JP2007301697A - 研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数回に分けて研磨加工を行っても研磨プロファイルのゆらぎを小さくすることができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨方法は、各研磨ステージにおいて、研磨ヘッドを用いて半導体ウェハの表面を研磨加工する研磨工程が行われ、研磨工程の後、次の研磨ステージへ回動されるようになっており、搬送ステージから順次回動されて搬送ステージに戻る直前に位置決めされる最終の第3研磨ステージにおいてのみ、研磨工程(ステップS121)の後、半導体ウェハの表面に洗浄水を供給してウェハ表面の洗浄を行う水掛工程(ステップS122)が行われ、水掛工程の後、搬送ステージへ回動されるようになっている。
【選択図】図6
【解決手段】本発明に係る研磨方法は、各研磨ステージにおいて、研磨ヘッドを用いて半導体ウェハの表面を研磨加工する研磨工程が行われ、研磨工程の後、次の研磨ステージへ回動されるようになっており、搬送ステージから順次回動されて搬送ステージに戻る直前に位置決めされる最終の第3研磨ステージにおいてのみ、研磨工程(ステップS121)の後、半導体ウェハの表面に洗浄水を供給してウェハ表面の洗浄を行う水掛工程(ステップS122)が行われ、水掛工程の後、搬送ステージへ回動されるようになっている。
【選択図】図6
Description
本発明は、半導体ウェハ等の基板の表面を研磨加工する研磨装置における研磨方法に関する。
上述のような研磨装置として、例えば、半導体ウェハ基板における層間絶縁膜上の金属膜を化学機械研磨法(CMP法)で精密に研磨加工する研磨装置(CMP装置と称される)が知られている。この研磨装置は、例えば、インデックステーブルが4つの領域に分割されており、各分割領域にはそれぞれ半導体ウェハ基板(以下基板という)を保持する真空チャックが設けられている(例えば、特許文献1を参照)。インデックステーブルは90度ごとに回動送りされ、位置決めされた停止位置にはインデックステーブルの分割に対応して4つのステージが設けられている。
4つのステージは、1つの搬送ステージと、3つの研磨ステージとから構成される。研磨ステージは基板を研磨加工する領域であり、研磨面を有する研磨ヘッドが設けられている。研磨ステージでは真空チャックされた基板を高速回転させるとともに、この基板の表面に研磨ヘッドの研磨面を押し付けて基板表面を平坦に加工する。搬送ステージには、未加工の基板を搬入するとともに、加工を終えた加工済み基板を搬出する搬送ロボットが設けられている。
上記研磨装置では、搬送ロボットが未加工の基板を搬送ステージに搬入し、インデックステーブルを90度回動させて第1研磨ステージに位置決めさせる。第1研磨ステージで粗加工を行った後、インデックステーブルを90度回転させて第2研磨ステージに位置決めさせ、第2研磨ステージで中間加工を行った後、インデックステーブルを90度回転させて第3研磨ステージに位置決めさせる。そして、第3研磨ステージで仕上げ加工を行った後、インデックステーブルを90度回動させて搬送ステージに位置決めさせ、搬送ロボットで加工済み基板を搬出させる。このような作動を順次繰り返して行うことにより、インデックステーブルを回動停止させるごとに、搬送ステージから加工済み基板を搬出させるとともに、新たな未加工基板を搬送ステージに搬入させ、連続して研磨加工を行うことができる。
このような構成の研磨装置によれば、一つの研磨ステージごとに全研磨を行う場合と比較して、インデックステーブルを回動停止させる際に生じる待ち時間が少なくなるため、基板のスループットを向上させることができる。なお、スループットの関係から、各研磨ステージにおいて、研磨ヘッドおよびチャックの回転速度、研磨時間等の研磨条件が同じに設定されることが好ましい。
特開2002−93759号公報
しかしながら、各研磨ステージで研磨条件を同じにして、基板を複数回に分けて研磨加工すると、一回の研磨で全研磨を行う場合と比較して基板の研磨プロファイルが変化し、研磨プロファイルのゆらぎが大きくなる場合があった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、複数回に分けて研磨加工を行っても研磨プロファイルのゆらぎを小さくすることができる研磨方法を提供することを目的とする。
このような目的達成のため、第1の本発明に係る研磨方法は、回転自在なテーブルおよび、テーブル上に設けられて被研磨部材である基板を保持する少なくとも3以上のn個のチャックを有し、テーブルを所定角度ごとに回動停止させてn個のチャックを所定の角度位置に位置決めさせるインデックステーブルを備え、インデックステーブルの停止位置には、位置決めされたn個のチャックに対応して、チャックに保持された基板を研磨加工する研磨ヘッドを有した(n−1)個の研磨ステージと、研磨加工後の加工済み基板をチャックから搬出するとともに研磨加工前の新たな基板をチャックに搬入する1つの搬送ステージとが設けられ、新たな基板は、搬送ステージにおいてチャックに搬入され、インデックステーブルを用いて搬送ステージから(n−1)個の研磨ステージに順次回動され位置決めされて搬送ステージに戻り、位置決めされた各研磨ステージでそれぞれ基板に対する研磨加工が行われるとともに、研磨加工された加工済み基板が搬送ステージから搬出されるように構成された研磨装置による研磨方法に関するものである。
