JP2007073670A - 水溶性樹脂被覆方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ダイシングテープを介して環状のフレームとウェーハに水溶性樹脂を被覆する場合において、フレームに水溶性樹脂を付着させないことにより、その後の搬送を円滑に行うようにする。
【解決手段】スピンナーテーブル80に保持されたウェーハWに水溶性樹脂を滴下して水溶性樹脂を被覆した後に、フレームFの上面に対して洗浄水ノズル85から洗浄水を噴出すると共に、スピンナーテーブル80を回転させてフレームFの上面に付着した水溶性樹脂を洗浄除去する。
【選択図】図6

Description

本発明は、ウェーハの表面に水溶性樹脂を被覆する方法に関するものである。
IC、LSI等のデバイスがストリートによって区画されて複数形成されたウェーハは、ストリートが縦横に分離されて個々のデバイスに分割される。ストリートの分離は、レーザ光の照射によって行われることがある。
ところが、レーザ光をウェーハの表面に照射すると、溶融により生じたデブリと呼ばれる飛沫が飛散し、デバイスの表面に付着して品質を低下させるという問題がある。
そこで、本出願人は、ウェーハの表面に水溶性の樹脂を被覆し、水溶性樹脂が被覆された状態の当該表面にレーザ光を照射して加工すれば、デブリが飛散してもデバイスに付着することはないことを見出し、特許出願した(特許文献1参照)。かかる出願においては、実施例として、ダイシングテープを介してウェーハを環状のフレームと一体とし、その状態でウェーハの表面に水溶性樹脂を滴下し、ウェーハを回転させて水溶性樹脂を表面に均一に被覆する技術が開示されている。
特開2004−322168号公報
しかし、水溶性樹脂を被覆する段階でウェーハがダイシングテープを介してフレームと一体となっていると、フレームがウェーハの外周側にあるため、ウェーハに水溶性樹脂を滴下した後にウェーハを回転させることにより、水溶性樹脂が飛散してフレームの上面にも付着し、当該上面に水溶性樹脂が付着した状態で以降の工程に進むことになる。そして、ウェーハの搬送時にはフレームが吸着パッドにより吸着された状態で搬送されるため、吸着を解除して一定の場所に載置しようとすると、水溶性樹脂の粘着性により、フレームが吸着パッドから離脱しないことがあるという問題がある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、ダイシングテープを介して環状のフレームと一体になったウェーハに水溶性樹脂を被覆する場合において、フレームに水溶性樹脂を付着させないようにしてその後のウェーハの搬送を円滑に行うようにすることである。
本発明は、ダイシングテープを介して環状のフレームと一体になったウェーハを保持して回転するスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持されたウェーハに水溶性樹脂を滴下する水溶性樹脂ノズルと、洗浄水を噴出する洗浄水ノズルとを備えた樹脂被覆装置を用い、ウェーハの表面に水溶性樹脂を被覆する水溶性樹脂被覆方法に関するもので、スピンナーテーブルに保持されたウェーハの上方に水溶性樹脂ノズルを位置付けてウェーハの表面に水溶性樹脂を滴下し、スピンナーテーブルを回転させてウェーハの表面に水溶性樹脂を被覆する水溶性樹脂被覆工程と、フレームの上方に洗浄水ノズルを位置付けてフレームの上面に洗浄水を噴出すると共に、スピンナーテーブルを回転させてフレームの上面に付着した水溶性樹脂を洗浄除去するフレーム洗浄工程とから構成されることを特徴とする。
水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド等の水溶性ポリマーが用いられる。
水溶性樹脂被覆工程におけるスピンナーテーブルの回転速度は500rpm〜3000rpmであり、フレーム洗浄工程におけるスピンナーテーブルの回転速度は1rpm〜100rpmであることが好ましい。
本発明では、ウェーハの表面に水溶性樹脂を被覆した後に、フレームの上面に洗浄水を噴出して付着した水溶性樹脂の洗浄を行うようにしたため、その後のウェーハの搬送時に吸着パッドによりフレームを吸着しても、フレームを吸着パッドから円滑に離脱させることができる。
図1に示す樹脂被覆装置としての機能も有するレーザ加工装置1は、チャックテーブル2に保持されたウェーハに対して水溶性樹脂を被覆し、レーザ加工手段3によってウェーハに対して加工を施す装置である。
加工対象のウェーハWは、ダイシングテープTに貼着される。ダイシングテープTの外周縁部には環状のフレームFが貼着され、ウェーハWがダイシングテープTを介してフレームFと一体になって支持された状態となる。
こうしてダイシングテープTを介してフレームFと一体になったウェーハWは、ウェーハカセット40に複数収容され、ウェーハカセット40は、カセット載置テーブル4の上に載置される。カセット載置テーブル4は昇降可能となっており、ウェーハカセット40を適宜の高さに位置付けることができる。
