JP2024005496A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液による処理時に、基板周辺部から跳ね返る処理液が基板に付着することを抑制する。【解決手段】基板処理装置２は、基板９が水平状態で支持される第１支持状態において、基板９が取り付けられるとともに基板９の周囲に広がる取付部材８１を支持する支持部３２と、第１支持状態において、基板９の周辺に近接して配置される、取付部材８１の部位を基板周辺部として、基板９の周囲にて取付部材８１を変形しつつ基板９を基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる第２支持状態を形成する昇降部３３と、第２支持状態において基板９の上面に処理液を供給して、上面を処理する処理液供給部４２とを備える。これにより、処理液による処理時に、基板周辺部から跳ね返る処理液が基板９に付着することを抑制することができる。【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

近年、半導体基板等の基板の表面にキャリア基板を貼り合わせた状態で、基板の裏面を研削することにより、基板の薄板化が行われている。裏面の研削後、エッチングにより研削歪が除去される。また、内側にフィルム（剥離テープとも呼ばれる。）が設けられたフレームが準備され、基板の裏面が当該フレームの内側にてフィルムに貼着される。続いて、フィルム上の基板からキャリア基板が剥離される。その後、基板の表面が洗浄され、接着剤の残渣等の不要物が除去される。

特許文献１の装置では、キャリア基板ホルダを用いてキャリア基板が引っ張られ、フィルムの変形を伴ってキャリア基板が基板から剥離される。特許文献２では、基板よりも外側にはみ出したフィルム（粘着テープ）の露出面とフレームとに保護膜が形成され、その後、基板が洗浄液により洗浄される。これにより、接着剤中のフィラーなどに由来する溶解残渣物が、上記露出面およびフレームに付着することが防止される。

特許第５９３０４０１号公報 特開２０１３－２４７２９９号公報

ところで、キャリア基板の剥離後、基板処理装置において基板の表面を洗浄する場合、フレームが支持部により支持された状態で、基板の表面に処理液である洗浄液が供給され、不要物が基板の表面から除去される。しかしながら、基板の周辺に近接して配置される基板周辺部（フレーム、フィルム、支持部等）に、当該不要物が付着することがある。この場合、基板の表面から周囲に飛散する洗浄液が、基板周辺部にて跳ね返り、不要物を含む処理液が基板に付着する、すなわち、不要物が基板に再付着する可能性がある。

基板周辺部から跳ね返る処理液の基板への付着は、フレームおよびフィルムを用いない場合も生じ得る。例えば、基板の外縁部を支持部により直接的に支持する基板処理装置において、基板の表面を処理液により処理する場合に、基板周辺部である支持部から跳ね返る処理液が基板に付着し、基板が汚染されることがある。したがって、処理液による処理時に、基板周辺部から跳ね返る処理液が基板に付着することを抑制する手法が求められている。

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理液による処理時に、基板周辺部から跳ね返る処理液が基板に付着することを抑制することを目的としている。

本発明の態様１は、基板処理装置であって、基板が水平状態で支持される第１支持状態において、前記基板が取り付けられるとともに前記基板の周囲に広がる取付部材を支持する、または、前記基板の外縁部を直接的に支持する支持部と、前記第１支持状態において、前記基板の周辺に近接して配置される、前記取付部材または／および前記支持部の部位を基板周辺部として、前記基板の周囲にて前記取付部材を変形しつつ前記基板を前記基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、または、前記支持部による前記基板の直接的な支持を解除しつつ前記基板を前記基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、前記基板周辺部に対する前記基板の相対位置が前記第１支持状態よりも上方となる第２支持状態を形成する昇降部と、前記第２支持状態において前記基板の上面に処理液を供給して、前記上面を処理する処理液供給部とを備える。

本発明の態様２は、態様１の基板処理装置であって、前記取付部材が、前記基板の下面に貼着され、前記基板の外側に広がるフィルムと、前記基板の周囲を囲むとともに、前記フィルムが接続されるフレームとを備え、前記支持部が、前記第１支持状態において前記取付部材を支持し、前記第２支持状態において前記基板の周囲にて前記フィルムが変形している。

本発明の態様３は、態様１または２の基板処理装置であって、前記第２支持状態において前記基板の前記上面を覆う遮断板をさらに備え、前記処理液供給部のノズルが、前記遮断板に設けられる。

本発明の態様４は、態様１または２（態様１ないし３のいずれか１つであってもよい。）の基板処理装置であって、前記基板周辺部の上方の雰囲気を吸引する吸引部をさらに備える。

本発明の態様５は、態様１または２（態様１ないし４のいずれか１つであってもよい。）の基板処理装置であって、前記基板周辺部に洗浄液を直接的に供給する周辺洗浄部をさらに備える。

本発明の態様６は、態様１または２（態様１ないし５のいずれか１つであってもよい。）の基板処理装置であって、前記支持部が、前記取付部材または前記基板を保持するチャック部を有し、前記昇降部が、前記基板の下面に対向する対向部を上昇させることにより、前記第２支持状態を形成する。

本発明の態様７は、態様１または２（態様１ないし６のいずれか１つであってもよい。）の基板処理装置であって、前記基板の前記上面への前記処理液の供給後、前記第２支持状態において前記基板および前記支持部を回転することにより、前記基板および前記支持部を乾燥する基板回転機構をさらに備える。

本発明によれば、処理液による処理時に、基板周辺部から跳ね返る処理液が基板に付着することを抑制することができる。

基板転写装置の構成を示すブロック図である。 基板転写装置における処理を説明するための図である。 基板が取り付けられた取付部材を示す平面図である。 基板処理装置の構成を示す図である。 基板処理装置における基板の洗浄処理の流れを示す図である。 基板の洗浄処理を説明するための図である。 基板の洗浄処理を説明するための図である。 基板の洗浄処理を説明するための図である。 比較例の基板処理装置における基板の洗浄処理を説明するための図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。 基板の洗浄処理を説明するための図である。 基板の洗浄処理を説明するための図である。 基板の洗浄処理を説明するための図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。 第２支持状態の基板処理装置を示す図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。 第２支持状態の基板処理装置を示す図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。 第２支持状態の基板処理装置を示す図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。

