JP2015173233A - ウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法 - Google Patents

ウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015173233A
JP2015173233A JP2014049333A JP2014049333A JP2015173233A JP 2015173233 A JP2015173233 A JP 2015173233A JP 2014049333 A JP2014049333 A JP 2014049333A JP 2014049333 A JP2014049333 A JP 2014049333A JP 2015173233 A JP2015173233 A JP 2015173233A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holding
cleaning
wafer processing
holding table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014049333A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6277021B2 (ja
Inventor
鈴木 稔
Minoru Suzuki
稔 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2014049333A priority Critical patent/JP6277021B2/ja
Priority to TW104104413A priority patent/TWI639187B/zh
Priority to KR1020150030244A priority patent/KR20150106833A/ko
Priority to CN201510105224.3A priority patent/CN104916567B/zh
Publication of JP2015173233A publication Critical patent/JP2015173233A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6277021B2 publication Critical patent/JP6277021B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】装置面積を増大させることなく効率的に紫外線を照射可能なウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法を提供すること。【解決手段】ウエーハ処理装置としての洗浄装置1は、ウエーハWを保持する保持テ−ブル20と保持テーブル20に保持されたウエーハWの表面WSを洗浄し乾燥する洗浄乾燥手段を備えている。保持テーブル20は保持部材21と紫外線照射部23とを備えている。保持部材21はウエーハW裏面WRを吸引保持する吸引孔24が複数形成され裏面WR全面を保持する保持面21aを有し且つ紫外線Uを透過する材質で形成されている。紫外線照射部23は保持部材21の保持面21aと反対側に配設されている。【選択図】図4

Description

本発明は、ウエーハの表面を洗浄するウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法に関する。
切削装置においては、フレームに保持されたウエーハを切削した後に、そのウエーハを貼着しているテープに紫外線を照射して粘性を低下させ、切削後のチップのピックアップを容易にし、作業性を高めるようにしている。生産性向上のために、切削装置に紫外線照射部を組み込んで紫外線照射領域を設け、ウエーハを切削している間の待ち時間を利用して、既に切削が終了したウエーハへの紫外線照射を行えるようにした切削装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平07-45556号公報
しかし、特許文献1に記載された切削装置は、紫外線照射部を組み込めるように、スペースを設ける必要があり、ウエーハが大口径になるほど装置面積が増大してしまうという問題がある。
本発明は、上記問題にかんがみなされたもので、その目的は、装置面積を増大させることなく効率的に紫外線を照射可能なウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハ処理装置は、ウエーハの裏面側を保持して回転可能な保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハの表面を洗浄し乾燥する洗浄乾燥手段とを備えたウエーハ処理装置であって、該保持テーブルは、ウエーハ裏面を吸引保持する吸引部が形成され裏面全面を保持する保持面を有し且つ紫外線を透過する材質で形成された保持部材と、該保持部材の保持面と反対側に配設された紫外線照射部とを備えていることを特徴とする。
また、本発明のウエーハの処理方法は、上記ウエーハ処理装置を使用してウエーハの処理を行うウエーハの処理方法であって、裏面側に紫外線硬化型の保護テープが貼着されたウエーハの裏面側を該保持テーブルの保持面に吸引保持する吸引保持ステップと、該吸引保持ステップを実施した後に、該保持テーブルを回転しつつ該洗浄乾燥手段によりウエーハ表面を洗浄乾燥する洗浄乾燥ステップと、該洗浄乾燥ステップを実施した後に、該紫外線照射部によりウエーハ裏面全面に紫外線を照射する紫外線照射ステップと、を備えることを特徴とする。
