JP2003266266A - 半導体ウエーハの搬送装置 - Google Patents

半導体ウエーハの搬送装置

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JP2003266266A
JP2003266266A JP2002077618A JP2002077618A JP2003266266A JP 2003266266 A JP2003266266 A JP 2003266266A JP 2002077618 A JP2002077618 A JP 2002077618A JP 2002077618 A JP2002077618 A JP 2002077618A JP 2003266266 A JP2003266266 A JP 2003266266A
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semiconductor wafer
suction
holding
grinding
suction holding
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JP2002077618A
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Inventor
Shinji Yasuda
真治 保田
Original Assignee
Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 半導体ウエーハの厚さにバラツキがあって
も、半導体ウエーハを吸引保持する際に吸引保持部材に
よる過剰な押圧力が作用しない半導体ウエーハの搬送装
置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエーハ載置部材上に載置された
半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引保持部材41
と、吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸引手段42
と、吸引保持部材を上下方向に移動する接触移動手段4
3と、吸引保持部材を所定位置に搬送する搬送移動手段
44とを具備する半導体ウエーハの搬送装置であって、
吸引保持部材と吸引手段とを連通する通路内の圧力を検
出する圧力センサー424と、制御手段50とを具備し
いる、制御手段は、接触移動手段を下降制御して吸引保
持部材を下降させ半導体ウエーハの上面に接触せしめて
吸引保持する際に、圧力センサーによって検出された圧
力が所定値以下の場合には、接触移動手段の下降制御を
停止する。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
裏面を研削する研削装置等に装備され半導体ウエーハを
吸引保持して搬送する半導体ウエーハの搬送装置に関す
る。 【0002】 【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
の表面に格子状に配列された多数の領域にIC、LSI
等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定の
ストリート(切断ライン)に沿ってダイシングすること
により個々の半導体チップを製造している。半導体チッ
プの放熱性を良好にするためは、半導体チップの厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体
素子を多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン
等の小型化を可能にするためにも、半導体素子の厚さを
できるだけ薄く形成することが望ましい。そのため、半
導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する前に、そ
の裏面を研削して所定の厚さに加工している。 【0003】半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置
は、研削前の半導体ウエーハを収容した研削前ウエーハ
用カセットが載置される第1のカセットテーブルと、第
1のカセットテーブルに載置された研削前ウエーハ用カ
セットから搬出された研削前の半導体ウエーハを載置し
センター合わせを行う仮り置きテーブルと、研削加工時
に研削前の半導体ウエーハを吸引保持するチャックテー
ブルと、該チャックテーブルに吸引保持された研削前の
半導体ウエーハを研削する研削手段と、該研削手段によ
って研削された研削後の半導体ウエーハを洗浄する洗浄
機構と、該洗浄機構によって洗浄された洗浄後の半導体
ウエーハを収容する研削後ウエーハ用カセットが載置さ
れる第2のカセットテーブル等を具備している。そし
て、各機構間には研削前または研削後の半導体ウエーハ