カセット載置テーブル4の−Y方向側には、ウェーハカセット40から加工前のウェーハWを搬出するとともに、加工後のウェーハをウェーハカセット40に搬入する搬出入手段5が配設されている。カセット載置テーブル4と搬出入手段5との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域6が設けられており、仮置き領域6には、ウェーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段60が配設されている。
仮置き領域6の近傍には、ウェーハWと一体になったフレームFを吸着して搬送する第一の搬送手段7が配設されている。第一の搬送手段7は、旋回及び昇降可能なアーム部70と、フレームFを吸着する複数の吸着パッド71とを備えている。
第一の搬送手段7の可動域には樹脂被覆兼洗浄手段8及びチャックテーブル2が配設されている。樹脂被覆兼洗浄手段8は、図2に示すように、ダイシングテープTを介してフレームFと一体になったウェーハWを保持するスピンナーテーブル80を備えている。スピンナーテーブル80は、回転軸81を介してモータ82に連結されており、モータ82によって駆動されて回転可能となっている。モータ82は、昇降手段83によって昇降自在に支持されている。昇降手段83は、モータ82の側面側に固定された複数のエアシリンダ830とロッド831とから構成され、エアシリンダ830の昇降によってモータ82及びスピンナーテーブル80が昇降する構成となっている。
スピンナーテーブル80の外周側には、スピンナーテーブル80に保持されたウェーハWに向けて水溶性樹脂を滴下する水溶性樹脂ノズル84と、洗浄水を噴出する洗浄水ノズル85と、高圧エアーを噴出するエアーノズル86とが配設されている。図3に示すように、各ノズルの下端はモータ87に連結されており、それぞれのモータに駆動されて旋回可能となっている。なお、図3においては水溶性樹脂ノズル84及び洗浄水ノズル85に連結されたモータのみ図示するが、エアーノズル86も同様にモータに連結されて旋回可能となっている。
スピンナーテーブル80の下方においては、回転軸81を包囲するようにして受け部88が配設されており、受け部88においては、余分な洗浄水や水溶性樹脂を受け止め、ドレーン880を通じて装置外部に排出する。
図1に戻って説明を続けると、チャックテーブル2は、X軸方向に移動可能であると共に回転可能となっている。チャックテーブル2は、ダイシングテープTを介してウェーハWを保持する吸引部20と、フレームFを固定するクランプ部21とを備えている。
チャックテーブル20のX軸方向の移動経路の上方には、ウェーハWの加工すべき位置を検出するアライメント手段9が配設されている。アライメント手段9には、ウェーハWの表面を撮像する撮像手段90を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって加工すべきストリートを検出することができる。
アライメント手段9の+X方向側には、チャックテーブル2に保持されたウェーハWに対してレーザ光を照射して加工を行うレーザ加工手段3が配設されている。加工手段3は、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能な加工ヘッド30を備えている。加工ヘッド30は、ハウジング31によって支持されており、下方に向けてレーザ光を照射する機能を有する。
加工ヘッド30から出力されるレーザ光の出力は、出力調整手段32よって調整される。出力されるレーザ光は、発振手段33によって発振してパルスレーザ光となる。発振手段33は、周波数設定手段34によって設定された周波数にしたがってパルスレーザ光を発振させる。
樹脂被覆兼洗浄手段8の上方には、第二の搬送手段10が配設されている。第二の搬送手段10には、Y軸方向に移動可能なアーム部100と、アーム部100に対して昇降する昇降部101と、昇降部101の下端に設けられた吸着パッド102とを備え、吸着パッド102がフレームFを吸着してアーム部100がY軸方向に移動すると共に昇降部101が昇降することにより、フレームに支持されたウェーハWをチャックテーブル2と樹脂被覆洗浄手段8との間で搬送することができる。
以下では、レーザ加工装置1による加工例として、ウェーハWの表面のストリートにレーザ光を照射して溝を形成する場合に挙げて説明する。
ウェーハカセット40に収容されたウェーハWは、カセット載置テーブル4が昇降して搬出できる高さになった状態で、搬出入手段5によってフレームFが挟持され、搬出入手段5が−Y方向に移動し、仮置き領域6においてその挟持が解除されることにより、仮置き領域6に載置される。そして、位置合わせ手段60が互いに接近する方向に移動することにより、ウェーハWが一定の位置に位置付けられる。