本発明は、ウエーハ処理装置の保持テーブルの保持部材を紫外線が透過可能な材質で形成し、保持部材の下方に紫外線照射部を備えたので、紫外線照射部のために装置面積が増大することがなく省スペース化を図ることができる。また、保持部材の下方に紫外線照射部を備えたので、ウエーハの洗浄乾燥後に直ちに紫外線を照射することが可能である。したがって、装置面積を増大させることなく効率的に紫外線を照射可能となる。
図1は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を備えた切削装置の構成例の斜視図である。 図2は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置の一部を断面で示す斜視図である。 図3は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を用いたウエーハの処理方法の洗浄乾燥ステップを示す断面図である。 図4は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を用いたウエーハの処理方法の紫外線照射ステップを示す断面図である。 図5は、実施形態の変形例に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置の一部を断面で示す斜視図である。 図6は、実施形態の変形例に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を用いたウエーハの処理方法の紫外線照射ステップを示す断面図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法を図面に基いて説明する。図1は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を備えた切削装置の構成例の斜視図である。図2は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置の一部を断面で示す斜視図である。図3は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を用いたウエーハの処理方法の洗浄乾燥ステップを示す断面図である。図4は、実施形態に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を用いたウエーハの処理方法の紫外線照射ステップを示す断面図である。
実施形態にかかるウエーハ処理装置としての洗浄装置1は、ウエーハWを切削、研削、研磨などの各種の加工を施す加工装置に設置されて、ウエーハWの表面WSを洗浄するものである。なお、図1に示す例では、洗浄装置1は、加工装置としてのウエーハWに切削加工を施す切削装置100に設置されている。
なお、洗浄装置1により表面WSが洗浄されるウエーハWは、本実施形態では、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハであり、切削、研削、研磨などの各種の加工が施された後に洗浄装置1により洗浄される。ウエーハWは、例えば、表面WSに複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成され、分割予定ラインに沿って切削されて、個々のデバイスに分割される。ウエーハWは、図1に示すように、環状フレームFに装着された保護テープTに貼着されて、環状フレームFに保護テープTを介して装着される。保護テープTは、紫外線U(図4に示す)を透過する材質で構成され、紫外線Uが照射されることで粘着層が粘性を低下する材質で構成されている。即ち、保護テープTは、紫外線硬化型の保護テープである。
洗浄装置1を設置した切削装置100は、図1に示すように、ウエーハWを保持するチャックテーブル110と、チャックテーブル110に保持されたウエーハWを切削するための切削ブレード121を備えた切削手段120と、チャックテーブル110をX軸方向に移動させるX軸移動手段(図示せず)と、切削手段120をY軸方向に移動させるY軸移動手段(図示せず)と、切削手段120をZ軸方向に移動させるZ軸移動手段(図示せず)と、チャックテーブル110をZ軸と平行な軸心回りに回転させる回転駆動源(図示せず)等を備えている。切削装置100は、X軸移動手段と、Y軸移動手段と、Z軸移動手段及び回転駆動源により、チャックテーブル110と切削手段120とをX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びZ軸回りに相対的に移動させて、ウエーハWに切削加工を施しデバイスに分割するものである。
また、切削装置100は、切削前後のウエーハWを複数収容するカセットエレベータ130と、カセットエレベータ130にウエーハWを出し入れする搬出入手段140と、搬出入手段140とチャックテーブル110と洗浄装置1とに亘ってウエーハWを搬送する搬送手段160と、を備えている。