を搬送する半導体ウエーハ搬送機構が配設されている。
この半導体ウエーハの搬送機構は、一般に半導体ウエー
ハの上面を吸引保持して搬送する方式が採用されてい
る。吸引保持式の搬送機構は、半導体ウエーハの上面を
吸引保持する吸引保持部材と、該吸引保持部材に負圧を
作用せしめる吸引手段と、吸引保持部材を上下方向に移
動し半導体ウエーハの上面に接触せしめる接触移動手段
と、吸引保持部材を所定位置に搬送する搬送移動手段と
からなっている。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】上述した吸引保持式の
搬送機構によって半導体ウエーハ載置部材上に載置され
た半導体ウエーハを搬送する場合、上記搬送移動手段に
よって上記吸引保持部材を半導体ウエーハの上方まで移
動し、上記吸引手段を作動させつつ上記接触移動手段に
よって吸引保持部材を下降させ半導体ウエーハの上面に
接触させることにより、半導体ウエーハを吸引保持部材
に吸引保持する。而して、上記接触移動手段によって吸
引保持部材を下降させて半導体ウエーハの上面に接触さ
せる際に、吸引保持部材は所定位置まで下降されるが、
半導体ウエーハの厚さにはバラツキがあるため、吸引保
持部材の下降位置は半導体ウエーハの厚さの下限値に対
応して設定される。このため、厚さが上限値付近である
半導体ウエーハを吸引保持する際には、吸引保持部材が
半導体ウエーハを過剰に押圧することになり、半導体ウ
エーハを破損させる原因となるとともに、搬送機構を損
傷させるという問題がある。 【0005】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、半導体ウエーハの厚さに
バラツキがあっても、半導体ウエーハを吸引保持する際
に吸引保持部材による過剰な押圧力が作用しない半導体
ウエーハの搬送装置を提供することにある。 【0006】 【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、半導体ウエーハ載置部材
上に載置された半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸
引保持部材と、該吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸
引手段と、該吸引保持部材を上下方向に移動し半導体ウ
エーハの上面に接触せしめる接触移動手段と、該吸引保
持部材を所定位置に搬送する搬送移動手段と、を具備す
る半導体ウエーハの搬送装置において、該吸引保持部材
と該吸引手段とを連通する通路内の圧力を検出する圧力
センサーと、該圧力センサーの検出信号に基づいて該接
触移動手段を制御する制御手段とを具備し、該制御手段
は、該接触移動手段を下降制御して該吸引保持部材を下
降させ半導体ウエーハの上面に接触せしめて吸引保持す
る際に、該圧力センサーによって検出された圧力が所定
値以下の場合には、該接触移動手段の下降制御を停止す
る、ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置が提供
される。 【0007】 【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエー
ハの搬送装置の好適な実施形態について、添付図面を参
照して詳細に説明する。 【0008】図1には本発明に従って構成された半導体
ウエーハの搬送装置を装備した研削装置の斜視図が示さ
れている。図示の実施形態における研削装置は、略直方
体状の装置ハウジング2を具備している。装置ハウジン
グ2の図1において右上端には、静止支持板4が立設さ
れている。この静止支持板4の内側面には、上下方向に
延びる2対の案内レール6、6および8、8が設けられ
ている。一方の案内レール6、6には荒研削手段として
の荒研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着され
ており、他方の案内レール8、8には仕上げ研削手段と
しての仕上げ研削ユニット12が上下方向に移動可能に
装着されている。 【0009】荒研削ユニット10は、ユニットハウジン
グ101と、該ユニットハウジング101の下端に回転
自在に装着された研削ホイール102と、該ユニットハ
ウジング101の上端に装着され研削ホイール102を
矢印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構103と、
ユニットハウジング101を装着した移動基台104と
を具備している。移動基台104には被案内レール10
5、105が設けられており、この被案内レール10
5、105を上記静止支持板4に設けられた案内レール
6、6に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニッ
ト10が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態
