JP2017208460A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 被加工物の洗浄不良を防止可能な洗浄装置及び洗浄方法を提供することである。【解決手段】 板状の被加工物を洗浄する洗浄装置であって、被加工物を保持するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、該スピンナテーブルを収容するチャンバーと、該チャンバーから洗浄水を排出する排水路と、該洗浄水と共に排出される洗浄水以外の成分を測定し洗浄の完了を判定する判定手段と、を具備し、該判定手段は、洗浄水以外の成分の量を測定する測定部と、該測定部で測定した洗浄水以外の成分の量が所定値以下になった際に洗浄が完了したと判定し、洗浄水の供給を終了させる判定部と、を含む。【選択図】図4

Description

本発明は、板状の被加工物を洗浄する洗浄装置及び洗浄方法に関する。
半導体ウェーハ、サファイアウェーハ、SiCウェーハ、チップサイズパッケージ(CSP)ウェーハ、セラミックスやガラス等の板状の被加工物を切削ブレードでチップに分割したり、レーザー加工装置で加工したり、研削装置や研磨装置で研削、研磨したりする加工が知られている。これらの加工では、被加工物に加工屑が付着しているため、加工後の被加工物を洗浄装置で洗浄する(例えば、特開2008−080180号公報参照)。
被加工物の洗浄で除去する対象に、加工前の被加工物に予め塗付された水溶性の樹脂を含むこともあり、加工で発生した被加工物の加工屑と共に水溶性の樹脂も合わせて除去され、被加工物は次の工程に搬送される(例えば、特開2006−140311号公報及び特開2007−201178号公報参照)。
被加工物の洗浄は、スピンナテーブルで保持した回転する被加工物に所定時間洗浄水(主に純水)を供給し、洗浄終了後スピン乾燥して完了する。
特開2008−080180号公報 特開2006−140311号公報 特開2007−201178号公報
所定時間の洗浄で、除去対称物が被加工物から除去されるのが一般的であるが、洗浄水の供給量が減ってしまっていたり、除去対象物の量が突発的に多かったり等すると、洗浄による除去対象物の除去が不完全なまま洗浄が終了してしまう恐れがある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物の洗浄不良を防止可能な洗浄装置及び洗浄方法を提供することである。
請求項1記載の発明によると、板状の被加工物を洗浄する洗浄装置であって、被加工物を保持するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、該スピンナテーブルを収容するチャンバーと、該チャンバーから洗浄水を排出する排水路と、該洗浄水と共に排出される洗浄水以外の成分を測定し洗浄の完了を判定する判定手段と、を具備し、該判定手段は、洗浄水以外の成分の量を測定する測定部と、該測定部で測定した洗浄水以外の成分の量が所定値以下になった際に洗浄が完了したと判定し、洗浄水の供給を終了させる判定部と、を含むことを特徴とする洗浄装置が提供される。
好ましくは、該測定部は、排出される洗浄水の電気伝導率又は濁度を測定し、該判定部は予め登録された該チャンバー内又は該排水路内の洗浄水の電気伝導率又は濁度の閾値と比較して、洗浄水以外の成分の量が該所定値以下になったと判定する。
請求項3記載の発明によると、板状の被加工物を洗浄する洗浄方法であって、被加工物をチャンバー内に収容された回転可能なスピンナテーブルで保持し、該スピンナテーブルを回転させながら被加工物に洗浄水を供給して被加工物を洗浄し、該チャンバーから排出される洗浄水の電気伝導率又は濁度を測定し、予め登録された洗浄水の電気伝導率又は濁度の閾値と比較して、測定した電気伝導率又は濁度が該閾値以下になった際に洗浄が完了したと判定し、洗浄水の供給を終了させることを特徴とする洗浄方法が提供される。
本発明によると、排水中に含まれる洗浄水以外の成分の量を測定することで、洗浄の状況を把握することができるため、誤って洗浄が未完了の被加工物を生産することがないという効果を奏する。また、無駄に洗浄水を供給したり、洗浄時間を長くしたりすることが防止できるため、低コスト、高スループットを実現できる。
本発明に係る洗浄装置を具備したレーザー加工装置の斜視図である。 ウェーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持するフレームユニットの斜視図である。 本発明実施形態に係る洗浄装置の斜視図である。 第1実施形態の洗浄装置の断面図である。 第2実施形態の洗浄装置の断面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では本発明の洗浄装置をレーザー加工装置に適用した例について説明するが、本発明の洗浄装置はレーザー加工装置に限定されるものではなく、切削装置、研削装置等の他の加工装置にも同様に適用可能である。
図1を参照すると、ウェーハにレーザー加工を施すことのできるレーザー加工装置2の斜視図が示されている。レーザー加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
図2に示すように、加工対象の半導体ウェーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。
ウェーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されてフレームユニット11が形成される。これにより、ウェーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウェーハカセット8中にフレームユニット11が複数枚(例えば25枚)収容される。ウェーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
ウェーハカセット8の後方には、ウェーハカセット8からレーザー加工前のフレームユニット11を搬出するとともに、加工後のフレームユニット11をウェーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。
ウェーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のフレームユニット11が一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはフレームユニット11を一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
30は加工後のウェーハを洗浄する洗浄装置であり、この洗浄装置30は加工前のウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、フレームユニット11のフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。
仮置き領域12に搬出されたフレームユニット11は、搬送手段16により吸着されて保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置30に搬送される。保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置30では、ウェーハWの加工面に保護膜が被覆される。
加工面に保護膜が被覆されたウェーハWを有するフレームユニット11は、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、ウェーハWがダイシングテープTを介してチャックテーブル18に吸引保持されると共に、複数のクランプ19によりフレームFがクランプされて固定される。
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウェーハWのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
アライメント手段20は、ウェーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウェーハWに対してレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット24が配設されている。レーザービーム照射ユニット24のケーシング26中にはレーザービーム発振手段等が収容されており、ケーシング26の先端にはレーザービームを加工すべきウェーハ上に集光する集光器28が装着されている。
レーザービーム照射ユニット24によりレーザー加工が終了したウェーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により保持されて保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置30まで搬送される。洗浄装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウェーハWを低速回転(例えば800〜1000rpm)させることによりウェーハを洗浄する。
洗浄後、ウェーハWを高速回転(例えば1500〜2000rpm)させながらエアノズルからエアを噴出させてウェーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりフレームユニット11を吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウェーハカセット8の元の収納場所にフレームユニット11は戻される。
次に、本発明実施形態に係る洗浄装置30について図3乃至図5を参照して説明する。図3を参照すると、保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置30の一部破断斜視図が示されている。
洗浄装置30は、スピンナテーブル機構44と、スピンナテーブル機構44を包囲して配設された洗浄水受け機構46を具備している。スピンナテーブル機構44は、スピンナテーブル48と、スピンナテーブル48を回転駆動する電動モータ50と、電動モータ50を上下方向に移動可能に支持する支持機構52とから構成される。
スピンナテーブル48は多孔性材料から形成された吸着チャック48aを具備しており、吸着チャック48aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル48は、吸着チャック48aにウェーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック48a上にウェーハを吸引保持する。
スピンナテーブル48は、電動モータ50の出力軸50aに連結されている。支持機構52は、複数の(本実施形態においては3本)の支持脚54と、支持脚54にそれぞれ連結され電動モータ50に取り付けられた複数(本実施形態においては3本)のエアシリンダ56とから構成される。
このように構成された支持機構52は、エアシリンダ56を作動することにより、電動モータ50及びスピンナテーブル48を上昇位置であるウェーハ搬入・搬出位置と、図3乃至図5に示す下降位置である作業位置に位置付け可能である。
洗浄水受け機構46は、洗浄水受け容器58と、洗浄水受け容器58を支持する3本(図4には2本のみ図示)の支持脚60と、電動モータ50の出力軸50aに装着されたカバー部材62とから構成される。
洗浄水受け容器58は、円筒状の外側壁58aと、底壁58bと、内側壁58cとから構成され、内部にチャンバー59が画成されている。底壁58bの中央部には、電動モータ50の出力軸50aが挿入される穴51が設けられており、内側壁58cはこの穴51の周辺から上方に吐出するように形成されている。
洗浄水受け容器58の底壁58bには排水口61が設けられており、この排水口61に図4に示す排水路64が接続されている。排水路64には測定部65が介装されており、測定部65は判定部67を備えており、判定部67は制御手段69に接続されている。
カバー部材62は円板状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部62aを備えている。このように構成されたカバー部材62は、電動モータ50及びスピンナテーブル48が図4に示す作業位置に位置付けられると、カバー部材62aが洗浄水受け容器58を構成する内側壁58cの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。
図3を再び参照すると、保護膜塗付装置を兼用する洗浄装置30は、スピンナテーブル48に保持された加工前の半導体ウェーハに水溶性の液状樹脂を塗布する塗付手段66を具備している。
