TWI540660B - 接合方法、電腦記憶媒體及接合系統 - Google Patents

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TWI540660B
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岡田慎二
白石雅敏
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東京威力科創股份有限公司
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Description

接合方法、電腦記憶媒體及接合系統
本發明係關於一種將被處理基板與支持基板接合之接合方法、程式、電腦記憶媒體、及實施該接合方法之接合系統。
近年來，在例如半導體裝置的製造過程中，半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)之大口徑化正在持續地發展。又，在安裝等特定步驟中，謀求晶圓的薄型化。例如若直接運送大口徑的薄晶圓，或對其進行研磨處理，則晶圓有產生翹曲或裂痕之虞。因此，例如為了補強晶圓，則將晶圓貼附在例如支持基板即晶圓或玻璃基板。
此種晶圓與支持基板之貼合，係藉由以下方式進行：例如使用貼合裝置，使黏接劑介在於晶圓與支持基板之間。貼合裝置，具有例如：第一固持構件，固持晶圓；第二固持構件，固持支持基板；加熱機構，將配置於晶圓與支持基板之間的黏接劑加熱；以及移動機構，至少使第一固持構件或第二固持構件於上下方向移動。而該貼合裝置，將黏接劑供給至晶圓與支持基板之間，將該黏接劑加熱之後，推壓晶圓與支持基板而使其貼合(專利文獻1)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-182016號公報
然而，在使用專利文獻1所記載的貼合裝置之情形，若推壓晶圓與支持基板，則黏接劑會從晶圓與支持基板之間溢出。如此溢出的黏接劑，有對晶圓與支持基板之運送步驟或處理步驟造成不良影響之虞。例如若在運送步驟中，黏接劑附著在運送晶圓與支持基板之運送裝置上，則該黏接劑會附著在其他晶圓或支持基板上。而且在處理步驟中，有時黏接劑亦會附著在對晶圓與支持基板進行既定處理之處理裝置。在此情形，無法將晶圓與支持基板適當地接合。
本發明係鑑於此問題點所製成，目的在於抑制從被處理基板與支持基板之間溢出的黏接劑，以將該被處理基板與支持基板適當地接合。
為了達成上述目的，本發明係一種接合方法，用以接合被處理基板與支持基板，其特徵為，包含：黏接劑塗佈步驟，將黏接劑塗佈於被處理基板或支持基板；其後為黏接劑除去步驟，將黏接劑的溶劑，供給至在該黏接劑塗佈步驟中塗佈了黏接劑的被處理基板或支持基板之外周部上，以除去該外周部上的黏接劑；其後為接合步驟，推壓在該黏接劑除去步驟中除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板與未塗佈有黏接劑之支持基板而使之接合，或推壓在該黏接劑除去步驟中除去了該外周部上的黏接劑之支持基板與未塗佈有黏接劑之被處理基板而使之接合。
根據本發明，在黏接劑塗佈步驟中將黏接劑塗佈於例如被處理基板之後，在黏接劑除去步驟中除去被處理基板的外周部上的黏接劑。在此情形， 在後續的接合步驟中，推壓塗佈有黏接劑之被處理基板與未塗佈有黏接劑之支持基板而使之接合時，可抑制從被處理基板與支持基板之間溢出的黏接劑。如此，黏接劑不會附著在運送被處理基板、支持基板以及疊合基板之運送裝置、或對該等基板進行既定處理之處理裝置上。從而，可將該被處理基板與支持基板適當地接合。另外，在上述說明中，雖將黏接劑塗佈在被處理基板並除去了該被處理基板的外周部上的黏接劑，但亦可將黏接劑塗佈在支持基板並除去該支持基板的外周部上的黏接劑。
在該接合步驟中被處理基板與支持基板之間的黏接劑溢出，使以該被處理基板與支持基板接合而成之疊合基板的外側面上附著有外側黏接劑；在該接合步驟後，使被處理基板薄化；而在該黏接劑除去步驟中將自被處理基板或支持基板的外側面算起在既定距離內之該外周部上的黏接劑加以除去，俾令在該接合步驟中該外側黏接劑之端部位置與薄化後的被處理基板之端部位置為一致亦可。另外，既定距離為例如5mm~7.5mm。
在該黏接劑除去步驟中，使被處理基板或支持基板旋轉，同時將黏接劑的溶劑供給至該被處理基板或支持基板的該外周部上亦可。
該接合方法亦可更包含：熱處理步驟，在該黏接劑除去步驟後該接合步驟前，將塗佈有黏接劑並除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度。
該接合方法亦可更包含：熱處理步驟，於該黏接劑塗佈步驟後且於該黏接劑除去步驟前，將塗佈有黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度。
在該接合步驟中，至少將被處理基板或支持基板加熱至既定溫度，同時推壓該被處理基板與支持基板而使之接合亦可。
在該黏接劑除去步驟中的該外周部之自被處理基板或支持基板的外側面算起既定距離，亦可至少依據：黏接劑的種類、在該塗佈步驟中塗佈在被處理基板或支持基板上的黏接劑之目標膜厚、在該熱處理步驟或該接合步驟中加熱被處理基板或支持基板之熱處理溫度、或是在該接合步驟中推壓被處理基板與支持基板之壓力而決定。
預先保存有已將外周部上的黏接劑適當地除去之被處理基板或支持基板之基準影像；拍攝已在該黏接劑除去步驟中將該外周部上的黏接劑除去之被處理基板或支持基板之影像，並將該所拍攝的影像與該基準影像加以比較，來檢查被處理基板或支持基板亦可。
從另一觀點來看根據本發明，提供一種可讀取之電腦記憶媒體，儲存有程式，該程式基於利用接合系統實行該接合方法之目的，而在控制該接合系統的控制部之電腦上操作。
再從另一觀點來看本發明係一種接合系統，用以接合被處理基板與支持基板，其特徵為，包含：黏接劑供給部，將黏接劑供給並塗佈於被處理基板或支持基板；溶劑供給部，將黏接劑的溶劑，供給至藉由該黏接劑供給部塗佈了黏接劑的被處理基板或支持基板之外周部上，以除去該外周部上的黏接劑；接合裝置，推壓藉由該溶劑供給部除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板與未塗佈有黏接劑之支持基板而使之接合，或推壓藉由該溶劑供給部除去了該外周部上的黏接劑之支持基板與未塗佈有黏接劑之被處理基板而使之接合。
在該接合裝置中，被處理基板與支持基板之間的黏接劑溢出，使以該被處理基板與支持基板接合而成之疊合基板的外側面上附著有外側黏接劑；在該接合裝置中接合了被處理基板與支持基板之後，使被處理基板薄化； 而藉由該溶劑供給部，將自被處理基板或支持基板的外側面算起在既定距離內之該外周部上的黏接劑加以除去，俾令在該接合裝置中該外側黏接劑之端部位置與薄化後的被處理基板之端部位置為一致亦可。
該接合系統亦可更包含：旋轉固持部，在藉由該溶劑供給部將該外周部上的黏接劑加以除去時，固持被處理基板或支持基板並使之旋轉。
該黏接劑供給部與該溶劑供給部設於一個塗佈裝置內；該接合系統亦可更包含：熱處理裝置，將在該塗佈裝置中塗佈了黏接劑並除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度。
該接合系統亦可更包含：塗佈裝置，具有該黏接劑供給部；熱處理裝置，將在該塗佈裝置中塗佈了黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度；以及黏接劑除去裝置，具有該溶劑供給部，其用以將黏接劑的溶劑，供給至在該熱處理裝置中加熱至既定溫度之被處理基板或支持基板的該外周部上。
該接合裝置，亦可具有加熱機構，用以至少將被處理基板或支持基板加熱至既定溫度。
該接合系統亦可更包含：控制部，至少控制黏接劑的種類、藉由該黏接劑供給部塗佈在被處理基板或支持基板上的黏接劑之目標膜厚、藉由該熱處理裝置或該接合裝置的該加熱機構加熱被處理基板或支持基板之熱處理溫度、或是在該接合裝置中推壓被處理基板與支持基板之壓力，來決定藉由該溶劑供給部除去黏接劑的該外周部之自被處理基板或支持基板的外側面算起既定距離。
該接合系統亦可更包含：控制部，預先保存有已將外周部上的黏接劑適當地除去之被處理基板或支持基板之基準影像；以及攝像部，拍攝已藉由該溶劑供給部將該外周部上的黏接劑除去之被處理基板或支持基板之影像；該控制部將由該攝像部所拍攝的影像與該基準影像加以比較，來檢查被處理基板或支持基板。
根據本發明，可抑制從被處理基板與支持基板之間溢出的黏接劑，以將該被處理基板與支持基板適當地接合。
1‧‧‧接合系統
2‧‧‧送入送出站
3‧‧‧接合處理站
10‧‧‧晶圓匣盒載置台
11‧‧‧晶圓匣盒載置板
20‧‧‧晶圓運送部
21‧‧‧運送通路
22‧‧‧晶圓運送裝置
30~33‧‧‧接合裝置
40‧‧‧塗佈裝置
41~46‧‧‧熱處理裝置
50、51‧‧‧移轉裝置
60‧‧‧晶圓運送區域
61‧‧‧晶圓運送裝置
100‧‧‧處理容器
101‧‧‧送入送出口
102‧‧‧內壁
103‧‧‧送入送出口
110‧‧‧傳遞部
111‧‧‧翻轉部
112‧‧‧運送部
113‧‧‧接合部
120‧‧‧傳遞臂
121‧‧‧晶圓支持銷
130‧‧‧臂部
131‧‧‧臂驅動部
132‧‧‧軌道
140‧‧‧晶圓支持銷
141‧‧‧導引器
