JP7023575B2 - 洗浄方法 - Google Patents

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Description

本発明は、被貼着物と、該被貼着物の裏面に貼着されたテープと、該テープの外周部が貼着された環状のフレームと、を含むフレームユニットを洗浄する洗浄方法に関する。
携帯電話やコンピュータ等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、半導体からなるウェーハの表面にストリートと呼ばれる交差する複数の加工予定ラインが設定される。加工予定ラインによって区画されるウェーハの表面の各領域には、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ(Large Scale Integration)等のデバイスが形成される。その後、加工予定ラインに沿ってウェーハを分割すると、個々のデバイスチップを形成できる。
ウェーハの分割は、円環状の切削ブレードでウェーハを切削する切削装置又はウェーハにレーザビームを照射して加工するレーザ加工装置等の加工装置で実施される。ウェーハを加工装置で加工すると加工屑が生じ、該加工屑がウェーハ表面や周囲に飛散するため、該加工屑を除去するために加工後のウェーハは洗浄される。加工装置には、例えば、スピンナ洗浄装置が配設されており、加工後のウェーハは該スピンナ洗浄装置に搬送されて洗浄される（特許文献１参照）。
該スピンナ洗浄装置は、被洗浄物が保持されるスピンナテーブルと、洗浄液を噴出する洗浄ノズルと、洗浄液を洗浄ノズルに供給する送液管と、を備える。被洗浄物の洗浄は、被洗浄物を保持したスピンナテーブルを回転させ、洗浄ノズルから洗浄液を噴出させながら該洗浄ノズルを被洗浄物の一端の上方から他端の上方までの領域を往復移動させることで実施される。
ところで、該加工装置に搬入されるウェーハの裏面には、環状のフレームに貼られた粘着テープが予め貼着される。そして、ウェーハは、テープと、フレームと、と一体となったフレームユニットの状態で該加工装置に搬入され、加工される。
該環状のフレームの上面には、ウェーハを識別管理するために該ウェーハの識別情報等の表示が配設されることがある（特許文献２参照）。例えば、該表示はバーコードであり、加工装置は該バーコードを読み取ることで該ウェーハの識別情報を取得する。
フレームユニットに含まれるウェーハを加工ユニットにより加工すると、該環状のフレームの上面に配設された該表示にも加工屑が飛散する。該表示に加工屑が付着していると、加工装置は該表示から識別情報を読み取れなくなる場合がある。そこで、ウェーハを洗浄する際に該フレームにも洗浄液を噴射して洗浄するために、スピンナ洗浄装置では洗浄ノズルを該フレームの一端の上方からから他端の上方までの領域で往復移動させる。
特開２０００－３３３４６号公報 特開平９－７９７７号公報
スピンナ洗浄装置の送液管は、スピンナテーブルの外側で該スピンナテーブルの上面に垂直な方向に沿って該スピンナテーブルの上面の高さよりも高い位置に達するパイプ状の軸部を備える。該送液管は、さらに、該軸部からスピンナテーブルの中央までの距離に相当する長さで該軸部の伸長方向に垂直な方向に伸長したパイプ状の腕部を備える。該腕部は一端が該軸部の上端と接続され、該腕部の他端には下方に向いた洗浄ノズルが配設される。
該洗浄ノズルには該軸部及び腕部を通して洗浄液が供給され、該洗浄ノズルから下方に該洗浄液が噴出される。被洗浄物の洗浄中は、該軸部を軸として送液管を回転させることで該洗浄ノズルを往復移動させる。
被洗浄物としてウェーハだけを洗浄する場合に比べ環状のフレームを含むフレームユニットの全体を洗浄する場合では、１往復あたりの洗浄ノズルの移動距離が長くなり、洗浄ノズルが１往復するのに要する所要時間もその分増大する。