工物搬
入手段３６の上下動作および旋回動作によって被加工物
搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル２０
上にテープＴを下側即ち裏面を上側にして載置される。
チャックテーブル２０上に研削前の半導体ウエーハＷが
載置されたならば、図示しない吸引手段を作動すること
により、研削前の半導体ウエーハＷを吸着保持チャック
２２上に吸引保持することができる。そして、ターンテ
ーブル１５を図示しない回転駆動機構によって矢印１５
ａで示す方向に１２０度回動せしめて、研削前の半導体
ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０を荒研削加
工域Ｂに位置付ける。 【００１６】研削前の半導体ウエーハＷを載置したチャ
ックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられると
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
せしめられ、一方、荒研削ユニット１０の研削ホイール
１０２が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構
１１によって所定量下降することにより、チャックテー
ブル２０上の研削前半導体ウエーハＷの裏面に荒研削加
工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａ
に位置付けられた次のチャックテーブル２０上には、上
述したように研削前の半導体ウエーハＷが載置される。
次に、ターンテーブル１５を矢印１５ａで示す方向に１
２０度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハＷ
を載置したチャックテーブル２０を仕上げ研削加工域Ｃ
に位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域Ａ
において研削前の半導体ウエーハＷが載置された次のチ
ャックテーブル２０は荒研削加工域Ｂに位置付けられ、
次の次のチャックテーブル２０が被加工物搬入・搬出域
Ａに位置付けられる。 【００１７】このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付
けられたチャックテーブル２０上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハＷには荒研削ユニット１０によっ
て荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付け
られたチャックテーブル２０上に載置され荒研削加工さ
れた半導体ウエーハＷには仕上げ研削ユニット１２によ
って仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル
１５を矢印１５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、
仕上げ研削加工した研削後の半導体ウエーハＷを載置し
たチャックテーブル２０を被加工物搬入・搬出域Ａに位
置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工さ
れた半導体ウエーハＷを載置したチャックテーブル２０
は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにお
いて研削前の半導体ウエーハＷが載置されたチャックテ
ーブル２０は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられ
る。 【００１８】なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加
工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャ
ックテーブル２０は、ここで研削後の半導体ウエーハＷ
の吸着保持を解除する。次に、被加工物搬出手段３７の
上下動作および旋回動作によって被加工物搬入・搬出域
Ａに戻ったチャックテーブル２０上で吸着保持が解除さ
れた研削後の半導体ウエーハＷをチャックテーブル２０
から搬出し、洗浄装置３４の半導体ウエーハ載置部材と
してのスピンナーテーブル３４１上に載置する。スピン
ナーテーブル３４１上に載置された研削後の半導体ウエ
ーハＷはスピンナーテーブル３４１上に吸着保持され、
ここで研削時に付着したコンタミが洗浄され、更にスピ