そして、研磨ステージにおいては、研磨ヘッドを用いて基板の表面を研磨加工する研磨工程が行われ、研磨工程の後、次の研磨ステージへ回動されるようになっており、搬送ステージから順次回動されて搬送ステージに戻る直前に位置決めされる最終の研磨ステージにおいてのみ、研磨工程の後、基板の表面に洗浄水を供給して基板表面の洗浄を行う水掛工程が行われ、水掛工程の後、搬送ステージへ回動されるようになっている。
また、第2の本発明に係る研磨方法は、上述の研磨装置と同様に構成された研磨装置による研磨方法であって、チャックに保持された基板の表面に研磨剤であるスラリーを供給するプレスラリー工程が行われ、プレスラリー工程の後、研磨ヘッドを用いて基板の表面を研磨加工する研磨工程が行われ、研磨工程の後、基板の表面に洗浄水を供給して基板の洗浄を行う水掛工程が行われ、水掛工程の後、次の研磨ステージもしくは搬送ステージへ回動されるようになっており、プレスラリー工程の前に、チャックを回転させてチャックに保持された基板の表面の水分を除去する水切り工程が行われる。
さらに、第3の本発明に係る研磨方法は、複数の研磨ステージを有する研磨装置において、研磨対象物を複数の研磨ステージへ順に移動させて、研磨対象物の被研磨面に対する研磨加工を複数の研磨ステージでそれぞれ連続的に行う研磨方法であって、最終の研磨ステージで行われる研磨加工においてのみ、研磨対象物の被研磨面を研磨加工する研磨工程が行われた後に、被研磨面に洗浄水を供給して被研磨面の洗浄を行う水掛工程が行われる。
また、第4の本発明に係る研磨方法は、複数の研磨ステージを有する研磨装置において、研磨対象物を複数の研磨ステージへ順に移動させて、研磨対象物の被研磨面に対する研磨加工を複数の研磨ステージでそれぞれ連続的に行う研磨方法であって、複数の研磨ステージではそれぞれ、研磨対象物の被研磨面を研磨加工する研磨工程の前に、被研磨面に研磨剤であるスラリーを供給するプレスラリー工程が行われ、プレスラリー工程の前に、被研磨面の水分を除去する水切り工程が行われ、研磨工程の後に、被研磨面に洗浄水を供給して被研磨面の洗浄を行う水掛工程が行われる。
また、第1から第4の本発明に係る研磨方法において、研磨加工で用いられるスラリーの種類が、研磨ステージ毎に同じであることが好ましい。
本発明によれば、複数回に分けて研磨を行っても研磨プロファイルのゆらぎを小さくすることができる。
以下、本発明の好ましい実施形態について、半導体ウェハを3ステージの研磨工程で精密に平坦研磨するCMP装置(化学的機械的研磨装置)に適用した例について説明する。この研磨装置PMは、その全体構成を平面図として図1に示すように、大別的には、半導体ウェハ(以下、ウェハWと称する)の搬入・搬出を行うカセットインデックス部1、研磨加工を行う研磨加工部2、研磨加工が終了したウェハの洗浄を行う基板洗浄部3、及び研磨装置内でウェハWの搬送を行う搬送装置4(第1搬送ロボット41、第2搬送ロボット42)などからなり、各部はそれぞれ自動開閉式のシャッタで仕切られてクリーンチャンバが構成される。研磨装置PMの作動は、図示省略する制御装置により制御される。
カセットインデックス部1には、それぞれ複数枚のウェハWを保持したカセット(キャリアとも称される)C1〜C4を載置するウェハ載置テーブル12が設けられ、ウェハ載置テーブル12の前方に第1搬送ロボット41が配設されている。第1搬送ロボット41は多関節アーム型のロボットであり、床面に設けられたリニアガイドに沿って移動自在な基台の上部に水平旋回及び昇降作動自在な旋回台が設けられ、この旋回台に取り付けられた多関節アームを伸縮させて、アーム先端部のウェハチャックでウェハWの外周縁部を把持可能になっている。第1搬送ロボット41によりセンドカセットC1,C2から取り出された研磨加工前の未加工ウェハWは、基板洗浄部3内に設けられた未加工ウェハWを搬送するための通路内で研磨加工部2の第2搬送ロボット42に受け渡される。
研磨加工部2は、90度ごとに回動送りされる円形のインデックステーブル20を中心として4つのエリアに区分されており、未加工ウェハの搬入及び加工済ウェハの搬出を行う搬送ステージS0と、ウェハ表面の研磨加工を行う第1研磨ステージS1、第2研磨ステージS2、第3研磨ステージS3とから構成される。インデックステーブル20は、これら4つのステージに対応して4分割されており、4分割されたインデックステーブル20の各々の区画には、ウェハWを裏面側から吸着保持するウェハチャック200がテーブル上面に露出して配設されている。
各チャック200は、インデックステーブル20に回転自在に支持されるとともに、インデックステーブル20の内部に設けられた電動モータやエアモータ等の駆動手段(図示せず)により高速回転および停止保持が自在に構成されている。なお、各チャック200の直径はウェハWの直径よりもわずかに小径に形成されており、ウェハチャック200に保持されたウェハWの外周端部を把持することができるようになっている。