塗付手段66は、スピンナテーブル48に保持された加工前のウェーハWの加工面に向けて水溶性の液状樹脂を吐出する吐出ノズル68と、吐出ノズル68を支持する概略L形状のアーム70とを含んでいる。
塗付手段66は更に、アーム70に支持された吐出ノズル68をスピンナテーブル48に支持されたウェーハWの中心部に対応する液状樹脂吐出位置と、スピンナテーブル48から外れた図4に示す待避位置との間で揺動する正転・逆転可能な電動モータ72とを含んでいる。吐出ノズル68はアーム70を介して図示しない水溶性の液状樹脂供給源に接続されている。
洗浄装置30は更に、スピンナテーブル48に保持された加工後のウェーハを洗浄するための洗浄水供給手段74及びエア供給手段76を具備している。洗浄水供給手段74は、スピンナテーブル48に保持された加工後のウェーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル78と、洗浄水ノズル78を支持するアーム80と、アーム80に支持された洗浄水ノズル78を揺動する正転・逆転可能な電動モータ82とから構成される。洗浄水ノズル78はアーム80を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。
エア供給手段76は、スピンナテーブル48に保持された洗浄後のウェーハに向けてエアを噴出するエアノズル84と、エアノズル84を支持するアーム86と、アーム86に支持されたエアノズル84を揺動する正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えている。エアノズル84はアーム86を介して図示しないエア供給源に接続されている。
スピンナテーブル48には、環状フレームFを押さえる4個の振り子式の環状フレーム押さえ手段49が配設されている。環状フレーム押さえ手段49は、スピンナテーブル48に固定された支持部88と、支持部88に回動可能に取り付けられた振り子体(クランプ)90を含んでいる。
以下、このように構成された保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置30の作用について説明する。まず、保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置30で、加工前のウェーハWの加工面に液状樹脂塗付手段66により液状樹脂を塗布し、この液状樹脂を乾燥させてウェーハWの加工面に保護膜を被覆する。
保護膜を形成する水溶性液状樹脂としては、PVA(ポリ・ビニル・アルコール)、PEG(ポリ・エチレン・グリコール)、PEO(酸化ポリエチレン)等の水溶性のレジストが望ましい。
表面に保護膜が被覆されたウェーハWを有するフレームユニット11は搬送手段16によりチャックテーブル18まで搬送され、ウェーハWはチャックテーブルに吸引保持され、フレームユニット11の環状フレームFはクランプ19によりクランプされて固定される。
チャックテーブル18に保持されたウェーハWに対して第1のストリートS1及び第2のストリートS2に対するアライメントを実施した後、チャックテーブル18をレーザービームを照射する集光器28が位置するレーザービーム照射領域に移動し、ウェーハWの第1のストリートS1又は第2のストリートS2に沿って集光器28からウェーハWに対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のレーザービームを保護膜を通してウェーハWに照射して、アブレーション加工によりレーザー加工溝を形成する。
この時、レーザービームの照射によりウェーハWがアブレーション加工されデブリが発生しても、このデブリは保護膜によって遮断され、デバイスDの電子回路及びボンディングパッド等に付着することはない。
ウェーハWのレーザー加工が終了すると、チャックテーブル18は最初にウェーハWを吸引保持した位置に戻され、ここでウェーハWの吸引保持を解除する。そして、ウェーハWを有するフレームユニット18は搬送手段32によって洗浄装置30のスピンナテーブル48に搬送され、ウェーハWは吸着チャック48aにより吸引保持される。
スピンナテーブル48が図4に示すチャンバー59内に収容される作業位置に位置付けられた後、洗浄水ノズル78から洗浄水79を噴射しながらスピンナテーブル48を矢印R1方向に例えば800rpmで回転させることにより、ウェーハWを洗浄してウェーハWの表面から保護膜を除去する。
チャンバー59内に貯留された洗浄水は排水口61を介して排水路64に排出される。排水路64には測定部65が介装されているため、測定部65により排出される洗浄水の電気伝導率を測定し、測定した電気伝導率を予め登録した電気伝導率の閾値と比較し、排水の電気伝導率が閾値以下になった際に洗浄が完了したと判定部67で判定し、判定部67に接続された制御手段69で洗浄ノズル78からの洗浄水の供給を停止する。
ここで、純水の電気伝導率は0.5μS/cm、40倍に希釈した水溶性樹脂の電気伝導率は50μS/cmであるから、電気伝導率の閾値を、例えば5〜10μS/cmに設定する。除去対象物の量が閾値になったと判定部67で判定してから、例えば5秒程度の余分な洗浄時間を経てから洗浄水ノズル78からの洗浄水の供給を停止する。この余分な洗浄時間の間に、閾値を超える電気伝導率が計測された場合は、再度閾値以下になるまで測定を継続する。
測定部65で洗浄水の電気伝導率を測定する実施形態に替えて、洗浄水の濁度を測定するようにしてもよい。この場合にも、測定部65で測定する洗浄水の濁度が、予め登録した洗浄水の濁度の閾値以下になったと判定部67で判定すると、ウェーハWの洗浄が終了したと判定し、洗浄水供給ノズル78からの洗浄水の供給を停止する。
図5を参照すると、本発明第2実施形態の洗浄装置30Aの断面図が示されている。この実施形態では、測定部65はチャンバー59内に配設されている。そして、測定部65は洗浄装置30Aの外部に配設された判定部67に接続されている。
この様に測定部65をチャンバー59内に配設した実施形態でも、図4に示した実施形態と同様に洗浄水中の電気伝導率又は濁度を測定し、測定値が予め登録された電気伝導率又は濁度の閾値以下になった際に判定部67で洗浄が終了したと判定することができる。
