TWI539502B

TWI539502B - 燒蝕加工方法

Info

Publication number: TWI539502B
Application number: TW100106004A
Authority: TW
Inventors: Nobuyasu Kitahara; Yukinobu Ohura; Shin Tabata
Original assignee: Disco Corp
Priority date: 2010-04-22
Filing date: 2011-02-23
Publication date: 2016-06-21
Also published as: TW201236066A; JP2011224642A

Description

燒蝕加工方法

發明領域

本發明係關於一種例如在半導體晶圓等工件照射雷射光束施予燒蝕加工之燒蝕加工方法、以及在施予燒蝕加工時覆蓋保護工件的被加工面之保護材。

發明背景

在半導體元件之製造步驟中，在由略呈圓薄片狀的半導體晶圓構成的工件表面，根據格子狀的分割預定線區畫出多數個矩形狀的元件區域，在此等元件區域形成IC或LSI等電子電路，其次在切削內面後施予研磨等必要的處理之後，進行順著分割預定線切斷的切割，而將各元件區域個片化，由1張工件得到多數個元件(半導體晶片)。

半導體晶圓等的工件切割係將使其高速旋轉的切削刀片切入工件的方法為一般悉知的，但是近年來，也進行一邊進行照射雷射光束熔融工件的燒蝕加工一邊切斷之雷射切割(參照專利文獻1等)。然而，在進行根據雷射光束的照射之燒蝕加工時，會使被稱為碎屑之蒸散成份的飛沫附著在工件的被加工面，造成品質降低的問題。因此本案申請人係提出若是在工件的被加工面塗布樹脂形成保護膜的狀態下將雷射光束照射到被加工面，碎屑則會附著在保護膜而不會直接附著在被加工面，可以確保品質之技術(專利文獻2)。

【先前技術文獻】【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開平10-305420號公報

【專利文獻2】日本特開2004-188475號公報

就在工件的被加工面塗布樹脂形成保護膜的方法而言，如上述專利文獻2記載所示，在使其旋轉的工件中心滴下樹脂，利用離心力使樹脂流動到整個被加工面之旋塗法為適合的。然而在該方法中，由於飛散而在實質上沒被塗布在工件的樹脂量為多，造成極不經濟實惠的問題。

本發明係有鑑於上述情況而開發出來者，其主要的技術課題係為提供可以效率佳地保護工件的被加工面之保護材及燒蝕加工方法。

申請專利範圍第1項記載之本發明的保護材，其係在使用雷射光束燒蝕加工工件時，覆蓋工件的被加工面以從燒蝕加工時所產生的碎屑保護工件的被加工面者，其特徵在於：呈薄片狀，厚度為0.1μm以上10μm以下，且為水溶性，355nm波長的光可穿透，並且具有可完全覆蓋工件之加工預定線的面積。

又申請專利範圍第2項記載之本發明的燒蝕加工方法，其係使用如申請專利範圍第1項之保護材者，其特徵在於包含以下步驟：在薄片狀的基材上形成如申請專利範圍第1項之保護材；至少在工件的被加工面或是前述保護材的貼著面供給水；透過水層將形成在前述基材上的狀態下之前述保護材的貼著面與工件的前述被加工面予以貼合；將前述基材剝離前述保護材；及由已貼著前述保護材之工件的前述被加工面側照射雷射光束，而於加工預定線施予燒蝕加工。

根據本發明，由於在工件的被加工面貼合薄片狀的保護材以保護該被加工面，因此保護材係為能夠覆蓋被加工面之必要最低限的大小者即可。為此使保護材的浪費變少，可以效率佳地保護工件的被加工面。又因為貼著薄片狀的保護材覆蓋工件的被加工面，因此即使在被加工面有凹凸的情況也可以確實保護整個被加工面。

又本發明所提及之工件係沒有特別限定，可以舉例如由砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)等構成之半導體晶圓、成為晶圓安裝用設置在晶圓內面之DAF(晶粒附接膜)等黏著構件、半導體製品之封裝、陶瓷或玻璃、藍寶石(Al₂O₃)系或者矽系之無機材料基板、控制驅動液晶顯示裝置之LCD驅動器等各種電子零件、再者要求微子序列的加工位置精確度之各種加工材料等。

