KR102198116B1

KR102198116B1 - 웨이퍼의 가공 방법

Info

Publication number: KR102198116B1
Application number: KR1020140134781A
Authority: KR
Inventors: 히로히코 고자이; 아츠시 하토리
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2013-10-10
Filing date: 2014-10-07
Publication date: 2021-01-04
Also published as: CN104576529A; TWI626681B; JP6211884B2; CN104576529B; JP2015076545A; KR20150042133A; US9159623B2; TW201519295A; US20150104928A1

Abstract

본 발명은, 칩의 실장 불량을 저감할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
분할 단계를 실시함으로써 웨이퍼(W)를 개개의 칩(C)으로 분할한 후, 조사 단계를 실시함으로써, 칩(C)의 실장면(C1)에 자외선 또는 플라즈마를 조사하여 오존을 생성함과 더불어 활성 산소를 생성하여 칩(C)의 실장면(C1)에 부착된 유기물을 제거한다. 웨이퍼(W)의 핸들링 중에 부착된 이물은 물론 분할시에 발생된 이물도 칩(C)의 실장면(C1)으로부터 제거할 수 있어, 칩(C)의 실장 불량을 저감할 수 있게 된다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}

본 발명은, 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.

최근, 패키지의 소형화나 박형화를 도모하기 위해서, 플립 칩 실장 방식이 널리 채용되고 있다. 플립 칩 실장 방식이란, 플립 칩 실장용 웨이퍼의 표면에 범프라고 불리는 돌기 전극을 형성하고, 범프를 통해 실장 기판에 웨이퍼의 칩을 접속하는 방식을 가리킨다. 이 플립 칩 실장용 웨이퍼는, 그 표면이 실장면이 되고, 이면이 연삭되는 연삭면이 되고 있다(예컨대, 하기의 특허문헌 1).

웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하기 위한 방법으로는, 예컨대, 분할 예정 라인을 따라 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼에 개질층을 형성한 후, 환상의 프레임에 장착된 점착 테이프에 웨이퍼를 접착시킨 상태로 상기 점착 테이프를 확장시킴으로써, 개질층을 파단 기점으로 하여 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 방법이 있다(예컨대, 하기의 특허문헌 2를 참조).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-229021호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2009-277778호 공보

그러나, 웨이퍼의 분할은, 웨이퍼의 이면에 테이프가 접착되어 웨이퍼의 표면이 상향으로 노출된 상태에서 블레이드에 의한 다이싱이나 레이저 조사에 의해 행해지는 경우가 많기 때문에, 실장면인 웨이퍼의 표면에 이물이 부착될 우려가 높다. 특히, 다이싱시에 발생하는 테이프 찌꺼기가 웨이퍼에 부착되면, 상기 웨이퍼에 스피너 세정을 실시하여도 완전히 씻어내기는 어렵다. 그리고, 실장면 상에 이물이 부착되면, 실장 불량이 발생할 우려가 있다.

본 발명은, 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 칩의 실장 불량을 저감할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 발명의 해결해야 할 과제를 갖고 있다.

본 발명은, 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 웨이퍼 표면의 각 영역에 디바이스가 형성되고, 상기 디바이스의 표면측이 실장 기판 상에 실장되는 실장면이 되는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할하는 분할 단계와, 상기 분할 단계를 실시한 후, 상기 칩의 실장면에 자외선 또는 플라즈마를 조사하여 오존을 생성함과 더불어 활성 산소를 생성하여 상기 실장면 상의 유기물을 제거하는 조사 단계를 포함한다.

또한, 본 발명은, 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 접착시키는 접착 단계와, 상기 접착 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 테이프를 통해 웨이퍼를 유지 수단으로 유지하여 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 단계와, 이 연삭 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 박리 단계를, 상기 조사 단계를 실시하기 전에 실시할 수 있다.

본 발명에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 분할 단계를 실시하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할한 후, 조사 단계를 실시하여 칩의 실장면에 자외선 또는 플라즈마를 조사하여 오존을 생성함과 더불어 활성 산소를 생성하여 칩의 실장면에 부착된 유기물을 제거하기 때문에, 웨이퍼의 핸들링 중에 부착된 이물은 물론 분할시에 발생한 이물도 칩의 실장면으로부터 제거할 수 있어, 칩의 실장 불량을 저감할 수 있다.