したがって、フレームユニットの洗浄の所要時間はウェーハだけの洗浄の所要時間より長くなり、ウェーハと同時にフレームを洗浄すると生産性が低くなるとの問題がある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、比較的短い所要時間でフレームユニットを洗浄できる洗浄方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、被貼着物と、該被貼着物の裏面に貼着されたテープと、該テープの外周部が貼着された環状のフレームと、からなるフレームユニットを洗浄する洗浄方法であって、該フレームユニットをスピンナテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該フレームユニットを保持した該スピンナテーブルを回転させつつ洗浄ノズルを該保持面の中心の上方を通り該被貼着物の外周縁の一端の上方から他端の上方に至る第１の経路に沿って往復移動させながら該洗浄ノズルから洗浄液を噴射して被貼着物を洗浄する被貼着物洗浄ステップと、該スピンナテーブルを回転させつつ該洗浄ノズルから該フレームに洗浄液を噴射して該フレームを洗浄するフレーム洗浄ステップと、を備え、該フレームユニットは、該保持ステップの後、該被貼着物洗浄ステップ及び該フレーム洗浄ステップが終了するまで該スピンナテーブルから搬出されず、該被貼着物洗浄ステップ及び該フレーム洗浄ステップが実施された後に該スピンナテーブルから搬出されることを特徴とする洗浄方法が提供される。
好ましくは、該フレーム洗浄ステップでは、該洗浄ノズルを該保持面の中心の上方を通り該フレームの外周縁の一端の上方から他端の上方に至る第２の経路に沿って往復移動させて該フレームとともに被貼着物を洗浄する。
また、好ましくは、該フレーム洗浄ステップでは、該フレームの上方のみを含む第２の経路で該洗浄ノズルを往復移動させる。
本発明の一態様に係る洗浄方法は、ウェーハ等の被貼着物と、被貼着物の裏面に貼着されたテープと、該テープの外周部が貼着された環状のフレームと、からなるフレームユニットを被洗浄物として洗浄する洗浄方法である。該洗浄方法は、洗浄ノズルを被貼着物の外周縁の一端の上方から他端の上方に至る第１の経路に沿って往復移動させる被貼着物洗浄ステップと、該フレームに洗浄液を噴射して該フレームを洗浄するフレーム洗浄ステップと、を備える。
デバイスが形成されたウェーハ等の被貼着物と、識別情報の表示が配されたフレームと、では、必要な洗浄強度が異なる。ここで、洗浄強度とは、例えば、洗浄時間の長さ等で決定される洗浄の作用の強さである。被貼着物と、フレームと、は必要な洗浄強度が異なるため、両者を一つの洗浄ステップで同時に洗浄する場合、必要な洗浄強度が高い一方が必要とする洗浄強度で該フレームユニットを洗浄することになる。この場合、必要な洗浄強度が低い他方が過剰に洗浄される。
これに対して、本発明の一態様に係る洗浄方法では、被貼着物洗浄ステップと、フレーム洗浄ステップと、の２つのステップに分けて洗浄を実施することで、被貼着物と、フレームと、をそれぞれに必要な洗浄強度で洗浄できる。すなわち、必要な洗浄強度が低い方に実施していた過剰な洗浄時間を省略できるため、フレームユニットの洗浄に要する時間を短縮化できる。
したがって、本発明により、比較的短い所要時間でフレームユニットを洗浄できる洗浄方法が提供される。
フレームユニットを模式的に示す斜視図である。 洗浄装置と、フレームユニットと、を模式的に示す斜視図である。 保持ステップを模式的に示す断面図である。 被貼着物洗浄ステップを模式的に示す断面図である。 被貼着物洗浄ステップを模式的に示す上面図である。 フレーム洗浄ステップの一例を模式的に示す上面図である。 フレーム洗浄ステップの他の一例を模式的に示す上面図である。 乾燥ステップを模式的に示す断面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る洗浄方法では、半導体ウェーハ等の被貼着物を含むフレームユニットを洗浄する。図１は、本実施形態に係る洗浄方法で洗浄されるフレームユニットを模式的に示す斜視図である。
図１に示す通り、フレームユニット１１は、被貼着物１と、被貼着物１の裏面１ｂに貼着されたテープ７と、該テープ７の外周が貼着された環状のフレーム９と、を有する。被貼着物１は、例えば、シリコン等の半導体材料でなる円板状のウェーハ、または、ガラス又はサファイア等でなる基板である。被貼着物１の材質、形状、構造等に制限はなく、例えば、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板、及び矩形の基板を被貼着物１としてもよい。
被貼着物１の表面１ａ側には、交差する複数の加工予定ライン（ストリート）３が設定され、加工予定ライン３で区画された各領域にはＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ(Large Scale Integration)等のデバイス５が形成される。被貼着物１を加工予定ライン３に沿って分割すると、個々のデバイスチップを形成できる。
