TWI578426B - Joint system - Google Patents

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TWI578426B
TWI578426B TW103128979A TW103128979A TWI578426B TW I578426 B TWI578426 B TW I578426B TW 103128979 A TW103128979 A TW 103128979A TW 103128979 A TW103128979 A TW 103128979A TW I578426 B TWI578426 B TW I578426B
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Masataka Matsunaga
Naoto Yoshitaka
Satoshi Nishimura
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Tokyo Electron Ltd
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Description

接合系統
揭示的實施型態係關於接合系統。
近年來，例如在半導體裝置之製造工程中，傾向矽晶圓或化合物半導體晶圓等之被處理基板之大口徑化及薄型化。大口徑且薄的被處理基板於搬運時或研磨處理時有產生翹曲或破裂之情形。因此，藉由在被處理基板貼合玻璃基板等之支撐基板，進行補強被處理基板。
被處理基板和支撐基板之接合使用接合裝置進行。接合裝置例如在上部夾盤和下部夾盤分別保持支撐基板和被處理基板之後，使上部夾盤和下部夾盤移動而推壓被處理基板和支撐基板(參照專利文獻1)。在被處理基板或支撐基板之表面塗佈接著劑，如上述般，藉由推壓被處理基板和支撐基板，接合兩者。
再者，在專利文獻1揭示有除上述接合裝置之外，將進行被處理基板或支撐基板之搬運的搬運裝置、在被處理基板塗佈接著劑之塗佈裝置、加熱塗佈有接著劑之被處理基板的熱處理裝置等安裝成一體的接合系統。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-69900號公報
但是，上述以往技術中，在縮小接合系統在無塵室等之地板所佔之比例的佔地面積之點，有還可改善的餘地。
實施型態之一態樣係以提供可以縮小佔地面積之接合系統為目的。
與實施型態有關的接合系統具備第1處理站、第2處理站和搬入搬出站。第1處理站及第2處理站係對第1基板及第2基板進行特定處理。搬入搬出站係將第1基板、第2基板及接合第1基板和第2基板的重合基板，對第1處理站搬入搬出。再者，第1處理站具備第1搬運區域、塗佈裝置、熱處理裝置和第1收授區塊。第1搬運區域為用以進行第1基板、第2基板及重合基板之搬運的區域。塗佈裝置與第1搬運區域鄰接而被配置，對第1基板塗佈接著劑。熱處理裝置與第1搬運區域鄰接而被配置，加熱塗佈有接著劑之第1基板。第1收授區塊係在 搬入搬出站和第1搬運區域之間，進行第1基板、第2基板及重合基板之收授。再者，第2處理站具備複數之接合裝置、第2搬運區域、第2收授區塊。複數之接合裝置接合第1基板和第2基板。第2搬運區域為用以對複數接合裝置搬運第1基板及第2基板的區域。第2收授區塊係在第1搬運區域和第2搬運區域之間，進行第1基板、第2基板及重合基板之收授。
若藉由實施型態之一態樣，可以縮小佔地面積。
W‧‧‧被處理基板
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板
1‧‧‧接合系統
2‧‧‧搬入搬出站
3‧‧‧第1處理站
4‧‧‧第2處理站
13‧‧‧收授區塊
14‧‧‧搬運區域
15‧‧‧塗佈裝置
16‧‧‧熱處理裝置
17‧‧‧除去裝置
18‧‧‧收授區塊
19‧‧‧搬運區域
20‧‧‧接合裝置
131‧‧‧ID讀取器
132、133‧‧‧收授部
134‧‧‧第1緩衝部
135、136‧‧‧第2緩衝部
181~184‧‧‧收授部
185‧‧‧預對準器
圖1係表示與本實施型態有關之接合系統之構成的模式俯視圖。
圖2為被處理基板及支撐基板之模式側面圖。
圖3A為表示第1處理站及第2處理站之構成的俯視圖。
圖3B為表示第1處理站及第2處理站之構成的模式側面圖。
圖4為產生在接合系統內之氣流的說明圖。
圖5A為表示塗佈裝置之構成的模式側面圖。
圖5B為表示塗佈裝置之構成的模式俯視圖。
圖6A為表示熱處理裝置之構成的模式側面圖。
圖6B為表示熱處理裝置之構成的模式俯視圖。
圖7為表示除去裝置之構成的模式側面圖。
圖8A為表示收授部之構成的模式側面圖。
圖8B為表示收授機械臂之構成的模式俯視圖。
圖8C為表示收授機械臂之構成的模式側面圖。
圖9A為表示預對準器之構成的模式側面圖。
圖9B為表示預對準器之構成的模式側面圖。
圖9C為表示預對準器之構成的模式側面圖。
圖10A為表示接合裝置之構成的模式側面圖。
圖10B為表示接合裝置之構成的模式側面圖。
圖11為表示接合系統所實行之處理的處理程序之流程圖。
圖12A係表示與第1變形例有關之接合系統之構成的模式俯視圖。
圖12B係表示與第2變形例有關之接合系統之構成的模式俯視圖。
圖12C係表示與第3變形例有關之接合系統之構成的模式俯視圖。
圖12D係表示與第4變形例有關之接合系統之構成的模式俯視圖。
以下，參照附件圖面，詳細說明本案揭示的 接合系統之實施型態。並且，並不藉由以下所示之實施型態限定該發明。
<1.接合系統之構成>
首先，針對與本實施型態有關之接合系統之構成，參照圖1及圖2進行說明。圖1係表示與本實施型態有關之接合系統之構成的模式俯視圖。再者，圖2為被處理基板及支撐基板之模式側面圖。並且，在以下中，為了使位置關係明確，規定互相正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，將Z軸正方向設為垂直向上方向。
與圖1所示之本實施型態有關之接合系統1係藉由經接著劑G接合被處理基板W及支撐基板S(參照圖2)而形成重合基板T。
在以下，如圖2所示般，將被處理基板W之板面中，經接著劑G而與支撐基板S接合之側的板面稱為「接合面Wj」，將與接合面Wj相反側之板面稱為「非接合面Wn」。再者，將支撐基板S之板面中，經接著劑G而與被處理基板W接合之側的板面稱為「接合面Sj」，將與接合面Sj相反側之板面稱為「非接合面Sn」。
被處理基板W為成為製品之基板。具體而言，被處理基板W係在矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板上形成複數電子電路的基板，將形成有電子電路之側的板面設為接合面Wj。如此之被處理基板W係於與支撐基板S接合後，藉由研磨處理非接合面Wn而被薄 型化。
另外，支撐基板S例如為玻璃基板，具有與被處理基板W幾乎相同直徑。再者，就以接著劑G而言，使用例如熱可塑性樹脂。