切削装置100は、搬出入手段140によりカセットエレベータ130内から切削加工前のウエーハWを取り出し、取り出されたウエーハWを搬送手段160によりチャックテーブル110に搬送する。そして、切削装置100は、チャックテーブル110にウエーハWを保持し、X軸移動手段と、Y軸移動手段と、Z軸移動手段及び回転駆動源により、チャックテーブル110と切削手段120とをX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びZ軸回りに相対的に移動させて、ウエーハWに切削加工を施してデバイスに分割する。切削装置100は、切削加工後のウエーハWを搬送手段160によりチャックテーブル110から洗浄装置1に搬送した後、洗浄装置1により洗浄する。そして、切削装置100は、切削加工後のウエーハWを搬送手段160により搬出入手段140に搬送し、搬出入手段140によりカセットエレベータ130内に収容する。
洗浄装置1は、ウエーハWを回転させながら洗浄水R(図3に示す)を噴射することで、ウエーハWの表面WSを洗浄する、所謂、スピンナ洗浄装置である。また、本発明では、洗浄装置1は、切削装置100などの加工装置に設置されることなく単独で構成されてもよい。
洗浄装置1は、図1及び図2に示すように、洗浄チャンバー10と、ウエーハWを保持する保持テーブル20と、洗浄乾燥手段30とを備えている。洗浄チャンバー10は、ウエーハWの洗浄を外部と隔離した状態で行うためのものである。洗浄チャンバー10は、本実施形態では、上方が開口した円筒状の形状であり、内部に、保持テーブル20と、洗浄乾燥手段30などが配設されている。洗浄チャンバー10は、上方の開口を通して、搬送手段160によりウエーハWが出し入れされる。また、洗浄チャンバー10は、ウエーハWを洗浄する際には、上方の開口が図示しない蓋等により塞がれる。
洗浄乾燥手段30は、保持テーブル20に保持されたウエーハWの表面WSを洗浄し乾燥するものである。洗浄乾燥手段30は、図2に示すように、洗浄水噴射ノズル31と、洗浄後のウエーハWを乾燥させるための高圧エアーを噴射するエア噴射ノズル32を備えている。
洗浄水噴射ノズル31は、保持テーブル20に保持されたウエーハWの表面WSに洗浄水Rを噴射するものである。洗浄水噴射ノズル31は、導電性を有する金属で構成され、ウエーハWを洗浄する際には、先端の噴射口31aが保持テーブル20上のウエーハWに向かって垂直に洗浄水Rを噴射する。洗浄水噴射ノズル31は、ウエーハWを洗浄する際には、先端の噴射口31aが保持テーブル20の回転中心を通るように、図示しないモータにより揺動される。また、洗浄水噴射ノズル31は、洗浄チャンバー10内にウエーハWを出し入れする際には、図示しないモータにより保持テーブル20に保持されたウエーハWの上方から退避される。
エア噴射ノズル32は、加圧された空気や窒素などの気体を洗浄後のウエーハWに噴射して、洗浄後のウエーハWを乾燥させるものである。エア噴射ノズル32は、ウエーハWを乾燥する際には、先端の噴射口32aが保持テーブル20上のウエーハWに向かって高圧エアーを噴射する。また、実施形態では、エア噴射ノズル32は、洗浄水噴射ノズル31に取り付けられて、ウエーハWを乾燥する際には、先端の噴射口32aが保持テーブル20の回転中心を通るように、洗浄水噴射ノズル31と一体に図示しないモータにより揺動される。なお、洗浄水噴射ノズル31とエア噴射ノズル32とは平行に配置され、エア噴射ノズル32は洗浄水噴射ノズル31よりも長く形成されている。
保持テーブル20は、ウエーハWの裏面WR側を保護テープTを介して保持して、Z軸方向と平行な軸心回りに回転可能なものである。保持テーブル20は、図2、図3及び図4に示すように、保持部材21と、テーブル本体22と、紫外線照射部23とを備えている。
保持部材21は、ウエーハWの裏面WR全面を保持する保持面21aを有している。保持面21aには、ウエーハW裏面WRを吸引保持する吸引孔24(吸引部に相当)が複数形成されている。吸引孔24は、保持部材21を貫通して、保持面21aに開口している。保持部材21は、ガラスなどの紫外線Uを透過する材質で形成されている。テーブル本体22は、保持部材21の保持面21aと反対側の面との間に空間Kを設け、保持部材21の外縁を囲んで、保持部材21に取り付けられている。テーブル本体22内の空間Kには、図示しない吸引手段に連結された吸引通路25が開口している。紫外線照射部23は、保持部材21の保持面21aと反対側に配設されている。紫外線照射部23は、空間Kの底面などに設置されかつ紫外線Uを照射可能なLED23aを複数備えている。
保持テーブル20は、環状フレームFに保護テープTを介して装着されたウエーハWが保持面21aに載置され、吸引手段により負圧が作用されることによりウエーハWの裏面WRを保持面21aに吸引保持する。また、保持テーブル20は、洗浄乾燥手段30によるウエーハWの表面WSの洗浄、乾燥後に、紫外線照射部23の複数のLED23aから紫外線Uを保持部材21を通して保護テープTの粘着層に照射する。
また、保持テーブル20には、洗浄装置1に取り付けられた図示しない電動モータの駆動軸が連結している。保持テーブル20は、電動モータの回転駆動力により、Z軸方向と平行な軸心回りに回転される。また、保持テーブル20の周囲には、ウエーハWの周囲の環状フレームFを挟持するクランプ部26が複数設けられている。さらに、保持テーブル20は、図示しない昇降シリンダなどにより、ウエーハWが洗浄チャンバー10に出し入れされる際には上昇され、ウエーハWの洗浄、乾燥中には下降される。
また、洗浄装置1の洗浄チャンバー10には、洗浄水Rなどを排出するための図示しない排出口が設けられている。洗浄装置1は、切削装置100の図示しないマイクロプロセッサを主体として構成された制御手段により制御される。