根據本發明，達到提供可以效率佳地保護工件的被加工面之保護材及燒蝕加工方法的效果。

圖式簡單說明

第1圖係為顯示關於本發明之一實施形態的雷射加工裝置之工件(半導體晶圓)的立體圖，顯示將該工件透過黏著帶支撐在環狀框體的狀態。

第2圖係為顯示關於本發明之一實施形態的雷射加工裝置之整體立體圖。

第3圖係為顯示一實施形態之雷射加工裝置所具備的洗淨手段之立體圖。

第4圖係為顯示一實施形態之雷射加工裝置所具備的貼著手段之立體圖。

第5圖係為顯示利用一實施形態的貼著手段在工件表面貼著保護材的步驟之側面圖，(a)顯示將水供給至工件表面的步驟、(b)顯示將保護材位於工件上方的步驟。

第6圖係為顯示利用一實施形態的貼著手段在工件表面貼著保護材的步驟之側面圖，(a)顯示在工件表面貼著保護材薄片之保護材的步驟、(b)顯示從已貼著保護材的工件表面剝離保護材薄片之基材的步驟。

第7圖係為顯示利用一實施形態的貼著手段在工件表面貼著保護材的步驟之側面圖，(a)顯示在工件表面貼著保護材後將貼著手段退避到上方的步驟、(b)顯示拉出下個貼著之保護材的步驟。

用以實施發明之形態

以下，說明本發明之一實施形態。

[1]工件

首先，根據第1圖說明一實施形態中的工件。該工件1係為厚度例如是100～700μm程度之呈圓薄片狀的矽晶圓等半導體晶圓。在工件1表面係根據格子狀的分割預定線(加工預定線)2區畫出多個矩形狀的元件區域3。在此等元件區域3係形成未圖示之IC或LSI等電子電路。在工件1外周部的特定處係形成顯示半導體的結晶方位之被稱為晶向切平面的直線狀切口4。

工件1係藉由利用第2圖所示之雷射加工裝置10，雷射加工全部的分割預定線2，使各元件區域3被切割為多個元件(半導體晶片)。在該情況的雷射加工係為照射雷射光束熔融除去工件1的成份之燒蝕加工。就燒蝕加工而言，除了完全貫穿工件1的厚度方向之全切割之外，也包含直至厚度中途形成特定深度的溝之溝加工。已進行溝加工情況的工件1係藉由利用後工程進一步全切割該溝的殘留厚度之部份，或是施加應力割斷，而被切割為元件。

工件1係如第1圖所示，透過黏著帶6以同心狀配置在環狀框體5的圓形狀開口部5a，而且形成一體支撐的工件單元7，供給至雷射加工裝置10。黏著帶6係為使單面成為黏著面者，並在該黏著面貼上框體5與工件1的內面。框體5係為由金屬等板材構成之具有韌性者，藉由支撐框體5，工件1係連同工件單元7一起被搬送。

[2]雷射加工裝置

(1)進行燒蝕加工之雷射加工裝置的構成及動作

接著，連同動作說明第2圖所示之雷射加工裝置10的構成。第2圖的符號11係為基台。基台11係具有雷射加工工件1之加工平台11A、設置在加工平台11A的單側(Y1側)，對於加工平台11A搬入/搬出工件單元7之搬入/搬出平台11B。在加工平台11A的內側(X2側)係直立設置壁部12。

搬入/搬出平台11B係利用在X方向延伸之長方形狀的水平上面構成。在搬入/搬出平台11B的中央係配置對於加工平台11A搬入/搬出工件單元7的搬送手段20。又在加工平台11A之搬送手段20的X1側係設置卡匣台30，在X2側係設置旋轉洗淨式的洗淨手段40。再者在洗淨手段40的上方係配置貼著手段50。