142‧‧‧缺口
143‧‧‧開縫
150‧‧‧固持臂
151‧‧‧固持構件
152‧‧‧缺口
153‧‧‧第1驅動部
154‧‧‧第2驅動部
155‧‧‧支持柱
160‧‧‧位置調節機構
161‧‧‧支持板
162‧‧‧基台
163‧‧‧偵測部
170‧‧‧第1運送臂
171‧‧‧第2運送臂
172‧‧‧臂驅動部
173‧‧‧基台
180‧‧‧臂部
180a‧‧‧前端部
181‧‧‧支持部
182‧‧‧O型環
183‧‧‧第1導引構件
184‧‧‧第2導引構件
190‧‧‧臂部
190a‧‧‧前端部
191‧‧‧支持部
192‧‧‧第2固持構件
193‧‧‧載置部
194‧‧‧推拔部
200‧‧‧第1固持部
201‧‧‧第2固持部
201a‧‧‧缺口
210‧‧‧吸引管
211‧‧‧加熱機構
220‧‧‧移動機構
221‧‧‧鉛直移動部
222‧‧‧水平移動部
223‧‧‧支持構件
230‧‧‧突出部
231‧‧‧密封材
240‧‧‧吸引管
241‧‧‧吸氣管
242‧‧‧加熱機構
250‧‧‧支持構件
260‧‧‧加壓機構
261‧‧‧壓力容器
262‧‧‧流體供給管
263‧‧‧支持板
270‧‧‧處理容器
280‧‧‧旋轉吸盤
281‧‧‧吸盤驅動部
282‧‧‧杯體
283‧‧‧排出管
284‧‧‧排氣管
290‧‧‧軌道
291‧‧‧臂桿
292‧‧‧黏接劑噴嘴
293‧‧‧噴嘴驅動部
294‧‧‧待機部
295‧‧‧供給管
296‧‧‧黏接劑供給源
297‧‧‧供給設備群
300‧‧‧軌道
301‧‧‧臂桿
302‧‧‧溶劑噴嘴
303‧‧‧噴嘴驅動部
304‧‧‧待機部
305‧‧‧供給管
306‧‧‧溶劑供給源
307‧‧‧供給設備群
310‧‧‧處理容器
311‧‧‧氣體供給口
312‧‧‧氣體供給源
313‧‧‧氣體供給管
314‧‧‧供給設備群
315‧‧‧吸氣口
316‧‧‧負壓產生裝置
317‧‧‧吸氣管
320‧‧‧加熱部
321‧‧‧溫度調節部
330‧‧‧熱板
331‧‧‧固持構件
332‧‧‧支持環
333‧‧‧加熱器
340‧‧‧升降銷
341‧‧‧升降驅動部
342‧‧‧穿通孔
350‧‧‧溫度調節板
351‧‧‧開縫
352‧‧‧支持臂
353‧‧‧驅動部
354‧‧‧軌道
360‧‧‧升降銷
361‧‧‧升降驅動部
370‧‧‧控制部
400‧‧‧黏接劑除去裝置
410‧‧‧攝影機
420‧‧‧另一黏接劑除去裝置
430‧‧‧處理容器
440‧‧‧旋轉吸盤
441‧‧‧吸盤驅動部
442‧‧‧軌道
450‧‧‧另一溶劑供給部
451‧‧‧上部噴嘴
451a‧‧‧頂棚部
451b‧‧‧側壁部
452‧‧‧下部噴嘴
452a‧‧‧底部
452b‧‧‧側壁部
453‧‧‧供給口
454‧‧‧供給口
455‧‧‧供給管
456‧‧‧溶劑供給源
457‧‧‧供給設備群
460‧‧‧排出管
461‧‧‧噴射器
CS、CT、CW‧‧‧晶圓匣盒
D1‧‧‧前處理區域
D2‧‧‧接合區域
G‧‧‧黏接劑
CE‧‧‧外側黏接劑
G1‧‧‧第1處理區塊
G2‧‧‧第2處理區塊
G3‧‧‧第3處理區塊
H‧‧‧記憶媒體
R‧‧‧接合空間
S‧‧‧支持晶圓
SJ‧‧‧支持晶圓S的接合面
SN‧‧‧支持晶圓S的非接合面
T‧‧‧疊合晶圓
W‧‧‧被處理晶圓
WE‧‧‧被處理晶圓W的外周部
WJ‧‧‧被處理晶圓W的接合面
WN‧‧‧被處理晶圓W的非接合面
WS‧‧‧被處理晶圓W的外側面
A1~A12‧‧‧步驟
圖1係顯示依本實施形態之接合系統的概略構成之平面圖。
圖2係顯示依本實施形態之接合系統的內部概略構成之側視圖。
圖3係被處理晶圓與支持晶圓之側視圖。
圖4係顯示接合裝置的概略構成之橫剖面圖。
圖5係顯示傳遞部的概略構成之平面圖。
圖6係顯示傳遞臂的概略構成之平面圖。
圖7係顯示傳遞臂的概略構成之側視圖。
圖8係顯示翻轉部的概略構成之平面圖。
圖9係顯示翻轉部的概略構成之側視圖。
圖10係顯示翻轉部的概略構成之側視圖。
圖11係顯示固持臂與固持構件的概略構成之側視圖。
圖12係顯示傳遞部與翻轉部的關係位置之說明圖。
圖13係顯示運送部的概略構成之側視圖。
圖14係顯示運送部配置於接合裝置內的情況之說明圖。
圖15係顯示第1運送臂的概略構成之平面圖。
圖16係顯示第1運送臂的概略構成之側視圖。
圖17係顯示第2運送臂的概略構成之平面圖。
圖18係顯示第2運送臂的概略構成之側視圖。
圖19係顯示於第2固持部形成缺口的情況之說明圖。
圖20係顯示接合部的概略構成之縱剖面圖。
圖21係顯示接合部的概略構成之縱剖面圖。
圖22係顯示塗佈裝置的概略構成之縱剖面圖。
圖23係顯示塗佈裝置的概略構成之橫剖面圖。
圖24係顯示熱處理裝置的概略構成之縱剖面圖。
圖25係顯示熱處理裝置的概略構成之橫剖面圖。
圖26係顯示接合處理的主要步驟之流程圖。
圖27係顯示除去了被處理晶圓外周部上的黏接劑的情況之說明圖。
圖28係顯示除去了被處理晶圓外周部上的黏接劑的情況之說明圖。
圖29係顯示使第1固持部上升的情況之說明圖。
圖30係顯示第2固持部的中心部撓曲的情況之說明圖。
圖31係顯示支持晶圓的接合面全面抵接被處理晶圓的接合面全面之情況之說明圖。
圖32係顯示被處理晶圓與支持晶圓接合的情況之說明圖。
圖33係顯示外側黏接劑從疊合晶圓的外側面溢出的情況之說明圖。
圖34係顯示依另一實施形態之接合系統的內部概略構成之側視圖。
圖35係顯示依另一實施形態之塗佈裝置的概略構成之縱剖面圖。
圖36係顯示另一黏接劑除去裝置的概略構成之縱剖面圖。
圖37係顯示另一黏接劑除去裝置的概略構成之橫剖面圖。
圖38係顯示另一溶劑供給部的概略構成之縱剖面圖。
[實施發明之最佳形態]
以下對本發明的實施形態做說明。圖1係顯示依本實施形態之接合系統1的概略構成之平面圖。圖2係顯示接合系統1的內部概略構成之側視圖。
在接合系統1，如圖3所示，藉由例如黏接劑G，將作為被處理基板之被處理晶圓W與作為支持基板之支持晶圓S接合。以下，在被處理晶圓W中，將藉由黏接劑G與支持晶圓S接合的面稱為作為表面之「接合面WJ」，將與該接合面WJ相反側的面稱為作為背面之「非接合面WN」。同樣地，在支持晶圓S中，係將藉由黏接劑G與被處理晶圓W接合的面稱為作為表面之「接合面SJ」，將與接合面SJ相反側的面稱為作為背面之「非接合面SN」。而在接合系統1，接合被處理晶圓W與支持晶圓S，形成作為疊合基板之疊合晶圓T。另外，被處理晶圓W，係作為產品之晶圓，例如於接合面WJ形成複數個電子電路，而非接合面WN受研磨處理。又，支持晶圓S，係具有與被處理晶圓W的徑相同之徑以支持該被處理晶圓W之晶圓。另外，在本實施形態，雖對作為支持基板使用了晶圓之情形做說明，但亦可使用例如玻璃基板等其他基板。
接合系統1，如圖1所示，具有呈一體連接的構成，其包含例如：送入送出站2，在其與外部之間，將可分別收納複數個被處理晶圓W、複數個支持晶圓S、複數個疊合晶圓T之晶圓匣盒CW、CS、CT送入送出；以及接合處理站3，具有對被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T施以既定處理之各種處理裝置。
於送入送出站2，設有晶圓匣盒載置台10。於晶圓匣盒載置台10，設有複數個例如4個晶圓匣盒載置板11。晶圓匣盒載置板11，於X方向(圖1中的上下方向)成一列並排配置。該等晶圓匣盒載置板11，在對於接合系統1的外部送入送出晶圓匣盒CW、CS、CT時，能載置晶圓匣盒CW、CS、CT。像這樣送入送出站2，可保有複數個被處理晶圓W、複數個支持晶圓S、複數個疊合晶圓T。另外，晶圓匣盒載置板11的個數，並不限於本實施形態，可任意決定之。又，亦可將1個晶圓匣盒用於回收缺陷晶圓。亦即，晶圓匣盒可將由於各種原因在被處理晶圓W與支持晶圓S的接合中產生缺陷之晶圓，與其他正常的疊合晶圓T分離。在本實施形態中，在複數個晶圓匣盒CT之中，將1個晶圓匣盒CT用於回收缺陷晶圓，將其他晶圓匣盒CT用 於收納正常的疊合晶圓T。
於送入送出站2，鄰接晶圓匣盒載置台10設有晶圓運送部20。於晶圓運送部20，設有在朝X方向延伸之運送通路21上自由移動之晶圓運送裝置22。晶圓運送裝置22，亦可在鉛直方向及繞著鉛直軸周圍(θ方向)自由移動，可在各晶圓匣盒載置板11上的晶圓匣盒CW、CS、CT與後述接合處理站3的第3處理區塊G3的移轉裝置50、51之間，運送被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T。
於接合處理站3，設有具有各種處理裝置之複數個例如3個處理區塊G1、G2、G3。例如於接合處理站3的正面側(圖1的X方向負方向側)，設有第1處理區塊G1；於接合處理站3的背面側(圖1的X方向正方向側)，設有第2處理區塊G2。又於接合處理站3的送入送出站2側(圖1的Y方向負方向側)，設有第3處理區塊G3。
例如於第1處理區塊G1，從送入送出站2側開始依此順序於Y方向並排配置有：接合裝置30~33，推壓被處理晶圓W與支持晶圓S而藉由黏接劑G使之接合。
例如於第2處理區塊G2，如圖2所示，在朝向送入送出站2側的方向(圖2的Y方向負方向)依此順序並排配置有：塗佈裝置40，對被處理晶圓W塗佈黏接劑G，再將被處理晶圓W的外周部上的黏接劑G加以除去；熱處理裝置41~43，將塗佈有黏接劑G的被處理晶圓W加熱至既定溫度；以及同樣的熱處理裝置44~46。熱處理裝置41~43與熱處理裝置44~46，分別從下開始依此順序設有3層。另，熱處理裝置41~46的裝置數或垂直方向以及水平方向的配置可任意設定之。