次に、実施形態に係る洗浄装置1を使用した洗浄方法、即ち、洗浄装置1を使用してウエーハWの処理を行うウエーハの処理方法を説明する。ウエーハの処理方法としての洗浄方法は、吸引保持ステップと、洗浄乾燥ステップと、紫外線照射ステップとを備える。
吸引保持ステップでは、前述した切削装置100の搬送手段160により、洗浄装置1の保持テーブル20に切削加工が施されかつ裏面WR側に保護テープTが貼着されたウエーハWが載置される。なお、この状態では、洗浄水噴射ノズル31の噴射口31a、エア噴射ノズル32の噴出口32aは保持テーブル20の上方から退避している。そして、制御手段が、昇降シリンダに保持テーブル20を下降させるとともに、吸引手段を駆動して、ウエーハWの裏面WR側を保護テープTを介して保持テーブル20の保持面21aに吸引保持する。さらに、クランプ部26により環状フレームFを挟持する。そして、蓋等により洗浄チャンバー10の開口を塞いで、洗浄乾燥ステップに進む。
洗浄乾燥ステップでは、吸引保持ステップを実施した後に、制御手段が電動モータを駆動して、保持テーブル20とウエーハWを軸心回りに回転しつつ洗浄乾燥手段30にウエーハW表面WSを洗浄乾燥する。具体的には、洗浄乾燥ステップでは、図3に示すように、制御手段が保持テーブル20に保持されたウエーハWの表面WSに洗浄水噴射ノズル31の噴射口31aから洗浄水Rを噴射させ、図示しないモータにより洗浄水噴射ノズル31とエア噴射ノズル32とを揺動させる。
そして、洗浄水Rの噴射を所定時間行った後、制御手段は、洗浄水噴射ノズル31の噴射口31aからの洗浄水Rの噴射を停止させ、保持テーブル20とウエーハWを軸心回りに回転しつつ図示しないモータにより洗浄水噴射ノズル31とエア噴射ノズル32とを揺動させながら、エア噴射ノズル32の噴射口32aから高圧エアーをウエーハWの表面WSに噴出させる。そして、高圧エアーの噴射を所定時間行った後、制御手段は、エア噴射ノズル32の噴射口32aからの高圧エアーの噴射を停止させ、図示しないモータにより洗浄水噴射ノズル31とエア噴射ノズル32とをウエーハWの上方から退避させ、保持テーブル20の軸心回りの回転を停止させて、紫外線照射ステップに進む。
紫外線照射ステップでは、洗浄乾燥ステップを実施した後に、制御手段は、図4に示すように、紫外線照射部23の複数のLED23aによりウエーハW裏面WR全面に所定時間紫外線Uを照射する。なお、紫外線照射ステップでは、電動モータによる保持テーブル20の回転を停止しているが、慣性などにより保持テーブル20が軸心回りに回転していてもよく、保持テーブル20が停止していてもよい。そして、制御手段は、保持テーブル20の吸引保持とクランプ部26の環状フレームFの挟持を解除する。制御手段は、搬送手段160などにより保持テーブル20上のウエーハWをカセットエレベータ130に搬送する。なお、洗浄乾燥ステップにおいて用いられた洗浄水Rは、洗浄チャンバー10に設けられた排出口などを通して洗浄装置1外に排出される。
以上のように、実施形態に係る洗浄装置1及び洗浄方法によれば、保持テーブル20の保持部材21を紫外線Uが透過可能な材質で構成し、保持部材21の下方に紫外線照射部23を設けている。このために、紫外線照射部23を、洗浄装置1の保持テーブル20の保持部材21と重ねて設置するので、紫外線照射部23を設置するために洗浄装置1や切削装置100が大型化することを抑制できる。したがって、洗浄装置1や切削装置100の設置にかかる装置面積を増大させることなく、効率的に紫外線Uの照射が可能となる。
さらに、実施形態に係る洗浄装置1及び洗浄方法によれば、紫外線照射部23を保持テーブル20の保持部材21の下方に設けたので、洗浄乾燥ステップを実施した後に速やかに紫外線照射ステップを実施することができる。したがって、効率的に紫外線Uの照射が可能となる。また、本発明では、洗浄乾燥ステップ実施開始後、洗浄乾燥ステップを実施している最中に、紫外線照射部23に紫外線UをウエーハW裏面WR全面に照射してもよい。この場合、より効率的に紫外線Uの照射が可能となる。このように、本発明の洗浄乾燥ステップを実施した後に紫外線照射ステップを実施するとは、洗浄乾燥ステップ実施開始後、洗浄乾燥ステップを実施している最中に紫外線照射ステップを実施することも含まれる。
〔変形例〕
本発明の実施形態の変形例に係るウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法を図面に基いて説明する。図5は、実施形態の変形例に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置の一部を断面で示す斜視図である。図6は、実施形態の変形例に係るウエーハ処理装置としての洗浄装置を用いたウエーハの処理方法の紫外線照射ステップを示す断面図である。なお、図5及び図6において、前述した実施形態と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
実施形態の変形例にかかるウエーハ処理装置としての洗浄装置1−1は、図5及び図6に示すように、保持テーブル20の保持面21aに吸引部としての吸引溝24−1が複数形成されている。吸引溝24−1は、保持面21aから凹に形成され、保持面21aの中央から放射状に延在している。吸引溝24−1は、保持面21aの中央から外周方向に直線状に延在している。また、テーブル本体22に設けられた吸引通路25は、吸引溝24−1に連通している。
実施形態の変形例にかかるウエーハ処理装置としての洗浄装置1−1は、実施形態と同様に、設置にかかる装置面積を増大させることなく、効率的に紫外線Uの照射が可能となる。