搬送ステージS0には、第2搬送ロボット42が設けられている。第2搬送ロボット42により研磨加工部2に搬入されたウェハWは、第2搬送ロボット42により搬送され、搬送ステージS0に位置決めされたウェハチャック200に搬入載置されて吸着保持される。
第1研磨ステージS1、第2研磨ステージS2、第3研磨ステージS3には、それぞれウェハチャック200に吸着保持されたウェハWの表面を研磨する表面研磨機構22と、研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッシング機構23とが設けられている。
表面研磨機構22は、図2に概要構成を示すように、研磨パッド220と、研磨パッドの研磨面220sを下向きの水平姿勢で保持し回転させる研磨ヘッド222、研磨ヘッドを水平揺動及び昇降作動させる研磨アーム223、及びウェハWを表面上向きの水平姿勢で回転させる上記ウェハチャック200などからなり、各ステージで行われるプロセス内容に応じた加工条件でウェハ表面が研磨加工される。なお、研磨パッド220の直径は、研磨対象であるウェハWの直径よりも小さく設定されている。
表面研磨機構22によるウェハ表面の研磨加工は、研磨アーム223を水平揺動させて研磨ヘッド222をウェハチャックの上方に位置させた状態で、研磨ヘッド222を回転させながら下降させ、ウェハチャック200に吸着保持されて回転されるウェハWの表面(被研磨面Ws)に研磨パッド220の研磨面220sを所定圧力で押圧させ、研磨ヘッドの中心部からスラリーを供給しながら研磨アーム223を揺動させることで行われ、ウェハWの表面全体が平坦に研磨加工される。
なお、各研磨機構22で用いられる研磨パッド220は、層間絶縁膜CMP、メタルCMP等の加工プロセス、回路パターンの微細度、第1次研磨(粗研磨)〜第3次研磨(仕上げ研磨)等の加工段階などに応じて、適宜なパッドが選択して装着される。また研磨ヘッド222には、中心を貫通して円環状の研磨パッド220の中心部にスラリーを供給するスラリー供給装置224が設けられており、研磨加工時には、スラリー供給装置224から加工目的に応じたスラリーが供給されるようになっている。また、各ステージの壁部におけるウェハチャック200の近傍にはそれぞれ、所定の給水ノズルを有する洗浄水供給装置225(図1を参照)が設けられており、ウェハチャック200に保持されたウェハWの表面に、必要に応じて洗浄水供給装置225から洗浄用の純水が供給されるようになっている。
ドレッシング機構23は、ドレッシング工具230と、ドレッシング工具230を上向きの水平姿勢で回転させる回転構造とを備えて構成され、研磨アーム223を揺動させて研磨ヘッド222をドレッシング工具230上に移動させ、研磨パッド220を回転させながら下降させて研磨面220sを相対回転するドレッシング面230sに当接させ、詳細図示省略するノズルからドレッシング加工部に純水を供給して研削屑等を洗い流し、研磨面220sをドレッシングするように構成される。
インデックステーブル20は、図1に示すように、第1〜第3研磨ステージS1、S2、S3における研磨加工が終了すると90度回動送りされ、ウェハチャック200に吸着保持されたウェハWが、搬送ステージS0から順次第1研磨ステージS1→第2研磨ステージS2→第3研磨ステージS3に送られて各研磨ステージでCMP加工され、第3研磨ステージS3での研磨加工が終了したウェハWが搬送ステージS0に送り出される。搬送ステージS0に送り出されて、吸着保持が解除された加工済ウェハWは、第2搬送ロボット42によって研磨加工部2から基板洗浄部3に搬送される。
基板洗浄部3は、第1洗浄室31、第2洗浄室32、第3洗浄室33及び乾燥室34の4室構成からなり、表裏両面の研磨加工が終了して第2搬送ロボット42により搬入された加工済ウェハWが、第1洗浄室31→第2洗浄室32→第3洗浄室33→乾燥室34に順次送られて研磨加工部2で付着したスラリーや研磨摩耗粉等の除去洗浄が行われる。各洗浄室における洗浄方法は種々の構成例があるが、例えば、第1洗浄室31では回転ブラシによる両面洗浄、第2洗浄室32では超音波加振下での表面ペンシル洗浄、第3洗浄室33では純水によるスピナー洗浄、乾燥室34では窒素雰囲気下における乾燥処理が行われる。なお、第1洗浄室31の下方には、未加工ウェハWを搬送するための通路が設置されている。
基板洗浄部3で洗浄された加工済ウェハWは、第1搬送ロボット41により基板洗浄部から取り出され、ウェハ載置テーブル12上に載置されたレシーブカセットC3,C4の所定スロット、またはセンドカセットC1,C2の空きスロットに収容される。
次に、以上のように構成される研磨装置PMを用いた半導体ウェハWの研磨方法について、図3を追加参照しながら説明する。以下の第1実施形態(および、後述の第2実施形態)では、総研磨加工時間Tの研磨加工を、第1研磨ステージS1、第2研磨ステージS2、および第3研磨ステージS3の3つの研磨ステージで、それぞれT/3ずつ研磨加工し、ウェハ表面を平坦に研磨するCMPプロセスを行う場合を例に説明する。