図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板転写装置１の構成を示すブロック図である。基板転写装置１は、基板受けステージ１１と、ＵＶ照射装置１２と、アライメント装置１３と、フレームマウント装置１４と、剥離装置１５と、基板処理装置２と、基板収納カセット１６と、搬送機構（図示省略）とを備える。搬送機構は、例えば、モータ等を含む搬送ロボットであり、これらの構成の間における基板９の搬送を担う。基板転写装置１の各構成は、ＣＰＵ等を有する制御部（図示省略）により制御される。

図２は、基板転写装置１における処理を説明するための図である。基板転写装置１では、図２の上段に示すように、表面９１にキャリア基板８９が張り合わされた基板９が、基板受けステージ１１に載置される。基板９は、例えば、半導体基板であり、表面９１には回路パターンが形成されている。キャリア基板８９は、例えば、ガラス基板等であり、基板９と略同じサイズである。基板９とキャリア基板８９との間には、接着剤の層である接着層８８が設けられる。接着層８８の接着剤として、接着性を有する様々な樹脂を利用することが可能であり、フィラーを含んでもよい。また、接着剤の調製において有機溶剤が用いられてもよい。本処理例における接着層８８は、紫外線の照射により分解される光吸収剤を含む。後述するように、接着層８８に対する紫外線の照射により、接着層８８における粘着力が低下する。上記樹脂、フィラー、有機溶剤および光吸収剤として、例えば、特開２０１３－２４７２９９号公報（上記特許文献２）に記載のものが利用可能である。

基板転写装置１への搬送前に、基板９の表面９１にキャリア基板８９が張り合わされ、グラインド装置により基板９の裏面９２が研削されて基板が薄板化される。また、裏面９２の研削後、バックサイドエッチング装置により裏面９２がエッチングされ、研削歪が除去される。バックサイドエッチング装置では、ウエットエッチングまたはドライエッチング（プラズマエッチング）のいずれが行われてもよい。その後、基板９が基板転写装置１に搬送され、基板受けステージ１１に載置される。

基板転写装置１のＵＶ照射装置１２では、基板９に対してキャリア基板８９側から紫外線（ＵＶ）が照射される。これにより、接着層８８における粘着力が低下する。続いて、アライメント装置１３において基板９のノッチの向きが所定方向に合わせられる。その後、フレームマウント装置１４において、図２の中段に示すように、基板９が取付部材８１に取り付けられる。

図３は、基板９が取り付けられた取付部材８１を示す平面図である。図３では、後述するように、キャリア基板８９が剥離された基板９を示している。取付部材８１は、基板９が取り付けられる部材であり、基板９の周囲に広がる。詳細には、図２の中段、および、図３に示すように、取付部材８１は、フィルム８２（剥離テープとも呼ばれる。）と、フレーム８３とを備える。フィルム８２は、フィルム本体と、フィルム本体上に設けられた粘着層とを備える。フィルム本体は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ポリオレフィン、または、ポリプロピレン等の樹脂フィルムである。フィルム本体上の粘着層により、基板９の裏面９２がフィルム８２に貼着される。フィルム８２の外縁は、基板９よりも大きく、フィルム８２は、基板９の全周に亘って基板９の外側に広がる部位を有する。フレーム８３は、基板９の周囲を囲む略円環状であり、フィルム８２が接続される。フレーム８３の内縁は円形であり、フレーム８３の内径は基板９の外径よりも大きい。これにより、基板９の周囲においてフィルム８２が露出する。フレーム８３は、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属、または、樹脂等により形成される。フレーム８３の外形は、略円形以外に、矩形等の他の形状であってもよい。

剥離装置１５では、図２の中段および下段に示すように、基板９からキャリア基板８９が剥離される。本実施の形態では、ＵＶ照射装置１２における紫外線の照射により、接着層８８の粘着力が低下しているため、キャリア基板８９を容易に剥離することが可能である。紫外線照射後の接着層８８の粘着力によっては、基板９が取付部材８１に取り付けられた後に、ＵＶ照射装置１２における紫外線の照射が行われてもよい。基板９および取付部材８１は、基板処理装置２に搬入され、基板９の表面９１が洗浄される。これにより、当該表面９１上における接着層８８の残渣等の不要物が除去される。基板処理装置２については、後述する。洗浄後の基板９および取付部材８１は、基板処理装置２から搬出され、基板収納カセット１６に収納される。

図４は、基板処理装置２の構成を示す図である。図４では、一部の構成を、後述の中心軸Ｊ１を含む面での断面により示している。基板処理装置２は、処理液である洗浄液を基板９に供給して基板９を処理（ここでは、洗浄）する基板洗浄装置である。基板処理装置２は、支持ユニット３と、ガード４１と、洗浄液供給部４２と、吸引部４３とを備える。支持ユニット３は、支持ベース３１と、チャック部３２と、昇降部３３と、基板回転機構３６とを備える。支持ベース３１は、上下方向（鉛直方向）に平行な中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材であり、略水平な上面を有する。基板処理装置２に搬入された基板９および取付部材８１は、支持ベース３１の上面上に載置される。支持ベース３１の下面の中央には、中心軸Ｊ１を中心とするシャフト部３６１の上端が固定される。モータを有する基板回転機構３６が、シャフト部３６１を回転することにより、支持ベース３１が基板９および取付部材８１と共に中心軸Ｊ１を中心として回転する。

チャック部３２は、複数のチャックピン３２１を有する。複数のチャックピン３２１は、支持ベース３１の上面において中心軸Ｊ１を中心とする周方向に等角度間隔にて配列される。チャックピン３２１の個数は、典型的には３個以上である。図３では、二点鎖線にてチャックピン３２１における後述の当接部３２２を示している。各チャックピン３２１は、回動軸部と、当接部３２２とを有する。回動軸部は、上下方向に延びる円柱状の部位であり、支持ベース３１に設けられた上下方向に延びる穴部内に配置される。チャックピン３２１は、回動軸部を中心として支持ベース３１に対して回動可能に支持される。後述するように、当接部３２２は、チャックピン３２１の回動により、フレーム８３の上面の外縁部に当接する位置と、フレーム８３から離れた位置とに選択的に配置される。