加工装置で被貼着物１が加工される前に、被貼着物１の裏面１ｂには環状のフレーム９に貼られたテープ７が貼着され、被貼着物１と、環状のフレーム９と、テープ７と、が一体となったフレームユニット１１が形成される。被貼着物１は、テープ７を介してフレーム９に支持され、フレームユニット１１の状態で加工装置に搬入されて加工される。
フレーム９の上面には、被貼着物１の識別情報の表示１３として、例えば、該識別情報が格納されたバーコードが設けられる。該加工装置は、被貼着物１を加工する際に該識別情報の表示１３を読み取り識別情報を取得する。
被貼着物１を加工する該加工装置は、例えば、円環状の切削ブレードを備えた切削装置、又はレーザビームを照射するレーザ加工ユニットを備えたレーザ加工装置等である。該加工装置は、被貼着物１を加工予定ライン３に沿って加工し、加工予定ライン３に沿って被貼着物１を分割する。図１には、加工装置により加工された後の被貼着物１が示されている。図１に示す通り、被貼着物１及びテープ７には加工痕３ａが形成される。そして、フレームユニット１１上には、加工により発生した加工屑が飛散して付着する。
被貼着物１の表面に加工屑が付着していると、被貼着物１が分割されることで形成されるデバイスチップに該加工屑が残留してしまう。また、被貼着物１やテープ７上に付着した該加工屑が加工装置の内外で脱落して汚染源となる。また、該加工屑は、フレーム９の上面に形成された識別情報の表示１３にも付着して、該識別情報の表示１３が判読不能となるおそれがある。そこで、フレームユニット１１の上面に洗浄液を供給して該加工屑を除去する。
また、例えば、レーザ加工装置で被貼着物１に対して加工予定ライン３に沿ってレーザアブレーション加工を実施する場合に、予め被貼着物１の表面に水溶性の樹脂を塗布する。この場合、加工により生じる加工屑は該水溶性の樹脂に付着するため、該水溶性の樹脂を除去することで被貼着物１の表面から該加工屑を除去できる。被貼着物１を洗浄すると該水溶性の樹脂を除去できるが、該水溶性の樹脂は、被貼着物１の表面に塗布する際にテープ７の上面やフレーム９の上面にも飛散して付着する。そこで、フレームユニット１１から該水溶性の樹脂を確実に除去するために、被貼着物１だけでなくテープ７及びフレーム９にも洗浄を実施する。
次に、本実施形態に係る洗浄方法が実施される洗浄装置について説明する。図２には、洗浄装置２と、フレームユニット１１と、を模式的に示す一部破断斜視図が示されている。洗浄装置２は、スピンナテーブル機構４と、該スピンナテーブル機構４の周囲を囲む洗浄水受け機構６と、被洗浄物を洗浄する洗浄機構３６と、洗浄された被洗浄物を乾燥させる乾燥機構２８と、を備える。
スピンナテーブル機構４は、スピンナテーブル８と、該スピンナテーブル８を上面に垂直な方向に沿った軸の周りに回転させるモータ１０と、モータ１０を上下方向に移動可能に支持する支持機構１２と、を有する。スピンナテーブル８の上部には、上方に露出する多孔質部材８ａが配設されている。スピンナテーブル８の内部には、一端が図示しない吸引源に接続され、他端が該多孔質部材８ａに接続された吸引路（不図示）が配設されている。
該スピンナテーブル８の上に被洗浄物を載せ、該吸引源を作動させて該吸引路と、該多孔質部材８ａと、を通して該被洗浄物に負圧を作用させると、該被洗浄物がスピンナテーブル８に吸引保持される。すなわち、該スピンナテーブル８の上面が保持面となる。
スピンナテーブル８の下部は、出力軸１４の上端が接続されており、該出力軸１４の下端には該モータ１０が接続されている。該出力軸１４は、該モータ１０により生じた回転力を該スピンナテーブル８に伝達する。
該モータ１０は、支持機構１２により支持されている。該支持機構１２は、モータ１０に取り付けられた複数のエアシリンダ１８を備え、それぞれの該エアシリンダ１８の下部には支持脚１６が接続されている。各エアシリンダ１８を同時に作動させると、モータ１０及びスピンナテーブル８を昇降できる。被洗浄物の搬出入時には、該支持機構１２を作動させて所定の搬出入位置にスピンナテーブル８を上昇させ、被洗浄物の洗浄時には、所定の洗浄位置にスピンナテーブル８を下降させる。