ここで、図3は、カセットインデックス部1のセンドカセットC1に収容された未加工ウェハWが、研磨加工部2で順次研磨処理され、基板洗浄部3で洗浄処理され、カセットインデックス部1のレシーブカセットC4に収納されるまでのウェハWの流れを点線と矢印を付して示したものである。なお、研磨装置PMの作動は制御装置(図示せず)によって制御され、制御装置は予め設定された制御プログラムに基づいて各部の作動制御を行う。
研磨装置PMで研磨加工プログラムがスタートされると、第1搬送ロボット41がセンドカセットC1の位置に移動し、旋回台を水平旋回及び昇降作動させるとともに多関節アームを伸長作動させてウェハチャックでスロット内の未加工ウェハWを取り出し、旋回台を180度旋回作動させて第1洗浄室31の下方に設置されている通路に向かい、この通路内で研磨加工部2側の第2搬送ロボット42に未加工ウェハWを受け渡す。
第1搬送ロボット41から未加工ウェハWを受け取った第2搬送ロボット42は、未加工ウェハWを研磨加工部2に搬入する。そして未加工ウェハWは、第2搬送ロボット42により表面研磨機構22に搬送され、搬送ステージS0に位置決め停止されたインデックステーブル20のウェハチャック200上に搬入載置される。ウェハWが載置されると、ウェハチャック200がウェハWの裏面を真空吸着して保持し、第2搬送ロボット42は退避する。
続いて、表面研磨機構22の第1研磨ステージS1〜第3研磨ステージS3において研磨加工が開始される。第2搬送ロボット42が退避すると、インデックステーブル20が時計回りに90度回動されてウェハチャック200に吸着保持されたウェハWが第1研磨ステージS1に位置決めされ、第1研磨ステージS1において第1次研磨加工が開始される。
第1研磨ステージS1における第1次研磨加工では、まず、図4に示すように、プレスラリー工程(ステップS101)が行われる。このプレスラリー工程においては、研磨アーム223が揺動されて研磨ヘッド222がウェハW上に移動するとともにウェハチャック200が低速で回転起動し、スラリー供給装置224により研磨ヘッド222の下部(軸心)から未加工ウェハWの表面に研磨剤であるスラリーが滴下される。
プレスラリー工程の後、第1次研磨工程(ステップS102)が行われる。この第1次研磨工程においては、研磨ヘッド222とウェハチャック200とが反対方向に回転起動するとともに研磨ヘッド222が下降し、研磨パッド220(研磨面220s)をウェハ表面(被研磨面Ws)に押圧させて第1次研磨加工を行う。研磨加工中には研磨ヘッド222の軸心からスラリーを供給しながら研磨パッド220がウェハWの回転中心と外周端部との間を往復動するように研磨アーム223を揺動作動させ、ウェハ表面を均一に平坦研磨する。第1次研磨工程が開始されてから所定の研磨時間(T/3)が経過すると、研磨加工が停止して研磨ヘッド222が上昇し、第1次研磨加工が終了する。
第1次研磨加工が終了すると、制御装置はインデックステーブル20を時計回りにさらに90度回動させ、第1次研磨加工が終了したウェハWを第2研磨ステージS2に、搬送ステージS0で待機された新たな未加工ウェハWを第1研磨ステージS1に位置決めし、第1次研磨加工と第2次研磨加工とを同時並行して行われる。
第2研磨ステージS2における第2次研磨加工では、プレスラリー工程が行われず、図5に示すように、初めから第2次研磨工程(ステップS111)が行われる。第2次研磨工程においては、研磨ヘッド222とウェハチャック200とが反対方向に回転起動するとともに研磨ヘッド222が下降し、研磨パッド220(研磨面220s)をウェハ表面(被研磨面Ws)に押圧させて第1次研磨加工と同様に第2次研磨加工を行う。第2次研磨工程が開始されてから所定の研磨時間(T/3)が経過すると、研磨加工が停止して研磨ヘッド222が上昇し、第2次研磨加工が終了する。
第2次研磨加工が終了すると、制御装置は第1次研磨加工が終了したか否かを確認し、第1次研磨加工が終了している場合に、インデックステーブル20を時計回りにさらに90度回動させて、第2次研磨加工が終了したウェハWを第3研磨ステージS3に、第1次研磨加工が終了したウェハWを第2研磨ステージS2に、搬送ステージで待機された未加工ウェハWを第1研磨ステージS1に位置決めし、第1,第2,第3次研磨加工を同時並行して行わせる。
第3研磨ステージS3における第3次研磨加工では、プレスラリー工程が行われず、図6に示すように、初めから第3次研磨工程(ステップS121)が行われる。第3次研磨工程においては、研磨ヘッド222とウェハチャック200とが反対方向に回転起動するとともに研磨ヘッド222が下降し、研磨パッド220(研磨面220s)をウェハ表面(被研磨面Ws)に押圧させて第1次研磨加工と同様に第3次研磨加工を行う。第3次研磨工程が開始されてから所定の研磨時間(T/3)が経過すると、研磨加工が停止して研磨ヘッド222が上昇し、第3次研磨工程が終了する。
第1研磨ステージS1および第2研磨ステージS2から順次回動されて搬送ステージS0に戻る直前に位置決めされる第3研磨ステージS3では、第3次研磨工程の後、水掛工程(ステップS122)が行われてから第3次研磨加工が終了する。この水掛工程では、洗浄水供給装置225からウェハWの表面に洗浄用の純水を供給してウェハ表面の洗浄を行い、ウェハ表面に付着したスラリー等を洗い流す。