チャック部３２は、リング部３２３と、伝達機構３２４と、リング昇降機構３２５とをさらに備える。リング部３２３は、中心軸Ｊ１を中心とする環状部材であり、支持ベース３１の下方に配置される。リング部３２３は、図示省略のガイド部により上下方向に移動可能に支持される。伝達機構３２４は、リング部３２３と複数のチャックピン３２１の回動軸部とを連結するリンク機構である。伝達機構３２４は、リング部３２３の上下方向の移動に連動して、回動軸部を回動する。基板回転機構３６による支持ベース３１の回転時には、リング部３２３および伝達機構３２４は、支持ベース３１と共に中心軸Ｊ１を中心として回転する。

リング昇降機構３２５は、支持ベース３１の下方に配置される。リング昇降機構３２５は、例えば、モータおよびボールねじを備え、モータの回転によりボールねじにおける移動体（ナット）を上下方向に移動する。リング部３２３は、ベアリングの内輪に挿入されており、当該ベアリングの外輪には、リング昇降機構３２５の移動体が固定される。これにより、リング部３２３が中心軸Ｊ１を中心として回転可能な状態で、リング昇降機構３２５によるリング部３２３の上下方向への移動が可能となる。リング昇降機構３２５のモータは、基板回転機構３６を収容するケースに固定される。

例えば、リング昇降機構３２５がリング部３２３を上下方向における第１の位置に配置することにより、図４に示すように、複数のチャックピン３２１における当接部３２２が、フレーム８３の上面の外縁部に当接する。すなわち、複数の当接部３２２が保持位置に配置され、チャック部３２により取付部材８１が保持される。リング昇降機構３２５がリング部３２３を上下方向における第２の位置へと移動することにより、各チャックピン３２１の回動軸部が回動し、当接部３２２がフレーム８３の外縁部から離れる。すなわち、複数の当接部３２２が解除位置に配置され、チャック部３２による取付部材８１の保持が解除される。チャック部３２の上記構造は一例に過ぎず、適宜変更されてよい。例えば、リング昇降機構３２５としてエアシリンダ等が用いられてもよく、また、磁石等を用いることにより、リング昇降機構３２５と非接触にてリング部３２３が昇降されてもよい。

昇降部３３は、昇降ステージ３３１と、リング部３３２と、リング昇降機構３３３とを備える。昇降ステージ３３１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材であり、略水平な上面を有する。昇降ステージ３３１の外径は、基板９と略同じ、または、基板９よりも僅かに小さい。支持ベース３１の上面の中央部には、凹部が設けられており、昇降ステージ３３１の全体は、当該凹部内に配置可能である。リング部３３２は、中心軸Ｊ１を中心とする環状部材であり、支持ベース３１の下方に配置される。リング部３３２は、図示省略のガイド部により上下方向に移動可能に支持される。昇降ステージ３３１は、リング部３３２に接続されており、リング部３３２と一体的に上下方向に移動する。基板回転機構３６による支持ベース３１の回転時には、昇降ステージ３３１およびリング部３３２は、支持ベース３１と共に中心軸Ｊ１を中心として回転する。

リング昇降機構３３３は、支持ベース３１の下方に配置される。リング昇降機構３３３は、例えば、エアシリンダを備え、ピストンロッドを上下方向に移動する。リング部３３２は、ベアリングの内輪に挿入されており、当該ベアリングの外輪には、ピストンロッドが固定される。これにより、リング部３３２が中心軸Ｊ１を中心として回転可能な状態で、リング昇降機構３３３によるリング部３３２の上下方向への移動が可能となる。リング昇降機構３３３の本体は、基板回転機構３６を収容するケースに固定される。

図４の基板処理装置２では、昇降ステージ３３１が、支持ベース３１の上記凹部内に配置された下位置と、支持ベース３１の上面よりも上方に突出した上位置とに選択的に配置される（後述の図６Ａの下段参照）。昇降ステージ３３１が下位置に配置された状態では、昇降ステージ３３１の上面は、支持ベース３１の上面と略同じ高さ、または、支持ベース３１の上面よりも僅かに下方に配置される。昇降部３３の上記構造は一例に過ぎず、適宜変更されてよい。例えば、リング昇降機構３３３としてモータ等が用いられてもよく、また、磁石等を用いることにより、リング昇降機構３３３と非接触にてリング部３３２が昇降されてもよい。

ガード４１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、支持ベース３１の周囲を全周に亘って囲む。ガード４１は、モータ等を有する昇降機構（図示省略）により上下方向に移動可能である。洗浄液供給部４２は、処理液供給部であり、洗浄液ノズル４２１と、洗浄液供給源４２２とを備える。洗浄液ノズル４２１は、基板９の中央部の上方に配置され、洗浄液供給源４２２に接続される。洗浄液供給源４２２が洗浄液ノズル４２１に洗浄液を送ることにより、上方を向く基板９の表面９１の中央部に向けて洗浄液ノズル４２１から洗浄液が吐出される。基板処理装置２における洗浄液は、基板９の表面９１を洗浄する処理液であり、表面９１に付着する不要物（接着層８８の残渣等）に応じて適宜選択される。一例では、洗浄液は、ｐ－メンタン等のテルペン系溶剤を含む。洗浄液として、例えば、特開２０１３－２４７２９９号公報（上記特許文献２）に記載のものが利用可能である。洗浄液ノズル４２１は、ノズル移動機構（図示省略）に支持されており、図４に示す支持ベース３１の上方の位置（すなわち、基板９の中央部の上方の位置）と、中心軸Ｊ１を中心とする径方向に支持ベース３１から離れた位置とに洗浄液ノズル４２１が選択的に配置される。

吸引部４３は、吸引ノズル４３１と、吸引機構４３２とを備える。吸引ノズル４３１は、径方向において、基板９の外縁よりも外側、かつ、支持ベース３１の外縁よりも内側に配置される。図４の例では、吸引ノズル４３１は、フレーム８３の略上方に配置される。吸引ノズル４３１は、吸引機構４３２に接続される。吸引機構４３２を駆動することにより、吸引ノズル４３１の周囲の雰囲気の吸引が行われる。吸引ノズル４３１は、ノズル移動機構（図示省略）に支持されており、吸引ノズル４３１の径方向の位置が変更可能である。