在卡匣台30係以可以裝拆地載置收納複數個工件單元7之卡匣31。卡匣31係在側方具有工件單元7的出入口之開口，使該開口朝向X2側載置在卡匣台30上。雖然未圖示，但是在卡匣31之挾持該開口的兩側側壁內面，將在Y方向分開的左右一對架板以涵蓋上下設置複數組。工件單元7係將框體5載置在左右一對的架板上，藉此使複數個工件單元7以在上下空出空隙的狀態水平收納在卡匣31內。卡匣台30係為利用設置在基台11內之未圖示的昇降機構於上下方向驅動之升降式，藉由昇降將卡匣31內的1塊工件單元7位於一定高度之拉出高度位置。

位於該拉出高度位置的工件單元7係利用配置在搬入/搬出平台11B之搬送手段20與卡匣台30之間的拉出手段32朝X2方向被拉出，將框體5載置在朝X方向延伸之一對引導框架36上。拉出手段32係為具備：在搬入/搬出平台11B上突出之設置成可朝X方向移動之在Z方向(鉛直方向)延伸的可動桿33、固定在可動桿33上端的挾接板34、及設置在挾接板34之卡匣台30側(X1側)的夾具35者，藉由夾具35抓緊工件單元7的框體5，將可動桿33朝X2方向移動，工件單元7係從卡匣31內被拉出。工件單元7係在利用夾具35被拉出並載置在引導框架36的時點完成X方向的定位。

一對引導框架36係以平行的狀態在Y方向分開，並使卡匣台30側的一端部被支撐為可在Y方向移動。使框體5載置在引導框架36上的工件單元7係藉由使引導框架36朝相互靠近的方向同步移動完成Y方向的定位。藉此決定工件單元7的搬送開始位置。

其次，工件單元7係利用搬送手段20搬送到洗淨手段40。搬送手段20係具備：透過在Z方向延伸之旋轉軸21可旋轉地支撐在搬入/搬出平台11B上之伸縮式水平旋轉臂22、固定在旋轉臂22前端之H狀托架23、及安裝在托架23的4個端部下面之保持墊片24。旋轉軸21係被支撐為對於基台11可以上下移動，而使搬送手段20整體成為可以上下移動。

保持墊片24係為具有利用根據氣體吸引的負壓作用在下面的吸附面吸附、保持工件單元7的框體5，利用噴出氣體的正壓作用將框體5朝下方分離的機能者，配置在可以與框體5的上面吸附之位置。利用搬送手段20，旋轉旋轉臂22使保持墊片24位於載置在引導框架36上的工件單元7的框體上，接著藉由下降將框體5吸附在保持墊片24後再上昇拿起工件單元7。再者從該狀態將旋轉臂22旋轉約180°，將工件單元7搬移到洗淨手段40的旋轉台42。

洗淨手段40係如第3圖所示，其係為在形成於基台11內部之在上方開口的圓筒狀凹槽41內收納旋轉台42與2個水平的噴嘴45、46之構成。旋轉台42係為利用根據氣體吸引的負壓作用在上面的保持面42a吸附、保持工件單元7的工件1之真空卡盤式平台，透過旋轉軸43被支撐為可自由旋轉，利用未圖示之旋轉驅動機構而被旋轉驅動。在旋轉台42的外周部係配置可自由裝拆地保持工件單元7的框體5之複數個夾具44。此等夾具44係在旋轉旋轉台42產生離心力時以從上方按壓框體5的方式動作。利用未圖示之汽缸等昇降機構，使旋轉台42在凹槽41開口41a的高度附近之交接位置、與凹槽41內之下部洗淨位置之間昇降。在第3圖中，旋轉台42係位於洗淨位置。

上述2個噴嘴45、46係使一方成為噴出洗淨水之洗淨水噴嘴，另一方成為噴出乾燥氣體之氣體噴嘴。此等噴嘴45、46為並列水平設置，並使基端部可水平旋轉地支撐在直立設置在凹槽41底部之供給管部47的上端，使前端部向下彎曲。就從洗淨水噴嘴45噴出的洗淨水而言，使用純水、或是由於靜電防止而混入CO₂的純水為佳。