例如於第3處理區塊G3，被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的移轉裝置50、51，從下開始依此順序設有2層。
如圖1所示，在第1處理區塊G1~第3處理區塊G3所包圍的區域，形成晶圓運送區域60。在晶圓運送區域60，配置有例如晶圓運送裝置61。另外，晶圓運送區域60內的壓力在大氣壓以上，在該晶圓運送區域60中，進行被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之所謂大氣系的運送。
晶圓運送裝置61，例如具有可在鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)以及繞著鉛直軸自由移動的運送臂。晶圓運送裝置61，在晶圓運送區域60內移動，可將被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T運送至周圍的第1處理區塊G1、第2處理區塊G2、第3處理區塊G3內之既定裝置。
接下來，針對上述的接合裝置30~33的構成做說明。接合裝置30，如圖4所示，具有可密封內部的處理容器100。於處理容器100的晶圓運送區域60側的側面，形成被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之送入送出口101，於該送入送出口設有開閉閘門(未圖示)。
於處理容器100的內部，由內壁102分隔成前處理區域D1與接合區域D2。上述送入送出口101，形成於前處理區域D1中的處理容器100之側面。又，於內壁102，亦形成有被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的送入送出口103。
於前處理區域D1，設有用以在其與接合裝置30的外部之間傳遞被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的傳遞部110。傳遞部110，鄰接送入送出口101而配置著。又，傳遞部110，於鉛直方向配置有多層例如2層，可同時傳遞被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T中之任2者。例如亦可在一個傳遞部110傳遞接合前的被處理晶圓W或支持晶圓S，在另一個傳遞部110傳遞接合後的疊合晶圓T。或，亦可在一個傳遞部110傳遞接合前的被處理晶圓W，在另一個傳遞部110傳遞接合前的支持晶圓S。
於前處理區域D1的Y方向負方向側，亦即送入送出口103側，在傳遞部110的鉛直上方，設有例如翻轉支持晶圓S的表面背面之翻轉部111。 另外，翻轉部111，亦可如後所述，調節支持晶圓S的水平方向之方向，又亦可調節被處理晶圓W的水平方向之方向。
於接合區域D2的Y方向正方向側，設有用以對傳遞部110、翻轉部111及後述接合部113運送被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之運送部112。運送部112，安裝於送入送出口103。
於接合區域D2的Y方向負方向側，設有推壓被處理晶圓W與支持晶圓S而藉由黏接劑G予以接合之接合部113。
接著，說明上述傳遞部110的構成。傳遞部110，如圖5所示，具有傳遞臂120與晶圓支持銷121。傳遞臂120，可在接合裝置30的外部亦即晶圓運送裝置61與晶圓支持銷121之間傳遞被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T。晶圓支持銷121，設於多處例如3個地方，可支持被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T。
傳遞臂120，具有：臂部130，固持被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T；以及臂驅動部131，具有例如馬達等。臂部130，略呈圓板形狀。臂驅動部131，可使臂部130於X方向(圖5中的上下方向)移動。又，臂驅動部131，安裝在往Y方向(圖5中的左右方向)延伸之軌道132，可於該軌道132上移動。藉由此構成，傳遞臂120，可於水平方向(X方向及Y方向)移動，可在晶圓運送裝置61與晶圓支持銷121之間順利地傳遞被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T。
於臂部130上，如圖6以及圖7所示，支持被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之晶圓支持銷140，設於多處例如4個地方。又，於臂部130上，設有進行受晶圓支持銷140所支持的被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之定位之導引器141。導引器141，設於多處例如4個地方，俾於導引被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之側面。
於臂部130的外周，如圖5以及圖6所示，缺口142形成於多處例如4個地方。藉由該缺口142，可防止在將被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T從晶圓運送裝置61的運送臂傳遞至傳遞臂120時，該晶圓運送裝置61的運送臂與臂部130互相干擾。
於臂部130，形成有沿著X方向的2道開縫143。開縫143，形成於從臂部130的晶圓支持銷121側之端面至臂部130的中央部附近。藉由該開縫143，可防止臂部130與晶圓支持銷121互相干擾。
接著，針對上述翻轉部111的構成做說明。翻轉部111，如圖8~圖10所示，具有固持支持晶圓S、被處理晶圓W之固持臂150。固持臂150，往水平方向(圖8及圖9中的X方向)延伸。又，於固持臂150上，固持支持晶圓S、被處理晶圓W之作為另一固持構件之固持構件151設於例如4個地方。固持構件151，如圖11所示，可對於固持臂150於水平方向移動。又，於固持構件151的側面，形成用以固持支持晶圓S、被處理晶圓W的外周部之缺口152。而該等固持構件151，可夾入並固持支持晶圓S、被處理晶圓W。
固持臂150，如圖8~10所示，由具有例如馬達等之第1驅動部153所支持。藉由該第1驅動部153，固持臂150可繞著水平軸自由轉動，且可於水平方向(圖8及圖9中的X方向、圖8及圖10的Y方向)移動。另外，第1驅動部153，亦可使固持臂150繞著鉛直軸轉動，使該固持臂150於水平方向移動。於第1驅動部153的下方，設有具有例如馬達等之第2驅動部154。藉由該第2驅動部154，第1驅動部153可沿著往鉛直方向延伸之支持柱155於鉛直方向移動。像這樣藉由第1驅動部153與第2驅動部154，固持於固持構件151的支持晶圓S、被處理晶圓W，可繞著水平軸轉動，且可於鉛直方向及水平方向移動。
於支持柱155，藉由支持板161支持著位置調節機構160，其調節固持於固持構件151的支持晶圓S、被處理晶圓W之水平方向的方向。位置調 節機構160，鄰接於固持臂150而設置著。
位置調節機構160，具有：基台162；以及偵測部163，偵測支持晶圓S、被處理晶圓W的缺口部之位置。而在位置調節機構160，一面使固持於固持構件151的支持晶圓S、被處理晶圓W於水平方向移動，一面以偵測部163偵測支持晶圓S、被處理晶圓W的缺口部之位置，從而調節該缺口部的位置，以調節支持晶圓S、被處理晶圓W之水平方向的方向。
另，如圖12所示，如以上構成的傳遞部110在鉛直方向上配置有2層，又在該等傳遞部110的鉛直上方配置有翻轉部111。亦即，傳遞部110的傳遞臂120，在翻轉部111的固持臂150與位置調節機構160的下方於水平方向移動。又，傳遞部110的晶圓支持銷121配置於翻轉部111的固持臂150之下方。
接著，針對上述運送部112的構成做說明。運送部112，如圖13所示，具有複數個例如2個運送臂170、171。第1運送臂170與第2運送臂171，於鉛直方向從下依此順序配置有2層。另外，第1運送臂170與第2運送臂171，如後所述具有不同的形狀。
於運送臂170、171的基端部，設有具有例如馬達等之臂驅動部172。藉由該臂驅動部172，各運送臂170、171可獨自於水平方向移動。該等運送臂170、171與臂驅動部172，由基台173所支持。
運送部112，如圖4及圖14所示，設於形成於處理容器100的內壁102之送入送出口103。而運送部112，藉由具有例如馬達等之驅動部(未圖示)，可沿著送入送出口103於鉛直方向移動。
第1運送臂170，固持被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的背面(在被處理晶圓W、支持晶圓S中為非接合面WN、SN)並運送之。第1運送臂170，如圖15所示，具有：臂部180，前端分歧成2根前端部180a、180a； 以及支持部181，與該臂部180形成為一體，且支持臂部180。