前述した実施形態では、加工装置として切削装置100を示しているが、本発明では、これに限定されることなく、研磨装置、研削装置、レーザー加工装置などの種々の加工装置に適用してもよい。また、前述した実施形態では、ウエーハ処理装置として洗浄装置1を示しているが、本発明では、これに限定することなく、ウエーハWの表面WSに保護膜を塗布した後に保護膜を除去する保護膜形成兼洗浄装置などの種々のウエーハ処理装置に適用してもよい。
なお、本発明は上記実施形態、変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1 洗浄装置(ウエーハ処理装置)
20 保持テーブル
21 保持部材
21a 保持面
23 紫外線照射部
24 吸引孔(吸引部)
24−1 吸引溝(吸引部)
30 洗浄乾燥手段
T 保護テープ
U 紫外線
W ウエーハ
WS 表面
WR 裏面

Claims (2)

  1. ウエーハの裏面側を保持して回転可能な保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハの表面を洗浄し乾燥する洗浄乾燥手段とを備えたウエーハ処理装置であって、
    該保持テーブルは、ウエーハ裏面を吸引保持する吸引部が形成され裏面全面を保持する保持面を有し且つ紫外線を透過する材質で形成された保持部材と、該保持部材の保持面と反対側に配設された紫外線照射部とを備えているウエーハ処理装置。
  2. 請求項1記載のウエーハ処理装置を使用してウエーハの処理を行うウエーハの処理方法であって、
    裏面側に紫外線硬化型の保護テープが貼着されたウエーハの裏面側を該保持テーブルの保持面に吸引保持する吸引保持ステップと、
    該吸引保持ステップを実施した後に、該保持テーブルを回転しつつ該洗浄乾燥手段によりウエーハ表面を洗浄乾燥する洗浄乾燥ステップと、
    該洗浄乾燥ステップを実施した後に、該紫外線照射部によりウエーハ裏面全面に紫外線を照射する紫外線照射ステップと、
    を備えるウエーハの処理方法。
JP2014049333A 2014-03-12 2014-03-12 ウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法 Active JP6277021B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014049333A JP6277021B2 (ja) 2014-03-12 2014-03-12 ウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法
TW104104413A TWI639187B (zh) 2014-03-12 2015-02-10 Wafer processing device and wafer processing method
KR1020150030244A KR20150106833A (ko) 2014-03-12 2015-03-04 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법
CN201510105224.3A CN104916567B (zh) 2014-03-12 2015-03-11 晶片处理装置以及晶片的处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014049333A JP6277021B2 (ja) 2014-03-12 2014-03-12 ウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015173233A true JP2015173233A (ja) 2015-10-01
JP6277021B2 JP6277021B2 (ja) 2018-02-07

Family

ID=54085540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014049333A Active JP6277021B2 (ja) 2014-03-12 2014-03-12 ウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6277021B2 (ja)
KR (1) KR20150106833A (ja)
CN (1) CN104916567B (ja)
TW (1) TWI639187B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017185556A (ja) * 2016-04-01 2017-10-12 ソウ テクノロジー カンパニー、リミテッド 半導体ストリップグラインダー
JP2018008031A (ja) * 2016-05-25 2018-01-18 テレフレックス、ライフ、サイエンシーズ、アンリミテッド、カンパニーTeleflex Life Sciences Unlimited Company すぐに使える(ready to use)カテーテル・アセンブリの製造方法およびすぐに使えるカテーテル・アセンブリ
JP2021009981A (ja) * 2019-07-03 2021-01-28 株式会社ディスコ 加工装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10665507B2 (en) * 2017-09-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automated transfer and drying tool for process chamber