如圖1所示般，接合系統1具備搬入搬出站2、第1處理站3、第2處理站4。搬入搬出站2、第1處理站3及第2處理站4係在X軸正方向以搬入搬出站2、第1處理站3及第2處理站4之順序排列配置。
搬入搬出站2具備載置台11和搬運區域12。在載置台11載置以水平狀態收容複數片(例如，25片)之基板的卡匣Cw、Cs、Ct。卡匣Cw為收容被處理基板W之卡匣，卡匣Cs為收容支撐基板S之卡匣，卡匣Ct為收容重合基板T之卡匣。
搬運區域12係與載置台11之X軸正方向側鄰接而被配置。在如此之搬運區域12設置有在Y軸方向延伸之搬運路121，和沿著該搬運路121而可移動之搬運裝置122。搬運裝置122也能在X軸方向移動並且可繞Z軸旋轉，在被載置於載置台11之卡匣Cw、Cs、Ct和後述第1處理站3之收授區塊13之間，進行被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之搬運。
並且，被載置在載置台11之卡匣Cw、Cs、Ct之個數並不限定於圖示者。再者，即使在載置台11除卡匣Cw、Cs、Ct以外載置用以回收產生不良狀況之基板的卡匣等亦可。
第1處理站3被連接於搬入搬出站2。如此之第1處理站3具備收授區塊13(相當於「第1收授區塊」之一例)，和搬運區域14(相當於「第1搬運區域」之一例)，和複數之塗佈裝置15，和複數之熱處理裝置16，和複數之除去裝置17。
收授區塊13係與搬運區域12之X軸正方向側鄰接而被配置，搬運區域14係與如此之收授區塊13之X軸方向側鄰接而被配置。再者，塗佈裝置15及除去裝置17係與搬運區域14之Y軸負方向側鄰接而被配置，熱處理裝置16係與搬運區域14之Y軸正方向側鄰接而被配置。
並且，除去裝置17係疊層在塗佈裝置15之上方而被配置。再者，熱處理裝置16係被疊層多層。針對該些點於後述。
收授區塊13係被配置在搬運區域12和搬運區域14之間。在如此之收授區塊13中，在搬運區域12之搬運裝置122，和後述之搬運區域14之搬運裝置141之間，進行被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之收授。
在搬運區域14配置搬運裝置141。搬運裝置141可在X軸方向及Y軸方向移動並且可繞Z軸旋轉，在收授區塊13、塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17及後述之第2處理站4之收授區塊18之間，進行被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之搬運。
塗佈裝置15係在被處理基板W之接合面Wj塗佈接著劑G之裝置，熱處理裝置16係將塗佈有接著劑G之被處理基板W加熱至特定溫度之裝置。再者，除去裝置17係藉由對塗佈有接著劑G之被處理基板W之周緣部供給稀釋劑等之有機溶劑，從如此之周緣部除去接著劑G之裝置。針對該些塗佈裝置15、熱處理裝置16及除去裝置17之具體構成於後述。
第2處理站4被連接於第1處理站3。如此之第2處理站4具備收授區塊18(相當於「第2收授區塊」之一例)，和搬運區域19(相當於「第2搬運區域」之一例)，和複數之接合裝置20。
收授區塊18係與搬運區域14之X軸正方向側鄰接而被配置，搬運區域19係與如此之收授區塊18之X軸方向側鄰接而被配置。再者，複數(在此為兩個)之接合裝置20分別與搬運區域19之Y軸正方向側及Y軸負方向側鄰接而被配置。
收授區塊18係被配置在搬運區域14和搬運區域19之間。在如此之收授區塊18中，在搬運區域14之搬運裝置141，和後述之搬運區域19之搬運裝置191之間，進行被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之收授。
在搬運區域19配置搬運裝置191。搬運裝置191可在X軸方向及Y軸方向移動並且可繞Z軸旋轉，在收授區塊18和接合裝置20之間進行被處理基板W、支撐 基板S及重合基板T之搬運。
接合裝置20進行被處理基板W和支撐基板S之接合。針對接合裝置20之具體構成於後述。
再者，接合系統1具備控制裝置5。控制裝置5為控制接合系統1之動作。如此之控制裝置5為例如電腦，具備控制部51和記憶部52。在記憶部52儲存控制接合處理等之各種處理的程式。控制部51係藉由讀出並實行被記憶於記憶部52之程式，而控制接合系統1之動作。
並且，如此之程式被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體，即使為從其記憶媒體被儲存於控制裝置5之記憶部52者亦可。就以電腦可讀取之記憶媒體而言，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在構成如上述般之接合系統1中，搬運區域12之搬運裝置122從被載置於載置台11之卡匣Cw取出被處理基板W。藉由搬運裝置122被取出之晶圓W經收授區塊13被搬入至搬運區域14。
被搬入至搬運區域14之被處理基板W藉由搬運裝置141被搬入至塗佈裝置15，藉由塗佈裝置15在接合面Wj(參照圖2)塗佈接著劑G。
並且，被配置在第1處理站3之兩個塗佈裝置15即使在被處理基板W塗佈分別不同種類之接著劑G者亦可。在如此之情況下，例如在一方之塗佈裝置15中 於被處理基板W塗佈接著劑G之後，將如此之被處理基板W搬入至後述之熱處理裝置16使接著劑G較塗佈時硬。之後，將被處理基板W搬入至另一方之塗佈裝置15，並在另一方之塗佈裝置15中塗佈其他種類之接著劑G。如此一來，即使在被處理基板W塗佈兩種類之接著劑G亦可。
接著，被處理基板W藉由搬運裝置141而從塗佈裝置15被搬出之後，被搬入至熱處理裝置16。熱處理裝置16係藉由在被保持例如惰性氛圍之內部對被處理基板W進行加熱，使接著劑G含有之有機溶劑等之溶媒揮發而使接著劑G較塗佈時硬。之後，被處理基板W藉由熱處理裝置16被溫度調節至特定溫度例如常溫。
接著，被處理基板W藉由搬運裝置141從熱處理裝置16被搬出之後，被搬入至除去裝置17，被塗佈在周緣部之接著劑G藉由除去裝置17被除去。之後，被處理基板W藉由搬運裝置141從除去裝置17被取出之後，經收授區塊18被搬運至搬運區域19，藉由被設置在搬運區域19之搬運裝置191而被搬入至接合裝置20。
另外，支撐基板S於從被載置在載置台11之卡匣Cs藉由搬運區域12之搬運裝置122被取出之後，經收授區塊13而藉由搬運區域14之搬運裝置141而被搬入至搬運區域14。
被搬入至搬運區域14之支撐基板S藉由搬運裝置141被搬運至收授區塊18之後，藉由搬運區域19之 搬運裝置191而被搬運至搬運區域19，而被搬入至接合裝置20。
當被處理基板W及支撐基板S被搬入至接合裝置20時，藉由接合裝置20進行被處理基板W及支撐基板S之接合處理。依此，形成重合基板T。之後，重合基板T藉由搬運裝置191、141、122從第2處理站4被搬運至搬入搬出站2，而被收容至載置在搬入搬出站2之載置台11的卡匣Ct。如此一來，結束一連串之處理。