洗浄水受け機構６は、円筒状の外周壁２０ａと、該外周壁２０ａの下部から径方向内側に張り出した円環状の底壁２０ｂと、該底壁の２０ｂの内周側から上方に立設された内周壁２０ｃと、を備える。該内周壁２０ｃの内側は貫通孔２２となり、該貫通孔２２には出力軸１４が通される。該出力軸１４の外周には、該内周壁２０ｃを外周側から囲む大きさのカバー部材４６が設けられている。
底壁２０ｂには、排水口２４が設けられており、該排水口２４には排水路２６が接続されている。洗浄水受け機構６に洗浄液が落下すると、洗浄液は排水口２４から排水路２６を経て外部に排出される。スピンナテーブル８が該洗浄位置に下降すると、内周壁２０ｃが該カバー部材４６に囲まれるため、貫通孔２２を経たモータ１０側への洗浄液の飛散が抑制される。
該底壁２０ｂには、乾燥機構２８のパイプ状の乾燥軸部３４が突き通されている。該乾燥軸部３４は、スピンナテーブル８の外側で該スピンナテーブル８の上面に垂直な方向に沿って伸長したパイプ状の部材であり、該スピンナテーブル８の上面の高さよりも高い位置に達し、上端に乾燥腕部３２が接続されている。該乾燥軸部３４の基端側には該乾燥軸部３４を回転させるモータ３４ａ（図８等参照）が接続されており、該乾燥軸部３４は該モータ３４ａにより該垂直な方向の周りに回転される。
該乾燥腕部３２は、該乾燥軸部３４からスピンナテーブル８の中央までの距離に相当する長さで該乾燥軸部３４の伸長方向に垂直な方向に伸長したパイプ状の部材であり、該乾燥腕部３２の先端には下方に向いた乾燥ノズル３０が配設される。該乾燥機構３２は、図示しないエアー供給源を備え、乾燥軸部３４及び該乾燥腕部３２を経て乾燥ノズル３０からスピンナテーブル８に保持された被洗浄物に向けエアーを噴出させ、該被洗浄物に付着した洗浄液を除去する機能を有する。
該底壁２０ｂには、さらに、洗浄機構３６のパイプ状の軸部４２が突き通されている。該軸部４２は、スピンナテーブル８の外側で該スピンナテーブル８の上面に垂直な方向に沿って伸長したパイプ状の部材であり、該スピンナテーブル８の上面の高さよりも高い位置に達し、上端に腕部４０が接続されている。該軸部４２の基端側には該軸部４２を回転させるモータ４２ａ（図３等参照）が接続されており、該軸部４２は該モータ４２ａにより該垂直な方向の周りに回転される。
該腕部４０は、該軸部４２からスピンナテーブル８の中央までの距離に相当する長さで該軸部４２の伸長方向に垂直な方向に伸長したパイプ状の部材であり、該腕部４０の先端には下方に向いた洗浄ノズル３８が配設される。該洗浄機構３６は、図示しない洗浄液供給源を備え、軸部４２及び腕部４０を経て洗浄ノズル３８からスピンナテーブル８に保持された被洗浄物に向け洗浄液を噴出させ、該被洗浄物に付着した加工屑等を除去する機能を有する。軸部４２と、腕部４０と、は切削液を供給する供給路として機能する。
スピンナテーブル８の上部の外周側には、フレームユニット１１のフレーム９を保持するクランプ４４が配設されている。該クランプ４４は、スピンナテーブル８の回転により生じる遠心力により下側の錘部分が外周側に移動することで自動的に上側の把持部が内周側に倒れて該フレーム９を把持する。
次に、本実施形態に係る洗浄方法の各ステップについて詳述する。該洗浄方法では、フレームユニット１１をスピンナテーブル８の保持面で保持する保持ステップを実施する。図３は、保持ステップを模式的に示す断面図である。保持ステップを実施する際は、支持機構１２を作動させて所定の搬出入位置にスピンナテーブル８を上昇させておく。
そして、被洗浄物として加工後の被貼着物１を含むフレームユニット１１を洗浄装置２に搬入し、テープ７を介して該フレームユニット１１をスピンナテーブル８の保持面上に載せる。その後、スピンナテーブル機構４の吸引源（不図示）を作動させ、該フレームユニット１１に負圧を作用させると、該フレームユニット１１がスピンナテーブル８に吸引保持される。次に、支持機構１２を作動させて所定の洗浄位置にフレームユニット１１を下降させる。
次に、該洗浄方法では、主に被貼着物１を洗浄する被貼着物洗浄ステップと、主にフレーム９を洗浄するフレーム洗浄ステップと、を実施する。まず、被貼着物洗浄ステップについて説明する。図４は、被貼着物洗浄ステップを模式的に示す断面図である。