各噴嘴45、46係在旋轉台42位於洗淨位置時於旋轉台42的上方水平旋轉，並朝與旋轉台42一起旋轉而自轉的整個工件1表面噴出洗淨水或乾燥氣體。又在昇降旋轉台42時係旋轉到比旋轉台42更外周側，位於不會干擾旋轉台42的昇降之退避位置。

工件單元7係利用搬送手段20載置在位於上述交接位置的旋轉台42，藉由洗淨手段40與貼著手段50在工件1的表面貼著保護材。

貼著手段50係如第2及4圖所示，其係為在配置於上述壁部12的Y1側端面之殼體51內配置保護材供給手段52之構成。供護材供給手段52係為從將保護材薄片53捲成滾筒狀的保護材薄片滾筒53A拉出捲繞保護材薄片53，在拉出的中途水平保持保護材薄片53，將形成在該水平部份的下面之保護材P貼著在被保持在旋轉台42的工件1表面者。貼著手段50係連同殼體51使整體可以上下移動地支撐在壁部12。

保護材薄片53係為將保護材P在長度方向隔著等間隔形成在長條帶狀的基材53a的單面上者，以保護材P成為外周面側的狀態下捲為滾筒狀而構成保護材薄片滾筒53A。在本發明中係包含在基材53a上以薄片狀形成保護材P的步驟作為燒蝕加工方法步驟中之一部份。基材53a係使用例如厚度為70～200μm程度之聚烯烴等柔軟的樹脂製薄片等。

保護材P係形成為具有與工件1同等面積的圓形狀。該保護材P的厚度為0.1μm以上10μm以下，利用具有355nm波長的光可穿透之特性的材料形成。又保護材P係被要求在工件1的雷射加工後可以利用洗淨手段40藉由水洗加以除去之水溶性，就滿足此等條件之材料而言，使用聚乙烯醇或是聚乙二醇等水溶性樹脂為佳。又在保護材P中含有水溶性的紫外線吸收劑係從確保雷射光束吸收能的觀點看來被期許的，就那樣的紫外線吸收劑而言係適合使用例如阿魏酸等。

保護材薄片滾筒53A係在殼體51內的X2側以從下方朝向X1方向捲出保護材薄片53的方式，可旋轉地支撐在供給側滾筒軸54。如第5圖所示，保護材薄片53係從保護材薄片滾筒53A被捲出，通過供給側引導滾筒對55導向固定張力滾筒56，從固定張力滾筒56朝X1方向水平延伸被捲入可動張力滾筒57，之後，經過捲繞側引導滾筒對58被捲進捲繞軸59。在從固定張力滾筒56到可動張力滾筒57之水平部份中使保護材P的露出面，也就是貼著面貼著在工件1的表面，因此捲繞軸59中係只有捲繞基材53a，成為基材滾筒53B加以回收。又在該水平部份係如第5圖所示，使2個保護材P被並列位於X方向。

可動張力滾筒57係設置為可在X方向移動，在如第5圖所示之凹槽41的X1側，也就是保護材薄片53被拉出延伸水平部份，使該水平部份的X1側的保護材P位於與工件1對應的位置之拉出位置、與從拉出位置朝凹槽41的X2側移動之基材剝離位置(第6(b)圖)之2個位置往返移動。

其次，參照第5～7圖，說明在保持於旋轉台42的工件1表面貼著保護材P的步驟。又在此等圖式中描繪在保護材薄片滾筒53A或是基材滾筒53B周圍的圓弧狀箭頭標記、描繪在各滾筒55、56、57、58內的圓弧狀箭頭標記係表示該等滾筒在該步驟中旋轉的方向。

首先，如第5(a)圖所示，將旋轉台42從上方的交接位置下降到下方的洗淨位置，從洗淨噴嘴45朝向工件1噴出洗淨水W供給至整個表面。藉此在工件1的表面形成水層。其次，如第5(b)圖所示，在將旋轉台42上昇到交接位置之後，如第6(a)圖所示，使貼著手段連同殼體51下降到貼著位置，使保護材P與工件1表面的水層接觸。藉此使保護材P的至少一部份溶解於水中，透過水使保護材P與整個工件表面貼合。