接著，針對第1處理站3及第2處理站4之具體構成，參照圖3A及圖3B進行說明。圖3A為表示第1處理站3及第2處理站4之構成的模式俯視圖，圖3B為同模式側面圖。並且，圖3B表示從Y軸負方向側觀看第1處理站3及第2處理站4之情況的模式側面圖。
如圖3A所示般，第1處理站3之收授區塊13具備ID(Identification)讀取器131、收授部132、133(相當於「第1收授部」之一例)，和第1緩衝部134(相當於「緩衝部」之一例)，和第2緩衝部135、136。
並且，在圖中，將ID讀取器131記載成「WIDB」，將收授部132、133記載成「TRS」，將第1緩衝部134及第2緩衝部135、136記載成「SBU」。
再者，第2處理站4之收授區塊18具備收授部181~184(相當於「第2收授部」之一例)，和具有反轉機構之預對準器(以下，單稱為「預對準器」)185。 並且，在圖中，將收授部181~184記載成「CSHU」，將預對準器185記載成「WRA」。
在圖3A中，為了使容易理解，以平面性表現被立體性疊層的單元。即是，如圖3A所示之ID讀取器131、收授部132、133、第1緩衝部134及第2緩衝部135、136如圖3B所示般，從下方依序以ID讀取器131、收授部132、133、第1緩衝部134及第2緩衝部135、136之順序疊層多層。再者，收授區塊18所具備之收授部181~184及預對準器185也從下方依收授部181~184及預對準器185之順序被疊層多層。
再者，在圖3A中，雖然圖示在搬運區域14和塗佈裝置15之間設置除去裝置17，但是實際上，如圖3B所示般，在塗佈裝置15之上方疊層除去裝置17，成為塗佈裝置15及除去裝置17之雙方與搬運區域14鄰接之狀態。同樣，在圖3A中，雖然圖示複數熱處理裝置16平面性地排列，但是實際上，配置有四個熱處理裝置16被疊層多層之區塊沿著搬運方向排列3列，成為所有的熱處理裝置16與搬運區域14鄰接之狀態。
在圖3A中，雖然在收授區塊13及收授區塊18之各單元標示箭號，該箭號表示基板之搬運方向。例如，在收授區塊13之收授部132，標示X軸正方向之箭頭此係指基板(具體而言為被處理基板W或支撐基板S)從搬入搬出站2之搬運區域12(參照圖1)經由收授部132而搬運至第1處理站3之搬運區域14之意。同樣在 收授區塊13之收授部133，標示X軸負方向之箭號，此係指基板(具體而言為重合基板T)從第1處理站3之搬運區域14經由收授部133而被搬運至搬入搬出站2之搬運區域12之意。
再者，在收授區塊13之ID讀取器131及第2緩衝部135、136，於X軸負方向側標示兩方向的箭號，此係指ID讀取器131及第2緩衝部135、136藉由被設置在搬運區域12之搬運裝置122(參照圖1)而被存取之意。同樣，在第1緩衝部134，於X軸正方向側標示兩方向之箭號，此係指第1緩衝部134藉由被設置在搬運區域14之搬運裝置141而被存取之意。
第1處理站3之ID讀取器131係被讀取被安裝在被處理基板W之ID的裝置。被處理基板W係藉由被設置在搬入搬出站2之搬運區域12的搬運裝置122而被搬入搬出至ID讀取器131。
收授部132係從搬運區域12被搬運至搬運區域14之基板，即是載置被處理基板W或支撐基板S之單元。被處理基板W或支撐基板S係藉由搬運區域12之搬運裝置122而被載置在收授部132，藉由搬運區域14之搬運裝置141而從收授部132被取出。
收授部133係載置從搬運區域14被搬運至搬運區域12之基板，即是重合基板T之單元。重合基板T係藉由搬運區域14之搬運裝置141而被載置在收授部133，藉由搬運區域12之搬運裝置122而從收授部133被 取出。
第1緩衝部134為暫時保持1片或複數片之支撐基板S的單元，藉由搬運區域14之搬運裝置141被存取。經收授區塊13被搬入至搬運區域14之支撐基板S因應所需，被搬入至第1緩衝部134。
即是，被處理基板W於被搬入至第1處理站3之後，依序被搬運至塗佈裝置15、熱處理裝置16及除去裝置17，並且被搬運至第2處理站4。對此，支撐基板S不會被搬運至塗佈裝置15、熱處理裝置16及除去裝置17，通過第1處理站3而被搬入至第2處理站4。如此一來，被處理基板W之接收目的地包含塗佈裝置15、熱處理裝置16及除去裝置17存在多數，對此支撐基板S之接收目的地比起被處理基板W較少。
另外，在接合系統1中，設成從卡匣Cw、Cs交互取出被處理基板W和支撐基板S而搬入第1處理站3。
因此，依狀況不同，會有無論屬於被處理基板W之接收目的地的塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17是否空位，支撐基板S之接收目的地(收授部132、第2緩衝部135、136、收授部182、184及接合裝置20)先被填埋的可能性。如此一來，因無法將新的被處理基板W搬入至第1處理站3，故會有生產率下降之虞。
於是，在接合系統1中，在收授區塊13設置 暫時性地保持被搬入至搬運區域14之支撐基板S之第1緩衝部134。依此，因可以緩和支撐基板S之接收目的地被填埋之狀況，故可以提升生產率。
第2緩衝部135、136為暫時保持被處理基板W、支撐基板S或重合基板T的單元，藉由搬運區域12之搬運裝置122被存取。第2緩衝部135、136例如用於將多量甚至一片被處理基板W或支撐基板S持續搬入接合系統1內，以使卡匣Cw或卡匣Cs成為空至新的卡匣Cw、Cs被載置在載置台11為止之期間，處理不會中斷。並且，第2緩衝部135、136也當作用以將多數甚至一片重合基板T持續保持在接合系統1內，以使卡匣Ct成為滿至空的卡匣Ct被載置至載置台11之期間處理不會中斷。
被處理基板W或支撐基板S在塗佈裝置15及除去裝置17中以室溫被處理，在熱處理裝置16中，以大約100~350℃被處理，在接合裝置20中以大約200~250℃被處理。
在此，在接合系統1中，設成在搬運區域14之Y軸負方向側配置塗佈裝置15及除去裝置17，在搬運區域14之Y軸正方向側配置熱處理裝置16，在搬運區域14之X軸正方向側配置第2處理站4。
如此一來，在接合系統1中，將處理溫度相同之單元集中配置在搬運區域14之相同側。依此，可以使溫度管理容易化。
再者，如圖3A及圖3B所示般，在接合系統1中，將除去裝置17疊層在塗佈裝置15之上方而予以配置。
於上下疊層複數單元之時，被配置在上方之單元之排液管難以直行配管，通常使蛇行繞過配置在下方之單元。但是，當流通排液管之排液之黏度高時，在排液管之蛇行部分等容易滯留排液，有成為使維修性惡化的原因之虞。
在此，從塗佈裝置15排出當作排液的接著劑G。另外，從除去裝置17排出當作排液之黏度較接著劑G低之稀釋劑等之有機溶劑。因此，在接合系統1中，將比起塗佈裝置15排液黏度較低的除去裝置17，配置在塗佈裝置15之上方。依此，可以將排液適當地從接合系統1排出。
收授區塊18之收授部182、184係從搬運區域14被搬運至搬運區域19之基板，即是載置被處理基板W或支撐基板S之單元。被處理基板W或支撐基板S係藉由搬運區域14之搬運裝置141而被載置在收授部182、184，藉由搬運區域19之搬運裝置191而從收授部182、184被取出。