ン乾燥される。半導体ウエーハＷが洗浄・乾燥されたな
らば、半導体ウエーハＷの吸着保持を解除する。次に、
スピンナーテーブル３４１上で吸着保持が解除された半
導体ウエーハＷは、被加工物搬送手段３５の上下動作お
よび旋回動作により研削後ウエーハ用カセット３３に搬
送され収納される。 【００１９】上述した研削装置に装備された上記被加工
物搬送機構３５と被加工物搬入機構３６および被加工物
搬出機構３７は、いずれも半導体ウエーハＷの上面を吸
引保持して搬送する吸引保持式の搬送機構からなってお
り、それぞれ半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引
保持部材と、該吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸引
手段と、吸引保持部材を上下方向に移動し半導体ウエー
ハの上面に接触せしめる接触移動手段と、吸引保持部材
を所定位置に搬送する搬送移動手段とを具備している。
従って、本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置の具体例として、被加工物搬送機構３５に適用し
た例を図２を参照して説明する。 【００２０】図２に示す被加工物搬送機構３５は、上述
したように半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引保
持部材４１と、該吸引保持部材４１に負圧を作用せしめ
る吸引手段４２と、吸引保持部材４１を上下方向に移動
し半導体ウエーハの上面に接触せしめる接触移動手段４
３と、吸引保持部材４１を所定位置に搬送する搬送移動
手段４４とを具備している。吸引保持部材４１は、搬送
する半導体ウエーハの外径と略同一の外径を有する吸着
板４１１と蓋板４１２を重合して形成され、その外周の
一部にそれぞれ取付部４１１ａと４１２ａが設けられて
おり、この取付部４１１ａ、４１２ａがアーム機構４５
に取り付けられている。吸引保持部材４１を構成する吸
着板４１１の外周部には凹部からなる複数の室４１１ｂ
が形成されており、この室４１１ｂは吸着板４１１の下
面（吸着保持面）に開口する図示しない複数の吸引孔に
連通している。また、吸着板４１１には複数の室４１１
ｂを連通する通路４１１ｃが形成されており、この通路
４１１ｃが後述する吸引手段４２に接続されている。従
って、後述する吸引手段４２が作動すると、通路４１１
ｃ、室４１１ｂおよび図示しない吸引孔を通して吸着板
４１１の下面である吸着保持面に負圧が作用せしめられ
る。 【００２１】上記吸引手段４２は、負圧タンク等の吸引
源４２１と、該吸引源４２１と上記吸引保持部材４１に
形成された通路４１１ｃとを接続する配管４２２と、該
配管４２２に配設された電磁切替え弁４２３（Ｖ）とを
備えている。この電磁切替え弁４２３（Ｖ）は、除勢さ
れているときには上記通路４１１ｃを大気に開放してお
り、付勢されると通路４１１ｃを吸引源４２１に連通す
る。また、図示の実施形態においては、上記電磁切替え
弁４２３（Ｖ）と通路４１１ｃとの配管中に圧力センサ
ー４２４が配設されている。この圧力センサー４２４
は、吸引保持部材４１に形成された通路４１１ｃ内の圧
力を検出し、その検出信号を後述する制御手段５０に送
る。 【００２２】上述した吸引保持部材４１を取り付けたア
ーム機構４５は、第１のアーム４５１と第２アーム４５
２とからなっており、第２アーム４５２に上記吸引保持
部材４１が取り付けられ、第１のアーム４５１が作動軸
４６に取り付けられる。作動軸４６はケース４７に回転
可能でかつ上下方向に移動可能に支持されている。この
作動軸４６は、接触移動手段４３および搬送移動手段４
４によって上下方向に作動せしめられるとともに、回動
せしめられる。接触移動手段４３は、正転・逆転可能な
電動モータおよび該電動モータによって駆動されるスク
リュー機構を含んでおり、電動モータを正転駆動すると
作動軸４６を上昇せしめ、電動モータを逆転駆動すると
作動軸４６を下降せしめる。搬送移動手段４４は、正転
・逆転可能な電動モータおよび該電動モータによって駆
動される駆動機構を含んでおり、電動モータを正転駆動
すると作動軸４６を一方向に回動せしめ、電動モータを
逆転駆動すると作動軸４６を他方向に回動せしめる。 【００２３】次に、制御手段５０について説明する。制
御手段５０は、マイクロコンピュータによって構成され
ており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理