또한, 본 발명은, 접착 단계 및 연삭 단계를 실시한 후, 박리 단계를 실시하기 때문에, 표면 보호 테이프의 박리 후에도 표면 보호 테이프의 페이스트층(paste layer)에 포함되는 이형제가 웨이퍼의 표면에 잔존하는 것에 기인하여, 웨이퍼의 표면의 발수성이 높아지지만, 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할한 후에 상기 조사 단계를 실시함으로써, 높아진 발수성을 저감할 수 있어, 표면 보호 테이프의 접착에 기인하는 칩의 실장 불량을 저감할 수 있다.

도 1의 (a)는 절삭 장치의 일례를 도시한 사시도이고, (b)는 카세트 및 카세트 배치 기구의 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 웨이퍼의 구성을 도시한 사시도이다.
도 3은 접착 단계를 도시한 사시도이다.
도 4는 연삭 단계를 도시한 사시도이다.
도 5는 박리 단계를 도시한 사시도이다.
도 6은 분할 단계를 도시한 사시도이다.
도 7은 조사 단계를 도시한 단면도이다.
도 8은 테이프 점착력 저감 단계를 도시한 단면도이다.
도 9는 픽업 단계를 도시한 단면도이다.
도 10은 실장 단계를 도시한 단면도이다.

도 1의 (a)에 도시된 절삭 장치(1)는 장치 베이스(2)를 가지며, 장치 베이스(2)의 상부에는, 피가공물인 웨이퍼(W)를 수용하는 카세트(3)가 배치되는 카세트 배치 기구(10)와, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전 가능한 유지 테이블(4)과, 유지 테이블(4)에 유지된 웨이퍼(W)의 절삭을 행하는 절삭 수단(5)과, 웨이퍼(W)를 임시 배치하는 임시 배치 영역(8)과, 절삭 후의 웨이퍼(W)의 세정을 행하는 세정 수단(9)을 구비하고 있다. 유지 테이블(4)은 X축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다.

절삭 수단(5)은, Y축 방향의 축심을 갖는 스핀들(50)과, 스핀들(50)을 회전 가능하게 둘러싸는 하우징(51)과, 스핀들(50)의 선단에 장착된 절삭 블레이드(52)와, 절삭 블레이드(52)를 회전 가능하게 커버하는 블레이드 커버(53)를 적어도 구비하고 있다. 그리고, 절삭 수단(5)은, 스핀들(50)을 회전시킴으로써, 절삭 블레이드(52)를 소정의 회전 속도로 회전시킬 수 있다.

절삭 장치(1)는, 임시 배치 영역(8)과 유지 테이블(4) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제1 반송 수단(6a)과, 카세트 배치 기구(10)에 배치된 카세트(3)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입함과 더불어 반출하는 반입/반출 수단(7)과, 절삭 후의 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블(4)로부터 세정 수단(9)으로 반송하는 제2 반송 수단(6b)을 구비하고 있다.

도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 카세트(3)의 전방부는 개구되어, 웨이퍼(W)의 반출/반입을 행하기 위한 개구부(3a)로 되어 있다. 또한, 카세트(3)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 선반부(3b)가 상하 방향으로 소정 간격을 두고 형성되어 있다.

도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 카세트 배치 기구(10)는, 웨이퍼(W)에 대하여 자외선을 조사하는 UV 조사 유닛(100)과, 카세트 배치 기구(10)에 배치된 카세트(3)를 Z축 방향으로 승강시키는 승강 수단(110)을 구비하고 있다. UV 조사 유닛(100)은, 프레임(101)을 가지며, 프레임(101)의 상부가 카세트(3)를 배치시키는 카세트 배치부(102a)로 되어 있다. 프레임(101)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 아래쪽에서 지지하는 지지부(102b)를 구비하고 있다. 지지부(102b)는, 예컨대, 유리 등의 투명 부재에 의해 형성되어 있다.

지지부(102b)의 상측이 상부 챔버(104)로 되어 있고, 지지부(102b)의 하측이 하부 챔버(105)로 되어 있다. 상부 챔버(104)에는, 복수의 UV 램프(106)가 정렬 상태로 설치되어 있다. 이 UV 램프(106)는, 예컨대 저압 수은 램프로서, 파장이 184 ㎚인 자외선과 파장이 254 ㎚인 자외선을 각각 조사하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, UV 램프(106)로 바꾸어 172 ㎚ 파장의 자외선을 조사 가능한 엑시머 UV 램프를 사용하여도 좋고, 대기압 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치를 사용하여도 좋다.