收授部181、183係載置從搬運區域19被搬運至搬運區域14之基板，即是重合基板T之單元。重合基板T係藉由搬運區域19之搬運裝置191而被載置在收授部181、183，藉由搬運區域14之搬運裝置141而從收 授部181、183被取出。
預對準器185係調整被處理基板W或支撐基板S之水平方向之方位的單元，藉由搬運區域19之搬運裝置191而被存取。再者，預對準器185具有反轉機構，也一併進行對藉由搬運裝置191而被搬入之被處理基板W使表背面反轉的處理。
在此，在以往之接合裝置中，因對一台之接合裝置，分別設置收授部、具有反轉機構之預對準器及搬運裝置，故會導致佔地面積增大。對此，在與本實施型態有關之接合系統1中，如圖3A所示般，在複數之接合裝置20中，設成共用收授部181~184、預對準器185及搬運裝置191。
因此，若藉由與本實施型態有關之接合系統1時，比起以往之接合系統，可以縮小佔地面積。
再者，在以往之接合裝置中，具有反轉機構之預對準器和收授部被平放，對此本實施型態之接合系統中，設成疊層收授部181~184和預對準器185。因此，即使在該點中，比起以往之接合系統，亦可以縮小佔地面積。
接著，針對接合系統1內之壓力的大小關係，參照圖4進行說明。圖4為產生在接合系統1內之氣流的說明圖。並且，圖4所示之空白箭號表示氣流之方向。
如圖4所示般，在第1處理站3之搬運區域 14，設置有FFU(Fan Filter Unit)142。FFU142被設置在搬運區域14之頂棚部，在搬運區域14內形成下向流。同樣地，也在第2處理站4之搬運區域19設置FFU192。FFU192被設置在搬運區域19之頂棚部，在搬運區域19內形成下向流。再者，在此雖省略圖示，但也在塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17及接合裝置20分別設置有FFU。依此藉由該些FFU，接合系統1內相對於外部成為正壓狀態。
在第1處理站3，搬運區域14內之壓力成為最高壓。因此，收授區塊13、塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17及收授區塊18內之壓力相對於搬運區域14內之壓力成為負壓，當收授區塊13、塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17或收授區塊18之開關快門(無圖示)開啟時，產生從搬運區域14朝向收授區塊13、塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17或收授區塊18之氣流。
再者，在第2處理站4，搬運區域19內之壓力成為最高壓。因此，接合裝置20內之壓力相對於搬運區域19內之壓力成為負壓，當接合裝置20之開關快門被開啟時，產生從搬運區域19朝向接合裝置20之氣流。並且，搬運區域14內之壓力和搬運區域19內之壓力幾乎相同。
如此一來，在接合系統1中，設成與搬運區域14、19鄰接之各單元的壓力較搬運區域14及搬運區域 19低。依此，可以防止接合系統1內之臭味，例如在除去裝置17中被使用之稀釋劑等之有機溶劑之臭味，從搬運區域14或搬運區域19漏出至接合系統1之外部。
再者，在接合系統1中，與搬運區域14、19鄰接之各單元中，將接合裝置20之壓力設為較其他單元之壓力為最高。依此，比起其他單元，因微粒等難以流入接合裝置20內，故可以適當地進行被處理基板W和支撐基板S之接合處理。
再者，在接合系統1中，將除去裝置17內之壓力設為較塗佈裝置15及熱處理裝置16低。依此，可確實地防止在除去裝置17中所使用之稀釋劑等之有機溶劑之臭味漏出至接合系統1之外部。
<2.塗佈裝置之構成>
接著，針對上述塗佈裝置15之構成，參照圖5A及圖5B進行說明。
圖5A為表示塗佈裝置15之構成的模式側面圖，圖5B為同模式俯視圖。
如圖5A所示般，塗佈裝置15具有可密閉內部之處理容器170。在處理容器170之搬運區域14(參照圖1)側之側面，形成被處理基板W之搬入搬出口(無圖示)，在該搬入搬出口設置有開關快門(無圖示)。
在處理容器170內之中央部設置有保持被處理基板W而使旋轉之旋轉吸盤190。旋轉吸盤190具有水 平之上面，在該上面設置有例如吸引被處理基板W之吸引口(無圖示)。藉由該吸引口之吸引，可以在旋轉吸盤190上吸附保持被處理基板W。
在旋轉吸盤190之下方設置有具備有例如馬達等之吸盤驅動部196。旋轉吸盤190係可以藉由吸盤驅動部196以規定之速度旋轉。再者，在吸盤驅動部196設置有例如汽缸等之升降驅動源，旋轉吸盤190成為升降自如。
在旋轉吸盤190之周圍設置有用以接取、回收從被處理基板W飛散或滴落之液體的杯體193。在杯體193之下面連接有排出回收之液體的排出管194，和對杯體193內之氛圍抽真空而予以排氣的排氣管195。
如圖5B所示般，在杯體193之Y軸負方向側，設置有沿著X軸方向而延伸之軌道400。軌道400係從例如杯體193之X軸負方向側之外方延伸至X軸正方向側之外方。在如此之軌道400安裝有機械臂401。
在機械臂401如圖5A及圖5B所示般，支撐有對被處理基板W供給例如液體狀之接著劑G的接著劑噴嘴403。並且，接著劑G係藉由與有機溶劑等之溶媒混合，使成為容易塗佈在被處理基板W，成為黏度較通常低的液體狀。
機械臂401係藉由圖5B所示之噴嘴驅動部404在軌道400上移動自如。依此，接著劑噴嘴403可以從被設置在杯體193之X軸正方向側之外方的待機部405 移動至杯體193內之被處理基板W之中心部上方，並且可以在被處理基板W上朝該被處理基板W之徑向移動。再者，機械臂401係藉由噴嘴驅動部404升降自如，可以調節接著劑噴嘴403之高度。
接著劑噴嘴403如圖5A所示般連接有對該接著劑噴嘴403供給接著劑G之供給管406。供給管406與在內部貯留接著劑G之接著劑供給源407連通。再者，在供給管406設置有包含控制接著劑G之流動的閥或流量調節部等之供給機器群408。
再者，在處理容器170之頂棚部設置有FFU171。FFU171在處理容器170內形成向下流。在FFU171經包含閥或流量調節部等之供給機器群172而連接氣體供給源173。再者，在處理容器170之底面，形成有吸引該處理容器170之內部之氛圍的吸氣口174。吸氣口174連接例如真空泵等之負壓產生裝置175。
如上述般構成的塗佈裝置15係以旋轉吸盤190吸附保持藉由搬運區域14之搬運裝置141被搬入之被處理基板W。此時，被處理基板W之非接合面Wn被吸附保持。
接著，藉由機械臂401使待機部405之接著劑噴嘴403移動至被處理基板W之中心部之上方。之後，一面藉由旋轉吸盤190使被處理基板W旋轉，一面從接著劑噴嘴403對被處理基板W之接合面Wj供給接著劑G。被供給之接著劑G藉由離心力，被擴散至被處理基 板W之接合面Wj之全面，該被處理基板W之接合面Wj被塗佈接著劑G。
<3.處理裝置之構成>
