WO2014045803A1

WO2014045803A1 - 接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体

Info

Publication number: WO2014045803A1
Application number: PCT/JP2013/072709
Authority: WO
Inventors: 雅敏出口; 直人吉高; 正隆松永
Original assignee: 東京エレクトロン株式会社
Priority date: 2012-09-20
Filing date: 2013-08-26
Publication date: 2014-03-27
Also published as: TW201423834A; JP2014063791A

Abstract

　本発明は、処理を行う処理ステーションと、基板又は基板同士が接合された重合基板を処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションとを有し、処理ステーションは、一の基板に接着剤を塗布する塗布装置と、接着剤が塗布された一の基板を熱処理する熱処理装置と、熱処理された一の基板の位置調節を行い、且つ一の基板と接合される他の基板の位置調節を行うと共に、当該他の基板の表裏面を反転させる位置調節装置と、位置調節が行われた基板同士を接着剤を介して押圧して接合する複数の接合装置と、これらの各装置に対して、基板又は重合基板を搬送するための搬送領域と、を有する。

Description

接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体

　本発明は、接着剤を介して基板同士を接合する接合システム、当該接合システムを用いた接合方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　本願は、２０１２年９月２０日に日本国に出願された特願２０１２－２０６５５５号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。そして例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。

　かかるウェハと支持基板の接合は、例えば接合システムを用いて、ウェハと支持基板との間に接着剤を介在させることにより行われている。接合システムは、例えばウェハに接着剤を塗布する塗布装置と、接着剤が塗布されたウェハを加熱する熱処理装置と、接着剤を介してウェハと支持基板とを押圧して接合する複数の接合装置とを有している。また各接合装置は、前処理領域と接合領域とを有している。そして接合装置では、例えば前処理領域においてウェハの位置調節を行い、且つ支持基板の位置調節を行うと共に、当該支持基板の表裏面を反転させた後、接合領域においてウェハと支持基板を押圧して接合する（特許文献１）。

特開２０１２－６９９００号公報

　しかしながら、特許文献１に記載の接合装置は、それぞれ前処理領域と接合領域とを備えているため、各接合装置の占有面積が大きくなる。このため、複数の接合装置を有する接合システム全体の占有面積も大きくなる。

　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、接合システムにおいて被処理基板と支持基板の接合を適切に行いつつ、当該接合システムの占有面積を小さくすることを目的とする。

　前記の目的を達成するため、本発明は、接着剤を介して基板同士を接合する接合システムであって、基板に所定の処理を行う処理ステーションと、基板又は基板同士が接合された重合基板を前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと、を有し、前記処理ステーションは、一の基板に前記接着剤を塗布する塗布装置と、前記接着剤が塗布された一の基板を熱処理する熱処理装置と、前記熱処理された一の基板の位置調節を行い、且つ前記一の基板と接合される他の基板の位置調節を行うと共に、当該他の基板の表裏面を反転させる位置調節装置と、前記接着剤を介して前記位置調節が行われた基板同士を押圧して接合する複数の接合装置と、前記塗布装置、前記熱処理装置、前記位置調節装置及び前記複数の接合装置に対して、基板又は重合基板を搬送するための搬送領域と、を有している。

　本発明によれば、接合システムにおいて複数の接合装置に対して一の位置調節装置が設けられており、すなわち位置調節装置が複数の接合装置に共通化されて設けられている。このため、従来のように接合装置と位置調節装置を１対１で設けた場合に比べて、位置調節装置の数を減少させた分、接合システムの占有面積を小さくすることができる。またこれに伴い、接合システムの製造コストを低廉化することもできる。しかも接合システムでは、塗布装置において一の基板に接着剤を塗布し（塗布工程）、塗布工程で接着剤が塗布された一の基板を熱処理装置に搬送し、当該熱処理装置において一の基板を熱処理し（熱処理工程）、熱処理工程で熱処理された一の基板を位置調節装置に搬送し、当該位置調節装置において一の基板の位置調整を行い（第１の位置調節工程）、前記位置調節装置において、一の基板と接合される他の基板の位置調節を行うと共に、当該他の基板の表裏面を反転させ（第２の位置調節工程）、第１の位置調節工程が行われた一の基板を接合装置に搬送すると共に、第２の位置調節工程が行われた他の基板を接合装置に搬送し、当該接合装置において、接着剤を介して一の基板と他の基板を押圧して接合する（接合工程）。このように一の接合システムで塗布工程、熱処理工程、第１の位置調節工程、第２の位置調節工程、接合工程が行われるので、一連の接合処理を適切に行うことができる。

　別な観点による本発明は、接着剤を介して基板同士を接合する接合方法であって、塗布装置において一の基板に前記接着剤を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で前記接着剤が塗布された一の基板を熱処理装置に搬送し、当該熱処理装置において前記一の基板を熱処理する熱処理工程と、前記熱処理工程で熱処理された一の基板を位置調節装置に搬送し、当該位置調節装置において前記一の基板の位置調整を行う第１の位置調節工程と、前記位置調節装置において、前記一の基板と接合される他の基板の位置調節を行うと共に、当該他の基板の表裏面を反転させる第２の位置調節工程と、前記第１の位置調節工程が行われた一の基板を接合装置に搬送すると共に、前記第２の位置調節工程が行われた他の基板を前記接合装置に搬送し、当該接合装置において、前記接着剤を介して前記一の基板と前記他の基板を押圧して接合する接合工程と、を有し、前記塗布装置、前記熱処理装置、前記位置調節装置及び複数の前記接合装置を備えた接合システムにおいて、前記接合工程は複数の前記一の基板と複数の前記他の基板に対して並行して行われる。

　また別な観点による本発明は、前記接合方法を接合システムによって実行させるように、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。

　本発明によれば、接合システムにおいて被処理基板と支持基板の接合を適切に行いつつ、当該接合システムの占有面積を小さくすることができ、接合システムの製造コストを低廉化することができる。

本実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。本実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。接合装置の構成の概略を示す縦断面図である。接合装置の構成の概略を示す縦断面図である。第２の保持部とその移動機構の構成の概略を示す平面図である。位置調節装置の構成の概略を示す横断面図である。位置調節装置の構成の概略を示す縦断面図である。位置調節装置の構成の概略を示す縦断面図である。保持アームと保持部材の構成の概略を示す側面図である。塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。接合処理の主な工程を示すフローチャートである。被処理ウェハと支持ウェハを接合した様子を示す説明図である。外周部洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。外周部洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。溶剤供給部の構成の概略を示す縦断面図である。検査装置の構成の概略を示す横断面図である。検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。赤外線照射部と撮像部との間の赤外線の進行路を示す説明図である。変位計を用いて上ウェハと下ウェハの外側面の変位を測定する様子を示す説明図である。他の実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。他の実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。他の実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。

　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる接合システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は、接合システム１の内部構成の概略を示す側面図である。

　接合システム１では、図３に示すように例えば接着剤Ｇを介して、被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとを接合する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を表面としての「接合面Ｗ_Ｊ」といい、当該接合面Ｗ_Ｊと反対側の面を裏面としての「非接合面Ｗ_Ｎ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を表面としての「接合面Ｓ_Ｊ」といい、接合面Ｓ_Ｊと反対側の面を裏面としての「非接合面Ｓ_Ｎ」という。そして、接合システム１では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合して、重合基板としての重合ウェハＴを形成する。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面Ｗ_Ｊに複数の電子回路が形成されており、非接合面Ｗ_Ｎが研磨処理される。また、支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。

　接合システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。

　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、接合システム１の外部に対してカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを搬入出する際に、カセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、カセットの１つを不具合ウェハの回収用として用いてもよい。すなわち、種々の要因で被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接合に不具合が生じたウェハを、他の正常な重合ウェハＴと分離することができるカセットである。本実施の形態においては、複数のカセットＣ_Ｔのうち、１つのカセットＣ_Ｔを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットＣ_Ｔを正常な重合ウェハＴの収容用として用いている。

　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送部２０が設けられている。ウェハ搬送部２０には、Ｘ方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔと、後述する処理ステーション３の温度調節装置３０及びトランジション装置３１、３２との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。

　処理ステーション３には、搬入出ステーション２側（図１中のＹ方向負方向側）において、重合ウェハＴの温度調節をする温度調節装置３０と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴのトランジション装置３１、３２とが設けられている。温度調節装置３０、トランジション装置３１、３２は、図２に示すように下からこの順で２段に設けられている。

　図１に示すようにトランジション装置３１、３２のＹ方向正方向側には、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合装置４０、４１が設けられている。接合装置４０はトランジション装置３１、３２のＸ方向負方向側に配置され、接合装置４１はトランジション装置３１、３２のＸ方向正方向側に配置されている。なお、接合装置４０、４１の装置数や鉛直方向及び水平方向の配置は任意に設定することができる。