装置（ＣＰＵ）、制御プログラム等を格納するリードオ
ンリメモリ（ＲＯＭ）、演算結果等を格納するランダム
アクセスメモリ（ＲＡＭ）および入出力インターフェー
ス等を備えている。この制御手段５０は、上記圧力セン
サー４２４からの検出信号を入力し、上記電磁切替え弁
４２３（Ｖ）や接触移動手段４３および搬送移動手段４
４に制御信号を出力する。 【００２４】図示の実施形態における被加工物搬送機構
３５は以上のように構成されており、以下その作動につ
いて図３に示すフローチャートに基づいて説明する。な
お、以下の説明においては、洗浄装置３４のスピンナー
テーブル３４１上で洗浄された研削後の半導体ウエーハ
Ｗを研削後ウエーハ用カセット３４に搬送する例につい
て述べる。制御手段５０は先ずステップＳ１において、
図１に示すホームポジションに位置付けられている吸引
保持部材４１を洗浄装置３４のスピンナーテーブル３４
１に載置されている半導体ウエーハＷの上方位置に位置
付けるために、接触移動手段４３の上昇制御を実行し吸
引保持部材４１を所定高さまで移動するとともに、搬送
移動手段４４の位置付け制御を実行する。この結果、被
加工物搬送機構３５の吸引保持部材４１は、図４の
（ａ）に示すようにスピンナーテーブル３４１に載置さ
れている半導体ウエーハＷの上方位置に位置付けられ
る。 【００２５】次に、制御手段５０はステップＳ２に進ん
で、吸引手段４２の電磁切替え弁４２３（Ｖ）を付勢
（ＯＮ）するとともに、接触移動手段４３を下降制御す
る。そして、制御手段５０はステップＳ３に進んで、上
記圧力センサー４２４によって検出された吸引保持部材
４１の通路４１１ｃ内の圧力（Ｐ）が所定値（Ｐ１）以
下になったか否かをチェックする。なお、所定値（Ｐ
１）は、例えば０．０５メガパスカル（ＭＰａ）に設定
されている。ステップＳ３において圧力センサー４２４
によって検出された（Ｐ）が所定値（Ｐ１）以下でなけ
れば、制御手段５０は吸引保持部材４１の下面即ち吸着
保持面が未だ半導体ウエーハＷの上面に接触していない
と判断し、上記ステップＳ２に戻って接触移動手段４３
の下降制御を継続する。ステップＳ３において圧力セン
サー４２４によって検出された圧力（Ｐ）が所定値（Ｐ
１）以下であるならば、制御手段５０は図４の（ｂ）に
示すように吸引保持部材４１の吸着保持面が半導体ウエ
ーハＷの上面に接触し半導体ウエーハＷが吸引保持部材
４１の吸着保持面に吸引保持されたものと判断し、ステ
ップＳ４に進んで接触移動手段４３の下降制御を停止す
る。このように、吸引保持部材４１の吸着保持面が半導
体ウエーハＷの上面に接触し半導体ウエーハＷが吸引保
持部材４１の吸着保持面に吸引保持されたら接触移動手
段４３の下降制御を停止するので、吸引保持部材４１が
半導体ウエーハＷを過剰に押圧することがないため、半
導体ウエーハＷの破損および被加工物搬送機構３５の損
傷が防止される。 【００２６】その後、スピンナーテーブル３４１による
半導体ウエーハＷの吸着保持を解除し、半導体ウエーハ
Ｗをスピンナーテーブル３４１から離脱させるべく制御
手段５０はステップＳ５に進んで接触移動手段４３の上
昇制御を実行し吸引保持部材４１を所定高さまで移動す
るとともに、搬送移動手段４４の搬送制御を実行する。
接触移動手段４３の上昇制御を実行し吸引保持部材４１
を所定高さまで移動することにより、図４の（ｃ）に示
すように吸引保持部材４１の吸着保持面に吸引保持され
た半導体ウエーハＷはスピンナーテーブル３４１から上
方に離隔する。そして、搬送移動手段４４の搬送制御を
実行することにより、吸引保持部材４１に吸引保持され
た半導体ウエーハＷは研削後ウエーハ用カセット３４の
所定の収納位置に搬送される。 【００２７】ステップＳ５を実行することにより、吸引
保持部材４１に吸引保持された半導体ウエーハＷが研削
後ウエーハ用カセット３４の所定の収納位置に搬送され
たならば、制御手段５０はステップＳ６に進んで吸引手
段４２の電磁切替え弁４２３（Ｖ）を除勢（ＯＦＦ）す
る。この結果、半導体ウエーハＷは研削後ウエーハ用カ
セット３４の所定の収納位置に収納される。次に、制御
手段５０はステップＳ７に進んで吸引保持部材４１を図
１に示すホームポジションに位置付けるために搬送移動
手段４４および接触移動手段４３のホームポジション制
御を実行する。このように吸引保持部材４１を図１に示
すホームポジションに位置付けて、制御手段５０は搬送
制御を終了する。 【００２８】以上、図示の研削装置における被加工物搬
送機構３５に本発明を適用した例について説明したが、
上記被加工物搬入機構３６および被加工物搬出機構３７