接著，針對熱處理裝置16之構成，參照圖6A及圖6B進行說明。圖6A為表示熱處理裝置16之構成的模式側面圖，圖6B為同模式俯視圖。
如圖6A所示般，熱處理裝置16具有可封鎖內部之處理容器210。在處理容器210之搬運區域14(參照圖1)側之側面，形成被處理基板W之搬入搬出口(無圖示)，在該搬入搬出口設置有開關快門(無圖示)。
在處理容器210之頂棚面，形成有對該處理容器210之內部供給例如氮氣等之惰性氣體的氣體供給口211。在氣體供給口211連接有與氣體供給源212連通之氣體供給管213。在氣體供給管213設置有包含控制惰性氣體之流動的閥或流量調節部等之供給機器群214。
在處理容器210之底面，形成有吸引該處理容器210之內部之氛圍的吸氣口215。吸氣口215連接例如真空泵等之負壓產生裝置216。
在處理容器210之內部設置有對被處理基板W施予加熱處理之加熱部220，和對被處理基板W進行溫度調節之溫度調節部221。加熱部220和溫度調節部221係被排列配置在X軸方向。
加熱部220具備有收容熱板230而保持熱板 230之外周部的環狀保持構件231，和包圍其保持構件231之外周的略筒狀之支撐環232。熱板230具有擁有厚度之略圓盤形狀，可以載置被處理基板W而予以加熱。再者，在熱板230內藏有例如加熱器233。熱板230之加熱溫度係藉由例如控制部51被控制，被載置在熱板230上之被處理基板W被加熱至特定溫度。
在熱板230之下方設置有例如3根用以從下方支撐被處理基板W並使升降之升降銷240。升降銷240係可以藉由升降驅動部241上下移動。在熱板230之中央部附近形成有例如3處在厚度方向貫通該熱板230之貫通孔242。然後，升降銷240係插通貫通孔242，能夠從熱板230之上面突出。
溫度調節部221具有溫度調節板250。溫度調節板250係如圖6B所示般，具有略方形之平板形狀，熱板230側之端面彎曲成圓弧狀。在溫度調節板250形成有沿著Y軸方向之兩條縫隙251。縫隙251係從溫度調節板250之熱板230側之端面形成至溫度調節板250之中央部附近。藉由該縫隙251可以防止溫度調節板250與加熱部220之升降銷240及後述之溫度調節部221之升降銷260干擾。再者，在溫度調節板250內藏有例如珀耳帖元件等之溫度調節構件(無圖示)。溫度調節板250之冷卻溫度係藉由例如控制部51被控制，被載置在溫度調節板250上之被處理基板W被冷卻至特定溫度。
溫度調節板250係如圖6A所示般被支撐於支 撐機械臂252。在支撐機械臂252安裝有驅動部253。驅動部253被安裝於在Y軸方向延伸之軌道254。軌道254係從溫度調節部221延伸至加熱部220。藉由該驅動部253，溫度調節板250係能夠沿著軌道254在加熱部220和溫度調節部221之間移動。
在溫度調節板250之下方設置有例如3根用以從下方支撐被處理基板W並使升降之升降銷260。升降銷260係可以藉由升降驅動部261上下移動。然後，升降銷260係插通縫隙251，能夠從溫度調節板250之上面突出。
被構成上述般之熱處理裝置16當藉由搬運區域14之搬運裝置141使得被處理基板W被搬入至處理容器210內時，以事先上升而待機的升降銷260接取如此之被處理基板W。接著，使升降銷260下降，將被處理基板W載置在溫度調節板250。
之後，藉由驅動部253使溫度調節板250沿著軌道254移動至熱板230上方，被處理基板W被收授至預先上升而待機的升降銷240。之後，升降銷240下降，被處理基板W被載置在熱板230上。然後，熱板230上之被處理基板W被加熱至特定溫度例如100℃~350℃。藉由進行如此熱板230之加熱，被處理基板W上之接著劑G被加熱，該接著劑G硬化。
之後，升降銷240上升，並且溫度調節板250移動至熱板230之上方。接著，被處理基板W從升降銷 240被收授至溫度調節板250，溫度調節板250移動至搬運區域14側。該溫度調節板250之移動中，被處理基板W被溫度調節至特定溫度。
<4.除去裝置之構成>
接著，針對除去裝置17之構成，參照圖7予以說明。圖7為表示除去裝置17之構成的模式側面圖。
如圖7所示般，除去裝置17具有可密閉內部之處理容器310。在處理容器310之搬運區域14(參照圖1)側之側面，形成被處理基板W之搬入搬出口(無圖示)，在該搬入搬出口設置有開關快門(無圖示)。
在處理容器310之頂棚部設置有FFU311。FFU311在處理容器310內形成向下流。在FFU311經包含閥或流量調節部等之供給機器群312而連接氣體供給源313。再者，在處理容器310之底面，形成有吸引該處理容器310之內部之氛圍的吸氣口314。吸氣口314連接例如真空泵等之負壓產生裝置315。
在處理容器310內設置有溶劑供給部320、吸附移動部330。溶劑供給部320被設置在處理容器310內之X軸負方向側，吸附移動部330被設置在處理容器310內之X軸正方向側。
溶劑供給部320具備本體部321、將本體部321支撐在特定高度之支柱構件322、被設置在本體部321之X軸正方向側之外部的上側噴嘴323及下側噴嘴 324，和被設置在本體部321之X軸正方向側之內部的吸引部325。
上側噴嘴323及下側噴嘴324被安裝在本體部321之外部，隔著特定空間而相向配置。上側噴嘴323係使稀釋劑等之有機溶劑朝下方吐出，下側噴嘴324係使上述有機溶劑朝上方吐出。該些上側噴嘴323及下側噴嘴324分別經包含閥或流量調節部等之供給機器群341、343連接有機溶劑供給源342、344。
吸引部325被設置在上側噴嘴323和下側噴嘴324之間，吸引從上側噴嘴323及下側噴嘴324吐出之有機溶劑。在如此之吸引部325連接例如真空泵等之負壓產生裝置345。
吸附移動部330具備在X軸方向延伸之軌道331、沿著軌道331移動之移動機構332、被設置在移動機構332之上部，吸附保持被處理基板W之吸附保持部333。
被構成上述般之除去裝置17當藉由搬運區域14之搬運裝置141使被處理基板W被搬入至處理容器310內時，以吸附保持部333吸附保持如此之被處理基板W。接著，使移動機構332沿著軌道331移動，而使被處理基板W之周緣部位於上側噴嘴323和下側噴嘴324之間。
之後，從上側噴嘴323及下側噴嘴324吐出有機溶劑。依此，被處理基板W之周緣部被供給有機溶 劑，被塗佈在被處理基板W之周緣部之接著劑G被除去。從上側噴嘴323及下側噴嘴324吐出之有機溶劑藉由吸引部325被吸引。
<5.收授部之構成>
接著，針對被設置在收授區塊18之收授部182之構成，參照圖8A~8C進行說明。圖8A為表示收授部182之構成的模式俯視圖。再者，圖8B為表示收授機械臂730之構成的模式俯視圖，圖8C為同模式側面圖。並且，收授部181、183、184之構成因與收授部182相同，故針對該些構成省略說明。
如圖8A所示般，收授部182具有收授機械臂730和支撐銷731。收授機械臂730可以在搬運區域14之搬運裝置141和搬運區域19之搬運裝置191(參照圖1)之間進行被處理基板W、支撐基板S、重合基板T之收授。支撐銷731被設置複數例如3處，可以支撐被處理基板W、支撐基板S、重合基板T。
