JP5421967B2 - 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム - Google Patents
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Description
30〜33 接合装置
40 塗布装置
41〜46 熱処理装置
211 加熱機構
242 加熱機構
280 スピンチャック
292 接着剤ノズル
302 溶剤ノズル
370 制御部
400 接着剤除去装置
410 カメラ
G 接着剤
GE 外側接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
Claims (16)
- 被処理基板と支持基板を接合する接合方法であって、
被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
その後、前記接着剤塗布工程において接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板の外周部上に接着剤の溶剤を供給し、当該外周部上の接着剤を除去する接着剤除去工程と、
その後、前記接着剤除去工程において前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板と接着剤が塗布されてない支持基板とを押圧して接合する、又は前記接着剤除去工程において前記外周部上の接着剤が除去された支持基板と接着剤が塗布されてない被処理基板とを押圧して接合する接合工程と、を有し、
前記接合工程において被処理基板と支持基板の間の接着剤がはみ出て、当該被処理基板と支持基板を接合した重合基板の外側面に外側接着剤が付着し、
前記接合工程後、被処理基板は薄化され、
前記接合工程において前記外側接着剤の端部の位置と薄化後の被処理基板の端部の位置が一致するように、前記接着剤除去工程において、被処理基板又は支持基板の外側面から所定の距離にある前記外周部上の接着剤を除去することを特徴とする、接合方法。 - 前記接着剤除去工程において、被処理基板又は支持基板を回転させながら、当該被処理基板又は支持基板の前記外周部上に接着剤の溶剤を供給することを特徴とする、請求項1に記載の接合方法。
- 前記接着剤除去工程の後であって前記接合工程の前に、接着剤が塗布されて前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板又は支持基板を、所定の温度に加熱する熱処理工程を有することを特徴とする、請求項1又は2のいずれかに記載の接合方法。
- 前記接着剤塗布工程の後であって前記接着剤除去工程の前に、接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を所定の温度に加熱する熱処理工程を有することを特徴とする、請求項1又は2のいずれか記載の接合方法。
- 前記接合工程において、少なくとも被処理基板又は支持基板を所定の温度に加熱しながら、当該被処理基板と支持基板とを押圧して接合することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の接合方法。
- 前記接着剤除去工程における前記外周部の被処理基板又は支持基板の外側面から所定の距離は、少なくとも接着剤の種類、前記接着剤塗布工程において被処理基板又は支持基板上に塗布される接着剤の目標膜厚、前記熱処理工程又は前記接合工程における被処理基板又は支持基板を加熱する熱処理温度、又は前記接合工程における被処理基板と支持基板とを押圧する圧力に基づいて決定されることを特徴とする、請求項3又は4を引用する請求項5に記載の接合方法。
- 予め外周部上の接着剤が適切に除去された被処理基板又は支持基板の基準画像を保存しておき、
前記接着剤除去工程において前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板又は支持基板の画像を撮像し、当該撮像された画像と前記基準画像を比較して、被処理基板又は支持基板を検査することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の接合方法。 - 請求項1〜7のいずかに記載の接合方法を接合システムによって実行させるように、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項8に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 被処理基板と支持基板を接合する接合システムであって、
被処理基板又は支持基板に接着剤を供給して塗布する接着剤供給部と、
前記接着剤供給部によって接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板の外周部上に接着剤の溶剤を供給し、当該外周部上の接着剤を除去する溶剤供給部と、
前記溶剤供給部によって前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板と接着剤が塗布されてない支持基板とを押圧して接合する、又は前記溶剤供給部によって前記外周部上の接着剤が除去された支持基板と接着剤が塗布されてない被処理基板とを押圧して接合する接合装置と、を有し、
前記接合装置では、被処理基板と支持基板の間の接着剤がはみ出て、当該被処理基板と支持基板を接合した重合基板の外側面に外側接着剤が付着し、
前記接合装置において被処理基板と支持基板を接合後、被処理基板は薄化され、
前記接合装置において前記外側接着剤の端部の位置と薄化後の被処理基板の端部の位置が一致するように、前記溶剤供給部によって、被処理基板又は支持基板の外側面から所定の距離にある前記外周部上の接着剤が除去されることを特徴とする、接合システム。 - 前記溶剤供給部によって前記外周部上の接着剤を除去する際に、被処理基板又は支持基板を保持して回転させる回転保持部を有することを特徴とする、請求項10に記載の接合システム。
- 前記接着剤供給部と前記溶剤供給部は、一の塗布装置内に設けられ、
前記塗布装置において接着剤が塗布されて前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板又は支持基板を、所定の温度に加熱する熱処理装置を有することを特徴とする、請求項10又は11に記載の接合システム。 - 前記接着剤供給部を備えた塗布装置と、
前記塗布装置において接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を、所定の温度に加熱する熱処理装置と、