上述した実施形態では、保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置30,30Aについて説明したが、保護膜被覆装置を兼用しない洗浄装置も本発明は含むものである。更に、本発明の洗浄装置はレーザー加工装置のみでなく、切削装置、研削装置、研磨装置等の他の加工装置にも同様に適用することができる。
2 レーザー加工装置
18 チャックテーブル
24 レーザービーム照射ユニット
28 集光器
30 保護膜被覆装置を兼用する洗浄装置
48 スピンナテーブル
59 チャンバー
64 排水路
65 測定部
67 判定部

Claims (3)

  1. 板状の被加工物を洗浄する洗浄装置であって、
    被加工物を保持するスピンナテーブルと、
    該スピンナテーブルに保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズルと、
    該スピンナテーブルを収容するチャンバーと、
    該チャンバーから洗浄水を排出する排水路と、
    該洗浄水と共に排出される洗浄水以外の成分を測定し洗浄の完了を判定する判定手段と、を具備し、
    該判定手段は、洗浄水以外の成分の量を測定する測定部と、
    該測定部で測定した洗浄水以外の成分の量が所定値以下になった際に洗浄が完了したと判定し、洗浄水の供給を終了させる判定部と、を含むことを特徴とする洗浄装置。
  2. 該測定部は、排出される洗浄水の電気伝導率又は濁度を測定し、該判定部は予め登録された該チャンバー内又は該排水路内の洗浄水の電気伝導率又は濁度の閾値と比較して、洗浄水以外の成分の量が該所定値以下になったと判定する請求項1記載の洗浄装置。
  3. 板状の被加工物を洗浄する洗浄方法であって、
    被加工物をチャンバー内に収容された回転可能なスピンナテーブルで保持し、
    該スピンナテーブルを回転させながら被加工物に洗浄水を供給して被加工物を洗浄し、
    該チャンバーから排出される洗浄水の電気伝導率又は濁度を測定し、
    予め登録された洗浄水の電気伝導率又は濁度の閾値と比較して測定した電気伝導率又は濁度が該閾値以下になった際に洗浄が完了したと判定し、洗浄水の供給を終了させることを特徴とする洗浄方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7337634B2 (ja) 2019-09-30 2023-09-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7337633B2 (ja) 2019-09-30 2023-09-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7429595B2 (ja) 2020-05-07 2024-02-08 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120708A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd 処理方法および処理装置
JP2008004880A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US7596886B1 (en) * 2002-12-18 2009-10-06 Lam Research Corporation Method and system to separate and recycle divergent chemistries
JP2011009277A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Corp 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2012195524A (ja) * 2011-03-18 2012-10-11 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法および洗浄装置
JP2012200673A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Disco Corp 保護膜塗布装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7596886B1 (en) * 2002-12-18 2009-10-06 Lam Research Corporation Method and system to separate and recycle divergent chemistries
JP2006120708A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd 処理方法および処理装置
JP2008004880A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2011009277A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Corp 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2012195524A (ja) * 2011-03-18 2012-10-11 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法および洗浄装置
JP2012200673A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Disco Corp 保護膜塗布装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7337634B2 (ja) 2019-09-30 2023-09-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7337633B2 (ja) 2019-09-30 2023-09-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7429595B2 (ja) 2020-05-07 2024-02-08 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

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