における荒研削ユニット10は、上記移動基台104を
案内レール6、6に沿って移動させ研削ホイール102
の切り込み深さを調整する送り機構11を具備してい
る。送り機構11は、上記静止支持板4に案内レール
6、6と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド111と、該雄ねじロッド111を回転
駆動するためのパルスモータ112と、上記移動基台1
04に装着され雄ねじロッド111と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ112
によって雄ねじロッド111を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット10を上下方向に移動せし
める。 【0010】上記仕上げ研削ユニット12も荒研削ユニ
ット10と同様に構成されており、ユニットハウジング
121と、該ユニットハウジング121の下端に回転自
在に装着された研削ホイール122と、該ユニットハウ
ジング121の上端に装着され研削ホイール122を矢
印で示す方向に回転せしめる回転駆動機構123と、ユ
ニットハウジング121を装着した移動基台124とを
具備している。移動基台124には被案内レール12
5、125が設けられており、この被案内レール12
5、125を上記静止支持板4に設けられた案内レール
8、8に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユ
ニット12が上下方向に移動可能に支持される。図示の
形態における仕上げ研削ユニット12は、上記移動基台
124を案内レール8、8に沿って移動させ研削ホイー
ル123の切り込み深さを調整する送り機構13を具備
している。この送り機構13は、上記送り手段11と実
質的に同じ構成である。即ち、送り機構13は、上記静
止支持板4に案内レール6、6と平行に上下方向に配設
され回転可能に支持された雄ねじロッド131と、該雄
ねじロッド131を回転駆動するためのパルスモータ1
32と、上記移動基台124に装着され雄ねじロッド1
31と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備してお
り、パルスモータ132によって雄ねじロッド131を
正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニッ
ト12を上下方向に移動せしめる。 【0011】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板4の前側において装置ハウジング2の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル15を具
備している。このターンテーブル15は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印15aで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル15には、図示の実施形態の場合それぞれ
120度の位相角をもって半導体ウエーハ載置部材とし
ての3個のチャックテーブル20が水平面内で回転可能
に配置されている。このチャックテーブル20は、上方
が開放された円形状の凹部を備えた円盤状の基台21
と、該基台21に形成された凹部に嵌合されるポーラス
セラミック盤によって形成された吸着保持チャック22
とからなっており、図示しない回転駆動機構によって矢
印で示す方向に回転せしめられるように構成されてい
る。なお、チャックテーブル20は図示しない吸引手段
に接続されている。以上のように構成されたターンテー
ブル15に配設された3個のチャックテーブル20は、
ターンテーブル15が適宜回転することにより被加工物
搬入・搬出域A、荒研削加工域B、および仕上げ研削加
工域Cおよび被加工物搬入・搬出域Aに順次移動せしめ
られる。 【0012】図示の研削装置における被加工物搬入・搬
出域Aに対して一方側には、研削加工前の半導体ウエー
ハを収容する研削前ウエーハ用カセット31と、該研削
前ウエーハ用カセット31と被加工物搬入・搬出域Aと
の間に設けられた半導体ウエーハ載置部材としての仮り
置きテーブル32が配設されている。研削前ウエーハ用
カセット31には、表面にテープTが貼着された半導体
ウエーハWが収納される。 【0013】一方、研削装置における被加工物搬入・搬
出域Aに対して他方側には、研削加工後の該半導体ウエ
ーハを洗浄する洗浄装置34が配設されている。この洗
浄装置34は、研削加工後の半導体ウエーハを吸引保持
するするとともに回転せしめる半導体ウエーハ載置部材
としてのスピンナーテーブルを備えている。また、被加
工物搬入・搬出域Aに対して他方側には、上記洗浄装置
34によって洗浄された研削加工後の半導体ウエーハW
を収容する研削後ウエーハ用カセット33が配設されて