前記熱処理装置において所定の温度に加熱された被処理基板又は支持基板の前記外周部上に、接着剤の溶剤を供給する前記溶剤供給部を備えた接着剤除去装置と、を有することを特徴とする、請求項10又は11に記載の接合システム。 - 前記接合装置は、少なくとも被処理基板又は支持基板を所定の温度に加熱する加熱機構を有することを特徴とする、請求項10〜13のいずれかに記載の接合システム。
- 少なくとも接着剤の種類、前記接着剤供給部によって被処理基板又は支持基板上に塗布される接着剤の目標膜厚、前記熱処理装置又は前記接合装置の前記加熱機構によって被処理基板又は支持基板を加熱する熱処理温度、又は前記接合装置において被処理基板と支持基板とを押圧する圧力を制御して、前記溶剤供給部によって接着剤が除去される前記外周部の被処理基板又は支持基板の外側面から所定の距離を決定する制御部を有することを特徴とする、請求項12又は13を引用する請求項14に記載の接合システム。
- 予め外周部上の接着剤が適切に除去された被処理基板又は支持基板の基準画像が保存された制御部と、
前記溶剤供給部によって前記外周部上の接着剤が除去された被処理基板又は支持基板の画像を撮像する撮像部と、を有し、
前記制御部は、前記撮像部で撮像された画像と前記基準画像を比較して、被処理基板又は支持基板を検査することを特徴とする、請求項10〜15のいずれかに記載の接合システム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011195445A JP5421967B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
PCT/JP2012/069826 WO2013035466A1 (ja) | 2011-09-07 | 2012-08-03 | 接合方法、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
US14/342,941 US9484236B2 (en) | 2011-09-07 | 2012-08-03 | Joining method and joining system |
KR1020147005331A KR101847681B1 (ko) | 2011-09-07 | 2012-08-03 | 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 접합 시스템 |
TW101129733A TWI540660B (zh) | 2011-09-07 | 2012-08-16 | 接合方法、電腦記憶媒體及接合系統 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011195445A JP5421967B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013058567A JP2013058567A (ja) | 2013-03-28 |
JP5421967B2 true JP5421967B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=47831918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011195445A Active JP5421967B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9484236B2 (ja) |
JP (1) | JP5421967B2 (ja) |
KR (1) | KR101847681B1 (ja) |
TW (1) | TWI540660B (ja) |
WO (1) | WO2013035466A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058571A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
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JP7365827B2 (ja) * | 2019-03-13 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、および接合方法 |
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JP7105956B2 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置 |
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-
2011
- 2011-09-07 JP JP2011195445A patent/JP5421967B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-03 WO PCT/JP2012/069826 patent/WO2013035466A1/ja active Application Filing
- 2012-08-03 US US14/342,941 patent/US9484236B2/en active Active
- 2012-08-03 KR KR1020147005331A patent/KR101847681B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-16 TW TW101129733A patent/TWI540660B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140057302A (ko) | 2014-05-12 |
US20140224763A1 (en) | 2014-08-14 |
JP2013058567A (ja) | 2013-03-28 |
WO2013035466A1 (ja) | 2013-03-14 |
US9484236B2 (en) | 2016-11-01 |
TW201332035A (zh) | 2013-08-01 |
KR101847681B1 (ko) | 2018-04-10 |
TWI540660B (zh) | 2016-07-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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