收授機械臂730具有保持被處理基板W、支撐基板S、重合基板T之機械臂部740，和具備有例如馬達等之機械臂驅動部741。機械臂部740具有略圓板形狀。機械臂驅動部741可以使機械臂部740在X軸方向移動。再者，機械臂驅動部741被安裝於在Y軸方向延伸的軌道742上，構成可在該軌道742上移動。藉由如此之構成，收授機械臂730成為可在水平方向(X軸方向及Y軸 方向)移動，並在搬運裝置141和支撐銷731之間，可以圓滑地收授被處理基板W或支撐基板S(收授部181、183之時為重合基板T)。
如圖8A及圖8B所示般，在機械臂部740上，設置有複數例如4處支撐被處理基板W或支撐基板S之支撐銷750。再者，在機械臂部740上，設置有進行被支撐銷750支撐之被處理基板W或支撐基板S之定位的導件751。導件751被設置在複數處例如4處使引導被處理基板W或支撐基板S之側面。
在機械臂部740之外周，例如4處形成缺口752。藉由該缺口752係可以於將被處理基板W或支撐基板S從搬運裝置141之搬運機械臂收授至收授機械臂730之時，可以防止該搬運裝置141之搬運機械臂與機械臂部740干擾。
在機械臂部740形成有沿著X軸方向之兩條縫隙753。縫隙753係從機械臂部740之支撐銷731側之端面形成至機械臂部740之中央部附近。藉由該縫隙753可以防止機械臂部740與支撐銷731干擾。
<6.預對準器之構成>
接著，針對預對準器185之構成，參照圖9A~圖9C進行說明。圖9A為表示預對準器185之構成的模式俯視圖，圖9B及圖9C為同模式側面圖。
如圖9A~圖9C所示般，預對準器185具有保 持被處理基板W或支撐基板S之保持機械臂760。保持機械臂760在Y軸方向延伸。再者，在保持機械臂760例如於4處設置當作保持被處理基板W或支撐基板S之其他保持構件的保持構件761。保持構件761被構成可對保持機械臂760在水平方向移動。再者，在保持構件761之側面，形成用以保持被處理基板W或支撐基板S之外周部之缺口。然後，該些保持構件761係可以夾著被處理基板W或支撐基板S而予以保持。
保持機械臂760係如圖9A~圖9C所示般，被支撐於具備有例如馬達等之第1驅動部763。藉由該第1驅動部763，保持機械臂760係繞水平軸旋轉自如，並且可以在水平方向移動。藉由保持機械臂760繞水平軸旋轉，被保持機械臂760保持之被處理基板W之表背面被反轉。並且，即使第1驅動部763使保持機械臂760繞垂直軸轉動，並使該保持機械臂760在水平方向移動亦可。
在第1驅動部763之下方設置有具備有例如馬達等之第2驅動部764。藉由該第2驅動部764，第1驅動部763沿著在垂直方向延伸之支撐柱765而可以在垂直方向移動。如此一來，藉由第1驅動部763和第2驅動部764，被保持在保持構件761之被處理基板W或支撐基板S可以繞水平軸轉動，並且可以在垂直方向及水平方向移動。
在支撐柱765經支撐板771支撐有被保持於保持構件761之被處理基板W或支撐基板S之水平方向 之方位的位置調節機構770。位置調節機構770係被設置成與保持機械臂760鄰接。
位置調節機構770具有基台772，和檢測出被處理基板W或支撐基板S之凹槽部之位置的檢測部773。然後，在位置調節機構770中，一面使被保持於保持構件761之被處理基板W或支撐基板S在水平方向移動，一面在檢測部773檢測出被處理基板W或支撐基板S之凹槽部之位置，藉此調節該凹槽部之位置而調節被處理基板W或支撐基板S之水平方向之方位。
<7.接合裝置之構成>
接著，針對接合裝置20之構成，參照圖10A及圖10B進行說明。圖10A及圖10B為表示接合裝置20之構成的模式側面圖。
如圖10A所示般，接合裝置20具備第1保持部101和第2保持部201。第1保持部101被配置在第2保持部201之上方而保持被處理基板W。再者，第2保持部201保持支撐基板S。第1保持部101及第2保持部201具有直徑大於被處理基板W及支撐基板S的略圓板形狀。
第1保持部101及第2保持部201例如為靜電吸盤，藉由靜電吸附分別保持被處理基板W及支撐基板S。藉由使用靜電吸盤當作第1保持部101及第2保持部201，可以在減壓環境下確實地保持被處理基板W及支 撐基板S。並且，第1保持部101及第2保持部201並不限定於靜電吸盤，即使例如為藉由真空吸附保持被處理基板W及支撐基板S之多孔性吸盤亦可。
再者，第1保持部101及第2保持部201分別內藏加熱機構117、217。加熱機構117係加熱藉由第1保持部101所保持之被處理基板W，加熱機構217係加熱藉由第2保持部201所保持之支撐基板S。並且，第2保持部201係藉由間隔物件204被支撐在特定高度。
再者，接合裝置20具備基座構件105和加壓機構106。基座構件105被安裝在後述第1腔室部511之上面。
加壓機構106係藉由將第1保持部101移動至垂直下方，使被處理基板W接觸於支撐基板S而予以加壓。如此之加壓機構106具備壓力容器161、氣體供給管162和氣體供給源163。
壓力容器161係藉由例如在垂直方向伸縮自如之不鏽鋼製的伸縮管而構成。壓力容器161之下端部被固定在第1保持部101之上面，上端部被固定在基座構件105之下面。
氣體供給管162係其一端經基座構件105及後述之第1腔室部511而被連接於壓力容器161，另一端被連接於氣體供給源163。
在如此之壓力容器161中，藉由氣體從氣體供給源163經氣體供給管162而被供給至壓力容器161之 內部，壓力容器161伸長而使第1保持部101下降。依此，被處理基板W與支撐基板S接觸而被加壓。被處理基板W及支撐基板S之加壓力藉由調節供給至壓力容器161之氣體之壓力而被調節。
再者，接合裝置20具備腔室501、移動機構502、減壓機構503、第1攝像部504和第2攝像部505。
腔室501為可密閉內部之處理容器，具備第1腔室部511和第2腔室部512。第1腔室部511為下部被開放之有底筒狀之容器，在內部收容第1保持部101和壓力容器161等。再者，第2腔室部512為上部被開放之有底筒狀之容器，在內部收容第2保持部201和間隔物件204等。
第1腔室部511被構成藉由氣缸等之無圖示之升降機構可在垂直方向升降。藉由如此之升降機構藉由使第1腔室部511下降而抵接於第2腔室部512，在腔室501之內部形成密閉空間。並且，在第1腔室部511之與第2腔室部512的抵接面，設置有用以確保腔室501之機密性的密封構件513。使用例如O型環當作密封構件513。
移動機構502被設置在第1腔室部511之外周部，經第1腔室部511而使第1保持部101在水平方向移動。如此之移動機構502係對第1腔室部511之外周部設置複數(例如，5個)，5個移動機構502中之四個被用於第1保持部101之水平方向之移動，剩下的1個被用 於繞第1保持部101之垂直軸的旋轉。