其次，如第6(b)圖所示，一邊捲繞基材滾筒53B一邊使可動張力滾筒朝箭頭標記E方向(X2方向)轉動，使其移動到基材剝離位置，接著如第7(a)圖所示，將貼著手段上昇到退避位置。藉由將可動張力滾筒57移動到基材剝離位置，使基材53a從已貼著在工件1表面的保護材P被剝離，形成在工件1的表面只貼著保護材P的狀態。因為保護材P係為覆蓋貼著整個工件1的表面，因此全部的分割預定線2係利用保護材P加以被覆。之後，將可動張力滾筒57如第7(b)圖所示，朝箭頭標記F方向(X1方向)轉動回到拉出位置，使該移動距離份的保護材薄片53從保護材薄片滾筒53A被拉出。

如以上所示工件1的表面係利用保護材P覆蓋，接著工件單元7係利用搬送手段20被搬入到加工平台11A的保持台68。根據第2圖針對加工平台11A上的構成與對工件1的雷射加工加以說明。

加工平台11A係利用水平的上面加以構成，保持台68係設置在設於加工平台11A上之可以在水平的XY方向移動之XY移動台60上。在保持台68的上方係將朝向保持在保持台68的工件1照射雷射光束(脈衝雷射光線)施予雷射加工之雷射加工手段70以與保持台68對向的狀態加以配置。雷射加工手段70係被固定在壁部12。

XY移動台60係利用透過導軌61可朝X方向移動地設置在加工平台11A上之X軸基座62、與透過導軌63可朝Y方向移動地設置在該X軸基座62上之Y軸基座64的組合構成。X軸基座62係藉由利用馬達65a使滾珠螺桿65b動作之X軸驅動機構65使其朝X方向移動。一方面，Y軸基座64係藉由利用馬達66a使滾珠螺桿66b動作之Y軸驅動機構66使其朝Y方向移動。

在Y軸基座64的上面係固定圓筒狀的桌台67，使保持台68成為旋轉軸係可在Z方向自由旋轉地支撐在該桌台67之上。保持台68係為利用根據氣體吸引的負壓作用在上面的保持面68a吸附、保持工件單元7的工件1之真空卡盤式平台，藉由收納在桌台67內之未圖示的旋轉驅動手段而朝一方向或是兩方向旋轉驅動。在保持台68的外周部係配置可自由裝拆地保持工件單元7的框體5之複數個夾具69。

雷射加工手段70係具有使一端固定在壁部12的X1側面，並從該一端朝向保持台68上方在X1方向延伸之直方體狀的框體71。在框體71的前端係設置約略朝向鉛直下方照射雷射光束之照射部72。在框體71內係收納由發出雷射光束之發振器、集光雷射光束之集光鏡、將從發振器所發出的雷射光束導向集光鏡的同時調整雷射光束的光軸之光軸調整手段等構成之雷射光束照射手段(未圖示)。

又在框體71的前端下部，也就是照射部72的附近係配置用以拍攝工件1的分割預定線2辨識雷射光束的照射位置之校準手段(未圖示)。該校準手段係具備照明工件1的表面之照明手段或光學系、由拍攝利用該光學系所捕捉到的影像之CCD等構成的攝影元件等。

藉由上述洗淨手段40與貼著手段50在工件1的表面貼著保護材P之工件單元7係利用搬送手段20被載置搬入到將XY移動台60朝Y1方向移動位於特定的搬入/搬出位置之保持台68上。工件單元7之工件1係將保護材P之被貼著的表面(被加工面)側朝向上方利用負壓作用吸附、保持在保持台68，又利用夾具69保持框體5。再者，將XY移動台60朝Y2方向移動，使工件1位於照射部72下方之加工位置，在該加工位置於工件1的分割預定線2施予雷射加工而切割工件1。