　接合装置４０、４１の間（Ｘ方向）の領域であって、トランジション装置３１、３２のＹ方向正方向側の領域には、第１のウェハ搬送領域４２が形成されている。第１のウェハ搬送領域４２には、例えば第１のウェハ搬送装置４３が配置されている。

　第１のウェハ搬送装置４３は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１のウェハ搬送装置４３は、第１のウェハ搬送領域４２内を移動し、周囲の温度調節装置３０、トランジション装置３１、３２、接合装置４０、４１、及び後述するトランジション装置５０、５１に、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。

　第１のウェハ搬送領域４２のＹ方向正方向側には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳのトランジション装置５０、５１が設けられている。トランジション装置５０、５１は、図２に示すように下からこの順で２段に設けられている。

　図１に示すようにトランジション装置５０、５１のＸ方向負方向側には、被処理ウェハＷの位置調節を行い、且つ支持ウェハＳの位置調節を行うと共に、当該支持ウェハＳの表裏面を反転させる位置調節装置５２が設けられている。なお、トランジション装置５０、５１と位置調節装置５２は、一体に設けられていてもよい。

　またトランジション装置５０、５１のＹ方向正方向側には、被処理ウェハＷに接着剤Ｇを塗布する塗布装置６０と、接着剤Ｇが塗布された被処理ウェハＷを所定の温度に加熱する熱処理装置６１～６６とが設けられている。塗布装置６０はトランジション装置５０、５１のＸ方向負方向側に配置され、熱処理装置６１～６６はトランジション装置５０、５１のＸ方向正方向側に配置されている。図２に示すように熱処理装置６１～６６は、Ｙ方向正方向に２列に並べて配置されている。また熱処理装置６１～６３と熱処理装置６４～６６は、それぞれ下からこの順で３段に設けられている。なお、塗布装置６０の装置数は任意に設定することができ、接合システム１に複数の塗布装置を設けてもよい。また、熱処理装置６１～６６の装置数や鉛直方向及び水平方向の配置も任意に設定することができる。

　塗布装置６０と熱処理装置６１～６６の間（Ｘ方向）の領域であって、トランジション装置５０、５１のＹ方向正方向側の領域には、第２のウェハ搬送領域６７が形成されている。ウェハ搬送領域９０には、例えば第２のウェハ搬送装置６８が配置されている。

　第２のウェハ搬送装置６８は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第２のウェハ搬送装置６８は、第２のウェハ搬送領域６７内を移動し、周囲のトランジション装置５０、５１、塗布装置６０及び熱処理装置６１～６６に、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳを搬送できる。

　次に、上述した接合装置４０、４１の構成について説明する。接合装置４０は、後述する接合装置４０の構成部材を内部に収容する筐体（図示せず）を有していてもよいが、ここでは図示を省略する。接合装置４０が筐体を有する場合、当該筐体の第１のウェハ搬送領域４２側の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口が形成され、当該には開閉シャッタが設けられる。

　接合装置４０は、図４に示すように被処理ウェハＷを上面で載置して保持する第１の保持部１００と、支持ウェハＳを下面で吸着保持する第２の保持部１０１とを有している。第１の保持部１００は、第２の保持部１０１の下方に設けられ、第２の保持部１０１と対向するように配置されている。すなわち、第１の保持部１００に保持された被処理ウェハＷと第２の保持部１０１に保持された支持ウェハＳは対向して配置されている。

　第１の保持部１００には、例えば被処理ウェハＷを静電吸着するための静電チャックが用いられる。第１の保持部１００には、熱伝導性を有する窒化アルミセラミックなどのセラミックが用いられる。また、第１の保持部１００には、例えば直流高圧電源１１０が接続されている。そして、第１の保持部１００の表面に静電気力を生じさせて、被処理ウェハＷを第１の保持部１００上に静電吸着することができる。なお、第１の保持部１００の材質は本実施の形態に限定されず、例えば炭化ケイ素セラミックやアルミナセラミック等の他のセラミックを用いてもよいし、例えば第１の保持部１００の表面に絶縁層を形成する場合には、セラミックの他、例えばアルミニウムやステンレス等の金属材料を用いてもよい。

　第１の保持部１００の内部には、被処理ウェハＷを加熱する第１の加熱機構１１１が設けられている。第１の加熱機構１１１には、例えばヒータが用いられる。第１の加熱機構１１１による被処理ウェハＷの加熱温度は、例えば後述する制御部３５０により制御される。

　また、第１の保持部１００の下面側には、第１の冷却機構１１２が設けられている。第１の冷却機構１１２には、例えば銅製の冷却ジャケットが用いられる。すなわち、第１の冷却機構１１２に冷却媒体、例えば冷却ガスが流通し、当該冷却媒体によって被処理ウェハＷが冷却される。第１の冷却機構１１２による被処理ウェハＷの第１の冷却温度は、例えば後述する制御部３５０により制御される。なお、第１の冷却機構１１２は本実施の形態に限定されず、被処理ウェハＷを冷却できれば種々の構成を取り得る。例えば第１の冷却機構１１２には、ペルチェ素子などの冷却部材が内蔵されていてもよい。

　さらに、第１の冷却機構１１２の下面側には、断熱板１１３が設けられている。断熱板１１３は、第１の加熱機構１１１により被処理ウェハＷを加熱する際の熱が後述する下部チャンバ１８１側に伝達されるのを防止する。なお断熱板１１３には、例えば窒化ケイ素が用いられる。

　第１の保持部１００の下方には、被処理ウェハＷ又は重合ウェハＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１２０が例えば３箇所に設けられている。昇降ピン１２０は、昇降駆動部１２１により上下動できる。昇降駆動部１２１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、第１の保持部１００の中央部付近には、第１の保持部１００及び下部チャンバ１８１を厚み方向に貫通する貫通孔１２２が例えば３箇所に形成されている。そして、昇降ピン１２０は貫通孔１２２を挿通し、第１の保持部１００の上面から突出可能になっている。なお、昇降駆動部１２１は後述する下部チャンバ１８１の下部に設けられている。そして昇降駆動部１２１は、支持部材１３０上に設けられている。

　第２の保持部１０１には、例えば支持ウェハＳを静電吸着するための静電チャックが用いられる。第２の保持部１０１には、熱伝導性を有する窒化アルミセラミックなどのセラミックが用いられる。また、第２の保持部１０１には、例えば直流高圧電源１４０が接続されている。そして、第２の保持部１０１の表面に静電気力を生じさせて、支持ウェハＳを第２の保持部１０１上に静電吸着することができる。なお、第２の保持部１０１の材質は本実施の形態に限定されず、例えば炭化ケイ素セラミックやアルミナセラミック等の他のセラミックを用いてもよいし、例えば第２の保持部１０１の表面に絶縁層を形成する場合には、セラミックの他、例えばアルミニウムやステンレス等の金属材料を用いてもよい。

　第２の保持部１０１の内部には、支持ウェハＳを加熱する第２の加熱機構１４１が設けられている。第２の加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。２の加熱機構２４１には、例えばヒータが用いられる。第２の加熱機構１４１による被処理ウェハＷの加熱温度は、例えば後述する制御部３５０により制御される。

　また、第２の保持部１０１の上面側には、第２の冷却機構１４２が設けられている。第２の冷却機構１４２には、例えば銅製の冷却ジャケットが用いられる。すなわち、第２の冷却機構１４２に冷却媒体、例えば冷却ガスが流通し、当該冷却媒体によって支持ウェハＳが冷却される。第２の冷却機構１４２による被処理ウェハＷの第２の冷却温度は、例えば後述する制御部３５０により制御される。なお、第２の冷却機構１４２は本実施の形態に限定されず、第２の冷却機構１４２を冷却できれば種々の構成を取り得る。例えば第２の冷却機構１４２には、ペルチェ素子などの冷却部材が内蔵されていてもよい。

　なお、第２の保持部１０１は、第２の冷却機構１４２の上面側に設けられた断熱板（図示せず）を有していてもよい。この断熱板は、第２の加熱機構１４１により支持ウェハＳを加熱する際の熱が後述する支持板１５０側に伝達されるのを防止する。

　第２の保持部１０１の上面側には、支持板１５０を介して、第２の保持部１０１を鉛直下方に押圧する加圧機構１６０が設けられている。加圧機構１６０は、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを覆うように設けられた圧力容器１６１と、圧力容器１６１の内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管１６２と、内部に流体を貯留し、流体供給管１６２に流体を供給する流体を流体供給源１６３とを有している。

　なお、これら第２の保持部１０１の上面側の部材は、支持板１５０の上方に設けられたエアシリンダ（図示せず）に支持されている。そして、支持板１５０の上方に設けられた調整ボルト（図示せず）によって、上部チャンバ１８２の平行出しや、第２の保持部１０１と第１の保持部１００との隙間の調整が行われる。