於臂部180上，如圖15及圖16所示，作為第1固持構件的樹脂製之O型環182，設於多處例如4個地方。該O型環182與被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的背面接觸，藉由該O型環182與被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的背面之間的摩擦力，讓O型環182固持被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的背面。而第1運送臂170，可將被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T水平地固持於O型環182上。
又，於臂部180上，設有導引構件183、184，其設於固持在O型環182的被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之外側。第1導引構件183，設於臂部180的前端部180a的前端。第2導引構件184，形成為沿著被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T的外周之圓弧狀，設於支持部181側。藉由該等導引構件183、184，可防止被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T從第1運送臂170飛離，或滑落。另外，在被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T以適當的位置固持在O型環182之情形，該被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T不會與導引構件183、184互相接觸。
第2運送臂171，固持例如支持晶圓S的表面，亦即接合面SJ的外周部並運送之。亦即，第2運送臂171，固持已在翻轉部111翻轉表面背面之支持晶圓S的接合面SJ的外周部並運送之。第2運送臂171，如圖17所示，具有：臂部190，前端分歧成2根前端部190a、190a；以及支持部191，與該臂部190形成為一體，且支持臂部190。
於臂部190上，如圖17及圖18所示，第2固持構件192設於多處例如4個地方。第2固持構件192，具有：載置部193，載置支持晶圓S的接合面SJ的外周部；以及推拔部194，從該載置部193往上方延伸，其內側面從下側往上側成推拔狀擴大。載置部193，固持從支持晶圓S的周緣算起例如1mm以內的外周部。又，因為推拔部194的內側面從下側往上側成推拔狀擴大，所以即使例如傳遞至第2固持構件192的支持晶圓S從既定位 置往水平方向偏移，支持晶圓S亦能順利地受推拔部194導引而定位，固持於載置部193。而第2運送臂171，可將支持晶圓S水平地固持於第2固持構件192上。
另外，如圖19所示，於後述接合部113的第2固持部201上，缺口201a形成於例如4個地方。藉由該缺口201a，可防止在將支持晶圓S從第2運送臂171傳遞至第2固持部201時，第2運送臂171的固持構件192與第2固持部201互相干擾。
接著，針對上述接合部113的構成做說明。接合部113，如圖20所示具有：第1固持部200，以頂面載置並固持處理晶圓W；以及第2固持部201，以底面吸附固持支持晶圓S。第1固持部200，設於第2固持部201的下方，與第2固持部201對向配置。亦即，固持在第1固持部200的被處理晶圓W與固持在第2固持部201的支持晶圓S係對向配置。
於第1固持部200的內部，設有用以吸附固持被處理晶圓W之吸引管210。吸引管210，連接至例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。另外，第1固持部200，所使用的材料具有即使藉由後述加壓機構260施加負載亦不會變形的強度，例如碳化矽陶瓷或氮化鋁陶瓷等陶瓷。
又，於第1固持部200的內部，設有加熱被處理晶圓W的加熱機構211。加熱機構211，使用例如加熱器。
在第1固持部200的下方，設有使第1固持部200以及被處理晶圓W於鉛直方向以及水平方向移動之移動機構220。移動機構220，可使第1固持部200以例如±1μm的精度三維移動。移動機構220具有：鉛直移動部221，使第1固持部200於鉛直方向移動；以及水平移動部222，使第1固持部200於水平方向移動。鉛直移動部221與水平移動部222，分別具有例如：滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動之馬達(未圖示)。
於水平移動部222上，設有可於鉛直方向自由伸縮的支持構件223。支持構件223，設於第1固持部200的外側之例如3個地方。而支持構件223，如圖21所示，可支持從第2固持部201的外周底面突出於下方而設置之突出部230。
在以上的移動機構220，可進行第1固持部200上的被處理晶圓W的水平方向的對位，且如圖21所示，使第1固持部200上升，可形成用以接合被處理晶圓W與支持晶圓S的接合空間R。該接合空間R，係第1固持部200、第2固持部201以及突出部230所包圍的空間。又，在形成接合空間R時，藉由調整支持構件223的高度，可調整在接合空間R中被處理晶圓W與支持晶圓S間的鉛直方向之距離。
另外，在第1固持部200的下方，設有用以從下方支持被處理晶圓W或疊合晶圓T而使其升降之升降銷(未圖示)。升降銷，貫穿形成於第1固持部200的穿通孔(未圖示)，可從第1固持部200的頂面突出。
第2固持部201使用彈性體例如鋁。而第2固持部201，若如後所述對第2固持部201的全面施加既定壓力例如0.7氣壓(=0.07MPa)，則其一處例如中心部撓曲。
在第2固持部201的外周底面，如圖20所示形成從該外周底面突出於下方的上述突出部230。突出部230，沿著第2固持部201的外周而形成。另外，突出部230，亦可與第2固持部201形成為一體。
於突出部230的底面，設有用以保持接合空間R的氣密性之密封材231。密封材231，以環狀設置於形成於突出部230的底面之溝槽，使用例如O型環。又，密封材231具有彈性。另外，密封材231，只要是具有密封性能的零件即可，並不限於本實施形態。
於第2固持部201的內部，設有用以吸附固持支持晶圓S之吸引管 240。吸引管240，連接至例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。
又，於第2固持部201的內部，設有用以吸引接合空間R的環境氣體之吸氣管241。吸氣管241的一端，在第2固持部201的底面未固持支持晶圓S的地方設有開口。又，吸氣管241的另一端，連接至例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。
再者，於第2固持部201的內部，設有加熱支持晶圓S的加熱機構242。加熱機構242，使用例如加熱器。
於第2固持部201的頂面，設有支持該第2固持部201的支持構件250，以及往鉛直下方推壓第2固持部201的加壓機構260。加壓機構260，具有：壓力容器261，設置成包覆被處理晶圓W與支持晶圓S，以及流體供給管262，對壓力容器261的內部供給流體例如壓縮空氣。又，支持構件250，可於鉛直方向自由伸縮，設於壓力容器261的外側之例如3個地方。
壓力容器261，由在例如鉛直方向可自由伸縮的例如不鏽鋼製之伸縮囊所構成。壓力容器261，其底面抵接第2固持部201的頂面，且頂面抵接設於第2固持部201的上方之支持板263的底面。流體供給管262，其一端連接至壓力容器261，另一端連接至流體供給源(未圖示)。而從流體供給管262將流體供給至壓力容器261，從而使壓力容器261伸長。此時，因為壓力容器261的頂面與支持板263的底面相抵接，所以壓力容器261僅朝下方向伸長，可將設於壓力容器261的底面之第2固持部201往下方推壓。又在此時，因為壓力容器261的內部受流體加壓，所以壓力容器261可面內均勻地推壓第2固持部201。在推壓第2固持部201時負載之調節，可藉由調整供給至壓力容器261的壓縮空氣之壓力來進行。另外，支持板263，宜由以下構件所構成，其具有即使受到藉由加壓機構260對第2固持部201施加的負載之反作用力亦不會變形之強度。另外，亦可省略本實施形態的支持板263，使壓力容器261的頂面抵接處理容器100的頂棚面。
另外，接合裝置31~33的構成，因為與上述接合裝置30的構成相同所以省略說明。
接著，針對上述塗佈裝置40的構成做說明。塗佈裝置40，如圖22所示，具有可密封內部之處理容器270。於處理容器270的晶圓運送區域60側的側面，形成有被處理晶圓W的送入送出口(未圖示)，於該送入送出口設有開閉閘門(未圖示)。
處理容器270內的中央部，設有固持被處理晶圓W並使其旋轉之旋轉吸盤280。旋轉吸盤280，具有水平的頂面；於該頂面，設有吸引例如被處理晶圓W之吸引口(未圖示)。藉由來自該吸引口之吸引力，可將被處理晶圓W吸附固持在旋轉吸盤280上。
於旋轉吸盤280的下方，設有具有例如馬達等之吸盤驅動部281。旋轉吸盤280，可藉由吸盤驅動部281以既定速度旋轉。又，於吸盤驅動部281，設有例如汽缸等升降驅動源，使旋轉吸盤280可自由升降。
於旋轉吸盤280的周圍，設有接收從被處理晶圓W飛散或落下的液體，並將其回收的杯體282。於杯體282的底面，連接有：排出管283，將已回收的液體排出；以及排氣管284，將杯體282內的環境氣體抽真空而進行排氣。