次に、第一の搬送手段7を構成するアーム部70が下降して複数の吸着パッド71がフレームFを吸着し、アーム部70が上昇してから旋回して樹脂被覆兼洗浄手段8の直上にウェーハWを位置付ける。そして、図2及び図3に示すように、スピンナーテーブル80が上昇してウェーハの搬入及び搬出が行われる位置に位置付け、アーム部70を下降させてフレームFと一体になったウェーハWをスピンナーテーブル80に載置し、吸着パッド71によるフレームFの吸着を解除し、フレームFと一体となったウェーハWがスピンナーテーブル80によって保持される。このとき、水溶性樹脂ノズル84、洗浄水ノズル85、エアーノズル86は、いずれもスピンナーテーブル80の上方から退避し、フレームFと一体になったウェーハWの下降を邪魔しない位置に位置付けられる。
こうしてウェーハWがスピンナーテーブル80に保持された状態で、ウェーハWの表面に水溶性樹脂を被覆する水溶性樹脂被覆工程が遂行される。水溶性樹脂被覆工程では、まず、図4及び図5に示すように、スピンナーテーブル80を下降させ、図3に示したモータ87によって駆動されて水溶性樹脂ノズル84がウェーハWの上方に位置付けられ、その先端部がウェーハWの中心部に位置するようにする。そして、スピンナーテーブル80が静止した状態で、水溶性樹脂ノズル84から水溶性樹脂84aを滴下する。水溶性樹脂84aとしては水溶性ポリマーを使用する。具体的には、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド等が挙げられる。
次に、スピンナーテーブル80を、例えば500〜3000rpmの回転速度で30〜120秒回転させることにより、滴下された水溶性樹脂84aをウェーハWの表面一面に
行き渡らせて塗布する。ここで、水溶性樹脂84aの膜厚は、例えば0.1〜10μm程度とする。
上記のようにして水溶性樹脂被覆工程が遂行されると、スピンナーテーブル80の回転により水溶性樹脂84aがウェーハWよりも更に外周側に飛散し、ダイシングテープTやフレームFの上面に付着することがある。水溶性樹脂84aが被覆されたウェーハWは、その後、フレームFが吸着された状態で搬送されるため、フレームFに水溶性樹脂が付着したままの状態にしておくと、搬送時にフレームFが離脱できないという弊害が生じる。そこで、少なくともフレームFに付着した水溶性樹脂を洗浄除去するフレーム洗浄工程を遂行する。
フレーム洗浄工程においては、図6に示すように、水溶性樹脂ノズル84を退避位置に退避させると共に、洗浄水ノズル85をフレームFの上方に移動させる。そして、スピンナーテーブル80を、例えば1〜100rpmの回転速度で回転させると共に、洗浄水ノズル85から例えば水圧0.2MPaの洗浄水85aを5〜30秒程、10ml/分〜100ml/分程度の割合でフレームFに向けて噴出する。そうすると、フレームFに付着した水溶性樹脂84aが溶融すると共に、その溶融した水溶性樹脂84aが洗浄水によって飛ばされ、フレームFに付着した水溶性樹脂84aが除去される。
その後、洗浄水ノズル85をフレームFの上方から退避させると共にエアーノズル86をフレームFの上方に位置付け、スピンナーテーブル80を、例えば500〜3000rpmの回転速度で30〜120秒程回転させると共にエアーノズル86から例えばエアー圧0.4MPaのエアー86aを噴出して洗浄水を除去して乾燥させる。こうしてフレーム洗浄工程が遂行された後は、スピンナーテーブル80が、ウェーハを搬入及び搬出可能な位置に上昇する。なお、フレーム洗浄工程においては、洗浄水及びエアーの両方を噴出することができる2流体ノズルを用いることができる。例えば水圧0.2MPaの洗浄水とエアー圧0.4MPaのエアーとを混合し、フレームFに対して2流体ノズルから噴出して水溶性樹脂を洗浄除去することができる。
図1に戻って説明すると、ウェーハWは、第一の搬送手段7の吸着パッド70にフレームFが吸着された後、アーム部70が旋回することによりチャックテーブル2の直上に位置付けられ、アーム部70が下降してウェーハWをチャックテーブル2に載置すると共に吸着パッド71による吸着を解除して、チャックテーブル2に保持される。このとき、フレームFには水溶性樹脂が付着していないため、フレームFから吸着パッド71が円滑に離脱する。
次に、チャックテーブル2が+X方向に移動してアライメント手段9の直上に位置付けられ、撮像部90によってウェーハWの表面が撮像され、その画像に基づいてアライメント手段9によって下降すべきストリートが検出される。
その後は、更にチャックテーブル2が+X方向に移動し、検出されたストリートに対してレーザ加工手段3の加工ヘッド30からレーザ光が照射される。ここで照射するレーザ光としては、YVO4レーザまたはYAGレーザを用いることができる。例えば波長を355nm、平均出力を4.0W、繰り返し周波数を50kHzとする。
上記条件におけるレーザ光の照射は、チャックテーブル2をX軸方向に往復移動させると共にレーザ加工手段3をY軸方向にインデックス送りすることにより同方向のすべてのストリートに対して行い、更にチャックテーブル2を90度回転させてから同様の照射を行う。例えば、チャックテーブル2のX軸方向への送り速度は200mm/秒とし、レーザ光がウェーハWの裏面に貫通しないようにして、表面に溝を形成する。加工の内容としては、ウェーハWが極めて薄く形成される場合は、裏面まで貫通させてストリートを分離させることも可能である。