JP7126750B2 (ja) * 2018-03-20 2022-08-29 株式会社ディスコ 切削装置
CN109712927A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 天津洙诺科技有限公司 一种半导体晶片清洗机

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04212422A (ja) * 1990-10-16 1992-08-04 Sony Corp 半導体処理装置
JPH09199460A (ja) * 1996-01-22 1997-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH10144632A (ja) * 1996-09-13 1998-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2005064151A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体チップの供給方法及び装置
JP2005347675A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Fujitsu Ltd 微小な構造を有する素子の製造方法
JP2006310395A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置のウェーハ洗浄方法
JP2007194433A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Canon Machinery Inc ピックアップ装置及びピックアップ方法
US20080182387A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Tao Feng Method of fabricating a semiconductor device employing electroless plating
WO2008142975A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. ダイシング装置およびダイシング方法
JP2010123858A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナ式洗浄方法およびスピンナ式洗浄装置
JP2010205865A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナ洗浄装置
JP2013141651A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Lintec Corp エネルギー線照射装置
JP2014022574A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd 紫外線照射手段を備えた加工装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4311857B2 (ja) * 2000-04-05 2009-08-12 日東電工株式会社 紫外線照射装置
JP2002346379A (ja) * 2001-05-25 2002-12-03 Techno Plex:Kk 紫外線照射装置及び紫外線照射方法。
CN100442448C (zh) * 2003-08-07 2008-12-10 株式会社荏原制作所 基片处理装置
US7241642B2 (en) * 2004-01-30 2007-07-10 Intel Corporation Mounting and dicing process for wafers
JP2007329300A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd 紫外線照射装置および紫外線照射装置を備えた切削機
CN103325717B (zh) * 2013-06-08 2018-04-03 上海集成电路研发中心有限公司 单片式清洗设备及其清洗方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04212422A (ja) * 1990-10-16 1992-08-04 Sony Corp 半導体処理装置
JPH09199460A (ja) * 1996-01-22 1997-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH10144632A (ja) * 1996-09-13 1998-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2005064151A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体チップの供給方法及び装置
JP2005347675A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Fujitsu Ltd 微小な構造を有する素子の製造方法