移動機構502具備抵接於第1腔室部511之外周部而使第1保持部101移動之凸輪521，和經軸部522使凸輪521旋轉之旋轉驅動部523。凸輪521被設置成相對於軸部522之中心軸呈偏心。而且，藉由旋轉驅動部523使凸輪521旋轉，凸輪521對第1保持部101之中心位置移動，可以使第1保持部101在水平方向移動。
減壓機構503被設置在例如第2腔室部512之下部，減壓腔室501內。如此之減壓機構503具備用以吸氣腔室501內之氛圍的吸氣管531，和被連接於吸氣管531之真空泵等之吸氣裝置532。
第1攝像部504被設置在第1保持部101之下方，攝像被保持在第1保持部101之被處理基板W之表面。再者，第2攝像部505被設置在第2保持部201之上方，攝像被保持在第2保持部201之支撐基板S之表面。
第1攝像部504及第2攝像部505被構成藉由無圖示之移動機構可在水平方向移動，於使第1腔室部511下降之前，侵入腔室501內而攝像被處理基板W及支撐基板S。第1攝像部504及第2攝像部505之攝像資料被發送至控制裝置5。並且，作為第1攝像部504及第2攝像部505分別使用例如廣角型之CCD照射機。
並且，接合裝置20被設置在無圖示之處理容器之內部，在如此之處理容器之頂棚部設置有FFU。
如上述般被構成之接合裝置20中，藉由第1保持部101保持被處理基板W，藉由第2保持部201保持支撐基板S。
接著，在接合裝置20中，圖10A所示之第1攝像部504及第2攝像部505在水平方向移動而侵入腔室501內，並分別攝像被處理基板W及支撐基板S的表面。
之後，以被顯示在藉由第1攝像部504所攝像之畫像上的被處理基板W之基準點的位置，和被顯示在藉由第2攝像部505所攝像之畫像上的支撐基板S之基準點之位置一致之方式，藉由移動機構502調節被處理基板W之水平方向之位置。如此一來，被處理基板W對支撐基板S之水平方向的位置被調節。
接著，第1攝像部504及第2攝像部505從腔室501內被退出之後，第1腔室部511藉由無圖示之移動機構下降。而且，藉由第1腔室部511抵接於第2腔室部512，在腔室501內形成密閉空間。
接著，在接合裝置20中，藉由減壓機構503吸氣腔室501內之氛圍使得腔室501內被減壓。
之後，在接合裝置20中，被處理基板W及支撐基板S藉由第1保持部101之加熱機構117及第2保持部201之加熱機構217被加熱至特定溫度(例如，200~250℃)。
接著，在接合裝置20中，藉由對壓力容器161供給氣體，使壓力容器161內成為期待之壓力。依 此，第1保持部101下降而被處理基板W和支撐基板S以期待之壓力被加壓(參照圖10B)。依此，被處理基板W和支撐基板S被接合。
<8.接合系統之動作>
接著，針對上述接合系統1之動作，參照圖11進行說明。圖11為表示接合系統1所實行之處理的處理程序之流程圖。
首先，被處理基板W藉由搬入搬出站2之搬運裝置122從卡匣Cw被取出，被載置在收授區塊13之收授部132。接著，被處理基板W藉由搬運區域14之搬運裝置141而從收授部132被取出之後，被搬入至塗佈裝置15，藉由塗佈裝置15在接合面Wj塗佈接著劑G(步驟S101)。
接著，被處理基板W係藉由搬運裝置141從塗佈裝置15被取出之後，被搬入至熱處理裝置16，藉由熱處理裝置16被加熱至特定溫度(步驟S102)。依此，接著劑G所含之有機溶劑等之溶媒揮發而使得接著劑G變硬。
接著，被處理基板W係藉由搬運裝置141從熱處理裝置16被取出之後，被搬入至除去裝置17，藉由除去裝置17除去周緣部之接著劑G(步驟S103)。之後，被處理基板W藉由搬運裝置141從除去裝置17被取出之後，被搬入至收授區塊18之收授部182。
並且，即使藉由除去裝置17除去被塗佈在被處理基板W之周緣部之接著劑G之後，將如此之被處理基板W搬運至收授部182，於搬運至收授部182之前，再次搬運至熱處理裝置16而以熱處理裝置16進行加熱處理亦可。
接著，被處理基板W藉由搬運區域19之搬運裝置191而從收授部182被取出之後，被搬入至預對準器185，藉由預對準器185調整水平位置(步驟S104)。再者，被處理基板W藉由預對準器185使表背面反轉(步驟S105)。
接著，被處理基板W係藉由搬運裝置191從預對準器185被取出之後，被搬入至接合裝置20，藉由接合裝置20之第1保持部101被吸附保持(步驟S106)。
另外，支撐基板S藉由搬入搬出站2之搬運裝置122從卡匣Cs被取出之後，被載置在收授區塊13之收授部132。接著，支撐基板S藉由搬運區域14之搬運裝置141而從收授部132被取出之後，被搬入至收授區塊18之收授部182。
接著，支撐基板S藉由搬運區域19之搬運裝置191而從收授部182被取出之後，被搬入至預對準器185，藉由預對準器185調整水平位置(步驟S107)。
接著，支撐基板S係藉由搬運裝置191從預對準器185被取出之後，被搬入至接合裝置20，藉由接 合裝置20之第2保持部201被吸附保持(步驟S108)。
然後，被處理基板W被保持在第1保持部101，支撐基板S被保持在第2保持部201之後，接合裝置20接合被處理基板W和支撐基板S(步驟S109)。依此，形成重合基板T。
第1腔室部511藉由無圖示之移動機構上升之後，如此所形成之重合基板T藉由搬運區域19之搬運裝置191(參照圖1)而從接合裝置20被搬出，以上述順序，被搬運至卡匣Ct。
如上述般，與實施型態有關的接合系統1具備第1處理站3、第2處理站4和搬入搬出站2。第1處理站3及第2處理站4係對被處理基板W及支撐基板S進行特定處理。搬入搬出站2係對第1處理站3搬入搬出被處理基板W、支撐基板S及重合基板T。
再者，第1處理站3具備搬運區域14、塗佈裝置15、熱處理裝置16和收授區塊13。搬運區域14為用以進行被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之搬運的區域。塗佈裝置15與搬運區域14鄰接而被配置，對被處理基板W塗佈接著劑G。熱處理裝置16與搬運區域14鄰接而被配置，加熱塗佈有接著劑G之被處理基板W。收授區塊13係在搬入搬出站2和搬運區域14之間，進行被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之收授。
再者，第2處理站4具備複數之接合裝置20、搬運區域19、收授區塊18。複數接合裝置20接合被 處理基板W和支撐基板S。搬運區域19係用以對複數接合裝置20搬運被處理基板W及支撐基板S的區域。收授區塊18係在搬運區域14和搬運區域19之間，進行被處理基板W、支撐基板S及重合基板T之收授。
因此，若藉由與本實施型態有關之接合系統1時，比起以往之接合系統，可以縮小佔地面積。
<其他實施型態>
然而，本案揭示之接合系統之構成並不限定於上述構成。在此，在下述中，針對接合系統之變形例，參照圖12A~圖12D進行說明。圖12A~圖12D係表示與第1變形例~第4變形例有關之接合系統之構成的模式俯視圖。並且，在以下之說明中，針對與先前所說明之部分相同之部分，賦予與先前所說明之部分相同之符號，省略重複之說明。