図５は、基板処理装置２における基板９の洗浄処理の流れを示す図である。図６Ａないし図６Ｃは、基板９の洗浄処理を説明するための図である。基板９の洗浄処理では、まず、基板９が取り付けられた取付部材８１が、基板転写装置１の搬送機構により基板処理装置２に搬入され、図６Ａの上段に示すように、支持ベース３１上に載置される（ステップＳ１１）。このとき、昇降ステージ３３１は下位置に配置されており、取付部材８１のフィルム８２は、支持ベース３１の上面に接触する。昇降ステージ３３１は、フィルム８２を介して基板９の裏面９２と対向する。上下方向に沿って見た場合（すなわち、平面視した場合）、昇降ステージ３３１の上面の全体が基板９と重なる。

続いて、図６Ａの中段に示すように、複数の当接部３２２が保持位置に配置され、チャック部３２により取付部材８１のフレーム８３が保持される（ステップＳ１２）。すなわち、後述の第１支持状態が形成される。取付部材８１がチャック部３２により保持された状態では、基板９は水平である。そして、図６Ａの下段に示すように、昇降部３３の昇降ステージ３３１が下位置から上位置に移動し、基板９が上昇する（ステップＳ１３）。すなわち、後述の第２支持状態が形成される。このとき、チャック部３２によりフレーム８３が保持されているため、基板９の周囲にてフィルム８２が変形する。本処理例では、基板９は５～１０ｍｍほど上昇する。フィルム８２の変形は、弾性変形であっても、塑性変形であってもよい。

ここで、ステップＳ１２において取付部材８１が支持された状態を「第１支持状態」と呼び、ステップＳ１３において取付部材８１を変形しつつ基板９を上昇させた状態を「第２支持状態」と呼ぶ。また、基板９の外側周辺に近接して配置される、取付部材８１およびチャック部３２の部位を「基板周辺部」と呼ぶ。図６Ａの例では、基板周辺部は、基板９の周囲のフィルム８２の部位、フレーム８３、および、チャックピン３２１を含む。ステップＳ１３における昇降ステージ３３１の上昇では、チャックピン３２１およびフレーム８３の位置は変化しないため、第２支持状態では、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる。換言すると、第１支持状態では、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第２支持状態よりも下方となる。なお、第２支持状態においても基板９が水平に支持される。好ましい処理例では、第２支持状態において、基板９の表面９１がフレーム８３の上面よりも上方に位置するが、基板９の表面９１がフレーム８３の上面よりも下方に位置してもよい。

第２支持状態が形成されると、基板回転機構３６による基板９（および支持ベース３１）の回転が開始される（ステップＳ１４）。基板９の回転速度は、例えば、５００～８００ｒｐｍである。図６Ｂの上段では、矢印Ａ１により基板９の回転を示している（他の図において同様）。また、洗浄液ノズル４２１が基板９の中央部の上方の位置に配置される。そして、洗浄液ノズル４２１から基板９の表面９１の中央部への洗浄液の供給が開始される（ステップＳ１５）。表面９１では、基板９の回転による遠心力により洗浄液が基板９の外縁に向かって広がり、表面９１の全体に洗浄液が供給される。これにより、表面９１に付着する不要物が除去される。また、基板９の外縁から周囲に洗浄液が飛散する。すなわち、上述の基板周辺部に洗浄液が衝突する。このとき、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となっているため、基板９から飛散して基板周辺部にて跳ね返る洗浄液が基板９の表面９１に付着することが抑制される。なお、基板周辺部も基板９と共に回転しており、基板周辺部から周囲に飛散する洗浄液は、ガード４１（図４参照）の内周面により受けられ、回収される（以下同様）。

基板処理装置２では、洗浄液の供給と共に、吸引ノズル４３１による基板周辺部の上方の雰囲気の吸引も開始される（ステップＳ１６）。吸引ノズル４３１は、例えば、径方向において、露出したフィルム８２の上方とチャックピン３２１の上方との間を揺動する。図６Ｂの上段では、矢印Ａ２により吸引ノズル４３１の揺動を示している（他の図において同様）。基板周辺部から飛散する洗浄液のミスト等が、吸引ノズル４３１により回収されるため、当該ミスト等が基板９の表面９１に付着することが抑制される。

本処理例では、洗浄液の供給開始から所定時間が経過した後、基板９の回転速度が小さくされる。例えば、回転速度が、５００ｒｐｍ、２００ｒｐｍ、１０ｒｐｍ、１００ｒｐｍの順に変更される。基板９の回転速度が小さい状態では、図６Ｂの中段に示すように、洗浄液が基板９の外縁からフィルム８２の上面を流れて外側へと移動する。これにより、基板周辺部も洗浄される。その後、図６Ｂの下段に示すように、洗浄液ノズル４２１から基板９の表面９１への洗浄液の供給が停止される（ステップＳ１７）。

続いて、基板９の回転速度が大きくされ、基板９の乾燥が行われる（ステップＳ１８）。例えば、回転速度が、１００ｒｐｍ、３００ｒｐｍ、５００ｒｐｍ以上の回転数に順に変更される。図６Ｃの上段に示すように、基板９の乾燥時においても、吸引ノズル４３１による基板周辺部の上方の雰囲気の吸引が継続され、基板周辺部から飛散する洗浄液のミスト等が基板９の表面９１に付着することが抑制される。ステップＳ１８では、基板周辺部も乾燥される。

基板９の乾燥が完了すると、基板９の回転が停止されるとともに（ステップＳ１９）、吸引ノズル４３１による吸引、および、吸引ノズル４３１の揺動が停止される（ステップＳ２０）。また、図６Ｃの中段に示すように、昇降ステージ３３１が上位置から下位置に移動し、基板９が下降する（ステップＳ２１）。これにより、基板周辺部に対する基板９の相対位置が、昇降ステージ３３１を上位置に配置する前の状態（図６Ａの中段に示すステップＳ１２の状態）に戻される。換言すると、基板９が第２支持状態から第１支持状態へと戻される。図６Ｃの中段および下段に示すように、複数の当接部３２２が解除位置に配置され、チャック部３２による取付部材８１のフレーム８３の保持が解除される。その後、基板転写装置１の搬送機構により、基板９および取付部材８１が基板処理装置２から搬出され、基板９の洗浄処理が完了する（ステップＳ２２）。

