JP5671261B2 - 被処理体の処理方法 - Google Patents
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Description
第1処理液を供給する供給口を備えた処理治具を、該供給口が開口している空間を該処理治具と該被処理面とが挟むようにして配置し、該空間に上記第1処理液を貯留する貯留処理工程と、
上記被処理体を回転させながら、外周部上に第2処理液を供給しつつ、該供給口から上記被処理面上に上記第1処理液を供給する回転処理工程とを包含しており、
該回転処理工程において、該処理治具を該被処理体の回転方向とは異なる方向に移動させることを特徴とする。
図1〜図7を用いて、本発明の一実施形態に係る被処理体の処理方法について説明する。図1に示すように、本実施形態に係る被処理体の処理方法によって処理される被処理体18は、被処理面18bを備えるとともに、被処理面18bの外周に配置された外周部18aを有する。本実施形態に係る被処理体の処理方法によれば、被処理面18bを処理する第1の処理液によって外周部18aが処理されることを防ぎつつ、被処理面18bを十分に処理することができる。
ここで、本実施形態に係る被処理体の処理方法により良好に処理される被処理体18の一例について説明する。なお、被処理体18は、以下に例示する被処理体に限定されないことは言うまでもない。
図1は、本実施形態に係る被処理体の処理方法を実施する処理装置100の概略構成を示す概略断面図である。図1に示すように、処理装置100は、載置部10、回転軸12、回転モーター14、第1処理液供給部40、配管42、配管72、処理治具50、第1処理液回収部70、位置制御部76、第2処理液供給部30、配管82、および第2処理液供給口84を備えている。処理治具50は、供給口56および回収口58を備えているとともに、被処理面18bと対向する対向面52aを備えている。各部の詳細は後述する。なお、本実施形態に係る被処理体の処理方法は、後述する各工程を実施し得るものであれば、処理装置100とは異なる構成を有する装置によって実施されてもよい。
図2は、貯留処理工程における処理装置100の状態を示す概略断面図である。図2に示すように、供給口56が開口している空間である貯留空間部52を、対向面52aと被処理面18bとで挟むように処理治具50を配置した状態で、貯留空間部52に第1処理液を貯留することにより、外周部21に第1処理液が飛散することが抑制された状態で、被処理面18bを処理することができる。
本実施形態に係る回転処理工程では、被処理体18を載置部10ごと回転させながら、外周部18a上に第2処理液を供給しつつ、供給口56から被処理面18b上に第1処理液を供給する。このとき、処理治具50を被処理体18の回転方向とは異なる方向に移動させる。
次に、本発明の第二の実施形態について説明する。本実施形態に係る被処理体の処理方法では、第一の実施形態において説明した貯留処理工程および回転処理工程を実施した後、第1処理液を気体と混合して上記被処理面上に噴霧する噴霧処理工程、および被処理面上に気体を供給しながら乾燥させる乾燥工程をさらに実施する。貯留処理工程および回転処理工程については、第一の実施形態と同様に行えばよく、説明を省略する。以下、噴霧処理工程および乾燥工程について説明する。
噴霧処理工程では、第1処理液を気体と混合して被処理面18b上に噴霧する。すなわち、噴霧処理工程では、処理装置100は、図示しないタンクに貯蔵された第1処理液を気体と混合して、被処理面18b上に噴霧する。これにより、より効果的に被処理面18bを洗浄処理することができる。
乾燥工程では、被処理面18b上に気体を供給することにより、被処理面18bを乾燥させる。すなわち、乾燥工程では、処理装置100は、気体を所定のノズルから被処理面18bに供給する。用いる気体としては、例えば、N2 が挙げられるが、これに限定されない。乾燥工程において、被処理面18b上に気体を供給し、被処理面18bを乾燥させることで、異物などが新たに被処理面18b上に付着するのを抑制し、被処理面18bの清浄さを維持したまま、被処理体18を迅速かつ確実に乾燥させることができる。
比較例1では、被処理体18を回転させながら、単に、被処理面18bに第1処理液を供給して被処理体18を処理した後、第1処理液を供給せずに被処理体18を回転させて被処理体18を乾燥させた。被処理体18としては、高さ60μmのバンプが設けられた半導体ウェハ、および高さ80μmのバンプが設けられた半導体ウェハの両方を用いた。
比較例2では、被処理体18に対し、貯留処理工程および回転処理工程を行った後、最後に処理液を供給せずに被処理体18を回転させて被処理体18を乾燥させた。回転処理工程は、処理治具50を固定した状態で行った。被処理体18としては、高さ60μmのバンプが設けられた半導体ウェハ、および高さ80μmのバンプが設けられた半導体ウェハの両方を用いた。
比較例3では、比較例2に比べ回転処理時の回転数を少なくして処理を行った。被処理体18としては、高さ60μmのバンプが設けられた半導体ウェハ、および高さ80μmのバンプが設けられた半導体ウェハの両方を用いた。