例如，圖12A所示之接合系統1A具備第1處理站3A。第1處理站3A具備較第1處理站3所具備之搬運區域14在X軸方向長的搬運區域14A。
再者，第1處理站3A具備3個塗佈裝置15。3個塗佈裝置15係在搬運區域14A之Y軸負方向側沿著搬運區域14A而排列配置。
如此一來，接合系統1A即使為具備有3個塗佈裝置15之構成亦可。3個塗佈裝置15即使例如按接著劑G之種類而設置亦可。即是，3個塗佈裝置15即使為 塗佈分別不同之種類的接著劑G亦可。此時，在被處理基板W被塗佈複數種類之接著劑G。
再者，圖12B所示之接合系統1B具備第1處理站3B。第1處理站3B具備較第1處理站3所具備之搬運區域14在X軸方向長的搬運區域14B。
再者，在第1處理站3B沿著搬運方向排列兩列配置有4個熱處理裝置16被疊層多層的區塊。即是，疊層被設置在第1處理站3B之4個熱處理裝置16的區塊，較第1處理站3少1列。
而且，第1處理站3B具備3個塗佈裝置15。3個塗佈裝置15中之兩個被配置在搬運區域14B之Y軸負方向側，剩下之一個被配置在搬運區域14B之Y軸正方向側。
如此一來，設置3個塗佈裝置15之時，即使減少熱處理裝置16之數量，並且將3個塗佈裝置15中之1個配置在設置有熱處理裝置16之側亦可。依此，比起與第1變形例有關之接合系統1A，可以抑制搬運區域14B之長度。
再者，圖12C所示之接合系統1C具備第1處理站3C。在第1處理站3C，與第2變形例有關之第1處理站3B相同，沿著搬運方向排列兩列配置有4個熱處理裝置16被疊層多層的區塊。在第1處理站3C中，3個除去裝置17被配置在搬運區域14之Y軸正方向側，即是配置有複數之熱處理裝置16之側。
再者，在第1處理站3C中，3個塗佈裝置15被配置在搬運區域14之Y軸負方向側。而且，該些3個塗佈裝置15中之兩個被疊層。
如此一來，於設置3個塗佈裝置15之時，即使減少熱處理裝置16之數量，於將除去裝置17配置在設置有熱處理裝置16之側，並且將3個塗佈裝置15配置在與設置有熱處理裝置16及除去裝置17之側相反之側上，其中疊層2個亦可。依此，可以與接合系統1相同之佔地面積配置3個塗佈裝置15。
並且，於在3個塗佈裝置15中所使用之接著劑G之種類分別不同之時，被疊層之兩個塗佈裝置15中，以所使用之接著劑G之黏度降低者配置在上方為佳。
再者，圖12D所示之接合系統1D具備第1處理站3D。第1處理站3D具備3個塗佈裝置15。與第3變形例有關之第1處理站3C相同，3個塗佈裝置15配置在搬運區域14之Y軸負方向側，其中兩個被疊層。
而且，在第1處理站3D中，3個塗佈裝置15之上方又被疊層3個除去裝置17。將在除去裝置17中所使用之有機溶劑設為其黏度較在3個塗佈裝置15中所使用之接著劑G低者。
如此一來，即使疊層3個塗佈裝置15中之兩個，並且在3個塗佈裝置15之上方疊層除去裝置17亦可。依此，不會減少熱處理裝置16之數量，可以與接合系統1相同之佔地面積配置3個塗佈裝置15。
並且，在圖12A~圖12D中，雖然針對第1處理站3A~3D設置3個塗佈裝置15之情形的例進行說明，但是即使在第1處理站3A~3D設置4個以上之塗佈裝置15亦可。
在上述所述之實施型態中，針對被處理基板W為「第1基板」，支撐基板S為「第2基板」之時的例進行說明。但是，並不限定於此，即使為支撐基板S為「第1基板」，被處理基板W為「第2基板」亦可。即是，支撐基板S係受到藉由塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17所進行之處理的基板，即使被處理基板W不受到藉由塗佈裝置15、熱處理裝置16、除去裝置17所進行之處理，而被搬運至第2處理站4之基板亦可。如此一來，即使在支撐基板S塗佈接著劑G亦可。
該項技藝者可以容易導出附加的效果或變形例。因此，本發明之更廣的態樣並不限定於上述表示且敘述的特定之詳細及代表性實施型態。因此，在不脫離藉由所附的申請專利範圍及等同物所界定的總括性之發明概念之精神或範圍下，可以進行各種變更。
3‧‧‧第1處理站
4‧‧‧第2處理站
13‧‧‧收授區塊
14‧‧‧搬運區域
15‧‧‧塗佈裝置
16‧‧‧熱處理裝置
17‧‧‧除去裝置
18‧‧‧收授區塊
19‧‧‧搬運區域
20‧‧‧接合裝置
131‧‧‧ID讀取器
132、133‧‧‧收授部
134‧‧‧第1緩衝部
135、136‧‧‧第2緩衝部
141‧‧‧搬運裝置
181~184‧‧‧收授部
185‧‧‧預對準器
191‧‧‧搬運裝置

Claims (7)

  1. 一種接合系統，對第1基板和第2基板進行接合的接合系統，其特徵在於具備：對上述第1基板及上述第2基板進行特定處理的第1處理站及第2處理站，和將上述第1基板、上述第2基板及接合上述第1基板和上述第2基板的重合基板，對上述第1處理站進行搬入搬出之搬入搬出站，上述第1處理站具備：用以進行上述第1基板、上述第2基板及上述重合基板之搬運的第1搬運區域；與上述第1搬運區域鄰接而被配置，對上述第1基板塗佈接著劑的塗佈裝置；與上述第1搬運區域鄰接而被配置，加熱塗佈有上述接著劑之第1基板的熱處理裝置；和在上述搬入搬出站和上述第1搬運區域之間，進行上述第1基板、上述第2基板及上述重合基板之收授的第1收授區塊，上述第2處理站具備：接合上述第1基板和上述第2基板之複數接合裝置；用以對上述複數接合裝置搬運上述第1基板及上述第2基板的第2搬運區域；和在上述第1搬運區域和上述第2搬運區域之間，進行上述第1基板、上述第2基板及上述重合基板之收授的第 2收授區塊，上述第2收授區塊具備：載置被搬入至上述第2搬運區域之上述第1基板或上述第2基板，或是被搬出至上述第1搬運區域之上述重合基板的第2收授部；和使上述第1基板或上述第2基板反轉的反轉機構，上述第2收授部和上述反轉機構被疊層多層。
  2. 如請求項1所記載之接合系統，其中上述第1處理站具備除去從塗佈有上述接著劑之第1基板之周緣部除去上述接著劑的除去裝置，上述除去裝置被配置在上述塗佈裝置之上方。
  3. 如請求項1或2所記載之接合系統，其中上述第1收授區塊具備：載置被搬入至上述第1搬運區域之上述第1基板或上述第2基板，或是被搬出至上述搬入搬出站之上述重合基板的第1收授部；和暫時性地保持經上述第1收授區塊而被搬入至上述第1搬運區域之上述第2基板的緩衝部。
  4. 如請求項1或2所記載之接合系統，其中上述第2搬運區域內之壓力相對於上述接合裝置內之壓力為正壓。
  5. 如請求項2所記載之接合系統，其中 上述第1搬運區域內之壓力相對於上述塗佈裝置內之壓力、上述熱處理裝置內之壓力及上述除去裝置內之壓力為正壓。
  6. 如請求項5所記載之接合系統，其中上述除去裝置內之壓力相對於上述塗佈裝置內之壓力及上述熱處理裝置內之壓力為負壓。
  7. 如請求項1或2所記載之接合系統，其中上述塗佈裝置被配置在上述第1搬運區域之一方側，上述熱處理裝置被配置在上述第1搬運區域之另一方側。
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