如圖23所示，在杯體282的X方向負方向(圖23中的下方向)側，形成沿著Y方向(圖23中的左右方向)延伸之軌道290。軌道290，例如形成於從杯體282的Y方向負方向(圖23中的左方向)側之外方至Y方向正方向(圖23中的右方向)側之外方。於軌道290，安裝有臂桿291。
於臂桿291，如圖22及圖23所示，支持著黏接劑噴嘴292，其作為黏接劑供給部，對被處理晶圓W供給液體狀的黏接劑G。臂桿291，藉由圖23所示之噴嘴驅動部293，可於軌道290上自由移動。因此，黏接劑噴嘴 292，可從設置於杯體282的Y方向正方向側之外方之待機部294移動至杯體282內的被處理晶圓W的中心部上方，更可在該被處理晶圓W上於被處理晶圓W的徑方向移動。又，臂桿291，藉由噴嘴驅動部293可自由升降，可調節黏接劑噴嘴292的高度。
於黏接劑噴嘴292，如圖22所示，連接有對該黏接劑噴嘴292供給黏接劑G之供給管295。供給管295，連通至於內部儲存黏接劑G之黏接劑供給源296。又，於供給管295，設有供給設備群297，其包含控制黏接劑G的流動之閘閥或流量調節部等。
又，如圖23所示，在杯體282與軌道290之間，形成沿著Y方向(圖23中的左右方向)延伸之軌道300。軌道300，例如形成於從杯體282的Y方向負方向(圖23中的左方向)側之外方至杯體282的中央附近。於軌道300，安裝有臂桿301。
於臂桿301，如圖22及圖23所示，支持著溶劑噴嘴302，其作為溶劑供給部，對被處理晶圓W供給黏接劑G的溶劑。臂桿301，藉由圖23所示之噴嘴驅動部303，可於軌道300上自由移動。因此，溶劑噴嘴302，可從設置於杯體282的Y方向負方向側之外方之待機部304移動至杯體282內的被處理晶圓W的外周部上方，更可在該被處理晶圓W上於被處理晶圓W的徑方向移動。又，臂桿301，藉由噴嘴驅動部303可自由升降，可調節溶劑噴嘴302的高度。
於溶劑噴嘴302，如圖22所示，連接有對該溶劑噴嘴302供給黏接劑G的溶劑之供給管305。供給管305，連通至於內部儲存黏接劑G的溶劑之溶劑供給源306。又，於供給管305，設有供給設備群307，其包含控制黏接劑G的溶劑的流動之閘閥或流量調節部等。另外，黏接劑G的溶劑，使用例如有機類的稀釋劑，在本實施形態中使用三甲基苯(1,3,5-三甲苯)。
另外，於旋轉吸盤280的下方，亦可設置對被處理晶圓W的背面，亦 即非接合面WN噴射清洗液之背面清洗噴嘴(未圖示)。藉由從該背面清洗噴嘴噴射之清洗液，將被處理晶圓W的非接合面WN與被處理晶圓W的外周部清洗乾淨。
接著，針對上述熱處理裝置41~46的構成做說明。熱處理裝置41，如圖24所示具有可密封內部之處理容器310。於處理容器310的晶圓運送區域60側的側面，形成有被處理晶圓W的送入送出口(未圖示)，於該送入送出口設有開閉閘門(未圖示)。
於處理容器310的頂棚面，形成有對該處理容器310的內部供給例如氮氣等非活性氣體之氣體供給口311。於氣體供給口311，連接有連通至氣體供給源312之氣體供給管313。於氣體供給管313，設有供給設備群314，其包含控制非活性氣體的流動之閘閥或流量調節部等。
於處理容器310的底面，形成有吸引該處理容器310的內部之環境氣體之吸氣口315。於吸氣口315，連接有連通至例如真空泵等負壓產生裝置316之吸氣管317。
於處理容器310的內部，設有：加熱部320，對被處理晶圓W進行加熱處理；以及溫度調節部321，對被處理晶圓W進行溫度調節。加熱部320與溫度調節部321於Y方向並排配置。
加熱部320，具有：固持構件331，呈環狀，收納熱板330並固持熱板330的外周部；以及支持環332，略呈筒狀，包圍該固持構件331的外周。熱板330，為具厚度的略圓盤形狀，可載置被處理晶圓W並進行加熱。又，於熱板330，嵌入有例如加熱器333。熱板330的加熱溫度，例如由控制部370所控制，以將載置於熱板330上的被處理晶圓W加熱至既定溫度。
在熱板330的下方，設有例如3個用以從下方支持被處理晶圓W而使其升降之升降銷340。升降銷340，可藉由升降驅動部341上下移動。於熱 板330的中央部附近，例如於3個地方形成將該熱板330於厚度方向穿通之穿通孔342。而升降銷340貫穿穿通孔342，可從熱板330的頂面突出。
溫度調節部321，具有溫度調節板350。溫度調節板350，如圖25所示，略呈方形的平板形狀，熱板330側的端面呈圓弧狀彎曲。於溫度調節板350，形成有沿著Y方向的2道開縫351。開縫351，形成於從溫度調節板350的熱板330側之端面至溫度調節板350的中央部附近。藉由該開縫351，可防止溫度調節板350與加熱部320的升降銷340及後述溫度調節部321之升降銷360互相干擾。又，於溫度調節板350，嵌入有例如珀耳帖元件等溫度調節構件(未圖示)。溫度調節板350的冷卻溫度，例如由控制部370所控制，以將載置於溫度調節板350上的被處理晶圓W冷卻至既定溫度。
溫度調節板350，如圖24所示，由支持臂352所支持。於支持臂352，安裝有驅動部353。驅動部353，安裝在朝Y方向延伸之軌道354。軌道354，從溫度調節部321延伸至加熱部320。藉由該驅動部353，溫度調節板350可沿著軌道354在加熱部320與溫度調節部321之間移動。
在溫度調節板350的下方，設有例如3個用以從下方支持被處理晶圓W而使其升降之升降銷360。升降銷360，可藉由升降驅動部361上下移動。而升降銷360貫穿開縫351，可從溫度調節板350的頂面突出。
另外，熱處理裝置42~46的構成與上述熱處理裝置41的構成相同，所以省略說明。
又，在熱處理裝置41~46中，亦可進行疊合晶圓T的溫度調節。再者，為了進行疊合晶圓T的溫度調節，而設置溫度調節裝置(未圖示)亦可。溫度調節裝置，具有與上述熱處理裝置41相同之構成，並使用溫度調節板以取代熱板330。在溫度調節板的內部，設有例如珀耳帖元件等冷卻構件，可將溫度調節板調節至設定溫度。
在以上的接合系統1，如圖1所示設有控制部370。控制部370，例如為電腦，具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部，儲存有程式，其控制在接合系統1中的被處理晶圓W、支持晶圓S、疊合晶圓T之處理。又，於程式儲存部，亦儲存有程式，其用以控制上述各種處理裝置或運送裝置等之驅動系統的動作，以實現在接合系統1中的後述接合處理。另外，上述程式儲存於可於電腦進行讀取之記憶媒體H，其包含例如：可於電腦讀取的硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等；亦可從該記憶媒體H安裝於控制部370。
接下來，針對使用如以上構成的接合系統1進行被處理晶圓W與支持晶圓S的接合處理方法做說明。圖26係顯示此晶圓接合處理的主要步驟的例子之流程圖。
首先，將收納複數片的被處理晶圓W之晶圓匣盒CW、收納複數片的支持晶圓S之晶圓匣盒CS、及空的晶圓匣盒CT，載置於送入送出站2的既定晶圓匣盒載置板11。其後，藉由晶圓運送裝置22取出晶圓匣盒CW內的被處理晶圓W，運送至接合處理站3的第3處理區塊G3之移轉裝置50。此時，被處理晶圓W，以其非接合面WN朝向下方的狀態運送之。
接下來將被處理晶圓W，藉由晶圓運送裝置61運送至塗佈裝置40。將運送至塗佈裝置40的被處理晶圓W，從晶圓運送裝置61傳遞至旋轉吸盤280並吸附固持於其上。此時，被處理晶圓W的非接合面WN面係吸附固持著。
接著，藉由臂桿291使待機部294的黏接劑噴嘴292移動至被處理晶圓W的中心部上方。其後，一面藉由旋轉吸盤280使被處理晶圓W旋轉，一面從黏接劑噴嘴292對被處理晶圓W的接合面WJ供給黏接劑G。所供給的黏接劑G藉由離心力擴散至被處理晶圓W的接合面WJ的全面，使黏接劑G塗佈於該被處理晶圓W的接合面WJ。(圖26的步驟A1)。
其後，使黏接劑噴嘴292移動至待機部294，並且藉由臂桿301使待機部304的溶劑噴嘴302移動至被處理晶圓W的外周部上方。此時，如圖27所示溶劑噴嘴302，係配置於自被處理晶圓W的外側面WS算起既定距離L例如5mm~7.5mm之位置。該距離L，如後述所說明，係以令在接合裝置30中從疊合晶圓T的外側面溢出的外側黏接劑之端部位置，與在接合系統1的外部中薄化後的被處理晶圓W之端部位置為一致之方式而決定。
其後，一面藉由旋轉吸盤280使被處理晶圓W旋轉，一面從溶劑噴嘴302對被處理晶圓W的外周部WE供給黏接劑G的溶劑。所供給的黏接劑G的溶劑藉由離心力從被處理晶圓W的外周部WE上朝向外側面WS流動。而如圖28所示，藉由該黏接劑G的溶劑來除去被處理晶圓W的外周部WE上之黏接劑G(圖26的步驟A2)。
接著，將被處理晶圓W，藉由晶圓運送裝置61運送至熱處理裝置41。此時熱處理裝置41的內部，維持在非活性氣體之氛圍。若將被處理晶圓W送入熱處理裝置41，則被處理晶圓W從晶圓運送裝置61傳遞至預先上升並待機的升降銷360。接著使升降銷360下降，以將被處理晶圓W載置於溫度調節板350。
其後，藉由驅動部353使溫度調節板350沿著軌道354移動至熱板330的上方，以將被處理晶圓W傳遞至預先上升並待機的升降銷340。其後，升降銷340下降，被處理晶圓W載置於熱板330。而將熱板330上的被處理晶圓W加熱至既定溫度，例如100℃~300℃(圖26的步驟A3)。藉由此熱板330進行加熱，從而加熱被處理晶圓W上的黏接劑G，使該黏接劑G硬化。