第3次研磨加工が終了すると、制御装置は第1次研磨加工及び第2次研磨加工が終了したか否かを確認し、全ての研磨加工が終了している場合に、インデックステーブル20を時計回りにさらに90度回動させて、第3次研磨加工が終了したウェハWを搬送ステージS0に、他のステージに位置したウェハWも前述同様に各1段ずつ移動させて位置決めする。
インデックステーブル20が位置決め停止され、第1〜第3研磨ステージを経て表面研磨が終了したウェハWが搬送ステージS0に戻り位置決めされると、第2搬送ロボット42がウェハチャック200上で真空吸着が解除された加工済ウェハWの外周縁部を把持して上昇及び旋回作動し、リニアガイドに沿って水平移動して基板洗浄部3に搬送する。また加工済ウェハWの搬送後に第1搬送ロボット41から未加工ウェハWを受け取って研磨加工部2(搬送ステージS0に位置決め停止されたウェハチャック200)に搬入する。
基板洗浄部3に加工済ウェハWが搬送されると、基板洗浄部3では、第1洗浄室31で回転ブラシによる両面洗浄、第2洗浄室32で超音波加振下での表面ペンシル洗浄、第3洗浄室33で純水によるスピナー洗浄、乾燥室34で窒素雰囲気下における乾燥処理が行われる。そして、このようにして洗浄された完成品ウェハWは、カセットインデックス部1の第1搬送ロボット41によって基板洗浄部3から取り出され、レシーブカセットC4の指定スロットに収納される。
以上の作動が順次繰り返して行われ、第1枚目のウェハWの研磨加工完了後はインデックステーブル20の回動間隔ごとに、表面が平坦に研磨されたウェハWがカセットC4に収納される。インデックステーブル20の回動間隔は、3つのステージに分割された研磨加工時間(T/3)によって規定され、例えば、(プレスラリー工程および第1次研磨工程を有する)第1次研磨加工の時間間隔ごとに完成ウェハWが連続生産される。また、ドレッシング機構23によるドレッシングが各研磨ステージにおいて各研磨加工の行われる前に毎回行われ、研磨パッド表面(研磨面220s)の目詰まりが修正されて平坦度が確保される。
本実施形態により(3回に分けて)研磨を行った研磨プロファイルの一例を図9に示すとともに、従来の方法で(3回に分けて)研磨を行った場合の一例を図8に示す。図8と図9とを比較して分かるように、複数回に分けて研磨を行っても研磨プロファイルのゆらぎが小さく安定していることがわかる。
この結果、第1実施形態の研磨方法によれば、(最終の)第3研磨ステージS3においてのみ、(第3次)研磨工程の後に水掛工程が行われるため、水掛工程で使用される洗浄水による各研磨工程におけるスラリーの効果の低下が防止されることから、複数回に分けて研磨を行っても研磨プロファイルのゆらぎを小さくすることができる。
また、上述の第1実施形態において、スラリーの種類は、研磨ステージ毎に同じであることが好ましく、このようにすれば、研磨加工の管理を容易に行うことができる。
続いて、上述した研磨装置PMによる研磨方法の第2実施形態について説明する。第2実施形態における研磨方法では、研磨装置PMで研磨加工プログラムがスタートされると、第1実施形態と同様に、第1搬送ロボット41がセンドカセットC1の位置に移動し、旋回台を水平旋回及び昇降作動させるとともに多関節アームを伸長作動させてウェハチャックでスロット内の未加工ウェハWを取り出し、旋回台を180度旋回作動させて第1洗浄室31の下方に設置されている通路に向かい、この通路内で研磨加工部2側の第2搬送ロボット42に未加工ウェハWを受け渡す。
第1搬送ロボット41から未加工ウェハWを受け取った第2搬送ロボット42は、未加工ウェハWを研磨加工部2に搬入する。そして未加工ウェハWは、第2搬送ロボット42により表面研磨機構22に搬送され、搬送ステージS0に位置決め停止されたインデックステーブル20のウェハチャック200上に搬入載置される。ウェハWが載置されると、ウェハチャック200がウェハWの裏面を真空吸着して保持し、第2搬送ロボット42は退避する。
続いて、表面研磨機構22の第1研磨ステージS1〜第3研磨ステージS3において研磨加工が開始される。第2搬送ロボット42が退避すると、インデックステーブル20が時計回りに90度回動されてウェハチャック200に吸着保持されたウェハWが第1研磨ステージS1に位置決めされ、第1研磨ステージS1において第1次研磨加工が開始される。
第1研磨ステージS1における第1次研磨加工では、まず、図7に示すように、水切り工程(ステップS151)が行われる。この水切り工程においては、ウェハチャック200を約2秒間高速回転させて、ウェハチャック200に保持されたウェハWの表面の水分を除去する。
水切り工程の後、プレスラリー工程(ステップS152)が行われる。このプレスラリー工程では、第1実施形態のプレスラリー工程と同様の作動が行われる。
プレスラリー工程の後、第1次研磨工程(ステップS153)が行われる。この第1次研磨工程では、第1実施形態の第1次研磨工程と同様の作動が行われる。また、第1次研磨工程が開始されてから所定の研磨時間(T/3)が経過すると、第1次研磨工程が終了する。