對於分割預定線2的雷射加工係在利用上述的校準手段拍攝分割預定線2，辨識雷射光束的照射位置之後再進行。雷射加工作藉由一邊使XY移動台60的X軸基座62在X方向移動，一邊從雷射加工手段70的照射部72順著與X方向平行之分割預定線2由表面側照射雷射光束到工件1上進行。在分割預定線2成為與X方向，也就是與加工輸送方向平行時，藉由將保持台68旋轉而使工件1自轉加以完成。又在照射雷射光束之分割預定線2的選擇係使XY移動台60的Y軸基座64朝Y方向移動，藉由將從照射部72所照射之雷射光束的照射位置之Y方向位置與加工對象之分割預定線2吻合之分割輸送加以達成。又加工輸送方向與分割輸送方向係與此相反，也就是使Y方向為加工輸送方向，X方向為分割輸出方向加以設定亦可，沒有限定。

上述雷射加工係利用例如以下的加工條件加以完成。

‧雷射光束的光源：YVO4雷射或是YAG雷射

‧波長：355nm

‧反覆頻率：50～100kHz

‧輸出：0.3～4.0W

‧集光光點徑：Φ9.2μm

‧加工輸送速度：1～800nm/秒

順著分割預定線2施加之在本實施形態的雷射加工係為前述之燒蝕加工。在燒蝕加工時所產生之稱為碎屑的蒸散成份之飛沫係掉落附著在已貼著於工件1表面的保護材P之上。為此，碎屑不會直接附著在工件1的表面，可以確保工件1的品質。

照射在工件1的雷射光束係因為保護材P為具有355nm波長的光可穿透之特性，因此會穿透保護材P而在工件1集光。在此，保護材P中係因為如上述所示含有水溶性的紫外線吸收劑，因此保護材P係可以確保雷射光束吸收能，並且易於利用雷射光束的照射而熔融。為此，在與工件1的雷射加工同時保護材P係順著分割預定線2而破裂，加工部份係成為沒有利用保護材P填塞而開放的狀態。因此，碎屑係平順地朝上方飛散並在保護材P之上落下。若是當保護材P沒有熔融時，恐怕會使保護材P由於內壓而從工件1的表面剝離，使碎屑掉進保護材P與工件1表面之間而附著在工件1的表面，但是在本實施形態中係難以發生那樣的不合宜情況。

在全部的分割預定線2照射雷射光束施予燒蝕加工之後，將工件單元7位於搬入/搬出位置的同時，並且解除根據保持台68之工件的保持與根據夾具69之框體5的保持。再者，利用搬送手段20從保持台68搬出工件單元7，工件單元7係再次置於在洗淨手段40。

將工件1被燒蝕加工而切割之工件單元7係吸附、保持在於上述交接位置待機之旋轉台42上。接著，將旋轉台42下降旋轉到上述洗淨位置。再者各噴嘴45、46係一邊往返旋轉一邊從洗淨水噴嘴45的前端噴出洗淨水，使洗淨水到處涵蓋整個保護材P。藉此由水溶性樹脂構成的保護材P係溶解，使附著在保護材P的碎屑連同保護材P被水洗流動而除去。又雖然未圖示，但是在凹槽41的底部係連接用以將洗淨時的排出液排出到處理設備之排水管。

在從工件1的表面完全除去保護材P之後，停止來自洗淨水噴嘴45的洗淨水噴出，接著在持續進行旋轉台42的旋轉，以及各噴嘴45、46的往返旋轉之狀態下，從氣體噴嘴46的前端噴出乾燥氣體。乾燥氣體係在露出的整個工件1表面到處吹拂，再者也與利用離心力揮散水分的作用相輔相成，而使工件1被乾燥處理。之後，將旋轉台42上昇到交接位置，工件單元7係利用搬送手段20加以保持。再者，利用搬送手段20將工件單元7載置在引導框架36上，接著使拉出手段32朝X1方向移動，工件單元7係利用夾具35按壓框體5而被收納到卡匣31內。

以上為對於1張工件1施予雷射加工(燒蝕加工)而切割的步驟之1循環，該循環係對於卡匣31內的全部工件單元7而完成。再者，被切割的工件1之工件單元7係連同卡匣31被搬移到下個步驟，又將收納新的工件單元7之卡匣31載置在卡匣台30，進行相同處理。