하부 챔버(105)에는, 파장이 300∼400 ㎚인 자외선을 발광하는 UV 램프(106a)가 정렬 상태로 복수 설치되어 있다. 하부 챔버(105)의 아래쪽에는, 칸막이부(102c)를 통해 오존 처리실(107)과, 질소 가스 등의 불활성 가스를 수용하는 불활성 가스 수용실(109)이 형성되어 있다. 오존 처리실(107)에는 필터(108)와, 배출 팬(108a)이 설치되어 있다. 오존 처리실(107)은 통기구(103)를 통해 상부 챔버(104)로 연통하고 있다. 오존 처리실(107)에서는, 상부 챔버(104)에서 발생한 오존을 통기구(103) 및 필터(108)를 통해 흡인하여 처리할 수 있다. 칸막이부(102c)에는 개폐 밸브(109a)가 설치되어 있고, 불활성 가스 수용실(109)은, 칸막이부(102c)에 형성된 개폐 밸브(109a)를 통해 하부 챔버(105)로 불활성 가스를 공급할 수 있다.

UV 조사 유닛(100)은, 승강 수단(110)에 의해 상하 이동 가능하게 지지되어 있다. 승강 수단(110)은, 프레임(101)의 바닥부(102d)를 아래쪽에서 지지하는 승강대(111)와, 승강대(111)의 단부에 형성된 너트에 나사 결합되는 볼나사(112)와, 볼나사(112)의 하단에 연결된 모터(113)와, 볼나사(112)와 평행하게 연장되는 가이드 레일(114)을 적어도 구비하고 있다. 그리고, 모터(113)가 볼나사(112)를 회동시키고, 승강대(111)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.

다음에, 도 2에 도시된 웨이퍼(W)의 가공 방법에 대해서 설명한다. 웨이퍼(W)는, 원형의 피가공물의 일례로서, 종횡으로 복수 교차하는 분할 예정 라인(S)에 의해 구획된 각각의 영역에 디바이스(D)가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는 디바이스(D)가 형성된 면이 표면(Wa)으로 되어 있고, 표면(Wa)과 반대측에 있는 면이 도 1에 도시된 유지 테이블(4)에 유지되는 이면(Wb)으로 되어 있다. 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 형성된 디바이스(D)에는, 부분 확대도로 나타내는 바와 같이, 돌기 전극인 볼 형상의 범프(B)가 형성되어 있다.

(1) 접착 단계

도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반전(反轉)시켜, 웨이퍼(W)와 대략 동일 직경의 표면 보호 테이프(20)에 대면시키고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측을 표면 보호 테이프(20)에 접착시킨다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 상향으로 노출된 상태에서 웨이퍼(W)와 표면 보호 테이프(20)가 일체로 되어 형성된다.

(2) 연삭 단계

접착 단계를 실시한 후, 도 4에 도시된 연삭 수단(30)에 의해 웨이퍼(W)의 이면(Wb)의 연삭을 행한다. 연삭 수단(30)은, 수직 방향의 축심을 갖는 스핀들(31)과, 스핀들(31)의 하단에 있어서 마운트(32)를 통해 연결된 연삭휠(33)과, 연삭휠(33)의 하부에 환상으로 고착된 연삭 지석(34)을 적어도 구비하고 있다. 도시하지 않은 모터에 의해 구동되어 스핀들(31)이 회전하면, 연삭휠(33)을 소정의 회전 속도로 회전시킬 수 있다.

웨이퍼(W)를 연삭할 때에는, 피가공물을 유지하여 회전 가능한 유지 테이블(4a)에 표면 보호 테이프(20)측을 배치한다. 도시하지 않은 흡인원에 의해 웨이퍼(W)를 유지 테이블(4a)로 흡인 유지하면, 유지 테이블(4a)을 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전시키면서, 연삭 수단(30)은 연삭휠(33)을 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전시키면서, 지석(34)이 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 접촉할 때까지 하강시킨다. 그리고, 지석(34)이 이면(Wb)을 압박하면서, 원하는 두께에 도달할 때까지 웨이퍼(W)를 연삭한다.