　圧力容器１６１は、例えば鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。圧力容器１６１は、その下面が支持板１５０の上面に固定されると共に、上面が第２の保持部１０１の上方に設けられた支持板１６４の下面に固定されている。流体供給管１６２は、その一端が圧力容器１６１に接続され、他端が流体供給源１６３に接続されている。そして、圧力容器１６１に流体供給管１６２から流体を供給することで、圧力容器１６１が伸長する。この際、圧力容器１６１の上面と支持板１６４の下面とが当接しているので、圧力容器１６１は下方向にのみ伸長し、圧力容器１６１の下面に設けられた第２の保持部１０１を下方に押圧することができる。そして圧力容器１６１が伸縮性を有するので、第２の保持部１０１の平行度と第１の保持部１００の平行度に差異が生じていても、圧力容器１６１はその差異を吸収できる。またこの際、圧力容器１６１の内部は流体により加圧されており、均一に押圧できる。さらに圧力容器１６１の平面形状は被処理ウェハＷと支持ウェハＳの平面形状と同一であり、圧力容器１６１の径は被処理ウェハＷの径と同じ、例えば３００ｍｍであるため、余計なエッジ応力が発生しない。したがって、第１の保持部１００と第２の保持部１０１の平行度に関わらず、圧力容器１６１は第２の保持部１０１（被処理ウェハＷと支持ウェハＳ）を面内均一に押圧することができる。第２の保持部１０１を押圧する際の圧力の調節は、圧力容器１６１に供給する圧縮空気の圧力を調節することで行われる。なお、支持板１６４は、加圧機構１６０により第２の保持部１０１にかかる荷重の反力を受けても変形しない強度を有する部材により構成されているのが好ましい。

　第１の保持部１００と第２の保持部１０１との間には、第１の保持部１００に保持された被処理ウェハＷの表面を撮像する第１の撮像部１７０と、第２の保持部１０１に保持された支持ウェハＳの表面を撮像する第２の撮像部１７１とが設けられている。第１の撮像部１７０と第２の撮像部１７１には、例えば広角型のＣＣＤカメラがそれぞれ用いられる。また、第１の撮像部１７０と第２の撮像部１７１は、移動機構（図示せず）によって鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。

　接合装置４０は、内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０は、上述した第１の保持部１００、第２の保持部１０１、支持板１５０、圧力容器１６１、支持板１６４、第１の撮像部１７０、第２の撮像部１７１を内部に収容する。

　処理容器１８０は、第１の保持部１００を支持する下部チャンバ１８１と、第２の保持部１０１を支持する上部チャンバ１８２とを有している。上部チャンバ１８２は、例えばエアシリンダ等の昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に昇降可能に構成されている。下部チャンバ１８１における上部チャンバ１８２との接合面には、処理容器１８０の内部の気密性を保持するためのシール材１８３が設けられている。シール材１８３には、例えばＯリングが用いられる。そして、図５に示すように下部チャンバ１８１と上部チャンバ１８２を当接させることで、処理容器１８０の内部が密閉空間に形成される。

　上部チャンバ１８２の周囲には、図６に示すように当該上部チャンバ１８２を介して第２の保持部１０１を水平方向に移動させる移動機構１９０が複数、例えば５つ設けられている。５つの移動機構１９０のうち、４つの移動機構１９０は第２の保持部１０１の水平方向への移動に用いられ、１つの移動機構１９０は第２の保持部１０１の鉛直軸周り（θ方向）の回転に用いられる。移動機構１９０は、図４に示すように上部チャンバ１８２に当接して第２の保持部１０１を移動させるカム１９１と、シャフト１９２を介してカム１９１を回転させる、例えばモータ（図示せず）を内蔵した回転駆動部１９３とを有している。カム１９１はシャフト１９２の中心軸に対して偏心して設けられている。そして、回転駆動部１９３によりカム１９１を回転させることで、第２の保持部１０１に対するカム１９１の中心位置が移動し、第２の保持部１０１を水平方向に移動させることができる。

　下部チャンバ１８１には、処理容器１８０内の雰囲気を減圧する減圧機構２００が設けられている。減圧機構２００は、処理容器１８０内の雰囲気を吸気するための吸気管２０１と、吸気管２０１に接続された例えば真空ポンプなどの負圧発生装置２０２とを有している。

　なお、接合装置４１の構成は、上述した接合装置４０の構成と同様であるので説明を省略する。

　次に、上述した位置調節装置５２の構成について説明する。位置調節装置５２は、図７に示すように内部を閉鎖可能な処理容器２１０を有している。処理容器２１０のトランジション装置５０、５１側の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

　処理容器２１０の内部には、図７～図９に示すように支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを保持する保持アーム２２０が設けられている。保持アーム２２０は、水平方向（図７及び図８中のＸ方向）に延伸している。また保持アーム２２０には、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを保持する保持部材２２１が例えば４箇所に設けられている。保持部材２２１は、図１０に示すように保持アーム２２０に対して水平方向に移動可能に構成されている。また保持部材２２１の側面には、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷの外周部を保持するための切り欠き２２２が形成されている。そして、これら保持部材２２１は、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを挟み込んで保持することができる。

　保持アーム２２０は、図７～図９に示すように例えばモータなどを備えた第１の駆動部２２３に支持されている。この第１の駆動部２２３によって、保持アーム２２０は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向（図７及び図８中のＸ方向、図７及び図９のＹ方向）に移動できる。なお、第１の駆動部２２３は、保持アーム２２０を鉛直軸周りに回動させて、当該保持アーム２２０を水平方向に移動させてもよい。第１の駆動部２２３の下方には、例えばモータなどを備えた第２の駆動部２２４が設けられている。この第２の駆動部２２４によって、第１の駆動部２２３は鉛直方向に延伸する支持柱２２５に沿って鉛直方向に移動できる。このように第１の駆動部２２３と第２の駆動部２２４によって、保持部材２２１に保持された支持ウェハＳ、被処理ウェハＷは、水平軸周りに回動できると共に鉛直方向及び水平方向に移動できる。

　なお、本実施の形態の保持アーム２２０は、トランジション装置５０、５１との間で支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを搬送するが、トランジション装置５０、５１と位置調節装置５２との間の支持ウェハＳ、被処理ウェハＷの搬送は、別途設けられた搬送アームを用いて行ってもよい。

　支持柱２２５には、保持部材２２１に保持された支持ウェハＳ、被処理ウェハＷの水平方向の向きを調節する位置調節機構２３０が支持板２３１を介して支持されている。位置調節機構２３０は、保持アーム２２０に隣接して設けられている。

　位置調節機構２３０は、基台２３２と、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出する検出部２３３とを有している。そして、位置調節機構２３０では、保持部材２２１に保持された支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを水平方向に移動させながら、検出部２３３で支持ウェハＳ、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して支持ウェハＳ、被処理ウェハＷの水平方向の向きを調節している。

　次に、上述した塗布装置６０の構成について説明する。塗布装置６０は、図１１に示すように内部を密閉可能な処理容器２４０を有している。処理容器２４０の第２のウェハ搬送領域６７側の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

　処理容器２４０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２５０が設けられている。スピンチャック２５０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば被処理ウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理ウェハＷをスピンチャック２５０上に吸着保持できる。

　スピンチャック２５０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部２５１が設けられている。スピンチャック２５０は、チャック駆動部２５１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部２５１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック２５０は昇降自在になっている。

　スピンチャック２５０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ２５２が設けられている。カップ２５２の下面には、回収した液体を排出する排出管２５３と、カップ２５２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管２５４が接続されている。

　図１２に示すようにカップ２５２のＸ方向負方向（図１２中の下方向）側には、Ｙ方向（図１２中の左右方向）に沿って延伸するレール２６０が形成されている。レール２６０は、例えばカップ２５２のＹ方向負方向（図１２中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１２中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２６０には、アーム２６１が取り付けられている。

　アーム２６１には、図１１及び図１２に示すように被処理ウェハＷに液体状の接着剤Ｇを供給する接着剤ノズル２６２が支持されている。アーム２６１は、図１２に示すノズル駆動部２６３により、レール２６０上を移動自在である。これにより、接着剤ノズル２６２は、カップ２５２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２６４からカップ２５２内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２６１は、ノズル駆動部２６３によって昇降自在であり、接着剤ノズル２６２の高さを調節できる。

　接着剤ノズル２６２には、図１１に示すように当該接着剤ノズル２６２に接着剤Ｇを供給する供給管２６５が接続されている。供給管２６５は、内部に接着剤Ｇを貯留する接着剤供給源２６６に連通している。また、供給管２６５には、接着剤Ｇの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２６７が設けられている。