第1次研磨工程の後、水掛工程(ステップS154)が行われてから第1次研磨加工が終了する。この水掛工程では、第1実施形態の水掛工程と同様の作動が行われる。
第1次研磨加工が終了すると、制御装置はインデックステーブル20を時計回りにさらに90度回動させ、第1次研磨加工が終了したウェハWを第2研磨ステージS2に、搬送ステージS0で待機された新たな未加工ウェハWを第1研磨ステージS1に位置決めし、第1次研磨加工と第2次研磨加工とを同時並行して行われる。
第2研磨ステージS2における第2次研磨加工では、第1次研磨加工と同様に、水切り工程(ステップS151)、プレスラリー工程(ステップS152)、第2次研磨工程(ステップS153)、および水掛工程(ステップS154)がこの順に行われる。これにより、第2次研磨加工の水切り工程において、先の(第1次研磨工程の)水掛工程で供給されたウェハWの表面の水分が除去されることになる。なお、第2次研磨工程では、第1実施形態の第2次研磨工程と同様の作動が行われ、第2次研磨工程が開始されてから所定の研磨時間(T/3)が経過すると、第2次研磨工程が終了するようになっている。
第2次研磨加工が終了すると、制御装置は第1次研磨加工が終了したか否かを確認し、第1次研磨加工が終了している場合に、インデックステーブル20を時計回りにさらに90度回動させて、第2次研磨加工が終了したウェハWを第3研磨ステージS3に、第1次研磨加工が終了したウェハWを第2研磨ステージS2に、搬送ステージで待機された未加工ウェハWを第1研磨ステージS1に位置決めし、第1,第2,第3次研磨加工を同時並行して行わせる。
第3研磨ステージS3における第3次研磨加工では、第1次研磨加工と同様に、水切り工程(ステップS151)、プレスラリー工程(ステップS152)、第3次研磨工程(ステップS153)、および水掛工程(ステップS154)がこの順に行われる。これにより、第3次研磨加工の水切り工程において、先の(第2次研磨工程の)水掛工程で供給されたウェハWの表面の水分が除去される。なお、第3次研磨工程では、第1実施形態の第3次研磨工程と同様の作動が行われ、第3次研磨工程が開始されてから所定の研磨時間(T/3)が経過すると、第3次研磨工程が終了するようになっている。
第3次研磨加工が終了すると、制御装置は第1次研磨加工及び第2次研磨加工が終了したか否かを確認し、全ての研磨加工が終了している場合に、インデックステーブル20を時計回りにさらに90度回動させて、第3次研磨加工が終了したウェハWを搬送ステージS0に、他のステージに位置したウェハWも前述同様に各1段ずつ移動させて位置決めする。
インデックステーブル20が位置決め停止され、第1〜第3研磨ステージを経て表面研磨が終了したウェハWが搬送ステージS0に戻り位置決めされると、第2搬送ロボット42がウェハチャック200上で真空吸着が解除された加工済ウェハWの外周縁部を把持して上昇及び旋回作動し、リニアガイドに沿って水平移動して基板洗浄部3に搬送する。また加工済ウェハWの搬送後に第1搬送ロボット41から未加工ウェハWを受け取って研磨加工部2(搬送ステージS0に位置決め停止されたウェハチャック200)に搬入する。
基板洗浄部3に加工済ウェハWが搬送されると、基板洗浄部3では、第1洗浄室31で回転ブラシによる両面洗浄、第2洗浄室32で超音波加振下での表面ペンシル洗浄、第3洗浄室33で純水によるスピナー洗浄、乾燥室34で窒素雰囲気下における乾燥処理が行われる。そして、このようにして洗浄された完成品ウェハWは、カセットインデックス部1の第1搬送ロボット41によって基板洗浄部3から取り出され、レシーブカセットC4の指定スロットに収納される。
以上の作動が順次繰り返して行われ、第1枚目のウェハWの研磨加工完了後はインデックステーブル20の回動間隔ごとに、表面が平坦に研磨されたウェハWがカセットC4に収納される。インデックステーブル20の回動間隔は、3つのステージに分割された研磨加工時間(T/3)によって規定され、第1〜第3次研磨加工は同じ工程を有するため、ほぼ各研磨加工の時間間隔ごとに完成ウェハWが連続生産される。また、ドレッシング機構23によるドレッシングが各研磨ステージにおいて各研磨加工の行われる前に毎回行われ、研磨パッド表面(研磨面220s)の目詰まりが修正されて平坦度が確保される。
本実施形態により(3回に分けて)研磨を行った研磨プロファイルの一例を図10に示す。図8〜図10を比較して分かるように、第2実施形態による研磨方法により研磨を行っても、第1実施形態による研磨方法と同様に、従来と比較して研磨プロファイルのゆらぎが小さく安定していることがわかる。
この結果、第2実施形態の研磨方法によれば、プレスラリー工程の前に水切り工程が行われるため、水掛工程で使用される洗浄水による各研磨工程におけるスラリーの効果の低下が防止されることから、複数回に分けて研磨を行っても研磨プロファイルのゆらぎを小さくすることができる。また、第1〜第3研磨ステージで行われる第1〜第3次研磨加工が同じ工程(水切り工程、プレスラリー工程、(第1〜第3次)研磨工程、および水掛工程)を有するため、スループットの管理を容易に行うことができる。なお、水切り工程におけるウェハチャック200の回転は約2秒間であるため、第1次研磨加工におけるプレスラリー工程の前に無駄な水切り工程を挿入したとしても、スループットに及ぼす影響は微少である。