すべてのストリートに溝が形成された後は、チャックテーブル2が元の位置に戻る。そして、第二の搬送手段10を構成するアーム部100が+Y方向に移動し、昇降部101が下降すると共に、吸着パッド102がフレームFを吸着する。そして、昇降部101が上昇してからアーム部100が−Y方向に移動してウェーハWを樹脂被覆兼洗浄手段8の直上に位置付けた後、昇降部101を下降させてスピンナーテーブル80に載置し、吸着パッド102によるフレームFの吸着を解除し、昇降部101を上昇させ、フレームFと一体になったウェーハWをスピンナーテーブル80に保持させる。このとき、フレームFには水溶性樹脂が付着していないため、フレームFが吸着パッド102から容易に離脱し、ウェーハWをスピンナーテーブル80に保持させる動作が円滑に行われる。なお、このときのスピンナーテーブル80の位置は、図3に示した上昇した位置である。
次に、スピンナーテーブル80を下降させると共に、洗浄水ノズル85をウェーハWの中心部の直上に位置付け、スピンナーテーブル80を例えば800rpmの回転速度で回転させながら、洗浄水ノズル85から例えば水圧0.2MPaの洗浄水を噴出させる。このとき、図3に示したモータ87による駆動により洗浄水ノズル85を揺動させ、洗浄水がウェーハの全面に噴出されるようにする。そうすると、ウェーハWの表面に被覆されていた水溶性樹脂が溶融し、回転により外周側に飛散する。更に、洗浄水ノズル85をウェーハWの上方から退避させた後に、エアーノズル86をウェーハWの上方に位置付け、スピンナーテーブル80を、例えば500〜3000rpmの回転速度で30〜120秒程回転させると共にエアーノズル86を揺動させながら、例えばエアー圧0.4MPaのエアー86aを噴出して洗浄水を除去して乾燥させる。そうすると、溶融した水溶性樹脂が完全に除去され、ウェーハWの表面が露出する。なお、ウェーハの洗浄において、前記した2流体ノズルを用いることもできる。
こうして水溶性樹脂が除去された後は、スピンナーテーブル80が上昇すると共に、第一の搬送手段7を構成する吸着パッド71がフレームFを吸着し、アーム部70が上昇すると共に旋回して仮置き領域の直上にウェーハWを位置付けた後に、アーム部70を下降させ、吸着部71による吸着を解除させ、アーム部70を上昇させて、フレームFと一体になったウェーハWを仮置き領域6に載置する。フレームFに水溶性樹脂が付着していないため、ウェーハWの載置は円滑に行われる。
仮置き領域6に載置されたウェーハWは、ウェーハカセット40がカセット載置テーブル4の昇降によって適宜の高さに位置付けられた後に、搬出入手段5によってウェーハカセット40の空きスロットに搬入される。
レーザ加工装置の一例を示す斜視図である。 樹脂被覆兼洗浄手段の一例を示す斜視図である。 樹脂被覆兼洗浄手段の一例を略示的に示す断面図である。 水溶性樹脂被覆工程を示す斜視図である。 水溶性樹脂被覆工程を示す略示的に示す断面図である。 フレーム洗浄工程を略示的に示す断面図である。
符号の説明
1:レーザ加工装置(樹脂被覆装置)
2:チャックテーブル
20:吸引部 21:クランプ部
3:レーザ加工手段
30:加工ヘッド 31:ハウジング 32:出力調整手段 33:発振手段
34:周波数設定手段
4:カセット載置テーブル
40:ウェーハカセット
5:搬出入手段
6:仮置き領域
60:位置合わせ手段
7:第一の搬送手段
70:アーム部 71:吸着パッド
8:樹脂被覆兼洗浄手段
80:スピンナーテーブル 81:回転軸 82:モータ
83:昇降手段
830:エアシリンダ 831:ロッド
84:水溶性樹脂ノズル
85:洗浄水ノズル
85a:洗浄水
86:エアーノズル
86a:エアー
87:モータ
88:受け部
880:受け部
9:アライメント手段
90:撮像部
10:第二の搬送手段
100:アーム部 101:昇降部 102:吸着パッド
W:ウェーハ T:ダイシングテープ F:フレーム

Claims (3)

  1. ダイシングテープを介して環状のフレームと一体になったウェーハを保持して回転するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持されたウェーハに水溶性樹脂を滴下する水溶性樹脂ノズルと、洗浄水を噴出する洗浄水ノズルとを備えた樹脂被覆装置を用い、該ウェーハの表面に水溶性樹脂を被覆する水溶性樹脂被覆方法であって、
    該スピンナーテーブルに保持されたウェーハの上方に該水溶性樹脂ノズルを位置付けて該ウェーハの表面に水溶性樹脂を滴下し、該スピンナーテーブルを回転させて該ウェーハの表面に該水溶性樹脂を被覆する水溶性樹脂被覆工程と、
    該フレームの上方に洗浄水ノズルを位置付けて該フレームの上面に洗浄水を噴出すると共に、該スピンナーテーブルを回転させて該フレームの上面に付着した水溶性樹脂を洗浄除去するフレーム洗浄工程と
    から構成される水溶性樹脂被覆方法。