図４に示す通り、モータ１０を作動させて出力軸１４を回転させることでフレームユニット１１を保持したスピンナテーブル８を回転させる。スピンナテーブル８を回転させると遠心力の作用によりクランプ４４が作動し、フレーム９は該クランプ４４に把持される。次に、洗浄ノズル３８から洗浄液３８ａを下方に噴出させながらモータ４２ａを作動させて軸部４２を回転させる。軸部４２を回転させると、腕部４０を半径とした円弧状の経路に沿って洗浄ノズル３８が移動する。
被貼着物洗浄ステップにおける洗浄ノズル３８の移動について図５を用いて説明する。図５は、被洗浄物洗浄ステップを模式的に示す上面図である。図５には、被貼着物洗浄ステップにおける洗浄ノズル３８の移動経路３８ｂが示されている。
図５に示す通り、本ステップでは、スピンナテーブル８の保持面の中心の上方を通り該被貼着物１の外周縁の一端の上方から他端の上方に至る経路に沿って洗浄ノズル３８を往復移動させる。被貼着物洗浄ステップでは、洗浄液３８ａを噴出しながら洗浄ノズル３８が被貼着物１の上方で往復移動するため、主に被貼着物１の表面が洗浄され、例えば、該表面に付着した加工屑や、該表面に塗布された水溶性樹脂等が除去される。
次に、フレーム洗浄ステップについて説明する。該フレーム洗浄ステップでも上述の被貼着物洗浄ステップと同様に、スピンナテーブル８を回転させつつ洗浄ノズル３８から洗浄液３８ａを下方に噴出させながらモータ４２ａを作動させて軸部４２を回転させる。
フレーム洗浄ステップでは、該洗浄ノズルから該フレームに洗浄液を噴射して該フレームを洗浄する。フレーム洗浄ステップにおける洗浄ノズル３８の移動について図６を用いて説明する。図６は、フレーム洗浄ステップの一例を模式的に示す上面図である。図６には、フレーム洗浄ステップにおける洗浄ノズル３８の移動経路３８ｂが示されている。
図６に示す例では、フレーム９の上方を含む経路に沿って洗浄ノズル３８を往復移動させる。被貼着物洗浄ステップでは、洗浄液３８ａを噴出しながら洗浄ノズル３８がフレーム９の上方で往復移動するため、主にフレーム９の表面が洗浄され、例えば、フレーム９の表面に設けられた被貼着物１の識別情報の表示１３に付着した加工屑が除去される。
デバイス５が形成されたウェーハ等の被貼着物１と、識別情報の表示１３が配されたフレーム９と、では、必要な洗浄強度が異なる。ここで、洗浄強度とは、例えば、洗浄を実施する時間の長さ等で決定される洗浄作用の強さである。
例えば、被貼着物１と、フレーム９と、で必要な洗浄強度が同程度ではない場合、一つの洗浄ステップでフレームユニット１１を洗浄すると、必要な洗浄強度が比較的高い被洗浄物に必要な洗浄強度でフレームユニット１１の表面全体が洗浄される。この場合、必要な洗浄強度が比較的低い被洗浄物が過剰に洗浄されることになる。
これに対して、本実施形態に係る洗浄方法では、被貼着物洗浄ステップと、フレーム洗浄ステップと、の２つのステップに分けて洗浄を実施することで、被貼着物１と、フレーム９と、をそれぞれ必要な洗浄強度で洗浄できる。
例えば、被貼着物１に必要な洗浄強度がフレーム９に必要な洗浄強度よりも高い場合、被貼着物洗浄ステップをフレーム洗浄ステップよりも長い時間実施して、被貼着物洗浄ステップによる洗浄強度を比較的大きくする。この場合、必要な洗浄強度が比較的低いフレーム９を適切な洗浄強度で洗浄できるため、過剰に長い時間でフレーム９を洗浄することがない。そのため、フレームユニット１１の洗浄に要する時間を短縮化できる。
本実施形態に係る洗浄方法では、被貼着物洗浄ステップを実施した後にフレーム洗浄ステップを実施してもよい。被貼着物１の表面１ａを洗浄すると、該表面１ａに付着していた加工屑等が洗浄液により外部に流されるが、このときに一部の加工屑が被貼着物１の外周に位置するフレーム９に再付着することがある。そこで、被貼着物洗浄ステップを実施した後、フレーム洗浄ステップを実施すると、該フレーム９に再付着した加工屑等も洗浄液３８ａにより除去できる。ただし、本実施形態はこれに限定されない。
また、フレーム洗浄ステップでは、洗浄ノズル３８を該保持面の中心の上方を通り該フレーム９の外周縁の一端の上方から他端の上方に至る経路に沿って往復移動させて該フレーム９とともに被貼着物１をさらに洗浄してもよい。図７は、フレーム洗浄ステップの他の一例を模式的に示す上面図である。図７に、洗浄ノズル３８の移動経路３８ｂを示す。この場合、フレーム９に再付着した加工屑等を除去する際に、除去された加工屑等の被貼着物１の表面への再々付着を抑制できる。
また、この場合、フレーム９に必要な洗浄強度に基づいてフレーム洗浄ステップの実施時間を決定する。そして、被貼着物１に必要な洗浄強度からフレーム洗浄ステップで洗浄される被貼着物１の洗浄強度を差し引いた洗浄強度に基づいて被貼着物洗浄ステップの実施時間を決定する。