また、上述の第2実施形態において、スラリーの種類は、研磨ステージ毎に同じであることが好ましく、このようにすれば、研磨加工の管理を容易に行うことができる。
なお、上述の各実施形態において、研磨加工部2が搬送ステージS0および第1〜第3研磨ステージS1〜S3から構成されているが、これに限られるものではなく、研磨ステージが5つであってもよく、搬送ステージが1つで、研磨ステージが2つ以上(すなわち、(n−1)個)設けられていればよい。
また、上述の各実施形態において、研磨すべき加工膜厚を3つの研磨ステージに等分に分割してそれぞれ総研磨加工時間Tの1/3ずつ研磨加工を行う場合を例示したが、これに限られるものではなく、層間絶縁膜の加工プロセスやSTIプロセス等のようなウェハ加工の他、石英基板やガラス基板、セラミック基板等の加工プロセスについても同様に適用可能である。また、各研磨ステージでの研磨加工を研磨時間で規定するのではなく、例えば研磨加工中のウェハの研磨状態を光学的に検出する検出器を設け、研磨加工中の膜厚減少をリアルタイムで検出して研磨加工の終点を検出するように構成するものであってもよい。
さらに、上述の各実施形態において、インデックステーブル20の回動方向は時計回りに限定されるものではなく、反時計回りであっても構わない。
PM 研磨装置
W 半導体ウェハ(基板) Ws 被研磨面
S0 搬送ステージ S1 第1研磨ステージ
S2 第2研磨ステージ S3 第3研磨ステージ(最終の研磨ステージ)
20 インデックステーブル 22 表面研磨機構
200 ウェハチャック 222 研磨ヘッド
224 スラリー供給装置 225 洗浄水供給装置
W 半導体ウェハ(基板) Ws 被研磨面
S0 搬送ステージ S1 第1研磨ステージ
S2 第2研磨ステージ S3 第3研磨ステージ(最終の研磨ステージ)
20 インデックステーブル 22 表面研磨機構
200 ウェハチャック 222 研磨ヘッド
224 スラリー供給装置 225 洗浄水供給装置
Claims (5)
- 回転自在なテーブルおよび、前記テーブル上に設けられて被研磨部材である基板を保持する少なくとも3以上のn個のチャックを有し、前記テーブルを所定角度ごとに回動停止させて前記n個のチャックを所定の角度位置に位置決めさせるインデックステーブルを備え、
前記インデックステーブルの停止位置には、位置決めされた前記n個のチャックに対応して、前記チャックに保持された基板を研磨加工する研磨ヘッドを有した(n−1)個の研磨ステージと、研磨加工後の加工済み基板を前記チャックから搬出するとともに研磨加工前の新たな基板を前記チャックに搬入する1つの搬送ステージとが設けられ、
前記新たな基板は、前記搬送ステージにおいて前記チャックに搬入され、前記インデックステーブルを用いて前記搬送ステージから前記(n−1)個の研磨ステージに順次回動され位置決めされて前記搬送ステージに戻り、前記位置決めされた各研磨ステージでそれぞれ前記基板に対する研磨加工が行われるとともに、前記研磨加工された加工済み基板が前記搬送ステージから搬出されるように構成された研磨装置による研磨方法であって、
前記研磨ステージにおいて、
前記研磨ヘッドを用いて前記基板の表面を研磨加工する研磨工程が行われ、
前記研磨工程の後、次の前記研磨ステージへ回動されるようになっており、
前記搬送ステージから順次回動されて前記搬送ステージに戻る直前に位置決めされる最終の研磨ステージにおいてのみ、前記研磨工程の後、前記基板の表面に洗浄水を供給して前記基板表面の洗浄を行う水掛工程が行われ、前記水掛工程の後、前記搬送ステージへ回動されることを特徴とする研磨方法。 - 回転自在なテーブルおよび、前記テーブル上に設けられて被研磨部材である基板を保持する少なくとも3以上のn個のチャックを有し、前記テーブルを所定角度ごとに回動停止させて前記n個のチャックを所定の角度位置に位置決めさせるインデックステーブルを備え、
前記インデックステーブルの停止位置には、位置決めされた前記n個のチャックに対応して、前記チャックに保持された基板を研磨加工する研磨ヘッドを有した(n−1)個の研磨ステージと、研磨加工後の加工済み基板を前記チャックから搬出するとともに研磨加工前の新たな基板を前記チャックに搬入する1つの搬送ステージとが設けられ、
前記新たな基板は、前記搬送ステージにおいて前記チャックに搬入され、前記インデックステーブルを用いて前記搬送ステージから前記(n−1)個の研磨ステージに順次回動され位置決めされて前記搬送ステージに戻り、前記位置決めされた各研磨ステージでそれぞれ前記基板に対する研磨加工が行われるとともに、前記研磨加工された加工済み基板が前記搬送ステージから搬出されるように構成された研磨装置による研磨方法であって、
前記研磨ステージにおいて、
前記チャックに保持された基板の表面に研磨剤であるスラリーを供給するプレスラリー工程が行われ、
前記プレスラリー工程の後、前記研磨ヘッドを用いて前記基板の表面を研磨加工する研磨工程が行われ、