いる。 【0014】図示の実施形態における研削装置は、研削
前ウエーハ用カセット31内に収納された半導体ウエー
ハWを仮り置きテーブル32に搬出するとともに洗浄装
置34で洗浄された半導体ウエーハWを研削後ウエーハ
用カセット33に搬送する被加工物搬送機構35を備え
ている。また、図示の実施形態における研削装置は、上
記仮り置きテーブル32上に載置された半導体ウエーハ
Wを被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャック
テーブル20上に搬送する被加工物搬入機構36と、被
加工物搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブ
ル20上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハ
Wを洗浄装置34に搬送する被加工物搬出機構37を具
備している。 【0015】次に、上記研削装置の研削動作について簡
単に説明する。表面にテープTを貼着した半導体ウエー
ハWは、テープTを下側に即ち裏面を上側にして研削前
ウエーハ用カセット31に収容される。研削前ウエーハ
用カセット31に収容された研削加工前の半導体ウエー
ハWは被加工物搬送手段35の上下動作および旋回動作
により搬送され、仮り置きテーブル32に載置される。
仮り置きテーブル32に載置された研削前の半導体ウエ
ーハWは、例えば6本のピンの中心に向かう径方向運動
により中心合わせされる。仮り置きテーブル32に載置
され中心合わせされた半導体ウエーハWは、被加工物搬
入手段36の上下動作および旋回動作によって被加工物
搬入・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル20
上にテープTを下側即ち裏面を上側にして載置される。
チャックテーブル20上に研削前の半導体ウエーハWが
載置されたならば、図示しない吸引手段を作動すること
により、研削前の半導体ウエーハWを吸着保持チャック
22上に吸引保持することができる。そして、ターンテ
ーブル15を図示しない回転駆動機構によって矢印15
aで示す方向に120度回動せしめて、研削前の半導体
ウエーハWを載置したチャックテーブル20を荒研削加
工域Bに位置付ける。 【0016】研削前の半導体ウエーハWを載置したチャ
ックテーブル20は荒研削加工域Bに位置付けられると
図示しない回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転
せしめられ、一方、荒研削ユニット10の研削ホイール
102が矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構
11によって所定量下降することにより、チャックテー
ブル20上の研削前半導体ウエーハWの裏面に荒研削加
工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域A
に位置付けられた次のチャックテーブル20上には、上
述したように研削前の半導体ウエーハWが載置される。
次に、ターンテーブル15を矢印15aで示す方向に1
20度回動せしめて、荒研削加工した半導体ウエーハW
を載置したチャックテーブル20を仕上げ研削加工域C
に位置付ける。なお、このとき被加工物搬入・搬出域A
において研削前の半導体ウエーハWが載置された次のチ
ャックテーブル20は荒研削加工域Bに位置付けられ、
次の次のチャックテーブル20が被加工物搬入・搬出域
Aに位置付けられる。 【0017】このようにして、荒研削加工域Bに位置付
けられたチャックテーブル20上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハWには荒研削ユニット10によっ
て荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Cに位置付け
られたチャックテーブル20上に載置され荒研削加工さ
れた半導体ウエーハWには仕上げ研削ユニット12によ
って仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル
15を矢印15aで示す方向に120度回動せしめて、
仕上げ研削加工した研削後の半導体ウエーハWを載置し
たチャックテーブル20を被加工物搬入・搬出域Aに位
置付ける。なお、荒研削加工域Bにおいて荒研削加工さ
れた半導体ウエーハWを載置したチャックテーブル20
は仕上げ研削加工域Cに、被加工物搬入・搬出域Aにお
いて研削前の半導体ウエーハWが載置されたチャックテ
ーブル20は荒研削加工域Bにそれぞれ移動せしめられ
る。 【0018】なお、荒研削加工域Bおよび仕上げ研削加
工域Cを経由して被加工物搬入・搬出域Aに戻ったチャ
ックテーブル20は、ここで研削後の半導体ウエーハW
の吸着保持を解除する。次に、被加工物搬出手段37の
上下動作および旋回動作によって被加工物搬入・搬出域
Aに戻ったチャックテーブル20上で吸着保持が解除さ