JP2006310395A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置のウェーハ洗浄方法
JP2007194433A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Canon Machinery Inc ピックアップ装置及びピックアップ方法
US20080182387A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Tao Feng Method of fabricating a semiconductor device employing electroless plating
WO2008142975A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. ダイシング装置およびダイシング方法
JP2010123858A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナ式洗浄方法およびスピンナ式洗浄装置
JP2010205865A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナ洗浄装置
JP2013141651A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Lintec Corp エネルギー線照射装置
JP2014022574A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd 紫外線照射手段を備えた加工装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017185556A (ja) * 2016-04-01 2017-10-12 ソウ テクノロジー カンパニー、リミテッド 半導体ストリップグラインダー
JP2018008031A (ja) * 2016-05-25 2018-01-18 テレフレックス、ライフ、サイエンシーズ、アンリミテッド、カンパニーTeleflex Life Sciences Unlimited Company すぐに使える(ready to use)カテーテル・アセンブリの製造方法およびすぐに使えるカテーテル・アセンブリ
JP2021009981A (ja) * 2019-07-03 2021-01-28 株式会社ディスコ 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104916567B (zh) 2019-06-14
TW201539561A (zh) 2015-10-16
CN104916567A (zh) 2015-09-16
TWI639187B (zh) 2018-10-21
JP6277021B2 (ja) 2018-02-07
KR20150106833A (ko) 2015-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6277021B2 (ja) ウエーハ処理装置及びウエーハの処理方法
JP5324180B2 (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP7355618B2 (ja) ウエーハ分割装置
TWI392002B (zh) Laser processing device
JP6904368B2 (ja) 半導体基板の処理方法及び半導体基板の処理装置
JP6992131B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
JP5320014B2 (ja) 研削装置
KR102198116B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20170057145A (ko) 보호막 피복 방법
JP6210847B2 (ja) 切削装置及び切削方法
TWI694504B (zh) 雷射加工方法
TWI492289B (zh) 被處理體之處理方法
JP6305750B2 (ja) 静電気除去装置を備えた加工機
JP4776431B2 (ja) 保護膜被覆装置
JP5091654B2 (ja) チャックテーブル機構
JP2010123858A (ja) スピンナ式洗浄方法およびスピンナ式洗浄装置
JP2017143131A (ja) 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法
JP2012139660A (ja) スピンナ洗浄装置
JP2014175461A (ja) 保護膜形成装置
JP2008118027A (ja) 保護膜被覆装置
TW202032640A (zh) 裝置晶片的製造方法
JP2019192853A (ja) 洗浄装置
WO2020209127A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
KR102719938B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR20060108316A (ko) 기판 이면 연마 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6277021

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250