実施例1では、被処理体18に対し、貯留処理工程および回転処理工程を行った後、最後に処理液を供給せずに被処理体18を回転させて被処理体18を乾燥させた。回転処理工程は、処理治具50を被処理体18の半径方向に揺動(スイング)させながら行った。被処理体18としては、高さ60μmのバンプが設けられた半導体ウェハ、および高さ80μmのバンプが設けられた半導体ウェハの両方を用いた。
実施例2では、被処理体18に対し、貯留処理工程および回転処理工程を行った後、さらに噴霧処理工程および乾燥工程を行い、最後に処理液を供給せずに被処理体18を回転させて被処理体18を乾燥させた。回転処理工程は、処理治具50を被処理体18の半径方向に揺動(スイング)させながら行った。
12 回転軸
14 モーター
18 被処理体
18a 外周部
18b 被処理面
30 第2処理液供給部
40 第1処理液供給部
50 処理治具
52 貯留空間部
54 突出部
56 供給口
58 回収口
70 第1処理液回収部
76 位置制御部
84 第2処理液供給口
93 残留接着剤
94 半導体ウェハ
95 突起物
96 支持体
97 溶解残渣物
Claims (12)
- 被処理面を備えるとともに、該被処理面の外周に配置された外周部を有する被処理体を処理する方法であって、
第1処理液を供給する供給口を備えた処理治具を、該供給口が開口している空間を該処理治具と該被処理面とが挟むようにして配置し、該空間に上記第1処理液を貯留する貯留処理工程と、
上記被処理体を回転させながら、外周部上に第2処理液を供給しつつ、該供給口から上記被処理面上に上記第1処理液を供給する回転処理工程とを包含しており、
該回転処理工程において、該処理治具を該被処理体の回転方向とは異なる方向に移動させることを特徴とする被処理体の処理方法。 - 上記回転処理工程における上記処理治具と上記被処理面との間隔の方が、上記貯留処理工程における該間隔よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の被処理体の処理方法。
- 上記回転処理工程では、上記被処理体を100min−1回転以上、1000min−1回転未満の範囲で回転させることを特徴とする請求項1または2に記載の被処理体の処理方法。
- 上記回転処理工程では、上記貯留処理工程よりも大きい流量で、上記供給口から上記第1処理液を供給することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。
- 上記回転処理工程では、上記第2処理液を上記被処理面と上記外周部との略境界に供給することにより、上記第2処理液を上記外周部上に供給することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。
- 上記回転処理工程の後、上記第1処理液を気体と混合して上記被処理面上に噴霧する噴霧処理工程をさらに包含することを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。
- 上記回転処理工程の後、上記被処理面上に気体を供給することにより、上記被処理面を乾燥させる乾燥工程をさらに包含することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。
- 上記貯留処理工程において、上記被処理面上の上記空間に接する領域は、上記被処理面の全体よりも小さく、
上記貯留処理工程では、上記処理治具を、上記被処理面の面内方向に移動させることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。 - 上記貯留処理工程は、
上記被処理面の中央部分上に上記処理治具が配置される中央処理段階と、
上記被処理面の外縁部分上に上記処理治具が配置される外縁処理段階と、
を包含しており、
該中央処理段階の処理時間よりも該外縁処理段階の処理時間の方が長いことを特徴とする請求項8に記載の被処理体の処理方法。 - 上記処理治具は、上記貯留処理工程において上記空間に開口し、上記第1処理液を回収する回収口をさらに備えており、
上記貯留処理工程では、上記処理治具を、上記被処理面に対して離間するように維持することを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。 - 上記被処理体は、支持体に貼付された基板であり、
上記被処理面は、該基板の表面であり、
上記外周部は、該支持体の露出面であることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。 - 上記第1処理液は、上記被処理面上に塗布された接着剤を溶解させるための溶剤であり、該接着剤を該溶剤に溶解させたとき、該溶剤に溶解しない溶解残渣物が上記被処理面上に残存することを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載の被処理体の処理方法。
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