(3) 박리 단계

연삭 단계를 실시한 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 중앙부가 개구된 환상의 프레임(21)의 하면에 다이싱 테이프(22)를 접착시키고, 중앙부에서 노출된 다이싱 테이프(22)에 웨이퍼(W)의 이면(Wb)측을 접착시킨다. 그 후, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)으로부터 도 3에 도시된 표면 보호 테이프(20)를 박리한다.

(4) 분할 단계

박리 단계를 실시한 후, 도 1에서 나타낸 절삭 장치(1)를 이용하여 웨이퍼(W)에 절삭을 행한다. 우선, 프레임(21)과 일체가 된 웨이퍼(W)를, 도 1에 도시된 카세트(3)에 복수 수용하고, 상기 카세트(3)를 카세트 배치 기구(10)에 배치한다. 반입/반출 수단(7)은 카세트(3)의 내부로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 임시 배치 영역(8)으로 반송한다. 그 후, 제1 반송 수단(6a)에 의해, 임시 배치 영역(8)으로부터 유지 테이블(4)로 웨이퍼(W)를 반송하고, 웨이퍼(W)를 유지한 유지 테이블(4)이 X축 방향으로 이동하여 절삭 수단(5)의 아래쪽으로 웨이퍼(W)를 이동시킨다.

도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 X축 방향으로 이동시키면서, 절삭 수단(5)은, 스핀들(50)을 회전시킴으로써, 절삭 블레이드(52)를 소정의 회전 속도로 화살표(A1) 방향으로 회전시키면서, 절삭 블레이드(52)를 Z축 방향으로 하강시킨다. 절삭 블레이드(52)를 X축 방향을 향한 1열분의 분할 예정 라인(S)을 따라 절입시켜 절삭함으로써 홈(G)을 형성하면, 절삭 수단(5)을 Y축 방향으로 인덱스 이송하면서, X축 방향을 향한 모든 분할 예정 라인(S)에 상기 절삭을 반복하여 행하여 홈(G)을 형성한다. 그 후, 웨이퍼(W)를 90° 회전시키고, Y축 방향을 향하고 있는 분할 예정 라인(S)을 X축 방향을 향하게 하여 상기와 동일한 절삭을 반복하여 행하고, 분할 예정 라인(S) 전부에 홈(G)을 형성한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)를 풀 커트하여 도 7에 도시된 개개의 칩(C)으로 분할한다.

분할 단계는, 절삭 수단(5)에 의해 풀 커트하는 경우로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 레이저 빔을 이용한 어블레이션(ablation) 가공으로 풀 커트하여도 좋고, 레이저 빔으로 하프 커트하여 웨이퍼(W)에 가공 홈을 형성하거나 혹은 웨이퍼(W)의 내부에 개질층을 형성하여 가공 홈이나 개질층을 기점으로 개개의 칩(C)으로 분할하여도 좋다.

(5) 세정 단계

분할 단계를 실시한 후, 도 1에 도시된 제2 반송 수단(6b)에 의해, 유지 테이블(4)로부터 절삭 후의 웨이퍼(W)를 세정 수단(9)으로 반송한다. 세정 수단(9)에 있어서 웨이퍼(W)를 세정하여 웨이퍼(W)에 부착된 절삭 찌꺼기를 제거한 후, 제1 반송 수단(6a)에 의해 세정 후의 웨이퍼(W)를 임시 배치 영역(8)으로 반송한다.

(6) 조사 단계

세정 단계를 실시한 후, UV 조사 유닛(100)에 의해 세정 후의 웨이퍼(W)에 자외선을 조사한다. 우선, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 승강 수단(110)이 작동하고, 카세트(3)와 함께 UV 조사 유닛(100)의 프레임(101)을 상승시킨다. 계속해서, 반입/반출 수단(7)에 의해, 웨이퍼(W)를 지지부(102b)에 배치한다.