ここで、比較例の基板処理装置について説明する。図７は、比較例の基板処理装置７１における基板９の洗浄処理を説明するための図である。比較例の基板処理装置７１では、昇降部３３が設けられない。したがって、ステップＳ１２において取付部材８１がチャックピン７２により支持されて第１支持状態が形成された後、基板周辺部に対して基板９を相対的に上昇させることなく（すなわち、第２支持状態を形成することなく）、基板９の表面９１に洗浄液が供給される。したがって、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９の表面９１に付着しやすくなる。当該洗浄液には、基板９の表面９１から除去された不要物が含まれており、表面９１に不要物が再付着してしまう。

これに対し、基板処理装置２では、基板９が水平状態で支持される第１支持状態において、支持部であるチャック部３２により取付部材８１が支持される。また、第１支持状態において、基板９の周辺に近接して配置される、取付部材８１および支持部の部位を基板周辺部として、昇降部３３が基板９の周囲にて取付部材８１を変形しつつ基板９を基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる第２支持状態が形成される。そして、第２支持状態において、洗浄液供給部４２が基板９の上面（上記の例では、表面９１）に洗浄液を供給することにより、当該上面が処理される。基板処理装置２では、洗浄液による基板９の処理時に、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９に付着することを抑制することができる。その結果、再度の洗浄を不要として洗浄液の消費量を削減し、環境負荷を軽減することができる。

好ましくは、取付部材８１が、基板９の下面（上記の例では、裏面９２）に貼着され、基板９の外側に広がるフィルム８２と、基板９の周囲を囲むとともに、フィルム８２が接続されるフレーム８３とを備える。また、第２支持状態において基板９の周囲にてフィルム８２が変形される。このとき、基板９の周囲において、径方向外側かつ下方に向かってフィルム８２が傾斜するため、フィルム８２から跳ね返る洗浄液が基板９に付着することをさらに抑制することができる。

好ましくは、基板周辺部の上方の雰囲気を吸引する吸引部４３が設けられる。吸引部４３により、基板周辺部から飛散する洗浄液のミスト等を回収することにより、当該洗浄液が基板９に付着することをさらに抑制することができる。

好ましくは、支持部が、取付部材８１を保持するチャック部３２を有し、昇降部３３が、基板９の下面に対向する対向部（上記の例では、昇降ステージ３３１）を上昇させる。これにより、第２支持状態を容易に形成することができる。

好ましくは、基板回転機構３６が設けられ、基板９の上面への洗浄液の供給後、第２支持状態において基板９および支持部を回転することにより、基板９および支持部が乾燥される。これにより、基板９の乾燥時に、基板９から飛散する洗浄液が、基板周辺部で跳ね返って基板９に再付着することを抑制することができる。なお、基板９の乾燥時における、基板周辺部に対する基板９の相対位置が、洗浄液の供給時における相対位置と相違してもよい。例えば、基板９の乾燥時における洗浄液の再付着をより確実に抑制する場合には、基板９の乾燥時における基板周辺部に対する基板９の相対位置が、洗浄液の供給時よりも上方に配置されてもよい。

基板処理装置２では、基板周辺部を洗浄する周辺洗浄部が設けられてもよい。図４の例では、周辺洗浄部４４は、周辺洗浄ノズル４４１（図４中に破線にて示す。）を有する。周辺洗浄ノズル４４１は、径方向において、基板９の外縁よりも外側、かつ、支持ベース３１の外縁よりも内側に配置される。図４の例では、周辺洗浄ノズル４４１は、基板周辺部の上方に配置される。周辺洗浄ノズル４４１は洗浄液供給源４２２に接続され、洗浄液が周辺洗浄ノズル４４１に送られる。これにより、周辺洗浄ノズル４４１から基板周辺部に向けて洗浄液が吐出される、すなわち、周辺洗浄ノズル４４１から基板周辺部に洗浄液が直接的に供給される。洗浄液供給源４２２は、洗浄液供給部４２および周辺洗浄部４４により共有される。周辺洗浄ノズル４４１が、専用の洗浄液供給源に接続され、洗浄液ノズル４２１から吐出される洗浄液とは異なる種類の洗浄液が吐出されてもよい。周辺洗浄ノズル４４１は、ノズル移動機構（図示省略）に支持されており、周辺洗浄ノズル４４１の径方向の位置が変更可能である。

図５の洗浄処理では、例えば、洗浄液ノズル４２１から基板９に洗浄液が供給されている間、周辺洗浄ノズル４４１から基板周辺部に洗浄液が直接的に供給される。具体的には、ステップＳ１５にて洗浄液ノズル４２１から基板９への洗浄液の供給を開始する際に、周辺洗浄ノズル４４１から基板周辺部への洗浄液の供給が開始される。これにより、基板９の表面９１の洗浄に並行して、基板周辺部が洗浄される。周辺洗浄ノズル４４１は、吸引ノズル４３１と同様に、径方向において、例えば、露出したフィルム８２の上方とチャックピン３２１の上方との間を揺動する。そして、ステップＳ１７にて洗浄液ノズル４２１から基板９への洗浄液の供給を停止する際に、周辺洗浄ノズル４４１から基板周辺部への洗浄液の供給が停止される。なお、洗浄液ノズル４２１から基板９への洗浄液の供給と、周辺洗浄ノズル４４１から基板周辺部への洗浄液の供給は、必ずしも並行して行われる必要はない。

以上のように、好ましい基板処理装置２では、基板周辺部に洗浄液を直接的に供給する周辺洗浄部４４が設けられる。周辺洗浄部４４を用いて基板周辺部を洗浄することにより、基板周辺部から不要物をより確実に除去することができる。その結果、基板周辺部に対する基板９の相対位置を第１支持状態よりも上方とする第２支持状態の形成と相俟って、不要物が基板９に再付着することをさらに抑制することができる。

図８は、基板処理装置の他の例を示す図である。図８の基板処理装置２では、図４の基板処理装置２に対して、遮断板４５、遮断板昇降機構４５１および補助ガス供給部４６が追加される。他の構成は、図４と同様であり、同じ構成に同じ符号を付す。