前記研磨工程の後、前記基板の表面に洗浄水を供給して前記基板の洗浄を行う水掛工程が行われ、
前記水掛工程の後、次の前記研磨ステージもしくは前記搬送ステージへ回動されるようになっており、
前記プレスラリー工程の前に、前記チャックを回転させて前記チャックに保持された基板の表面の水分を除去する水切り工程が行われることを特徴とする研磨方法。 - 複数の研磨ステージを有する研磨装置において、研磨対象物を前記複数の研磨ステージへ順に移動させて、前記研磨対象物の被研磨面に対する研磨加工を前記複数の研磨ステージでそれぞれ連続的に行う研磨方法であって、
最終の研磨ステージで行われる前記研磨加工においてのみ、前記研磨対象物の前記被研磨面を研磨加工する研磨工程が行われた後に、前記被研磨面に洗浄水を供給して前記被研磨面の洗浄を行う水掛工程が行われることを特徴とする研磨方法。 - 複数の研磨ステージを有する研磨装置において、研磨対象物を前記複数の研磨ステージへ順に移動させて、前記研磨対象物の被研磨面に対する研磨加工を前記複数の研磨ステージでそれぞれ連続的に行う研磨方法であって、
前記複数の研磨ステージではそれぞれ、
前記研磨対象物の前記被研磨面を研磨加工する研磨工程の前に、前記被研磨面に研磨剤であるスラリーを供給するプレスラリー工程が行われ、
前記プレスラリー工程の前に、前記被研磨面の水分を除去する水切り工程が行われ、
前記研磨工程の後に、前記被研磨面に洗浄水を供給して前記被研磨面の洗浄を行う水掛工程が行われることを特徴とする研磨方法。 - 前記研磨加工で用いられる前記スラリーの種類が、前記研磨ステージ毎に同じであることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006134538A JP2007301697A (ja) | 2006-05-12 | 2006-05-12 | 研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006134538A JP2007301697A (ja) | 2006-05-12 | 2006-05-12 | 研磨方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2007301697A true JP2007301697A (ja) | 2007-11-22 |
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Family Applications (1)
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JP2006134538A Pending JP2007301697A (ja) | 2006-05-12 | 2006-05-12 | 研磨方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007301697A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010005717A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
JP2017054872A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置 |
CN111633531A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-08 | 华海清科股份有限公司 | 一种具有单腔清洗装置的减薄设备 |
CN111633532A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-08 | 华海清科股份有限公司 | 一种具有化学机械抛光单元的基板减薄设备 |
-
2006
- 2006-05-12 JP JP2006134538A patent/JP2007301697A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010005717A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
JP2017054872A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置 |
CN111633531A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-08 | 华海清科股份有限公司 | 一种具有单腔清洗装置的减薄设备 |
CN111633532A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-08 | 华海清科股份有限公司 | 一种具有化学机械抛光单元的基板减薄设备 |
CN111633531B (zh) * | 2020-06-10 | 2022-03-04 | 华海清科股份有限公司 | 一种具有单腔清洗装置的减薄设备 |
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