其後，升降銷340上升，且溫度調節板350移動至熱板330的上方。接著將被處理晶圓W從升降銷340傳遞至溫度調節板350，將溫度調節板350移動至晶圓運送區域60側。在該溫度調節板350的移動當中，對被處理晶圓W進行溫度調節至既定溫度。
藉由晶圓運送裝置61，將在熱處理裝置41進行了熱處理的被處理晶圓W，運送至接合裝置30。將運送至接合裝置30的被處理晶圓W，從晶圓運送裝置61傳遞至傳遞部110的傳遞臂120之後，再從傳遞臂120傳遞至晶圓支持銷121。其後，將被處理晶圓W，藉由運送部112的第1運送臂170從晶圓支持銷121運送至翻轉部111。
將運送至翻轉部111的被處理晶圓W，固持於固持構件151，移動至位置調節機構160。而在位置調節機構160中，調節被處理晶圓W的缺口部之位置，以調節該被處理晶圓W的水平方向的方向(圖26的步驟A4)。
其後，將被處理晶圓W，藉由運送部112的第1運送臂170從翻轉部111運送至接合部113。將運送至接合部113的被處理晶圓W，載置於第1固持部200(圖26的步驟A5)。在第1固持部200上，以被處理晶圓W的接合面WJ朝向上方的狀態，亦即黏接劑G朝向上方的狀態載置被處理晶圓W。
在對被處理晶圓W進行上述步驟A1~A5的處理之期間，接著該被處理晶圓W之後進行支持晶圓S的處理。將支持晶圓S，藉由晶圓運送裝置61運送至接合裝置30。另外，有關將支持晶圓S運送至接合裝置30之步驟，因為與上述實施形態相同所以省略說明。
將運送至接合裝置30的支持晶圓S，從晶圓運送裝置61運送至傳遞部110的傳遞臂120之後，再從傳遞臂120傳遞至晶圓支持銷121。其後，將支持晶圓S，藉由運送部112的第1運送臂170從晶圓支持銷121運送至翻轉部111。
將運送至翻轉部111的支持晶圓S，固持於固持構件151，移動至位置調節機構160。而在位置調節機構160中，調節支持晶圓S的缺口部之位置，以調節該支持晶圓S的水平方向的方向(圖26的步驟A6)。將調節過水平 方向的方向之支持晶圓S，從位置調節機構160往水平方向移動，且往鉛直方向上方移動之後，翻轉其表面背面(圖26的步驟A7)。亦即，支持晶圓S的接合面SJ朝向下方。
其後，將支持晶圓S往鉛直方向下方移動之後，藉由運送部112的第2運送臂171從翻轉部111運送至接合部113。此時，因為第2運送臂171，僅固持支持晶圓S的接合面SJ之外周部，所以不會因例如附著在第2運送臂171的微粒等而污染接合面SJ。運送至接合部113的支持晶圓S，吸附固持於第2固持部201(圖26的步驟A8)。在第2固持部201，以支持晶圓S的接合面SJ朝向下方的狀態固持支持晶圓S。
在接合裝置30中，若將被處理晶圓W與支持晶圓S分別固持於第1固持部200與第2固持部201，則藉由移動機構220調整第1固持部200的水平方向之位置，俾使被處理晶圓W與支持晶圓S面對面(圖26的步驟A9)。另外，此時，第2固持部201與支持晶圓S之間的壓力為例如0.1氣壓(=0.01MPa)。又，施加於第2固持部201的頂面之壓力為大氣壓即1.0氣壓(=0.1MPa)。為了維持施加於該第2固持部201的頂面之大氣壓，亦可令加壓機構260的壓力容器261內的壓力為大氣壓，亦可於第2固持部201的頂面與壓力容器261之間形成間隙。
接著，如圖29所示，藉由移動機構220使第1固持部200上升，且使支持構件223伸長，以使第2固持部201受支持構件223所支持。此時，調整支持構件223的高度，從而將被處理晶圓W與支持晶圓S之鉛直方向的距離調整成既定距離(圖26的步驟A10)。另外，該既定距離，係在密封材231接觸第1固持部200且如後所述第2固持部201以及支持晶圓S的中心部撓曲時，支持晶圓S的中心部接觸到被處理晶圓W之高度。如此，在第1固持部200與第2固持部201之間形成密封的接合空間R。
其後，從吸氣管241吸引接合空間R的環境氣體。而若將接合空間R內的壓力減壓至例如0.3氣壓(=0.03MPa)，則於第2固持部201，受到施加 於第2固持部201的頂面之壓力與接合空間R內的壓力之壓力差，亦即0.7氣壓(=0.07MPa)。如此，則如圖30所示，第2固持部201的中心部撓曲，固持在第2固持部201的支持晶圓S的中心部亦撓曲。另外，即使像這樣將接合空間R內的壓力減壓至例如0.3氣壓(=0.03MPa)，因為第2固持部201與支持晶圓S之間的壓力為0.1氣壓(=0.01MPa)，所以支持晶圓S保持固持在第2固持部201之狀態。
其後，更吸引接合空間R的環境氣體，以將接合空間R內減壓。而若接合空間R內的壓力為0.1氣壓(=0.01MPa)以下，則第2固持部201無法固持支持晶圓S，如圖31所示，支持晶圓S落下至下方，支持晶圓S的接合面SJ全面抵接被處理晶圓W的接合面WJ全面。此時，支持晶圓S，從已抵接被處理晶圓W的中心部，往徑方向外側依序抵接。亦即，例如即使在接合空間R內存在有可形成孔隙的空氣之情形，空氣總是位於支持晶圓S與被處理晶圓W抵接的地方之外側，可將該空氣從被處理晶圓W與支持晶圓S之間逸散。如此可抑制孔隙的產生，且被處理晶圓W與支持晶圓S係藉由黏接劑G而黏接(圖26的步驟A11)。
其後，如圖32所示，調整支持構件223的高度，使第2固持部201的底面接觸支持晶圓S的非接合面SN。此時，密封材231發生彈性變形，第1固持部200密接第2固持部201。而一面藉由加熱機構211、242將被處理晶圓W與支持晶圓S加熱至既定溫度，例如200℃，一面藉由加壓機構260以既定壓力，例如0.5MPa將第2固持部201往下方推壓。如此，被處理晶圓W與支持晶圓S更牢固地黏接而接合。(圖26的步驟A12)。
在該步驟A12中，若一面加熱被處理晶圓W與支持晶圓S一面推壓之，則如圖33所示，黏接劑G從被處理晶圓W與支持晶圓S之間溢出。而形成從疊合晶圓T的外側面溢出的外側黏接劑GE。另外，雖為了方便說明，對從疊合晶圓T的外側面溢出的黏接劑G賦予了外側黏接劑GE之個別的稱呼，但黏接劑G與外側黏接劑GE係相同的。
在此，在接合系統1中接合處理結束之後，使被處理晶圓W薄化。在使被處理晶圓W薄化時，若外側黏接劑GE遠大於薄化後的被處理晶圓W的端部(圖33的短劃線)之位置，則外側黏接劑GE會附著在使被處理晶圓W薄化之裝置上。如此，無法使被處理晶圓W適當地薄化。另一方面，若外側黏接劑GE遠小於薄化後的被處理晶圓W的端部之位置，則有時會使被處理晶圓W的外周部受到損傷。亦即，必須藉由外側黏接劑GE來保護被處理晶圓W的外周部。從而，在上述步驟A12中，從疊合晶圓T的外側面溢出的外側黏接劑GE之大小，宜為表面除去後的外側黏接劑GE之下端部位置與薄化後的被處理晶圓W之端部位置為一致之大小。
因此，在上述步驟A2中除去黏接劑G的外周部WE之自被處理晶圓W的外側面WS算起既定距離L，係以令表面除去後的外側黏接劑GE之下端部位置與薄化後的被處理晶圓W之端部位置為一致之方式而決定。在此，當在步驟A2中外周部WE的黏接劑G未受除去時，在步驟A12中從疊合晶圓T的外側面溢出的外側黏接劑，形成如圖33所示的虛線，大於本實施形態的外側黏接劑GE。為了彌補此大小的差距，便在步驟A2中將外周部WE的黏接劑G除去。
另外，在步驟A2中的外周部WE之自被處理晶圓W的外側面WS算起既定距離L，係由控制部370至少依據：黏接劑G的種類、在步驟A1中塗佈在被處理晶圓W上的黏接劑G之目標膜厚、在步驟A3或步驟A12中加熱被處理晶圓W之熱處理溫度、或是在步驟A12中推壓被處理晶圓W與支持晶圓S之壓力而決定。
將接合了被處理晶圓W與支持晶圓S的疊合晶圓T，藉由運送部112的第1運送臂170從接合部113運送至傳遞部110。將運送至傳遞部110的疊合晶圓T，藉由晶圓支持銷121傳遞至傳遞臂120，再從傳遞臂120傳遞至晶圓運送裝置61。
其後，將疊合晶圓T，藉由晶圓運送裝置61運送至熱處理裝置42。而 在熱處理裝置42中，將疊合晶圓T溫度調節至既定溫度，例如常溫(23℃)。其後，將疊合晶圓T，藉由晶圓運送裝置61運送至移轉裝置51，其後藉由送入送出站2的晶圓運送裝置22運送至既定晶圓匣盒載置板11的晶圓匣盒CT。如此，結束一連串的被處理晶圓W與支持晶圓S的接合處理。
根據以上的實施形態，在步驟A1中將黏接劑G塗佈在被處理晶圓W之後，在步驟A2中將被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G除去。在此情形，在步驟A12中，推壓塗佈有黏接劑G的被處理晶圓W與未塗佈有黏接劑G的支持晶圓S而使之接合時，可抑制從被處理晶圓W與支持晶圓S之間溢出的外側黏接劑GE。如此，外側黏接劑GE便不會附著在例如晶圓運送裝置61、或對被處理晶圓W、支持晶圓S以及疊合晶圓T進行既定處理之處理裝置上。從而，可將被處理晶圓W與支持晶圓S適當地接合。
又，在步驟A2中將被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G除去，俾形成為在步驟A12中外側黏接劑GE之下端部位置與薄化後的被處理晶圓W之端部位置為一致之大小。因此，不會附著在設於接合系統1的外部之被處理晶圓W的薄化裝置，亦不會使所接合的被處理晶圓W的外周部受到損傷。