遮断板４５は、中心軸Ｊ１を略中心とする円板状である。遮断板４５は、支持ベース３１の上方に配置される。遮断板４５の下面は、支持ベース３１上の基板９の表面９１と上下方向に対向する。遮断板４５の下面は、基板９の表面９１と略平行である。遮断板４５の直径は、基板９の直径と略同じ、または、基板９の直径以上であり、基板９の表面９１の全体が遮断板４５により覆われる。遮断板４５は、遮断板昇降機構４５１により支持される。遮断板昇降機構４５１は、例えば、モータおよびボールねじを備え、遮断板４５を上下方向に移動する。基板９の処理時には、遮断板４５が、基板９の表面９１に近接した位置に配置される。基板処理装置２に対する基板９の搬入搬出時には、遮断板４５が、基板９の表面９１から離隔した離隔位置に配置され、搬送機構と干渉することが防止される。

遮断板４５において、中心軸Ｊ１と略重なる位置には、上下方向に延びる中空部が設けられ、洗浄液供給部４２の洗浄液ノズル４２１が、当該中空部内に配置される。洗浄液ノズル４２１の吐出口は、遮断板４５の下面近傍に配置され、基板９の表面９１の中央部に直接的に対向する。洗浄液ノズル４２１の外周面と当該中空部の内周面との間の空間は、ガス流路となっており、当該ガス流路には、補助ガス供給部４６の補助ガス供給源４６２が接続される。遮断板４５の下面には、洗浄液ノズル４２１の周囲を囲む略環状のガス噴出口４６１が設けられる。補助ガス供給源４６２が当該ガス流路に所定のガス（以下、「補助ガス」という。）を供給することにより、ガス噴出口４６１から基板９の表面９１の中央部に向けて補助ガスが噴出される。補助ガスは、典型的には、窒素ガス等の不活性ガスであるが、清浄な空気等、不活性ガス以外のガスであってもよい。なお、遮断板４５が、中心軸Ｊ１を略中心として回転可能であってもよい。

図９Ａないし図９Ｃは、基板処理装置２における基板９の洗浄処理を説明するための図である。基板９の洗浄処理では、まず、基板９が取り付けられた取付部材８１が、基板処理装置２に搬入され、図９Ａの上段に示すように、支持ベース３１上に載置される（ステップＳ１１）。このとき、遮断板４５は、基板９の表面９１から離隔した離隔位置に配置されており、図９Ａの上段では、遮断板４５の図示を省略している（図９Ａの中段および下段、並びに、図９Ｃの中段および下段において同様）。

続いて、図９Ａの中段に示すように、複数の当接部３２２が保持位置に配置され、チャック部３２により取付部材８１のフレーム８３が保持される（ステップＳ１２）。すなわち、第１支持状態が形成される。その後、図９Ａの下段に示すように、昇降ステージ３３１が下位置から上位置に移動し、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる第２支持状態が形成される（ステップＳ１３）。第２支持状態が形成されると、図９Ｂの上段に示すように、基板９の回転が開始される（ステップＳ１４）。基板９の回転速度は、例えば、５００～８００ｒｐｍである。

また、遮断板４５が、基板９の表面９１に対して所定距離（例えば、数ｃｍ）だけ離れた位置に配置される。その後、洗浄液ノズル４２１から基板９の表面９１の中央部への洗浄液の供給が開始される（ステップＳ１５）。基板９の表面９１では、基板９の回転による遠心力により洗浄液が基板９の外縁に向かって広がり、表面９１の全体に洗浄液が供給される。これにより、表面９１に付着する不要物が除去される。また、基板９の外縁から周囲に洗浄液が飛散する。すなわち、基板周辺部に洗浄液が衝突する。このとき、基板９の上方が遮断板４５により覆われ、かつ、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となっているため、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９の表面９１に付着することが抑制される。

基板処理装置２では、洗浄液の供給と共に、吸引ノズル４３１による基板周辺部の上方の雰囲気の吸引、および、ガス噴出口４６１からの補助ガスの噴出が開始される（ステップＳ１６）。吸引ノズル４３１は、例えば、径方向において、露出したフィルム８２の上方とチャックピン３２１の上方との間を揺動する。吸引ノズル４３１により基板周辺部から跳ね返る洗浄液のミスト等が回収される。また、遮断板４５の下面と基板９の表面９１との間の空間において、基板９の中央部から外縁に向かって補助ガスが流れ、当該空間に当該ミスト等が侵入することが抑制される。その結果、当該ミスト等が基板９の表面９１に付着することがより確実に抑制される。

本処理例では、洗浄液の供給開始から所定時間が経過した後、図９Ｂの中段に示すように、遮断板４５が、基板９の表面９１に近接した位置に配置されるとともに、基板９の回転速度が小さくされる。例えば、遮断板４５の下面が、基板９の表面９１に対して７ｍｍの位置まで近づけられ、回転速度が、２００ｒｐｍ、２５０ｒｐｍ、３００ｒｐｍ、１０ｒｐｍに順に変更される。基板９の回転速度が小さい状態では、洗浄液が基板９の外縁からフィルム８２の上面を流れて外側へと移動する。遮断板４５が、基板９の表面９１に近接しており、かつ、遮断板４５と基板９との間に補助ガスの流れが形成されることにより、基板周辺部から跳ね返る洗浄液やミスト等が基板９の表面９１に付着することがより確実に抑制される。

その後、図９Ｂの下段に示すように、洗浄液ノズル４２１から基板９の表面９１への洗浄液の供給が停止される（ステップＳ１７）。また、遮断板４５が、基板９の表面９１にさらに近接した位置（例えば、基板９の表面９１に対して４ｍｍの位置）に配置される。図９Ｂの下段に示す状態においても、ガス噴出口４６１からの補助ガスの噴出が継続されており、基板９の表面９１上における洗浄液の液膜が、補助ガスにより基板９の中央部から外縁に向かって押し出される。このとき、基板９の回転速度は、例えば、５０ｒｐｍとされる。