　なお、スピンチャック２５０の下方には、被処理ウェハＷの裏面、すなわち非接合面Ｗ_Ｎに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎと被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。

　次に、上述した熱処理装置６１～６６の構成について説明する。熱処理装置６１は、図１３に示すように内部を閉鎖可能な処理容器２７０を有している。処理容器２７０の第２のウェハ搬送領域６７側の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

　処理容器２７０の天井面には、当該処理容器２７０の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口２７１が形成されている。ガス供給口２７１には、ガス供給源２７２に連通するガス供給管２７３が接続されている。ガス供給管２７３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２７４が設けられている。

　処理容器２７０の底面には、当該処理容器２７０の内部の雰囲気を吸引する吸気口２７５が形成されている。吸気口２７５には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置２７６に連通する吸気管２７７が接続されている。

　処理容器２７０の内部には、被処理ウェハＷを加熱処理する加熱部２８０と、被処理ウェハＷを温度調節する温度調節部２８１が設けられている。加熱部２８０と温度調節部２８１はＹ方向に並べて配置されている。

　加熱部２８０は、熱板２９０を収容して熱板２９０の外周部を保持する環状の保持部材２９１と、その保持部材２９１の外周を囲む略筒状のサポートリング２９２を備えている。熱板２９０は、厚みのある略円盤形状を有し、被処理ウェハＷを載置して加熱することができる。また、熱板２９０には、例えば加熱機構２９３が内蔵されている。加熱機構２９３には、例えばヒータが用いられる。熱板２９０の加熱温度は例えば後述する制御部３５０により制御され、熱板２９０上に載置された被処理ウェハＷが所定の温度に加熱される。

　熱板２９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３００が例えば３本設けられている。昇降ピン３００は、昇降駆動部３０１により上下動できる。熱板２９０の中央部付近には、当該熱板２９０を厚み方向に貫通する貫通孔３０２が例えば３箇所に形成されている。そして、昇降ピン３００は貫通孔３０２を挿通し、熱板２９０の上面から突出可能になっている。

　温度調節部２８１は、温度調節板３１０を有している。温度調節板３１０は、図１４に示すように略方形の平板形状を有し、熱板２９０側の端面が円弧状に湾曲している。温度調節板３１０には、Ｙ方向に沿った２本のスリット３１１が形成されている。スリット３１１は、温度調節板３１０の熱板２９０側の端面から温度調節板３１０の中央部付近まで形成されている。このスリット３１１により、温度調節板３１０が、加熱部２８０の昇降ピン３００及び後述する温度調節部２８１の昇降ピン３２０と干渉するのを防止できる。また、温度調節板３１０には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材（図示せず）が内蔵されている。温度調節板３１０の冷却温度は例えば後述する制御部３５０により制御され、温度調節板３１０上に載置された被処理ウェハＷが所定の温度に冷却される。

　温度調節板３１０は、図１３に示すように支持アーム３１２に支持されている。支持アーム３１２には、駆動部３１３が取り付けられている。駆動部３１３は、Ｙ方向に延伸するレール３１４に取り付けられている。レール３１４は、温度調節部２８１から加熱部２８０まで延伸している。この駆動部３１３により、温度調節板３１０は、レール３１４に沿って加熱部２８０と温度調節部２８１との間を移動可能になっている。

　温度調節板３１０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３２０が例えば３本設けられている。昇降ピン３２０は、昇降駆動部３２１により上下動できる。そして、昇降ピン３２０はスリット３１１を挿通し、温度調節板３１０の上面から突出可能になっている。

　なお、熱処理装置６２～６６の構成は、上述した熱処理装置６１の構成と同様であるので説明を省略する。

　また、温度調節装置３０は、上述した熱処理装置６１とほぼ同様の構成を有し、熱板２９０に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、当該温度調節装置３０では、上述した熱処理装置６１の温度調節部２８１が省略される。

　以上の接合システム１には、図１に示すように制御部３５０が設けられている。制御部３５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、接合システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、接合システム１における後述の接合処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３５０にインストールされたものであってもよい。

　次に、以上のように構成された接合システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理方法について説明する。図１５は、かかる接合処理の主な工程の例を示すフローチャートである。

　先ず、複数枚の被処理ウェハＷを収容したカセットＣ_Ｗ、複数枚の支持ウェハＳを収容したカセットＣ_Ｓ、及び空のカセットＣ_Ｔが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣ_Ｗ内の被処理ウェハＷが取り出され、処理ステーション３のトランジション装置３１に搬送される。このとき、被処理ウェハＷは、その非接合面Ｗ_Ｎが下方を向いた状態で搬送される。

　次に被処理ウェハＷは、第１のウェハ搬送装置４３によってトランジション装置５０に搬送された後、第２のウェハ搬送装置６８によって塗布装置６０に搬送される。塗布装置６０に搬入された被処理ウェハＷは、第２のウェハ搬送装置６８からスピンチャック２５０に受け渡され吸着保持される。このとき、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが吸着保持される。

　続いて、アーム２６１によって待機部２６４の接着剤ノズル２６２を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック２５０によって被処理ウェハＷを回転させながら、接着剤ノズル２６２から被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊに接着剤Ｇを供給する。供給された接着剤Ｇは遠心力により被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊに接着剤Ｇが塗布される（図１５の工程Ａ１）。

　次に被処理ウェハＷは、第２のウェハ搬送装置６８によって熱処理装置６１に搬送される。このとき熱処理装置６１の内部は、不活性ガスの雰囲気に維持されている。熱処理装置６１に被処理ウェハＷが搬入されると、被処理ウェハＷは第２のウェハ搬送装置６８から予め上昇して待機していた昇降ピン３２０に受け渡される。続いて昇降ピン３２０を下降させ、被処理ウェハＷを温度調節板３１０に載置する。

　その後、駆動部３１３により温度調節板３１０をレール３１４に沿って熱板２９０の上方まで移動させ、被処理ウェハＷは予め上昇して待機していた昇降ピン３００に受け渡される。その後、昇降ピン３００が下降して、被処理ウェハＷが熱板２９０上に載置される。そして、熱板２９０上の被処理ウェハＷは、所定の温度、例えば１００℃～３００℃に加熱される（図１５の工程Ａ２）。かかる熱板２９０による加熱を行うことで被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇが加熱され、当該接着剤Ｇが硬化する。

　その後、昇降ピン３００が上昇すると共に、温度調節板３１０が熱板２９０の上方に移動する。続いて被処理ウェハＷが昇降ピン３００から温度調節板３１０に受け渡され、温度調節板３１０が第２のウェハ搬送領域６７側に移動する。この温度調節板３１０の移動中に、被処理ウェハＷは所定の温度、例えば常温である２３℃に温度調節される。

　次に被処理ウェハＷは、第２のウェハ搬送装置６８によってトランジション装置５０に搬送される。

　トランジション装置５０に収容された被処理ウェハＷは、位置調節装置５２の保持アーム２２０によって当該位置調節装置５２に搬送される。続いて被処理ウェハＷは、保持アーム２２０に保持された状態で、位置調節機構２３０に移動される。そして、位置調節機構２３０において、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節して、当該被処理ウェハＷの水平方向の向きが調節される（図１５の工程Ａ３）。

　次に被処理ウェハＷは、保持アーム２２０によってトランジション装置５１に搬送された後、第１のウェハ搬送装置４３によって接合装置４０に搬送される。このとき接合装置４０において、上部チャンバ１８２は下部チャンバ１８１の上方に位置しており、上部チャンバ１８２と下部チャンバ１８１は当接しておらず、処理容器１８０内が密閉空間に形成されていない。そして、接合装置４０に搬送された被処理ウェハＷは、第１の保持部１００に載置される（図１５の工程Ａ４）。第１の保持部１００上では、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが上方を向いた状態、すなわち接着剤Ｇが上方を向いた状態で被処理ウェハＷが吸着保持される。

　被処理ウェハＷに上述した工程Ａ１～Ａ４の処理が行われている間、当該被処理ウェハＷに続いて支持ウェハＳの処理が行われる。支持ウェハＳは、第１のウェハ搬送装置４３によってトランジション装置５０に搬送された後、保持アーム２２０によって位置調節装置５２に搬送される。なお、支持ウェハＳが位置調節装置５２に搬送される工程については、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。

　位置調節装置５２に搬送された支持ウェハＳは、保持アーム２２０に保持された状態で、位置調節機構２３０に移動される。そして、位置調節機構２３０において、支持ウェハＳのノッチ部の位置を調節して、当該支持ウェハＳの水平方向の向きが調節される（図１５の工程Ａ５）。水平方向の向きが調節された支持ウェハＳは、位置調節機構２３０から水平方向に移動され、且つ鉛直方向上方に移動された後、その表裏面が反転される（図１５の工程Ａ６）。すなわち、支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊが下方に向けられる。