再者，至少依據黏接劑G的種類、在步驟A1中塗佈在被處理晶圓W上的黏接劑G之目標膜厚、在步驟A3或步驟A12中加熱被處理晶圓W之熱處理溫度、或是在步驟A12中推壓被處理晶圓W與支持晶圓S之壓力，來決定在步驟A2中的外周部WE之自被處理晶圓W的外側面WS算起既定距離L。因此，可在步驟A2中將被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G適當地除去，可在步驟A12中將外側黏接劑GE適當地形成為既定的大小。
又，在步驟A2中，在塗佈裝置40內進行對被處理晶圓W上的黏接劑G之塗佈與外周部WE上的黏接劑G之除去，因此可更確實地避免黏接劑G附著在塗佈裝置40的外部裝置，例如晶圓運送裝置61等。
在以上的實施形態中，被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G之除去，雖是在步驟A3中對被處理晶圓W進行熱處理之前所進行，但亦可在該步驟A3之後進行之。
在此情形，如圖34所示在接合系統1的第2處理區塊G2中，於塗佈裝置40上疊層有黏接劑除去裝置400。黏接劑除去裝置400，所具有的構成係與以下構成相同：省略了上述塗佈裝置40中的黏接劑噴嘴292以及其中所附之構件290、291、294~296，並設有溶劑噴嘴302以及其中所附之構件301~307。又，在本實施形態中，於塗佈裝置40中省略溶劑噴嘴302以及其中所附之構件301~307亦可。
而在步驟A1中，係在塗佈裝置40中將黏接劑G塗佈在被處理晶圓W上，而不進行該被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G之除去。其後，在步驟A3中以熱處理裝置41將被處理晶圓W加熱至既定溫度，以使黏接劑G硬化。其後，藉由晶圓運送裝置61將被處理晶圓W運送至黏接劑除去裝置400。而在黏接劑除去裝置400中，從溶劑噴嘴302對被處理晶圓W的外周部WE供給黏接劑G的溶劑，藉由該黏接劑G的溶劑來除去被處理晶圓W的外周部WE上之黏接劑G。另外，除去該外周部WE上之黏接劑G之步驟，係與上述步驟A2相同故省略說明。又，其後的步驟A4~A12，亦與上述實施形態中的步驟A4~A12相同，故省略說明。
在本實施形態中，亦除去了被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G，因此在後續的步驟A12中，推壓被處理晶圓W與支持晶圓S而使之接合時，可抑制從被處理晶圓W與支持晶圓S之間溢出的外側黏接劑GE。從而，可將被處理晶圓W與支持晶圓S適當地接合。又，在將黏接劑G加熱使之硬化後，除去被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G，因此可更高精度地除去黏接劑G。
在以上的實施形態中，亦可拍攝已將外周部WE上的黏接劑G除去之被處理晶圓W之影像。拍攝該被處理晶圓W的影像之攝像部，設置於具有 溶劑噴嘴302的塗佈裝置40的內部，或黏接劑除去裝置400的內部。在本實施形態中，針對攝像部設置於塗佈裝置40的內部之情形做說明。
如圖35所示，在塗佈裝置40中，於處理容器270的頂棚部設有作為攝像部之攝影機410。攝影機410，可拍攝固持在旋轉吸盤280的被處理晶圓W之影像。又，由攝像部410所拍攝的影像，係輸出至控制部370。控制部370中，預先保存有已將外周部WE上的黏接劑G適當地除去之被處理晶圓W之基準影像。另，塗佈裝置40之其他構成，與上述實施的塗佈裝置40之構成相同故省略說明。
在此情形，若在步驟A2中將被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G除去，則由攝影機410拍攝被處理晶圓W之影像。而在控制部370中，將所拍攝的影像與預先保存的影像加以比較，來檢查是否已將外周部WE上的黏接劑G適當地除去。對所拍攝的影像為正常之被處理晶圓W，其後進行上述步驟A3~A12，進行接合處理。另一方面，將所拍攝的影像為異常之被處理晶圓W，回收至送入送出站2的晶圓匣盒CT。
根據本實施形態，可將未適當地進行外周部WE上的黏接劑G之除去之異常被處理晶圓W加以回收，因此可增加產品的疊合晶圓T之產出。又，如此不對異常被處理晶圓W進行後續處理，藉此可更加提升接合系統1中的接合處理之產出。
在以上的實施形態之接合系統1中，亦可設置另一黏接劑除去裝置，其對在步驟A12、接合裝置30中從疊合晶圓T的外側面溢出之外側黏接劑GE，供給黏接劑G的溶劑，來將該外側黏接劑GE的表面加以除去，俾使外側黏接劑GE形成為既定大小。該另一黏接劑除去裝置，在例如第2處理區塊G2中，設於塗佈裝置40(或黏接劑除去裝置400)上。
另一黏接劑除去裝置420，如圖36以及圖37所示，具有可密封內部之處理容器430。於處理容器430的晶圓運送區域60側的側面，形成有疊合 晶圓T的送入送出口(未圖示)，於該送入送出口設有開閉閘門(未圖示)。
處理容器430內的中央部，設有固持疊合晶圓T並使其旋轉之旋轉吸盤440。旋轉吸盤440，具有水平的頂面；於該頂面，設有吸引例如疊合晶圓T之吸引口(未圖示)。藉由來自該吸引口之吸引力，可將疊合晶圓T吸附固持在旋轉吸盤440上。
於旋轉吸盤440的下方，設有具有例如馬達等之吸盤驅動部441。旋轉吸盤440，可藉由吸盤驅動部441以既定速度旋轉。又，於吸盤驅動部441，設有例如汽缸等升降驅動源，使旋轉吸盤440可自由升降。再者，吸盤驅動部441，安裝於沿著Y方向(圖36中的左右方向)延伸之軌道442。旋轉吸盤440，藉由吸盤驅動部441可沿著軌道442自由移動。
於旋轉吸盤440的側方，設有另一溶劑供給部450，以對於在接合裝置30中從疊合晶圓T的外側面溢出之外側黏接劑GE供給黏接劑G的溶劑。藉由從該另一溶劑供給部450所供給之黏接劑G的溶劑，將外側黏接劑GE的表面加以除去。另一溶劑供給部450，藉由支持構件(未圖示)固定在處理容器430。
另一溶劑供給部450，如圖38所示，包含：上部噴嘴451，相對於疊合晶圓T配置於上方；以及下部噴嘴452，相對於疊合晶圓T配置於下方。上部噴嘴451，包含頂棚部451a與側壁部451b，以包覆疊合晶圓T的外周部之上部方式設置。又，下部噴嘴452，包含底部452a與側壁部452b，以包覆疊合晶圓T的外周部之下部方式設置。而根據此等上部噴嘴451與下部噴嘴452，如圖36以及圖37所示，另一溶劑供給部450略呈長方體形狀。又，另一溶劑供給部450的旋轉吸盤440側之側面形成開口，以使固持在旋轉吸盤440的疊合晶圓T之外周部插入該開口部。
如圖38所示，於上部噴嘴451的頂棚部451a之底面，形成有供給口453，以從疊合晶圓T的上方對於外側黏接劑GE供給黏接劑G的溶劑。又， 於下部噴嘴452的底部452a之頂面，形成有供給口454，以從疊合晶圓T的下方對於外側黏接劑GE供給黏接劑G的溶劑。
於上部噴嘴451與下部噴嘴452，連接有對上部噴嘴451與下部噴嘴452供給黏接劑G的溶劑之供給管455。供給管455，連通至於內部儲存黏接劑G的溶劑之溶劑供給源456。又，於供給管455，設有供給設備群457，其包含控制黏接劑G的溶劑的流動之閘閥或流量調節部等。另外，黏接劑G的溶劑，使用例如有機類的稀釋劑，在本實施形態中使用三甲基苯(1,3,5-三甲苯)。
於上部噴嘴451的側壁部451b與下部噴嘴452的側壁部452b之間，設有排出管460，以將除去外側黏接劑GE的表面後之黏接劑G的溶劑加以排出，將上部噴嘴451與下部噴嘴452所包圍的區域之環境氣體進行排氣。排出管460連接至噴射器461。
另外，在另一黏接劑除去裝置420中，於旋轉吸盤440的周圍，另一溶劑供給部450的外側，亦可設有接收從疊合晶圓T飛散或落下的液體，來將其回收的杯體(未圖示)。該杯體的構成，與塗佈裝置40中的杯體282之構成相同。又，在本實施形態的另一黏接劑除去裝置420中，雖使旋轉吸盤440沿著軌道442移動，但亦可使另一溶劑供給部450沿著水平方向(圖36以及圖37中的Y方向)移動。
在此情形，將在步驟A12中接合且其後溫度調節至既定溫度的疊合晶圓T，藉由晶圓運送裝置61運送至另一黏接劑除去裝置420。將送入另一黏接劑除去裝置420的疊合晶圓T，從晶圓運送裝置61傳遞至旋轉吸盤440並吸附固持於其上。此時，被處理晶圓W的非接合面WN面係吸附固持著。又，旋轉吸盤440退避至疊合晶圓T不會與另一溶劑供給部450互相干擾之位置。接著，使旋轉吸盤440下降至既定位置之後，再使旋轉吸盤440往另一溶劑供給部450側水平方向地移動，以使疊合晶圓T的外周部插入另一溶劑供給部450內的上部噴嘴451與下部噴嘴452之間。此時，疊合 晶圓T位於上部噴嘴451與下部噴嘴452之間的正中間。
其後，一面藉由旋轉吸盤440使疊合晶圓T旋轉，一面從上部噴嘴451與下部噴嘴452對疊合晶圓T的外周部供給黏接劑G的溶劑。所供給的黏接劑G的溶劑藉由來自噴嘴451、452的噴射壓力與疊合晶圓T旋轉所產生的離心力，流至外側黏接劑GE上。而藉由該黏接劑G的溶劑來除去外側黏接劑GE的表面，使該外側黏接劑GE上形成為既定大小。另外，除去外側黏接劑GE的表面後之黏接劑G的溶劑，或另一溶劑供給部450內的環境氣體，係藉由噴射器461從排出管460中強制排出。
另外，在本步驟中，藉由來自上部噴嘴451與下部噴嘴452之黏接劑G的溶劑，從上方與下方將外側黏接劑GE的表面均等地除去。亦即，表面除去後的外側黏接劑GE之上端部與支持晶圓S的底面之距離，等同於外側黏接劑GE之下端部與被處理晶圓W之距離。如此將外側黏接劑GE的表面上下均等地除去，藉此可適當地進行後續的疊合晶圓T之運送或處理。