続いて、図９Ｃの上段に示すように、遮断板４５が、基板９の表面９１にさらに近接した位置（例えば、基板９の表面９１に対して２．５ｍｍの位置）に配置される。また、基板９の回転速度が大きくされ、基板９の乾燥が行われる（ステップＳ１８）。例えば、回転速度が、５０ｒｐｍから５００ｒｐｍ以上の回転数に変更される。基板９の乾燥時においても、吸引ノズル４３１による基板周辺部の上方の雰囲気の吸引が継続され、基板周辺部から跳ね返る洗浄液のミスト等が基板９の表面９１に付着することが抑制される。

基板９の乾燥が完了すると、基板９の回転が停止されるとともに（ステップＳ１９）、遮断板４５が上昇し、基板９の表面９１から離隔した離隔位置に配置される。また、ガス噴出口４６１からの補助ガスの噴出、吸引ノズル４３１による吸引、および、吸引ノズル４３１の揺動が停止される（ステップＳ２０）。そして、図９Ｃの中段に示すように、昇降ステージ３３１が上位置から下位置に移動し、基板９が第２支持状態から第１支持状態へと戻される（ステップＳ２１）。図９Ｃの中段および下段に示すように、複数の当接部３２２が解除位置に配置され、チャック部３２による取付部材８１のフレーム８３の保持が解除される。その後、基板９および取付部材８１が基板処理装置２から搬出され、基板９の洗浄処理が完了する（ステップＳ２２）。

以上のように、図８の基板処理装置２は、第２支持状態において基板９の上面（上記の例では、表面９１）を覆う遮断板４５を備え、洗浄液供給部４２の洗浄液ノズル４２１が、遮断板４５に設けられる。このように、基板周辺部に対する基板９の相対位置を第１支持状態よりも上方とする第２支持状態の形成に加えて、遮断板４５を用いることにより、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９に付着することをより確実に抑制することができる。なお、図４の基板処理装置２と同様に、図８の基板処理装置２においても、周辺洗浄ノズル４４１（図８中に破線にて示す。）から基板周辺部に洗浄液が直接的に供給されてもよい。これにより、不要物が基板９に付着することをさらに抑制することができる。

図１０および図１１は、基板処理装置２の他の例を示す図である。図１０の基板処理装置２では、遮断板４５が設けられず、図１１の基板処理装置２では、遮断板４５が設けられる。図１０および図１１の基板処理装置２では、図４および図８の昇降部３３とは異なる構造の昇降部３４が設けられる。昇降部３４は、パンチングプレート３４１と、駆動用ガス供給部３４２とを備える。支持ベース３１の上面に設けられる凹部３１１は中空部となっており、パンチングプレート３４１により凹部３１１の上部開口が閉塞される。パンチングプレート３４１は、支持ベース３１の上面と略同じ高さ、または、支持ベース３１の上面よりも僅かに下方に配置される。駆動用ガス供給部３４２は、凹部３１１の内部に駆動用ガスが供給可能である。駆動用ガスは、高圧のガスであり、例えば、清浄な空気、あるいは、窒素ガス等の不活性ガスである。

図１０および図１１の基板処理装置２では、チャック部３２により取付部材８１のフレーム８３が保持されることにより、第１支持状態が形成される。続いて、駆動用ガス供給部３４２から凹部３１１の内部に駆動用ガスが供給されることにより、基板９の周囲にて取付部材８１のフィルム８２が変形しつつ、基板９が上昇する。これにより、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる第２支持状態が形成される。基板９の表面９１への洗浄液の供給後、凹部３１１内の駆動用ガスが、外部に排出される。これにより、基板９が第２支持状態から第１支持状態へと戻される。以上のように、図１０および図１１の基板処理装置２では、簡素な構造の昇降部３４により、第２支持状態を容易に形成することが可能である。

図１２は、基板処理装置２の他の例を示す図である。図１２の基板処理装置２では、支持ベース３１の上面に凸部３１２が設けられる。凸部３１２は、略円板状の部材であり、基板９と略同じ、または、基板９よりも僅かに小さい外径を有する。基板９が取り付けられた取付部材８１は、凸部３１２上に載置される。これにより、取付部材８１のフィルム８２が、支持部である凸部３１２により下方から支持され、第１支持状態が形成される。図１２の例では、第１支持状態において、取付部材８１がチャック部３２により保持されない。

続いて、図１３に示すように、チャック部３２の複数の当接部３２２がフレーム８３を支持ベース３１の上面に押し付けることにより、基板９の周囲にてフィルム８２が変形しつつフレーム８３が下降する。換言すると、基板９の周囲のフィルム８２の部位およびフレーム８３を基板周辺部として、昇降部であるチャック部３２が、基板９を基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる第２支持状態が形成される。図１３の基板処理装置２においても、第２支持状態において基板９の表面９１に洗浄液が供給されることにより、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９に付着することを抑制することができる。

次に、取付部材８１に取り付けられていない基板９に対する洗浄処理について説明する。ここでは、図４の基板処理装置２と同様の構成である、図１４の基板処理装置２が用いられる。基板９の搬入では、基板９が、支持ベース３１上に載置され、チャック部３２の複数の当接部３２２が保持位置に配置される。これにより、支持部であるチャック部３２により基板９の外縁部が直接的に保持され、第１支持状態が形成される。取付部材８１に取り付けられていない基板９では、複数のチャックピン３２１等、基板９の外側周辺に近接して配置されるチャック部３２の部位が基板周辺部となる。

図１４の基板処理装置２では、第１支持状態において、基板９の表面９１に対して所定の処理が行われる。一例では、エッチング液等の薬液が基板９の表面９１に供給され、表面９１に対して薬液による処理が行われる。薬液は、洗浄液ノズル４２１（図１５参照）から吐出されてもよく、他のノズルが用いられてもよい。第１支持状態では、薬液等の液体を用いない処理が行われてもよい。もちろん、基板９が支持ベース３１と共に回転してもよい。

第１支持状態における処理が完了すると、複数の当接部３２２が解除位置に配置され、チャック部３２による基板９の外縁部の直接的な保持が解除される。続いて、図１５に示すように、昇降部３３の昇降ステージ３３１が下位置から上位置に移動し、基板９が上昇する。換言すると、複数のチャックピン３２１等の基板周辺部に対して基板９が上昇し、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる第２支持状態が形成される。そして、第２支持状態において洗浄液ノズル４２１から基板９の表面９１に洗浄液が供給される。これにより、基板９の洗浄時に、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９に付着することが抑制される。昇降ステージ３３１の上面に基板９を吸引吸着する真空チャック等を設けることにより、上記の例と同様に、基板９を回転することも可能である。吸引ノズル４３１により基板周辺部の上方の雰囲気が吸引されてもよく、周辺洗浄ノズル４４１（図４参照）から基板周辺部に洗浄液が直接的に供給されてもよい。基板９の乾燥等については、上記の例と同様である。