웨이퍼(W)가 지지부(102b)에 배치된 후, 도 7에 도시된 바와 같이, 복수의 UV 램프(106)에 의해 파장이 185 ㎚인 자외선 및 파장이 254 ㎚인 자외선을 칩(C)의 표면측의 실장면(C1)을 향해 조사한다. 이 때, 대기 중의 산소(O₂)에 파장이 185 ㎚인 자외선이 흡수되어 오존(O₃)을 생성한다. 또한, 발생된 상기 오존(O₃)에 파장이 254 ㎚인 자외선이 흡수되면 활성 산소가 생성된다. 이 활성 산소가 칩(C)의 실장면(C1)에 부착된 유기물(예컨대, 절삭 찌꺼기나 테이프 찌꺼기)을 분해함으로써, 칩(C)의 실장면(C1)으로부터 유기물을 제거할 수 있다. 또한, 조사 단계 중에 있어서, 도 1의 (b)에서 나타낸 상부 챔버(104)에서 발생한 오존은, 통기구(103) 및 필터(108)를 통해 오존 처리실(107)로 흡인되고, 배출 팬(108a)에 의해 외부로 배출된다.

접착 단계에 있어서는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 표면 보호 테이프(20)를 접착시켰기 때문에, 박리 단계에 있어서 표면 보호 테이프(20)를 박리한 후에도, 실장면(C1)에는, 표면 보호 테이프(20)의 페이스트층에 포함되는 이형제가 잔존하고 있다. 그리고, 이 이형제에 의해 실장면(C1)의 발수성이 높아지고, 그 대로의 상태에서 후의 실장 단계를 행하면, 실장 불량이 발생하기 쉽다. 그러나, 조사 단계에 의해 실장면(C1)에 자외선 또는 플라즈마를 조사하면, 실장면(C1)의 높아진 발수성을 저감할 수 있기 때문에, 표면 보호 테이프의 접착에 기인하는 칩의 실장 불량을 저감할 수 있다.

UV 램프(106)로 바꾸어 플라즈마 발생 장치를 이용하여 조사 단계를 실시한 경우는, 대기압 플라즈마를 조사함으로써, 칩(C)의 실장면(C1)에 부착된 유기물을 제거함과 더불어 대기압 플라즈마가 조사된 실장면(C1)을 친수성이나 소수성으로 바꿀 수 있어, 실장면(C1)에 있어서 높아진 발수성을 보다 저감할 수 있다. 친수성 또는 소수성은, 사용하는 가스에 따라 선택할 수 있다. 또한, 카세트 배치 기구(10)에 있어서 플라즈마 발생 장치를 적용한 경우에는, 챔버가 필요 없게 되기 때문에, 장치 구성을 간소하게 할 수 있게 되어, 프로세스 비용을 억제할 수 있다.

조사 단계는, 웨이퍼(W)를 분할한 후, 칩(C)을 실장 기판에 실장할 때까지 실시하면 좋고, 절삭 장치(1)에 있어서 행하는 형태로 한정되는 것은 아니다. 예컨대 익스팬드 테이프(expand tape)를 익스팬드하여 피가공물을 분할하는 익스팬드 장치나, 테이프로부터 피가공물을 픽업하는 픽업 장치 등으로 조사 단계를 행하여도 좋다.

(7) 테이프 점착력 저감 단계

조사 단계의 실시와 동시 또는 조사 단계의 실시 전후에 있어서 다이싱 테이프(22)의 점착력을 저감하는 테이프 점착력 저감 단계를 실시한다. 조사 단계와 동시에 실시하는 경우에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 위쪽에 배치되어 있는 UV 램프(106)가, 웨이퍼(W)의 위쪽으로부터 칩(C)의 실장면(C1)을 향해 적어도 185 ㎚ 파장의 자외선과 254 ㎚ 파장의 자외선을 조사하고, 웨이퍼(W)의 아래쪽에 배치되어 있는 UV 램프(106a)에 의해, 웨이퍼(W)의 아래쪽으로부터 다이싱 테이프(22)의 전체면에 대하여, 예컨대 파장이 300∼400 ㎚이고 피크 파장이 365 ㎚인 자외선을 조사한다.

이 때, 도 1의 (b)에 도시된 칸막이부(102c)의 개폐 밸브(109a)를 개방하여 불활성 가스 수용실(109)로부터 하부 챔버(105)에 불활성 가스를 공급한다. 이에 따라, UV 램프(106a)로부터 지지부(102b)를 투과하여 조사되는 자외선을, 도 8에 도시된 다이싱 테이프(22)에 효율적으로 조사할 수 있다. 그 결과, 다이싱 테이프(22)가 경화하여 점착력이 저하되기 때문에, 다이싱 테이프(22)로부터 칩(C)을 박리하기 쉬워진다.