　次に被処理ウェハＷは、保持アーム２２０によってトランジション装置５１に搬送された後、第１のウェハ搬送装置４３によって接合装置４０に搬送される。接合装置４０に搬送された支持ウェハＳは、第２の保持部１０１に吸着保持される（図１５の工程Ａ７）。第２の保持部１０１では、支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊが下方を向いた状態で支持ウェハＳが保持される。

　接合装置４０では、先ず、第１の保持部１００に保持された被処理ウェハＷと第２の保持部１０１に保持された支持ウェハＳとの水平方向の位置調節が行われる。被処理ウェハＷの表面と支持ウェハＳの表面には、予め定められた複数、例えば４点以上の基準点が形成されている。そして、第１の撮像部１７０を水平方向に移動させ、被処理ウェハＷの表面が撮像される。また、第２の撮像部１７１を水平方向に移動させ、支持ウェハＳの表面が撮像される。その後、第１の撮像部１７０が撮像した画像に表示される被処理ウェハＷの基準点の位置と、第２の撮像部１７１が撮像した画像に表示される支持ウェハＳの基準点の位置とが合致するように、移動機構１９０によって支持ウェハＳの水平方向の位置（水平方向の向きを含む）が調節される。すなわち、回転駆動部１９３によってカム１９１を回転させて上部チャンバ１８２を介して第２の保持部１０１を水平方向に移動させ、支持ウェハＳの水平方向の位置が調節される。こうして被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの水平方向の位置が調節される（図１５の工程Ａ８）。

　その後、第１の撮像部１７０と第２の撮像部１７１を第１の保持部１００と第２の保持部１０１との間から退出させた後、移動機構（図示せず）によって上部チャンバ１８２を下降させる。そして、図５に示したように上部チャンバ１８２と下部チャンバ１８１を当接させて、これら上部チャンバ１８２と下部チャンバ１８１で構成される処理容器１８０の内部が密閉空間に形成される。このとき、第１の保持部１００に保持された被処理ウェハＷと第２の保持部１０１に保持された支持ウェハＳとの間には、微小な隙間が形成されている。すなわち、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは当接していない。

　その後、減圧機構２００によって処理容器１８０内の雰囲気を吸引し、処理容器１８０内を真空状態まで減圧する（図１５の工程Ａ９）。本実施の形態では、処理容器１８０内を所定の真空圧、例えば１０．０Ｐａ以下まで減圧する。

　その後、図１６に示すように圧力容器１６１に圧縮空気を供給し、当該圧力容器１６１内を所定の圧力、例えば１．００００１ＭＰａにする。ここで、処理容器１８０内は真空状態に維持されており、圧力容器１６１は処理容器１８０内の真空雰囲気内に配置されている。このため、加圧機構１６０によって下方に押圧される圧力、すなわち圧力容器１６１から第２の保持部１０１に伝達される圧力は、圧力容器１６１内の圧力と処理容器１８０内の圧力との差圧１．０ＭＰａになる。すなわち、加圧機構１６０によって第２の保持部１０１を押圧する圧力は、所定の真空圧力より小さい。そして、この加圧機構１６０によって第２の保持部１０１が下方に押圧され、被処理ウェハＷの全面と支持ウェハＳの全面が当接する。被処理ウェハＷと支持ウェハＳが当接する際、被処理ウェハＷと支持ウェハＳはそれぞれ第１の保持部１００と第２の保持部１０１に吸着保持されているので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの位置ずれが生じない。また圧力容器１６１の平面形状は被処理ウェハＷと支持ウェハＳの平面形状と同一であるため、加圧機構１６０は被処理ウェハＷと支持ウェハＳを全面で押圧することになる。さらにこのとき、加熱機構１１１、１４１により被処理ウェハＷと支持ウェハＳを所定の温度、例えば１００℃～４００℃で加熱する。このように被処理ウェハＷと支持ウェハＳを所定の温度で加熱しながら、加圧機構１６０により第２の保持部１０１を所定の圧力で押圧することによって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳがより強固に接着され、接合される（図２７の工程Ａ１０）。なお、工程Ａ１０において、処理容器１８０内は真空状態に維持されているため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを当接させても、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの間におけるボイドの発生を抑制することができる。また、本実施の形態では加圧機構１６０によって１．０ＭＰａで第２の保持部１０１を押圧したが、この押圧する際の圧力は、接着剤Ｇの種類や被処理ウェハＷ上のデバイスの種類等に応じて設定される。

　被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合された重合ウェハＴは、第１のウェハ搬送装置４３によって温度調節装置３０に搬送される。そして温度調節装置３０において、重合ウェハＴは所定の温度、例えば常温である２３℃に温度調節される（図２７の工程Ａ１１）。このように温度調節を行うことにより、重合ウェハＴに反りが生じるのを抑制することができる。その後、重合ウェハＴは、搬入出ステーション２のウェハ搬送装置２２によって所定のカセット載置板１１のカセットＣ_Ｔに搬送される。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理が終了する。

　以上の実施の形態によれば、接合システム１において複数の接合装置４０、４１に対して一の位置調節装置５２が設けられており、すなわち位置調節装置５２が複数の接合装置４０、４１に共通化されている。このため、従来のように接合装置と位置調節装置を１対１で設けた場合に比べて、位置調節装置５２の数を減少させた分、接合システム１の占有面積を小さくすることができる。またこれに伴い、接合システム１の製造コストを低廉化することもできる。

　なお、接合装置４０、４１では、工程Ａ１０において被処理ウェハＷと支持ウェハを接合する直前に、工程Ａ８において第１の撮像部１７０と第２の撮像部１７１により、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの水平方向の位置が高精度に調節される。このため、位置調節装置５２では、それほど高い精度の位置調節が要求されない。かかる観点からも、従来のように接合装置と位置調節装置を１対１で設ける必要がなく、複数の接合装置４０、４１に対して位置調節装置５２を共通化して設けることができる。

　また、接合システム１は塗布装置６０、熱処理装置６１～６６、位置調節装置５２、接合装置４０、４１、温度調節装置３０を有しているので、当該一の接合システム１において工程Ａ１～Ａ１１を行い、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの一連の接合処理を適切に行うことができる。

　また、一の接合システム１において、工程Ａ１～Ａ１１の一連の接合処理を複数の被処理ウェハＷと複数の支持ウェハＳに対して並行して行うことができる。特に接合システム１には複数の接合装置４０、４１が設けられているので、複数の被処理ウェハＷと複数の支持ウェハＳに対して工程Ａ８～Ａ１０の接合を並行して行うことができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理のスループットを向上させることができる。

　以上の実施の形態では、接合システム１に重合ウェハＴの温度調節を行う温度調節装置３０を設けていたが、当該重合ウェハＴの温度調節を熱処理装置６１～６６において行ってもよい。かかる場合、温度調節装置３０を省略することができる。

　以上の実施の形態の接合システム１において、工程Ａ１で被処理ウェハＷに接着剤Ｇが塗布される前に、位置調節装置５２に被処理ウェハＷを搬送し、当該被処理ウェハＷの水平方向の向きを調節してもよい。この位置調節装置５２における被処理ウェハＷの位置調節は、上記工程Ａ３と同様であるので説明を省略する。

　かかる場合、被処理ウェハＷが適切に位置調節された状態で工程Ａ１が行われるので、被処理ウェハＷに接着剤Ｇを面内均一に塗布することができ、さらに後続の工程Ａ２において被処理ウェハＷを面内均一に熱処理することができる。したがって、接合システム１における一連の接合処理をより適切に行うことができる。

　以上の実施の形態の接合システム１において、工程Ａ２で熱処理された被処理ウェハＷに対して、当該被処理ウェハＷの外周部からはみ出した不要な接着剤Ｇを除去して、外周部を洗浄する外周部洗浄装置を設けてもよい。この外周部洗浄装置は、例えば熱処理装置６１～６６の下段に設けられる。

　図１７及び図１８に示すように外周部洗浄装置４００は、内部を密閉可能な処理容器４１０を有している。処理容器４１０の第２のウェハ搬送領域６７側の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

　処理容器４１０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック４２０が設けられている。スピンチャック４２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば被処理ウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理ウェハＷをスピンチャック４２０上に吸着保持できる。

　スピンチャック４２０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部４２１が設けられている。スピンチャック４２０は、チャック駆動部４２１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部４２１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック４２０は昇降自在になっている。さらに、チャック駆動部４２１は、Ｙ方向に沿って延伸するレール４２２に取り付けられている。スピンチャック４２０は、チャック駆動部４２１により、レール４２２に沿って移動自在になっている。