以上のように、図１４の基板処理装置２では、基板９が水平状態で支持される第１支持状態において、支持部であるチャック部３２により基板９の外縁部が直接的に支持される。続いて、支持部による基板９の直接的な支持を解除しつつ基板９を基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、基板周辺部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となる第２支持状態が形成される。そして、洗浄液供給部４２が第２支持状態において基板９の上面に洗浄液を供給することにより、当該上面が処理される。基板処理装置２では、洗浄液による処理時に、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９に付着することを抑制することができる。もちろん、図１４の基板処理装置２において、遮断板４５が設けられてもよい。

図１６に示すように、基板処理装置２では、チャック部３２が省略されてもよい。図１６の例では、基板９が支持ベース３１上に載置され、第１支持状態が形成される。第１支持状態では、支持ベース３１を支持部として、当該支持部により基板９の外縁部が下方から直接的に支持される。また、支持ベース３１の上面において、昇降ステージ３３１の周囲の領域（すなわち、支持ベース３１の外縁部）が、基板周辺部となる。第１支持状態における、基板９の表面９１に対する所定の処理が完了すると、図１７に示すように、昇降部３３の昇降ステージ３３１が下位置から上位置に移動し、基板９が上昇する。これにより、基板周辺部である支持ベース３１の外縁部に対する基板９の相対位置が第１支持状態よりも上方となり、第２支持状態が形成される。第２支持状態において基板９の表面９１に洗浄液を供給することにより、基板周辺部から跳ね返る洗浄液が基板９に付着することを抑制することができる。

上記基板処理装置２では様々な変形が可能である。

上記実施の形態では、基板９が取付部材８１に取り付けられる場合、図４および図８に示すように、基板周辺部は、取付部材８１および支持部（チャック部３２）の部位を含むが、支持部が取付部材８１の下面を吸着保持する場合等に、基板周辺部が、取付部材８１の部位のみを含んでもよい。また、基板９が取付部材８１に取り付けられない場合、図１４および図１６に示すように、基板周辺部は支持部の部位を含む。したがって、基板周辺部は、取付部材８１または／および支持部の部位であればよい。なお、基板９が取付部材８１に取り付けられる場合、基板周辺部は、基板９の周囲に配置される取付部材８１の部位を含む。また、基板９が取付部材８１に取り付けられない場合、基板周辺部は、第１支持状態において基板９の外縁部に直接的に接触する部位を含む。

基板処理装置２では、第２支持状態において、洗浄液以外の処理液が基板９の上面に供給されてもよい。この場合も、処理液による処理時に、基板周辺部から跳ね返る処理液が基板９に付着することを抑制することができる。

遮断板４５が設けられる基板処理装置２の設計によっては、遮断板４５が、取付部材８１の略全体を覆う大きさであってもよい。これにより、取付部材８１の周囲から跳ね返る洗浄液が取付部材８１に付着することを抑制することができる。

基板処理装置２にて用いられる各ノズルの種類、構造、姿勢等は適宜変更されてよい。例えば、図１８に示すように、吸引ノズル４３１が、径方向に延びるスリットノズルであってもよく、周辺洗浄ノズル４４１における洗浄液の吐出方向が、径方向の外側に向かって傾斜してもよい。また、基板周辺部に対して清浄な空気や不活性ガス等を噴出するノズルが設けられてもよい。

基板処理装置２において処理が行われる基板は半導体基板には限定されず、ガラス基板や他の基板であってもよい。また、基板処理装置２が、円板状とは異なる外形の基板の処理に用いられてもよい。

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

２ 基板処理装置
９ 基板
３２ チャック部
３３，３４ 昇降部
３６ 基板回転機構
４２ 洗浄液供給部
４３ 吸引部
４４ 周辺洗浄部
４５ 遮断板
８１ 取付部材
８２ フィルム
８３ フレーム
９１ 表面
９２ 裏面
３３１ 昇降ステージ
４２１ 洗浄液ノズル

Claims (7)

1. 基板処理装置であって、
   基板が水平状態で支持される第１支持状態において、前記基板が取り付けられるとともに前記基板の周囲に広がる取付部材を支持する、または、前記基板の外縁部を直接的に支持する支持部と、
   前記第１支持状態において、前記基板の周辺に近接して配置される、前記取付部材または／および前記支持部の部位を基板周辺部として、前記基板の周囲にて前記取付部材を変形しつつ前記基板を前記基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、または、前記支持部による前記基板の直接的な支持を解除しつつ前記基板を前記基板周辺部に対して相対的に上昇させることにより、前記基板周辺部に対する前記基板の相対位置が前記第１支持状態よりも上方となる第２支持状態を形成する昇降部と、
   前記第２支持状態において前記基板の上面に処理液を供給して、前記上面を処理する処理液供給部と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記取付部材が、
   前記基板の下面に貼着され、前記基板の外側に広がるフィルムと、
   前記基板の周囲を囲むとともに、前記フィルムが接続されるフレームと、
   を備え、
   前記支持部が、前記第１支持状態において前記取付部材を支持し、
   前記第２支持状態において前記基板の周囲にて前記フィルムが変形していることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記第２支持状態において前記基板の前記上面を覆う遮断板をさらに備え、
   前記処理液供給部のノズルが、前記遮断板に設けられることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記基板周辺部の上方の雰囲気を吸引する吸引部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記基板周辺部に洗浄液を直接的に供給する周辺洗浄部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記支持部が、前記取付部材または前記基板を保持するチャック部を有し、
   前記昇降部が、前記基板の下面に対向する対向部を上昇させることにより、前記第２支持状態を形成することを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記基板の前記上面への前記処理液の供給後、前記第２支持状態において前記基板および前記支持部を回転することにより、前記基板および前記支持部を乾燥する基板回転機構をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。

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