[3]一實施形態之作用效果

在上述一實施形態中防止碎屑不會直接附著在工件1表面的保護材P係從薄片狀，也就是保護材薄片53貼著在工件1的表面者。為此，保護材P係為能夠覆蓋工件1表面的必要最低限之大小，換言之具有與工件1相同形狀及直徑者即可。其結果為使保護材P的浪費為少，並且可以效率佳地保護工件1的表面。又因為貼著保護材P覆蓋工件1的表面，因此即使在其表面有凹凸的情況也可以確實保護整個表面。

又在上述實施形態中，雖然用以將保護材P貼著在工件1表面的水是供給到工件1的表面，但是本發明係不限於此，可以的話將水供給到保護材P之對於工件1的貼著面而在該貼著面形成水層，從該狀態將保護材P貼著在工件1的表面亦可。

1．．．工件

2．．．分割預定線(加工預定線)

3．．．元件區域

4．．．直線狀切口

5．．．環狀框體

5a．．．圓形狀開口部

6．．．黏著帶

7．．．工件單元

10．．．雷射加工裝置

11．．．基台

11A．．．加工平台

11B．．．搬入/搬出平台

12．．．直立設置壁部

20．．．搬送手段

21、43．．．旋轉軸

22．．．伸縮式水平旋轉臂

23．．．H狀托架

24．．．保持墊片

30．．．卡匣台

31．．．卡匣

32．．．拉出手段

33．．．可動桿

34．．．挾接板

35、44、69．．．夾具

36．．．引導框架

40．．．洗淨手段

41．．．圓筒狀凹槽

41a．．．開口

42．．．旋轉台

42a．．．保持面

45、46．．．噴嘴

47．．．供給管部

50．．．貼著手段

51．．．殼體

52．．．供護材供給手段

53．．．保護材薄片

53A．．．保護材薄片滾筒

53B．．．基材滾筒

53a．．．基材

55．．．供給側引導滾筒對

56．．．固定張力滾筒

57．．．可動張力滾筒

58．．．捲繞側引導滾筒對

59．．．撓繞軸

60．．．XY移動台

61．．．導軌

62．．．X軸基座

63．．．導軌

64．．．Y軸基座

65．．．X軸驅動機構

65a、66a．．．馬達

65b．．．滾珠螺桿

66．．．Y軸驅動機構

66b．．．滾珠螺桿

67．．．桌台

68．．．保持台

68a．．．保持面

70．．．雷射加工手段

71．．．框體

72．．．照射部

P．．．保護材

1‧‧‧工件

5‧‧‧框體

11B‧‧‧搬入/搬出平台

41‧‧‧凹槽

42‧‧‧旋轉台

43‧‧‧旋轉軸

52‧‧‧保護材供給手段

53‧‧‧保護材薄片

53a‧‧‧基材

53A‧‧‧保護材薄片滾筒

53B‧‧‧基材滾筒

54‧‧‧供給側滾筒

55‧‧‧供給側引導滾筒對

56‧‧‧固定張力滾筒

57‧‧‧可動張力滾筒

58‧‧‧捲繞側引導滾筒對

59‧‧‧撓繞軸

P‧‧‧保護材

Claims

一種燒蝕加工方法，其係使用在以雷射光束燒蝕加工工件，其特徵在於包含以下步驟：在薄片狀的基材上形成一保護材，該保護材呈薄片狀，厚度為0.1μm以上10μm以下，為水溶性，355nm波長的光可穿透，並且具有可完全覆蓋工件之加工預定線的面積；至少在工件的被加工面或是前述保護材的貼著面供給水；透過水層將形成在前述基材上的狀態下之前述保護材的貼著面與工件的前述被加工面予以貼合；將前述基材剝離前述保護材；及由已貼著前述保護材之工件的前述被加工面側照射雷射光束，而於加工預定線施予燒蝕加工。
如申請專利範圍第1項之燒蝕加工方法，其中更包含有以下步驟：在實施前述燒蝕加工後，對前述工件供給水而除去前述保護材。