　スピンチャック４２０の側方には、接着剤Ｇの溶剤を供給する溶剤供給部４３０が設けられている。溶剤供給部４３０は、支持部材（図示せず）によって処理容器４１０に固定されている。溶剤供給部４３０は、図１９に示すように被処理ウェハＷの外周部からはみ出した外側接着剤Ｇ_Ｅに対して、接着剤Ｇの溶剤を供給する。

　溶剤供給部４３０は、被処理ウェハＷに対して上方に配置された上部ノズル４３１と、被処理ウェハＷに対して下方に配置された下部ノズル４３２とを有している。上部ノズル４３１は、天井部４３１ａと側壁部４３１ｂを備え、被処理ウェハＷの外周部の上部を覆うように設けられている。また、下部ノズル４３２は、底部４３２ａと側壁部４３２ｂを備え、被処理ウェハＷの外周部の下部を覆うように設けられている。そして、これら上部ノズル４３１と下部ノズル４３２により、図１７及び図１８に示すように溶剤供給部４３０は略直方体形状を有している。また、溶剤供給部４３０のスピンチャック４２０側の側面は開口し、当該開口部にスピンチャック４２０に保持された被処理ウェハＷの外周部が挿入されるようになっている。

　図１９に示すように、上部ノズル４３１の天井部４３１ａの下面には、被処理ウェハＷの上方から外側接着剤Ｇ_Ｅに対して、接着剤Ｇの溶剤を供給する供給口４３３が形成されている。また、下部ノズル４３２の底部４３２ａの上面には、被処理ウェハＷの下方から外側接着剤Ｇ_Ｅに対して、接着剤Ｇの溶剤を供給する供給口４３４が形成されている。

　上部ノズル４３１と下部ノズル４３２には、当該上部ノズル４３１と下部ノズル４３２に接着剤Ｇの溶剤を供給する供給管４３５が接続されている。供給管４３５は、内部に接着剤Ｇの溶剤を貯留する溶剤供給源４３６に連通している。また、供給管４３５には、接着剤Ｇの溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４３７が設けられている。なお、接着剤Ｇの溶剤には、例えば有機系のシンナーが用いられる。

　上部ノズル４３１の側壁部４３１ｂと下部ノズル４３２の側壁部４３２ｂとの間には、外側接着剤Ｇ_Ｅを除去後の接着剤Ｇの溶剤を排出し、上部ノズル４３１と下部ノズル４３２で囲まれた領域の雰囲気を排気する排出管４４０が設けられている。排出管４４０は、エジェクタ４４１に接続されている。

　なお、外周部洗浄装置４００において、スピンチャック４２０の周囲であって、溶剤供給部４３０の外側には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ（図示せず）が設けられていてもよい。このカップの構成は、塗布装置６０におけるカップ２５２の構成と同様である。また、本実施の形態の外周部洗浄装置４００では、スピンチャック４２０をレール４２２に沿って移動させていたが、溶剤供給部４３０を水平方向（図１７及び図１８中のＹ方向）に移動させてもよい。

　かかる場合、工程Ａ２で熱処理された被処理ウェハＷは、第２のウェハ搬送装置６８によって外周部洗浄装置４００に搬送される。外周部洗浄装置４００に搬送された被処理ウェハＷは、第２のウェハ搬送装置６８からスピンチャック４２０に受け渡され吸着保持される。このとき、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが吸着保持される。また、スピンチャック４２０は、被処理ウェハＷが溶剤供給部４３０と衝突しない位置に退避している。続いて、スピンチャック４２０を所定の位置まで下降させた後、さらにスピンチャック４２０を溶剤供給部４３０側に水平方向に移動させて、被処理ウェハＷの外周部を溶剤供給部４３０内の上部ノズル４３１と下部ノズル４３２の間に挿入する。このとき、被処理ウェハＷは、上部ノズル４３１と下部ノズル４３２の間の真中に位置している。

　その後、スピンチャック４２０によって被処理ウェハＷを回転させながら、上部ノズル４３１と下部ノズル４３２から外側接着剤Ｇ_Ｅに接着剤Ｇの溶剤を供給し、当該外側接着剤Ｇ_Ｅが除去される。こうして、被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。なお、外側接着剤Ｇ_Ｅを除去後の接着剤Ｇの溶剤や、溶剤供給部４３０内の雰囲気は、エジェクタ４４１によって排出管４４０から強制的に排出される。

　かかる場合、外周部洗浄装置４００において被処理ウェハＷの外周部からはみ出した不要な外側接着剤Ｇ_Ｅを除去できるので、その後接合装置４０において、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合を適切に行うことができる。また外側接着剤Ｇ_Ｅがウェハ搬送装置や処理装置に付着するのを抑制することができ、当該外側接着剤Ｇ_Ｅが他の被処理ウェハＷや支持ウェハＳに付着するのを抑制することもできる。

　以上の実施の形態の接合システム１において、工程Ａ１０で接合されて工程Ａ１１で温度調節された重合ウェハＴに対して、当該重合ウェハＴの内部の検査と重合ウェハＴの接合状態の検査を行う検査装置を設けてもよい。この検査装置は、例えばトランジション装置３２の上段に設けられる。

　図２０及び図２１に示すように検査装置４５０は、処理容器４６０を有している。処理容器４６０の第１のウェハ搬送領域４２側の側面と搬入出ステーション２側の側面には、それぞれ重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

　処理容器４６０の内部のＹ方向正方向側には、外部との間で重合ウェハＴを受け渡し、さらに後述する第１の保持部４８０との間で重合ウェハＴを受け渡すための昇降ピン４７０が設けられている。昇降ピン４７０は、支持部材４７１上に例えば３箇所に設けられている。また昇降ピン４７０は、例えばモータなどを備えた昇降駆動部４７２により昇降自在になっている。

　また処理容器４６０の内部には、重合ウェハＴの裏面を保持する第１の保持部４８０が設けられている。第１の保持部４８０は、平面視略矩形状の４つの支持部材４８１～４８４を有している。これら支持部材４８１～４８４は、平面視において隣り合う支持部材が互いに直交する方向に延伸している。すなわち、支持部材４８１、４８３はＹ方向に延伸し、支持部材４８２、４８４はＸ方向に延伸している。なお以下において、支持部材４８１～２９４を、それぞれ第１の支持部材４８１、第２の支持部材４８２、第３の支持部材４８３、第４の支持部材４８４という場合がある。

　第１の保持部４８０において重合ウェハＴは、その中心が第１の支持部材４８１と第２の支持部材４８２の間に位置するように保持される。そして第１の支持部材４８１と第２の支持部材４８２の間には、重合ウェハＴの裏面の１／４が露出するように切り欠き部４８５が形成されている。以下、切り欠き部４８５から露出した重合ウェハＴを重合ウェハＴ_ｎ（ｎは１～４の整数。）という場合がある。

　また各支持部材４８１～４８４の先端部上には、重合ウェハＴの裏面を保持する保持部材４８６がそれぞれ形成されている。なお保持部材４８６には、例えば樹脂製のＯリングを用いてもよいし、支持ピンを用いてもよい。樹脂製のＯリングを用いる場合には、保持部材４８６と重合ウェハＴの裏面との間の摩擦力によって、保持部材４８６は重合ウェハＴの裏面を保持する。

　第１の保持部４８０には、部材４９０を介して駆動部４９１が設けられている。駆動部４９１は、例えばモータ（図示せず）を内蔵している。処理容器４６０の底面には、Ｘ方向に沿って延伸するレール４９２が設けられている。レール４９２には、上記駆動部４９１が取り付けられている。そして第１の保持部４８０（駆動部４９１）は、レール４９２に沿って、昇降ピン４７０との間で重合ウェハＴの受け渡しを行う受渡位置Ｐ１と、後述する変位計５４０によって重合ウェハＴの接合状態を検査する検査位置Ｐ２との間で移動できる。

　処理容器４６０の内部には、重合ウェハＴを保持して回転（回動）させる第２の保持部５００が設けられている。第２の保持部５００は、上述した検査位置Ｐ２に設けられている。第２の保持部５００は水平な上面を有し、当該上面には、例えば重合ウェハＴを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、重合ウェハＴを第２の保持部５００上に吸着保持できる。

　第２の保持部５００は、例えばモータなどを備えた駆動部５０１が取り付けられている。第２の保持部５００は、駆動部５０１により回転（回動）できる。また駆動部５０１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、第２の保持部５００は昇降自在になっている。なお、第１の保持部４８０が検査位置Ｐ２に位置している際に第２の保持部５００を昇降させても、第２の保持部５００は第１の保持部４８０と干渉することはない。