  2. 前記水溶性樹脂は、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシドを含む水溶性ポリマーである請求項1に記載の水溶性樹脂被覆方法。
  3. 前記水溶性樹脂被覆工程におけるスピンナーテーブルの回転速度は500rpm〜3000rpmであり、
    前記フレーム洗浄工程におけるスピンナーテーブルの回転速度は1rpm〜100rpmである請求項1または2に記載の水溶性樹脂被覆方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231632A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP2010045233A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆装置
JP2012200673A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Disco Corp 保護膜塗布装置
JP2013171937A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜塗布装置
JP2013247299A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
JP2014147894A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆装置
JP2014175461A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜形成装置
JP2015159296A (ja) * 2011-06-15 2015-09-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated レーザ・プラズマエッチングによる基板のダイシング用水溶性マスク
US9502295B2 (en) 2013-12-20 2016-11-22 Nikka Seiko Co., Ltd. Protective film material for laser processing and wafer processing method using the protective film material
KR20190004206A (ko) 2017-07-03 2019-01-11 닛카 세이코 가부시키가이샤 레이저 가공용 보호막제
JP2021048350A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社東京精密 フレーム洗浄機構
JP7570779B2 (ja) 2020-11-11 2024-10-22 株式会社ディスコ 研削装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5699297B2 (ja) * 2010-04-28 2015-04-08 株式会社ユーテック 基板処理装置及び薄膜の製造方法
JP2014007344A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Disco Abrasive Syst Ltd 収容カセット
CN105499812B (zh) * 2016-01-08 2017-12-29 常州英诺激光科技有限公司 一种提高陶瓷散热基板激光加工品质的方法
KR102566170B1 (ko) * 2016-09-12 2023-08-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 타공 장치
JP7023575B2 (ja) * 2018-03-02 2022-02-22 株式会社ディスコ 洗浄方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326185A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Hitachi Ltd ダイシング装置およびダイシング用ブレード
US6114254A (en) * 1996-10-15 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
JP2002326064A (ja) * 2001-05-01 2002-11-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板当接部材の洗浄機構
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3489608A (en) * 1965-10-26 1970-01-13 Kulicke & Soffa Ind Inc Method and apparatus for treating semiconductor wafers