又，在本步驟中，控制部370控制旋轉吸盤440來控制疊合晶圓T的轉速，藉此可調整外側黏接劑GE的表面除去的量，使該外側黏接劑GE上形成為既定大小。又，外側黏接劑GE的表面除去量，亦根據黏接劑G的供給量、供給時間、供給時序、或噴射器461的排出量等所控制。
根據本實施形態，在步驟A2中將被處理晶圓W的外周部WE上的黏接劑G除去，更在步驟A12中將從疊合晶圓T溢出之外側黏接劑GE的表面加以除去。如此以兩階段調節從疊合晶圓T溢出之外側黏接劑GE，因此可更適當地使該外側黏接劑GE形成為既定大小。從而，可將被處理晶圓W與支持晶圓S更適當地接合。
在以上的實施形態中，雖在將被處理晶圓W配置於下側且將支持晶圓S配置於上側之狀態下，接合此等被處理晶圓W與支持晶圓S，但亦可令被處理晶圓W與支持晶圓S的上下配置為相反。在此情形，對於支持晶圓 S進行上述步驟A1~A5，以將黏接劑G塗佈在該支持晶圓S的接合面SJ。又，對於被處理晶圓W進行上述步驟A6~A8，以使該被處理晶圓W的表面背面翻轉。而進行上述步驟A9~A12，以接合支持晶圓S與被處理晶圓W。但是，從保護被處理晶圓W上的電子電路之觀點來看，宜將黏接劑G塗佈在被處理晶圓W上。
在以上的實施形態中，雖在塗佈裝置40中將黏接劑G塗佈在被處理晶圓W與支持晶圓S的任一方，但亦可將黏接劑G塗佈在被處理晶圓W與支持晶圓S雙方。
在以上的實施形態中，雖在步驟A3中將被處理晶圓W加熱至既定溫度100℃~300℃，但亦可以兩階段進行被處理晶圓W的熱處理。例如在熱處理裝置41中，加熱至第1處理溫度例如100℃~150℃之後，在熱處理裝置44中，加熱至第2處理溫度例如150℃~300℃。在此情形，可令熱處理裝置41與熱處理裝置44中的加熱機構本身的溫度為固定。從而，無須對該加熱機構進行溫度調節，可更加提升被處理晶圓W與支持晶圓S之接合處理之產出。
以上，雖然參照附圖說明了有關本發明的較佳實施形態，但本發明並不限定於此例。我們了解到只要是熟習本技術領域者，於申請專利範圍所記載之思想範疇內，很明顯地能想到各種變形例或是修正例，有關其等當然亦屬於本發明之技術性範圍。本發明並不限於此例，可採用各種態樣。本發明亦可適用於基板為晶圓以外的FPD(平面顯示器)、光罩用的倍縮光罩等其他基板的情形。
A1~A12‧‧‧步驟

Claims (19)

  1. 一種接合方法，用以接合被處理基板與支持基板，其特徵為包含：黏接劑塗佈步驟，將黏接劑塗佈於被處理基板或支持基板；其後為黏接劑除去步驟，將黏接劑的溶劑，供給至在該黏接劑塗佈步驟中塗佈了黏接劑的被處理基板或支持基板之外周部上，以除去該外周部上的黏接劑；其後為接合步驟，推壓在該黏接劑除去步驟中除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板與未塗佈有黏接劑之支持基板而使之接合，或推壓在該黏接劑除去步驟中除去了該外周部上的黏接劑之支持基板與未塗佈有黏接劑之被處理基板而使之接合；在該接合步驟中，被處理基板與支持基板之間的黏接劑溢出，使由該被處理基板與支持基板接合而成之疊合基板的外側面上附著有外側黏接劑；在該接合步驟後，使被處理基板薄化；而在該黏接劑除去步驟中，將自被處理基板或支持基板的外側面算起既定距離內之該外周部上的黏接劑加以除去，俾於該接合步驟中令該外側黏接劑之端部位置與薄化後的被處理基板之端部位置為一致。
  2. 如申請專利範圍第1項之接合方法，其中，在該黏接劑除去步驟中，使被處理基板或支持基板旋轉，同時將黏接劑的溶劑供給至該被處理基板或支持基板的該外周部上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之接合方法，其中更包含：熱處理步驟，於該黏接劑除去步驟後且於該接合步驟前，將塗佈有黏接劑並除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之接合方法，其中更包含：熱處理步驟，於該黏接劑塗佈步驟後且於該黏接劑除去步驟前，將塗佈有黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之接合方法，其中，在該接合步驟中，至少將被處理基板或支持基板加熱至既定溫度，同時推壓該被處理基板與支持基板而使之接合。
  6. 如申請專利範圍第3項之接合方法，其中，在該接合步驟中，至少將被處理基板或支持基板加熱至既定溫度，同時推壓該被處理基板與支持基板而使之接合。
  7. 如申請專利範圍第4項之接合方法，其中，在該接合步驟中，至少將被處理基板或支持基板加熱至既定溫度，同時推壓該被處理基板與支持基板而使之接合。
  8. 如申請專利範圍第6項之接合方法，其中，在該黏接劑除去步驟中的該外周部之自被處理基板或支持基板的外側面算起既定距離，係至少依據：黏接劑的種類、在該塗佈步驟中塗佈在被處理基板或支持基板上的黏接劑之目標膜厚、在該熱處理步驟或該接合步驟中加熱被處理基板或支持基板之熱處理溫度、或是在該接合步驟中推壓被處理基板與支持基板之壓力而決定。
  9. 如申請專利範圍第7項之接合方法，其中，在該黏接劑除去步驟中的該外周部之自被處理基板或支持基板的外側面算起既定距離，係至少依據：黏接劑的種類、在該塗佈步驟中塗佈在被處理基板或支持基板上的黏接劑之目標膜厚、在該熱處理步驟或該接合步驟中加熱被處理基板或支持基板之熱處理溫度、或是在該接合步驟中推壓被處理基板與支持基板之壓力而決定。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之接合方法，其中，預先保存有已將外周部上的黏接劑適當地除去之被處理基板或支持基板之基準影像； 拍攝已在該黏接劑除去步驟中將該外周部上的黏接劑除去之被處理基板或支持基板之影像，並將該所拍攝的影像與該基準影像加以比較，來檢查被處理基板或支持基板。
  11. 一種可讀取之電腦記憶媒體，儲存有程式，該程式基於利用接合系統實行如申請專利範圍第1或2項之接合方法之目的，而在控制該接合系統的控制部之電腦上操作。
  12. 一種接合系統，用以接合被處理基板與支持基板，其特徵為包含：黏接劑供給部，將黏接劑供給並塗佈於被處理基板或支持基板；溶劑供給部，將黏接劑的溶劑，供給至藉由該黏接劑供給部塗佈了黏接劑的被處理基板或支持基板之外周部上，以除去該外周部上的黏接劑；接合裝置，推壓藉由該溶劑供給部除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板與未塗佈有黏接劑之支持基板而使之接合，或推壓藉由該溶劑供給部除去了該外周部上的黏接劑之支持基板與未塗佈有黏接劑之被處理基板而使之接合；在該接合裝置中，被處理基板與支持基板之間的黏接劑溢出，使以該被處理基板與支持基板接合而成之疊合基板的外側面上附著有外側黏接劑；在該接合裝置中接合了被處理基板與支持基板之後，使被處理基板薄化；藉由該溶劑供給部，將自被處理基板或支持基板的外側面算起在既定距離內之該外周部上的黏接劑加以除去，俾令在該接合裝置中該外側黏接劑之端部位置與薄化後的被處理基板之端部位置為一致。
  13. 如申請專利範圍第12項之接合系統，其中更包含：旋轉固持部，在藉由該溶劑供給部將該外周部上的黏接劑加以除去時，固持被處理基板或支持基板並使之旋轉。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之接合系統，其中， 該黏接劑供給部與該溶劑供給部設於一個塗佈裝置內；該接合系統更包含：熱處理裝置，將在該塗佈裝置中塗佈了黏接劑並除去了該外周部上的黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度。
  15. 如申請專利範圍第12或13項之接合系統，其中更包含：塗佈裝置，具有該黏接劑供給部；熱處理裝置，將在該塗佈裝置中塗佈了黏接劑之被處理基板或支持基板，加熱至既定溫度；以及黏接劑除去裝置，具有該溶劑供給部，其用以將黏接劑的溶劑，供給至在該熱處理裝置中加熱至既定溫度之被處理基板或支持基板的該外周部上。
  16. 如申請專利範圍第12或13項之接合系統，其中，該接合裝置，具有加熱機構，用以至少將被處理基板或支持基板加熱至既定溫度。
  17. 如申請專利範圍第14項之接合系統，其中，該接合裝置，具有加熱機構，用以至少將被處理基板或支持基板加熱至既定溫度。
  18. 如申請專利範圍第17項之接合系統，其中更包含：控制部，至少控制黏接劑的種類、藉由該黏接劑供給部塗佈在被處理基板或支持基板上的黏接劑之目標膜厚、藉由該熱處理裝置或該接合裝置的該加熱機構加熱被處理基板或支持基板之熱處理溫度、或是在該接合裝置中推壓被處理基板與支持基板之壓力，來決定藉由該溶劑供給部除去黏接劑的該外周部之自被處理基板或支持基板的外側面算起的既定距離。
  19. 如申請專利範圍第12或13項之接合系統，其中更包含：控制部，預先保存有已將外周部上的黏接劑適當地除去之被處理基板 或支持基板之基準影像；以及攝像部，拍攝已藉由該溶劑供給部將該外周部上的黏接劑除去之被處理基板或支持基板之影像；該控制部將由該攝像部所拍攝的影像與該基準影像加以比較，來檢查被處理基板或支持基板。
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