　処理容器４６０の内部には、第１の保持部４８０の重合ウェハＴにおいて切り欠き部４８５から露出した裏面（重合ウェハＴ_ｎ）に赤外線を照射する赤外線照射部５１０が設けられている。赤外線照射部５１０は、受渡位置Ｐ１と検査位置Ｐ２との間であって第１の保持部４８０及び第２の保持部５００の下方に配置されている。また赤外線照射部５１０は、少なくとも重合ウェハＴ_ｎの幅よりも長くＹ方向に延伸している。赤外線照射部５１０から照射される赤外線の波長は１１００ｎｍ～２０００ｎｍである。かかる波長の赤外線は重合ウェハＴを透過する。

　また処理容器４６０の内部には、赤外線照射部５１０から照射された赤外線を受信し、第１の保持部４８０に保持された重合ウェハＴを切り欠き部４８５で露出した裏面毎に分割して撮像する撮像部５２０が設けられている。すなわち、撮像部５２０は重合ウェハＴ_ｎを撮像する。撮像部５２０には、例えば赤外線カメラが用いられる。撮像部５２０は、検査位置Ｐ２よりＸ方向負方向側、すなわち処理容器４６０のＸ方向負方向端部であって、第１の保持部４８０及び第２の保持部５００の上方に配置されている。また撮像部５２０は支持部材５２１に支持されている。撮像部５２０には、制御部３５０が接続されている。撮像部５２０で撮像された重合ウェハＴ_ｎの画像は制御部３５０に出力され、制御部３５０において重合ウェハＴ全体の画像に合成される。

　処理容器４６０の内部には、赤外線照射部５１０と撮像部５２０との間において赤外線の進行路の方向を変更させる方向変換部５３０、５３１が設けられている。方向変換部５３０、５３１は、赤外線照射部５１０より受渡位置Ｐ１側（Ｘ方向正方向側）において対向して配置されている。第１の方向変換部５３０は第１の保持部４８０及び第２の保持部５００の下方に配置され、第２の方向変換部５３１は第１の保持部４８０及び第２の保持部５００の上方に配置されている。また方向変換部５３０、５３１は、上述した赤外線照射部５１０と同様にＹ方向に延伸して設けられている。なお第２の方向変換部５３１は、Ｙ方向に延伸する支持部材５３２に支持されている。

　図２２に示すように第１の方向変換部５３０の内部には、第１の反射鏡５３３が設けられている。第１の反射鏡５３３は水平方向から４５度傾斜して設けられている。そして赤外線照射部５１０からの赤外線は、第１の反射鏡５３３で反射して鉛直上方に進行する。

　同様に第２の方向変換部５３１の内部には、第２の反射鏡５３４が設けられている。第２の反射鏡５３４は水平方向から４５度傾斜して設けられている。そして第１の方向変換部５３０からの赤外線は、第２の反射鏡５３４で反射して水平方向に進行する。

　また、赤外線照射部５１０と第１の方向変換部５３０との間には、重合ウェハＴに照射される赤外線を集光するシリンドリカルレンズ５３５が設けられている。さらに第１の方向変換部５３０の上面には、シリンドリカルレンズ５３５を重合ウェハＴのウェハ面内で均一にする拡散板５３６が設けられている。

　かかる構成により、赤外線照射部５１０から照射された赤外線は、シリンドリカルレンズ５３５、第１の反射鏡５３３、拡散板５３６を介して重合ウェハＴを透過し、さらに第２の反射鏡５３４を介して撮像部５２０に取り込まれる。

　処理容器４６０の内部には、図２０及び図２１に示すように第２の保持部５００に保持された重合ウェハＴの外側面の変位を計測する変位計５４０が設けられている。変位計５４０は、検査位置Ｐ２よりＸ方向負方向側に設けられている。なお、変位計５４０は重合ウェハＴの外側面の変位を計測するものであれば特に限定されないが、本実施の形態では例えばレーザ変位計が用いられる。

　変位計５４０は、図２３に示すように重合ウェハＴを構成する被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面にレーザ光を照射し、その反射光を受信して被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面の変位を測定する。そして、第２の保持部５００で重合ウェハＴを回転させながら、変位計５４０から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面にレーザ光を照射する。そうすると、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面全周の変位が測定され、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの位置ずれが検査される。

　また変位計５４０は、被処理ウェハＷのノッチ部と支持ウェハＳのノッチ部の位置ずれも測定する。かかる場合、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの水平方向の位置ずれだけでなく、鉛直軸周りの周方向の位置ずれも検査される。

　また処理容器４６０の内部には、図２０及び図２１に示すように第２の保持部５００に保持された重合ウェハＴの位置を検出する位置検出機構５４１が設けられている。位置検出機構５４１は、第１の保持部４８０の第３の支持部材４８３と第４の支持部材４８４に沿って設けられている。位置検出機構５４１は例えばＣＣＤカメラ（図示せず）を有し、第２の保持部５００に保持された重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出する。そして第２の保持部５００を回転させながら、位置検出機構５４１によってノッチ部の位置を検出して、重合ウェハＴのノッチ部の位置を調節することができる。

　かかる場合、工程Ａ１０で接合されて工程Ａ１１で温度調節された重合ウェハＴは、第２のウェハ搬送装置６８によって検査装置４５０に搬送される。検査装置４５０に搬送された重合ウェハＴは、第２のウェハ搬送装置６８から予め上昇していた昇降ピン４７０に受け渡される。このとき、第１の保持部４８０は、受渡位置Ｐ１において昇降ピン４７０の下方に待機している。その後、昇降ピン４７０を下降させ、昇降ピン４７０から第１の保持部４８０に重合ウェハＴが受け渡される。さらにその後、第１の保持部４８０を受渡位置Ｐ１から検査位置Ｐ２まで移動させる。

　第１の保持部４８０が検査位置Ｐ２まで移動すると、第２の保持部５００を上昇させ、第１の保持部４８０から第２の保持部５００に重合ウェハＴが受け渡される。

　その後、第２の保持部５００を回転させながら、変位計５４０から重合ウェハＴの被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面にレーザ光を照射する。変位計５４０では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面を受信し、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面の変位を測定する。なお第２の保持部５００によって、重合ウェハＴは少なくとも１回転以上回転される。そうすると、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側面全周の変位が測定され、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの位置ずれ（重合ウェハＴの接合状態）が検査される。

　その後、さらに第２の保持部５００を回転させながら、位置検出機構５４１によってノッチ部の位置を検出する。そして、重合ウェハＴのノッチ部の位置を調節して、重合ウェハＴを所定の位置に配置する。

　重合ウェハＴのノッチ部が調節されると、第２の保持部５００を下降させ、第２の保持部５００から第１の保持部４８０に重合ウェハＴが受け渡される。

　その後、赤外線照射部５１０から第１の方向変換部５３０に向けて赤外線を照射した状態で、第１の保持部４８０を検査位置Ｐ２から受渡位置Ｐ１側に移動させる。そして、第１の保持部４８０に保持された重合ウェハＴが第１の方向変換部５３０の上方を通過する際に、切り欠き部４８５から露出した重合ウェハＴを第１の方向変換部５３０からの赤外線が透過する。この透過した赤外線は第２の方向変換部５３１で方向が変換され、撮像部５２０に取り込まれる。第１の保持部４８０は、切り欠き部４８５から露出した重合ウェハＴ_１に対して赤外線の照射が終了する位置まで、すなわち第２の支持部材４８２の受渡位置Ｐ１側の側面まで移動される。そして撮像部５２０によって、切り欠き部４８５から露出した重合ウェハＴ_１、すなわち重合ウェハＴの１／４が撮像される。

　撮像部５２０によって重合ウェハＴ_１が撮像されると、続いて第１の保持部４８０を検査位置Ｐ２に移動させる。そして、第２の保持部５００を上昇させ、第１の保持部４８０から第２の保持部５００に重合ウェハＴが受け渡される。その後、重合ウェハＴ_２が切り欠き部４８５から露出するように第２の保持部５００を９０度回動させる。

　その後、第２の保持部５００を下降させ、第２の保持部５００から第１の保持部４８０に重合ウェハＴが受け渡される。そして、撮像部５２０によって重合ウェハＴ_２が撮像される。

　その後、さらにこれらの工程を繰り返し行い、重合ウェハＴのうち、残りの重合ウェハＴ_３と重合ウェハＴ_４が撮像部５２０によって撮像される。こうして４回に分けて分割撮像された重合ウェハＴ_１～Ｔ_４の画像は、撮像部５２０から制御部３５０に出力される。制御部３５０では、重合ウェハＴ_１～Ｔ_４の画像が合成され、重合ウェハＴ全体の画像が得られる。そして、重合ウェハＴ全体の画像に基づいて、当該重合ウェハＴの内部におけるボイドの検査が行われる。

　本実施の形態によれば、検査装置４５０において重合ウェハＴの内部の検査と重合ウェハＴの接合状態の検査を行うことができるので、検査結果に基づいて接合システム１における処理条件を補正することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切に接合することができる。