例えば、被貼貼着物１を洗浄する被貼着物洗浄ステップの実施時間を１５０秒とし、被貼着物１及びフレーム９を洗浄するフレーム洗浄ステップの実施時間を３０秒とする。この場合、フレームユニット１１の洗浄の総所要時間は１８０秒となる。このように洗浄できるフレームユニット１１を本実施形態によらず一つの洗浄ステップで実際に洗浄したところ、フレームユニット１１の全体が洗浄されるまでに３１１秒を要した。
本実施形態に係る洗浄方法では、被貼着物１と、フレーム９と、をそれぞれに必要な洗浄強度で洗浄できるため、洗浄が過剰に実施されることがない。例えば、洗浄強度を洗浄時間で調整する場合、従来過剰な洗浄に要していた時間が該洗浄方法により省略できるため、フレームユニット１１の洗浄の所要時間を短縮化できる。
さらに、フレーム洗浄ステップでは、フレーム９の上方のみを含む経路に沿って洗浄ノズル３８を往復移動させてもよい。この場合、被貼着物１及びフレーム９のそれぞれに必要な洗浄強度に合わせてそれぞれの洗浄ステップを実施できる。すなわち、互いの洗浄ステップの洗浄強度を考慮することなくそれぞれの洗浄ステップの洗浄強度を決定できるため、それぞれのステップの実施時間等を容易に決定できる。
被貼着物洗浄ステップと、フレーム洗浄ステップと、を実施した後、乾燥ステップを実施する。図８を用いて該乾燥ステップを説明する。図８は、乾燥ステップを模式的に示す断面図である。該乾燥ステップでは、スピンナテーブル８を回転させつつ乾燥ノズル３０からエアー３０ａを下方に噴出させながらモータ３４ａを作動させて乾燥軸部３４を回転させる。
被貼着物洗浄ステップと、フレーム洗浄ステップと、と同様にエアー３０ａを噴出する乾燥ノズル３０を往復移動させてフレームユニット１１の表面に付着した洗浄液を除去して、フレームユニット１１を乾燥させる。フレームユニット１１を乾燥させた後、支持機構１２を作動させてスピンナテーブル８の所定の搬出入位置にスピンナテーブル８を上昇させ、フレームユニット１１をスピンナテーブル８から搬出する。
なお、本発明は、上記の実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記の実施形態において、被貼着物洗浄ステップの後にフレーム洗浄ステップを実施する場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。
例えば、被貼着物１に必要な洗浄強度がフレーム９に必要な洗浄強度よりも高い場合、フレーム洗浄ステップを実施した後に被貼着物洗浄ステップを実施してもよい。被貼着物洗浄ステップを実施した後にフレーム洗浄ステップを実施すると、被貼着物洗浄ステップによりフレーム９に再付着した加工屑がフレーム洗浄ステップにおいてフレーム９のエッジ等に噴射される洗浄液に取り込まれる。そして、加工屑等を含む該洗浄液が被貼着物１の上面にも飛散するおそれがあるためである。
被貼着物洗浄ステップと、フレーム洗浄ステップと、とは、被貼着物１と、フレーム９等と、のそれぞれに必要な洗浄強度や、被貼着物１に実施される加工の内容、被貼着物１やフレーム９の大きさ等により適宜順番が選択される。さらに、フレームユニット１１からより確実に加工屑等を除去するために、被貼着物洗浄ステップを実施した後にフレーム洗浄ステップを実施し、その後さらに被貼着物洗浄ステップを実施する等、両ステップを交互に複数回実施してもよい。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１ 被貼着物
１ａ 表面
１ｂ 裏面
３ 加工予定ライン
３ａ 加工痕
５ デバイス
７ テープ
９ フレーム
１１ フレームユニット
１３ 識別情報の表示
２ 洗浄装置
４ スピンナテーブル機構
６ 洗浄水受け機構
８ スピンナテーブル
８ａ 多孔質部材
１０，３４ａ，４２ａ モータ
１２ 支持機構
１４ 出力軸
１６ 支持脚
１８ エアシリンダ
２０ａ 外周壁
２０ｂ 底壁
２０ｃ 内周壁
２２ 貫通孔
２４ 排水口
２６ 排水路
２８ 乾燥機構
３０ 乾燥ノズル
３０ａ エアー
３２ 乾燥腕部
３４ 乾燥軸部
３６ 洗浄機構
３８ 洗浄ノズル
３８ａ 洗浄液
３８ｂ 移動経路
４０ 腕部
４２ 軸部
４４ クランプ
４６ カバー部材

Claims (3)