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US6218727B1 (en) * 1997-08-07 2001-04-17 Infineon Technologie Ag Wafer frame
TW492100B (en) * 2000-03-13 2002-06-21 Disco Corp Semiconductor wafer processing apparatus
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
WO2002101796A2 (en) * 2001-06-12 2002-12-19 Verteq, Inc. Megasonic cleaner and dryer system
JP2004235250A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
US20050136653A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-23 Ramirez Jose G. Non-adhesive semiconductor wafer holder and assembly

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326185A (ja) * 1993-05-17 1994-11-25 Hitachi Ltd ダイシング装置およびダイシング用ブレード
US6114254A (en) * 1996-10-15 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
JP2002326064A (ja) * 2001-05-01 2002-11-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板当接部材の洗浄機構
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231632A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP2010045233A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆装置
JP2012200673A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Disco Corp 保護膜塗布装置
JP2015159296A (ja) * 2011-06-15 2015-09-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated レーザ・プラズマエッチングによる基板のダイシング用水溶性マスク
JP2013171937A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜塗布装置
JP2013247299A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
JP2014147894A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆装置
JP2014175461A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜形成装置
US9502295B2 (en) 2013-12-20 2016-11-22 Nikka Seiko Co., Ltd. Protective film material for laser processing and wafer processing method using the protective film material
KR20190004206A (ko) 2017-07-03 2019-01-11 닛카 세이코 가부시키가이샤 레이저 가공용 보호막제
US10700016B2 (en) 2017-07-03 2020-06-30 Nikka Seiko Co., Ltd. Protective film material for laser processing and wafer processing method using the protective film material
JP2021048350A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社東京精密 フレーム洗浄機構
JP7386424B2 (ja) 2019-09-20 2023-11-27 株式会社東京精密 フレーム洗浄機構
JP7570779B2 (ja) 2020-11-11 2024-10-22 株式会社ディスコ 研削装置

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