れた研削後の半導体ウエーハWをチャックテーブル20
から搬出し、洗浄装置34の半導体ウエーハ載置部材と
してのスピンナーテーブル341上に載置する。スピン
ナーテーブル341上に載置された研削後の半導体ウエ
ーハWはスピンナーテーブル341上に吸着保持され、
ここで研削時に付着したコンタミが洗浄され、更にスピ
ン乾燥される。半導体ウエーハWが洗浄・乾燥されたな
らば、半導体ウエーハWの吸着保持を解除する。次に、
スピンナーテーブル341上で吸着保持が解除された半
導体ウエーハWは、被加工物搬送手段35の上下動作お
よび旋回動作により研削後ウエーハ用カセット33に搬
送され収納される。 【0019】上述した研削装置に装備された上記被加工
物搬送機構35と被加工物搬入機構36および被加工物
搬出機構37は、いずれも半導体ウエーハWの上面を吸
引保持して搬送する吸引保持式の搬送機構からなってお
り、それぞれ半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引
保持部材と、該吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸引
手段と、吸引保持部材を上下方向に移動し半導体ウエー
ハの上面に接触せしめる接触移動手段と、吸引保持部材
を所定位置に搬送する搬送移動手段とを具備している。
従って、本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置の具体例として、被加工物搬送機構35に適用し
た例を図2を参照して説明する。 【0020】図2に示す被加工物搬送機構35は、上述
したように半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引保
持部材41と、該吸引保持部材41に負圧を作用せしめ
る吸引手段42と、吸引保持部材41を上下方向に移動
し半導体ウエーハの上面に接触せしめる接触移動手段4
3と、吸引保持部材41を所定位置に搬送する搬送移動
手段44とを具備している。吸引保持部材41は、搬送
する半導体ウエーハの外径と略同一の外径を有する吸着
板411と蓋板412を重合して形成され、その外周の
一部にそれぞれ取付部411aと412aが設けられて
おり、この取付部411a、412aがアーム機構45
に取り付けられている。吸引保持部材41を構成する吸
着板411の外周部には凹部からなる複数の室411b
が形成されており、この室411bは吸着板411の下
面(吸着保持面)に開口する図示しない複数の吸引孔に
連通している。また、吸着板411には複数の室411
bを連通する通路411cが形成されており、この通路
411cが後述する吸引手段42に接続されている。従
って、後述する吸引手段42が作動すると、通路411
c、室411bおよび図示しない吸引孔を通して吸着板
411の下面である吸着保持面に負圧が作用せしめられ
る。 【0021】上記吸引手段42は、負圧タンク等の吸引
源421と、該吸引源421と上記吸引保持部材41に
形成された通路411cとを接続する配管422と、該
配管422に配設された電磁切替え弁423(V)とを
備えている。この電磁切替え弁423(V)は、除勢さ
れているときには上記通路411cを大気に開放してお
り、付勢されると通路411cを吸引源421に連通す
る。また、図示の実施形態においては、上記電磁切替え
弁423(V)と通路411cとの配管中に圧力センサ
ー424が配設されている。この圧力センサー424
は、吸引保持部材41に形成された通路411c内の圧
力を検出し、その検出信号を後述する制御手段50に送
る。 【0022】上述した吸引保持部材41を取り付けたア
ーム機構45は、第1のアーム451と第2アーム45
2とからなっており、第2アーム452に上記吸引保持
部材41が取り付けられ、第1のアーム451が作動軸
46に取り付けられる。作動軸46はケース47に回転
可能でかつ上下方向に移動可能に支持されている。この
作動軸46は、接触移動手段43および搬送移動手段4
4によって上下方向に作動せしめられるとともに、回動
せしめられる。接触移動手段43は、正転・逆転可能な
電動モータおよび該電動モータによって駆動されるスク
リュー機構を含んでおり、電動モータを正転駆動すると
作動軸46を上昇せしめ、電動モータを逆転駆動すると
作動軸46を下降せしめる。搬送移動手段44は、正転
・逆転可能な電動モータおよび該電動モータによって駆
動される駆動機構を含んでおり、電動モータを正転駆動
すると作動軸46を一方向に回動せしめ、電動モータを
逆転駆動すると作動軸46を他方向に回動せしめる。 【0023】次に、制御手段50について説明する。制
御手段50は、マイクロコンピュータによって構成され
ており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理
装置(CPU)、制御プログラム等を格納するリードオ