  1. 被貼着物と、該被貼着物の裏面に貼着されたテープと、該テープの外周部が貼着された環状のフレームと、からなるフレームユニットを洗浄する洗浄方法であって、
    該フレームユニットをスピンナテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
    該フレームユニットを保持した該スピンナテーブルを回転させつつ洗浄ノズルを該保持面の中心の上方を通り該被貼着物の外周縁の一端の上方から他端の上方に至る第１の経路に沿って往復移動させながら該洗浄ノズルから洗浄液を噴射して被貼着物を洗浄する被貼着物洗浄ステップと、
    該スピンナテーブルを回転させつつ該洗浄ノズルから該フレームに洗浄液を噴射して該フレームを洗浄するフレーム洗浄ステップと、を備え、
    該フレームユニットは、該保持ステップの後、該被貼着物洗浄ステップ及び該フレーム洗浄ステップが終了するまで該スピンナテーブルから搬出されず、該被貼着物洗浄ステップ及び該フレーム洗浄ステップが実施された後に該スピンナテーブルから搬出されることを特徴とする洗浄方法。
  2. 該フレーム洗浄ステップでは、該洗浄ノズルを該保持面の中心の上方を通り該フレームの外周縁の一端の上方から他端の上方に至る第２の経路に沿って往復移動させて該フレームとともに被貼着物を洗浄することを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
  3. 該フレーム洗浄ステップでは、該フレームの上方のみを含む第２の経路に沿って該洗浄ノズルを往復移動させることを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7337634B2 (ja) * 2019-09-30 2023-09-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7337633B2 (ja) * 2019-09-30 2023-09-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008080180A (ja) 2006-09-25 2008-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置および加工装置
JP2013118325A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの洗浄方法
JP2017092379A (ja) 2015-11-16 2017-05-25 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097977A (ja) 1995-06-26 1997-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd ダイシング装置及びダイシングシステム
JP2000033346A (ja) 1998-07-21 2000-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナー洗浄装置及びダイシング装置
JP2007073670A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Disco Abrasive Syst Ltd 水溶性樹脂被覆方法
JP4721968B2 (ja) * 2006-07-06 2011-07-13 株式会社ディスコ スピンナ洗浄装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008080180A (ja) 2006-09-25 2008-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置および加工装置
JP2013118325A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの洗浄方法
JP2017092379A (ja) 2015-11-16 2017-05-25 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法

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