　なお、上記実施の形態の検査装置４５０では、重合ウェハＴの内部の検査と重合ウェハＴの接合状態の検査の２つの検査を行ったが、いずれか一方の検査のみを行ってもよい。

　以上の実施の形態の接合システム１における各処理装置の装置数や配置は、図１に示した形態に限定されず、任意に設定することができる。

　例えば上述したように塗布装置６０と熱処理装置６１～６６の装置数は上記実施の形態に限定されず、図２４に示すように塗布装置６００と熱処理装置６０１をさらに増設してもよい。塗布装置６０、６００は、Ｙ方向に２列に並べて配置される。また、熱処理装置６１～６６、６０１もＹ方向に３列に並べて配置される。さらに熱処理装置６０１は鉛直方向に複数積層されていてもよい。

　また例えば図２５に示すように、接合装置４０、４１及び第１のウェハ搬送領域４２と、塗布装置６０、熱処理装置６１～６６及び第２のウェハ搬送領域６７との配置を変更してもよい。接合装置４０、４１及び第１のウェハ搬送領域４２は、トランジション装置５０、５１のＹ方向正方向側に配置される。また、塗布装置６０、熱処理装置６１～６６及び第２のウェハ搬送領域６７は、トランジション装置３１、３２とトランジション装置５０、５１との間に配置される。なお図２５の例においては、塗布装置６０を２つ設けている。

　この図２５の例においては、温度調節装置３０はトランジション装置３１、３２に積層されて設けられていてもよいし、トランジション装置５０、５１に積層されて設けられていてもよい。また検査装置４５０は、トランジション装置３１、３２、塗布装置６０、熱処理装置６１～６６、又はトランジション装置５０、５１のいずれかに積層されて設けられていてもよい。

　さらに図２５に示した接合システム１において、図２６に示すように接合装置６１０を増設してもよい。接合装置４０、４１、６１０は、Ｘ方向に並べて配置される。また第２のウェハ搬送領域６７は、トランジション装置５０、５１及び位置調節装置５２と接合装置４０、４１、６１０との間（Ｙ方向）において、Ｘ方向に延伸して設けられる。

　以上のように図２４～図２６に示したいずれの接合システム１においても、上記実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、複数の接合装置４０、４１（、６１０）に対して一の位置調節装置５２が共通化して設けられているので、接合システム１の占有面積を小さくすることができる。またこれに伴い、接合システム１の製造コストを低廉化することもできる。さらに一の接合システム１において工程Ａ１～Ａ１１を行い、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの一連の接合処理を適切に行うことができる。

　以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを下側に配置し、且つ支持ウェハＳを上側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、上述した工程Ａ１～Ａ４を支持ウェハＳに対して行い、当該支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊに接着剤Ｇを塗布する。また、上述した工程Ａ５～Ａ７を被処理ウェハＷに対して行い、当該被処理ウェハＷの表裏面を反転させる。そして、上述した工程Ａ８～Ａ１１を行い、支持ウェハＳと被処理ウェハＷを接合する。但し、被処理ウェハＷ上の電子回路等を保護する観点から、被処理ウェハＷ上に接着剤Ｇを塗布するのが好ましい。

　また、以上の実施の形態では、塗布装置６０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳのいずれか一方に接着剤Ｇを塗布していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの両方に接着剤Ｇを塗布してもよい。

　以上の実施の形態では、工程Ａ２において被処理ウェハＷを所定の温度１００℃～３００℃に加熱していたが、被処理ウェハＷの熱処理を２段階で行ってもよい。例えば熱処理装置６１において、第１の熱処理温度、例えば１００℃～１５０℃に加熱した後、熱処理装置６４において第２の熱処理温度、例えば１５０℃～３００℃に加熱する。かかる場合、熱処理装置６１と熱処理装置６４における加熱機構自体の温度を一定にできる。したがって、当該加熱機構の温度調節をする必要がなく、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理のスループットをさらに向上させることができる。

　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

　　１　　接合システム
　　２　　搬入出ステーション
　　３　　処理ステーション
　　３０　温度調節装置
　　４０、４１　接合装置
　　４２　第１のウェハ搬送領域
　　５２　位置調節装置
　　６０　塗布装置
　　６１～６６　熱処理装置
　　６７　第２のウェハ搬送領域
　　３５０　制御部
　　４００　外周部洗浄装置
　　４５０　検査装置
　　６００　塗布装置
　　６０１　熱処理装置
　　６１０　接合装置
　　Ｇ　　接着剤
　　Ｓ　　支持ウェハ
　　Ｔ　　重合ウェハ
　　Ｗ　　被処理ウェハ

Claims

接着剤を介して基板同士を接合する接合システムであって、
基板に所定の処理を行う処理ステーションと、
基板又は基板同士が接合された重合基板を前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと、を有し、
前記処理ステーションは、
一の基板に前記接着剤を塗布する塗布装置と、
前記接着剤が塗布された一の基板を熱処理する熱処理装置と、
前記熱処理された一の基板の位置調節を行い、且つ前記一の基板と接合される他の基板の位置調節を行うと共に、当該他の基板の表裏面を反転させる位置調節装置と、
前記接着剤を介して前記位置調節が行われた基板同士を押圧して接合する複数の接合装置と、
前記塗布装置、前記熱処理装置、前記位置調節装置及び前記複数の接合装置に対して、基板又は重合基板を搬送するための搬送領域と、を有する。
請求項１に記載の接合システムにおいて、
前記処理ステーションは、前記熱処理装置で熱処理された一の基板の外周部を洗浄する外周部洗浄装置を有する。
請求項１に記載の接合システムにおいて、
前記処理ステーションは、前記接合装置で接合された重合基板の温度を調節する温度調節装置を有する。
請求項１に記載の接合システムにおいて、
前記処理ステーションは、少なくとも重合基板の内部の検査又は重合基板の接合状態の検査を行う検査装置を有する。
請求項１に記載の接合システムにおいて、
前記位置調節装置は、前記塗布装置で前記接着剤が塗布される前の一の基板の位置調節を行う。
接着剤を介して基板同士を接合する接合方法であって、
塗布装置において一の基板に前記接着剤を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で前記接着剤が塗布された一の基板を熱処理装置に搬送し、当該熱処理装置において前記一の基板を熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程で熱処理された一の基板を位置調節装置に搬送し、当該位置調節装置において前記一の基板の位置調整を行う第１の位置調節工程と、
前記位置調節装置において、前記一の基板と接合される他の基板の位置調節を行うと共に、当該他の基板の表裏面を反転させる第２の位置調節工程と、
前記第１の位置調節工程が行われた一の基板を接合装置に搬送すると共に、前記第２の位置調節工程が行われた他の基板を前記接合装置に搬送し、当該接合装置において、前記接着剤を介して前記一の基板と前記他の基板を押圧して接合する接合工程と、を有し、
前記塗布装置、前記熱処理装置、前記位置調節装置及び複数の前記接合装置を備えた接合システムにおいて、前記接合工程は複数の前記一の基板と複数の前記他の基板に対して並行して行われる。
請求項６に記載の接合方法において、
前記熱処理工程後であって前記第１の位置調節工程前に、前記一の基板を外周部洗浄装置に搬送し、当該外周部洗浄装置において前記一の基板の外周部を洗浄する。
請求項６に記載の接合方法において、
前記接合工程後に、前記重合基板を温度調節装置に搬送し、当該温度調節装置において前記重合基板の温度を調節する。
請求項６に記載の接合方法において、
前記接合工程後に、前記重合基板を検査装置に搬送し、当該検査装置において少なくとも重合基板の内部の検査又は重合基板の接合状態の検査を行う。
請求項６に記載の接合方法において、
前記塗布工程前に、前記位置調節装置において前記接着剤が塗布される前の一の基板の位置調節を行う。
接着剤を介して基板同士を接合する接合方法を、接合システムによって実行させるように、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記接合方法は、
塗布装置において一の基板に前記接着剤を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で前記接着剤が塗布された一の基板を熱処理装置に搬送し、当該熱処理装置において前記一の基板を熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程で熱処理された一の基板を位置調節装置に搬送し、当該位置調節装置において前記一の基板の位置調整を行う第１の位置調節工程と、
前記位置調節装置において、前記一の基板と接合される他の基板の位置調節を行うと共に、当該他の基板の表裏面を反転させる第２の位置調節工程と、
前記第１の位置調節工程が行われた一の基板を接合装置に搬送すると共に、前記第２の位置調節工程が行われた他の基板を前記接合装置に搬送し、当該接合装置において、前記接着剤を介して前記一の基板と前記他の基板を押圧して接合する接合工程と、を有し、
前記塗布装置、前記熱処理装置、前記位置調節装置及び複数の前記接合装置を備えた接合システムにおいて、前記接合工程は複数の前記一の基板と複数の前記他の基板に対して並行して行われる。