ンリメモリ(ROM)、演算結果等を格納するランダム
アクセスメモリ(RAM)および入出力インターフェー
ス等を備えている。この制御手段50は、上記圧力セン
サー424からの検出信号を入力し、上記電磁切替え弁
423(V)や接触移動手段43および搬送移動手段4
4に制御信号を出力する。 【0024】図示の実施形態における被加工物搬送機構
35は以上のように構成されており、以下その作動につ
いて図3に示すフローチャートに基づいて説明する。な
お、以下の説明においては、洗浄装置34のスピンナー
テーブル341上で洗浄された研削後の半導体ウエーハ
Wを研削後ウエーハ用カセット34に搬送する例につい
て述べる。制御手段50は先ずステップS1において、
図1に示すホームポジションに位置付けられている吸引
保持部材41を洗浄装置34のスピンナーテーブル34
1に載置されている半導体ウエーハWの上方位置に位置
付けるために、接触移動手段43の上昇制御を実行し吸
引保持部材41を所定高さまで移動するとともに、搬送
移動手段44の位置付け制御を実行する。この結果、被
加工物搬送機構35の吸引保持部材41は、図4の
(a)に示すようにスピンナーテーブル341に載置さ
れている半導体ウエーハWの上方位置に位置付けられ
る。 【0025】次に、制御手段50はステップS2に進ん
で、吸引手段42の電磁切替え弁423(V)を付勢
(ON)するとともに、接触移動手段43を下降制御す
る。そして、制御手段50はステップS3に進んで、上
記圧力センサー424によって検出された吸引保持部材
41の通路411c内の圧力(P)が所定値(P1)以
下になったか否かをチェックする。なお、所定値(P
1)は、例えば0.05メガパスカル(MPa)に設定
されている。ステップS3において圧力センサー424
によって検出された(P)が所定値(P1)以下でなけ
れば、制御手段50は吸引保持部材41の下面即ち吸着
保持面が未だ半導体ウエーハWの上面に接触していない
と判断し、上記ステップS2に戻って接触移動手段43
の下降制御を継続する。ステップS3において圧力セン
サー424によって検出された圧力(P)が所定値(P
1)以下であるならば、制御手段50は図4の(b)に
示すように吸引保持部材41の吸着保持面が半導体ウエ
ーハWの上面に接触し半導体ウエーハWが吸引保持部材
41の吸着保持面に吸引保持されたものと判断し、ステ
ップS4に進んで接触移動手段43の下降制御を停止す
る。このように、吸引保持部材41の吸着保持面が半導
体ウエーハWの上面に接触し半導体ウエーハWが吸引保
持部材41の吸着保持面に吸引保持されたら接触移動手
段43の下降制御を停止するので、吸引保持部材41が
半導体ウエーハWを過剰に押圧することがないため、半
導体ウエーハWの破損および被加工物搬送機構35の損
傷が防止される。 【0026】その後、スピンナーテーブル341による
半導体ウエーハWの吸着保持を解除し、半導体ウエーハ
Wをスピンナーテーブル341から離脱させるべく制御
手段50はステップS5に進んで接触移動手段43の上
昇制御を実行し吸引保持部材41を所定高さまで移動す
るとともに、搬送移動手段44の搬送制御を実行する。
接触移動手段43の上昇制御を実行し吸引保持部材41
を所定高さまで移動することにより、図4の(c)に示
すように吸引保持部材41の吸着保持面に吸引保持され
た半導体ウエーハWはスピンナーテーブル341から上
方に離隔する。そして、搬送移動手段44の搬送制御を
実行することにより、吸引保持部材41に吸引保持され
た半導体ウエーハWは研削後ウエーハ用カセット34の
所定の収納位置に搬送される。 【0027】ステップS5を実行することにより、吸引
保持部材41に吸引保持された半導体ウエーハWが研削
後ウエーハ用カセット34の所定の収納位置に搬送され
たならば、制御手段50はステップS6に進んで吸引手
段42の電磁切替え弁423(V)を除勢(OFF)す
る。この結果、半導体ウエーハWは研削後ウエーハ用カ
セット34の所定の収納位置に収納される。次に、制御
手段50はステップS7に進んで吸引保持部材41を図
1に示すホームポジションに位置付けるために搬送移動
手段44および接触移動手段43のホームポジション制
御を実行する。このように吸引保持部材41を図1に示
すホームポジションに位置付けて、制御手段50は搬送
制御を終了する。 【0028】以上、図示の研削装置における被加工物搬
送機構35に本発明を適用した例について説明したが、
上記被加工物搬入機構36および被加工物搬出機構37
にも本発明を適用することにより、研削加工過程におけ
る半導体ウエーハ搬送時の破損を防止することができ
る。 【0029】 【発明の効果】本発明に係る半導体ウエーハの搬送装置
は以上のように構成され、半導体ウエーハを吸引保持す
る吸引保持部材と吸引手段とを連通する通路内の圧力を
検出する圧力センサーを備え、吸引保持部材を上下方向
に移動する接触移動手段を下降制御して吸引保持部材を
下降させ半導体ウエーハ載置部材上に載置された半導体