にも本発明を適用することにより、研削加工過程におけ
る半導体ウエーハ搬送時の破損を防止することができ
る。 【００２９】 【発明の効果】本発明に係る半導体ウエーハの搬送装置
は以上のように構成され、半導体ウエーハを吸引保持す
る吸引保持部材と吸引手段とを連通する通路内の圧力を
検出する圧力センサーを備え、吸引保持部材を上下方向
に移動する接触移動手段を下降制御して吸引保持部材を
下降させ半導体ウエーハ載置部材上に載置された半導体
ウエーハの上面に接触せしめて吸引保持する際に、圧力
センサーによって検出された圧力が所定値以下の場合に
は、接触移動手段の下降制御を停止するようにしたの
で、吸引保持部材が半導体ウエーハＷを過剰に押圧する
ことがないため、半導体ウエーハＷの破損および被加工
物搬送機構の損傷が防止される。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置を適用する研削装置の斜視図。 【図２】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置の説明図。 【図３】図２に示す搬送装置を構成する制御手段の動作
手順を示すフローチャート。 【図４】図２に示す搬送装置を構成する吸引保持部材の
動状態を示す説明図。 【符号の説明】 ２：装置ハウジング ４：静止支持板４ ６：案内レール ８：案内レール １０：荒研削ユニット １０１：ユニットハウジング １０２：研削ホイール １０３：回転駆動機構 １０４：移動基台 １０５：被案内レール １１：送り機構 １１１：雄ねじロッド １１２：パルスモータ １２：仕上げ研削ユニット １２１：ユニットハウジング １２２：研削ホイール １２３：回転駆動機構 １２４：移動基台 １２５：被案内レール １３：送り機構 １３１：雄ねじロッド １３２：パルスモータ １５：ターンテーブル ２０：チャックテーブル ２１：チャックテーブルの基台 ２２：チャックテーブルの吸着保持チャック ３１：研削前ウエーハ用カセット ３２：被加工物載置部 ３３：研削後ウエーハ用カセット ３４：洗浄装置 ３５：被加工物搬送手段 ３６：被加工物搬入手段 ３７：被加工物搬出手段 ４１：吸引保持部材 ４１１：吸着板 ４１２：蓋板 ４２：吸引手段 ４２１：吸引源 ４２３：電磁切替え弁（Ｖ） ４２４：圧力センサー ４３：接触移動手段 ４４：搬送移動手段 ４５：アーム機構 ４５１：第１のアーム ４５２：第２のアーム ４６：作動軸 ４７：ケース ５０：制御手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ６５Ｇ 49/07 Ｂ６５Ｇ 49/07 Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｂ Ｆターム(参考） 3C007 AS24 BS15 CT04 CT05 DS01 FS01 FT11 FU04 KS03 KS33 LV07 MT10 NS13 3C033 BB04 BB10 HH05 HH08 HH16 HH26 HH30 5F031 CA02 FA01 FA13 GA36 GA43 JA10 JA22 JA47 JA51 LA07 MA22 MA23 PA03 PA08 PA10 PA20

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体ウエーハ載置部材上に載置された
   半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引保持部材と、
   該吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸引手段と、該吸
   引保持部材を上下方向に移動し半導体ウエーハの上面に
   接触せしめる接触移動手段と、該吸引保持部材を所定位
   置に搬送する搬送移動手段と、を具備する半導体ウエー
   ハの搬送装置において、 該吸引保持部材と該吸引手段とを連通する通路内の圧力
   を検出する圧力センサーと、該圧力センサーの検出信号
   に基づいて該接触移動手段を制御する制御手段とを具備
   し、 該制御手段は、該接触移動手段を下降制御して該吸引保
   持部材を下降させ半導体ウエーハの上面に接触せしめて
   吸引保持する際に、該圧力センサーによって検出された
   圧力が所定値以下の場合には、該接触移動手段の下降制
   御を停止する、 ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置。