(8) 픽업 단계

테이프 점착력 저감 단계를 실시한 후, 도 9에 도시된 바와 같이, 콜릿(40)에 의해 칩(C)을 반송한다. 콜릿(40)은 칩(C)을 흡착하는 흡착면을 갖고 있고, 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 콜릿(40)은 칩(C)의 실장면(C1)을 흡착함과 더불어 상승시킴으로써, 칩(C)을 다이싱 테이프(22)로부터 픽업한다. 그리고, 모든 칩(C)이 다이싱 테이프(22)로부터 픽업되어 반송된 시점에서 픽업 단계가 종료된다.

(9) 실장 단계

픽업 단계를 실시한 후, 도 10에 도시된 바와 같이, 칩(C)을 실장 기판(23)에 실장한다. 구체적으로는, 도 2에 도시된 볼 형상의 범프(B)가 형성된 칩(C)의 실장면(C1)측을 실장 기판(23)에 전기적으로 접속한다. 이와 같이 하여 실장 단계가 종료된다.

이상과 같이, 본 실시형태에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법은, 분할 단계를 실시하여 웨이퍼(W)를 개개의 칩(C)으로 분할한 후, 조사 단계를 실시하기 때문에, 칩(C)의 실장면(C1)에 자외선 또는 플라즈마를 조사하여 오존(O₃)을 생성함과 더불어 활성 산소를 생성하여 칩(C)의 실장면(C1)에 부착된 유기물을 제거할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 핸들링 중에 부착된 이물은 물론 분할시에 발생한 이물도 제거할 수 있기 때문에, 칩(C)의 실장 불량을 저감할 수 있다.

또한, 접착 단계 및 연삭 단계를 실시한 후, 박리 단계를 실시하기 때문에, 표면 보호 테이프(20)의 박리 후에도 표면 보호 테이프(20)의 페이스트층에 포함되는 이형제가 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 잔존하는 것에 기인하여 표면(Wa)의 발수성이 높아지지만, 웨이퍼(W)를 개개의 칩(C)으로 분할한 후에 상기 조사 단계를 실시함으로써, 높아진 발수성을 저감할 수 있어, 칩(C)의 실장 불량을 저감할 수 있다.

1 : 절삭 장치 2 : 장치 베이스
3 : 카세트 3a : 개구부
3b : 선반부 4, 4a : 유지 테이블
5 : 절삭 수단 50 : 스핀들
51 : 하우징 52 : 절삭 블레이드
53 : 블레이드 커버 6a : 제1 반송 수단
6b : 제2 반송 수단 7 : 반입/반출 수단
8 : 임시 배치 영역 9 : 세정 수단
10 : 카세트 배치 기구 100 : UV 조사 유닛
101 : 프레임 102a : 카세트 배치부
102b : 지지부 102c : 칸막이부
102d : 바닥부 103 : 통기구
104 : 상부 챔버 105 : 하부 챔버
106, 106a : UV 램프 107 : 오존 처리실
108 : 필터 109 : 불활성 가스 수용실
110 : 승강 수단 111 : 승강대
112 : 볼나사 113 : 모터
114 : 가이드 레일 20 : 표면 보호 테이프
21 : 프레임 22 : 다이싱 테이프
23 : 실장 기판 30 : 연삭 수단
31 : 스핀들 32 : 마운트
33 : 연삭휠 34 : 지석
40 : 콜릿 W : 웨이퍼
Wa : 표면 Wb : 이면
S : 분할 예정 라인 D : 디바이스
B : 범프 G : 홈
C : 칩 C1 : 실장면

Claims

교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 웨이퍼 표면의 각 영역에 디바이스가 형성되고, 상기 디바이스의 표면측이 실장 기판 상에 실장되는 실장면이 되는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
페이스트층에 이형제가 포함되는 표면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면에 접착하는 접착 단계와,
상기 접착 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 테이프를 통해 웨이퍼를 유지 수단으로 유지하여 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 단계와,
상기 연삭 단계를 실시한 후, 상기 표면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 박리 단계와,
상기 박리 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 복수의 칩으로 분할하는 분할 단계와,
상기 분할 단계를 실시한 후, 상기 칩의 실장면에 자외선 또는 플라즈마를 조사하여 오존을 생성함과 더불어 활성 산소를 생성하여 상기 실장면 상의 유기물을 제거함과 동시에 상기 실장면의 발수성을 저감하는 조사 단계
를 포함하는 웨이퍼의 가공 방법.
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