ウエーハの上面に接触せしめて吸引保持する際に、圧力
センサーによって検出された圧力が所定値以下の場合に
は、接触移動手段の下降制御を停止するようにしたの
で、吸引保持部材が半導体ウエーハWを過剰に押圧する
ことがないため、半導体ウエーハWの破損および被加工
物搬送機構の損傷が防止される。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置を適用する研削装置の斜視図。 【図2】本発明に従って構成された半導体ウエーハの搬
送装置の説明図。 【図3】図2に示す搬送装置を構成する制御手段の動作
手順を示すフローチャート。 【図4】図2に示す搬送装置を構成する吸引保持部材の
動状態を示す説明図。 【符号の説明】 2:装置ハウジング 4:静止支持板4 6:案内レール 8:案内レール 10:荒研削ユニット 101:ユニットハウジング 102:研削ホイール 103:回転駆動機構 104:移動基台 105:被案内レール 11:送り機構 111:雄ねじロッド 112:パルスモータ 12:仕上げ研削ユニット 121:ユニットハウジング 122:研削ホイール 123:回転駆動機構 124:移動基台 125:被案内レール 13:送り機構 131:雄ねじロッド 132:パルスモータ 15:ターンテーブル 20:チャックテーブル 21:チャックテーブルの基台 22:チャックテーブルの吸着保持チャック 31:研削前ウエーハ用カセット 32:被加工物載置部 33:研削後ウエーハ用カセット 34:洗浄装置 35:被加工物搬送手段 36:被加工物搬入手段 37:被加工物搬出手段 41:吸引保持部材 411:吸着板 412:蓋板 42:吸引手段 421:吸引源 423:電磁切替え弁(V) 424:圧力センサー 43:接触移動手段 44:搬送移動手段 45:アーム機構 451:第1のアーム 452:第2のアーム 46:作動軸 47:ケース 50:制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B65G 49/07 B65G 49/07 G H01L 21/68 H01L 21/68 B Fターム(参考) 3C007 AS24 BS15 CT04 CT05 DS01 FS01 FT11 FU04 KS03 KS33 LV07 MT10 NS13 3C033 BB04 BB10 HH05 HH08 HH16 HH26 HH30 5F031 CA02 FA01 FA13 GA36 GA43 JA10 JA22 JA47 JA51 LA07 MA22 MA23 PA03 PA08 PA10 PA20

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体ウエーハ載置部材上に載置された
    半導体ウエーハの上面を吸引保持する吸引保持部材と、
    該吸引保持部材に負圧を作用せしめる吸引手段と、該吸
    引保持部材を上下方向に移動し半導体ウエーハの上面に
    接触せしめる接触移動手段と、該吸引保持部材を所定位
    置に搬送する搬送移動手段と、を具備する半導体ウエー
    ハの搬送装置において、 該吸引保持部材と該吸引手段とを連通する通路内の圧力
    を検出する圧力センサーと、該圧力センサーの検出信号
    に基づいて該接触移動手段を制御する制御手段とを具備
    し、 該制御手段は、該接触移動手段を下降制御して該吸引保
    持部材を下降させ半導体ウエーハの上面に接触せしめて
    吸引保持する際に、該圧力センサーによって検出された
    圧力が所定値以下の場合には、該接触移動手段の下降制
    御を停止する、 ことを特徴とする半導体ウエーハの搬送装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009066719A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Ibiden Engineering Kk 基板吸着搬送装置
JP2012071376A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Disco Corp 搬送手段の高さ移動量設定方法
DE102015205494A1 (de) * 2015-03-26 2016-09-29 Kuka Systems Gmbh Manipulatorsystem zum Handhaben eines Werkstücks

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JP2012071376A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Disco Corp 搬送手段の高さ移動量設定方法
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